KR100725552B1 - 텅스텐 ｃｍｐ 슬러리 조성물 - Google Patents
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- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 83
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 25
- -1 peroxide compound Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims abstract description 23
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 4
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004343 Calcium peroxide Substances 0.000 claims description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LHJQIRIGXXHNLA-UHFFFAOYSA-N calcium peroxide Chemical compound [Ca+2].[O-][O-] LHJQIRIGXXHNLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019402 calcium peroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 claims description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZJRXSAYFZMGQFP-UHFFFAOYSA-N barium peroxide Chemical compound [Ba+2].[O-][O-] ZJRXSAYFZMGQFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N sodium peroxide Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][O-] PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 2
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 24
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 13
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 13
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 9
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229960004063 propylene glycol Drugs 0.000 description 2
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 2
- 229910002016 Aerosil® 200 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920013809 TRITON DF-20 Polymers 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09G1/00—Polishing compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
본 발명은 높은 연마속도를 가지고, 결함 발생위험도 적으며, 저장안정성 및 연마 재현성이 뛰어난 금속 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 과산화 화합물 및 무기산, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 금속산화물, 폴리에틸렌글리콜(PEG) 및 탈이온수를 포함하는 슬러리 조성물에 있어서, 상기 무기산으로 질산을 전체 슬러리 조성물 대비 0.001 내지 0.1 중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 CMP용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 슬러리 조성물은 PEG를 포함하므로써 저장안정성 또는 분산안정성이 뛰어나고, 연마속도가 높다. 따라서, 본 발명에 따른 슬러리를 사용할 경우, 반도체 제조과정에 있어 높은 생산성을 기대할 수 있다.
또한, 연마시 부식 또는 균열(seam) 등의 결함이 현저하게 감소하여 반도체 제조 공정에서 높은 수율을 확보할 수 있다.
Description
본 발명은 높은 연마속도를 가지고, 결함 발생위험도 적으며, 저장안정성 및 연마 재현성이 뛰어난 텅스텐 CMP (Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 조성물에 관한 것이다.
IC 회로의 집적도 증가를 위해 개발된 집적회로의 다중막 연마공정 또는 이중상감공정 등에서는 웨이퍼 표면의 광역 평탄화를 위해 주로 CMP 공정이 사용된다. CMP 공정이란, 반도체 제조시 웨이퍼 표면을 연마패드와 슬러리를 사용하여 평탄화하는 연마 방법으로, 폴리우레탄 재질의 연마패드 상에 슬러리 조성물을 떨어뜨리고 웨이퍼와 접촉시킨 후 회전 및 직선운동을 혼합한 오비탈 운동을 실시하여 웨이퍼를 기계적 및 화학적으로 연마하는 공정이다.
CMP 공정에서 상기 슬러리는 일반적으로 물리적 연마작용을 하는 연마제 (abrasive) 및 화학적 연마작용을 하는 활성 성분, 예를 들어 에천트 (etchant) 또는 산화제를 포함하고 있어, 물리화학적으로 웨이퍼 표면 상의 돌출된 부분을 선택적으로 식각함으로써 평탄한 표면을 제공하게 된다.
CMP 슬러리는 연마대상에 따라 절연층 연마용 슬러리와 금속 연마용 슬러리 로 나눌 수 있는데, 이 중, 절연층 연마용 슬러리는 반도체 공정 중 ILD (interlayer dielectric) 공정, STI(Shallow trench isolation)공정에 적용되고, 금속 연마용 슬러리는 텅스텐, 알루미늄 또는 구리배선의 연결점(interconnects) 및 텅스텐 접점/비아 플러그(contacts/via plug)의 형성시 혹은 이중 상감공정에 사용된다.
금속 연마용 슬러리는 일반적으로 연마제, 산화제, 산화보조제, 분산제, pH 조절제, 기타 첨가제 등을 포함하고 있는데, 상기 성분 중 연마제는 기계적인 연마를 위한 것이고, 산화제와 산화보조제는 금속층의 산화를 통하여 연마를 촉진하기 위한 것이며, 분산제는 슬러리의 분산 안정성을 향상시키는 역할을 하고, pH 조절제는 연마대상인 금속층의 성질에 따라 산화가 잘 일어날 수 있는 pH 범위를 조절하며, 기타 슬러리의 성능을 개선하거나 보완할 수 있는 각종 첨가제가 포함될 수 있다.
상기 슬러리를 이용한 금속 연마는 금속 표면층을 산화제로 산화시켜 금속층을 연화시키고, 연화된 금속층상의 산화층을 기타 첨가제 등에 의해 화학적으로 제거시키는 동시에 연마제로 연마하는 메카니즘에 의해 수행된다. 이 때, 슬러리는 금속막질의 산화가 촉진될 수 있는 특정 pH 영역을 가져야 하는 바, 예를 들어, 텅스텐 연마용 슬러리는 pH 4이하를 가져야 하고, 알루미나 연마용 슬러리의 경우 pH 4~10 범위를 가져야 한다. 그러나, 상기 pH범위가 연마제 등전위점과 중복되는 경우, 슬러리 안정성이 크게 떨어지는데, 특히 등전위점이 pH 3~4인 실리카를 연마제로 사용하거나, pH 8~9의 알루미나를 사용할 경우에 분산안정성이 크게 떨어질 수 있으며, 이로 인해 연마재현성도 나빠져서 연마 속도 및 연마 밀도 등을 일정하게 유지하기 어렵다. 뿐만 아니라, 실제 공정에 적용시 슬러리를 균일하게 하기 위한 교반 등의 공정이 추가로 필요하게 되어 사용이 불편하게 된다.
한편, 금속 연마용 슬러리는 금속층과 절연층에서의 연마속도 차이를 가져야 하는 바, 금속배선에서는 높은 연마속도가 요구되며, 절연층에서는 낮은 연마속도가 요구된다. 속도차이가 적게 되면 패턴 밀도가 높은 부분만 부분적으로 연마속도가 높아지는 현상이 발생하여 패턴 밀도가 높은 곳에서 에로젼(erosion) 등의 결함이 발생될 수 있기 때문이다. 따라서, 절연층의 연마속도를 낮게하여 부분적인 연마속도 증가현상을 방지해야 하는데, 금속층과 절연층의 연마 속도비는 30:1 내지 100:1의 범위가 되어야 한다.
나아가, 금속의 산화를 위한 산화제의 경우, 일반적으로 산화전위가 높은 과산화 수소를 연마직전에 첨가하여 사용하고 있는데, 과산화수소는 산화력이 너무 높아 금속 배선 상층에 산화막이 형성되어 지속적인 산화진행을 방해함으로써 금속배선의 연마속도를 높게 유지할 수 없는 문제가 있다.
이를 해결하기 위해, US 5,958,288 등은 과산화수소와 금속촉매를 함께 사용함으로써 지속적으로 높은 연마속도를 가지는 슬러리를 개시하고 있으나, 다단계 산화가를 갖는 금속촉매의 경우 연마에 의해 웨이퍼에 금속오염이 발생하여 반도체 칩의 신뢰성 저하시키고, 강한 산화력으로 인하여 부식(corrosion) 또는 심(seam)등의 결함발생율을 높이는 문제점이 있다.
또한, 높은 산화력을 가진 산화제를 사용한 슬러리의 경우에도 연마초기에는 높은 연마속도를 가지지만 연마가 진행되면서 슬러리 내에 연마된 금속산화물의 농도가 증가하여 연마된 금속산화물이 피연마체의 표면에 재흡착하는 현상이 일어나 연마가 더 이상 진행되지 않아 연마 재현성이 떨어지는 문제점도 있다.
따라서, CMP 공정분야에서는, 높은 연마속도를 지속적으로 유지할 수 있으며, 슬러리의 분산안정성 및 연마 재현성이 우수하고, 연마시 에로젼 또는 부식 등의 결함 발생이 적은 텅스텐 CMP용 슬러리 조성물에 대한 요구가 있어 왔다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 높은 연마속도를 제공 및 지속적으로 유지할 수 있어, 연마 재현성이 우수한 텅스텐 CMP 슬러리를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 연마시 결함 발생율을 크게 줄일 수 있으며, 수득된 슬러리 조성물의 분산안정성 및 저장안정성이 크게 향상된 텅스텐 CMP 슬러리를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 과산화 화합물 및 무기산, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 금속산화물, 폴리에틸렌글리콜(PEG) 및 탈이온수를 포함하는 슬러리 조성물에 있어서, 상기 무기산으로 질산을 전체 슬러리 조성물 대비 0.001 내지 0.1 중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 CMP용 슬러리 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 슬러리 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 연마방법을 제공한다.
이하, 본 발명에 관해 보다 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 슬러리는 산화제로서 과산화 화합물 및 무기산을 사용하여 피연마대상 금속의 표면을 산화시켜 산화막을 형성케 한다. 과산화 화합물은 높은 산화환원 전위값을 가지고 있으나 산화속도가 낮아 과량 첨가하지 않는 이상 연마시 결함 발생이 없고, 무기산은 산화제로서의 역할과 pH 조절제로서의 역할을 병행하게 된다.
상기 과산화 화합물로 과산화수소, 벤조일 퍼옥시드(benzoyl peroxide), 칼슘 퍼옥시드(calcium peroxide), 바륨 퍼옥시드(barium peroxide), 소듐 퍼옥시드(sodium peroxide), 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있으며, 바람직하게는, 슬러리 산화력과 분산 안정성 측면에서 유리한 과산화수소를 사용한다.
상기 무기산으로 질산(nitric acid)을 사용할 수 있으며, 연마 후 오염의 문제를 고려할 때, 질산이 가장 바람직하다.
상기 과산화 화합물은 슬러리 조성물 전체 중량을 기준으로 0.1 내지 10중량%, 바람직하게는 0.5 내지 5중량%의 양으로 사용하고, 상기 무기산은 슬러리 조성물 전체 중량을 기준으로 0.001 내지 0.1 중량%, 바람직하게는 0.001 내지 0.05중량%로 사용한다. 과산화 화합물 및 무기산의 사용량이 상기 범위를 초과하는 경우, 옥사이드 에로젼, 금속층 부식, 피치(pitch), 디싱(dishing) 등의 결함이 발생할 가능성이 높으며, 상기 범위 미만인 경우, 필요한 연마속도를 얻을 수 없다.
그러나, 상기 범위의 과산화 화합물과 무기산을 포함하는 산화제를 사용하는 경우, 연마속도가 낮아 통상의 반도체 공정에는 적용할 수 없는 문제가 있다. 한편, 연마속도를 높이기 위해 상기 산화제를 과량 사용할 경우, 옥사이드 에로젼, 금속층 부식(corrosion) 등의 결함 발생 가능성이 높아지며, 특히 무기산을 과량 사용할 경우에는, 시간이 경과함에 따라 연마제가 자발적으로 재응집하여 슬러리의 취급이 어려운 문제점이 있다.
따라서, 본 발명에서는 상기 문제점을 해결하기 위해 슬러리 조성물에 폴리에틸렌글리콜(PEG)을 첨가하였다.
PEG를 첨가함에 의해 슬러리의 저장안정성이 크게 향상되어 장기 보관 후 사용시에도 스크래치 등의 결함 발생이 적고, 연마속도가 높이 유지되어 연마 재현성이 일정하게 유지할 수 있게 된다.
PEG는 단량체 개수는 바람직하게는 200 내지 600의 범위내인 것을 사용한다. 상기범위보다 적은 단량체의 개수일 경우 슬러리의 저장안정성을 향상시키는 효과가 충분하지 않고, 상기범위보다 많은 단량체의 개수일 경우 반도체 제조시 신뢰성이 떨어질 수 있다.
특히, 연마제로 실리카(silica)를 사용할 경우, pH 2 내지 4 범위에서 등전위점 (isoelectric point)의 절대값이 가장 작아 시간이 경과함에 따라 연마제가 자발적으로 재응집하여 장기 보관시에 연마제의 거대입자가 생기고 침강현상이 발생하며, 연마공정시 스크래치의 발생빈도가 높은 문제가 있었으나, 본 발명에 따른 슬러리 조성물의 경우, 첨가된 PEG가 연마제 입자간의 재응집 방지를 위한 완충 및 방해역할을 함으로써 슬러리의 장기 보관시 안정성을 크게 향상시킬 수 있는 것이 다.
상기 PEG의 첨가량은 슬러리 조성물 전체 중량을 기준으로 0.001중량%~1중량%, 보다 바람직하게는 0.005중량%~0.8중량%의 범위내인 바, 상기 범위보다 과량 첨가시 금속 불순물의 증가로 인하여 반도체 제조에 대한 신뢰성이 떨어질 수 있으며, 상기 범위보다 소량 첨가시 본 발명에서 얻고자 하는 탈리된 산화물의 착체 형성 효율이 감소되고 분산 안정성을 향상시키는 효과가 충분하지 않아 좋지 않다.
한편, 산화제로 과산화수소와 질산을 함께 사용할 경우 과산화수소가 물로 분해가 되어 슬러리의 산화력이 감소될 수 있다. 따라서, 본 발명의 슬러리 조성물은 연마 재현성 및 슬러리의 안정성을 개선하기 위한 안정제로 아세트산(acetic acid), 시트르산(citric acid), 글루타르산(glutaric acid), 글리콜산(glycolic acid), 포름산(formic acid), 락트산(lactic acid), 말산(malic acid), 말레산(maleic acid), 옥살산(oxalic acid), 프탈산(phthalic acid), 숙신산(succinic acid), 또는 타르타르산(tartaric acid) 등과 같이 1 이상의 카르복시기를 갖는 유기산 화합물을 포함할 수 있다.
상기 유기산 화합물은 단독으로 또는 2 이상을 혼합하여 사용할 수 있으며, 특히 말산을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 유기산 화합물의 첨가량은 슬러리 조성물 전체 중량을 기준으로 0.01 내지 10중량%, 바람직하게는 0.1 내지 2중량%의 범위이다. 상기 범위를 초과하는 양을 첨가했을 때에는 오히려 슬러리의 분산 안정성이 저하될 수 있으며, 상기 범위 미만의 양을 첨가하면 본 발명에서 얻고자 하는 목적을 얻을 수 없다.
본 발명에 따른 슬러리 조성물은 물리적 연마작용을 하는 연마제로서 금속산화물을 함유한다. 상기 금속 산화물은 통상 미분말의 형태이다. 상기 금속산화물로 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 세리아(CeO2), 지르코니아(ZrO
2) 또는 2 이상의 혼합물을 사용할 수 있다. 이외에도 CMP용 슬러리 조성물에 사용 가능한 모든 공지된 금속산화물의 미분말을 사용할 수 있다.
특히, 실리카를 사용하는 것이 분산안정성이 우수하고, 스크래치가 적으므로 바람직하다.
연마제의 첨가량이 많아지면 높은 연마속도를 얻을 수 있으나, 연마공정에서 스크래치가 발생할 수 있고, 연마제가 웨이퍼에 잔류하게 되는 결함이 발생될 수 있다. 또한, 슬러리 조성물의 저장안정성 또는 분산안정성이 떨어져 슬러리 조성물을 장기간 사용하는 데 어려움이 있다. 한편, 연마제의 첨가량이 적을 경우, CMP 공정에서 요구되는 기계적 연마 기능이 적어져 연마속도가 낮아지거나 광역평탄화를 실현하는데 어려움이 발생된다.
따라서, 실리카의 경우는 1중량%에서 25중량%, 바람직하게는 3중량%에서 15중량%를 첨가한다. 그리고, 알루미나, 세리아 또는 지르코니아의 경우에는 0.5중량%에서 10중량%를 첨가하는 것이 적당하며, 바람직하게는 1중량%에서 6중량% 첨가한다.
한편, 본 발명에 따른 슬러리 조성물은 슬러리의 분산 안정성을 향상시키기 위해 모노 에틸렌 글리콜, 다이 에틸렌 글리콜, 트리 에틸렌 글리콜 등과 같은 글리콜 화합물을 추가로 함유할 수 있다. 상기 글리콜 화합물은 단독으로 또는 2 이 상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 글리콜 화합물의 사용량은 0.001 내지 8 중량%이다. 상기 범위를 벗어날 경우, 슬러리의 분산 안정성 및 과수안정성 면에서 바람직하지 않다.
본 발명에 따른 슬러리 조성물은 반도체 공정에 있어 금속 연마를 위한 CMP 공정에 유용하게 사용할 수 있으며, 바람직하게는 텅스텐 금속의 연마를 위해 사용할 수 있다.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예로써 본 발명의 구성 및 효과를 보다 상세히 설명하지만, 이들 실시예는 단지 본 발명을 보다 명확하게 이해시키기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
실시예1
시판되고 있는 Aerosil 200 (Degussa사) 50g, 탈이온수 915.7g, 질산 0.3g, 과산화수소 20.0g, 말산 10.0g 및 PEG 0.5g을 혼합하여 2ℓ의 폴리에틸렌 플라스크 내에서 2시간 동안 교반(속도: 2,000rpm)시켰다. 슬러리를 수득하고, 이를 Depth 1㎛의 필터로 여과하여 CMP용 슬러리 조성물을 제조하였다. 아래와 같은 조건에서 1분간 연마하였다. 연마속도를 측정하여 표1에 나타내었다.
o 연마기 Model: UNIPLA211(SEMICONTECH 사)
o 연마조건:
- 연마패드: IC1400/SubaⅣ Stacked(Rodel 사)
- 플레이트 속도 : 24rpm
- 스핀들 속도 : 80rpm
- 웨이퍼 압력 : 3psi
- 후면 압력 : 0psi
- 온 도 : 25℃
- 슬러리 유동성 : 200㎖/min
o 연마대상 :
텅스텐 웨이퍼에 대해 연마공정을 수행하였다. 상기 웨이퍼는 실리콘 기판 위에 HTO를 1000Å 증착한 후 TiN과 W을 각각 450Å과 4,500Å을 증착하여 제작하였다.
또한, 폴리-테트라에틸오소실리케이트(poly-tetraethylorthosilicate, P-TEOS) 웨이퍼에 대해 연마공정을 수행하였다.
실시예2
PEG를 4g 첨가하는 것을 제외하고 실시예1과 동일한 방법으로 슬러리 조성물을 제조하였으며, 실시예1과 동일한 조건 및 방법으로 연마를 수행하였다. 연마속도를 측정하여 표1에 나타내었다
한편, 슬러리 조성물에 의한 웨이퍼의 부식속도를 평가하기 위하여, 텅스텐 웨이퍼를 60분 동안 과산화수소 2%를 포함한 슬러리 조성물에 담그어 습식 에칭(wet etching)되는 속도를 측정하였다. 또한, 연마 수행 후 텅스텐 웨이퍼에 발생된 옥사이드 에로젼을 측정하였다. 결과를 표2에 나타내었다.
마지막으로, 슬러리 조성물을 상온에서 방치한 후 경과일(0일, 30일, 60일, 120일)에 따른 연마속도를 측정하였다. 각 경과일마다 슬러리 조성물 내에 포함된 입자의 크기를 ELS 8000(Ostuka 사)으로 측정하였다. 결과를 표3과 표4에 나타내었다.
실시예3
PEG를 8g 첨가하는 것을 제외하고 실시예1과 동일한 방법으로 슬러리 조성물을 제조하였으며, 실시예1과 동일한 조건 및 방법으로 연마를 수행하였다. 연마속도를 측정하여 표1에 나타내었다.
비교예1
PEG를 첨가하지 않은 것을 제외하고는 실시예1과 동일한 방법으로 슬러리 조성물을 제조하고, 연마공정을 수행하였다. 연마속도를 측정하여 표1에 나타내었다.
그런다음, 실시예2에서와 동일한 방법으로 슬러리 조성물을 상온에서 방치한 후, 경과일(0일, 30일, 60일, 120일)에 따른 연마속도 및 평균입자크기를 측정하여 표3과 표4에 나타내었다.
비교예2
PEG 대신 PG(프로필렌글리콜, propyleneglycol)를 4g 사용한 것을 제외하고는 실시예1과 동일한 방법으로 슬러리 조성물을 제조하고, 텅스텐 웨이퍼에 대하여 연마공정을 수행하였다. 실시예2에서와 동일한 방법으로 부식속도 및 옥사이드 에로젼을 측정하여 표2에 나타내었다.
비교예 3
PEG 대신 TRITON DF-20 Surfactant (SHINCHEM 社) 를 4g 사용한 것을 제외하고는 실시예1과 동일한 방법으로 슬러리 조성물을 제조하고, 텅스텐 웨이퍼에 대하 여 연마공정을 수행하였다. 실시예2에서와 동일한 방법으로 부식속도 및 옥사이드 에로젼을 측정하여 표2에 나타내었다.
| 시료 | PEG첨가량 | 텅스텐 웨이퍼 연마속도 | P-TEOS웨이퍼 연마속도 |
| 실시예1 | 0.05중량% | 2100Å/분 | 52Å/분 |
| 실시예2 | 0.4중량% | 2800Å/분 | 47Å/분 |
| 실시예3 | 0.8중량% | 2871Å/분 | 98Å/분 |
| 비교예1 | - | 2000Å/분 | 56Å/분 |
| 시료 | PEG | PG | DF-20 | 텅스텐웨이퍼 연마속도 | 부식속도 | 옥사이드 에로젼 |
| 실시예2 | 0.4중량% | - | - | 2800Å/분 | 23Å/분 | 47Å |
| 비교예2 | - | 0.4중량% | - | 2713Å/분 | 140Å/분 | 372Å |
| 비교예3 | - | - | 0.4중량% | 2911Å/분 | 241Å/분 | 483Å |
| 시료 | 0일 후 | 30일 경과 후 | 60일 경과 후 | 120일 경과 후 |
| 실시예2 | 2800Å/분 | 2789Å/분 | 2732Å/분 | 2722Å/분 |
| 비교예1 | 2000Å/분 | 1860Å/분 | 1521Å/분 | 1517Å/분 |
| 시료 | 0일 후 | 30일 경과 후 | 60일 경과 후 | 120일 경과 후 |
| 실시예2 | 123nm | 161nm | 171m | 221nm |
| 비교예1 | 149nm | 220nm | 288nm | 335nm |
상기 표1 내지 4로부터, 본 발명에 따른 슬러리 조성물은 연마속도를 높게 유지하면서도 부식속도 및 옥사이드 에로젼이 현저히 감소하고, 저장안정성도 크게 향상됨을 알 수 있다.
본 발명의 슬러리 조성물은 PEG를 포함하므로써 저장안정성 또는 분산안정성이 뛰어나고, 연마속도가 높다. 따라서, 본 발명에 따른 슬러리를 사용할 경우, 반 도체 제조과정에 있어 높은 생산성을 기대할 수 있다.
또한, 연마시 부식 또는 균열(seam) 등의 결함이 현저하게 감소하여 반도체 제조 공정에서 높은 수율을 확보할 수 있다.
Claims (13)
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- 삭제
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- 삭제
- 삭제
- 과산화 화합물 및 무기산, 1 이상의 카르복시기를 가지는 유기산 화합물, 금속산화물, 폴리에틸렌글리콜(PEG) 및 탈이온수를 포함하는 슬러리 조성물에 있어서, 상기 무기산으로 질산을 전체 슬러리 조성물 대비 0.001 내지 0.1 중량% 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 CMP용 슬러리 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 글리콜 화합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 CMP용 슬러리 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 상기 과산화 화합물로 과산화수소, 벤조일 퍼옥시드(benzoyl peroxide), 칼슘 퍼옥시드(calcium peroxide), 바륨 퍼옥시드(barium peroxide), 소듐 퍼옥시드(sodium peroxide) 또는 이들의 혼합물;상기 유기산 화합물로 아세트산(acetic acid), 시트르산(citric acid), 글루타르산(glutaric acid), 글리콜산(glycolic acid), 포름산(formic acid), 락트산(lactic acid), 말산(malic acid), 말레산(maleic acid), 옥살산(oxalic acid), 프탈산(phthalic acid), 숙신산(succinic acid), 타르타르산(tartaric acid), 또는 이들의 혼합물;상기 금속 산화물로 실리카, 알루미늄, 세리아, 지르코니아 또는 이들의 혼합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 CMP용 슬러리 조성물.
- 제 9 항에 있어서, 슬러리 조성물 전체 중량을 기준으로,상기 과산화 화합물 0.1 내지 10 중량%;상기 유기산 화합물 0.01 내지 10 중량%;상기 실리카 1 내지 25중량%, 또는 상기 알루미나, 상기 세리아, 또는 상기 지르코니아 0.5중량% 내지 10중량%; 및상기 PEG 0.001 내지 1중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 CMP용 슬러리 조성물.
- 제 8 항에 있어서, 상기 글리콜 화합물은 모노에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 텅스텐 CMP용 슬러리 조성물.
- 제 8 항에 있어서, 슬러리 조성물 전체 중량을 기준으로,상기 글리콜 화합물 0.001 내지 8중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 CMP용 슬러리 조성물.
- 제 7 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 슬러리 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 연마 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040066768A KR100725552B1 (ko) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 텅스텐 ｃｍｐ 슬러리 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040066768A KR100725552B1 (ko) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 텅스텐 ｃｍｐ 슬러리 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060018410A KR20060018410A (ko) | 2006-03-02 |
| KR100725552B1 true KR100725552B1 (ko) | 2007-06-08 |
Family
ID=37126043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040066768A KR100725552B1 (ko) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 텅스텐 ｃｍｐ 슬러리 조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100725552B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102640744B1 (ko) | 2016-12-14 | 2024-02-27 | 솔브레인 주식회사 | 텅스텐 막 연마 슬러리 조성물 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030070191A (ko) * | 2002-02-21 | 2003-08-29 | 주식회사 동진쎄미켐 | 안정성 및 탄탈계 금속막에 대한 연마 속도가 우수한화학-기계적 연마 슬러리 조성물 |
-
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
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Payment date: 20190502 Year of fee payment: 13 |