KR101217519B1 - 가스 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스 처리 장치에 관한 것이다. 특히, 가스의 냉각 효율을 향상시키는 냉각 트랩이 구비되는 가스 처리 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 가스 처리 장치는 가스가 인입되는 인입관 및 상기 가스가 배기되는 배기관이 연결되고, 상기 가스에 섞인 불순물이 포집되는 용기와, 상기 인입관에 삽입되어 상기 가스를 냉각시키는 냉각관을 구비하고, 상기 냉각관의 둘레를 감싸는 냉각 확장 고리가 상기 가스의 인입 방향을 따라 복수 개 결합되는 냉각 트랩을 포함한다. 또한, 상기 가스 처리 장치는 상기 용기를 이동시키는 이송 대차를 포함한다.

Description

가스 처리 장치{Apparatus for processing gas}
본 발명은 가스 처리 장치에 관한 것이다. 특히, 가스의 냉각 효율을 향상시키는 냉각 트랩이 구비되는 가스 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 냉각 트랩(cold trap)은 유체의 경로 상에 저온의 고체면을 두어 고체면과 유체 사이의 증기압이나 용해도의 차이에 의해 특정 불순물을 포획, 제거하는 장치를 의미한다. 반도체 제조에 사용되는 장비에서 공정을 마친 잔여 가스나 공정 생성물은 진공 배기장치를 통해서 외부로 배출되는데, 공정 직후의 잔여 가스는 고온이며, 여러 가지의 불순물이 포함되어 있다. 이러한 잔여 가스가 진공 배기장치에 구비되는 진공 펌프 등에 그대로 인입될 경우에는 진공 펌프의 열손상이나 열변형을 야기시키거나 또는 진공 펌프의 내부에 불순물이 고착되어 진공 펌프의 수명을 크게 단축시킨다.
이에, 종래에는 잔여 가스의 이송 라인 상에 냉각관을 구비한 냉각 트랩 및 불순물을 포집할 수 있는 포집 용기를 구비하여 잔여 가스를 냉각시키고, 잔여 가스에 섞인 불순물을 포집하는 가스 처리 장치가 사용되었다. 그런데, 종래에는 냉각관의 외주면이 잔여 가스에 그대로 노출되어 잔여 가스의 냉각 효율이 낮은 문제점이 있었다. 즉, 냉각관과 잔여 가스 사이의 열교환이 활발하게 이루어지지 않아 잔여 가스의 온도를 용이하게 낮출 수 없었다.
또한, 포집 용기가 잔여 가스의 이송 라인의 연장선 상에 고정형으로 구비되어 포집 용기의 사이즈를 확대시키기 어려웠다. 따라서, 포집 용기의 내부에 구비되어 불순물을 포집하는 필터의 교체 주기가 증가되어 불순물 포집 공정의 효율이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 가스의 냉각 효율을 향상시킬 수 있는 냉각 트랩이 구비되는 가스 처리 장치를 제공한다.
본 발명은 포집 용기의 사이즈를 용이하게 확대하고, 포집 용기의 설치 위치를 자유롭게 변경할 수 있는 가스 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 가스 처리 장치는 가스가 인입되는 인입관 및 상기 가스가 배기되는 배기관이 연결되고, 상기 가스에 섞인 불순물이 포집되는 용기와, 상기 인입관에 삽입되어 상기 가스를 냉각시키는 냉각관을 구비하고, 상기 냉각관의 둘레를 감싸는 냉각 확장 고리가 상기 가스의 인입 방향을 따라 복수 개 결합되는 냉각 트랩을 포함한다. 또한, 상기 가스 처리 장치는 상기 용기를 이동시키는 이송 대차를 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따른 가스 처리 장치에 의하면 냉각관의 외주면에 복수의 냉각 확장 고리를 결합시켜 가스와의 열교환 면적을 확장시킴으로써 가스의 냉각 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 가스에 섞인 불순물을 포집하는 용기를 용이하게 확대시킬 수 있어 필터의 교체 주기를 연장시키며, 확대된 용기를 이송 대차에 탑재시켜 용기의 설치 위치를 용이하게 변경시킬 수 있다. 따라서, 가스 냉각 및 불순물 포집 공정의 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 반도체 제조 설비의 가스 배기 효율을 향상시키고, 가스 처리 장치의 운용 시간을 증가시켜 반도체 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 가스 처리 장치의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 선 A-A'에 따른 가스 처리 장치의 내부 구성도.
도 3은 도 1에 도시된 가스 처리 장치의 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 냉각 트랩의 구성도.
도 5는 본 발명에 따른 냉각 확장 고리를 도시한 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 발명의 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면 상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 가스 처리 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 선 A-A'에 따른 가스 처리 장치의 내부 구성도이고, 도 3은 도 1에 도시된 가스 처리 장치의 평면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 냉각 트랩의 구성도이며, 도 5는 본 발명에 따른 냉각 확장 고리를 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 가스 처리 장치(100)는 고온의 가스(G)가 인입되는 인입관(240) 및 고온의 가스(G)가 냉각된 저온의 가스(G')가 배기되는 배기관(250)이 연결되고, 가스(G)에 섞인 불순물(particle; P)이 내부에 포집되는 용기(200)와, 인입관(240)에 삽입되어 열교환(heat exchange)에 의해 가스(G)를 냉각시키는 냉각관(310)을 구비하고, 냉각관(310)의 둘레를 감싸는 냉각 확장 고리(320)가 가스(G)의 인입 방향(x방향)을 따라 복수 개 결합되는 냉각 트랩(cold trap; 300)을 포함한다. 또한, 가스 처리 장치(100)는 용기(200)를 탑재하여 수평 이동시키는 이송 대차(400)를 포함한다.
반도체 제조 설비에서 용기(200)에 연결된 인입관(240)에는 공정 챔버 등의 반응기(reactor)가 가스 배관을 통해 연결되고, 용기(200)에 연결된 배기관(250)에는 진공 펌프(vacuum pump) 등의 진공 배기장치가 가스 배관을 통해 연결된다. 또한, 인입관(240) 및 배기관(250)에 연결되는 가스 배관 상에는 가스(G, G')의 흐름을 조절할 수 있는 밸브(valve)가 각각 구비된다. 반응기에서 반도체 제조 공정이 완료되면 진공 배기장치가 구동되어 반응기에서 사용되었던 가스(G)를 용기(200)로 인입시킨다. 이때, 반응기에서 배기되는 가스(G)에는 미세한 입자(powder)로 이루어진 불순물(P)이 섞여 있으며, 여러 공정 반응에 의해 가열되어 반응기에서 고온의 상태로 배기된다. 이러한 가스(G)를 인입받는 용기(200)는 불순물(P)이 필터링(filtering)되는 빈 공간(R; R1, R2)을 내측에 형성하고, 인입관(240) 및 배기관(250)이 빈 공간(R)에 연통되도록 연결되는 용기 몸체(210)와, 용기 몸체(210)의 빈 공간(R)에 장착되어 가스(G)에 섞인 불순물(P)을 필터링하는 복수의 필터(filter; 230) 및 용기 몸체(210)의 개방된 상단부를 개폐시키는 용기 덮개(220)를 포함한다.
용기 몸체(210)는 도면에서 수평 단면의 형상이 원형인 원통 형상으로 예시되었지만, 수평 단면의 형상이 타원형, 다각형 등을 형성하도록 변형시킬 수 있다. 용기 몸체(210)는 고온의 가스(G)에 의한 열손상 등을 방지하고, 진공 배기장치에 의한 가스(G) 흡입 압력을 견딜 수 있도록 금속 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 용기 몸체(210)의 내부에는 용기 몸체(210)의 빈 공간(R)을 상하로 분할하는 격벽(212)이 내측 바닥면으로부터 이격되어 결합된다. 격벽(212)은 지면과 수평을 이루는 플레이트(plate) 형상을 가지며, 복수의 필터(230)가 장착될 수 있도록 상하로 관통된 필터장착홀(214)이 복수 개 형성된다. 용기 몸체(210)의 빈 공간(R)에서 격벽(212)을 경계로 상측 공간(R1)에 인입관(240)이 연통되도록 연결되고, 하측 공간(R2)에 배기관(250)이 연통되도록 연결된다. 이때, 용기 몸체(210)의 외주면에서 인입관(240)은 배기관(250)보다 높은 위치에 연결되고, 도면에서와 같이 마주보도록 배치됨으로써 가스(G, G')의 흐름을 원활하게 되고, 용기 몸체(210) 내에 불순물(P)을 낙하시켜 포집할 수 있다. 또한, 불순물(P)이 섞여 있는 가스(G)가 이송되는 인입관(240)의 내경은 불순물(P)이 여과된 가스(G')가 이송되는 배기관(250)의 내경보다 크게 형성된다. 인입관(240)을 통해 용기 몸체(210)의 상측 공간(R1)으로 인입된 가스(G)는 필터(230)에서 불순물(P)이 여과되어 하측 공간(R2)으로 이동되고, 하측 공간(R2)과 연통된 배기관(250)을 통해서 용기 몸체(210)의 외부로 배기된다. 한편, 용기 몸체(210)의 외주면 일측에는 용기(200)를 이송 대차(400)에 탑재시켜 이동시킬 경우, 가스 처리 장치(100)를 용이하게 잡아당길 수 있도록 이동용 손잡이(260)가 결합된다. 또한, 용기 몸체(210)의 외주면 일측에 불순물(P)의 포집된 양을 외부에서 육안으로 확인할 수 있도록 투명창을 형성할 수 있다.
용기 몸체(210)는 복수의 필터(230)를 용이하게 교체할 수 있도록 상단부가 개방되어 있으며, 이러한 용기 몸체(210)의 상단부에는 개폐가 용이한 용기 덮개(220)가 결합된다. 용기 몸체(210)와 용기 덮개(220) 사이에는 가스(G)가 새어 나가지 않도록 오링(o-ring), 가스켓(gasket) 등의 밀봉(sealing) 수단(미도시)이 구비되고, 용기 덮개(220)의 가장자리를 따라 적어도 하나의 밀착 수단(222)이 결합되어 용기 몸체(210)에 유입된 가스(G)가 누출되는 것을 방지할 수 있다.
용기 몸체(210)의 빈 공간(R1)에 장착되는 필터(230)는 원통형 몸체로 형성되고, 원통형 몸체의 내측에는 빈 공간(R3)이 형성된다. 이러한 필터(230)의 하단부는 개방되며, 격벽(212)의 필터장착홀(214)에 부분 삽입되어 위치 고정될 수 있도록 단차가 형성된다. 필터(230)의 표면에는 불순물(P)을 여과(filtering)할 수 있도록 불순물(P)의 입자 크기보다 작은 직경을 갖는 다수의 미세홀(미도시)이 관통 형성된다. 미도시되었지만, 필터(230)의 원통형 몸체 내에 메시(mesh) 구조를 갖는 여과지 등을 구비하여 여과 효율을 향상시킬 수 있다.
냉각 트랩(300)은 용기(200)의 일측에 연결되는 인입관(240)에 삽입되어, 인입관(240)을 통과하는 고온의 가스(G)를 열교환 방식으로 냉각시킨다. 냉각 트랩(300)을 인입관(240)에 장착 및 탈착시킬 수 있도록 인입관(240)의 굴절 부위가 일부 개방되고, 이러한 개방 부위를 통해서 냉각 트랩(300)이 인입관(240)의 내측으로 삽입된다. 고온의 가스(G)가 냉각 트랩(300)에 의해 냉각되면서 가스(G)에 섞인 일부 불순물(P)이 인입관(240)에 포집될 수 있다. 따라서, 본 실시예에서와 같이 냉각 트랩(300)을 인입관(240)의 굴절 부위에 장착시킴으로써 냉각 트랩(300)의 탈착시 인입관(240)의 내부에 포집된 불순물(P)을 용이하게 제거할 수 있다. 냉각 트랩(300)은 냉매(冷媒)가 순환되는 냉각관(310)과, 용기(200)를 향하는 가스(G)의 인입 방향(x방향)을 따라 냉각관(310)의 외주면에 결합되는 복수의 냉각 확장 고리(320)와, 냉각관(310)에 연결되고 용기(200)와의 연결 부위에 해당하는 인입관(240)의 내측에 위치되어 가스(G)의 흐름을 조절하는 배플(baffle; 330) 및 인입관(240)의 내측에서 냉각관(310)을 위치 고정시키고, 냉각관(310)의 삽입 부위를 밀봉시키는 냉각 트랩 덮개(340)를 포함한다.
냉각관(310)은 일정 길이를 갖는 관(pipe)으로서, 열전달율이 높은 금속 재질로 형성된다. 이러한 냉각관(310)은 적어도 하나의 굴곡 부위를 갖도록 형성되어 냉각관(310)과 가스(G) 사이에서의 열교환이 활발하게 이루어지도록 한다. 냉각관(310)의 양단부는 냉각 트랩 덮개(340)의 외측에 노출되고, 냉매가 유입(Cin)되는 유입 배관(312)과, 냉각관(310)을 순환한 후 유출(Cout)되는 유출 배관(314)이 각각 연결된다. 또한, 냉각관(310)은 연장되는 길이 방향이 가스(G)의 인입 방향(x방향)을 향하도록 배치된다.
냉각관(310)의 외주면에는 고온의 가스(G)가 접하는 냉각면을 확장시키기 위해 복수의 냉각 확장 고리(320)가 결합된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 냉각 확장 고리(320)는 냉각관(310)의 둘레를 감싸는 판형 고리(320a; 도5(a) 참조)로 형성되거나 또는 핀형 고리(320b; 도5(b) 참조)로 형성될 수 있다. 판형 고리(320a)는 얇은 두께를 가지며, 냉각관(310)이 삽입될 수 있도록 중앙 부위가 관통된 원판 형상으로 이루어지며, 핀형 고리(320b)는 다수의 냉각핀이 냉각관(310)의 둘레를 따라 환형으로 배치되는 형상을 갖는다. 이러한 판형 고리(320a) 또는 핀형 고리(320b)는 냉각관(310)의 길이 방향(x방향)을 따라 복수개가 촘촘하게 결합된다. 본 실시예에서 냉각 확장 고리(320)는 스테인리스 강(stainless steel)을 재질로 하고, 고주파를 사용한 용접 방식(fin-tube welding 방식)으로 결합된다. 따라서, 냉각 확장 고리(320)는 고온, 고압 상태에서 연속으로 열교환이 반복되어 용접 부위가 팽창, 수축되더라도 용접 부위의 결합력이 저하되지 않는다. 인입관(240)의 내경 크기에 대응하여 냉각관(310)의 외주면으로부터 돌출되는 냉각 확장 고리(320)의 길이(L)를 변경할 수 있으며, 이를 통해 가스(G)의 냉각 효율을 조절할 수 있다. 즉, 냉각 확장 고리(320)의 길이(L)를 길게 형성함으로써 가스(G)와 접하는 냉각면을 확장시켜 단위시간 당 가스(G)의 냉각 정도를 높일 수 있다.
한편, 냉각관(310)의 외주면에 결합되는 냉각 확장 고리(320)와 동일한 방식으로, 인입관(240)의 길이 방향(z방향)을 따라 인입관(240)의 외주면에 냉각 확장 고리(320')를 추가 결합시킬 수 있다. 즉, 냉각관(310)에 결합되는 냉각 확장 고리(320)가 가스(G)와의 열교환을 통해 가스(G)의 온도를 낮추는 반면, 인입관(240)의 외주면에 결합되는 냉각 확장 고리(320')는 대기(大氣)와의 열교환을 통해 인입관(240)의 온도를 낮출 수 있다. 도면에서는 냉각 확장 고리(320')가 냉각 트랩(300)이 삽입되지 않는 부위의 인입관(240)에 결합되도록 예시되었지만, 냉각 트랩(300)이 삽입된 부위의 인입관(240)의 외주면에도 냉각 확장 고리(320')가 결합될 수 있다.
냉각관(310)의 양단에 형성되는 굴곡 부위에는 용기(200)와 인접하여 배플(330)이 연결되고, 배플(330)과 대향되어 냉각 트랩 덮개(340)가 연결된다. 도면에서는 냉각관(310)에 배플(330), 냉각 트랩 덮개(340)을 연결시키기 위해 냉각관(310)의 굴곡 부위에 엇갈려 끼워지는 "ㄷ"형상의 연결 고리(350, 360)를 예시하였지만, 이외에도 다양한 체결 방식을 사용할 수 있음은 물론이다. 본 실시예와 같은 연결 고리(350, 360)를 사용하여 냉각관(310)의 양단에 배플(330) 및 냉각 트랩 덮개(340)를 간편하게 연결시킬 수 있고, 용접 등과 같은 영구 결합이 아니기 때문에 이들 사이의 분리도 용이하다. 배플(330)과 냉각 트랩 덮개(340) 사이에서 냉각관(310)은 연결 고리(350, 360)에 의해 양단이 지지되어 인입관(240)의 내부에서 자중에 의한 처짐이 방지된다. 따라서, 냉각관(310)의 외주면에 결합되는 냉각 확장 고리(320)가 인입관(240)의 내주면에 접촉되는 것을 방지할 수 있다.
배플(330)은 인입관(240)의 내주면에 밀착되는 원판 형상의 몸체로 이루어지고, 원판 형상의 몸체에는 다수의 배플홀(332)이 형성된다. 배플홀(332)의 개수 또는 배플홀(332)의 직경 크기 등을 조절하여 인입관(240)에서 용기(200)로 이송되는 가스(G)의 이송량을 조절할 수 있다.
냉각 트랩 덮개(340)는 인입관(240)의 삽입 부위, 즉 인입관(240)의 굴곡 부위에 형성되는 플랜지(flange)에 결합된다. 냉각 트랩 덮개(340)는 원판 형상의 몸체로 이루어지고, 냉각관(310)의 양단부가 관통된다. 이러한 냉각 트랩 덮개(340)은 외측을 향하는 일측면에 장착용 손잡이(370)가 결합되어 수작업 등을 통해 냉각 트랩(300)을 용이하게 장착 및 탈착시킬 수 있다.
냉각 트랩(300)이 장착된 용기(200)는 이송 대차(400)의 상부면에 탑재되어 수평 이동된다. 종래에는 가스 처리 장치가 가스(G)의 이송 라인 상에 구비되어 반도체 제조 공정 등에서 나오는 가스(G)의 처리량이 증가되거나 또는 포집되는 불순물(P)의 양이 증가되는 경우에 대응하기 곤란하였다. 그러나, 본 실시예에서는 용기(200)의 크기(size)를 용이하게 확대시킬 수 있으며, 냉각능(cooling power)이 커진 용기(200)를 이송 대차(400)를 사용하여 이동시킴으로써 다양한 장소에 간편하게 설치할 수 있다. 또한, 용기(200)에 포집된 불순물(P)을 처리하기 위해 용기(200)를 처리 장소로 간편하게 옮길 수 있어서 불순물(P)의 비산 등에 의한 공장 내 설비 오염을 방지할 수 있다.
한편, 용기(200)의 크기가 확대됨에 따라 불순물(P)의 여과량이 증가되어 필터(230)의 교체 주기가 연장된다. 따라서, 가스 냉각 및 불순물 포집 공정에 소요되는 필터의 소모량을 줄여 비용을 절감할 수 있다. 이송 대차(400)는 용기(200)를 상부면에 안착시켜 지지하는 대차 프레임(410)과, 대차 프레임(410)의 하부면에 결합되는 복수의 이동 바퀴(420)를 포함한다. 대차 프레임(410)의 상부면 중앙 부위에는 용기(200)의 바닥면이 맞물리는 용기 맞춤돌기(412)가 돌출 형성되며, 이동 바퀴(420)는 구동 잠금이 가능하여 이송 대차(400)를 안정적으로 정지 및 설치할 수 있다. 도면에서, 이동 바퀴(420)는 대차 프레임(410)의 하부면 모서리 부위에 결합되었지만, 대차 프레임(410)의 크기, 용기(200)의 하중 등에 따라서 대차 프레임(410)의 하부면 가장자리 부위에도 이동 바퀴(420)를 결합시킬 수 있다. 미도시되었지만, 대차 프레임(410)의 일측에 용기(200)를 지면으로부터 승강시킬 수 있는 용기 승강 수단을 구비할 수 있다. 용기 승강 수단에 의해 용기(200)의 높이를 조절함으로써 인입관(240)이나 배기관(250)을 반도체 제조 설비의 배관과 보다 용이하게 연결시킬 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 따른 가스 처리 장치에 의하면 냉각관의 외주면에 복수의 냉각 확장 고리를 결합시켜 가스와의 열교환 면적을 확장시킴으로써 가스의 냉각 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 가스에 섞인 불순물을 포집하는 용기를 용이하게 확대시킬 수 있어 필터의 교체 주기를 연장시키며, 확대된 용기를 이송 대차에 탑재시켜 용기의 설치 위치를 용이하게 변경시킬 수 있다. 따라서, 가스 냉각 및 불순물 포집 공정의 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 반도체 제조 설비의 가스 배기 효율을 향상시키고, 가스 처리 장치의 운용 시간을 증가시켜 반도체 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.
이상, 본 발명에 대하여 전술한 실시예들 및 첨부된 도면을 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명이 다양하게 변형 및 수정될 수 있음을 알 수 있을 것이다.
100: 가스 처리 장치 200: 용기
210: 용기 몸체 220; 용기 덮개
230: 필터 240: 인입관
250: 배기관 300: 냉각 트랩
310: 냉각관 320: 냉각 확장 고리
330: 배플 340: 냉각 트랩 덮개
400: 이송 대차

Claims (11)

  1. 가스가 인입되는 인입관;
    상기 인입관에 삽입되어 상기 가스를 냉각시키는 냉각관;
    상기 가스의 인입 방향을 따라 상기 냉각관의 둘레를 감싸도록 결합된 복수의 냉각 확장 고리;
    내부에 빈 공간이 마련되고, 상기 인입관이 상기 빈 공간과 연통되도록 연결된 용기 몸체;
    상기 용기 몸체의 빈 공간 내에 마련되어 상기 가스에 섞인 불순물을 필터링하는 복수의 필터; 및
    상기 용기 몸체의 빈 공간과 연통되도록 연결되며, 상기 가스가 배기되는 배기관을 포함하는 가스 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 냉각 트랩은 상기 인입관의 굴절 부위에 삽입되는 가스 처리 장치.
  4. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 냉각 확장 고리는,
    상기 냉각관의 둘레를 감싸는 판형 고리 또는 핀형 고리로 형성되는 가스 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 냉각 트랩은,
    상기 용기와의 연결 부위에 해당되는 상기 인입관의 내측에 위치되어 상기 가스의 흐름을 조절하는 배플과;
    상기 인입관 내에서 상기 냉각관을 위치 고정시키고, 상기 냉각관의 삽입 부위를 밀봉시키는 냉각 트랩 덮개;
    을 포함하는 가스 처리 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 배플 및 상기 냉각 트랩 덮개는,
    상기 냉각관의 양단부 각각에 연결 고리를 통해 연결되는 가스 처리 장치.
  7. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,
    상기 인입관의 외주면에 상기 인입관의 길이 방향을 따라 상기 냉각 확장 고리가 추가 결합되는 가스 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 냉각관은 상기 인입관 내부에 적어도 하나의 굴곡을 갖도록 마련되며, 내부에 냉매가 순환되는 가스 처리 장치.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 용기 본체 내의 상기 필터 하측에 불순물 포집 공간이 마련되고, 상기 배기관은 상기 불순물 포집 공간과 연결되는 가스 처리 장치.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 인입관은 상기 배기관보다 상측에 위치하고, 상기 인입관의 내경은 상기 배기관의 내경보다 크게 형성되는 가스 처리 장치.
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