KR101261491B1 - Substrate bonding apparatus and substrate bonding method - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 기판합착장치는 챔버, 상기 챔버 내부에 설치되며 상부 기판을 점착부재로 점착하고, 상기 상부 기판을 상기 점착부재에서 분리하기 위하여 팽창하는 다이아프램을 가지는 상부 정반, 상기 챔버 내부에 설치되며 상기 상부 정반과 마주하고, 상기 상부 기판과 합착되는 하부 기판을 가지는 하부 정반, 상기 하부 정반을 승하강시키는 승강 구동부, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판의 합착을 위하여 상기 승강 구동부를 제어하여 상기 상부정반 측으로 상승시키고, 상기 다이아프램이 팽창할 때 상기 승강 구동부를 제어하여 상기 하부 정반의 하강속도가 단계적으로 변속되도록 하는 제어부를 구비하여 점착척에 점착된 기판이 다이아프램에 의하여 점착척으로부터 분리될 때 점착척에 점착된 상부 기판의 분리속도를 조절하여 상부 기판의 합착 위치의 안정적인 유지가 가능하도록 함으로써 기판합착효율을 향상시키는 효과가 있다.Substrate bonding apparatus according to the present invention is installed in the chamber, the upper surface having a diaphragm that is installed in the chamber and the upper substrate is adhered to the adhesive member, the diaphragm is expanded to separate the upper substrate from the adhesive member, And a lower surface plate facing the upper surface plate, the lower surface plate having a lower substrate bonded to the upper substrate, an elevating driving unit for elevating the lower surface plate, and controlling the elevating driving unit for bonding of the upper substrate and the lower substrate. A substrate attached to the sticking chuck may be separated from the sticking chuck by a diaphragm having a control unit which is raised to the side of the plate and controls the lifting drive unit so that the lowering speed of the lower plate is gradually shifted when the diaphragm expands. When the upper substrate by adjusting the separation speed of the upper substrate adhered to the adhesive chuck By making it possible to maintain a stable bonding position of the has the effect of improving the substrate bonding efficiency.

Description

기판합착장치 및 기판합착방법{Substrate bonding apparatus and substrate bonding method}Substrate bonding apparatus and substrate bonding method

본 발명은 기판합착장치 및 기판합착방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 점착척을 이용하여 기판을 합착하는 기판합착장치 및 기판합착방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a substrate bonding apparatus and a substrate bonding method, and more particularly, to a substrate bonding apparatus and a substrate bonding method for bonding a substrate using an adhesive chuck.

기판합착장치는 평판 디스플레이 패널의 제조를 위하여 두 개의 기판을 합착하기 위한 장치로써 LCD, PDP, OLED 등과 같은 다양한 평판 디스플레이 패널의 제조에 사용된다.The substrate bonding apparatus is a device for bonding two substrates for the manufacture of a flat panel display panel and is used for manufacturing various flat panel display panels such as LCD, PDP, OLED, and the like.

기판합착장치를 이용하여 기판을 합착하기 위하여 기판합착장치는 기판을 지지하는 기판척을 구비한다. 기판척에는 여러 종류가 있는데, 주로 사용되는 것이 정전척이다. 정전척은 정전력을 이용하여 기판을 척킹한다. 따라서 정전척은 정전력을 발생시키기 위하여 전력을 소모한다. 정전척은 전력이 필요하고, 또한 제조와 제어가 매우 어렵다. 그리고 정전척의 제조비용은 매우 고가이다. 정전척의 여러 문제점을 해결하기 위하여 정전척을 대체할 수 있는 척장치로 점착척이 개발되었다. The substrate bonding apparatus includes a substrate chuck supporting the substrate in order to bond the substrate using the substrate bonding apparatus. There are several types of substrate chucks, the most commonly used being electrostatic chucks. The electrostatic chuck chucks the substrate using electrostatic power. Thus, the electrostatic chuck consumes power to generate constant power. Electrostatic chucks require power and are very difficult to manufacture and control. And the manufacturing cost of the electrostatic chuck is very expensive. In order to solve various problems of the electrostatic chuck, an adhesive chuck has been developed as a chuck device that can replace the electrostatic chuck.

점착척에 대한 종래기술로는 대한민국 공개특허 "10-2006-0133942"에 개시되어 있다. 상기 종래기술에서의 점착척은 점착부재를 이용하여 기판을 점착하고, 기판의 분리를 위하여 수지재질의 다이아프램을 사용한다. 다이아프램은 점착부재에 점착된 기판을 분리하기 위하여 외부에서 공급된 공기에 의하여 팽창한다. 이 팽창력으로 점착부재에 부착된 기판을 분리한다. The prior art for the adhesive chuck is disclosed in the Republic of Korea Patent Publication "10-2006-0133942". The adhesive chuck in the prior art adheres a substrate using an adhesive member, and uses a diaphragm made of a resin material to separate the substrate. The diaphragm is expanded by air supplied from the outside to separate the substrate adhered to the adhesive member. This expansion force separates the substrate attached to the adhesive member.

그런데 다이아프램은 수지재질이고, 마찰력이 매우 낮은 재질로 되어 있다. 그리고 기판의 경우에도 마찰력이 낮은 유리 재질로 되어 있다. 따라서 기판과 다이아프램의 접촉면에서의 마찰력은 매우 낮다. 이에 따라 점착부재에서 분리됨과 동시에 다이아프램에 의하여 눌려지는 기판은 순간적으로 다이아프램과의 접촉면에서 미끄러져 상부 기판과 하부 기판 사이의 정렬 상태가 어긋나게 되는 문제점이 발생한다.
By the way, the diaphragm is made of resin and has a very low frictional force. The substrate is also made of glass with low friction. Therefore, the frictional force at the contact surface between the substrate and the diaphragm is very low. Accordingly, the substrate, which is separated from the adhesive member and pressed by the diaphragm, instantly slips on the contact surface with the diaphragm, causing a problem that the alignment state between the upper substrate and the lower substrate is displaced.

본 발명은 두 기판의 합착 시에 합착된 기판이 점착척에서 분리될 때 기판이 점착척의 다이아프램에서 미끄러지는 것을 최소화하여 상부 기판과 하부 기판 사이의 정렬 상태가 어긋나는 것을 최소화하도록 하는 기판합착장치 및 기판합착방법을 제공하기 위한 것이다.
The present invention provides a substrate bonding apparatus for minimizing the slipping of the alignment state between the upper substrate and the lower substrate by minimizing the sliding of the substrate in the diaphragm of the adhesive chuck when the bonded substrate is separated from the adhesive chuck in the bonding of the two substrates; It is to provide a substrate bonding method.

본 발명에 따른 기판합착장치는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되며 상부 기판을 점착하는 점착부재와 상기 상부 기판을 상기 점착부재에서 분리하기 위하여 팽창하는 다이아프램을 가지는 상부 정반; 상기 챔버 내부에 설치되며 상기 상부 정반과 마주하고, 상기 상부 기판과 합착되는 하부 기판을 지지하는 하부 정반; 상기 하부 정반을 구동시키는 하부 정반 구동부; 상기 다이아프램의 팽창이 시작된 이후에 상기 하부 정반을 하강시키도록 상기 하부 정반 구동부를 제어하는 제어부를 구비한다. Substrate bonding apparatus according to the invention the chamber; An upper surface plate installed inside the chamber and having an adhesive member for adhering the upper substrate and a diaphragm that expands to separate the upper substrate from the adhesive member; A lower surface plate installed in the chamber and facing the upper surface plate and supporting the lower substrate to be bonded to the upper substrate; A lower surface plate driving unit for driving the lower surface plate; And a control unit for controlling the lower surface plate driving unit to lower the lower surface plate after the expansion of the diaphragm starts.

상기 제어부는 상기 다이아프램이 팽창할 때 상기 승강 구동부에 상기 하부 정반의 하강이 시작되도록 할 수 있다.The controller may allow the lower platen to start lowering when the diaphragm expands.

상기 제어부는 상기 하부 정반이 하강할 때 상기 상부 정반을 상승시킬 수 있다. The controller may raise the upper surface plate when the lower surface plate descends.

상기 제어부는 상기 다이아프램이 팽창할 때 상기 하부 정반이 제 1속도로 소정 시간동안 하강하도록 하고, 상기 소정 시간 이후에 상기 하부 정반이 상기 제 1속도보다 빠른 제 2속도로 하강하도록 할 수 있다.The controller may cause the lower surface plate to descend for a predetermined time at a first speed when the diaphragm expands, and allow the lower surface plate to descend at a second speed faster than the first speed after the predetermined time.

상기 제 1속도는 0.05 ~ 0.5mm/sec이고, 상기 제 2속도는 0.6 ~ 1.5mm/sec일 수 있다. The first speed may be 0.05 to 0.5 mm / sec, and the second speed may be 0.6 to 1.5 mm / sec.

상기 제어부는 상기 다이아프램의 팽창 전에 상기 상부 정반이 상기 하부 정반 측으로 하강하도록 하고, 상기 상부 정반이 소정 거리 하강한 후에 상기 다이아프램이 팽창하도록 할 수 있다.The control unit may cause the upper platen to descend to the lower platen side before the diaphragm expands, and allow the diaphragm to expand after the upper platen lowers a predetermined distance.

본 발명에 따른 기판합착방법은 상부 기판을 점착부재를 구비하는 상부 정반에 점착하고, 하부 기판을 하부 정반에 안착시키는 단계; 챔버 내부를 진공 펌핑하는 단계; 상기 상부 정반에 점착된 상기 상부 기판의 분리를 위하여 상기 상부 정반에 구비된 다이아프램의 팽창을 시작하고, 상기 다이아프램이 팽창을 시작한 이후에 상기 하부 정반을 하강시킨다.Substrate bonding method according to the present invention comprises the steps of adhering the upper substrate to the upper surface plate having an adhesive member, and seating the lower substrate on the lower surface plate; Vacuum pumping the interior of the chamber; In order to separate the upper substrate adhered to the upper surface plate, the expansion of the diaphragm provided in the upper surface plate is started, and the lower surface plate is lowered after the diaphragm starts to expand.

상기 다이아프램이 팽창할 때 상기 하부 정반의 하강이 시작되도록 할 수 있다. 상기 하부 정반이 하강할 때 상기 상부 정반을 상승시킬 수 있다.When the diaphragm expands, the lower plate may begin to descend. When the lower plate is lowered, the upper plate may be raised.

상기 다이아프램이 팽창할 때 상기 하부 정반이 제 1속도로 소정 시간동안 하강하도록 하고, 상기 소정 시간 이후에 상기 하부 정반이 상기 제 1속도보다 빠른 제 2속도로 하강하도록 할 수 있다. When the diaphragm expands, the lower surface plate may be lowered at a first speed for a predetermined time, and after the predetermined time, the lower surface plate may be lowered at a second speed faster than the first speed.

상기 제 1속도는 0.05 ~ 0.5mm/sec이고, 상기 제 2속도는 0.6 ~ 1.5mm/sec 일 수 있다. The first speed may be 0.05 to 0.5 mm / sec, and the second speed may be 0.6 to 1.5 mm / sec.

상기 다이아프램의 팽창 전에 상기 상부 정반이 상기 하부 정반 측으로 하강하도록 하고, 상기 상부 정반이 소정 거리 하강한 후에 상기 다이아프램이 팽창하도록 할 수 있다.
The upper surface plate may be lowered to the lower surface side before expansion of the diaphragm, and the diaphragm may be expanded after the upper surface plate has descended a predetermined distance.

본 발명에 따른 기판합착장치와 기판합착방법은 점착척에 점착된 기판이 다이아프램에 의하여 점착척으로부터 분리될 때 점착척에 점착된 상부 기판의 분리속도를 조절하여 상부 기판의 합착 위치의 안정적인 유지가 가능하도록 함으로써 기판합착효율을 향상시키는 효과가 있다.In the substrate bonding apparatus and the substrate bonding method according to the present invention, when the substrate adhered to the adhesion chuck is separated from the adhesion chuck by a diaphragm, the separation speed of the upper substrate adhered to the adhesion chuck is controlled to maintain stable bonding position of the upper substrate. By making it possible, there is an effect of improving the substrate bonding efficiency.

도 1과 도 2는 본 실시예에 따른 기판합착장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 본 실시예에 따른 기판합착장치의 점착척과 합착상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 실시예에 따른 기판합착장치의 기판이 점착척에서 분리되는 상태를 도시한 도면이다.
도 5는 본 실시예에 따른 기판합착방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 기판합착방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 기판합착방법을 설명하기 위한 순서도이다.1 and 2 are views showing the configuration of the substrate bonding apparatus according to the present embodiment.
3 is a view showing an adhesive chuck and a bonding state of the substrate bonding apparatus according to the present embodiment.
4 is a view showing a state in which the substrate of the substrate bonding apparatus according to the present embodiment is separated from the adhesion chuck.
5 is a flowchart illustrating a substrate bonding method according to the present embodiment.
6 is a flowchart illustrating a substrate bonding method according to another embodiment.
7 is a flowchart illustrating a substrate bonding method according to another embodiment.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 이하에서 개시되는 실시예에서는 기판합착장치를 실시예로 하여 설명한다. 그러나 본 발명의 실시예는 기판합착장치 뿐만 아니라 기판처리를 위한 식각장치, 증착장치 및 기타의 장치에서 기판을 점착 및 분리하기 위하여 사용될 수 있다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the embodiment disclosed below, the substrate bonding apparatus will be described as an example. However, embodiments of the present invention can be used to adhere and detach substrates in etching apparatuses, deposition apparatuses, and other apparatuses for substrate processing as well as substrate bonding apparatuses.

도 1과 도 2에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 기판합착장치는 챔버를 구비한다. 챔버는 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)이 안착되는 상부 챔버(100)와 하부 챔버(200)를 포함한다. 하부 챔버(200)는 베이스(미부호)에 고정되고, 상부 챔버(100)는 유니버셜 조인트 또는 볼스크류 등으로 구성된 챔버 승강부(300)에 의해 승강된다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the substrate bonding apparatus according to the present embodiment includes a chamber. The chamber includes an upper chamber 100 and a lower chamber 200 on which the upper substrate S1 and the lower substrate S2 are seated. The lower chamber 200 is fixed to the base (unsigned), and the upper chamber 100 is lifted up and down by the chamber lifting unit 300 formed of a universal joint or a ball screw.

상부 챔버(100)에는 상부 정반(110)이 설치되고, 상부 정반(110)에는 상부 기판(S1)을 점착하는 점착척(120)이 구비된다. 점착척(120)은 다수개가 상부 정반(110)에 분포 설치된다. 그리고 상부 정반(110)은 상부 챔버(110)에 설치된 상부 정반 승강 구동부(101)에 의하여 상하로 승강할 수 있다. 한편, 점착척(120)에 대한 구성은 후술하기로 한다. The upper chamber 100 is provided with an upper surface plate 110, and the upper surface plate 110 is provided with an adhesive chuck 120 for adhering the upper substrate S1. A plurality of adhesive chuck 120 is installed distributed in the upper surface plate (110). In addition, the upper surface plate 110 may be moved up and down by the upper surface plate elevation driving unit 101 installed in the upper chamber 110. On the other hand, the configuration for the adhesive chuck 120 will be described later.

하부 챔버(200)에는 하부 정반(210)이 설치되고, 하부 정반(210)에는 하부 기판(S2)을 척킹하는 기판척(220)이 구비된다. 하부 정반(210)에 설치되는 기판척(220)은 하부 기판(S2)을 안착하기 위하여 정전기력으로 기판을 척킹하는 정전척(Electro Static Chuck, ESC)일 수 있고, 또는 그 외의 점착척 등과 같은 다른 종류의 척장치일 수 있다. A lower surface plate 210 is installed in the lower chamber 200, and a lower surface plate 210 is provided with a substrate chuck 220 for chucking the lower substrate S2. The substrate chuck 220 installed on the lower surface plate 210 may be an electrostatic chuck (ESC) that chucks the substrate with an electrostatic force to seat the lower substrate S2, or other adhesive chucks such as other adhesive chucks. It may be a kind of chuck device.

그리고 하부 정반(210)에는 하부 정반(210)과 기판척(220)을 관통하여 출몰하는 다수개의 리프트 핀(Lift Pin)이 구비될 수 있다. 이 리프트 핀은 기판척(220)에 안착되는 하부 기판(S2)이 반입될 때 하부 기판(S2)의 저면으로 상승하여 하부 기판(S2)을 받쳐 지지하고, 이후 하강하여 하부 기판척(220)에 하부 기판(S2)을 안착시키는 역할을 한다. 또한 리스프 핀은 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)이 합착된 패널을 외부로 반출하기 위하여 패널을 상승시키는 역할을 한다.The lower surface plate 210 may be provided with a plurality of lift pins that penetrate through the lower surface plate 210 and the substrate chuck 220. The lift pins rise to the bottom surface of the lower substrate S2 to support the lower substrate S2 when the lower substrate S2 mounted on the substrate chuck 220 is loaded therein, and then descend to lower substrate chuck 220. It serves to seat the lower substrate (S2). In addition, the lisp pins serve to raise the panel to carry out the panel to which the upper substrate S1 and the lower substrate S2 are bonded.

그리고 상부 챔버(100)에는 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)에 표시된 정렬마크(Align mark)를 촬영하여 기판들이 정확한 합착지점에 위치하였는지를 확인할 수 있도록 하는 카메라(미도시)가 설치될 수 있다. 카메라는 상부 챔버(100)를 관통하는 촬영홀을 통하여 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)에 형성된 정렬 마크를 촬영한다. 이때, 카메라가 정렬 마크를 촬영할 수 있도록 조명장치(미도시)가 하부 챔버(200)의 하측에 설치되어 카메라로 조명을 제공하도록 할 수 있다.In addition, a camera (not shown) may be installed in the upper chamber 100 to photograph the alignment marks displayed on the upper substrate S1 and the lower substrate S2 so as to check whether the substrates are positioned at the exact bonding points. have. The camera photographs the alignment marks formed on the upper substrate S1 and the lower substrate S2 through the photographing holes passing through the upper chamber 100. In this case, an illumination device (not shown) may be installed below the lower chamber 200 so that the camera can photograph the alignment mark to provide illumination to the camera.

상부 챔버(100)와 하부 챔버(200) 사이의 공간은 공정 공간을 형성한다. 그리고 이 공정 공간 내부를 진공 분위기로 구현하기 위하여 고진공분자펌프(Turbo Molecular Pump, TMP) 및 드라이 펌프(Dry pump)가 하부 챔버(200)에 연결될 수 있다. The space between the upper chamber 100 and the lower chamber 200 forms a process space. In addition, a high vacuum molecular pump (Turbo Molecular Pump, TMP) and a dry pump (Dry pump) may be connected to the lower chamber 200 to implement the inside of the process space in a vacuum atmosphere.

그리고 하부 챔버(200)의 외측 하부에는 하부 정반(210)과 연결된 하부 정반 정렬장치(230)가 설치된다. 하부 정반 정렬장치(230)는 UVW 스테이지일 수 있다. 그리고 하부 정반 정렬장치(230)의 하부에는 하부 정반 정렬장치(230)와 하부 정반(210)을 상하로 구동시키는 승강 구동부(240)가 설치된다. 이 승강 구동부(240)는 리니어 모터 또는 유압 액추에이터일 수 있다. 따라서 도 2에 도시된 바와 같이 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)의 합착시에 하부 정반(210)은 상부 정반(110) 측으로 상승하거나 또는 하강할 수 있다. In addition, a lower surface alignment device 230 connected to the lower surface 210 is installed at an outer lower portion of the lower chamber 200. Lower surface alignment device 230 may be a UVW stage. In addition, a lift driver 240 for driving the lower surface sorter 230 and the lower surface 210 up and down is installed below the lower surface sorter 230. The lift driver 240 may be a linear motor or a hydraulic actuator. Therefore, as shown in FIG. 2, when the upper substrate S1 and the lower substrate S2 are attached to each other, the lower surface plate 210 may be raised or lowered toward the upper surface plate 110.

한편, 본 실시예의 기판합착장치는 점착척(120)에 에어를 공급하는 점착척 에어 공급부(400)를 구비한다. 그리고 점착척 에어 공급부(400)와 승강 구동부(240)의 동작을 제어하는 제어부(500)를 구비한다. 이 제어부(500)는 기판합착장치의 전반적인 동작을 제어할 수 있다.On the other hand, the substrate bonding apparatus of the present embodiment includes an adhesive chuck air supply unit 400 for supplying air to the adhesive chuck 120. And a control unit 500 for controlling the operation of the adhesive chuck air supply unit 400 and the lifting drive unit 240 is provided. The controller 500 may control the overall operation of the substrate bonding apparatus.

이하에서는 점착척(120)의 구성에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 도 3과 도 4에 도시된 바와 같이 점착척(120)은 중앙부에 중공(122)이 형성되어 제 1정반(101)에 삽입 설치되는 하우징(121)을 구비한다. 점착척(120)은 하우징(121)의 내부에 삽입 설치되며 점착척 에어 공급부(400)에서 연장된 연결홀(111)과 연통되어 공기가 흡출 가능하도록 하는 흡출홀(123)이 형성된 지지부(124)를 구비한다. Hereinafter, the configuration of the adhesive chuck 120 will be described in more detail. As shown in FIGS. 3 and 4, the adhesive chuck 120 includes a housing 121 in which a hollow 122 is formed at a center thereof and is inserted into the first surface plate 101. The adhesive chuck 120 is inserted into and installed in the housing 121 and communicates with the connection hole 111 extending from the adhesive chuck air supply unit 400 so that a support hole 124 having a suction hole 123 for allowing air to be sucked out is formed. ).

그리고 점착척(120)의 하우징(121)의 내경에는 단턱(125)이 형성되고, 하우징(121)에 삽입되는 지지부(124)의 외경에는 지지턱(126)이 형성된다. 따라서 하우징(121)의 중공(122) 내부로 삽입된 지지부(124)의 지지턱(126)은 단턱(125)에 걸쳐져서 지지된다. And the stepped 125 is formed on the inner diameter of the housing 121 of the adhesive chuck 120, the support jaw 126 is formed on the outer diameter of the support 124 inserted into the housing 121. Therefore, the support jaw 126 of the support part 124 inserted into the hollow 122 of the housing 121 is supported across the step 125.

또한 지지부(124)의 하부 표면에는 다이아프램(127)이 밀착 설치된다. 다이아프램(127)의 단부는 단턱(125)과 지지턱(126) 사이에 개재되어 고정된다. 다이아프램(127)은 흡출홀(123)에서 토출되는 기체에 의하여 상부 기판(S1) 측으로 팽창하고, 흡출홀(123)로의 기체 공급이 차단되거나, 흡출홀(123)에서의 흡입작용에 의하여 지지부(124)의 표면으로 밀착 복원된다.In addition, the diaphragm 127 is provided in close contact with the lower surface of the support 124. An end portion of the diaphragm 127 is interposed between the stepped 125 and the supported jaw 126 to be fixed. The diaphragm 127 expands toward the upper substrate S1 by the gas discharged from the suction hole 123, and the gas supply to the suction hole 123 is blocked, or the support part is sucked by the suction hole 123. It is closely restored to the surface of 124.

하우징(121)의 다이아프램(127)이 팽창되는 부분의 주변에는 상부 기판(S1)을 점착하는 수지재질의 점착부재(128)가 설치된다. 이 점착부재(128)의 설치를 위하여 하우징(121)의 점착부재(128)가 설치되는 면에는 각각의 점착부재(128)가 일부 삽입되어 설치되도록 하는 다수개의 설치홈(미부호)이 형성될 수 있다.A resin adhesive 128 is attached to the upper substrate S1 around the diaphragm 127 of the housing 121. On the surface on which the adhesive member 128 of the housing 121 is installed for the installation of the adhesive member 128, a plurality of installation grooves (not shown) are formed to partially insert the adhesive members 128. Can be.

한편, 점착부재(128)는 소량의 규소 원자와 결합하는 알케닐기(alkenyl)를 함유하는 오르가노폴리실록산(10 내지 75 중량부), 오르가노히드로젠폴리실록산(5 내지 30 중량부) 및 부가 반응 촉매 등을 주성분으로 하는 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물을 경화시킴으로써 제조된다. 또한 점착부재(128)는 압축성형이나 주입성형, 사출 성형, 타발 등에 의해 직접 외형이 형성될 수 있다. Meanwhile, the adhesive member 128 includes an organopolysiloxane (10 to 75 parts by weight), an organohydrogenpolysiloxane (5 to 30 parts by weight) and an addition reaction catalyst containing an alkenyl group bonded to a small amount of silicon atoms. It manufactures by hardening addition reaction hardening type silicone rubber composition which has a main component etc. as a main component. In addition, the adhesive member 128 may be directly formed by compression molding, injection molding, injection molding, punching, or the like.

그리고 점착부재(128)의 상부 기판(S1)과 점착되는 표면 외의 다른 표면에는 필요에 따라 밀폐막(129)이 코팅될 수 있다. 이 밀폐막(129)은 액상 실리콘 고무(LSR : Liquid Silicone Rubber), 상온 경화(RTV) 탄성체(Room-Temperature-Vulcanizing (RTV ) Elastomers), 고밀도실리콘고무(HCR : High Consistency Silicone Rubber), 실리콘 변성 유기화합물(SMO) 탄성체 에멀젼(Silicon-Modified Organic (SMO) Elastomeric Emulsion) 및 그 외의 밀폐 기능을 수행할 수 있는 성분으로 코팅되어 형성될 수 있다.The sealing film 129 may be coated on another surface of the adhesive member 128 other than the surface to which the upper substrate S1 is attached. The sealing membrane 129 includes Liquid Silicone Rubber (LSR), Room-Temperature-Vulcanizing (RTV) Elastomers, High Consistency Silicone Rubber (HCR), and Silicone Modification. It may be formed by coating with a component capable of performing an organic compound (SMO) elastomer emulsion (SMO) Elastomeric Emulsion and other sealing functions.

이하에서는 상술한 바와 같은 구성의 본 실시예에 따른 기판합착방법에 대하여 설명한다. Hereinafter, a description will be given of a substrate bonding method according to this embodiment of the configuration described above.

도 5는 본 실시예에 따른 기판합착방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 5를 참조하여 설명하면, 상부 챔버(100)와 하부 챔버(200)가 이격된 상태에서 로봇(미도시)이 상부 챔버(100)와 하부 챔버(200)의 사이의 공간으로 상부 기판(S1)을 반입하면 상부 정반(110)에 설치된 점착척(120)에 상부 기판(S1)이 점착된다. 이때 상부 기판(S1)의 점착은 상부 정반(110)에 설치된 진공척 또는 진공 흡착홀에 의하여 점착척(120)에 상부 기판(S1)이 점착되도록 할 수 있고, 또는 리프트 핀이 상승하여 상부 기판(S1)을 점착하도록 할 수 있다. 5 is a flowchart illustrating a substrate bonding method according to the present embodiment. Referring to FIG. 5, in a state in which the upper chamber 100 and the lower chamber 200 are spaced apart from each other, the robot (not shown) may move into the space between the upper chamber 100 and the lower chamber 200. ), The upper substrate S1 is adhered to the adhesive chuck 120 installed on the upper surface plate 110. In this case, the adhesion of the upper substrate S1 may cause the upper substrate S1 to adhere to the adhesive chuck 120 by a vacuum chuck or a vacuum suction hole installed in the upper surface plate 110, or the lift pin is raised to raise the upper substrate. (S1) can be made to adhere.

다음으로 로봇에 의해 하부 기판(S2)이 반입되면 하부 기판(S2)을 받쳐 지지하기 위하여 리프트 핀이 상승하여 하부 기판(S2)을 지지한 상태에서 로봇은 외부로 빠져나간다. 이후 리프트 핀은 하강하여 하부 정반(210)에 하부 기판(S2)을 안착시키고, 하부 기판(S2)는 기판척(220)에 척킹된다.(S10)Next, when the lower substrate S2 is loaded by the robot, the lift pin is lifted to support the lower substrate S2, and the robot exits to the outside while supporting the lower substrate S2. Thereafter, the lift pin descends to seat the lower substrate S2 on the lower surface plate 210, and the lower substrate S2 is chucked to the substrate chuck 220.

이후 챔버 승강부(300)에 의해 상부 챔버(100)가 하강하여 하부 챔버(200)와 밀착됨으로 공정 공간이 형성된다. 공정 공간이 형성되면 드라이 펌프와 고진공분자펌프에 의해 공정 공간 내부가 진공상태를 형성하게 된다. Thereafter, the upper chamber 100 is lowered by the chamber elevating unit 300 to be in close contact with the lower chamber 200, thereby forming a process space. When the process space is formed, a vacuum state is formed in the process space by the dry pump and the high vacuum molecular pump.

계속해서 하부 정반(210)이 상승하여 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)의 정렬을 실시하게 된다(S11). 그리고 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)의 정렬이 완료되면 승강 구동부(240)는 하부 정반(210)을 상승시켜 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)을 밀착시키고, 제어부(500)는 점착척 에어 공급부(400)에 에어를 공급하여 다이아프램(127)을 팽창시킨다(S12).Subsequently, the lower surface plate 210 rises to align the upper substrate S1 and the lower substrate S2 (S11). When the alignment of the upper substrate S1 and the lower substrate S2 is completed, the lift driver 240 raises the lower surface plate 210 to bring the upper substrate S1 and the lower substrate S2 into close contact with each other, and the controller 500 The air is supplied to the adhesive chuck air supply unit 400 to expand the diaphragm 127 (S12).

이와 동시에 또는 소정 시간 이후부터 제어부(500)는 승강 구동부(240)를 동작시켜 하부 정반(210)을 저속인 제 1속도로 하강시킨다(S13). 이때 하부 정반(210)의 저속 하강 속도는 0.05 ~ 0.5mm/sec 이다. 이 저속 하강은 점착척(120)에서 분리된 상부 기판(S1)이 다이아프램(127)과의 마찰면에서 미끄러지는 것을 방지한다. 따라서 안정적으로 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2) 간의 정렬상태를 유지시킨다. At the same time or after a predetermined time, the control unit 500 operates the lifting driving unit 240 to lower the lower surface plate 210 at a first low speed (S13). At this time, the lower speed of the lower surface plate 210 is 0.05 ~ 0.5mm / sec. This lowering speed prevents the upper substrate S1 separated from the adhesive chuck 120 from slipping on the friction surface with the diaphragm 127. Therefore, the alignment state between the upper substrate S1 and the lower substrate S2 is stably maintained.

그리고 제어부(500)는 다이아프램(127)의 팽창이 완료되거나 또는 제 1속도로의 하강이 소정시간 동안 이루어지면 승강 구동부(240)에 제 2속도로의 하강을 위한 신호를 전달한다. 이 제 2속도는 제 1속도보다 고속이다. 이에 따라 하부 정반(210)은 고속으로 하강한다(S14). 이때 제 2속도는 0.6 ~ 1.5mm/sec 이다. 이 제 2속도로 소정시간 동안 하강하면 하부 정반(210)의 하강이 완료된다(S15). When the expansion of the diaphragm 127 is completed or the descending of the first speed is made for a predetermined time, the controller 500 transmits a signal for descending the second speed to the lift driver 240. This second speed is higher than the first speed. Accordingly, the lower surface plate 210 descends at high speed (S14). At this time, the second speed is 0.6 to 1.5 mm / sec. If the second speed is lowered for a predetermined time, the lower surface of the lower plate 210 is completed (S15).

이후 상술한 바와 같은 과정이 완료되면, 상부 챔버(100)와 하부 챔버(200)는 이격되고, 하부 챔버(200)의 리프트 핀은 상승하게 된다. 그리고 외부에서 로봇이 반입되어 합착된 패널을 반출하는 과정을 수행함으로써 합착공정은 완료된다.After the above process is completed, the upper chamber 100 and the lower chamber 200 is spaced apart, the lift pin of the lower chamber 200 is raised. And the bonding process is completed by carrying out the process of carrying out the panel that the robot is brought in from outside.

한편, 하부 정반(210)의 하강 속도는 전술한 속도와 다른 속도일 수 있다. 그리고 하부 정반의 변속이 2단계 이상의 속도차로 진행될 수 있다.On the other hand, the lowering speed of the lower surface plate 210 may be different from the above-described speed. And the shift of the lower surface plate may proceed with a speed difference of two or more stages.

도 6은 다른 실시예에 따른 기판합착방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 6를 참조하여 설명하면, 상부 챔버(100)와 하부 챔버(200)가 이격된 상태에서 로봇(미도시)이 상부 챔버(100)와 하부 챔버(200)의 사이의 공간으로 상부 기판(S1)을 반입하면 상부 정반(110)에 설치된 점착척(120)에 상부 기판(S1)이 점착된다. 이때 상부 기판(S1)의 점착은 상부 정반(110)에 설치된 진공척 또는 진공 흡착홀에 의하여 점착척(120)에 상부 기판(S1)이 점착되도록 할 수 있고, 또는 리프트 핀의 상승하여 상부 기판(S1)을 점착하도록 할 수 있다. 6 is a flowchart illustrating a substrate bonding method according to another embodiment. Referring to FIG. 6, the robot (not shown) is spaced between the upper chamber 100 and the lower chamber 200 in a state where the upper chamber 100 and the lower chamber 200 are spaced apart from each other. ), The upper substrate S1 is adhered to the adhesive chuck 120 installed on the upper surface plate 110. In this case, the adhesion of the upper substrate S1 may cause the upper substrate S1 to adhere to the adhesive chuck 120 by a vacuum chuck or a vacuum suction hole installed in the upper surface plate 110, or by raising the lift pin. (S1) can be made to adhere.

다음으로 로봇에 의해 하부 기판(S2)이 반입되면 하부 기판(S2)을 받쳐 지지하기 위하여 리프트 핀이 상승하여 하부 기판(S2)을 지지한 상태에서 로봇은 외부로 빠져나간다. 이후 리프트 핀은 하강하여 하부 정반(210)에 하부 기판(S2)을 안착시키고, 하부 기판(S2)는 기판척(220)에 척킹된다.(S20)Next, when the lower substrate S2 is loaded by the robot, the lift pin is lifted to support the lower substrate S2, and the robot exits to the outside while supporting the lower substrate S2. Thereafter, the lift pin descends to seat the lower substrate S2 on the lower surface plate 210, and the lower substrate S2 is chucked to the substrate chuck 220.

이후 챔버 승강부(300)에 의해 상부 챔버(100)가 하강하여 하부 챔버(200)와 밀착됨으로 공정 공간이 형성된다. 공정 공간이 형성되면 드라이 펌프와 고진공분자펌프에 의해 공정 공간 내부가 진공상태를 형성하게 된다. Thereafter, the upper chamber 100 is lowered by the chamber elevating unit 300 to be in close contact with the lower chamber 200, thereby forming a process space. When the process space is formed, a vacuum state is formed in the process space by the dry pump and the high vacuum molecular pump.

계속해서 상부 정반(110)이 상부 정반 승강 구동부(101)에 의하여 하강한다(S21). 이에 따라 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)의 정렬을 실시하게 된다. 그리고 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)의 정렬이 완료되면 제어부(500)는 점착척 에어 공급부(400)에 에어를 공급하여 다이아프램(127)을 팽창시킨다(S22).Subsequently, the upper surface plate 110 descends by the upper surface plate elevation driving unit 101 (S21). Accordingly, the upper substrate S1 and the lower substrate S2 are aligned. When the alignment of the upper substrate S1 and the lower substrate S2 is completed, the controller 500 expands the diaphragm 127 by supplying air to the adhesive chuck air supply unit 400 (S22).

이와 동시에 또는 소정 시간 이후부터 제어부(500)는 승강 구동부(240)를 동작시켜 하부 정반(210)을 저속인 제 1속도로 하강시킨다(S23). 이때 하부 정반(210)의 저속 하강 속도는 0.05 ~ 0.5mm/sec 이다. 이 저속 하강은 점착척(120)에서 분리된 상부 기판(S1)이 다이아프램(127)과의 마찰면에서 미끄러지는 것을 방지한다. 따라서 안정적으로 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2) 간의 정렬상태를 유지시킨다. At the same time or after a predetermined time, the control unit 500 operates the lifting driving unit 240 to lower the lower surface plate 210 at a low first speed (S23). At this time, the lower speed of the lower surface plate 210 is 0.05 ~ 0.5mm / sec. This lowering speed prevents the upper substrate S1 separated from the adhesive chuck 120 from slipping on the friction surface with the diaphragm 127. Therefore, the alignment state between the upper substrate S1 and the lower substrate S2 is stably maintained.

그리고 제어부(500)는 다이아프램(127)의 팽창이 완료되거나 또는 제 1속도로의 하강이 소정시간 동안 이루어지면 승강 구동부(240)에 제 2속도로의 하강을 위한 신호를 전달한다. 이 제 2속도는 제 1속도보다 고속이다. 이에 따라 하부 정반(210)은 고속으로 하강한다(S24). 이때 제 2속도는 0.6 ~ 1.5mm/sec 이다. 이 제 2속도로 소정시간 동안 하강하면 하부 정반(210)의 하강이 완료된다(S25). When the expansion of the diaphragm 127 is completed or the descending of the first speed is made for a predetermined time, the controller 500 transmits a signal for descending the second speed to the lift driver 240. This second speed is higher than the first speed. Accordingly, the lower surface plate 210 descends at high speed (S24). At this time, the second speed is 0.6 to 1.5 mm / sec. If the second speed is lowered for a predetermined time, the lower surface plate 210 is completed (S25).

이후 상술한 바와 같은 과정이 완료되면, 상부 챔버(100)와 하부 챔버(200)는 이격되고, 하부 챔버(200)의 리프트 핀은 상승하게 된다. 그리고 외부에서 로봇이 반입되어 합착된 패널을 반출하는 과정을 수행함으로써 합착공정은 완료된다. 이 실시예의 경우에도 하부 정반(210)의 하강 속도는 전술한 속도와 다른 속도일 수 있다. 그리고 하부 정반의 변속이 2단계 이상의 속도차로 진행될 수 있다.After the above process is completed, the upper chamber 100 and the lower chamber 200 is spaced apart, the lift pin of the lower chamber 200 is raised. And the bonding process is completed by carrying out the process of carrying out the panel that the robot is brought in from outside. Even in this embodiment, the lowering speed of the lower surface plate 210 may be different from the above-described speed. And the shift of the lower surface plate may proceed with a speed difference of two or more stages.

도 7은 또 다른 실시예에 따른 기판합착방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 7을 참조하여 설명하면, 상부 챔버(100)와 하부 챔버(200)가 이격된 상태에서 로봇(미도시)이 상부 챔버(100)와 하부 챔버(200)의 사이의 공간으로 상부 기판(S1)을 반입하면 상부 정반(110)에 설치된 점착척(120)에 상부 기판이 점착된다. 이때 상부 기판(S1)의 점착은 상부 정반(110)에 설치된 진공척 또는 진공 흡착홀에 의하여 점착척(120)에 상부 기판(S1)이 점착되도록 할 수 있고, 또는 리프트 핀의 상승하여 상부 기판(S1)을 점착하도록 할 수 있다. 7 is a flowchart illustrating a substrate bonding method according to another embodiment. Referring to FIG. 7, in a state where the upper chamber 100 and the lower chamber 200 are spaced apart from each other, the robot (not shown) may move the upper substrate S1 into a space between the upper chamber 100 and the lower chamber 200. ), The upper substrate is adhered to the adhesive chuck 120 installed on the upper surface plate 110. In this case, the adhesion of the upper substrate S1 may cause the upper substrate S1 to adhere to the adhesive chuck 120 by a vacuum chuck or a vacuum suction hole installed in the upper surface plate 110, or by raising the lift pin. (S1) can be made to adhere.

다음으로 로봇에 의해 하부 기판(S2)이 반입되면 하부 기판(S2)을 받쳐 지지하기 위하여 리프트 핀이 상승하여 하부 기판(S2)을 지지한 상태에서 로봇은 외부로 빠져나간다. 이후 리프트 핀은 하강하여 하부 정반(210)에 하부 기판(S2)을 안착시키고, 하부 기판(S2)는 기판척(220)에 척킹된다.(S30)Next, when the lower substrate S2 is loaded by the robot, the lift pin is lifted to support the lower substrate S2, and the robot exits to the outside while supporting the lower substrate S2. Thereafter, the lift pin descends to seat the lower substrate S2 on the lower surface plate 210, and the lower substrate S2 is chucked to the substrate chuck 220.

이후 챔버 승강부(300)에 의해 상부 챔버(100)가 하강하여 하부 챔버(200)와 밀착됨으로 공정 공간이 형성된다. 공정 공간이 형성되면 드라이 펌프와 고진공분자펌프에 의해 공정 공간 내부가 진공상태를 형성하게 된다. Thereafter, the upper chamber 100 is lowered by the chamber elevating unit 300 to be in close contact with the lower chamber 200, thereby forming a process space. When the process space is formed, a vacuum state is formed in the process space by the dry pump and the high vacuum molecular pump.

계속해서 하부 정반(210)이 상승하여 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)의 정렬을 실시하게 된다. 그리고 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)의 정렬이 완료되면 승강 구동부(240)는 하부 정반(210)을 상승시켜 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)을 밀착시키고(S20), 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2)의 밀착으로 합착이 이루어지면, 제어부(500)는 점착척 에어 공급부(400)에 에어를 공급하여 다이아프램(127)을 팽창시킨다(S31).Subsequently, the lower surface plate 210 rises to align the upper substrate S1 and the lower substrate S2. When the alignment of the upper substrate S1 and the lower substrate S2 is completed, the lift driver 240 raises the lower surface plate 210 to bring the upper substrate S1 and the lower substrate S2 into close contact with each other (S20). When the adhesion is made by the close contact between the substrate S1 and the lower substrate S2, the controller 500 expands the diaphragm 127 by supplying air to the adhesive chuck air supply unit 400 (S31).

이와 동시에 또는 소정 시간 이후부터 제어부(500)는 상부 정반 승강 구동부를 동작시켜 상부 정반(110)을 상승시키고, 하부 정반(210)을 승강시키는 하부 정반 승강 구동부(240)를 동작시켜 하부 정반(210)을 저속인 제 1속도로 하강시킨다(S33). 이때 하부 정반(210)의 저속 하강 속도는 0.05 ~ 0.5mm/sec 이다. 이 저속 하강은 점착척(120)에서 분리된 상부 기판(S1)이 다이아프램(127)과의 마찰면에서 미끄러지는 것을 방지한다. 따라서 안정적으로 상부 기판(S1)과 하부 기판(S2) 간의 정렬상태를 유지시킨다. At the same time or after a predetermined time, the control unit 500 operates the upper surface lift driver to raise the upper surface 110 and operates the lower surface lift driving unit 240 to elevate the lower surface 210 to lower the surface plate 210. ) Is lowered at a low speed (S33). At this time, the lower speed of the lower surface plate 210 is 0.05 ~ 0.5mm / sec. This lowering speed prevents the upper substrate S1 separated from the adhesive chuck 120 from slipping on the friction surface with the diaphragm 127. Therefore, the alignment state between the upper substrate S1 and the lower substrate S2 is stably maintained.

그리고 제어부(500)는 다이아프램(127)의 팽창이 완료되거나 또는 제 1속도로의 하강이 소정시간 동안 이루어지면 승강 구동부(240)에 제 2속도로의 하강을 위한 신호를 전달한다. 이 제 2속도는 제 1속도보다 고속이다. 이에 따라 하부 정반(210)은 고속으로 하강한다(S34). 이때 제 2속도는 0.6 ~ 1.5mm/sec 이다. 이 제 2속도로 소정시간 동안 하강하면 하부 정반(210)의 하강이 완료된다(S35). When the expansion of the diaphragm 127 is completed or the descending of the first speed is made for a predetermined time, the controller 500 transmits a signal for descending the second speed to the lift driver 240. This second speed is higher than the first speed. Accordingly, the lower surface plate 210 descends at high speed (S34). At this time, the second speed is 0.6 to 1.5 mm / sec. If the second speed is lowered for a predetermined time, the lower surface of the lower plate 210 is completed (S35).

이후 상술한 바와 같은 과정이 완료되면, 상부 챔버(100)와 하부 챔버(200)는 이격되고, 하부 챔버(200)의 리프트 핀은 상승하게 된다. 그리고 외부에서 로봇이 반입되어 합착된 패널을 반출하는 과정을 수행함으로써 합착공정은 완료된다.After the above process is completed, the upper chamber 100 and the lower chamber 200 is spaced apart, the lift pin of the lower chamber 200 is raised. And the bonding process is completed by carrying out the process of carrying out the panel that the robot is brought in from outside.

한편, 상부 정반(110)과 하부 정반(210)의 속도는 전술한 속도와 다른 속도일 수 있다. 그리고 상부 정반(110)과 하부 정반은 2단계 이상의 속도차로 동작할 수 있다.Meanwhile, the speeds of the upper surface plate 110 and the lower surface plate 210 may be different speeds from those described above. The upper surface plate 110 and the lower surface plate may operate at a speed difference of two or more stages.

이상의 본 발명의 일 실시예의 기판합착장치 및 기판합착방법은 엘시디 기판제조를 위하여 컬러필터 기판과 어레이 기판의 합착을 위하여 실시할 수 있고, 또는 유기발광소자(OLED) 기판에서 OLED 증착기판과 어레이 기판의 합착을 위하여 사용될 수 있다. The substrate bonding apparatus and the substrate bonding method of one embodiment of the present invention can be carried out for bonding the color filter substrate and the array substrate for the manufacture of the LCD substrate, or in the organic light emitting device (OLED) substrate OLED deposition substrate and array substrate It can be used for the bonding of.

따라서 본 발명의 실시예는 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
Therefore, embodiments of the present invention should not be construed as limiting the technical idea. The scope of protection of the present invention is limited only by the matters described in the claims, and those skilled in the art will be able to modify the technical idea of the present invention in various forms. Accordingly, such improvements and modifications will fall within the scope of the present invention as long as they are obvious to those skilled in the art.

100...상부 챔버
200...하부 챔버
110...상부 정반
210...하부 정반
120...점착척
127...점착부재
240...승강 구동부
300...승강부
400...점착척 에어 공급부
500...제어부100 ... upper chamber
200 ... lower chamber
110.Top plate
210 ... the lower plate
120 ...
127 ... Adhesive member
240 ... lift drive
300 ... elevation unit
400 ... Sticky air supply
500 ... control unit

Claims (12)

상부 기판을 점착부재를 구비하는 상부 정반에 점착하고, 하부 기판을 하부 정반에 안착시키는 단계;
챔버 내부를 진공 펌핑하는 단계;
상기 상부 정반에 점착된 상기 상부 기판의 분리를 위하여 상기 상부 정반에 구비된 다이아프램의 팽창을 시작하고, 상기 다이아프램이 팽창을 시작한 이후에 상기 하부 정반을 하강시키는 것을 특징으로 하는 기판합착방법.
Adhering an upper substrate to an upper surface plate having an adhesive member, and seating the lower substrate on the lower surface plate;
Vacuum pumping the interior of the chamber;
And starting expansion of the diaphragm provided on the upper surface plate to separate the upper substrate adhered to the upper surface plate, and lowering the lower surface plate after the diaphragm starts to expand.
제 1항에 있어서, 상기 다이아프램이 팽창할 때 상기 하부 정반의 하강이 시작되도록 하는 것을 특징으로 하는 기판합착방법.
The method of claim 1, wherein the lower plate starts to descend when the diaphragm expands.
제 2항에 있어서, 상기 하부 정반이 하강할 때 상기 상부 정반을 상승시키는 것을 특징으로 하는 기판합착방법.
3. The substrate bonding method according to claim 2, wherein the upper surface plate is raised when the lower surface plate is lowered.
제 1항 내지는 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 다이아프램이 팽창할 때 상기 하부 정반이 제 1속도로 소정 시간동안 하강하도록 하고, 상기 소정 시간 이후에 상기 하부 정반이 상기 제 1속도보다 빠른 제 2속도로 하강하도록 하는 것을 특징으로 하는 기판합착방법.
The lower plate according to any one of claims 1 to 3, wherein the lower platen is lowered for a predetermined time at a first speed when the diaphragm expands, and after the predetermined time, the lower platen is lower than the first speed. Substrate bonding method characterized in that to descend at a fast second speed.
제 4항에 있어서, 상기 제 1속도는 0.05 ~ 0.5mm/sec이고, 상기 제 2속도는 0.6 ~ 1.5mm/sec 인 것을 특징으로 하는 기판합착방법.
The method of claim 4, wherein the first speed is 0.05 to 0.5 mm / sec, and the second speed is 0.6 to 1.5 mm / sec.
제 5항에 있어서, 상기 다이아프램의 팽창 전에 상기 상부 정반이 상기 하부 정반 측으로 하강하도록 하고, 상기 상부 정반이 소정 거리 하강한 후에 상기 다이아프램이 팽창하도록 하는 것을 특징으로 하는 기판합착방법.6. The substrate bonding method according to claim 5, wherein the upper surface plate lowers to the lower surface side before the diaphragm expands, and the diaphragm expands after the upper surface plate lowers by a predetermined distance. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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