KR101266537B1 - 금속 배선 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초순수, 연마제, 산화제, 킬레이팅제, 연마속도 향상제, 및 pH 조절제를 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 산화제로 과산화 화합물과 무기산을 사용하고, 상기 킬레이팅제로 카르복시산을 사용하며, 상기 연마속도 향상제로 아이언 시트레이트(iron citrate), 아이언 클로라이드(iron chloride), 아이언 피-톨루엔술포닉산(iron p-toluenesulfonic acid), 아이언 아세테이트(iron acetate), 암모늄 아이언 시트레이트(ammonium iron citrate), 아이언(III) 설페이트(iron(III) sulfate), 아이언 디-글루코네이트(iron d-gluconate), 및 아이언 퍼클로레이트(iron perchlorate)로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 철 화합물을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.01 ~ 3 중량%로 사용하며, 상기 pH 조절제로 염기성 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속 배선 및 질화 규소(silicon nitride)에 대한 연마 속도가 우수하므로 금속 배선 연마 공정에 유용하다.
CMP, 슬러리, 과산화수소, 무기산, 카르복시산, 철 화합물, 염기성 화합물
Description
본 발명은 CMP 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금속 배선 및 질화 규소(silicon nitride)에 대한 연마 속도가 우수한 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
최근 반도체 디바이스의 고집적화에 따른 초점심도(Depth Of Focus)의 엄격화, 최소 선폭의 미세화 등의 요구에 부합하기 위해 초정밀 화학적 기계 연마 공정이 필요하게 되었다. 반도체 디바이스 제조에서 요구되는 최소 선 폭이 더욱 미세해짐에 따라 반도체 제조 공정은 더욱 더 복잡해지고 있다. 뿐만 아니라 디바이스 자체도 성능을 향상 시키기 위해 다층 배선 구조로 바뀌고 있으며 초점심도와 디자인 룰이 더욱 엄격해지므로 평탄화 기술이 더욱 중요하게 되었다.
CMP 공정은 반도체 웨이퍼의 표면을 초순수와 연마제, 산화제, 및 보조 첨가제 등이 함유된 슬러리와 연마용 패드 등을 이용하여 연마하는 것으로 다음과 같 은 방법으로 이뤄진다. CMP용 연마기에서 연마 패드 및 웨이퍼를 접촉하여 연마 패드와 웨이퍼를 회전 및 직선 운동을 혼합한 오비탈 운동을 실시하면서 연마제가 포함된 슬러리를 떨어뜨려 연마한다. 따라서 CMP 공정은 물리적인 작용과 화학적 작용에 의해서 웨이퍼 표면에 노출된 부분을 선택적으로 제거하는 평탄화 공정을 말한다.
일반적으로, 반도체 제조 시 커페시티(capacity) 물질로는 질화 규소를 사용한다. 먼저 웨이퍼 전면에 화학 기상 증착 방식으로 질화 규소층을 만든 후 커페시티(capacity) 부분을 제외하고는 모두 제거해야 하는데 일반적으로는 드라이 에치 백(Dry etch back) 또는 CMP 공정을 이용하여 제거한다.
드라이 에치 백 방식은 공정이 복잡해지고 에칭 후 잔존물이 발생하여 디바이스(device) 수율을 저하시키는 단점이 있으며, 단 하나의 막질을 제거하기 위해 여러 단계의 공정을 거쳐야 함으로 그 시간과 비용이 많이 소모되게 된다. 또한, 드라이 에치 백 공정을 통한 질화 규소 제거는 하부 막질까지 나쁜 영향을 미칠 수 있으며 더욱이 공정 후 웨이퍼에 남아있는 입자들은 반도체 회로에 치명적인 불량의 원인을 제공할 수 있게 된다.
CMP 방식은 공정을 단순화할 수 있고 수율을 향상시킬 수 있지만 질화 규소에 대한 낮은 연마 속도로 인해 공정 시간이 길어지게 되며 그에 따라 부 식(erosion) 및 디싱(dishing)이 발생하게 된다. 따라서, 질화 규소에 대한 연마 속도가 높은 CMP 슬러리 조성물에 대한 요구가 강하게 제기되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 금속 배선 및 질화 규소(silicon nitride)에 대한 연마 속도가 우수한 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물을 제공하고자 한다.
그러므로 본 발명에 의하면 초순수, 연마제, 산화제, 킬레이팅제, 연마속도 향상제, 및 pH 조절제를 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 산화제로 과산화 화합물과 무기산을 사용하고, 상기 킬레이팅제로 카르복시산을 사용하며, 상기 연마속도 향상제로 아이언 시트레이트(iron citrate), 아이언 클로라이드(iron chloride), 아이언 피-톨루엔술포닉산(iron p-toluenesulfonic acid), 아이언 아세테이트(iron acetate), 암모늄 아이언 시트레이트(ammonium iron citrate), 아이언(III) 설페이트(iron(III) sulfate), 아이언 디-글루코네이트(iron d-gluconate), 및 아이언 퍼클로레이트(iron perchlorate)로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 철 화합물을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.01 ~ 3 중량%로 사용하며, 상기 pH 조절제로 염기성 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물이 제공된다.
상기 연마제로 실리카(Silica), 알루미나(Alumina), 세리아(Ceria), 및 티타 니아(Titania) 중에서 선택되는 1종 이상을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 25 중량%로 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 과산화 화합물로 하이드로겐 퍼록사이드(hydrogen peroxide), 벤조일 퍼록사이드(benzoyl peroxide), 칼슘 퍼록사이드(calcium peroxide), 바륨 퍼록사이드(barium peroxide), 및 소듐 퍼록사이드(sodium peroxide) 중에서 선택되는 1종 이상을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 20 중량%로 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 무기산으로 질산(nitric acid), 황산(sulfuric acid), 염산(hydrochloric acid), 및 인산(phosphoric acid) 중에서 선택되는 1종 이상을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.001 ~ 0.2 중량%로 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 카르복시산으로 아세트산(acetic acid), 시트르산(citric acid), 글루타르산(glutaric acid), 글루콜산(glycolic acid), 포름산(formic acid), 젖산(lactic acid), 말산(malic acid), 옥살산(oxalic acid), 프탈산(phthalic acid), 숙신산(succinic acid), 및 타르타르산(tartaric acid) 중에서 선택되는 1종 이상을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.01 ~ 10 중량%로 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 염기성 화합물로 수산화칼륨(potassium hydroxide), 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethylammonium hydroxide), 암모니아(ammonia) 중에서 선택되는 1종 이상을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.001 ~ 0.5 중량%로 사용하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서는 상기 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물을 사용하여 텅스텐, 알루미늄, 구리 중에서 선택된 1종 이상의 금속 배선과 질화 규소 층을 연마하는 방법이 제공된다.
본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 금속 배선 및 질화 규소에 대한 연마 속도가 우수하므로 금속 배선 연마 공정에 유용하다.
본 발명은 초순수, 연마제, 산화제, 킬레이팅제, 연마속도 향상제, 및 pH 조절제를 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 상기 산화제로 과산화 화합물과 무기산을 사용하고, 상기 킬레이팅제로 카르복시산을 사용하며, 상기 연마속도 향상제로 아이언 시트레이트(iron citrate), 아이언 클로라이드(iron chloride), 아이언 피-톨루엔술포닉산(iron p-toluenesulfonic acid), 아이언 아세테이트(iron acetate), 암모늄 아이언 시트레이트(ammonium iron citrate), 아이언(III) 설페이트(iron(III) sulfate), 아이언 디-글루코네이트(iron d-gluconate), 및 아이언 퍼클로레이트(iron perchlorate)로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 철 화합물을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.01 ~ 3 중량%로 사용하며, 상기 pH 조절제로 염기성 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
상기 연마제로는 실리카, 알루미나, 세리아, 및 티타니아 등의 미분의 금속 산화물을 사용하는 것이 바람직하며, 그 중에서 실리카가 슬러리 조성물의 분산 안정성이 우수하고 연마 시 스크래치를 적게 발생시키므로 가장 바람직하다. 상기 연마제는 연마 속도, 슬러리 조성물의 분산 안정성, 피연마물의 표면 특성 측면에서 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 25 중량%로 사용되는 것이 바람직하며, 0.5 ~ 15 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 1 ~ 10 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
본 발명에서 금속 표면을 산화시키기 위해 사용하는 산화제로는 과산화 화합물과 무기산을 함께 사용한다.
상기 과산화 화합물로는 하이드로겐 퍼록사이드, 벤조일 퍼록사이드, 칼슘 퍼록사이드, 바륨 퍼록사이드, 및 소듐 퍼록사이드 등의 퍼록사이드 계열의 산화제를 사용하는 것이 바람직하며, 산화력과 슬러리의 분산 안정성 측면에서 과산화수소를 사용하는 것이 가장 바람직하다. 상기 산화제는 연마 속도, 피연마물의 표면 특성 측면에서 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 20 중량%로 사용되는 것이 바람직하며, 0.5 ~ 15 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 1 ~ 10 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 무기산으로는 질산, 황산, 염산, 및 인산 중에서 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하며, 연마 후 오염에 의한 문제점 등을 고려할 때 질산이 가장 바람직하다. 상기 무기산은 연마 속도, 피연마물의 표면 특성 측면에서 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.001 ~ 0.2 중량%로 사용되는 것이 바람직하며, 0.005 ~ 0.1 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 0.01 ~ 0.05 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 과산화 화합물과 무기산만을 이용하여 피연마 대상인 텅스텐 등의 금속 표면을 산화시켜 산화막을 형성시키는 경우에는 금속에 대한 산화 속도가 충분하지 않아 과량을 사용하게 되고, 이럴 경우, 슬러리 조성물이 너무 강한 산도를 갖게 되어 취급상의 문제가 있을 뿐만 아니라, 연마 시 피연마 대상인 금속에 부식(corrosion) 및 균열(seam) 등이 발생할 우려가 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 반도체 공정에 요구되는 연마속도를 얻기 위하여 카르복시산을 첨가함으로써 그 목적을 달성할 수 있다. 이는 카르복시산의 기계적 작용에 의해 텅스텐 표면으로부터 탈리된 산화물(WxOy)과 착체를 형성하여 탈리된 연마 산화물을 반응계로부터 계속적으로 제거해 줌으로써 반응을 촉진하기 때문이다. 또한, 상기 카르복시산은 연마 재현성 및 슬러리의 안정성을 개선하기 위한 안정제로서도 역할을 한다.
상기 카르복시산으로는 아세트산, 시트르산, 글루타르산, 글루콜산, 포름산, 젖산, 말산, 옥살산, 프탈산, 숙신산, 및 타르타르산 중에서 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하며, 이 중 말산이 가장 바람직하다. 상기 카르복시산은 연마 속도, 슬러리의 분산 안정성 측면에서 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.01 ~ 10 중량%로 사용되는 것이 바람직하며, 0.05 ~ 5 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 0.1 ~ 3 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 카르복시산으로 이중 결합을 갖는 카르복시산을 사용할 경우에는 연마속도 향상에는 도움이 되지만 과산화수소와 섞은 후에 연마 성능을 오랫동안 지속하지 못하므로 주의하여야 한다. 그 이유는 과산화수소가 라디칼로 변환되면서 이중 결합을 갖는 카르복시산의 이중결합을 깨는데 소모됨으로써 결과적으로 시간 이 지날수록 슬러리에 있는 산화제의 농도가 줄어들기 때문이다.
상기 철 화합물은 질화 규소에 대한 연마속도 향상제로 작용하며, 질화 규소에 대한 연마속도를 향상시킴으로써 공정 단순화 및 공정 시간 단축을 할 수 있는 장점이 있다. 상기 철 화합물로는 아이언 시트레이트, 아이언 클로라이드, 아이언 피-톨루엔술포닉산, 아이언 아세테이트, 암모늄 아이언 시트레이트, 아이언(III) 설페이트, 아이언 디-글루코네이트, 및 아이언 퍼클로레이트로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 철 화합물을 사용하는 것이 바람직하며, 아이언 시트레이트, 아이언 클로라이드, 암모늄 아이언 시트레이트, 및 아이언 퍼클로레이트가 보다 바람직하다. 상기 철 화합물은 연마 속도, 피연마물의 표면 특성 측면에서 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.01 ~ 3 중량%로 사용되는 것이 바람직하며, 0.05 ~ 2 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 0.1 ~ 1 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
상기 염기성 화합물로는 수산화칼륨, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 암모니아 중에서 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하며, 이 중 수산화칼륨과 테트라메틸암모늄 하이드록사이드가 보다 바람직하다. 상기 테트라메틸암모늄 하이드록사이드는 테트라메틸암모늄 이온이 연마 입자 사이에 존재하여 입자간 응집을 방해하는 역할을 하므로 시간이 경과하여 연마 입자간의 전기적인 안정화가 약화되더라도 크기가 큰 테트라메틸암모늄 이온이 연마 입자 사이에 존재하여 단단한 결합을 방해함으로써 약한 외부 충격에도 쉽게 재분산이 될 수 있게 한다. 상기 염기성 화합물은 연마 속도, 슬러리의 분산 안정성, 피연마물의 표면 특성 측면에서 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.001 ~ 0.5 중량%로 사용되는 것이 바람직하며, 0.005 ~ 0.2 중량%로 사용되는 것이 보다 바람직하며, 0.01 ~ 0.1 중량%로 사용되는 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물은 텅스텐, 알루미늄, 구리 중에서 선택된 1종 이상의 금속 배선과 질화 규소 층을 연마하는 데에 특히 효과적이다.
이하 실시예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 하기 실시예들은 예시적 의미를 지니는 것으로 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
[실시예 1]
시판 Aerosil 90G (Degussa社) 60g, 말산 6g, 질산 0.2g, 수산화칼륨 0.3g, Iron citrate 0.015mol을 탈이온수에 넣어 총 1000g의 혼합물을 만들었다. 이 혼합물을 2ℓ의 폴리에틸렌 플라스크에서 2,000rpm에서 2시간 동안 교반시킨 후, 고압 분산 방법을 이용하여 1,200psi에서 1회 동안 분산시켰다. 이렇게 해서 얻어진 슬러리를 1㎛ 필터를 이용하여 필터한 후, 과산화수소 80g을 섞은 후 아래와 같은 조건에서 1분간 연마하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.
o 연마기 Model: Mirra (AMAT社)
o 연마조건:
- Pad type: IC1010/SubaⅣ Stacked(Rodel社)
- Head Speed : 97rpm
- Platen Speed : 83rpm
- Pressure(Inner/Retainer ring/Membrane) : 6.2psi/7.0psi/5.0psi
- Slurry flow : 200㎖/min
o 연마대상 :
- W blanket wafer: Silicon wafer위에 PE-TEOS 1000Å를 증착 후 텅스텐 6,000Å을 CVD 방법으로 증착하였다.
- SiN blanket wafer: Silicon wafer위에 PE-TEOS 1000Å를 증착 후 질화규소 1,800Å을 CVD 방법으로 증착하였다.
[실시예 2 내지 9]
Iron citrate 대신에, 하기 표 1에 나타난 각각의 철 화합물을 Iron citrate와 동일 몰 함량으로 첨가(탈이온수의 양은 첨가하는 철 화합물의 분자량에 따라 조금씩 차이가 있음)한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조한 후 연마 평가를 실시하였으며, 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[비교예 1 내지 9]
Iron citrate 대신에, 하기 표 2에 나타난 각각의 철 화합물을 Iron citrate와 동일 몰 함량으로 첨가(탈이온수의 양은 첨가하는 철 화합물의 분자량에 따라 조금씩 차이가 있음)한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조한 후 연마 평가를 실시하였으며, 그 결과를 표 2에 나타내었다.
[비교예 10]
Iron citrate를 첨가하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조한 후 연마 평가를 실시하였으며, 그 결과를 표 2에 나타내었다.
| 시료 | Fe 화합물 | W 연마속도 |
SiN 연마속도 |
| 실시예 1 | Iron citrate | 3,600Å/min | 775Å/min |
| 실시예 2 | Iron p-toluenesulfonic acid | 4,250Å/min | 339Å/min |
| 실시예 3 | Ammonium iron citrate | 3,420Å/min | 673Å/min |
| 실시예 4 | Iron acetate | 3,010Å/min | 436Å/min |
| 실시예 5 | Iron(III) sulfate | 3,350Å/min | 446Å/min |
| 실시예 6 | Iron(II) chloride | 3,000Å/min | 528Å/min |
| 실시예 7 | Iron(III) chloride | 3,470Å/min | 714Å/min |
| 실시예 8 | Iron d-gluconate | 3,210Å/min | 387Å/min |
| 실시예 9 | Iron perchlorate | 3,600Å/min | 734Å/min |
| 시료 | Fe 화합물 | W 연마속도 |
SiN 연마속도 |
| 비교예 1 | Ferricyamide | 3,400Å/min | 3Å/min |
| 비교예 2 | Iron ethylendiamine tetraacetate | 1,900Å/min | 105Å/min |
| 비교예 3 | Iron(II) sulfate | 3,020Å/min | 73Å/min |
| 비교예 4 | Iron oxalate | 2,550Å/min | 4Å/min |
| 비교예 5 | Copper sulfate | - | 14Å/min |
| 비교예 6 | Strontium nitrate | - | 26Å/min |
| 비교예 7 | Indium nitrate | - | 26Å/min |
| 비교예 8 | Zinc sulfate | - | 40Å/min |
| 비교예 9 | Copper nitrate | - | 12Å/min |
| 비교예 10 | - | 2,510Å/min | 61Å/min |
상기 결과로부터 본 발명의 CMP 슬러리 조성물은 텅스텐 금속 배선 및 질화 규소에 대하여 우수한 연마 속도를 나타내며, 특히 질화 규소에 대하여 월등히 우수한 연마 속도를 나타냄을 확인할 수 있었다.
Claims (7)
- 초순수, 연마제, 산화제, 킬레이팅제, 연마속도 향상제, 및 pH 조절제를 포함하는 CMP 슬러리 조성물에 있어서,상기 산화제로 과산화 화합물과 무기산을 사용하고,상기 킬레이팅제로 카르복시산을 사용하며,상기 연마속도 향상제로 아이언 피-톨루엔술포닉산(iron p-toluenesulfonic acid), 아이언 아세테이트(iron acetate), 암모늄 아이언 시트레이트(ammonium iron citrate), 아이언 디-글루코네이트(iron d-gluconate), 및 아이언 퍼클로레이트(iron perchlorate)로 이루어진 그룹에서 선택되는 1종 이상의 철 화합물을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.01 ~ 3 중량%로 사용하며,상기 pH 조절제로 염기성 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 연마제로 실리카(Silica), 알루미나(Alumina), 세리아(Ceria), 및 티타니아(Titania) 중에서 선택되는 1종 이상을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 25 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 과산화 화합물로 하이드로겐 퍼록사이드(hydrogen peroxide), 벤조일 퍼록사이드(benzoyl peroxide), 칼슘 퍼록사이드(calcium peroxide), 바륨 퍼록사이드(barium peroxide), 및 소듐 퍼록사이드(sodium peroxide) 중에서 선택되는 1종 이상을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.1 ~ 20 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 무기산으로 질산(nitric acid), 황산(sulfuric acid), 염산(hydrochloric acid), 및 인산(phosphoric acid) 중에서 선택되는 1종 이상을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.001 ~ 0.2 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 카르복시산으로 아세트산(acetic acid), 시트르산(citric acid), 글루타르산(glutaric acid), 글루콜산(glycolic acid), 포름산(formic acid), 젖산(lactic acid), 말산(malic acid), 옥살산(oxalic acid), 프탈산(phthalic acid), 숙신산(succinic acid), 및 타르타르산(tartaric acid) 중에서 선택되는 1종 이상을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.01 ~ 10 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 염기성 화합물로 수산화칼륨(potassium hydroxide), 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethylammonium hydroxide), 암모니아(ammonia) 중에서 선택되는 1종 이상을 전체 CMP 슬러리 조성물에 대하여 0.001 ~ 0.5 중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물.
- 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항의 텅스텐 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물을 사용하여 텅스텐, 알루미늄, 구리 중에서 선택된 1종 이상의 금속 배선과 질화 규소 층을 연마하는 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080130089A KR101266537B1 (ko) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 금속 배선 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080130089A KR101266537B1 (ko) | 2008-12-19 | 2008-12-19 | 금속 배선 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 |
Publications (2)
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