KR101195806B1 - 접촉체의 증가된 조밀도를 가능하게 하는 커넥터 - Google Patents

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니혼 고꾸 덴시 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

복수의 접촉체가 하우징의 측벽을 따라 제 1 방향으로 배열된다. 하우징은 각각 측벽으로부터 제 2 방향으로 돌출하고 접촉체 사이에 개재되는 복수의 리브를 구비한다. 각각의 리브는 측벽에 인접한 테이퍼진 부분을 구비한다.

Description

접촉체의 증가된 조밀도를 가능하게 하는 커넥터{CONNECTOR ENABLING INCREASED DENSITY OF CONTACTS}
본 발명은 하우징에 의해 지탱되는 접촉체를 구비하는 커넥터에 관한 것이다.
이런 유형의 커넥터가 JP-A-2007-128876 (이하, "특허 문헌 1" 이라 함) 에 개시되어 있다. 특허 문헌 1 에 개시된 커넥터는 하우징으로서의 절연체 및 접촉체로서의 도전성 단자를 포함한다. 절연체는, 연결 대상으로서 FPC 를 내부에 수용하기 위한 절연 홈을 사이에 규정하고 있는 대향하는 측벽을 구비한다. 도전성 단자는 대향하는 측벽의 하나에 형성된 홈을 이용하여 절연체에 부착된다.
특허 문헌 1 의 커넥터에 있어서, 절연체의 대향하는 측벽에 홈을 형성한 결과로서, 삽입 홈을 향하는 복수의 리브가 홈 사이에 각각 형성된다. 이 리브는 하기와 같이 절연체의 성형에 제약을 주고, 따라서 커넥터에서 접촉체의 조밀도를 증가시키는 것을 어렵게 만든다.
예컨대, 수지 재료의 사출 성형에 의한 절연체의 성형의 경우에, 수지 재료의 온도가 하강하여 성형 다이에서 리브를 형성하기 위한 영역 (이하, "리브 형성 영역" 이라 함) 에서의 유동성이 저조해진다. 결과적으로, 리브 형성 영역에서 수지 재료가 없는 비충전 부분의 발생 가능성이 있다. 특히, 리브가 커넥터의 소형화를 위해 얇게 구성되는 경우, 수지 재료를 리브 형성 영역에 충전하는 것은 어렵기 때문에, 상기 비충전 부분의 발생 가능성은 증가한다. 각각의 리브의 두께는 부분적으로 설정값보다 더 작아서 접촉체 사이의 절연이 열화되는 경우가 있을 수도 있다.
그러므로, 본 발명의 예시적인 목적은 하우징의 성형시에 수지 재료가 충전되지 않는 것을 효과적으로 방지하여 접촉체의 증가된 조밀도를 가능하게 하는 커넥터를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 설명이 계속되면서 명확해질 것이다.
본 발명의 예시적인 양태에 따른 커넥터는 적어도 하나의 접촉체 및 이 적어도 하나의 접촉체를 지탱하는 하우징을 포함하고, 하우징은 측벽, 각각 실질적으로 직사각형의 평행6면체 형상을 가지며 상기 측벽으로부터 연장되는 리브, 및 각각 측벽과 각각의 리브 사이에 있는 연결부를 포함하고, 상기 연결부의 각각의 적어도 일측에 테이퍼진 부분이 제공된다.
본 발명의 다른 예시적인 양태에 따른 커넥터는 측벽을 구비하는 하우징 및 이 측벽을 따라 제 1 방향으로 배열된 접촉체를 포함하고, 상기 하우징은 각각 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 측벽으로부터 돌출하고 접촉체 사이에 각각 개재되는 리브를 포함하며, 상기 리브의 각각은 상기 측벽에 인접한 테이퍼진 부분을 구비한다.
도 1 은 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 커넥터의 단면도이다.
도 2 는 도 1 의 커넥터에 포함된 하우징의 평면도이다.
도 3 은 도 1 의 커넥터에 포함된 하우징의 제 1 변형의 평면도이다.
도 4 는 도 1 의 커넥터에 포함된 하우징의 제 2 변형의 평면도이다.
도 5 는 도 1 의 커넥터에 포함된 하우징의 제 3 변형의 평면도이다.
도 6 은 관련 기술 (1) 에 따른 커넥터의 단면도이다.
도 7 은 도 6 의 커넥터에 포함된 하우징의 사시도이다.
도 1 및 도 2 를 참조하면, 본 발명의 예시적인 실시형태에 따른 커넥터가 도시되어 있다.
도 1 에 도시된 커넥터는 절연 하우징 (1) 및 이 절연 하우징 (1) 안에 배치된 복수의 도전성 접촉체 (21) 를 포함한다.
도 2 에 도시된 바와 같이, 하우징 (1) 은 제 1 방향 (A1) 으로 연장되고 사이에 간격을 두고 서로 평행한 제 1 및 제 2 측벽 (2 및 3), 제 1 및 제 2 측벽 (2 및 3) 의 제 1 방향 (A1) 의 단부를 서로 연결하는 제 3 측벽 (4), 및 제 1 및 제 2 측벽 (2 및 3) 의 제 1 방향 (A1) 의 타단부를 서로 연결하는 제 4 측벽 (5) 을 포함한다. 제 1 및 제 2 측벽 (2 및 3) 은 각각 제 1 방향 (A1) 에 수직한 제 2 방향 (A2) 으로 서로를 향하는 내벽면을 갖는다. 이 내벽면에는, 실질적으로 직사각형의 평행6면체 형상을 가지며 제 1 방향 (A1) 으로 규칙적인 간격으로 배열되는 복수의 리브 (7 또는 8) 가 각각 일체로 형성되어 있다. 리브 (7 및 8) 의 각각은 제 1 및 제 2 방향 (A1 및 A2) 에 수직한 제 3 방향 (A3) 으로 제 1 또는 제 2 측벽 (2 또는 3) 의 내벽면을 따라 연장된다.
제 1 및 제 2 측벽 (2 및 3) 은 제 3 및 제 4 측벽 (4 및 5) 보다 더 두껍도록 구성된다. 리브 (7 및 8) 의 각각의 두께, 즉 제 1 방향 (A1) 의 치수는 제 3 및 제 4 측벽 (4 및 5) 의 두께보다 더 작도록 구성된다.
또한, 모따기된 부분 또는 테이퍼진 부분 (이하, "테이퍼진 부분" 이라 함) (11) 이, 제 1 측벽 (2) 에 연결된, 각각의 리브 (7) 의 부분에, 즉 제 1 측벽 (2) 에 인접한, 각각의 리브 (7) 의 뿌리부에 형성되어 있다. 구체적으로는, 테이퍼진 부분 (11) 은, 제 3 측벽 (4) 측을 향하는, 즉 게이트측을 향하는, 각각의 리브 (7) 의 뿌리부의 면에 형성되어 있다. 테이퍼진 부분 (11) 은 또한, 제 1 측벽 (2) 의 내벽면과 각각의 리브 (7) 사이의 연결부에 제공되고 제 1 및 제 2 방향 (A1 및 A2) 에 대해 기울어져 있는 기울어진 면으로 말할 수 있다.
"게이트측" 은 이하에서 설명되는 주입 게이트 (15) 에 상대적으로 가까운 측을 나타내고, 이하에서 참조하는 "게이트 반대측" 은 게이트측의 반대측, 즉 주입 게이트 (15) 로부터 상대적으로 먼 측을 나타내며, 리브 (7 및 8) 는 게이트측과 게이트 반대측 사이에 순차적으로 배열된다.
마찬가지로, 모따기된 부분 또는 테이퍼진 부분 (이하, "테이퍼진 부분" 이라 함) (12) 이, 제 2 측벽 (3) 에 연결된, 각각의 리브 (8) 의 부분에, 즉 제 2 측벽 (3) 에 인접한, 각각의 리브 (8) 의 뿌리부에 형성되어 있다. 구체적으로는, 테이퍼진 부분 (12) 은, 제 3 측벽 (4) 측을 향하는, 즉 게이트측을 향하는, 각각의 리브 (8) 의 뿌리부의 면에 형성되어 있다. 테이퍼진 부분 (12) 은 또한, 제 2 측벽 (3) 의 내벽면과 각각의 리브 (8) 사이의 연결부에 제공되고 제 1 및 제 2 방향 (A1 및 A2) 에 대해 기울어져 있는 기울어진 면으로 말할 수 있다.
다시 도 1 을 참조하면, 각각의 접촉체 (21) 는 하우징 (1) 에 의해 지탱되는 지탱부 (23), 연결 대상과의 접촉을 위해 지탱부 (23) 로부터 일측으로 연장되는 접촉부 (24), 및 하우징 (1) 의 바닥면으로부터 외측으로 노출되도록 지탱부 (23) 로부터 타측으로 연장되는 단자부 (25) 를 구비한다. 각각의 접촉체 (21) 의 지탱부 (23) 는 제 1 또는 제 2 측벽 (2 또는 3) 의 내벽면을 향하도록 리브 (7 또는 8) 사이에 배치된다. 이와 같이, 접촉체 (21) 는 제 1 방향 (A1) 으로 일정한 피치로 배열되고, 이와 관련하여 제 1 방향 (A1) 은 또한 "피치 방향" 이라 할 수도 있다.
접촉체 (21) 의 접촉부 (24) 는 제 1 및 제 2 측벽 (2 및 3) 으로부터 각각 이격되어 있다. 필요할 경우, 짝맞춤 커넥터 (도시 생략) 가 제 1 및 제 2 측벽 (2 및 3) 사이에 끼워진다. 짝맞춤 커넥터가 제 1 및 제 2 측벽 (2 및 3) 사이에 끼워질 때, 접촉부 (24) 는 지탱부 (23) 와 접촉부 (24) 사이의 부분의 탄성으로 인해 짝맞춤 커넥터의 접촉체의 대응하는 접촉부에 각각 눌린다.
접촉체 (21) 의 단자부 (25) 는, 하우징 (1) 의 바닥면으로부터 제 1 및 제 2 측벽 (2 및 3) 의 외부로 각각 연장되는 부분이, 납땜 등에 의해 인쇄 회로 기판 (도시 생략) 과 같은 기판의 회로 도전체에 각각 연결된다.
이제, 도 2 를 참조하여 하우징 (1) 을 상세하게 설명한다.
하우징 (1) 은, 비도전성 재료로서 합성 수지 등으로 이루어진 용융된 수지 재료 (이하, 간단히 "수지 재료" 라 함) 를 성형 다이에 주입하고 그 후 그것을 경화시키는 것을 포함하는 사출 성형에 의해 성형될 수 있다. 성형 다이는 그 내부에 제 1 내지 제 4 측벽 (2 내지 5) 의 형성에 사용되는 제 1 내지 제 4 측벽 형성 영역 및 리브 (7 및 8) 의 형성에 사용되는 리브 형성 영역을 규정한다. 또한, 성형 다이는 수지 재료를 주입하기 위해 사용되는 개구부, 즉 금속 코어 (도시 생략) 의 전단부에 제공되는 주입 게이트 (이하, 간단히 "게이트" 라 함) 를 구비한다.
도 2 에서, 성형 다이의 게이트 (15) 의 위치가 성형된 하우징 (1) 과 관련하여 예시적으로 도시되어 있다. 즉, 성형 다이의 게이트 (15) 는 하우징 (1) 의 제 3 측벽 (4) 에 대응하는 위치에 형성되어 있다. 예컨대, 게이트 (15) 는 성형 다이의 이음매에 제공된다.
게이트 (15) 를 통해 성형 다이에 수지 재료를 주입한 후, 수지 재료는 하우징 (1) 에 나타낸 화살표 (a 내지 h 및 c' 내지 h') 처럼 흘러 성형 다이에 충전된 후 경화되어 하우징 (1) 을 성형한다.
이제, 하우징 (1) 의 성형 공정을 상세하게 설명한다.
하우징 (1) 을 성형할 때, 수재 재료는 게이트 (15) 를 통해 성형 다이 안으로 주입된다. 주입된 수지 재료는 먼저 성형 다이의 제 3 측벽 형성 영역에서 화살표 a 방향으로 흐른다. 그 후, 수지 재료는 성형 다이의 제 1 및 제 2 측벽 형성 영역의 각각에서 순서대로 화살표 b 내지 g 방향으로 흐른다. 그 후, 수지 재료는 성형 다이의 제 4 측벽 형성 영역에서 화살표 h 방향으로 흐른다. 이와 같이, 수지 재료는 제 1 내지 제 4 측벽 (2 내지 5) 을 형성하기 위한 제 1 내지 제 4 측벽 형성 영역에 충전된다.
화살표 b 를 할당한 영역의 수지 재료는 또한 화살표 c' 방향으로 흘러 리브 형성 영역에 충전된다. 이 경우, 성형 다이는 테이퍼진 부분 (11 및 12) 을 형성하기 위한 다이면을 가지기 때문에, 수지 재료는 제 1 및 제 2 측벽 형성 영역으로부터 리브 형성 영역으로 원활하게 흐른다. 또한, 활살표 d 내지 h 를 할당한 영역을 흐르는 동안, 수지 재료는 테이퍼진 부분 (11 및 12) 을 형성하기 위한 성형 다이의 다이면을 따라 화살표 d' 내지 h' 방향으로 원활하게 흐르며, 따라서 수지 재료는 리브 형성 영역에 충전된다. 이와 같이, 수지 재료는 리브 (7 및 8) 를 형성하기 위한 리브 형성 영역에 충전된다. 이 경우, 수지 재료는 리브 형성 영역으로 원활하게 안내되기 때문에, 수지 재료를 낮은 압력에서 충전하는 것이 가능하다. 그러므로, 리브 (7 및 8) 가 얇게 구성되는 경우에도, 수지 재료가 없는 비충전 부분의 발생을 방지하는 것이 가능하고, 따라서 접촉체 (21) 의 증가된 조밀도를 달성하는 것이 가능하다.
테이퍼진 부분 (11 및 12) 은 제 3 측벽 (4) 에 비교적 가깝게, 즉 게이트 측에 비교적 가깝게 위치된 리브 (7 및 8) 를 위해서만 제공될 수도 있다. 이 구조는, 도 2 에 도시된 하우징 (1) 에 비해 제 1 방향 (A1) 으로 치수가 더 짧은 형상을 가지는 하우징의 경우에 효과적이다.
도 3 은 하우징 (1) 의 제 1 변형을 나타낸다. 동일하거나 유사한 부분에는 동일한 도면부호가 할당되고, 따라서 그 설명은 생략한다.
도 3 의 하우징 (101) 에서, 제 3 측벽 (4), 즉 게이트 (15) 측에 비교적 가깝게 위치된 리브 (7 및 8) 에는 도 2 에서와 동일한 측에, 즉 게이트 (15) 측을 향하는 그 면에 테이퍼진 부분 (11 또는 12) 이 각각 형성되어 있다. 한편, 게이트측으로부터 비교적 멀리, 즉 제 4 측벽 (5) 또는 게이트 반대측에 비교적 가깝게 위치된 리브 (7 및 8) 에는 도 2 에서와 반대측에, 즉 게이트 (15) 반대측을 향하는 그 면에 테이퍼진 부분 (11' 또는 12') 이 각각 형성되어 있다. 즉, 테이퍼진 부분 (11' 및 12') 은, 게이트 (15) 측의 반대에 있는 측을 향하는, 즉 게이트 (15) 반대측을 향하는, 리브 (7 및 8) 의 대응하는 하나의 뿌리부의 면에 각각 형성되어 있다.
상기 구조를 더 상세하게 설명한다. 테이퍼진 부분 (11) 은, 게이트측에 비교적 가깝게 위치된 리브 (7) 의 각각과 제 1 측벽 (2) 사이의 연결부에서, 즉 리브 (7) 의 각각의 뿌리부에서, 게이트측을 향하는 리브의 면에 형성되어 있다. 테이퍼진 부분 (12) 은, 게이트측에 비교적 가깝게 위치된 리브 (8) 의 각각과 제 2 측벽 (3) 사이의 연결부에서, 즉 리브 (8) 의 각각의 뿌리부에서, 게이트측을 향하는 리브의 면에 형성되어 있다. 테이퍼진 부분 (11') 은, 게이트측의 반대쪽에 있는 게이트 반대측에 비교적 가깝게 위치된 5 개의 리브 (7) 의 각각과 제 1 측벽 (2) 사이의 연결부에서, 즉 5 개의 리브 (7) 의 각각의 뿌리부에서, 게이트 반대측을 향하는 리브의 면에 형성되어 있다. 테이퍼진 부분 (12') 은, 게이트 반대측에 비교적 가깝게 위치된 5 개의 리브 (8) 의 각각과 제 2 측벽 (3) 사이의 연결부에서, 즉 5 개의 리브 (8) 의 각각의 뿌리부에서, 게이트 반대측을 향하는 리브의 면에 형성되어 있다.
또한, 제 4 측벽 (5) 으로부터 5 번째 리브 (7) 에는, 제 1 방향 (A1) 에서, 그 뿌리부의, 게이트 반대측을 향하는 그 면에 테이퍼진 부분 (11') 이 각각 형성되어 있다. 마찬가지로, 제 4 측벽 (5) 으로부터 5 번째 리브 (8) 에는 제 1 방향 (A1) 에서, 그 뿌리부의, 게이트 반대측을 향하는 그 면에 테이퍼진 부분 (12') 이 각각 형성되어 있다.
하우징 (101) 을 성형할 때, 수지 재료는 게이트 (15) 를 통해 성형 다이 안으로 주입되고 화살표 a 방향으로 흐른다. 그 후, 수지 재료는 화살표 b 내지 g 방향으로 흐른 후 화살표 h 방향으로 흐른다. 이와 같이, 수지 재료는 제 1 내지 제 4 측벽 (2 내지 5) 을 형성하기 위한 제 1 내지 제 4 측벽 형성 영역에 충전된다.
화살표 b 를 할당한 영역을 흐르는 동안, 수지 재료는 또한 화살표 c' 방향으로 흐른다. 또한, 화살표 c 내지 f 처럼 흐르는 동안, 수지 재료는 또한 화살표 d' 내지 g' 방향으로 흐른다. 이와 같이, 수지 재료는 리브 (7 및 8) 를 형성하기 위한 리브 형성 영역에 충전된다. 또한, 화살표 h 방향으로 흐르는 동안, 수지 재료는 또한 성형 다이의 다이면을 따라 화살표 h '' 방향으로 흐른다. 이와 같이, 수지 재료는, 게이트 반대측에 비교적 가깝게 위치된 5 개 각각의 리브 (7 및 8) 를 형성하기 위한 리브 형성 영역에 충전된다. 이 경우, 수지 재료는 리브 형성 영역 모두로 원활하게 안내되기 때문에, 수지 재료를 낮은 압력에서 충전하는 것이 가능하다. 그러므로, 리브 (7 및 8) 가 얇게 구성되는 경우에도, 수지 재료가 없는 비충전 부분의 발생을 방지하는 것이 가능하고, 따라서 접촉체 (21) 의 증가된 조밀도를 달성하는 것이 가능하다.
도 4 는 하우징 (1) 의 제 2 변형을 나타낸다. 동일하거나 유사한 부분에는 동일한 도면부호가 할당되고, 따라서 그 설명은 생략한다.
도 4 의 하우징 (201) 에서, 제 3 측벽 (4), 즉 게이트측에 비교적 가깝게 위치된 리브 (7 및 8) 에는 도 2 에서와 동일한 측에, 즉 게이트측을 향하는 그 면에 테이퍼진 부분 (11 또는 12) 이 각각 형성되어 있다. 한편, 게이트측으로부터 비교적 멀리, 즉 제 4 측벽 (5) 또는 게이트 반대측에 비교적 가깝게 위치된 리브 (7 및 8) 에는, 각각 게이트 측을 향하며 게이트 반대측을 향하는 그 양면에 테이퍼진 부분 (11 및 11') 또는 테이퍼진 부분 (12 및 12') 이 각각 형성되어 있다. 즉, 게이트 반대측에 비교적 가깝게 위치된 5 개의 리브 (7) 및 5 개의 리브 (8) 에는 제 1 방향 (A1) 에서 그 양면에 테이퍼진 부분 (11 및 11' 또는 12 및 12') 이 각각 형성되어 있다.
하우징 (201) 을 성형할 때, 수지 재료는 게이트 (15) 를 통해 성형 다이 안으로 주입되고 화살표 a 방향으로 흐른다. 그 후, 수지 재료는 화살표 b 내지 g 방향으로 흐른 후 화살표 h 방향으로 흐른다. 이와 같이, 수지 재료는 제 1 내지 제 4 측벽 (2 내지 5) 을 형성하기 위한 제 1 내지 제 4 측벽 형성 영역에 충전된다.
화살표 b 를 할당한 영역을 흐르는 동안, 수지 재료는 또한 화살표 c' 방향으로 흐른다. 또한, 화살표 c 내지 f 처럼 흐르는 동안, 수지 재료는 또한 화살표 d' 내지 g' 방향으로 흐른다. 이와 같이, 수지 재료는 리브 (7 및 8) 를 형성하기 위한 리브 형성 영역에 충전된다. 또한, 화살표 g 및 h 방향으로 흐르는 동안, 수지 재료는 또한 성형 다이의 다이면을 따라 화살표 h' 및 h'' 방향으로 흐른다. 이와 같이, 수지 재료는, 게이트 반대측에 비교적 가깝게 위치된 5 개 각각의 리브 (7 및 8) 를 형성하기 위한 리브 형성 영역에 충전된다. 이 경우, 수지 재료는 모든 리브 형성 영역으로 원활하게 안내되기 때문에, 수지 재료를 낮은 압력에서 충전하는 것이 가능하다. 그러므로, 리브 (7 및 8) 가 얇게 구성되는 경우에도, 수지 재료가 없는 비충전 부분의 발생을 방지하는 것이 가능하고, 따라서 접촉체 (21) 의 증가된 조밀도를 달성하는 것이 가능하다.
도 5 는 하우징 (1) 의 제 3 변형을 나타낸다. 동일하거나 유사한 부분에는 동일한 도면부호가 할당되고, 따라서 그 설명은 생략한다.
도 5 의 하우징 (301) 에서, 모든 리브 (7 및 8) 에는, 각각 게이트측을 향하며 게이트 반대측을 향하는 그 양면에 테이퍼진 부분 (11 및 11') 또는 테이퍼진 부분 (12 및 12') 이 각각 형성되어 있다. 즉, 테이퍼진 부분 (11, 11') 은, 게이트측을 향하며 게이트 반대측을 향하는, 제 1 측벽 (2) 과 리브 (7) 의 각각 사이의 연결부의 양면에 형성되어 있고, 테이퍼진 부분 (12, 12') 은, 게이트측을 향하고 게이트 반대측을 향하는, 제 2 측벽 (3) 과 리브 (8) 의 각각의 사이의 연결부의 양면에 형성되어 있다.
하우징 (301) 을 성형할 때, 수지 재료는 게이트 (15) 를 통해 성형 다이 안으로 주입되고 화살표 a 방향으로 흐른다. 그 후, 수지 재료는 화살표 b 내지 g 방향으로 흐른 후 화살표 h 방향으로 흐른다. 이와 같이, 수지 재료는 제 1 내지 제 4 측벽 (2 내지 5) 을 형성하기 위한 제 1 내지 제 4 측벽 형성 영역에 충전된다.
화살표 b 를 할당한 영역을 흐르는 동안, 수지 재료는 또한 화살표 c' 방향으로 흐른다. 이 경우, 수지 재료는, 리브 (7 및 8) 를 형성하기 위한, 성형 다이의 다이면을 따라 흐른다. 또한, 화살표 c 내지 f 처럼 흐르는 동안, 수지 재료는 또한 성형 다이의 다이면을 따라 화살표 d' 내지 g' 방향으로 흐른다. 이와 같이, 수지 재료는 리브 (7 및 8) 를 형성하기 위한 리브 형성 영역에 충전된다. 또한, 화살표 g 및 h 방향으로 흐르는 동안, 수지 재료는 또한 성형 다이의 다이면을 따라 화살표 h' 및 h'' 방향으로 흐른다. 이와 같이, 수지 재료는, 게이트 반대측에 비교적 가깝게 위치된 리브 (7 및 8) 를 형성하기 위한 리브 형성 영역에 충전된다. 이 경우, 수지 재료는 모든 리브 형성 영역으로 원활하게 안내되기 때문에, 수지 재료를 낮은 압력에서 충전하는 것이 가능하다. 그러므로, 리브 (7 및 8) 가 얇게 구성되는 경우에도, 수지 재료가 없는 비충전 부분의 발생을 방지하는 것이 가능하고, 따라서 접촉체 (21) 의 증가된 조밀도를 달성하는 것이 가능하다.
상기 커넥터는, 서로 짝맞춤되는 플러그 커넥터 및 소켓 커넥터 (receptacle connector) 의 각각, FPC 또는 FFC 와 같은 플랫-타입 가요성 케이블에 연결하기 위한 위한 커넥터, 또는 인쇄회로기판을 서로 연결하기 위한 커넥터로서 사용될 수 있다.
하우징은 다양하게 변형될 수 있다. 접촉체 (21) 를 좁은 피치로 배열하는 것이 필요할 경우, 테이퍼진 부분의 형상은 리브 (7 및 8) 의 두께, 피치의 크기, 및 접촉체 (21) 의 형상에 따라 적절하게 구성된다. 예컨대, 각각의 테이퍼진 부분을 규정하는 기울어진 면이 만곡된 면으로서 형성될 수도 있다.
각각의 접촉체 (21) 는, 도 2 에 도시된 것으로 제한되지 않으며, 이런 유형의 커넥터에 사용되는 잘 알려진 형상을 가지는 접촉체일 수도 있다. 일 실시예로서, 각각의 접촉체 (21) 의 단자부 (25) 는, 회로 도전체에 연결되도록 인쇄회로기판의 관통 구멍에 압입되는 유형일 수도 있다.
커넥터의 연결 대상으로서, 짝맞춤 커넥터, 가요성 회로 기판, 또는 FPC 가 있을 수도 있다.
위에서 개시된 예시적인 실시형태의 전체 또는 일부가 이하의 보충 기록으로서 기재될 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
(보충 기록 1)
본 발명의 실시양태에 따르면, 접촉체와 그 접촉체를 유지하는 하우징을 포함하는 커넥터에 있어서, 상기 하우징은, 측벽과, 그 측벽으로부터 연장되어 있는 직사각형 형상의 복수의 리브를 갖고, 상기 리브중 상기 측벽에 인접하는 연결부의 측면에 테이퍼진 부분을 형성하는 것을 특징으로 하는 커넥터가 얻어진다.
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(보충 기록 2)
상기 커넥터에 있어서, 상기 테이퍼진 부분은, 상기 연결부에 있어서의, 상기 하우징을 성형할 때 수지 재료를 주입하는 게이트측에 대향하는 측면에 형성되어도 된다.
상기 커넥터에 있어서, 상기 테이퍼진 부분은, 상기 복수의 리브의 모두에 형성되어도 된다.
상기 커넥터에 있어서, 상기 테이퍼진 부분은, 상기 복수의 리브 중, 상기 하우징을 성형할 때 수지 재료를 주입하는 게이트측에 형성되는 복수의 일부의 리브에만 형성되어도 된다.
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(보충 기록 3)
상기 커넥터에 있어서, 상기 게이트측과는 반대측인 게이트 반대측에 형성되는 복수의 일부의 리브는, 상기 연결부에 있어서의, 상기 게이트 반대측에 대향하는 측면에 상기 테이퍼진 부분을 갖고, 이로써, 상기 테이퍼진 부분을 상기 게이트 측에 갖는 리브와 상기 테이퍼진 부분을 상기 게이트 반대측에 갖는 리브를 상기 하우징에 구비해도 된다.
(보충 기록 4)
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상기 커넥터에 있어서, 상기 복수의 리브는, 상기 연결부에 있어서의, 상기 하우징을 성형할 때 수지 재료를 주입하는 게이트측에 대향하는 측면과, 상기 게이트측과는 반대측인 게이트 반대측에 대향하는 측면의 양방에 상기 테이퍼진 부분을 형성한 것을 갖는 것을 가져도 된다.
(보충 기록 5)
측벽을 구비하는 하우징; 및
상기 측벽을 따라 제 1 방향으로 배열된 접촉체를 포함하고,
상기 하우징은, 각각 제 1 방향에 수직한 제 2 방향으로 측벽으로부터 돌출하며 접촉체 사이에 각각 개재되는 리브를 포함하고, 그리고
상기 리브의 각각은 상기 측벽에 인접한 테이퍼진 부분을 가지는, 커넥터.
(보충 기록 6)
보충 기록 5 에 있어서, 상기 하우징은, 수지 재료를 주입하기 위한 주입 게이트를 구비하는 성형 다이를 사용하여 성형되고, 주입 게이트에 비교적 가깝게 형성된 게이트측 및 주입 게이트로부터 비교적 멀리 형성된 게이트 반대측을 구비하고,
상기 리브는 게이트측과 게이트 반대측 사이에서 순차적으로 배열되며, 그리고
상기 테이퍼진 부분의 각각은 상기 제 1 및 제 2 방향에 대해 기울어져 있는 기울어진 면을 가지는, 커넥터.
(보충 기록 7)
보충 기록 6 에 있어서, 상기 리브의 각각은 게이트측을 향하는 그 면에 상기 테이퍼진 부분을 가지는, 커넥터.
(보충 기록 8)
보충 기록 6 에 있어서, 상기 리브는 게이트측을 향하는 그 면에만 상기 테이퍼진 부분을 각각 가지는 리브를 포함하는, 커넥터.
(보충 기록 9)
보충 기록 8 에 있어서, 상기 리브는 게이트 반대측을 향하는 그 면에만 상기 테이퍼진 부분을 각각 가지는 리브를 더 포함하는, 커넥터.
(보충 기록 10)
보충 기록 8 에 있어서, 상기 리브는 각각 게이트측을 향하고 게이트 반대측을 향하는 리브의 면의 각각에 상기 테이퍼진 부분을 각각 가지는 리브를 더 포함하는, 커넥터.
(보충 기록 11)
보충 기록 6 에 있어서, 상기 리브의 각각은 각각 게이트측을 향하고 게이트 반대측을 향하는 그 면의 각각에 상기 테이퍼진 부분을 가지는, 커넥터.
(보충 기록 12)
보충 기록 5 에 있어서, 상기 리브의 각각은 상기 제 1 및 제 2 방향에 수직한 제 3 방향으로 측벽을 따라 연장되는, 커넥터.
(보충 기록 13)
보충 기록 12 에 있어서, 상기 리브의 각각은 상기 제 3 방향으로 연장되는 실질적으로 직사각형의 평행6면체 부분을 가지며, 상기 테이퍼진 부분은, 상기 제 3 방향에서, 실질적으로 직사각형의 상기 평행6면체 부분의 일부에 형성되어 있는 커넥터.
본 발명을 실시형태 및 변형을 참조하여 설명하였지만, 본 발명은 이것으로 제한되지 않는다. 당업자에 의해 이해될 수 있는 다양한 변화가 본 발명의 범위 내에서 본 발명의 구조 및 상세부분에 대해 이루어질 수 있다.
이제 도 6 및 도 7 을 참조하여, 관련 기술 (1) 로서의 커넥터를 설명한다.
도 6 에 도시된 커넥터는 절연 하우징 (10) 및 이 하우징 (10) 안에 배치된 복수의 도전성 접촉체 (21) 를 포함한다.
도 7 에 도시된 바와 같이, 하우징 (10) 은, 제 1 방향 (A1) 으로 연장되고 사이에 간격을 두고 서로 평행한 제 1 및 제 2 측벽 (20 및 30), 제 1 및 제 2 측벽 (20 및 30) 의 제 1 방향 (A1) 의 단부를 서로 연결하는 제 3 측벽 (40), 및 제 1 및 제 2 측벽 (20 및 30) 의 제 1 방향 (A1) 의 타단부를 서로 연결하는 제 4 측벽 (50) 을 구비한다. 제 1 및 제 2 측벽 (20 및 30) 은 각각 제 1 방향 (A1) 에 수직한 제 2 방향 (A2) 으로 서로를 향하는 내벽면을 가진다. 이 내벽면에는, 실질적으로 직사각형의 평행6면체 형상을 가지며 제 1 방향 (A1) 으로 규칙적인 간격으로 배열되는 복수의 리브 (70 또는 80) 가 각각 일체로 형성되어 있다. 리브 (70 및 80) 의 각각은 제 1 및 제 2 방향 (A1 및 A2) 에 수직한 제 3 방향 (A3) 으로 제 1 또는 제 2 측벽 (20 또는 30) 의 내벽면을 따라 연장된다.
다시 도 6 을 참조하면, 각각의 접촉체 (21) 는, 하우징 (10) 에 의해 지탱되는 지탱부 (23), 연결 대상과의 접촉을 위해 지탱부 (23) 로부터 일측으로 연장되는 접촉부 (24), 및 하우징 (10) 의 바닥면으로부터 외부로 노출되도록 지탱부 (23) 로부터 타측으로 연장되는 단자부 (25) 를 구비한다. 각각의 접촉체 (21) 의 지탱부 (23) 는 제 1 또는 제 2 측벽 (20 또는 30) 의 내벽면을 향하도록 리브 (70 또는 80) 사이에 배치된다.
하우징 (10) 은, 용융된 수지 재료 (이하, 간단히 "수지 재료" 라 함) 를 성형 다이 (도시 생략) 안으로 주입하고 그 후 그 수지 재료를 경화시키는 것을 포함하는 사출 성형에 의해 성형될 수 있다. 성형 다이는 수지 재료를 주입하는데 사용되는 개구부, 즉 게이트 (15) 를 구비한다.
도 7 에 있어서, 성형 다이의 게이트 (15) 의 위치는 성형된 하우징 (10) 과 관련하여 예시적으로 도시되어 있다. 즉, 성형 다이의 게이트 (15) 는 하우징 (10) 의 제 3 측벽 (40) 에 대응하는 위치에 형성된다. 게이트 (15) 를 통해 성형 다이에 수지 재료를 주입한 후, 수지 재료는 하우징 (10) 에 나타낸 화살표 a 내지 d, h, k, m 및 p 처럼 흘러 성형 다이에 충전된 후 경화되어 하우징 (10) 을 성형한다.
이제, 하우징 (10) 을 성형하는 공정을 도 7 을 참조하여 상세하게 설명한다.
게이트 (15) 를 통해 성형 다이에 주입된 수지 재료는 먼저 성형 다이에서 화살표 a 방향으로 흐른다. 그 후, 수지 재료는 성형 다이에서 순차적으로 화살표 b 내지 d 방향으로 흐른다. 그 후, 수지 재료는 성형 다이에서 화살표 h 방향으로 흐른다. 이와 같이, 수지 재료는 제 1 내지 제 4 측벽 (20 내지 50) 을 형성하기 위한 영역에 충전된다.
그 후, 제 1 및 제 2 측벽 (20 및 30) 을 형성하기 위한 영역에 충전된 수지 재료는 성형 다이에서 화살표 k 방향으로 흘러 게이트 (15) 에 가까운 리브 (70 및 80) 를 형성하기 위한 영역에 충전된다. 또한, 제 1 및 제 2 측벽 (20 및 30) 을 형성하기 위한 영역에 충전된 수지 재료는 성형 다이에서 화살표 m 및 p 방향으로 흘러 다른 리브 (70 및 80) 를 형성하기 위한 영역에 순차적으로 충전된다. 이와 같이, 수지 재료는 또한 모든 리브 (70 및 80) 를 형성하기 위한 영역에 충전된다. 수지 재료는 성형 다이에 충전된 후에 경화되고, 따라서 하우징 (10) 이 성형된다.
관련 기술 (1) 의 커넥터의 경우에, 성형 다이에서 제 1 및 제 2 측벽을 형성하기 위한 영역에 충전된 수지 재료는 리브를 형성하기 위한 영역으로 흐르기 때문에, 리브를 형성하기 위한 영역에서 수지 재료의 온도의 하강은 회피될 수 없다. 이는, 증가된 점성 및 감소된 유동성을 갖는 수지 재료가 리브를 형성하기 위한 영역에 충전된다는 것을 의미한다. 따라서, 이 영역에서는 수지 재료가 없는 비충전 부분의 발생 가능성이 있다.
특히, 하우징의 제 1 내지 제 4 측벽 또는 리브가 커넥터의 소형화를 위해 얇게 구성되는 경우, 성형 다이의 대응하는 영역에 수지 재료를 충전하는 것이 어려워지고, 따라서 상기 비충전 부분의 발생 가능성이 증가된다.
한편, 하우징을 성형할 때 수지 재료가 높은 압력에서 충전되는 경우, 성형 다이에서 게이트측에 인접하게 제공된 금속 코어의 파손과 같은 문제의 발생에 대한 염려가 있다.
관련 기술 (1) 의 커넥터에 있어서, 하우징이 수지 재료로 성형될 때, 각각의 리브의 두께는 설정값보다 부분적으로 더 작을 수도 있다. 이 경우, 접촉체 사이의 절연에 있어서 열화의 문제가 발생한다.

Claims (13)

  1. 접촉체와, 그 접촉체를 유지하는 하우징을 포함하는 커넥터에 있어서,
    상기 하우징은, 측벽과, 그 측벽으로부터 연장되어 있는 직사각형 형상의 복수의 리브를 갖고,
    상기 리브중 상기 측벽에 인접하는 연결부의 측면에 테이퍼진 부분을 형성하고,
    상기 테이퍼진 부분은, 상기 연결부에 있어서의, 상기 하우징을 성형할 때 수지 재료를 주입하는 게이트측에 대향하는 측면에 형성되어 있고,
    상기 복수의 리브는, 상기 연결부에 있어서의, 상기 하우징을 성형할 때 수지 재료를 주입하는 게이트측에 대향하는 측면과, 상기 게이트측과는 반대측인 게이트 반대측에 대향하는 측면의 양방에 상기 테이퍼진 부분을 형성한 것을 갖는 것을 특징으로 하는 커넥터.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 테이퍼진 부분은, 상기 복수의 리브의 모두에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 커넥터.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 테이퍼진 부분은, 상기 복수의 리브 중, 상기 하우징을 성형할 때 수지 재료를 주입하는 게이트측에 형성되는 복수의 일부의 리브에만 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 커넥터.
  5. 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게이트측과는 반대측인 게이트 반대측에 형성되는 복수의 일부의 리브는, 상기 연결부에 있어서의, 상기 게이트 반대측에 대향하는 측면에 상기 테이퍼진 부분을 갖고, 이로써, 상기 테이퍼진 부분을 상기 게이트 측에 갖는 리브와 상기 테이퍼진 부분을 상기 게이트 반대측에 갖는 리브를 상기 하우징에 구비한 것을 특징으로 하는 커넥터.
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