KR101209532B1 - 방향족 고 유리전이 온도의 설폰 중합체 조성물 - Google Patents
방향족 고 유리전이 온도의 설폰 중합체 조성물 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 하나 이상의 방향족 설폰 중합체 (P), 하나 이상의 금속 산화물, 10개 이상의 탄소 원자를 함유하는 하나 이상의 금속 카복시레이트를 포함하는 방향족 고 유리전이 온도의 설폰 중합체 조성물에 관련된다. 바람직하게, 방향족 설폰 중합체 (P)는, 폴리비페닐디설폰, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리페닐설폰, 그 공중합체 및 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
Description
본 발명은 미국 가출원 (US 60/615,025, 10. 4, 2004 출원) 및 EP 출원 (05101408.2, 2. 24, 2005 출원)의 우선권을 주장하며 그 내용은 여기 참조로 편입된다.
한 면에서, 설폰 중합체의 성질은, 추출가능한 설페이트의 특정량이 중합체 이외에 고정적으로 존재하는 것이다. 다른 면에서, 폴리설폰, 폴레에테르설폰 및 폴리페닐설폰과 같이, 반도체 산업과 같은 민감한 전자 적용과 같은, 추출가능 이온물이 최소화되어야 하는 적용에 사용되기 적당한, 방향족 고 유리전이 온도의 설폰 중합체가 필요하다. 추출된 설페이트의 수준을 낮추고자 하는 목적으로 첨가 패키지를 개발하고자 하는 시도가 이미 있어왔다.
불행하게, 추출가능 설페이트 수준을 감소시키는 이들 첨가제 또한 추출되어진다. 그 결과, 이들 첨가제는 추가의 추출 문제를 야기한다. 이들 및 기타 문제점은, 본 발명의 방향족 고 유리전이 온도의 설폰 중합체 조성물에 의해 명백히 극복된다.
따라서, 본 발명의 목적은 하기를 포함하는 방향족 고 유리전이 온도의 설폰 중합체 조성물을 제공하는 것이다:
- 하나 이상의 방향족 설폰 중합체 (P);
- 하나 이상의 금속 산화물;
- 하나 이상의 금속 카복시레이트로, 이들 카복시레이트는 10개 이상의 탄소 원자를 함유함.
놀랍게도 산화물 및 카복시레이트의 조합이, 설페이트 이온을 격리하는데 매우 특출한 효과를 유리하게 제공한다. 이들 첨가제는, 상기 장점을 제공하며, 추가로 방향족 설폰 중합체의 투명한 외관을 유지하는 면에서 바람직하다.
본 발명의 목적에서, '중합체'라는 용어는, 반복 단위로 본질적으로 이루어지며 2000 초과의 분자량을 가지는 임의의 물질을 나타내는 것이다.
본 발명의 목적에서, '방향족 설폰 중합체 (P)'라는 용어는, 반복 단위 5 중량% 이상이 하기 화학식 1의 기 하나 이상을 포함하는 임의의 중합체를 의미한다:
(화학식 1)
방향족 설폰 중합체 (P)는 유리하게 유리전이 온도 150℃ 이상, 바람직하게는 160℃ 이상, 더 바람직하게는 175℃ 이상을 가진다.
방향족 설폰 중합체 (P)는, 5 중량% 이상, 바람직하게는 20 중량% 이상, 더 바람직하게는 30 중량% 이상, 더더욱 바람직하게는 75 중량% 이상의, 상기 화학식 1의 기 하나 이상을 포함하는 반복 단위를 포함하는 것이다. 가장 바람직하게, 방향족 설폰 중합체 (P) 는, 상기 화학식 1의 기 하나 이상을 포함하는 반복 단위 이외의 반복 단위를 포함하지 않는 것이다.
본 출원인은, 방향족 설폰 중합체 (P) 중 상기 화학식 1의 기 하나 이상을 포함하는 반복단위 5 중량% 이상 백분율이, 민감한 전자 적용을 위해 필요한 고온 양태를 본 발명의 조성물에 부여하기에 충분한 것을 발견하였다.
본 출원인은, 본 발명의 범위를 제한함 없이, 방향족 폴리카보네이트 중합체의 존재가, 본 발명 조성물의 기계적 및 이온물 추출 성질에 해가 될 수 있는 것으로 판단한다.
따라서, 본 발명 조성물은, 유리하게는, 조성물 총 중량을 기준으로 10 중량% 미만의 방향족 폴리카보네이트 (PC)를 함유한다.
본 발명의 목적에서, '방향족 폴리카보네이트 (PC)'라는 용어는, 그 반복 단위 50 중량% 초과가 하기 화학식 2에 따르는 임의의 중합체를 의미한다:
(화학식 2)
(식 중, Ar'''은, 하나 이상의 방향족 고리를 포함하는 2가기로, 바람직하게는, 2개 이상의 방향족 고리를 포함한다).
방향족 폴리카보네이트 (PC)의 예는, 하기식 3 및/또는 4의 반복 단위 포함 중합체이다:
(화학식 3) (화학식 4)
(식 중,
- 각 존재시마다 동일 또는 상이한 각각의 Ra 및 Rb는, 독립적으로 수소원자, 할로겐 또는 C1-C6 탄화수소기이고;
- E는 하기 구조들로부터 선택되는 2가 브릿지기이다:
방향족 폴리카보네이트 (PC)는, 다음의 상표명으로 시판된다: LEXAN®(GE), MAKROLON®(Bayer), CALIBER®(Dow), PANLITE®(Teijin), 및 IUPILON®(Mitsubishi).
방향족 폴리카보네이트 (PC)는, 2개의 상이한 방법에 의해 상업적으로 제조 가능하다: 아민 촉매화 계면 응축 반응으로 포스젠 및 방향족 디올의 Schotten-Baumann 반응 또는, 디페닐 카보네이트와 같은 단량체성 카보네이트와 비스페놀의 염기 촉매화 트랜스에스터화.
본 발명 조성물은, 방향족 폴리카보네이트 (PC)를, 조성물 총 중량을 기준으로 바람직하게는 8 중량% 미만, 더 바람직하게는 7 중량% 미만, 더욱더 바람직하게는 5 중량% 미만으로 포함하는 것이다.
본 발명 바람직한 구현에서, 본 발명 조성물은 방향족 폴리카보네이트 (PC)를 함유하지 않는다.
본 발명 조성물은, 조성물 총 중량을 기준으로 유리하게는 90% 중량 초과, 바람직하게는 92% 중량 초과, 더 바람직하게는 95% 중량 초과, 더더욱 바람직하게는 97.5 중량% 초과의 방향족 설폰 중합체 (P) 를 포함하는 것이다.
조성물이 방향족 설폰 중합체 (P) 를 조성물 총 중량 기준으로 90 중량% 초과로 포함 시에, 반도체 산업과 같은 민감한 전자 적용에서 중요한 우수한 기계적 성질 및 열 안정성을 소지하게 된다.
본 발명의 제 1 구현에서, 방향족 설폰 중합체 (P) 반복 단위 5 중량% 이상은, 반복단위 (R1)으로서, 이는 그 이미드 형태 (R1-A) 및/또는 아믹산 [(R1-B) 및 (R1-C)] 형태이다:
(R1-A)
(R1-B)
(R1-C)
(식 중,
- →는, 임의의 반복 단위 내에서 화살표가 지시하는 기가 보이는 바와 같이 존재하거나 또는 상호 교환된 위치에서 존재할 수 있는 이성질화를 나타내고,
- Ar"는 하기 구조들에서 선택됨:
(식 중, 연결기는 오르소, 메타 또는 파라 위치이며 R'은 수소원자 또는 1-6개의 탄소원자 함유 알킬 라디칼임),
(R은 메틸렌, 에틸렌, 이소프로필렌 등과 같은 탄소원자 6개 이하의 지방족 2가기), 및 그 혼합물임).
본 발명 제 1 구현에 따른 방향족 설폰 중합체 (P) 는, 반복 단위 (R1)을, 5 중량% 이상, 바람직하게 20 중량% 이상, 더 바람직하게 30 중량% 이상, 더욱더 바람직하게 50 중량% 이상, 그리고 더 바람직하게 75 중량% 이상 함유한다. 가장 바람직하게는 반복 단위 (R1) 이외의 반복 단위를 함유하지 않는다.
본 발명 제 2 구현에서, 방향족 설폰 중합체 (P)의 반복 단위 5 중량% 이상은, 반복단위 (R2) 및/또는 반복단위 (R3)이다:
(R2)
(R3)
(식 중,
- Q는 하기의 구조들로부터 선택되는 기이고 :
(식 중 R 은 다음과 같으며,
(n은 1 내지 6의 정수임), 또는 선형 또는 분지형의 6개 이하의 탄소 원자 함유 지방족 2가기);
및 그 혼합물;
- Ar은 하기의 구조들로부터 선택되는 기이고 :
(식 중, R 은 다음과 같으며,
(n은 1 내지 6의 정수임), 또는 선형 또는 분지형의 6개 이하의 탄소 원자 함유 지방족 2가기);
및 그 혼합물;
- Ar'은 하기의 구조들로부터 선택되는 기임 :
(식 중 R 은 다음과 같으며,
(n은 1 내지 6의 정수임) 또는 선형 또는 분지형의 6개 이하의 탄소 원자 함유 지방족 2가기);
및 그 혼합물).
반복 단위 (R2)는 바람직하게 다음 및 그 혼합물로부터 선택된다:
(i)
(ii)
(iii)
(iv)
반복 단위 (R3)는 바람직하게 다음 및 그 혼합물로부터 선택된다:
(j)
(jj)
(jjj)
(jv)
본 발명 제 2 구현에 따른 방향족 설폰 중합체 (P) 는, 반복 단위 (R2) 및/또는 (R3)을, 5 중량% 이상, 바람직하게 20 중량% 이상, 더 바람직하게 30 중량% 이상, 더욱더 바람직하게 50 중량% 이상, 그리고 더 바람직하게 75 중량% 이상 함유한다. 가장 바람직하게는 반복 단위 (R2) 및/또는 (R3)이외의 반복 단위를 함유하지 않는다.
반복 단위가 (ii) 반복 단위 (이하, 폴리비페닐디설폰)인 방향족 설폰 중합체 (P) 및, 반복 단위가 (j) 반복 단위 (이하, 폴리페닐설폰)인 방향족 설폰 중합체 (P), 반복 단위가 (jj) 반복 단위 (이하, 폴리에테르에테르설폰)인 방향족 설폰 중합체 (P), 반복 단위가 (jjj) 반복 단위이며, 임의적 추가로, (jj) 반복 단위 (이하, 폴리에테르설폰)인 방향족 설폰 중합체 (P) 및, 반복 단위가 (jv) 반복 단위 (이하, 폴리설폰)인 방향족 설폰 중합체 (P)에서 좋은 결과가 수득되었다.
폴리페닐설폰은, RADEL®R PPSF로 Solvay Advanced Polymers, L.L.C.에서 시판된다. 폴리설폰은, UDEL®R PSF로 Solvay Advanced Polymers, L.L.C.에서 시판된다. 폴리에테르설폰은, RADEL®A PES 로 Solvay Advanced Polymers, L.L.C.에서 시판된다.
바람직하게, 방향족 설폰 중합체 (P)는, 폴리비페닐디설폰, 폴리설폰, 폴리페닐설폰, 폴리에테르설폰, 그 공중합체 및 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된다.
바람직하게, 금속 산화물은, 알칼리 토금속 또는 12족 전이금속의 산화물이다.
본 발명의 목적에서, 12족 전이 금속으로는, Zn, Cd, Hg, Uub로 이루어진 속의 군을 의미하고자 한다.
더 바람직하게, 산화물은, CaO, MgO, ZnO 및 그 혼합물로 이루어진 군에서 선택되며, 더 바람직하게, 산화물은 ZnO이다.
바람직하게, 금속 카복시레이트는, 알칼리 토금속 또는 12족 전이금속의 카복시레이트이다.
더 바람직하게, 카복시레이트는, Ca, Mg, Zn 카복시레이트 및 그 혼합물로 이루어진 군에서 선택되며, 더 바람직하게 카복시레이트는 Zn 카복시레이트이다.
바람직하게, 카복시레이트는, 카프레이트 (C10), 라우레이트 (C12), 미리스테이트 (C14), 팔미테이트 (C16), 스테아레이트 (C18), 아라키데이트 (C20), 베헤네이트 (C22), 팔미톨레이트 (C16), 올레이트 (C18), 가돌레이트 (C20), 리시놀레이트 (C18), 리놀레이트 (C18), 리놀레네이트 (C18), 및 그 혼합물로부터 선택된다. 더 바람직하게 카복시레이트는 스테아레이트이다.
Zn 스테아레이트로부터 우수한 효과가 수득되었다.
방향족 고 유리전이 온도 중합체 조성물은, 조성물 총 중량을 기준으로, 유리하게는 0.001 중량% 이상, 바람직하게 0.005 중량% 이상, 더 바람직하게 0.01 중량% 이상의 산화물을 포함한다.
방향족 고 유리전이 온도 중합체 조성물은, 조성물 총 중량을 기준으로, 유리하게는 0.7 중량% 이하, 바람직하게 0.6 중량% 이하, 더 바람직하게 0.5중량% 이하, 더욱더 바람직하게 0.3중량% 이하, 가장 바람직하게는 0.2 중량% 이하의 산화물을 포함한다.
조성물이 조성물 총 중량 기준으로 0.02-0.01 중량%의 산화물을 포함할 때 우수한 효과가 수득되었다.
방향족 고 유리전이 온도 중합체 조성물은, 조성물 총 중량을 기준으로, 유리하게는 0.005 중량% 이상, 바람직하게 0.01 중량% 이상, 더 바람직하게 0.05 중량% 이상의 카복시레이트를 포함한다.
방향족 고 유리전이 온도 중합체 조성물은, 조성물 총 중량을 기준으로, 유리하게는 1.00 중량% 이하, 바람직하게 0.75 중량% 이하, 더 바람직하게 0.50중량% 이하로 카복시레이트를 포함한다.
조성물이 조성물 총 중량 기준으로 0.05-0.35 중량%의 카복시레이트를 포함할 때 우수한 효과가 수득되었다.
본 발명 조성물 중 산화물 대 카복시레이트의 중량비는, 유리하게는 최대 1 중량/중량, 바람직하게는 최대 0.75 중량/중량, 더 바람직하게는 최대 0.5 중량/중량이다.
본 발명 조성물 중 산화물 대 카복시레이트의 중량비는, 유리하게는 0.05 중량/중량 이상, 바람직하게는 0.075 중량/중량 이상, 더 바람직하게는 0.10 중량/중량 이상이다.
산화물 대 카복시레이트의 중량비가 0.1-0.5 중량/중량일 때 우수한 효과가 수득되었다.
임의로, 본 발명의 고 유리전이 온도 설폰 중합체 조성물은, 충전제, 윤활제, 열 안정화제, 항정전기제, 신장제, 강화제, 유기 및/또는 무기 염료 (일례로 TiO2), 카본 블랙, 항산화제, 난연제, 발연억제제를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 조성물은, 강화 충전제, 구조 섬유 및 그 혼합물에서 선택되는 하나 이상의 충전제를 유리하게 포함한다. 구조 섬유는, 유리섬유, 탄소 또는 흑연 섬유, 및 규소 카바이드, 알루미나, 티타니아, 붕소 등으로 형성되는 섬유를 포함하며, 이들 섬유 2개 이상을 포함하는 혼합물을 포함 가능하다. 본 발명 조성물에 또한 사용 가능한 강화 충전제는, 주로 염료, 플레이크, 구형 및 섬유상 입자 충전 강화제 및 핵화제를 포함하며, 일례로, 타크, 미카, 티탄 산화물, 포타슘 티타네이트, 실리카, 카올린, 석회, 알루미나, 광물 충전제 등이다. 강화 충전제 및 구조 섬유는 단독 또는 임의의 조합으로 사용 가능하다.
본 발명의 다른 면은, 다음의 혼합을 포함하는 상기 고 유리전이 온도 설폰 중합체 조성물의 제조 방법에 관련된다;
- 방향족 설폰 중합체 (P);
- 금속 산화물;
- 금속 카복시레이트.
유리하게, 본 발명 방법은, 중합체 (P), 금속 산화물 및 카복시레이트를 건식 블렌딩 및/또는 용융 복합화하여 혼합함을 포함한다.
바람직하게, 중합체 (P), 금속 산화물 및 카복시레이트는, 용융 복합화에 의해 혼합한다.
유리하게, 중합체 (P), 금속 산화물 및 카복시레이트는 연속식 또는 배치식 장치 내에서 용융 복합화한다. 그러한 장치는 당업자에게 공지이다.
본 발명 설폰 중합체 조성물 용융 복합화를 위한 적절한 연속 장치의 예는 무엇보다도 스크루 압출기이다. 따라서, 중합체 (P), 금속 산화물 및 카복시레이트 및 임의로 기타 성분은, 분말 또는 과립 형태로 압출기 내로 유리하게 공급되고, 조성물은 가닥으로 압출되며 가닥은 펠릿으로 잘라진다.
임의로, 충전제, 윤활제, 열 안정화제, 항정전기제, 신장제, 강화제, 유기 및/또는 무기 염료 (일례로 TiO2), 카본 블랙, 항산화제, 난연제, 발연억제제를, 복합화 단계 동안 조성물에 첨가 가능하다.
바람직하게, 중합체 (P), 금속 산화물 및 카복시레이트는 트윈 스크루 압출기내에서 복합화된다.
조성물은 추가로, 주입 사출, 압출, 열형성, 기계화 및 블로우 사출을 위한 표준 방법에 따라 추가로 처리 가능하다. 코팅 및 막을 위한 용액 기재 처리 또한 가능하다. 상기한 조성물을 함유하는 완성 물품은, 초음파 용접, 접착성 결합 및 레이저 마킹 및, 열 스테이킹, 트레딩 (threading) 및 기계화와 같은 표준 후변형 조작을 거칠 수 있다.
본 발명의 다른 목적은, 상기 중합체 조성물 함유 물품이다.
유리하게, 물품은, 주입 성형 물품, 압출 성형 물품, 형상화 물품, 코팅된 물품 또는 캐스팅된 물품이다. 바람직한 것은 주입 성형 물품이다.
본 발명의 물품은, 하기 표준방법에 의거하여 상기와 같은 조성물을 처리하여 변형 가능하다.
본 발명은 하기의 실시예를 통해 더 자세히 설명되나, 본 발명이 이들 실시예에 제한되는 것은 아니다.
실시예 1 내지 5:
원료 물질:
RADEL®R 5600 폴리페닐설폰 (Solvay Advanced Polymers, L.L.C. 시판)은, 4,4'-디할로디페닐설폰 및 4,4'-디하이드록시디페닐 간의 다중축합에 의해 수득된 폴리페닐설폰이다.
복합화:
아연 산화물, 아연 스테아레이트 및 Mg 스테아레이트를 RADEL®R 5600 폴리페닐설폰 펠릿과 혼합하고, 25 mm 직경의 트윈 스크루 2구의 Berstorff 압출기 (L/D 비율은 33/1)를 이용하여 용융 복합화하였다. 실시예에서 사용한 자세한 양은 표 1에 기재된다.
이온물
추출 및 분석 측정
제제 각각의 복합화된 펠릿 및 RADEL®R 5600 폴리페닐설폰 단독의 샘플을, 하기 방법에 따라 이온물 추출 실시하였다:
1.0g 샘플을 5.0 ml의 18 mΩ 물 (Milli-Q, Alltech Associates, Inc.)에 가하였다. 샘플을 이후 24시간 동안 85℃ 의 오븐에 위치시켜 이온을 추출하였다.
24시간 이후, 펠릿을 분리하여 수상을 다음 분석 시스템을 이용하여 IC (이온 크로마토그라피)로 분석하였다:
Dionex DX500 크로마토그라피 시스템;
Dionex GP50 표준 보어 구배 펌프;
Dionex ASRS 울트라 4 mm 억제기;
Dionex CD20 전도도 측정기;
Dionex AS11A 컬럼, 4 mm;
Dionex AG11A 가드 컬럼, 4 mm;
Dionex AS40 자동샘플러, 불활성 피크 흐름 경로(Inert Peek Flow Path).
사용한 용출액은 18 mΩ 물, 0.2-0.4 mM KOH로, EG40 Eluent Generator에 의해 공급된 것이다.
각 이온에 대해 최소 5지점의 선형 보정 곡선을 사용하여 이온 크로마토그라피를 정량화하였다.
결과를 표 1에 정리한다.
실시예 6 내지 8:
원료 물질:
UDEL®P3703 폴리설폰 (Solvay Advanced Polymers, L.L.C. 시판)은, 4,4'-디할로디페닐설폰 및 비스페놀 A 간의 다중축합에 의해 수득된 폴리설폰이다.
복합화:
아연 산화물 및 아연 스테아레이트를 UDEL®P3703 폴리설폰 펠릿과 혼합하고, 25 mm 직경의 트윈 스크루 2구의 Berstorff 압출기 (L/D 비율은 33/1)를 이용하여 용융 복합화하였다. 실시예에서 사용한 자세한 양은 표 2에 기재된다.
이온물
추출 및 분석 측정
실시예 1 내지 5에서 실시한 동일한 방법을 실시예 7 및 8 조성물과, UDEL®P3703 폴리설폰 단독 (비교예 6)에 대해 실시하였다. 결과를 표 2에 정리한다.
Claims (15)
- 하기를 포함하는 설폰 중합체 조성물:- 조성물 총 중량을 기준으로 90 중량% 초과의 하나 이상의 방향족 설폰 중합체 (P)로, 방향족 설폰 중합체 (P) 반복 단위의 5 중량% 이상이 하기 화학식 1의 기 하나 이상을 포함하며
(화학식 1);- 조성물 총 중량을 기준으로 0.001 중량% 이상의 하나 이상의 금속 산화물;- 조성물 총 중량을 기준으로 0.005 중량% 이상의 하나 이상의 금속 카복시레이트로, 이들 카복시레이트는 10개 이상의 탄소 원자를 함유함. - 제 1 항에 있어서, 방향족 설폰 중합체 (P)가 화학식 1의 기 하나 이상을 포함하는 반복 단위를 50 중량% 이상 포함함을 특징으로 하는 설폰 중합체 조성물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 금속 산화물이 알칼리 토금속 또는 12족 전이금속의 산화물임을 특징으로 하는 설폰 중합체 조성물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 금속 카복시레이트가 알칼리 토금속 또는 12족 전이금속의 카복시레이트임을 특징으로 하는 설폰 중합체 조성물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 방향족 설폰 중합체 (P) 반복 단위 5 중량% 이상은, 반복단위 (R1)으로서, 이는 그 이미드 형태 (R1-A), 아믹산 형태 [(R1-B) 및 (R1-C)], 또는 이미드 형태 (R1-A) 및 아믹산 형태 [(R1-B) 및 (R1-C)] 임을 특징으로 하는 설폰 중합체 조성물:
(R1-A)
(R1-B)
(R1-C)(식 중,- →는, 임의의 반복 단위 내에서 화살표가 지시하는 기가 보이는 바와 같이 존재하거나 또는 상호 교환된 위치에서 존재할 수 있는 이성질화를 나타내고,- Ar"는 하기 구조들에서 선택됨:
(식 중, 연결기는 오르소, 메타 또는 파라 위치이며 R'은 수소원자 또는 1-6개의 탄소원자 함유 알킬 라디칼임),
,
(R은 메틸렌, 에틸렌, 이소프로필렌 등과 같은 탄소원자 6개 이하의 지방족 2가기);및 그 혼합물임). - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 방향족 설폰 중합체 (P) 반복 단위 50 중량% 이상은, 반복단위 (R1)으로서, 이는 그 이미드 형태 (R1-A), 아믹산 형태 [(R1-B) 및 (R1-C)], 또는 이미드 형태 (R1-A) 및 아믹산 형태 [(R1-B) 및 (R1-C)] 임을 특징으로 하는 설폰 중합체 조성물
- 제 1 항에 있어서, 방향족 설폰 중합체 (P)의 반복 단위 5 중량% 이상은, 반복단위 (R2), 반복단위 (R3), 또는 반복단위 (R2) 및 반복단위 (R3) 임을 특징으로 하는 설폰 중합체 조성물:
(R2)
(R3)(식 중,- Q는 하기의 구조들로부터 선택되는 기이고 :
(식 중 R 은 다음과 같으며,
,
(n은 1 내지 6의 정수임), 또는 선형 또는 분지형의 6개 이하의 탄소 원자 함유 지방족 2가기);및 그 혼합물;- Ar은 하기의 구조들로부터 선택되는 기이고 :
(식 중, R 은 다음과 같으며,,
(n은 1 내지 6의 정수임), 또는 선형 또는 분지형의 6개 이하의 탄소 원자 함유 지방족 2가기);및 그 혼합물;- Ar'은 하기의 구조들로부터 선택되는 기이고 :
(식 중 R 은 다음과 같으며,,
(n은 1 내지 6의 정수임), 또는 선형 또는 분지형의 6개 이하의 탄소 원자 함유 지방족 2가기);및 그 혼합물임). - 제 1 항, 제 2 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 방향족 설폰 중합체 (P)의 반복 단위 50 중량% 이상은, 반복단위 (R2), 반복단위 (R3), 또는 반복단위 (R2) 및 반복단위 (R3) 임을 특징으로 하는 설폰 중합체 조성물.
- 제 1 항, 제 2 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물 총 중량 기준으로 0.02-0.10 중량%의 산화물을 포함함을 특징으로 하는 설폰 중합체 조성물.
- 제 1 항, 제 2 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 조성물 총 중량 기준으로 0.05-0.35 중량%의 카복시레이트를 포함함을 특징으로 하는 설폰 중합체 조성물.
- 제 1 항, 제 2 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 산화물 대 카복시레이트의 중량비가 0.05 내지 1 중량/중량임을 특징으로 하는 설폰 중합체 조성물.
- 다음의 혼합을 포함하는 제 1 항, 제 2 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항의 설폰 중합체 조성물의 제조 방법;- 방향족 설폰 중합체 (P);- 금속 산화물;- 금속 카복시레이트.
- 제 1 항, 제 2 항 또는 제 7 항 중 어느 한 항의 설폰 중합체 조성물을 포함하는 물품.
- 삭제
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