KR101248245B1 - 마이크로 전자 장치용 코팅제, 그것을 포함하는 처리제 및 마이크로 전자 다이의 열 프로파일의 관리 방법 - Google Patents

마이크로 전자 장치용 코팅제, 그것을 포함하는 처리제 및 마이크로 전자 다이의 열 프로파일의 관리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101248245B1
KR101248245B1 KR1020100131643A KR20100131643A KR101248245B1 KR 101248245 B1 KR101248245 B1 KR 101248245B1 KR 1020100131643 A KR1020100131643 A KR 1020100131643A KR 20100131643 A KR20100131643 A KR 20100131643A KR 101248245 B1 KR101248245 B1 KR 101248245B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polymer film
thickness
die
layer
microelectronic
Prior art date
Application number
KR1020100131643A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110073336A (ko
Inventor
딩잉 수
리오넬 알 아라나
나치켓 알 라라비카르
모히트 마모디아
라자세카란 스와미나탄
라울 마네팔리
Original Assignee
인텔 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인텔 코포레이션 filed Critical 인텔 코포레이션
Publication of KR20110073336A publication Critical patent/KR20110073336A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101248245B1 publication Critical patent/KR101248245B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/66—Additives characterised by particle size
    • C09D7/69—Particle size larger than 1000 nm
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

마이크로 전자 장치용 코팅제는 충전재(232)를 포함하는 폴리머 필름(131)을 포함한다. 폴리머 필름은 열 전도성이 3W/m·K보다 크고, 그 두께(133)는 10㎛를 초과하지 않는다. 폴리머 필름은 다이싱 테이프(310)와 결합하여 마이크로 전자 패키지(100)용 제조 프로세스를 간략화하는 처리제(300)를 형성할 수 있고, 마이크로 전자 장치의 열 프로파일을 관리하기 위해 사용될 수 있다.

Description

마이크로 전자 장치용 코팅제, 그것을 포함하는 처리제 및 마이크로 전자 다이의 열 프로파일의 관리 방법{COATING FOR A MICROELECTRONIC DEVICE, TREATMENT COMPRISING SAME, AND METHOD OF MANAGING A THERMAL PROFILE OF A MICROELECTRONIC DIE}
본 발명의 개시된 실시예는 일반적으로, 마이크로 전자 장치에 관한 것으로, 더 자세하게는 그러한 장치의 필름 또는 다른 처리제(treatment)에 관한 것이다.
마이크로 전자 장치 기술은 얇고 고성능의 다이를 포함하는 복잡한 멀티칩 패키징으로 급속히 바뀌고 있다. 얇은 다이에 대한 다이 균열 위험은 중요해서 열 관리가 요구된다. 전체 패키지 두께를 지나치게 늘리는 것을 피하기 위해, 엄격한 패키지 높이 제한은 임의의 용제(solution) 자체가 비교적 얇아야 하는 것을 요구한다.
개시된 실시예는 이하의 첨부 도면을 참조하여 다음의 상세한 설명을 읽음으로써 더 잘 이해될 것이다.
도 1 및 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 전자 장치의 코팅제(coating)의 단면도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 1 및 2의 코팅제의 단면도,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼에 부착된 도 3의 코팅제를 포함하는 처리제(treatment)의 단면도,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 전자 다이의 열 프로파일(thermal profile)을 관리하는 방법을 나타내는 흐름도,
도 6 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 프로세스의 다양한 관점에서의 도 4의 어셈블리의 단면도이다.
도시의 간략화 및 명료화를 위해, 도면은 일반적 구성 방식을 도시하고, 본 발명의 설명된 실시예의 논의를 불필요하게 불명료하도록 하는 것을 피하기 위해 공지된 특징 및 기술의 상세한 설명은 생략될 수 있다. 부가적으로, 도면의 구성요소는 반드시 축척에 따라 그려진 것은 아니다. 예컨대, 본 발명의 실시예의 이해를 돕기 위해 도면의 일부 구성요소의 크기는 다른 구성요소에 비해 과장될 수 있다. 서로 다른 도면의 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타내고, 유사한 참조부호는 반드시 그렇지는 않지만 유사한 구성요소를 나타낼 수 있다.
명세서 및 청구범위에서 "제 1", "제 2", "제 3" 및 "제 4" 등의 용어는, 만약 있는 경우, 유사한 구성요소 사이의 구분을 위해 사용되며, 반드시 그렇지는 않지만 특정 순차 또는 발생 순서를 기술하기 위해 사용된다. 그와 같이 사용되는 용어는 여기에 기술된 본 발명의 실시예가, 예컨대, 여기에 도시 또는 설명된 것이 아닌 다른 시퀀스로 동작할 수 있도록 적절한 환경하에서 호환 가능한 것이 이해될 것이다. 마찬가지로, 여기서 방법이 일련의 단계를 포함하는 것으로 기술되는 경우, 여기에 제시된 그러한 단계의 순서는 반드시 그러한 단계가 실행될 수 있는 순서인 것은 아니며, 임의의 기술된 단계는 생략될 수 있고/있거나 여기에 기술되지 않은 임의의 다른 단계가 그 방법에 부가 가능할 것이다. 또한, "포함한다", "구비한다", "갖는다" 및 임의의 그 변형된 형태의 용어는 비 배타적 포함에 이르러, 구성요소의 리스트를 포함하는 프로세스, 방법, 물품 또는 장치가 반드시 그들 구성요소에 한정되는 것은 아닌 것이 의도되지만, 그러한 프로세스, 방법, 물품 또는 장치에 특별히 열거되거나 내재되지 않은 다른 구성요소를 포함할 수 있다.
명세서 및 청구범위의 "왼쪽", "오른쪽", "앞", "뒤", "상부", "바닥", "위에", "아래에" 등의 용어는, 만약 있다면, 설명을 위해 사용되는 것이며, 반드시 불변의 상대적 위치를 기술하기 위한 것은 아니다. 그와 같이 사용되는 용어는 여기에 기술된 본 발명의 실시예가, 예컨대, 여기에 도시 또는 설명된 것이 아닌 다른 방향으로 동작할 수 있도록 적절한 환경하에서 호환 가능한 것이 이해될 것이다. 여기서 사용된 용어 "연결된"은 전기적 또는 비 전기적 방식으로 직접 또는 간접적으로 접속되는 것으로 정의된다. 여기서 서로 "인접하는" 것으로 기술된 대상은, 그 문구가 사용되는 문맥에 대해 적절하게, 서로 물리적으로 접촉하거나, 서로 근접하거나, 서로 동일한 일반적 범위 또는 영역에 있는 것일 수 있다. 여기서 "일 실시예에서"라는 문구의 존재는 반드시 그런 것은 아니지만 동일한 실시예를 의미한다.
본 발명의 일 실시예에서, 마이크로 전자 장치용 코팅제는 충전재를 포함하는 폴리머 필름을 포함한다. 폴리머 필름은 열 전도성이 3W/m·K보다 크고, 그 두께는 10㎛를 초과하지 않는다. 폴리머 필름은 다이싱 테이프와 결합하여 마이크로 전자 패키지용 제조 프로세스를 간략화하는 처리제를 형성할 수 있고, 마이크로 전자 장치의 열 프로파일을 관리하기 위해 사용될 수 있다.
기존의 베어 다이(bare die) 패키지 어셈블리 및 테스팅 프로시저는 부품 및 매체의 수동 조작, 다이 후면과의 도구 접촉(소우(saw)에 의해 뒷면이 깍이는 것 등), 시험대 스크래치 등을 포함하여 많은 잠재적 결함원이 드러나지 않게 한다. 이들 모든 결함원 등은 다이의 균열로 이어져 제조 또는 신뢰성 시험 중에 실패하게 한다. 따라서, 이상적인 용제는 다이의 균열을 방지하기 위해 높은 내 스크래치성(scratch resistance)을 제공하면서, 열 저항을 더 낮추고 다이로부터의 방열을 더 효과적으로 할 수 있게 하는 얇고 높은 열 전도성 재료를 제공할 수 있다. 현재는 다이 후면(backside)의 내 스크래치성 및 방열을 모두 제공할 수 있는 용제는 존재하지 않는다. 기존의 내 스크래치성 코팅제는 일반적으로 좋지 않은 열 전도체이고, 또한 열 저항 ∝ (두께/열 전도성)과 같은 일반적인 관계에 따라 열 저항을 증가시키는 높은 두께의 프로파일을 갖고, 따라서, 다이로부터 열이 방출되도록 전도하는(conducting) 데에는 비효율적이다.
상기에 개략적으로 설명한 문제는 다이 후면 필름(die backside film, DBF)을 사용하여 완화 또는 제거될 수 있을 것이다. 이것은, 일반적으로 아마도 1~50마이크로미터(이하에서는 "미크론" 또는 "㎛"로 축약함) 두께의, 실리콘(또는 다른) 웨이퍼 또는 다이의 후면에 적층 또는 도포될 수 있는 웨이퍼 레벨 필름이다. 그러한 애플리케이션은 웨이퍼 시닝(wafer-thinning) 프로세스 후에 일어날 수 있다. DBF는 일반적으로 폴리머/무기 합성물이며, 필름의 큐어링 후에 반도체 다이 등의 마이크로 전자 장치의 뒷면에 영구적으로 부착된다.
특히, 그러한 필름은 코팅된 다이를 포함하는 마이크로 전자 패키지의 신뢰성을 증가시키고, 패키지 조립 및 취급 중의 다이의 균열 및 뒤틀림으로부터 상당한 보호를 제공한다. 그러한 필름은 베어 다이(bare die) 패키지로서 판매 또는 운송된 제품에 대해 특히 유리할 수 있는데, 다른 경우(즉, 그러한 필름이 없으면) 조립/테스트 프로세서 중에 생기는(또는 다른 소스로부터 유발되는) 마모, 마멸 또는 다른 후면 손상을 입기 쉬울 것으로 여겨지고, 가능하게는 다이 후면의 나쁜 시각적 외관 및/또는 운반 또는 사용중의 다이 균열로 이어질 수 있다. 그러나, 대부분의 기존의 DBF는 열적으로 비 전도성이며, 방열에 의한 문제로 이어지고, 따라서, 잠재적으로 성능의 손실 및 심지어 다이 고장이 초래된다. 예컨대, 기존의 DBF는 양호한 기계적 특성(하이 모듈러스)을 제공하지만 허용 가능한 열 전도 특성에 못미치는 실리카 충전재를 포함한다. 실리카로 충전된 DBF의 열 전도성은 1W/m·K 미만으로 많은 애플리케이션에 대해 매우 낮다.
따라서, 모바일 베어 다이 애플리케이션을 위해, 하이 케이(high k) DBF가 열 경계 재료(TIM) 및/또는 집적 히트 스프레더(IHS)와의 열적 접촉으로 들어갈 데스크탑 패키지 애플리케이션을 위해, 그리고 유사한 환경을 위해, 얇고 높은 열 전도성(하이 케이) DBF가 요구된다. 그러한 필름은 마이크로 전자(특히 고성능의) 장치를 위한 조립 및 취급 중에 일어나는 다이 균열이 원인으로 되는 제조율 손실을 줄일 것이다. 필름의 열 전도성은 필름의 애플리케이션에 의해 일어날 수 있는 임의의 온도 상승을 감소시킬 것이고, 다이로부터 효과적으로 열이 방출되게 할 것이다.
본 발명의 실시예는 높은 내 스크래치성 및 높은 열 전도성을 갖고 또한 레이저 마킹을 허용하도록 맞추어질 수 있는 능력을 갖는 매우 얇은 필름을 가능하게 함으로써 이들 및 다른 이점을 제공한다. 다이 후면에 레이저 마킹을 가능하게 하는 것은, 그렇지 않으면 패키지 기판 또는 다른 곳에 그러한 마킹을 위해 이용될 공간을 절약하고, 따라서 공간을 절약하고, 더 작고 저렴한 패키지로 이어진다. 본 발명의 DBF의 상술한 특성은, 이하에 상세히 설명되는 바와 같이, 다양한 실시예에서 폴리머의 단단한 열 전도성 입자의 도움으로 달성된다. 더 단단한 입자는 내 마모성을 향상하게 할 수 있고, 한편 열 전도성 입자는 다이로부터의 방열을 향상하게 할 수 있다.
도면을 참조하면, 도 1 및 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 전자 장치용 코팅제(130)의 단면도이다. 도 1에서 코팅제(130)는 다이(120)에 부착되는 것, 결국 마이크로 전자 패키지(100)의 일부로서 기판(110)에 부착되는 것으로 도시된다. 도 2는 코팅제(130)만을 도시한다. 도 1 및 2에 도시된 바와 같이, 코팅제(130)는 충전재(232)를 포함하는 폴리머 필름(131)을 포함한다(코팅제(130) 및 폴리머 필름(131)은 기본적으로 동일한 것이며, 명칭만 다른 것으로 주로 논의 및 식별을 위해 유지된다). 폴리머 필름(131)은 섭씨 50°(℃)보다 큰 유리 전이 온도(Tg)를 가질 수 있다.
폴리머 필름(131)은 열 전도성이 3W/m·K보다 크고 두께(133)가 10㎛를 초과하지 않는(실제로는 상당히 더 얇을 수 있음) DBF이다. 이 비교적 얇은 두께를 최대치로 하는 한가지 이유는, 더 얇은 필름은 특정 열 전도성의 임의의 재료에 대해 마이크로 전자 장치로부터의 방열에 더 낮은 저항을 도입할 것이라는 것이다. 따라서 특정 장치의 성능에 대해, 더 얇은 필름은 두꺼운 필름에 비해 장치가 더 낮은 온도에서 작동하게 할 것이다. 예컨대, 열 설계 전력(thermal design power, TDP)이 10와트(Watts)보다 큰 장치에 대해, 3W/m·K의 열 전도성 및 10㎛보다 큰 두께를 갖는 필름은 (DBF가 없는 다이에 비해) 장치가 1℃ 더 뜨겁게 동작하게 한다고 추정된다. 1℃보다 큰 온도 상승은 마이크로 전자 장치의 성능 및 신뢰성을 감소시킬 수 있기 때문에 일반적으로 바람직하지 않다. 따라서 더 많은 재료가 두꺼운 필름에 대한 경우보다 얇은 필름(131)에 대해 고려될 수 있다. 특정 실시예에서, 폴리머 필름(131)은 실온(여기서는 대략 300°켈빈(°K)로 함)에서 3GPa보다 큰 포스트큐어 영률(post-cure Young's modulus)을 갖는다. 폴리머 필름(131)은 다양한 에폭시 및 에폭시 수지를 포함하는 기계적으로 단단한 열 경화성 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등의 열 가소성 수지, 다양한 종류의 폴리이미드 및 유사한 재료에 기초할 수 있다. 이하에 더 논의되는 바와 같이, 이중 또는 그 이상의 다층 필름 설계는 요구된 적층 및 점착성 조건을 충족시키도록 사용될 수 있다.
다이(120)는 액티브 회로(125)를 포함하는 전면(front side)(121)과 전면(121)의 반대쪽의 후면(122)을 갖는다. 도시된 바와 같이, 폴리머 필름(131)은 후면(122)에 배치되어 다이 후면 필름으로 생각된다.
충전재(232)는 높은 열 전도성(예컨대, k>10W/m·K) 및 높은 내 마모성(abrasion resistance)을 갖는 재료에 기초한 마이크로 및/또는 나노 스케일을 포함할 수 있다. 상기에 제시된 바와 같이, 그러한 충전재는 에폭시 매트릭스에 충전될 수 있다. 특정 예로서, 충전재(232)는 특히, 텅스텐, 토파즈(Al2SiO4), 크롬, 알루미늄, 산화알루미늄("알루미나" 또는 Al2O3), 질화알루미늄(AIN), 탄화텅스텐(WC), 탄화실리콘(SiC), 붕소, 탄화붕소(B4C), 질화붕소(BN), 니켈, 니켈바나듐(예컨대, 0.05% 미만의 바나듐(V)을 포함하는 NiV), 흑연, 탄소분말, 탄소섬유 및 다이아몬드 중 하나 이상의 입자를 포함할 수 있다. 또한 상기 물질의 나노튜브(nanotube) 및 나노와이어(nanowire)가 사용될 수 있다. 열거된 각각의 재료는 적어도 10W/m·K의 열 전도성을 갖고, 그들 중 몇가지(특히 다이아몬드와 함께 다양한 재료 중 하나의 나노튜브)는 1000W/m·K 이상의 열 전도성을 갖는다.
상술한 입자, 나노튜브, 나노와이어 및 유사한 구조는 그 크기가 균일할 수 있고, 또는 도 2의 실시예에서와 같이 다양할 수도 있다. 특정 실시예에서, 입자는 크기가 최대 1㎛이고, 많은 입자는 훨씬 더 작다(예컨대, 그 중 가장 큰 크기는 100나노미터(㎚) 이하임). 나노 크기의 충전재의 바람직함(desirablity)은 적어도 부분적으로 필름 두께의 제한으로부터 기인한다(더 얇은 필름은 더 나은 방열을 제공한다). 즉, 나노 크기의 충전재는 더 큰 입자로 충전되는 대응하는 필름보다 훨씬 더 작은 두께에서 열 전도성을 희생하지 않고 높은 내 스크래치성(scratch resistance) 등의 특성을 제공한다.
일 실시예에서, 에폭시 매트릭스 내에 채워진 충전재는 대개 70-95중량비율(percent by weight)일 수 있다. 예로서, 매트릭스-충전재간 계면 강도 및 분산을 더 좋게 하기 위해, 충전재는 실란 또는 실록산 연결 에이전트에 의해 또는 에폭시 아민 등으로 처리될 수 있다. 특정 실시예에서, 필름(131)으로 통합된 충전재(예컨대, 상기한 것 또는 다른 것 중 하나 이상)는 추후 다이에 도포될 TIM의 성능을 향상시킨다. 예컨대, Au가 코팅된 Ni 충전재는 땜납형 TIM의 습윤성을 향상시키고 그것과 반응하는 데 사용될 수 있다.
특정 실시예에서, 상기한 구조는 충전재를 처리하고, 용제(solvent)를 이용하여 큐어링되지 않은 에폭시 수지에 처리된 충전재를 혼합하고, 그것에 의해 얻어진 필름을 웨이퍼의 후면에 스핀코팅한 후, 용제를 증발시키고 에폭시를 큐어링하는 제 1 면에 의해 이루어진다. 특정 실시예에서, 용제의 사용은 (예컨대, 필름에서의 잠재적 방출(voiding) 위험을 방지하기 위해) 생략될 수 있고, 충전재는 에폭시 수지로 직접 혼합되고 후속하여 스핀코팅 및 큐어링이 이루어질 수 있다. 스핀 코팅은 점착성, 스피닝(spinning)의 분당 회전수(rpm), 합성물의 부피 등을 조정함으로써 이루어진 양호한 두께 제어에 의해 더 얇은 두께를 생성할 수 있다. 대략 5-10㎛ 이하의 필름은 (더 두꺼운 필름과 마찬가지로) 이들 기술을 이용하여 코팅될 수 있다.
충전재는 증가된 열 전도성과 함께 증가된 계수(단단함)도 제공한다. 충전재의 타입, 크기, 내용물 및 DBF의 두께는 열 전도성을 바람직하게 조작하도록 제어될 수 있다. 충전재 파라미터뿐 아니라 수지의 화학적 특성도 요구된 계수를 제공하기 위해 최적화될 수 있고, 따라서 다이의 균열을 방지한다. 이와 관련하여, 혼합의 간단한 규칙은, 식 Etotal = EmVm + EfVf(E는 측정되는 특성, V는 부피율(volume fraction), m은 매트릭스, f는 충전재임)에 따라, (기계적으로 단단한) 연마재가 폴리머 매트릭스에 혼합되면, 그 결과의 합성물은 양호한 내 마모성을 가질 것이라는 것을 예측한다. (상기에 제안된 다수의 세라믹 입자는 수백 GPa의 계수를 갖는 공지된 연마재이다.) 예측된 열 전도성의 향상은 유사한 논의를 유발한다.
보안, 브랜딩(branding), 재고 조절 등을 포함하는 많은 이유로, 다이(120) 상의 판독 가능한 표시(mark)를 하게 하는 능력을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 그러한 표시는, 예컨대, 잉크에 의한 인쇄나 레이저 인그레이빙(engraving)에 의해 이루어질 수 있는데, 후자의 방법이 높은 대조(contrast)를 제공하기 때문에 대개 바람직하다. 그러나 그러한 레이저 인그레이빙이 가시적(visible)으로 되게 하기 위해, 인그레이빙된 영역은 그렇지 않은 영역과의 충분한 대조를 제공해야 한다. 따라서, 카본블랙(carbon black) 또는 다른 어떤 색소 등의 착색제가 폴리머 필름(131)에 부가될 수 있고, 이것은 다이(120)의 후면 상의 레이저 인그레이빙된 영역 및 그렇지 않은 영역 사이의 대조를 증가시키고, 레이저 마킹이 증가된 패키지 크기의 비용으로 패키지의 다른 곳 대신에 이루어지게 한다.
큰 부피의 제조 환경에서 유용하게 하기 위해, 코팅제(130)는 적합한 제조 조건 하에서 다이(120)에 신뢰성 있게 도포될 수 있도록 해야 한다. 다른 문제 중에서, 다양한 적층 및 점착성 요건이 고려되어야 한다. 예컨대, 50℃ 이상의 유리 전이 온도에 의해, 폴리머 필름(131)은 일반적으로 수송중에 때때로 접하는 비교적 극한 온도 및 습도 조건 하에서도, 커버 테이프에 부착되지 않고 수송용 테이프 앤드 릴 시스템에 배치될 수 있다. 그러나, 다른 바람직한 높은 Tg는 다이와 필름 사이의 접착을 좋지 않게, 가능하게는 박리되게 할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기한, 그리고 우선 도 3을 참조하여 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같은 폴리머 필름(131)을 위한 이중 또는 그 이상의 다층 설계를 사용함으로써, 상기 요건이 만족되고 대응하는 제조상 문제가 해결된다.
도 3은 폴리머 필름(131)이 두 개 이상의 층을 갖는 실시예에서의 코팅제(130)의 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 필름(131)은 제 1 충전물을 갖는 두께(335)의 층(331)과, 제 2 충전물을 갖는 두께(336)의 층(332)을 포함한다. 필름(131)은 접착층(311)에 의해 층(331)에 부착된 다이싱 테이프(310)을 또한 포함하는 처리제(treatment)(300)의 일부로서 도시된다. 처리제(300), 다이싱 테이프(310) 및 접착층(311)은 이하에 더 설명될 것이다.
층(331, 332)은 그 사이의 접착을 더 강하게 하기 위해 유사한 기본적 화학적 성질을 가질 수 있다. 두 개의 층은 동일한 두께를 갖는 것으로 도시되지만, 다양한 실시예에서 층은 두께가 상이할 수도 있어, 두 개의 층 중 어느 하나는 다른 하나보다 두꺼울 수 있다. 예로서, 전체 두께가 10미크론인 필름에 대해, 층(331, 332)은 각각의 두께가 2와 8㎛, 5와 5㎛, 6과 4㎛, 또는 임의의 다른 두께의 조합으로 될 수 있다.
예로서, 층(331)은 80℃ 미만인 유리 전이 온도를 가질 수 있고, 층(332)은 50℃보다 큰 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 이것은 필름이 한쪽 면에서는 80℃ 아래에서 점착성이 있게 되고(실리콘에 대해 적층을 가능하게 함), 다른쪽 면에서는 적어도 50℃의 온도까지는 점착성이 없도록(테이프 앤드 릴 또는 픽 앤드 플레이스 툴링에 부착되는 것을 방지함) 유지되게 한다. 더 낮은 Tg를 갖는 쪽(층(331))은 다이(120)로의 적층을 위해 그 옆에 배치될 수 있고, 높은 Tg를 갖는 쪽(층(332))은 다이(120)에 대해 비 점착성 후면 코팅을 제공하기 위해 다이의 반대쪽에 배치될 것이다. 예로서, 층 특성의 차이는 화학적 특성 및 충전물의 약간의 변화에 의해 생길 수 있다. 점착층(층(331))은, 예컨대, 비점착층(층(332))보다 낮은 충전물을 가질 것으로 예상된다.
필름이 개별적인 다이 레벨이 아니라 웨이퍼 레벨에서 도포되면, 필름(131)의 다이(120)에 대한 도포는 더 간단해질 수 있다. 모든 실시예에 요구되는 것은 아니지만, 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 다이싱 테이프(310)는 싱귤레이션(singulation) 프로세스가 이어지는 웨이퍼 레벨 적층 프로시저에서 유용할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼(410)와 함께 도시된 처리제(300)(다이싱 테이프(310)를 포함함)의 단면도이다. 상술한 바와 같이, 처리제(300)는 또한 필름(131), 다이싱 테이프(310)와 필름(131) 사이의 접착층(311)을 포함한다. 도시하지 않은 실시예에서, 필름(131)은 단일 층으로 구성된다. 도 4에 도시된 실시예에서, 필름(131)은 상술한 층(331) 및 층(332)의 두 개의 층으로 이루어지는데, 층(331)은 웨이퍼(410)에 인접한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 전자 다이의 열 프로파일을 관리하는 방법(500)을 도시하는 흐름도이다. 유리하게는, 방법(500)은 다이싱 테이프 또는 웨이퍼 레벨 다이 부착 필름(WLDAF), 적층, 싱귤레이션, 및 테이프 및 릴 다이 소트(tape and reel die sort, TRDS)에서의 다이 픽업을 포함하는 기존의 다이 준비 프로세스에 변화가 없는 것을 요구한다. 설명되는 바와 같이, 방법(500)은 도 1에 처음 도시되는 폴리머 필름(131)과 유사한 필름을 이용한다. 방법(500)의 임의의 단계는 도 6 내지 도 8 중 하나 이상을 참조하여 논의될 수 있는데, 이는 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 프로세스의 다양한 관점에서의 처리제(300)와 웨이퍼(410)의 단면도이다.
방법(500)의 단계(510)는, 폴리머 필름이 그 두께가 10미크론을 초과하지 않도록, 마이크로 전자 다이를 포함하는 웨이퍼에 3W/m·K보다 큰 열 전도성을 갖는 폴리머 필름을 도포하는 것이다. 상기에 나타낸 바와 같이, 폴리머 필름은 도 1에 처음 도시되는 폴리머 필름(131)과 유사할 수 있다. 예로서, 웨이퍼는 도 4에 처음 도시되는 웨이퍼(410)와 유사할 수 있다.
일 실시예에서, 단계(510)는 필름을 웨이퍼의 후면에 적층한 후 그 필름을 큐어링하는 것을 포함한다. 특정 실시예에서, 폴리머 필름을 큐어링하는 것은 필름을 열 방사에 노출시키는 것을 포함한다. 상기한 바와 같이, 단계(510)는 웨이퍼 시닝(thinning) 프로세스에 이어 실행될 수 있다.
일 실시예에서, 단계(510) 또는 다른 단계는 그 도포중에 처리제에 열을 가하는 것을 포함한다. 그렇게 함으로써 웨이퍼의 실리콘 표면에 폴리머 필름의 접착을 향상할 수 있다.
방법(500)의 단계(520)는 웨이퍼로부터 마이크로 전자 다이를 싱귤레이팅하는 것이다. 예로서, 단계(520)는 웨이퍼 코팅 + 레이저 스크라이빙(scribing) + 소잉(sawing) 등의 표준 프로세스를 이용하여 실행될 수 있다. 도 6은 다이싱 테이프가 사용되는 단계(520)의 실시예를 도시한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 소우 블레이드(또는 유사한 스크라이빙 또는 절단 도구)는 웨이퍼(410)와 필름(131)을 통과하여 다이싱 테이프(310)를 동시에 절개한다. 다이싱 테이프(310)는 다이싱 뿐만 아니라 다이 픽업도 가능하게 하는 데 사용된다. 다이싱시에 임의의 다이의 흩날림(die fly-off)을 방지하기에 충분한, DBF의 층(332)과 다이싱 테이프(310) 사이의 접착 레벨을 제공하기 위해 접착층(311)이 필요할 수 있다.
소잉 후에, 싱귤레이트된 다이가 TRDS 등의 표준 장비에 골라내어진다. 이 단계에서, 폴리머 필름(131)은 다이에 부착된 채로 남아 있다. 처리제(300)의 나머지, 즉, 다이싱 테이프(310)와 접착층(311)은 다이로 옮겨지지 않는다.
도 7은 다이싱 테이프와 접착층이 제거된 후의 필름(131)을 갖는 싱귤레이트(singulated) 다이를 도시한다. 상술한 실시예와 개념에 따라 층(332)의 노출된 면이 일반적 사용중에 접착되는 물질에 붙는 것을 억제할 비점착면인 것을 알 수 있을 것이다.
방법(500)의 단계(530)는 마이크로전자 다이를 패키지 기판에 부착하는 것이다. 예로서, 단계(530)는 폴리머 필름이 남아 노출되는 땜납 리플로 프로세스를 이용하여 이루어질 수 있다. 도 8은 땜납 리플로에 의한 부착에 대비하여 (상호접속 구조(842)를 갖는) 싱귤레이트된 다이(841)가 땜납 범프(811)를 갖는 기판(810) 위에 배치되는 칩 부착 프로시저를 나타내는 것이다.
본 발명은 특정 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명의 정신 또는 범위를 벗어나지 않고 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 당업자에게 이해될 것이다. 따라서, 본 발명의 실시예의 개시내용은 본 발명의 범위를 예시하는 것이며 제한하려는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위에 의해 요구되는 범위로만 제한될 것이다. 예컨대, 여기서 논의된 폴리머 필름 및 관련 구조와 방법은 다양한 실시예로 구현될 수 있고, 임의의 이들 실시예의 상기 논의가 반드시 모든 가능한 실시예를 완전히 설명하는 것이 아님을 당업자는 쉽게 이해할 수 있을 것이다.
부가적으로, 이익, 다른 이점 및 문제에 대한 해결방안은 특정 실시예와 관련하여 기술되었다. 그러나 그 이익, 이점, 문제에 대한 해결방안 및 임의의 이익, 이점, 해결방안이 발생되거나 더 표명되도록 할 수 있는 임의의 요소(들)은 중대하거나 필수적인 또는 임의의 또는 모든 청구항의 본질적 특징 또는 요소로 해석되는 것은 아니다.
더욱이, 여기서 개시된 실시예 및 제한은, 그 실시예 및/또는 제한이 (1) 청구범위에서 명백히 청구되지 않고, (2) 균등론 하에서 청구범위에 명백한 요소 및/또는 제한과 잠재적으로 동등하면, 헌정론 하에서 대중에 헌정되는 것이 아니다.
100 : 마이크로 전자 패키지 110 : 기판
120 : 다이 130 : 코팅제
131 : 필름 232 : 충전재

Claims (20)

  1. 마이크로 전자 장치용 코팅제로서,
    충전재를 포함하는 폴리머 필름을 포함하고,
    상기 폴리머 필름은 열 전도성이 3W/m·K보다 크고 두께가 10㎛를 초과하지 않는
    코팅제.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머 필름은 실온에서 3GPa보다 큰 포스트큐어 영률(post-cure Young's Modulus)을 갖는 코팅제.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 충전재는 텅스텐, 토파즈, 크롬, 알루미늄, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 탄화텅스텐, 탄화실리콘, 붕소, 탄화붕소, 질화붕소, 니켈, 니켈바나듐, 흑연, 탄소분말, 탄소섬유 및 다이아몬드 중 적어도 하나의 입자를 포함하는 코팅제.

  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 입자는 커플링 에이전트(coupling agent) 또는 에폭시 아민을 포함하는 코팅제.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 입자는 최대 크기가 1㎛인 코팅제.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머 필름은 착색제를 포함하는 코팅제.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머 필름은 제 1 충전물을 갖는 제 1 두께의 제 1 층과, 제 2 충전물을 갖는 제 2 두께의 제 2 층을 포함하고,
    상기 제 2 충전물은 상기 제 1 충전물보다 더 큰 유리 전이 온도를 갖는
    코팅제.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 80℃ 미만인 제 1 유리 전이 온도를 갖고, 상기 제 2 층은 50℃보다 큰 제 2 유리 전이 온도를 갖는 코팅제.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 두께는 상기 제 2 두께와 동일한 코팅제.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 두께는 상기 제 2 두께보다 큰 코팅제.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 두께는 상기 제 2 두께보다 작은 코팅제.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리머 필름은 50℃보다 큰 유리 전이 온도를 갖는 코팅제.
  13. 마이크로 전자 장치용 처리제(treatment)로서,
    다이싱(dicing) 테이프와,
    열 전도성이 3W/m·K보다 크고 두께가 10㎛를 초과하지 않는 폴리머 필름
    을 포함하는 처리제.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 다이싱 테이프와 상기 폴리머 필름 사이에 접착층을 더 포함하는 처리제.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 폴리머 필름은 단일 층으로 이루어지는 처리제.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 폴리머 필름은 제 1 충전물을 갖는 제 1 두께의 제 1 층과, 제 2 충전물을 갖는 제 2 두께의 제 2 층을 포함하고,
    상기 제 2 충전물은 상기 제 1 충전물보다 더 큰 유리 전이 온도를 갖는
    처리제.
  17. 마이크로 전자 다이(microelectronic die)의 열 프로파일을 관리하는 방법으로서,
    열 전도성이 3W/m·K보다 큰 폴리머 필름을 상기 폴리머 필름의 두께가 10㎛를 초과하지 않도록 상기 마이크로 전자 다이를 포함하는 웨이퍼에 상기 폴리머 필름을 도포하는 단계와,
    상기 웨이퍼로부터 상기 마이크로 전자 다이를 싱귤레이팅(singulating)하는 단계와,
    패키지 기판에 상기 마이크로 전자 다이를 부착하는 단계
    를 포함하는 마이크로 전자 다이의 열 프로파일 관리 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 폴리머 필름은 다이싱 테이프를 또한 포함하는 처리제의 일부이고,
    상기 방법은 상기 마이크로 전자 다이를 싱귤레이팅하는 단계 후에 상기 다이싱 테이프를 제거하는 단계를 더 포함하는
    마이크로 전자 다이의 열 프로파일 관리 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 폴리머 필름을 도포하는 단계는 상기 웨이퍼 상에 상기 폴리머 필름을 적층한 후 상기 폴리머 필름을 큐어링(curing)하는 단계를 포함하는 마이크로 전자 다이의 열 프로파일 관리 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 폴리머 필름을 큐어링하는 단계는 상기 폴리머 필름을 열 방사(thermal radiation)에 노출시키는 것을 포함하는 마이크로 전자 다이의 열 프로파일 관리 방법.
KR1020100131643A 2009-12-21 2010-12-21 마이크로 전자 장치용 코팅제, 그것을 포함하는 처리제 및 마이크로 전자 다이의 열 프로파일의 관리 방법 KR101248245B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/653,791 2009-12-21
US12/653,791 US8287996B2 (en) 2009-12-21 2009-12-21 Coating for a microelectronic device, treatment comprising same, and method of managing a thermal profile of a microelectronic die

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110073336A KR20110073336A (ko) 2011-06-29
KR101248245B1 true KR101248245B1 (ko) 2013-03-27

Family

ID=44151687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100131643A KR101248245B1 (ko) 2009-12-21 2010-12-21 마이크로 전자 장치용 코팅제, 그것을 포함하는 처리제 및 마이크로 전자 다이의 열 프로파일의 관리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8287996B2 (ko)
KR (1) KR101248245B1 (ko)
CN (1) CN102167924B (ko)
SG (1) SG172535A1 (ko)
TW (1) TWI496851B (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7534648B2 (en) * 2006-06-29 2009-05-19 Intel Corporation Aligned nanotube bearing composite material
US8068328B2 (en) * 2008-03-12 2011-11-29 Intel Corporation Nanolithographic method of manufacturing an embedded passive device for a microelectronic application, and microelectronic device containing same
KR101555741B1 (ko) * 2010-04-19 2015-09-25 닛토덴코 가부시키가이샤 플립칩형 반도체 이면용 필름
KR101486938B1 (ko) * 2010-09-29 2015-02-04 엠파이어 테크놀로지 디벨롭먼트 엘엘씨 세라믹 나노튜브 합성물에 상 변화 에너지 저장
US20140175657A1 (en) * 2012-12-21 2014-06-26 Mihir A. Oka Methods to improve laser mark contrast on die backside film in embedded die packages
US9530718B2 (en) 2012-12-26 2016-12-27 Intel Corporation DBF film as a thermal interface material
US9230888B2 (en) * 2013-02-11 2016-01-05 Henkel IP & Holding GmbH Wafer back side coating as dicing tape adhesive
US10141202B2 (en) 2013-05-20 2018-11-27 Qualcomm Incorporated Semiconductor device comprising mold for top side and sidewall protection
US9960099B2 (en) * 2013-11-11 2018-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thermally conductive molding compound structure for heat dissipation in semiconductor packages
US10510707B2 (en) 2013-11-11 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thermally conductive molding compound structure for heat dissipation in semiconductor packages
KR101626823B1 (ko) * 2014-09-24 2016-06-02 주식회사 코윈디에스티 반도체 패키지 컬러 마킹 장치 및 그 방법
DE102015109764A1 (de) * 2015-06-18 2016-12-22 Infineon Technologies Ag Eine Laminarstruktur, ein Halbleiterbauelementund Verfahren zum Bilden von Halbleiterbauelementen
WO2019039847A1 (ko) * 2017-08-21 2019-02-28 김학모 방열 및 전자파 차폐 기능이 개선된 그라파이트 라미네이트 칩온필름형 반도체 패키지
CN111182998B (zh) * 2017-09-29 2022-06-21 株式会社钟化 石墨层积体加工物、其制造方法以及用于石墨层积体加工物的激光切割装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070021200A (ko) * 2004-04-13 2007-02-22 버티칼 서킷, 인크. 삼차원 6 면 정각 다이 코팅 방법
KR20090008154A (ko) * 2007-07-16 2009-01-21 스태츠 칩팩 엘티디 3중 필름 스페이서를 구비한 집적회로 패키지 시스템
KR20100080353A (ko) * 2008-12-29 2010-07-08 임명진 칩 패키징에서의 보호 박막 필름 코팅

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4528397B2 (ja) * 1999-12-17 2010-08-18 ポリマテック株式会社 接着方法および電子部品
JP3544362B2 (ja) * 2001-03-21 2004-07-21 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
TWI318649B (en) * 2003-06-06 2009-12-21 Hitachi Chemical Co Ltd Sticking sheep, connecting sheet unified with dicing tape,and fabricating method of semiconductor device
US7578891B2 (en) * 2004-05-18 2009-08-25 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive bonding sheet, semiconductor device using the same, and method for manufacturing such semiconductor device
US7387911B2 (en) * 2004-11-16 2008-06-17 International Business Machines Corporation Application of a thermally conductive thin film to a wafer backside prior to dicing to prevent chipping and cracking
JP4686274B2 (ja) * 2005-06-30 2011-05-25 ポリマテック株式会社 放熱部品及びその製造方法
WO2008042446A2 (en) * 2006-10-07 2008-04-10 Momentive Performance Materials, Inc. Mixed boron nitride composition and method for making thereof
JP4938466B2 (ja) * 2007-01-12 2012-05-23 帝人株式会社 電子実装基板、光反射性熱伝導カバーレイフィルム
DE102007017641A1 (de) * 2007-04-13 2008-10-16 Infineon Technologies Ag Aushärtung von Schichten am Halbleitermodul mittels elektromagnetischer Felder
CN101407648B (zh) * 2008-10-31 2010-12-01 华南理工大学 一种超疏水透明二氧化硅薄膜的制备方法
US8183677B2 (en) * 2008-11-26 2012-05-22 Infineon Technologies Ag Device including a semiconductor chip

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070021200A (ko) * 2004-04-13 2007-02-22 버티칼 서킷, 인크. 삼차원 6 면 정각 다이 코팅 방법
KR20090008154A (ko) * 2007-07-16 2009-01-21 스태츠 칩팩 엘티디 3중 필름 스페이서를 구비한 집적회로 패키지 시스템
KR20100080353A (ko) * 2008-12-29 2010-07-08 임명진 칩 패키징에서의 보호 박막 필름 코팅

Also Published As

Publication number Publication date
US8287996B2 (en) 2012-10-16
TWI496851B (zh) 2015-08-21
CN102167924B (zh) 2014-03-26
SG172535A1 (en) 2011-07-28
KR20110073336A (ko) 2011-06-29
US8569108B2 (en) 2013-10-29
CN102167924A (zh) 2011-08-31
US20110151624A1 (en) 2011-06-23
US20130017650A1 (en) 2013-01-17
TW201129653A (en) 2011-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101248245B1 (ko) 마이크로 전자 장치용 코팅제, 그것을 포함하는 처리제 및 마이크로 전자 다이의 열 프로파일의 관리 방법
US11139261B2 (en) Film-like adhesive and method for producing semiconductor package using film-like adhesive
EP1376689B1 (en) Radiating structural body of electronic part and radiating sheet used for the radiating structural body
KR101017731B1 (ko) 다이싱 시트를 갖는 접착 필름 및 그 제조 방법
US20110030938A1 (en) Heat dissipation structure and heat dissipation system adopting the same
US20070102833A1 (en) Integrated circuit device
US9960099B2 (en) Thermally conductive molding compound structure for heat dissipation in semiconductor packages
TW201516122A (zh) 半導體晶片密封用熱固性樹脂片及半導體封裝之製造方法
TWI590747B (zh) A method of supplying a heat-conductive sheet supplier and a heat-conductive sheet
US9157014B2 (en) Adhesives including a filler material and related methods
JP2006100784A (ja) 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
US20120193766A1 (en) Semiconductor device with front and back side resin layers having different thermal expansion coefficient and elasticity modulus
TW201532151A (zh) 半導體封裝之製造方法
JP6425062B2 (ja) 絶縁樹脂シート、並びにそれを用いた回路基板および半導体パッケージ
JP5910731B2 (ja) 熱伝導シートの製造方法、熱伝導シート、金属箔付き熱伝導シート及び半導体装置
JP2012054293A (ja) 半導体装置の製造方法
US8304065B2 (en) Treatment for a microelectronic device and method of resisting damage to a microelectronic device using same
JP2011074246A (ja) フィルム状接着剤
JP2001031943A (ja) 半導体用接着剤及び半導体用接着テープ
US20080026181A1 (en) Synergistically-modified surfaces and surface profiles for use with thermal interconnect and interface materials, methods of production and uses thereof
US20110156283A1 (en) Use of die backside films to modulate EOL coplanarity of thin packages while providing thermal capability and laser markability of packages
JP2002338910A (ja) 半導体装置製造用粘着シート
JP2019065142A (ja) 放熱用接着シート、放熱接着部材用積層体、及び複合部材
KR100708956B1 (ko) 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용한 접착필름
JP7243934B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160303

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170302

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190227

Year of fee payment: 7