KR101186893B1 - 대면적 포토마스크 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 10세대 이상의 TFT LCD의 제조에 사용되는 대면적 포토마스크의 제조공정에 관한 것으로, 특히 대면적 포토마스크의 제조방법에 있어서, 적어도 2 이상의 단위글라스를 이용하여 광학 패턴을 포함하는 포토마스크를 형성하는 1단계와 상기 2 이상의 단위글라스를 접합하는 2단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 10세대 이상의 TFT LCD를 제작하기 위한 대면적 포토마스크를 제조함에 있어서, 단위글라스를 이용하여 패터닝작업을 수행하고, 추후 이를 접합하는 제조공정을 통해, 종래의 8세대 TFT LCD 용 포토마스크 생산설비를 그대로 적용하면서 대면적 기판을 제조함으로써, 생산설비비용을 크게 감축할 수 있는 효과가 있다.

Description

대면적 포토마스크 및 그의 제조방법{Large scale Photo mask and fabricating method of the same for TFT LCD}
본 발명은 종래의 장비를 그래도 이용하면서도 효율적으로 10세대 이상의 TFT-LCD제조를 위한 대면적 포토마스크를 제조하는 기술에 관한 것이다.
일반적으로 TFT-LCD의 제조공정에 사용되는 포토마스크는 투명기판 상에 형성되는 반투과층 또는 차광층을 가지는 구조물이다. 즉, 구체적으로는 포토리소그라피(Photolithography)공정으로 패터닝을 할 때 사용되는 일반적인 포토마스크는, 투명기판과 투명기판상에 형성되며 광을 완전히 투과시키는 광투과부와 광을 완전히 차단시키거나 반투과시키는 패턴부를 가진다.
포토마스크를 제작하기 위해서는 도 1에 도시된 것과 같은 공정을 일번작으로 수행하게 된다. 도시된 순서도로 간략히 설명하면, 투명기판(Qz)를 규격에 맞게 설단하고, 연마하는 공정이 수행되고, 이후에 상기 투명기판의 상부에 차광패턴을 구현하기 위한 Cr층이 스퍼터링된다. 이후 포토레지스트(PR)를 도포하고, 노광, 현상, 에칭공정을 통해 차광패턴을 패터닝한 후, 세정(cleaning) 및 검사, 수정 후, 펠리클막을 부착하고 출하하는 공정단계로 수행된다.
최근 TFT-LCD의 대면적화가 가속화되면서, 이러한 TFT-LCD를 제조하기 위한 포토마스크의 면적도 대면적화하고 있으며, 최근 8세대 TFT-LCD를 제조하기 위한 포토마스크는 그 최대 규격이 가로*세로*높이가 1400*1600*130mm까지 대응가능한 형태로 제조되고 있다.
그러나 최근 8세대의 규격 이상의 10세대 TFT-LCD로 통칭되는 대면적 디스플레이를 제조하기 위해서는 상술한 8세대 TFT-LCD용 포토마스크를 넘어서는 규격이 필요하게 된다. 즉, 10세대 TFT-LCD에 대응되는 포토마스크의 규격은 가로*세로*높이가 1620*1780*170mm를 기본으로 하는바, 기존의 8세대용 포토마스크의 제조공정의 생산라인에서는 위 규격을 전혀 소화할 수 없게 되어 신규 생산설비 라인을 구축해야한다. 즉 10세대용 포토마스크를 제작하기 위해서는 투명기판 사이즈(Size)에 대응 가능한 Cr성막 장비, PR Coating장비, 묘화 장비, 현상 및 에칭 장비, 검사 및 수정 장비, 세정 장비, Pellicle부착 장비 및 위 장비들을 설치 및 운용할 FAB이 필요하고, 이러한 10세대용 Photomask생산 및 제작을 위해서는 약 130 억엔(한화 약 1600억원)의 대규모 투자가 동반되어야 하는바, 막대한 제조설비구축비용의 손실을 가져오게 된다. 아울러 8세대용 생산라인은 그대로 폐기되어야 하는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 10세대 이상의 TFT LCD를 제작하기 위한 대면적 포토마스크를 제조함에 있어서, 단위글라스를 이용하여 패터닝작업을 수행하고, 추후 이를 접합하는 제조공정을 통해, 종래의 생산설비를 그대로 적용하면서 대면적 기판을 제조함으로써, 생산설비비용을 크게 감축할 수 있는 제조공정을 제공하는 데 있다.
상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로, 본 발명은 대면적 포토마스크의 제조방법에 있어서, 적어도 2 이상의 단위글라스를 이용하여 광학 패턴을 포함하는 포토마스크를 형성하는 1단계; 상기 2 이상의 단위글라스를 접합하는 2단계; 를 포함하는 대면적 포토마스크의 제조방법을 제공한다.
특히, 상술한 제조방법에서의 상기 1단계는, 글라스 표면에 차광패턴 또는 반투과패턴을 포함하는 광학패턴을 포토리소그라피로 형성하는 단계로 구성할 수 있다.
나아가 상기 2단계는, 상기 2이상의 단위 글라스를 접합물질로 본딩하는 단계로 구성하거나, 상기 2 이상의 단위글라스를 칩을 이용하여 본딩, 또는 접합물질로 1차 본딩 후 칩을 이용하여 2차본딩하는 복합방식으로 접합하도록 형성할 수 있다.
상술한 공정에서의 상기 1단계의 상기 차광패턴은 Cr 또는 CrOX 중 어느 하나로 형성되며, 상기 반투과패턴은 Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti 을 주원소로 하여, 상기 주원소 물질 또는 상기 주원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합물질에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성될 수 있다(상기 첨자 x,y 및 z는 자연수로서 각 화학 원소의 개수를 의미한다.).
아울러, 본 제조공정에서의 상기 2단계의 접합물질은 폴리뷰티랄계, 에폭시계, 폴리비닐알콜계 및 아크릴계로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질을 이용할 수 있다.
상술한 제조공정에 따라 제조되는 본 발명에 따른 포토마스크는 다음과 같은 구조를 구비한다.
구체적으로, 본 발명에 따른 포토마스크는 표면에 차광패턴 또는 반투과패턴을 구비하는 적어도 2 이상의 단위글라스를 포함하되, 이웃하는 각각의 단위글라스의 일측면이 접합된 구조를 구비한다.
특히, 상기 구조에서의 상기 단위글라스 사이의 접합은 폴리뷰티랄계, 에폭시계, 폴리비닐알콜계 및 아크릴계로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 접합물질로 접합된 구조이거나, 상기 2 이상의 단위글라스를 칩을 이용하여 본딩한 구조, 또는, 접합물질로 1차 본딩 후 칩을 이용하여 2차 본딩하는 복합방식으로 접합하는 구조로 형성될 수 있다.
상술한 구조의 포토마스크에서 상기 차광패턴은 Cr 또는 CrOX 중 어느 하나로 형성되며, 상기 반투과패턴은 Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti 을 주원소로 하여, 상기 주원소 물질 또는 상기 주원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합물질에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성될 수 있음은 상술한 바와 같다.
본 발명에 따르면, 10세대 이상의 TFT LCD를 제작하기 위한 대면적 포토마스크를 제조함에 있어서, 단위글라스를 이용하여 패터닝작업을 수행하고, 추후 이를 접합하는 제조공정을 통해, 종래의 8세대 TFT LCD 용 포토마스크 생산설비를 그대로 적용하면서 대면적 기판을 제조함으로써, 생산설비비용을 크게 감축할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 포토마스크의 제조공정을 도시한 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 포토마스크의 제조공정을 도시한 순서도이다.
도 3은 본 발명에 따른 제조공정을 적용한 공정의 개념도를 도시한 개념도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 발명은 10세대용 또는 10세대를 초과하는 TFT LCD를 제조하기 위한 대면적 포토마스크를 제조함에 있어, 단위기판으로 소형화하여 가공 후 접합하도록 하여 기존의 생산라인을 그대로 이용하여 설비비용을 크게 감축함과 동시에 공정의 효율성을 도모할 수 있는 제조공정을 제공하는 것을 그 요지로 한다.
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 제조공정을 간략히 도시한 순서도 및 개념도로서, 본 발명에 따른 포토마스크의 제조공정은 대면적 포토마스크의 제조방법에 있어서, 적어도 2 이상의 단위글라스를 이용하여 광학 패턴을 포함하는 포토마스크를 형성하는 1단계와 상기 2 이상의 단위글라스를 접합하는 2단계를 포함하는 공정으로 구성할 수 있도록 한다.
즉, 새로운 10세대용 TFT LCD를 제조하기 위한 대면적 포토마스크를 제조하기 위한 새로운 설비라인을 구축하는 대신, 대면적 투명기판을 단위기판으로 절단하여 소형화하고, 이들을 기존의 생산라인에서 차광패턴 구현 및 세정 검사공정을 수행한 후, 이를 접합하는 공정을 구현함으로써, 기존의 생산설비를 그대로 이용하여 신형 대면적 기판을 제조할 수 있어 제조비용을 크게 절감할 수 있는 공정으로 구현할 수 있게 된다.
본 실시예에서는 목적으로 하는 대면적 기판을 2 이상의 단위글라스로 절단하고 연마, 차광패턴 형성, 검사 수정 공정등을 진행할 수 있으나, 일실시예로서 10세대용 기판을 2개의 단위기판으로 형성하여 가공한 후, 완성된 포토마스크를 제조하는 공정을 들어 설명하기로 한다.(또한, 10세대용 포토마스크의 규격을 가로*세로*높이가 1620*1780*17mm라고 한정하여 설명하나, 본 발명의 실시 범위가 여기에 국한되지 않음은 자명하다 할 것이다.)
우선, 10세대용 TFT LCD를 제조하기 위한 대면적 포토마스크의 베이스재인 투명기판을 2개의 단위기판으로 절단한다(S 1단계). 즉, 10세대용 포토마스크의 규격을 가로*세로*높이가 1620*1780*17mm인 경우, 장변을 2등분하여 1620*890*17mm의 단위기판을 형성할 수 있게 된다.
이후, 상기 단위기판을 이용해 순차적인 공정으로 연마공정, 차광패턴을 형성하기 위한 차광물질의 성막, 포토레지스트를 도포하고, 묘화, 현상, 에칭, 세정, 검사 및 수정 공정을 진행한다(S 2단계). 물론 차광패턴의 경우 광을 완전히 차단하는 차광패턴 또는 반투과패턴을 포함하는 광학패턴을 모두 포함하는 개념이다. 이 경우 상기 차광패턴은 Cr 또는 CrOX 중 어느 하나로 형성될 수 있으며, 상기 반투과패턴은 Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti 을 주원소로 하여, 상기 주원소 물질 또는 상기 주원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합물질에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성될 수 있다.
이후, 패턴을 형성한 후에 상기 단위기판들을 접합하는 공정을 수행하게 된다. 접합공정은 필요에 따라 혹은 포토마스크의 제작장비의 기판 사이즈 대응 능력에 따라 상술한 포토마스크의 제조공정 중 묘화공정 이후부터 적용이 가능하며, 본 실시예에서는 검사 및 수정 공정이 진행된 뒤에 접합공정이 이루어지는 것을 일례로 설명하기로 한다.
접합공정은 상기 단위기판들을 열적, 화학적 본딩으로 접합시키는 공정을 의미한다. 이러한 접합방식은 상기 단위기판들을 접합물질로 접합시키거나, 상기 단위글라스를 칩을 이용하여 본딩하거나, 또는 접합물질로 1차 본딩 후 칩을 이용하여 2차본딩하는 복합방식으로 접합시킬 수 있다.
이 경우 이용되는 접합물질은 투명한 성분을 이용하는 것이 더욱 바람직하며, 이러한 물질은 폴리뷰티랄계, 에폭시계, 폴리비닐알콜계 및 아크릴계로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나의 물질을 이용한 접합제를 이용할 수 있다.
또는, 상기 접합물질은 열경화, 광경화, 자외선(UV)경화 타입의 물질을 포함한다. 열경화성 접합물질은 에폭시수지, 시안산 에스테르수지, 비스말레드수지, 폴리이미드수지, 관능기 함유 폴리페니렌 에테르수지, 시안산 에테르수지 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상을 배합한 수지로부터 형성될 수 있다.
또한, 상술한 열경화성 접합물질의 주성분으로는, 유리라디칼에 의해서는 경화되지는 않지만, 가열함에 따라서 삼차원 그물구조를 가져 피착체에 강고하게 접착하는 성질과 내열성을 가질 수 있는 수지이라면 특히 제한되지 않는다. 예를 들면, 에폭시수지, 불포화 폴리에스테르수지, 열경화성 아크릴수지, 페놀수지, 디아릴프탈레이트수지, 폴리우레탄수지 등을 들 수 있다. 이러한 열경화성수지는 단독 또는 2종 이상을 병용해 사용하는 것이 가능하며 특히 경화 전에는 비교적 낮은 용융점도를 가져 부착공정에 적용하기가 용이하며 또한 경화 후에는 높은 내열성을 나타내어야하는 상반된 특성을 발현할 수 있다는 점에서 에폭시수지가 매우 적합하게 이용될 수 있다. 에폭시수지로서는 종래부터 공지된 여러 가지의 에폭시수지가 이용될 수 있지만, 통상은, 분자량300~5000 정도의 것이 바람직하며 접착제 표면 끈적임을 조절하기 용이한 분자량 500~2000 이내인 고체상의 에폭시수지를 사용하는 것이 바람직한데 예를 들면, 비스페놀A형, 비스페놀F형, 비스페놀S형, 취소화비스페놀A형, 수소첨가 비스페놀A형, 비스페놀AF형, 비페닐형, 나프타렌형, 플로렌형, 페놀노볼락형, 크레졸노보락형, 트리스하이드록실페닐메탄형, 테트라페닐메탄형 등의 2 관능 또는 다관능 에폭시수지가 이용될 수 있지만 경화성, 접착성 및 내열,내습성 등의 물성면에서 비교적 우수한 비스페놀A형, 크레졸노볼락형 및 페놀노볼락형 에폭시수지가 바람직하며 이들을 단독 또는 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있다. 아울러, 상기 열경화성 접착성 물질에는 경화제를 더 포함할 수 있으며, 경화반응을 촉진하는 성분으로 1개 이상의 활성화수소를 분자 내에 가지는 화합물이면 특별히 제한 없이 사용할 수가 있으나, 일예로서 이미다졸계, 폴리이소시아네이트계, 아민계,아미드계, 산무수물계, 또는 페놀계 경화제 등이 있으며 이들 중 1종을 단독으로 사용하거나 또는 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 무방하지만 경화물의 고온 내열성 및 잠재성이 우수하다는 점에서 페놀계 경화제를 사용하는 것이 바람직하다. 예를들면 페놀노볼락수지, 크레졸노볼락수지, 비스페놀A노볼락수지, 페놀아랄킬수지, 폴리-p-비닐페놀 t-부틸페놀노볼락수지, 나프톨노볼락수지 등이 적절하게 사용될 수 있다.
UV 경화성 접합물질은 자외선 경화가 가능한 접착제가 여기에 포함되는 것으로, 일례로는 UV경화성 아크릴레이트 수지를 주성분으로 아크릴레이트 작용성 모노머, UV광개시제, 착색제, 분산제 등이 혼합된 물질을 사용할 수 있다.
이러한 접합공정을 마친 후, 펠리클을 부착하고 포장 및 출하하게 된다.
상술한 공정에 따라 제조되는 본 발명에 따른 포토마스크는 다음과 같은 구조를 구비하게 된다.
즉, 글라스의 표면에 차광패턴 또는 반투과패턴을 구비하는 적어도 2 이상의 단위글라스를 포함하되,이웃하는 각각의 단위글라스의 일측면이 접합된 구조를 구비하게 된다.
상기 단위글라스 사이의 접합방식에 따라, 접합물질을 이용하는 경우, 상기 접합물질은 폴리뷰티랄계, 에폭시계, 폴리비닐알콜계 및 아크릴계로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나를 이용하거나, 전술한 다양한 접합물질을 선택하여 사용하는 것도 가능하다.
또는, 상술한 구조의 단위글라스를 칩을 이용하여 본딩하거나, 접합물질로 1차 본딩 후 칩을 이용하여 2차본딩하는 복합방식으로 접합하는 구조로 구현하는 것도 가능하다.
어느 구조를 구비하던, 본 발명은 차광패턴만을 가진 포토마스크 또는 반투고패턴을 구비한 하프톤마스크, 위상반전방식의 마스크 등 다양한 포토마스크의 구조로 구현하는 것이 가능하다.
이 경우 광을 차광하는 차광패턴은 Cr 또는 CrOX 중 어느 하나로 형성되며, 반투과패턴을 구비하는 경우에 상기 반투과패턴은 Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti 을 주원소로 하여, 상기 주원소 물질 또는 상기 주원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합물질에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성될 수 있다.(x는 자연수이다.)
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
S 1: 단위글라스 형성
S 2: 패터닝공정(차광패턴, 반투과패턴)
S 3: 접합공정
S 4: 펠리클 부착공정

Claims (10)

  1. 대면적 포토마스크의 제조방법에 있어서,
    적어도 2 이상의 단위글라스를 이용하여 글라스 표면에 차광패턴 또는 반투과패턴을 포함하는 광학패턴을 포토리소그라피로 구현하여 포토마스크를 형성하는 1단계;
    상기 2 이상의 단위글라스 사이의 대응하는 측면에 접합물질을 도포하여 접합하는 2단계;를 포함하되,
    상기 접합물질은, 접착제 표면 끈적임을 조절하기 용이한 분자량 500~2000 이내인 고체상의 에폭시수지로 비스페놀A형, 비스페놀F형, 비스페놀S형, 취소화비스페놀A형, 수소첨가 비스페놀A형, 비스페놀AF형, 비페닐형, 나프타렌형, 플로렌형, 페놀노볼락형, 크레졸노보락형, 트리스하이드록실페닐메탄형, 테트라페닐메탄형 등의 2 관능 또는 다관능 에폭시수지가 이용될 수 있지만 경화성, 접착성 및 내열,내습성 등의 물성면에서 비교적 우수한 비스페놀A형, 크레졸노볼락형 및 페놀노볼락형 에폭시수지 중 어느 하나 또는 이들 중 2 종 이상을 혼합하여 이루어지며,
    상기 접합물질에는 페놀계 경화제로 페놀노볼락수지, 크레졸노볼락수지, 비스페놀A노볼락수지, 페놀아랄킬수지, 폴리-p-비닐페놀 t-부틸페놀노볼락수지, 나프톨노볼락수지 중 선택되는 어느 하나를 더 포함하는 것을 적용하는 대면적 포토마스크의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 대면적 포토마스크는,
    TFT LCD를 제조하기 위한 대면적 포토마스크로,
    포토마스크의 규격을 가로*세로*높이가 1620*1780*17mm이며, 상기 단위글라스는 상기 대면적 포토마스크의 장변을 2등분하여 가로*세로*높이가 1620*890*17mm로 형성한 것을 적용하는 대면적 포토마스크의 제조방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 1단계의 상기 차광패턴은 Cr 또는 CrOX 중 어느 하나로 형성되며,
    상기 반투과패턴은 Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti 을 주원소로 하여, 상기 주원소 물질 또는 상기 주원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합물질에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성되는 대면적 포토마스크의 제조방법.(상기 첨자 x는 자연수로서 각 화학 원소의 개수를 의미한다.)
  6. 삭제
  7. 표면에 차광패턴 또는 반투과패턴을 구비하는 적어도 2 이상의 단위글라스를 포함하되,
    이웃하는 각각의 단위글라스의 일측면이 접합된 구조로 형성되며,
    상기 접합된 부분에 사용되는 접합물질은,
    상기 접합물질은, 접착제 표면 끈적임을 조절하기 용이한 분자량 500~2000 이내인 고체상의 에폭시수지로 비스페놀A형, 비스페놀F형, 비스페놀S형, 취소화비스페놀A형, 수소첨가 비스페놀A형, 비스페놀AF형, 비페닐형, 나프타렌형, 플로렌형, 페놀노볼락형, 크레졸노보락형, 트리스하이드록실페닐메탄형, 테트라페닐메탄형 등의 2 관능 또는 다관능 에폭시수지가 이용될 수 있지만 경화성, 접착성 및 내열,내습성 등의 물성면에서 비교적 우수한 비스페놀A형, 크레졸노볼락형 및 페놀노볼락형 에폭시수지 중 어느 하나 또는 이들 중 2 종 이상을 혼합하여 이루어지며,
    상기 접합물질에는 페놀계 경화제로 페놀노볼락수지, 크레졸노볼락수지, 비스페놀A노볼락수지, 페놀아랄킬수지, 폴리-p-비닐페놀 t-부틸페놀노볼락수지, 나프톨노볼락수지 중 선택되는 어느 하나를 더 포함하는 것을 적용하는 대면적 포토마스크.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 대면적 포토마스크는,
    가로*세로*높이가 1620*890*17mm인 단위 글라스가 접합된 구조인 대면적 포토마스크.
  9. 삭제
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 차광패턴은 Cr 또는 CrOX 중 어느 하나로 형성되며,
    상기 반투과패턴은 Mo, Si, Ta, W, Al, Cr, Hf, Zr, Me, V, Ni, Nb, Co, Ti 을 주원소로 하여, 상기 주원소 물질 또는 상기 주원소들 중 적어도 두 개 이상이 혼합된 복합 물질이거나, 상기 주원소 또는 복합물질에 C0x, Ox, Nx 중 적어도 하나가 첨가된 물질로 형성되는 대면적 포토마스크.(x는 자연수이다.)





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