KR101253311B1 - 수평배치형 증착장치 및 수평배치형 증착방법 - Google Patents

수평배치형 증착장치 및 수평배치형 증착방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 의하면, 증착장치는 기판에 대한 증착공정이 이루어지는 내부공간을 가지는 내부반응기; 상기 기판의 하부에 위치하며, 승강에 의해 상기 기판을 지지하는 지지위치 및 상기 기판으로부터 이격되는 해제위치로 전환되는 주지지핀들; 그리고 상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 주지지핀들이 해제위치에 있을 때 상기 기판을 지지하고 상기 주지지핀들이 지지위치에 있을 때 상기 기판으로부터 이격되는 보조지지핀들을 포함한다.

Description

수평배치형 증착장치 및 수평배치형 증착방법{HORIZONTAL-ARRAY DEPOSITION APPARATUS AND HORIZONTAL-ARRAY DEPOSITION METHOD}
본 발명은 증착장치 및 증착방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판들을 수평방향으로 배치한 후 기판들에 대한 증착공정을 진행하는 증착장치 및 증착방법에 관한 것이다.
반도체 및 태양광 산업과 같은 고순도 물질을 이용하는 산업에서는 고순도 규소(Si), 석영(SiO2), 흑연모재에 탄화규소(SiC)가 코팅된 치구 및 서셉터 등을 사용하여 고순도 물질의 오염을 방지한다.
반도체 및 태양광 산업에 사용되는 코팅재인 탄화규소는 공유 결합 물질로 넓은 밴드 갭과 높은 전자 이동도를 갖고 있기 때문에 고전압 소자, 고주파 소자 등과 같은 전자소자로 응용이 이루어지고 있는 물질이다. 또한, 탄화규소는 낮은 밀도와 높은 융점을 갖고 고온에서 기계적, 화학적 특성이 우수하므로 반도체 및 태양광 산업등의 공정에 사용하기에 유리한 물질이다.
이러한 탄화규소를 이용한 반도체는 기술선진국들에서 국가적 지원으로 중점 연구되고 있으며 부분적으로 그 실용성이 상업적으로 증명되고 있다. 탄화규소 반도체 소자를 제작하기 위한 가장 중요한 공정은 탄화규소 증착공정이다.
종래의 탄화규소 증착층은 원료기체로 단일 물질인 메틸렌트리클로로실레인 (CH3SiCl3; MTS), 디메틸트리크로로실레인((CH3)2SiCl2; DTS), 및 에틸렌트리클로로실레인(C2H4SiCl3; ETS)로부터 선택되는 유기금속화합물 또는 사염화규소(SiCl4)등과 C2H2, CH4, C3H6와 같은 탄화수소의 두 종류의 기체를 수소 또는 아르곤(Ar)의 혼합가스를 가열된 반응기에 공급하여 열분해시킴으로 증착대상물에 증착시키는 화학기상증착법을 통하여 얻을 수 있다. 탄화규소가 증착된 증착대상물은 고온에서 화학적, 물리적으로 안정하므로 반도체 혹은 태양광 공정의 가혹한 환경에서도 잘 견딜 수 있다.
그런데, 종래의 반도체 및 태양광 산업에 사용되는 치구 및 서셉터 등의 구조물에 탄화규소를 증착하는 공정은 증착대상물의 모든 면에 균일하게 탄화규소를 증착하기 위하여 여러번 증착공정을 거쳐야 하는 불편함이 있었고 이로 인하여 공정효율이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 기판 상에 균일한 박막을 증착할 수 있는 증착장치 및 증착방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 기판을 지지하는 지지핀으로 인한 미증착영역을 제거할 수 있는 증착장치 및 증착방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 복수의 기판들에 대한 증착공정을 효율적으로 수행할 수 있는 증착장치 및 증착방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 증착장치는 기판에 대한 증착공정이 이루어지는 내부공간을 가지는 내부반응기; 상기 기판의 하부에 위치하며, 승강에 의해 상기 기판을 지지하는 지지위치 및 상기 기판으로부터 이격되는 해제위치로 전환되는 주지지핀들; 그리고 상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 주지지핀들이 해제위치에 있을 때 상기 기판을 지지하고 상기 주지지핀들이 지지위치에 있을 때 상기 기판으로부터 이격되는 보조지지핀들을 포함한다.
상기 증착장치는 상기 기판의 하부에 위치하여 상기 기판과 나란하게 배치되며, 상기 증착공정시 상기 기판과 함께 회전하는 회전판; 그리고 상기 회전판에 연결되어 상기 회전판과 함께 승강 및 회전하는 구동축을 더 포함하며, 상기 주지지핀들은 상기 회전판의 상부면에 설치될 수 있다.
상기 주지지핀들이 지지위치에 있을 때 상기 주지지핀들의 상단은 상기 보조지지핀들의 상단보다 높게 위치하며, 상기 주지지축들이 해제위치에 있을 때 상기 주지지핀들의 상단은 상기 보조지지핀들의 상단보다 낮게 위치할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 증착장치는 복수의 기판들에 대한 증착공정이 이루어지는 내부공간을 가지는 내부반응기; 상기 기판들의 하부에 위치하여 상기 기판들과 나란하게 배치되며, 상기 증착공정시 상기 기판들과 함께 회전하는 회전판; 상기 회전판의 상부면에 설치되어 상기 회전판의 중심을 기준으로 동심원을 이루도록 배치되며, 상기 회전판의 승강에 의해 상기 기판들을 각각 지지하는 지지위치 및 상기 기판들로부터 각각 이격되는 해제위치로 전환되는 주지지핀들; 그리고 상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 주지지핀들이 해제위치에 있을 때 상기 기판들을 각각 지지하고 상기 주지지핀들이 지지위치에 있을 때 상기 기판들로부터 각각 이격되는 보조지지핀들을 포함한다.
상기 기판들은 상기 회전판의 상부에 수평배치되며, 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 회전대칭을 이루도록 배치될 수 있다.
상기 주지지핀들은 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 제1 동심원 상에 위치하는 내측주지지핀들; 그리고 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 제2 동심원 상에 위치하는 외측주지지핀들을 구비하며, 상기 제2 동심원의 직경은 상기 제1 동심원의 직경보다 클 수 있다.
상기 보조지지핀들은 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 제3 동심원 상에 위치하는 내측보조지지핀들; 그리고 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 제4 동심원 상에 위치하는 외측보조지지핀들을 구비하며, 상기 제3 동심원의 직경은 상기 제1 동심원의 직경보다 작고, 상기 제4 동심원의 직경은 상기 제2 동심원의 직경보다 클 수 있다.
상기 주지지핀들은 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 제5 동심원 상에 위치하는 중간주지지핀들을 더 구비하고, 상기 제5 동심원의 직경은 상기 제1 동심원의 직경보다 크고 상기 제2 동심원의 직경보다 작으며, 상기 내측주지지핀들 및 상기 중간주지지핀들은 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 위상에 따라 교대로 배치될 수 있다.
상기 주지지핀들은 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 제5 동심원 상에 위치하는 중간주지지핀들을 더 구비하고, 상기 제5 동심원의 직경은 상기 제1 동심원의 직경보다 크고 상기 제2 동심원의 직경보다 작으며, 상기 외측주지지핀들 및 상기 중간주지지핀들은 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 위상에 따라 교대로 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 증착방법은 회전판의 상부면에 설치된 주지지핀들을 통해 기판들을 1차적으로 각각 지지한 상태에서 상기 기판들을 내부반응기의 내부에 장입하는 단계; 상기 내부반응기의 내부에 반응가스를 공급하여 상기 기판들에 대한 증착공정을 개시하는 단계; 상기 회전판을 하강하여 상기 주지지핀들을 상기 기판들로부터 각각 이격시키고 상기 기판들의 하부에 설치된 보조지지핀들을 통해 상기 기판들을 각각 지지하는 단계; 상기 회전판을 기설정된 각도만큼 회전하는 단계; 그리고 상기 회전판을 상승하여 상기 주지지핀들을 통해 상기 기판들을 2차적으로 각각 지지하는 단계를 포함하되, 상기 주지지핀들에 의해 1차적으로 지지되는 상기 기판들의 접점들과 상기 주지지핀들에 의해 2차적으로 지지되는 상기 기판들의 접점들은 서로 다른 것을 특징으로 한다.
상기 증착방법은 상기 보조지지핀들을 통해 상기 기판들을 지지하는 단계 이전에 상기 반응가스를 차단하는 단계와, 상기 주지지핀들을 통해 상기 기판들을 2차적으로 지지하는 단계 이후에 상기 반응가스를 재공급하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 주지지핀들을 통해 상기 기판들을 각각 지지하는 단계는 상기 주지지핀들의 상단이 상기 보조지지핀들의 상단보다 높게 위치하며, 상기 보조지지핀들을 통해 상기 기판들을 각각 지지하는 단계는 상기 보조지지핀들의 상단이 상기 주지지핀들의 상단보다 높게 위치할 수 있다.
본 발명에 의하면 지지핀으로 인해 기판 중 미증착영역이 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이로 인해 기판 상에 균일한 박막을 증착할 수 있다.
또한, 복수의 기판들을 동일 평면 상에 수평배치한 상태에서, 상기 기판들에 대한 증착공정을 효율적으로 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 회전판의 상부에 놓여진 기판들과 기판들의 하부에 위치하는 주지지핀들 및 보조지지핀들의 배치를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1에 도시한 회전판의 동작에 따른 기판의 지지상태를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시한 회전판의 회전에 따른 주지지핀들의 위치변화를 나타내는 도면이다.
도 5는 기판들을 지지하는 내측보조지지링 및 외측보조지지링을 나타내는 도면이다.
도 6은 회전판의 상부에 설치된 내측주지지핀들과 외측주지지핀들, 그리고 중간주지지핀들의 배치를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도 1 및 도 6을 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예들은 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다. 한편, 이하에서 사용하는 "연결"은 'A'를 'B'에 직접 연결하는 경우 뿐만 아니라, 'C'를 통해 'A'를 'B'에 연결하는 경우도 포함하는 것으로 해석된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 증착장치는 외부반응기(11), 내부반응기(10), 가스공급부(20), 배기부(30), 그리고 히터(40)를 포함한다. 외부반응기(11)는 외부로부터 격리된(isolated) 격리공간을 가지며, 내부반응기(10)는 격리공간 내에 설치된다.
도 1에 도시한 바와 같이, 내부반응기(10)는 내부공간을 가지며, 복수의 기판들(S)은 내부공간 내에 장입된다. 기판들(S)은 대체로 동일한 평면 상에 수평 배치된 상태에 놓이며, 기판들(S)에 대한 증착공정은 내부공간 내에서 이루어진다.
가스공급부(20)는 기판들(S)을 향해 반응가스를 공급하며, 공급된 반응가스는 화학기상증착(Chemical Vapor Depostiion:CVD)에 의해 기판들(S) 상에 박막 형태로 증착된다. 가스공급부(20)는 기판들(S)에 대응되는 높이에 설치된 가스공급관들(22a,22b) 및 가스공급관(22a,22b)의 끝단에 연결된 가스노즐들(24a,24b)을 구비한다. 반응가스는 외부로부터 가스공급관(22a,22b)에 각각 공급되며, 가스노즐들(24a,24b)을 통해 기판들(S)에 분사된다. 본 실시예에서는 도시하지 않았으나, 가스공급관들(22a,22b)은 기판들(S)을 향해 전진하거나 기판들(S)로부터 후진하여 기판들(S)로부터 이격된 거리를 조절할 수 있으며, 이와 같은 방법을 통해 기판(S)의 크기변화에 효과적으로 대처할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 기판에 대해 두 개의 가스공급관들이 상하로 수직배치되는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 가스공급관들은 좌우로 수평배치될 수 있으며, 세 개 이상의 가스공급관들이 설치될 수 있다. 또한, 가스노즐들(24a,24b)의 분사각도는 기판들(S)의 표면과 0~90°를 이룰 수 있으며, 이와 같은 방법을 통해 기판(S)에 공급된 반응가스가 기판(S)의 표면에서 층류(laminar flow)를 형성함으로써 기판(S) 상에 박막이 균일하게 증착될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 도시하지 않았으나, 수냉식 또는 유냉식을 채택한 냉각장치가 가스공급관들(22a,22b)의 외부에 설치될 수 있으며, 이와 같은 방법을 통해 반응가스가 가스공급관들(22a,22b)의 내부에 증착되는 것을 방지할 수 있다.
배기부(30)는 배기관(38) 및 배기밸브(39)를 구비하며, 배기부(30)는 미반응가스 및 반응생성물들을 외부반응기(11)의 외부로 배출한다. 배기관(38)은 기판들(S)의 높이와 대체로 일치하는 높이에 설치되며, 기판들(S)에 공급된 미반응가스 및 기판들(S)에서 각각 생성된 반응생성물들은 배기관(38) 내에 유입된다. 유입된 미반응가스 등은 배기관(38)을 통해 외부반응기(11)의 외부로 배출되며, 배기밸브(39)는 배기관(38)을 개폐할 수 있다.
히터(40)는 내부반응기(10)의 외측에 설치되며, 내부반응기(10)를 가열함으로써 내부반응기(10) 내에 장입된 기판들(S)을 가열한다. 기판들(S)이 가열된 상태에서 기판들(S)에 반응가스가 공급되면, 화학기상증착에 의해 기판들(S) 상에 박막이 증착될 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 증착장치는 회전판(110) 및 주지지핀들(120), 보조지지핀들(220) 및 지지바들(240), 그리고 구동축(140) 및 구동부(150)를 더 포함한다.
회전판(110)은 기판들(S)의 하부에 위치하며, 기판들(S)과 대체로 나란하게 배치된다. 회전판(110)은 구동축(140)의 상단에 고정되며, 구동부(150)에 의해 구동축(140)이 회전 및 승강할 경우, 회전판(110)은 구동축(140)과 함께 회전 및 승강할 수 있다.
주지지핀들(120)은 회전판(110)의 상부면에 설치되며, 회전판(110)이 상승한 상태에서 주지지핀들(120)의 상단은 보조지지핀들(220)의 상단보다 높게 위치한다. 따라서, 도 1에 도시한 바와 같이, 기판들(S)은 보조지지핀들(220)로부터 각각 이격된 상태에서 주지지핀들(120)에 의해 각각 지지된다. 보조지지핀들(220)은 지지바들(240)의 하단부에 각각 연결되며, 지지바들(240)의 상단부는 내부반응기(10)의 내벽에 고정설치된다.
도 2는 도 1에 도시한 회전판의 상부에 놓여진 기판들과 기판들의 하부에 위치하는 주지지핀들 및 보조지지핀들의 배치를 나타내는 도면이다. 도 2에 도시한 바와 같이, 주지지핀들(120)은 내측주지지핀들(122) 및 외측주지지핀들(124)을 구비한다. 내측주지지핀들(122)은 회전판(110)의 회전중심을 기준으로 제1 직경(r1)을 가지는 동심원 상에 위치하며, 서로 이격되어 배치된다. 외측주지지핀들(124)은 회전판(110)의 회전중심을 기준으로 제2 직경(r2,r2>r1)을 가지는 동심원 상에 위치하며, 서로 이격되어 배치된다. 앞서 살펴본 바와 같이, 회전판(110)이 상승한 상태에서, 기판들(S)은 내측주지지핀들(122) 및 외측주지지핀들(124)에 의해 각각 지지되며, 기판들(S)은 회전판(110)의 회전중심을 기준으로 회전대칭(예를 들어, 90°)을 이루도록 배치될 수 있다.
보조지지핀들(220)은 내측보조지지핀들(222) 및 외측보조지지핀들(224)을 구비한다. 내측보조지지핀들(222)은 회전판(110)의 회전중심을 기준으로 제3 직경(r3,r3<r1)을 가지는 동심원 상에 위치하며, 서로 이격되어 배치된다. 외측보조지지핀들(224)은 회전판(110)의 회전중심을 기준으로 제4 직경(r4,r4>r2)을 가지는 동심원 상에 위치하며, 서로 이격되어 배치된다. 내측보조지지핀들(222)은 내측주지지핀들(122)의 내측에 위치하며, 외측보조지지핀들(224)은 외측주지지핀들(124)의 외측에 위치한다.
도 3은 도 1에 도시한 회전판의 동작에 따른 기판의 지지상태를 나타내는 도면이며, 도 4는 도 3에 도시한 회전판의 회전에 따른 주지지핀들의 위치변화를 나타내는 도면이다. 이하, 도 3 및 도 4를 참고하여 기판들의 지지상태를 설명하기로 한다.
먼저, 도 1에 도시한 바와 같이, 기판들(S)은 주지지핀들(120)에 의해 지지된 상태에서 내부반응기(10)의 내부공간에 장입된다. 기판들(S)은 회전판(110)의 상부에 놓여지며, 회전판(110)과 대체로 나란한 평면 상에 수평배치된다. 이후, 히터(40)를 통해 내부반응기(10)(또는 내부반응기(10)의 내부공간에 장입된 기판들(S))를 기설정된 온도로 가열하며, 가스공급부(20)는 내부반응기(10)의 내부공간에 반응가스를 공급하여 기판들(S)에 대한 증착공정을 개시한다. 이때, 회전판(110)은 구동부(150) 및 구동축(140)에 의해 회전하며, 기판들(S)은 회전판(1100의 회전에 의해 주지지핀들(120)과 함께 회전한다. 따라서, 기판들(S)에 증착되는 박막은 균일도(uniformity)를 확보할 수 있다.
한편, 앞서 설명한 바와 같이, 기판들(S)의 하부면 중 주지지핀들(120)에 의해 지지되는 점점 부분은 반응가스에 노출되지 않으며, 이로 인해 접점 부분에서 미증착영역이 발생할 수 있다. 따라서, 증착공정 중에 접점 부분을 변경하여 미증착영역이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 기판들(S)이 주지지핀들(120)에 의해 지지된 상태에서, 주지지핀들(120)의 상단은 보조지지핀들(220)의 상단보다 높게 위치한다.
이후, 도 3에 도시한 바와 같이, 가스공급부(20)를 통한 반응가스의 공급을 중지하며, 회전판(110)의 회전을 정지한 상태에서 회전판(110)을 하강하면, 주지지핀들(120)은 회전판(11)과 함께 하강하며, 주지지핀들(120)의 상단은 보조지지핀들(220)의 상단보다 낮게 위치한다. 따라서, 기판들(S)은 보조지지핀들(220)에 의해 지지될 수 있다.
회전판(110)이 하강한 상태에서 구동축(140)을 회전하면, 주지지핀들(120)은 회전판(110)과 함께 회전한다. 이때, 기판들(S)은 보조지지핀들(220)에 의해 지지된 상태를 유지하므로, 주지지핀들(120)은 기판들(S)과 독립적으로 회전할 수 있다. 도 4에 도시한 바와 같이, 회전판(110)을 반시계방향으로 일정 각도(θ) 만큼 회전하면, 주지지핀들(120)은 회전판(110)과 함께 반시계방향으로 일정 각도(θ) 만큼 회전한다. 따라서, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 직선(L1) 상에 위치하는 내측주지지핀들(122) 및 외측주지지핀들(124)은 제2 직선(L2) 상으로 이동하며, 제1 직선(L1)과 제2 직선(L2) 사이에는 일정 각도(θ) 만큼 위상차가 있다.
이후, 구동축(140)에 의해 회전판(110)을 상승하면, 주지지핀들(120)은 회전판(110)과 함께 상승하며, 주지지핀들(120)의 상단은 보조지지핀들(220)의 상단보다 높게 위치한다. 따라서, 기판들(S)은 주지지핀들(120)에 의해 지지될 수 있다.
이후, 주지지핀들(120)이 기판들(S)을 지지한 상태에서, 가스공급부(20)를 통해 반응가스의 공급을 재개하며, 회전판(110)을 회전하여 기판들(S)에 대한 증착공정을 계속한다. 이때, 주지지핀들(120)은 이동한 위치(예를 들어, 제2 직선(L2)) 상에서 기판들(S)을 지지하므로, 주지지핀들(120)에 의해 지지되는 접점 부분은 변경된다. 따라서, 변경 전 접점 부분에 대한 증착공정이 이루어질 수 있으며, 위와 같은 방법을 반복하여 접점 부분을 변경함으로써 미증착영역이 발생하는 것을 최소화할 수 있다.
도 5는 기판들을 지지하는 보조지지링을 나타내는 도면이다. 한편, 도 5에 도시한 바와 같이, 앞서 설명한 내측보조지지핀들(222)은 내측보조지지링(223)으로 대체될 수 있으며, 외측보조지지핀들(224)은 외측보조지지링(225)으로 대체될 수 있다. 내측보조지지링(223) 및 외측보조지지링(225)은 회전판(110)의 내측 및 외측에 각각 배치되어, 기판들(S)을 지지할 수 있다.
도 6은 회전판의 상부에 설치된 내측주지지핀들과 외측주지지핀들, 그리고 중간주지지핀들의 배치를 나타내는 도면이다. 한편, 도 6에 도시한 바와 같이, 주지지핀들(120)은 중간주지지핀들(126)을 더 포함할 수 있으며, 중간주지지핀들(126)은 회전판(110)의 회전중심을 기준으로 제5 직경(r5,r1<r5<r2)을 가지는 동심원 상에 위치하며, 서로 이격되어 배치된다.
이때, 중간주지지핀들(126) 및 내측주지지핀들(122)은 회전판(110)의 회전중심을 기준으로 위상에 따라 교대로 배치되며, 중간주지지핀들(126) 및 외측주지지핀들(124)은 회전판(110)의 회전중심을 기준으로 위상에 따라 교대로 배치된다. 따라서, 도 6에 도시한 바와 같이, 중간주지지핀(126)은 내측주지지핀(122) 및 외측주지지핀(124)과 함께 삼각구도를 이루며, 회전판(110)이 상승한 상태에서, 내측주지지핀(122)과 외측주지지핀(124), 그리고 중간주지지핀(126)은 삼각구도로 배치되어 기판들(S)을 안정적으로 지지할 수 있다. 이때, 내측주지지핀들(122)과 외측주지지핀들(124)은 동일한 위상에 배치될 수 있다. 그러나, 본 실시예와 달리, 내측주지지핀들(122)과 외측주지지핀들(124)은 회전판(110)의 회전중심을 기준으로 위상에 따라 교대로 배치될 수 있으며, 이 경우, 두 개의 내측주지지핀들(122) 및 하나의 외측주지지핀(124) 또는 한 개의 내측주지지핀(122) 및 두 개의 외측주지지핀들(124)을 이용하여 삼각구도를 이룰 수 있다.
본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.
10 : 내부반응기 11 : 외부반응기
20 : 가스공급부 30 : 배기부
40 : 히터 110 : 회전판
120 : 주지지핀 122 : 내측주지지핀
124 : 외측주지지핀 126 : 중간주지지핀
220 : 보조지지핀 222 : 내측보조지지핀
223 : 내측보조지지링 224 : 외측보조지지핀
225 : 외측보조지지링 240 : 지지바

Claims (13)

  1. 삭제
  2. 기판에 대한 증착공정이 이루어지는 내부공간을 가지는 내부반응기;
    상기 기판의 하부에 위치하며, 승강에 의해 상기 기판을 지지하는 지지위치 및 상기 기판으로부터 이격되는 해제위치로 전환되는 주지지핀들;
    상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 주지지핀들이 해제위치에 있을 때 상기 기판을 지지하고 상기 주지지핀들이 지지위치에 있을 때 상기 기판으로부터 이격되는 보조지지핀들;
    상기 기판의 하부에 위치하여 상기 기판과 나란하게 배치되며, 상기 증착공정시 상기 기판과 함께 회전하는 회전판; 및
    상기 회전판에 연결되어 상기 회전판과 함께 승강 및 회전하는 구동축을 더 포함하며,
    상기 주지지핀들은 상기 회전판의 상부면에 설치되는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 주지지핀들이 지지위치에 있을 때 상기 주지지핀들의 상단은 상기 보조지지핀들의 상단보다 높게 위치하며,
    상기 주지지핀들이 해제위치에 있을 때 상기 주지지핀들의 상단은 상기 보조지지핀들의 상단보다 낮게 위치하는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  4. 복수의 기판들에 대한 증착공정이 이루어지는 내부공간을 가지는 내부반응기;
    상기 기판들의 하부에 위치하여 상기 기판들과 나란하게 배치되며, 상기 증착공정시 상기 기판들과 함께 회전하는 회전판;
    상기 회전판의 상부면에 설치되어 상기 회전판의 중심을 기준으로 동심원을 이루도록 배치되며, 상기 회전판의 승강에 의해 상기 기판들을 각각 지지하는 지지위치 및 상기 기판들로부터 각각 이격되는 해제위치로 전환되는 주지지핀들; 및
    상기 기판의 하부에 위치하며, 상기 주지지핀들이 해제위치에 있을 때 상기 기판들을 각각 지지하고 상기 주지지핀들이 지지위치에 있을 때 상기 기판들로부터 각각 이격되는 보조지지핀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판들은 상기 회전판의 상부에 수평배치되며, 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 회전대칭을 이루도록 배치되는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 주지지핀들은,
    상기 회전판의 회전중심을 기준으로 제1 동심원 상에 위치하는 내측주지지핀들; 및
    상기 회전판의 회전중심을 기준으로 제2 동심원 상에 위치하는 외측주지지핀들을 구비하며,
    상기 제2 동심원의 직경은 상기 제1 동심원의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 증착장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 보조지지핀들은,
    상기 회전판의 회전중심을 기준으로 제3 동심원 상에 위치하는 내측보조지지핀들; 및
    상기 회전판의 회전중심을 기준으로 제4 동심원 상에 위치하는 외측보조지지핀들을 구비하며,
    상기 제3 동심원의 직경은 상기 제1 동심원의 직경보다 작고, 상기 제4 동심원의 직경은 상기 제2 동심원의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 증착장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 주지지핀들은 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 제5 동심원 상에 위치하는 중간주지지핀들을 더 구비하고,
    상기 제5 동심원의 직경은 상기 제1 동심원의 직경보다 크고 상기 제2 동심원의 직경보다 작으며,
    상기 내측주지지핀들 및 상기 중간주지지핀들은 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 위상에 따라 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 주지지핀들은 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 제5 동심원 상에 위치하는 중간주지지핀들을 더 구비하고,
    상기 제5 동심원의 직경은 상기 제1 동심원의 직경보다 크고 상기 제2 동심원의 직경보다 작으며,
    상기 외측주지지핀들 및 상기 중간주지지핀들은 상기 회전판의 회전중심을 기준으로 위상에 따라 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  10. 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 주지지핀들이 지지위치에 있을 때 상기 주지지핀들의 상단은 상기 보조지지핀들의 상단보다 높게 위치하며,
    상기 주지지핀들이 해제위치에 있을 때 상기 주지지핀들의 상단은 상기 보조지지핀들의 상단보다 낮게 위치하는 것을 특징으로 하는 증착장치.
  11. 회전판의 상부면에 설치된 주지지핀들을 통해 기판들을 1차적으로 각각 지지한 상태에서 상기 기판들을 내부반응기의 내부에 장입하는 단계;
    상기 내부반응기의 내부에 반응가스를 공급하여 상기 기판들에 대한 증착공정을 개시하는 단계;
    상기 회전판을 하강하여 상기 주지지핀들을 상기 기판들로부터 각각 이격시키고 상기 기판들의 하부에 설치된 보조지지핀들을 통해 상기 기판들을 각각 지지하는 단계;
    상기 회전판을 기설정된 각도만큼 회전하는 단계; 및
    상기 회전판을 상승하여 상기 주지지핀들을 통해 상기 기판들을 2차적으로 각각 지지하는 단계를 포함하되,
    상기 주지지핀들에 의해 1차적으로 지지되는 상기 기판들의 접점들과 상기 주지지핀들에 의해 2차적으로 지지되는 상기 기판들의 접점들은 서로 다른 것을 특징으로 하는 증착방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 증착방법은,
    상기 보조지지핀들을 통해 상기 기판들을 지지하는 단계 이전에 상기 반응가스를 차단하는 단계와,
    상기 주지지핀들을 통해 상기 기판들을 2차적으로 지지하는 단계 이후에 상기 반응가스를 재공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 주지지핀들을 통해 상기 기판들을 각각 지지하는 단계는 상기 주지지핀들의 상단이 상기 보조지지핀들의 상단보다 높게 위치하며,
    상기 보조지지핀들을 통해 상기 기판들을 각각 지지하는 단계는 상기 보조지지핀들의 상단이 상기 주지지핀들의 상단보다 높게 위치하는 것을 특징으로 하는 증착방법.
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