KR101220869B1 - Ｄｎａ를 이용한 금속 나노와이어 제조 및 ｄｎａ 측정 방법 - Google Patents

Ｄｎａ를 이용한 금속 나노와이어 제조 및 ｄｎａ 측정 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 나노갭 전극 사이에 금속 나노와이어를 제조하는 방법에 있어서, 전극 사이에 프로브 DNA를 고정화시키는 단계; 상기 프로브 DNA와 반응하지 않은 전극 부분을 블로킹(blocking)시키는 단계; 링커 DNA를 혼성화(hybridization)시키는 단계; 표적 DNA를 혼성화(hybridization)시키는 단계; 양전하를 띠고 있는 금속 나노입자를 반응시키는 단계; 및 금속 인핸싱 용액을 반응시키는 단계를 이용하여, 나노갭 전극 사이에 금속 나노와이어를 제조하거나 또는 이를 이용하여 표적 DNA를 검출할 수 있는 방법을 제공한다.

Description

ＤＮＡ를 이용한 금속 나노와이어 제조 및 ＤＮＡ 측정 방법{Method for fabrication of DNA-templated metal nanowires and detection of DNA}
본 발명은 나노갭 전극 상에 연결된 DNA를 이용하여 금속 나노와이어를 제조하는 방법과 이를 이용하여 DNA를 전기적으로 분석하는 방법에 대한 것으로, 나노갭 전극 사이에 금속 나노와이어를 제조하거나 또는 이를 이용하여 표적 DNA를 검출할 수 있는 방법을 제공한다.
최근 전자공학에서 중요한 이슈 중 하나가 바로 회로의 선폭을 줄이는 일이다. 회로의 선폭을 줄이면 소자의 집적도를 높일 수 있을 뿐 아니라 소자의 능력 또한 함께 증가한다. 이를 위해 나노 소자의 구현이 중요한데, 기존에는 포토리소그래피(photolithography)를 이용하여 패턴을 제작하는 공정은 빛의 회절 한계 때문에 나노소자를 제작하는데 한계에 부딪치고 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 자기조립 등 화학적인 접근을 통해 나노 소자를 제작하려는 bottom-up 방식에 대한 연구가 활발하다. 특히 수 나노미터의 폭과 긴 길이를 가지고 있는 DNA를 이용한 나노 소자 개발이 각광을 받고 있다.
DNA를 기반으로 한 금속 나노와이어를 제작하기 위해 많은 연구가 진행되어 왔다. 주로 음전하를 띠고 있는 DNA 주변에 양전하를 갖는 Ag, Au, Pt, Cu, Pd 등 다양한 금속 이온을 전기적으로 DNA에 붙인 다음, 금속 이온을 환원시키는 방법으로 DNA-templated 금속 나노와이어를 제조할 수 있음이 보고되고 있다. 이렇게 만든 금속 나노와이어는 전자회로에 사용될 수 있을 뿐 아니라 DNA를 분석하기 위한 바이오센서/칩 등으로도 사용이 가능하다. 그러나, 이러한 접근 방법들은 다소 복잡한 과정이 필요하며, 용액의 선정이 중요하다는 단점이 있다. 예를 들어, 가장 널리 사용되는 Ag의 경우, 용액 내에 chloride 이온이 존재하게 되면 AgCl로 침전이 되어 원하는 금속 나노와이어를 만들 수가 없다.
또한, 종래의 방법은 DNA를 기판 위에 무작위로 깔고 금속 나노와이어를 형성하거나 마이크로미터 크기의 전극 사이에 무작위로 연결하여 금속 나노와이어를 형성하는 방법을 사용하였다. 이런 방법은 실질적으로 와이어의 형태만을 가질 뿐 소자로써의 기능을 수행할 수가 없고, 특히, 원하는 영역에 DNA-templated 금속 나노와이어를 형성할 수 없다는 단점을 가지고 있다.
이에 본 발명자들은 나노갭 전극을 이용하여 원하는 영역에 잘 정돈된 DNA-templated 금속 나노와이어를 제조하는 방법을 연구하던 중, 나노갭 전극 사이에 프로브와 링커 DNA를 연결하고 target DNA를 넣어 나노갭 전극 사이에 DNA bridge를 형성하고, 양전하를 띠고 있는 금 나노입자를 DNA bridge에 붙이고, 금속 나노입자의 크기를 키우는 방법을 이용할 경우, 종래의 방법에 존재하던 문제점이 해결되고, 특히 원하는 영역에 금속 나노와이어를 형성할 수 있음을 확인하였고, 또한 이를 이용하여 DNA를 표지 물질 없이 전기적으로 측정할 수 있다는 점을 확인하고 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 나노갭 전극 사이에 금속 나노와이어를 제조하는 방법 및 이를 응용하여 표적 DNA를 검출하는 방법에 관한 것으로, 원하는 전극 부분에 잘 정렬된 금속 나노와이어를 제조할 수 있으며, 이를 응용하여 DNA를 전기적으로 분석할 수 있는 방법을 제공하기 위한 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 나노갭 전극 사이에 금속 나노와이어를 제조하는 방법에 있어서, 나노갭 전극 사이에 DNA를 연결하는 단계; DNA에 금속 나노입자를 반응시키는 단계; 및 금속 인핸싱 용액을 반응시키는 단계를 포함하는 금속 나노와이어를 제조 방법을 제공한다.
보다 구체적으로, 본 발명은 나노갭 전극 사이에 금속 나노와이어를 제조하는 방법에 있어서, 양 전극에 프로브 DNA를 각각 고정화시키는 단계(단계 1); 상기 프로브 DNA와 반응하지 않은 전극 부분을 블로킹(blocking)시키는 단계(단계 2); 상기 각각의 프로브 DNA에 링커 DNA를 혼성화(hybridization)시키는 단계(단계 3); 표적 DNA를 혼성화(hybridization)시키는 단계(단계 4); 양전하를 띠고 있는 금속 나노입자를 반응시키는 단계(단계 5); 및 금속 인핸싱 용액을 반응시키는 단계(단계 6)를 포함하는, 금속 나노와이어를 제조 방법을 제공한다.
본 발명에서 사용되는 용어 "나노갭 전극"이란, 수 nm 내지 수십 nm의 간격을 가지는 전극을 의미하는 것으로, 전극의 예로는 기판의 종류는 당업계에서 통상적으로 사용되는 바이오칩 제작을 위한 고체 기판이면 제한 없이 사용할 수 있으며, 바람직하게는 유리, 알루미나, 세라믹, 탄소, 금, 은, 구리, 알루미늄, 화합물 반도체 및 실리콘 등이 있을 수 있으며, 대표적인 예로 대한민국 특허번호 제10-0849384호에 기재된 나노갭 전극을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 사용되는 용어 "나노 와이어"란, DNA가 (-)전하를 띠고 있어 금속 양이온이 이에 전기적으로 결합될 수 있으며, 이에 따라 형성되는 지름 수 nm 내지 수십 nm의 와이어를 의미한다.
상기 단계 1은, 전극 사이에 프로브 DNA를 고정화시키는 단계로서, 원하는 전극 부분에 잘 정렬된 금속 나노와이어를 제조하기 위하여 필요한 단계이다.
본 발명에서 사용되는 용어 "프로브 DNA"란, 링커 DNA와 특이적으로 결합할 수 있는 DNA를 의미하며, 상기 결합을 통하여 링커 DNA가 프로브 DNA에 결합할 수 있다. 또한 프로브 DNA는 전극 표면에 부착 및 고정화를 용이하게 하기 위하여 아민기나 티올기로 개질될 수 있다.
상기 전극의 표면이 프로브 DNA를 고정화시키기 전에 표면처리되는 것이 바람직한데, 표면처리는 프로브 DNA의 부착 및 고정화를 용이하게 하기 위해 수행된다. 예컨대 알데히드기, 카르복실기 또는 아민기로 개질될 수 있다.
상기 단계 2는, 상기 프로브 DNA와 반응하지 않은 전극 부분을 블로킹(blocking)시키는 단계로서, 원하는 전극 부분 이외에 추가적인 프로브 DNA가 없도록 하는 단계이다. 상기 블로킹은 전극이 더 이상 다른 물질과 반응하지 않도록 처리하는 것으로, 상기 프로브 DNA와 반응하지 않은 전극 부분을 티올 또는 아민을 포함하는 선형(linear)구조의 화합물로 블로킹할 수 있다. 바람직하게는 머캅토-헥산올(mercapto-hexanol), 머캅토-운데카놀(mercapto-undecanol) 또는 에탄올 아민(ethanol amine)으로 블로킹 시킬 수 있다. 또한, PEG계열의 고분자 말단이 티올이나 아민으로 개질된 고분자를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 티올-PEG(thiol-PEG) 또는 아민-PEG(amine-PEG)를 사용할 수 있다.
상기 단계 3은, 링커 DNA를 혼성화(hybridization)시키는 단계로서, 전극 표면에 고정화된 프로브 DNA에 링커 DNA를 혼성화시키는 단계이다. 나노갭 전극 사이의 간격을 고려하여, 적절한 길이의 링커 DNA를 사용할 수 있으므로, 나노갭 전극 사이에 금속 나노와이어의 형성을 최적화 할 수 있다.
상기 단계 4는, 표적 DNA를 혼성화(hybridization)시키는 단계로서, 상기 단계 3에서 혼성화된 링커 DNA에 표적 DNA가 혼성화되는 단계이다. 표적 DNA가 혼성화되면 전극 사이가 프로브 DNA, 링커 DNA 및 표적 DNA에 의하여 연결되며, 이에 따라 이들 DNA 표면에 양이온이 결합되어 나노와이어를 형성할 수 있게 된다.
상기 단계 5는, 양전하를 띠고 있는 금속 나노입자를 반응시키는 단계로서, 전극 사이가 프로브 DNA, 링커 DNA 및 표적 DNA에 의하여 연결되어 있기 때문에 양전하를 띤 금속 나노입자를 반응시키면 DNA 주변에 금속입자가 결합된다. DNA는 (-)전하를 띄고 있기 때문에 정전기적 인력을 이용하여 양이온 금속 이온입자가 DNA 표면에 금속 이온입자가 결합될 수 있다. 또한, 상기 DNA와 금속 나노입자에 코팅된 분자와의 인터칼레이션(intercalation)을 이용하여 DNA에 금속 나노입자를 반응시킬 수 있다. Intercalation이란, polycyclic, aromatic, 또는 planar한 구조를 가지고 있는 분자가 DNA의 bare pair 사이에 구조적으로 끼어들어가 DNA와 약한 결합을 이루는 것을 의미하는데, 이러한 방법에 의하여 DNA와 금속 나노입자을 반응시킬 수 있다. 상기 금속 나노입자는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt) 또는 팔라듐(Pd)일 수 있으며, 가장 바람직하게는 금 나노 입자를 사용할 수 있다.
상기 단계 6은, 금속 인핸싱 용액을 반응시키는 단계로서, DNA 표면에 붙어있는 금속 입자의 크기를 키우는 단계이다. 금속 입자의 크기를 키우게 되면 DNA-templated 금속 나노와이어가 형성된다.
본 발명에서 용어 "금속 인핸싱 용액"이란, 금속 이온으로 이루어진 용액으로 금속 나노 입자를 촉매로 하여 상기 금속 나노 입자 주변에 금속 이온들이 환원되면서 나노 입자의 크기를 증폭시킬 수 있는 용액을 의미하며, 나노 입자의 크기를 증폭시킬 수 있는 금속 인핸싱 용액으로 당업계에서 통상적으로 사용되는 용액은 제한 없이 사용할 수 있으나, 바람직하게는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt) 또는 팔라듐(Pd) 이온을 포함하는 용액일 수 있으며, 가장 바람직하게는 금 이온을 포함하는 용액을 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은 나노갭 전극 사이에 형성된 금속 나노와이어를 이용하여 DNA를 측정하는 방법에 있어서, 양 전극에 프로브 DNA를 각각 고정화시키는 단계(단계 1); 상기 프로브 DNA와 반응하지 않은 전극 부분을 블로킹(blocking)시키는 단계(단계 2); 상기 각각의 프로브 DNA에 링커 DNA를 혼성화(hybridization)시키는 단계(단계 3); 표적 DNA를 혼성화(hybridization)시키는 단계(단계 4); 양전하를 띠고 있는 금속 나노입자를 반응시키는 단계(단계 5); 금속 인핸싱 용액을 반응시키는 단계(단계 6); 및 나노갭 전극 사이에 형성된 금속 나노와이어를 전기적으로 측정하는 단계(단계 7)를 포함하는, DNA를 측정하는 방법을 제공한다.
상기 단계 1 내지 6은, 상기 본 발명에 따른 나노갭 전극 사이에 금속 나노와이어를 제조하는 방법과 동일하다.
상기 단계 7은, 나노갭 전극 사이에 형성된 금속 나노와이어를 전기적으로 측정하는 단계로서, 표적 DNA가 있을 경우에만 나노갭 전극 사이에 프로브 DNA, 링커 DNA 및 표적 DNA가 모두 연결되어 DNA 브릿지(bridge)가 형성되기 때문에 전기적 측정을 통하여 표적 DNA를 분석할 수 있다.
본 발명에 따른 금속 나노와이어의 제조 방법 및 이를 이용한 표적 DNA의 분석방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 본 발명의 DNA를 template로 한 금속 나노와이어를 만드는 방법을 사용할 경우, 원하는 전극 부분에 잘 정렬된 금속 나노와이어를 제조할 수 있다. 종래 DNA를 기판 위에 무작위로 깔고 금속 나노와이어를 형성하거나 마이크로미터 크기의 전극 사이에 무작위로 연결하여 금속 나노와이어를 형성하는 방법으로는, 와이어의 형태만을 가질 뿐 소자로써의 기능을 수행할 수가 없고, 원하는 영역에 금속 나노와이어를 형성할 수 없다는 단점이 있다. 그러나 본 발명의 방법에 따를 경우 이러한 단점을 극복할 수 있다는 효과가 있다.
둘째, 본 발명의 금속 나노와이어를 이용하여 DNA를 손쉽게 분석할 수 있다. 표적 DNA의 유무에 따라 금속 나노와이어가 형성되는 것이므로, 이를 이용한 전기적 특성을 측정하여 DNA를 분석할 경우, 고가의 분석 장비를 사용하지 않으면서도 효과적으로 DNA를 분석할 수 있다.
도 1은 본 발명에 사용된 나노갭 전극을 만드는 방법을 나타내는 도면이다.
도 2은 본 발명에 따른 나노갭 전극 사이에 DNA-templated 금 나노와이어를 형성하는 방법을 개략적으로 도시화한 도면이다.
도 3는 본 발명에 따른 나노갭 전극 사이에 형성된 금 나노와이어의 단면을 도식적으로 보여주는 도면이다.
도 4은 본 발명에 따른 나노갭 전극 사이에 형성된 DNA-templated 금 나노와이어를 전자현미경으로 확인한 도면이다.
도 5는 target DNA가 없을 경우 나노갭 전극 사이에 금 나노와이어가 형성되지 않은 것을 보여준다.
도 6는 나노갭 전극 사이에 DNA bridge가 형성된 후, gold enhancing solution으로 처리를 했을 경우에, 전기적인 신호가 급격하게 증가하는 것을 보여주는 도면이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기로 한다. 이들 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지는 않는다.
1. 나노갭 전극 제조
실험에 사용된 나노갭 전극은 특허번호 제 10-0849384에서의 방법을 이용하여 제조하였다. 전체적인 제조방법을 도 1에 도시하였다.
먼저, sillicon-on-insulator(이하 'SOI'라 한다) 웨이퍼에 LPCVD(low pressure chemical vapor depositon)을 이용하여 Si3N4 10nm를 증착한 뒤, 포토리소그래피를 이용하여 400 nm 크기의 패터닝을 하였다. 패터닝 후, reactive ion etching(RIE)를 이용하여 Si3N4 10 nm를 제거하였다(도 1a).
20% KOH 용액을 이용하여 80℃의 온도에서 노출된 실리콘을 이방성 식각을 수행하였다(도 1b). SOI 웨이퍼의 buried oxide를 부분적으로 제거하기 위해, 49% HF 용액을 이용하여 SiO2를 제거하면 도 1c와 같은 구조가 형성된다.
그 다음, 도 1d와 같이 절연층과 금속층을 증착한 뒤, 포토리소그래피를 이용하여 전극을 형성하여 본 발명에서 사용된 나노갭 전극을 완성하였다.
2. 금속 나노와이어 제조 및 특성 실험
금속 나노와이어 제조시 사용된 DNA는 모두 Bioneer에서 합성하였다. DNA hybridization 할 때 사용된 버퍼는 5X SSC buffer(0.1% SDS 포함) 버퍼를 사용하였다.
먼저, 준비된 나노갭 전극에 티올이 있는 캡쳐 프로브 DNA(capture A, B) 10 uM을 12시간동안 반응시켰다. 그 다음 캡처 DNA가 반응하지 않은 전극 부분을 블로킹하기 위해 10 mM mercapto-hexanol을 12시간 동안 반응시켰다.
다음으로, 7개의 DNA(linker A 1, 2, 3, linker B 1, 2, 3, 그리고 target DNA, 모두 100 nM의 농도로 반응시킴)를 hybridization 반응을 시킨 후, 샘플을 나노갭에 약 3시간 동안 반응시키게 되면 나노갭 전극 사이에 도 2(top)에서와 같이 나노갭 전극 사이에 DNA bridge를 형성한다. 본 발명에서 사용된 DNA 서열은 하기 표 1과 같다.
이 름 DNA 서열(5'-3')
Capture A HS-TTT TTT TTT TGA TAC CCA TGT TTT (24-mer)
Linker A-1 CCC CCA CTG TGT TTA GCA TGG TGT TTA AAT CTT GTG GGG TGG CTC CTT CTG ATA ATG CTG AAA ACA TGG GTA TCA (75-mer)
Linker A-2 CAG CAT TAT CAG AAG GAG CCA CCC CAC AAG ATT TAA ACA CCA TGC TAA ACA CAG TGG GGG CAG CGG CTA CAC TAG AAG AAA TGA T (85-mer)
Linker A-3 TCC TCC TAC TCC CTG ACA TGC TGT CAT CAT TTC TTC TAG TGT AGC CGC TG (50-mer)
Capture B AGC GAT GGC AAC CAT TTT TTT TTT-SH (24-mer)
Linker B-1 ATG GTT GCC ATC GCT CCC ATT CTG CAG CTT CCT CAT TGA TGG TCT CTT TTA ACA TTT GCA TGG CTG CTT GAT GTC (75-mer)
Linker B-2 CTG AAG CAA TGA GCC AAG TAA CAA AGA CAT CAA GCA GCC ATG CAA ATG TTA AAA GAG ACC ATC AAT GAG GAA GCT GCA GAA TGG G (85-mer)
Linker B-3 TTT GTT ACT TGG CTC ATT GCT TCA GCC AAA ACT CTT GCC TTA TGG CCG GG (50-mer)
Target (HIV) GAC AGC ATG TCA GGG AGT AGG AGG ACC CGG CCA TAA GGC AAG AGT TTT GG (50-mer)
다음으로, 양전하를 띠고 있는 1.4 nm 크기의 금나노입자(Nanoprobe Corp., USA)를 1시간 반응 시킨 뒤 DNA에 붙어 있지 않은 금 나노입자를 0.1% Tween20이 포함된 PBS(phosphate buffered saline) 버퍼를 이용하여 세척(washing)하였다.
마지막으로, 0.01% HAuCl4와 1.2 mM NH2OH가 함유된 gold enhancing solution을 이용하여 금나노입자의 크기를 1분 동안 키우게 되면 나노갭 전극사이에 도 3과 같은 DNA-templated 금 나노와이어가 형성된다. 도 4은 본 발명에 따른 방법을 이용하여 만든 DNA-templated 금 나노와이어의 전자현미경 이미지를 나타낸다.
도 5는 target DNA가 없을 경우에, 나노갭 전극 사이에 금나노와이어가 형성되지 않은 것을 보여준다. Target DNA가 없을 때에는 나노갭 전극 사이에 DNA bridge가 형성될 수 없기 때문에 금 나노와이어가 형성되지 않는다.
도 6은 나노갭 전극 사이에 DNA bridge가 형성된 후, gold enhancing solution을 처리하기 전과 후의 전기적인 신호를 확인한 것으로, DNA bridge만 형성되었을 경우에는 전류가 잘 흐르지 않지만, gold enhancing solution 처리 후 금 나노와이어가 형성되었을 때, 전류가 급격하게 증가하는 것을 나타낸다. 이러한 방법을 이용하면 DNA를 전기적으로 측정할 수 있다.

Claims (11)

  1. 나노갭 전극 사이에 금속 나노와이어를 제조하는 방법에 있어서,
    나노갭 양 전극에 다른 염기서열을 갖는 프로브 DNA를 각각 고정화시키는 단계;
    상기 각각의 프로브 DNA에 링커 DNA를 혼성화(hybridization)시킨 후 표적 DNA를 혼성화시키거나, 또는 상기 각각의 프로브 DNA에 표적 DNA가 혼성화된 링커 DNA를 혼성화시키는 단계;
    DNA에 금속 나노입자를 반응시키는 단계; 및
    금속 인핸싱 용액을 반응시키는 단계를 포함하는, 금속 나노와이어 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자는 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt) 또는 팔라듐(Pd)인 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 금속 인핸싱 용액은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 백금(Pt) 또는 팔라듐(Pd) 이온을 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 프로브 DNA와 반응하지 않은 전극 부분을 블로킹(blocking)시키는 단계를 포함하는 금속 나노와이어 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서 프로브 DNA는 티올(thiol)이나 아민(amine)으로 개질된 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 프로브 DNA와 반응하지 않은 전극 부분을 머캅토-헥산올(mercapto-hexanol), 머캅토-운데카놀(mercapto-undecanol) 또는 에탄올 아민(ethanol amine)으로 블로킹 시키는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 제조 방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 프로브 DNA와 반응하지 않은 전극 부분을 티올-PEG(thiol-PEG) 또는 아민-PEG(amine-PEG)로 블로킹시키는 것을 특징으로 하는 금속 나노와이어 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, DNA에 금속 나노입자를 반응시키는 단계는, 상기 DNA와 상기 금속 나노입자의 정전기적 인력을 이용하여 반응시키는 것을 포함하는 금속 나노와이어 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, DNA에 금속 나노입자를 반응시키는 단계는, 상기 DNA와 금속 나노입자에 코팅된 분자와의 인터칼레이션(intercalation)을 이용하여 반응시키는 것을 포함하는 금속 나노와이어 제조 방법.
  11. 나노갭 전극 사이에 형성된 금속 나노와이어를 이용하여 DNA를 측정하는 방법에 있어서,
    나노갭 양 전극에 다른 염기서열을 갖는 프로브 DNA를 각각 고정화시키는 단계;
    상기 프로브 DNA와 반응하지 않은 전극 부분을 블로킹(blocking)시키는 단계;
    상기 각각의 프로브 DNA에 링커 DNA를 혼성화(hybridization)시킨 후 표적 DNA를 혼성화시키거나, 또는 상기 각각의 프로브 DNA에 표적 DNA가 혼성화된 링커 DNA를 혼성화시키는 단계;
    양전하를 띠고 있는 금속 나노입자를 반응시키는 단계;
    금속 인핸싱 용액을 반응시키는 단계; 및
    나노갭 전극 사이에 형성된 금속 나노와이어를 전기적으로 측정하는 단계를 포함하는, DNA를 측정하는 방법.
KR1020100000360A 2010-01-05 2010-01-05 Ｄｎａ를 이용한 금속 나노와이어 제조 및 ｄｎａ 측정 방법 KR101220869B1 (ko)

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