KR101148632B1 - 다수의 광전자 반도체 칩을 제조하는 방법 및 광전자반도체 칩 - Google Patents

다수의 광전자 반도체 칩을 제조하는 방법 및 광전자반도체 칩 Download PDF

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Abstract

본 발명은 각각 하나 이상의 반도체 층을 갖는 다수의 구조 요소들을 각각 포함하는 다수의 광전자 반도체 칩을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법에서는 기판 및 성장 표면을 포함하는 칩 복합체 베이스(chip composite base)가 제공된다. 상기 성장 표면 위에는 다수의 윈도우를 갖는 마스크 재료층이 형성되며, 상기 윈도우들의 대부분은 1㎛ 이하의 평균 확산(average spread)을 보인다. 이 경우, 후속 방법 단계에서 성장할 반도체 층의 재료는 상기 마스크 재료 위에서 실질적으로 성장할 수 없거나, 또는 성장 표면에 비해 성장 정도가 현저히 저하되도록 선택된다. 이어서 반도체 층들이 윈도우 내부에 놓이는 성장 표면 영역에 실질적으로 동시에 적층된다. 또 다른 방법 단계에서는 적층된 재료를 포함하는 칩 복합체 베이스가 분리되어 반도체 칩들을 형성한다.
또한, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 광전자 반도체 칩에도 관련된다.

Description

다수의 광전자 반도체 칩을 제조하는 방법 및 광전자 반도체 칩{METHOD FOR THE PRODUCTION OF A PLURALITY OF OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIPS AND OPTO-ELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP}
본 특허 출원은 독일 특허 출원 제 10335080.2호를 우선권으로 청구하며, 상기 우선권의 공개 내용은 인용 방식으로 본 출원 내에 기록된다.
본 발명은 각각 하나 이상의 반도체 층을 갖는 다수의 구조 요소를 각각 포함하는 다수의 광전자 반도체 칩을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법에서는 구조 요소들의 반도체 층들이 선택적 에피택셜 성장법에 의해 성장된다. 또한, 본 발명은 상기 방법으로 제조된 광전자 반도체 칩에 관한 것이다.
상기 방식의 광전자 반도체 칩 및 상기 광전자 반도체 칩의 적절한 제조 방법은 예컨대 DE 199 11 717 A1에 기술되어 있다. 그러한 광전자 반도체 칩은 예컨대 전자기 방사를 일으키는 활성층을 포함하는 에피택셜 성장된 반도체 층 시퀀스를 포함하는 다수의 방사선 추출(radiation extraction) 소자를 포함한다. 그 결과, 상기 소자가 더 개선된 방사선 추출 특성을 보인다.
각각의 방사선 추출 소자는 커버면 위에 링 콘택을 가지며, 링 콘택들은 도전 브리지를 통해 서로 연결된다. 이는 방사선 추출 소자들을 도전 접촉시키기 위 한 비교적 복잡한 방식이며, 상기 방사선 추출 소자들이 소정의 최소 크기를 가져야 하는 것을 요건으로 한다.
본 발명의 목적은, 도입부에 언급한 방식의 광전자 반도체 칩을 제조하는 개선된 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 한 목적은, 상기 방식의 방법으로 제조된, 종래의 반도체 칩보다 개선된 특성을 갖는 반도체 칩을 제공하는 것이다.
상기 목적은 청구항 제1항의 특징들을 갖는 제조 방법 및 청구항 제14항의 특징들을 갖는 광전자 소자에 의해 달성된다. 상기 방법의 바람직한 개선예들은 청구항 제2항 내지 제13항의 대상이다.
본 발명에 따르면 도입부에 언급한 방식의 다수의 광전자 반도체 칩을 제조하기 위한 방법은 적어도
- 기판 및 성장 표면을 포함하는 칩 복합체 베이스를 제공하는 단계;
- 성장 표면 위에 대부분 1㎛ 이하의 평균 확산(spread)을 보이는 다수의 윈도우를 포함하는 마스크 재료층을 형성하고, 이때 마스크 재료는 후속 방법 단계에서 성장할 반도체 층의 반도체 재료가 상기 마스크 재료 위에서 실질적으로 성장할 수 없거나, 또는 성장 표면에 비해 성장 정도가 현저히 저하되도록 선택되는 단계;
- 반도체 층들이 상기 윈도우 내부에 놓인 성장 표면 영역 위에 거의 동시에 성장하는 단계; 및
- 적층된 재료를 포함하는 칩 복합체 베이스가 분리되어 반도체 칩들을 형성하는 단계를 포함한다.
이와 관련하여 "확산(spread)"이라 함은, 마스크 재료층의 주 연장면 내에서 연장되는 한 직선 위에 투영되는 윈도우의 길이를 의미한다. 따라서 평균 확산은 모든 방향에 대해 평균된, 윈도우의 확산이다.
마스크 재료층 내의 윈도우들이 더 작으면 더 큰 면적 밀도에서 더 작은 구조 요소들이 형성될 수 있다. 이는 소자 내에서 발생한 전자기 방사선 추출 특성이 다소 개선되는 것과 같은, 소자들의 특성 개선을 야기할 수 있다.
칩 복합체 베이스는 기판 위에 에피택셜 성장된 하나 이상의 반도체 층을 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 성장 표면은 에피택셜 성장된 반도체 층의, 기판에서 먼 쪽에 놓인 면의 표면이다.
칩 복합체 베이스는 상기 방법의 한 바람직한 실시예에서 기판 위에 에피택셜 성장된 반도체 층 시퀀스를 포함하며, 상기 반도체 층 시퀀스는 전자기 방사선을 방출하는 활성 구역을 포함한다. 그에 상응하여, 성장 표면은 반도체 층 시퀀스의, 기판에서 먼 쪽에 놓인 면의 표면이다. 이어서 성장 표면 위에 적층되는 구조 요소들의 반도체 층들이 예컨대 칩 복합체 베이스 내에서 발생하는 전자기 방사선 추출을 개선하는 목적을 충족시키는 구조물을 형성한다.
그에 대한 대안으로 또는 부가로 구조 요소들이 각각, 전자기 방사선을 방출하는 활성 구역을 포함하는 에피택셜 성장된 반도체 층 시퀀스를 포함한다.
마스크 재료층에 바람직한 재료들은 SiO2, SixNy 또는 Al2O3를 함유한다.
구조 요소들의 반도체 층들이 성장된 후, 상기 반도체 층들 위에 바람직하게 도전 접촉 재료로 이루어진 층이 적층되고, 상기 접촉 재료가 활성 구역으로부터 방출되는 전자기 방사선을 투과시킴에 따라 더 많은 구조 요소들의 반도체 층들이 접촉 재료에 의해 서로 도전 연결된다. 그 결과, 간단하게 전기 접촉 구조물들이 형성될 수 있고, 상기 구조물들을 통해 추가로 소자 내에서 발생하는 전자기 방사선의 일부가 흡수된다.
본 발명의 한 실시예에서는 반도체 층들의 성장 이후 마스크 재료층이 목적에 맞게 적어도 부분적으로 제거된다.
상기 방법의 또 다른 한 실시예에서는 반도체 층 시퀀스들의 성장 이후 바람직하게는 대안적으로 또는 부가로 마스크 재료의 제거를 위해 성장 표면 위로 평탄화 층이 적층된다. 그 결과, 특히 인접하는 반도체 층들의 굴절률보다 더 작은 굴절률을 가진 재료가 선택되는 경우에 광추출 특성이 개선될 수 있다.
평탄화 층은 유전 특성을 갖는 재료를 함유하는 것이 바람직하다.
구조 요소들의 반도체 층들의 성장시 성장 조건들은 반도체 층들이 전자기 방사선의 추출에 바람직한 형태, 예컨대 적어도 거의 렌즈와 같은 형태로 형성되도록 설정되고, 성장 동안에 선택적으로 또는 부가적으로 변하는 것이 바람직하다.
마스크 재료층 및 반도체 층들의 성장은 유기금속 기상 성장법(MOVPE = metal-organic vapor-phase epitaxy)에 의해 이루어지는 것이 특히 바람직하다.
광전자 반도체 칩은 본 발명에 따른 방법 또는 상기 방법의 한 실시예에 따라 제조되는 것을 특징으로 한다.
상기 방법 및 상기 광전자 반도체 칩의 또 다른 장점들, 바람직한 실시예들 및 개선예들은 하기에서 도 1a 내지 도 3과 관련하여 설명되는 실시예들을 통해 제시된다.
도 1a 내지 1d는 본 발명에 따른 방법의 한 실시예의 여러 단계 동안의 성장 표면의 단면을 개략적인 평면도로 도시한 것이다.
도 2는 광전자 소자의 제 1 실시예의 한 섹션의 개략적인 단면도이다.
도 3은 광전자 소자의 제 2 실시예의 한 섹션의 개략적인 단면도이다.
실시예들 및 도면들에서 동일한 구성 요소들 또는 동일 작용을 하는 구성 요소들에는 동일한 도면 부호가 표시되어 있다. 도시된 구성 요소들 및 상기 구성 요소들의 크기 비율은 실축척과 다르다. 오히려 도면의 일부 세부적인 부분들은 더 나은 이해를 돕기 위해 과도하게 크게 도시되어 있다.
도 1a 내지 도 1d에는 마스크 재료(1)로부터 마스크 재료층(11)이 성장하는 동안의 성장 표면(3)의 단면이 각각 시간순으로 도시되어 있다. 이때, 마스크 재료층(11)은 통계적으로 분할된 다수의 윈도우가 형성되도록 원위치에서(in situ) 아직 닫히지 않은 층으로 성장된다. "원위치"라 함은, 소자의 반도체 층들이 성장하는 것처럼, 동일한 에피택셜 리액터(epitaxial reactor) 내에서 성장이 이루어지는 것을 의미한다. 대안으로, 종결된 마스크 재료층도 성장될 수 있으며, 후속하여 상기 마스크 재료층 내에 포토리소그래피 및 에칭을 통해 윈도우들이 형성된다.
성장 표면(3)은 예컨대 n-GaAs로 형성된 기판의 면일 수 있으며, 마스크 재료(1)는 예컨대 SixNy로 형성된다.
마스크 재료(1)의 성장은 마스크 재료(1)로부터 미세결정들이 형성되는, 성장 표면(3)의 개별 지점들에서 시작된다. 마스크 재료(1)로부터 형성된 미세결정들은 추후 진행 단계에서 횡방향으로 성장하고(도 1b 내지 1d 참조), 이때 성장 조건들은 예컨대 2차원 성장이 우세하게 일어나도록, 다시 말해 마스크 재료(1)로부터 형성된 미세결정들이 동일 평면에서 성장 표면에 주로 평행하게 성장하고 단지 극미한 정도로만 성장 표면에 수직으로 성장하도록 설정될 수 있다. 대안으로 성장 조건들의 적절한 설정에 의해 미세결정의 3차원 성장, 즉, 가능한 모든 성장 방향으로의 성장 속도가 거의 유사하거나 동일한 성장이 우세하게 일어날 수도 있다.
여기서 성장 조건이라 함은, 예컨대 에피택셜 리액터 내 압력, 온도, 재료 흐름 및 성장 기간과 같은 외부에서 조정 및 제어 가능한 가변 파라미터를 의미한다. 특정 성장 특성곡선을 획득하기 위한 상기와 같은 파라미터들의 정확한 값들은 변동이 클 수 있고, 예컨대 에피택셜 리액터의 분할(구획화) 및 구조적 치수 결정 또는 성장될 재료에 따라 달라질 수 있다.
성장 조건들의 설정을 통해 마스크 재료층의 성장시 윈도우의 형태 또는 크기를 변동시킬 수 있을 뿐만 아니라, 예컨대 성장 표면 위에 윈도우가 형성되는 면적 밀도를 조정할 수 있는 장점이 얻어진다.
닫히지 않은 SixNy 층의 제조는 예컨대 MOCVD 리액터 내에서 SiH4와 NH3를 적 절한 리액터 온도에서 결합시킴으로써 이루어지며, 상기 리액터 온도는 통상 500℃ 내지 1100℃의 범위 내에 놓일 수 있다. 또는 리액터 온도가 상기 범위보다 위 또는 아래에 놓일 수도 있다. 이러한 방법은 예컨대 Phys. Stat. Sol. (a)(188, No.2 (2001), 659-662, Hageman, P.R. 외 공저)에 기술되어 있으며, 그 내용은 인용의 형태로 본 문서에 포함될 것이다. 대안으로 테트라에틸 실리콘(Si(C2H5)4) 또는 에피택셜 성장에 적합한 유사한 Si 함유 화합물도 Si 소스로서 사용될 수 있다.
도 1d에 도시된 성장 단계에서는 마스크 재료층(11)이 완전히 형성된다. 상기 마스크 재료층은 형태가 변하며 개구면들을 갖는, 통계적으로 분포된 다수의 윈도우(2)를 포함하고 있다. 증착 조건은 대부분의 윈도우가 1㎛ 미만의 평균 확산을 갖도록 선택된다. 윈도우의 확산이 작음으로써 더 작은 구조 요소들이 많이 생성되고, 예컨대 소자 구조물로부터의 방사선 추출이 더 개선될 수 있다.
이어서 상기 윈도우(2) 내부에 놓이는 성장 표면(3) 영역에 예컨대 반도체 층 시퀀스들(8)이 선택적으로 증착된다(도 2 또는 도 3 참조). 상기 반도체 층 시퀀스들은 예컨대 인화물-화합물 반도체들을 기재로 할 수 있고, 바람직하게는 InnGamAl1-n-mP (0≤n≤1, 0≤m≤1 및 n+m≤1)와 같은 물질을 함유할 수 있다. 이 경우 상기 물질은 하나 이상의 도펀트 및 재료의 물리적 특성들을 실질적으로 변동시키지 않는 부가 성분들을 함유할 수 있다.
반도체 층 시퀀스(8)는 구조 요소(12)를 형성한다. 본 발명의 범주에서, 더 많은 구조 요소들의 반도체 층들이 중첩되거나, 더 많은 구조 요소들이 하나 이상의 공통 반도체 층을 갖는 것도 가능하다. 이는 예컨대 인접한 구조 요소들(12)의 반도체 층들이 부분적으로 또는 전체적으로 함께 성장할 때까지, 반도체 층 시퀀스(8)가 마스크 재료층에 걸쳐서 횡으로 성장하는 경우이다. 그러한 경우, 인접하는 2개의 구조 요소 사이의 경계선이 마스크 재료층 위에 존재하는 반도체 재료가 최소 두께를 갖는 선(line)을 따라 연장한다.
도 2에서는 구조 요소(12)를 형성하는 반도체 층 시퀀스(8)가 활성 구역을 가지며, 상기 활성 구역은 전류가 공급되면 전자기 방사선을 방출한다. 물론 구조 요소(12)가 활성 구역을 갖지 않을 수도 있으며, 예컨대 렌즈 형태를 갖는 하나의 반도체 층으로만 형성될 수도 있다.
활성 구역은 예컨대 발광 다이오드의 경우 종래 기술에 따른 pn 접합을 포함할 수 있다. 그러한 구조물은 당업자에게 공지되어 있으므로 더 상세히 설명하지 않는다.
윈도우들이 서로 상이한 크기의 개구면을 가짐으로써, 상기 윈도우 내에 증착되는 반도체 층 시퀀스(8)들의 층들에 대해 상이한 재료 조성이 나타난다. 따라서 전자기 방사선을 방출하는 구조물에서 상이한 방출 스펙트럼이 발생하기 때문에, 그러한 방식의 방사선 방출 소자들을 사용함으로써 종래의 소자들을 사용하는 것보다 전체적으로 더 넓은 방출 스펙트럼이 획득된다.
도 2에는 상기 방법으로 제조된 광전자 소자의 한 섹션의 개략적인 단면도가 도시되어 있다. 칩 복합체 베이스(5)는 기판(4) 및 상기 기판 위에 에피택셜 성장된 반도체 층 또는 반도체 층 시퀀스(6)를 포함하고, 상기 반도체 층 시퀀스의 기판(4)에서 먼 쪽의 면이 성장 표면(3)을 형성한다. 성장 표면(3) 위에서 마스크 재료층(11)이 에피택셜 성장을 하고, 상기 마스크 재료층은 도시된 소자의 섹션 내에 윈도우를 가지며, 상기 윈도우 내로 반도체 층 시퀀스(8)가 선택적으로 증착된다.
마스크 재료층(11)의 최대 두께는 예컨대 수 nm에 불과할 수 있으며, 반도체 층 시퀀스(8)의 높이보다 작다. 그 결과, 반도체 층 시퀀스(8)의 반도체 층들이 그들을 둘러싸는 마스크 재료층(11)의 두께보다 더 큰 값의 높이부터 횡방향 성장을 통해 마스크 재료층(11)에 걸쳐 부분적으로도 성장하게 된다. 상기 마스크 재료층(11)의 평균 두께는 하나의 구성 요소의 반도체 층들의 총 두께보다 얇다.
반도체 층 시퀀스(8)가 렌즈 형태를 갖도록 상기 반도체 층 시퀀스(8)의 성장을 위한 성장 조건들이 선택되거나, 또는 상기 반도체 층 시퀀스(8)가 렌즈 형태를 갖도록 상기 반도체 층 시퀀스(8)의 성장을 위한 미리-정의된 성장 조건들이 변화된다. 대안으로 상기 형태는 원뿔대형 또는 다면체형일 수 있다.
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이와 관련하여 성장 조건의 개념은 전술한 마스크 재료(1)의 성장과 유사한 의미가 있다. 이때 압력, 온도, 재료 흐름 및 성장 기간과 같은 파라미터에 대한 소정의 값들을 설정하는 것이 반도체 재료들의 성장에 얼마나 정확하게 영향을 미치는지는 성장할 반도체 재료의 종류 및 에피택셜 시스템(epitaxial system)의 종류뿐만 아니라 마스크 재료(1)의 종류에 따라 크게 좌우된다.
도 2에 도시된 실시예에서는 마지막으로 성장한 반도체 층이 반도체 층 시퀀스(8)의 나머지 모든 반도체 층들을 덮는다. 이를 통해 도전 접촉 재료로 이루어진 층(7)이 예컨대 전체 성장 표면(3)에 걸쳐서 또는 반도체 층 시퀀스(8) 및 마스크 재료(1) 위에 평평하게 제공될 수 있으며, 이때 반도체 층 시퀀스(8)의 서로 다른 반도체 층들은 전기적으로 단락되지 않는다. 접촉 재료(7)로는 예컨대 인듐 주 석 산화물(ITO = indium tin oxide)이 적합하며, 또는 두께가 얇아서 반도체 층 시퀀스(8)의 활성 구역으로부터 방출되는 방사선을 투과시키는, 백금과 같은 수 원자층(atom layer) 두께의 금속층도 적합하다.
ITO를 함유한 접촉 재료가 전술한 방식의 얇은 금속층을 추가로 가질 수 있으며, 상기 금속층은 ITO보다 먼저 증착된다. 그 결과, 접촉 재료(7)와 반도체 층 시퀀스(8) 사이의 접촉의 전도성이 개선될 수 있다.
접촉 재료(7)와 반도체 층 시퀀스(8) 사이에 도전 접촉이 이루어지려면, 접촉 재료(7)가 제공된 후 소자가 통상 적절한 온도에서 충분한 시간 동안 템퍼링되어야 한다. 이러한 조치는 당업자에게 공지되어 있으므로 상세히 설명하지 않는다.
상기 템퍼링 전 또는 템퍼링 후에 접촉 재료(7) 위에 본딩 패드(bonding pad)가 제공되고, 상기 본딩 패드 위로 반도체 층 시퀀스의 한 면이 예컨대 본딩 와이어에 의해 접촉될 수 있다(도시되지 않음).
기판(4)의 배면, 즉 성장 표면에서 먼 쪽에 놓인 면에 접촉 재료가 제공되고 상기 기판이 상기 접촉 재료와 도전 연결되면, 아직 결합된 상태에 있는 소자들에 상기 본딩 패드 및 배면 접촉을 통해 직접 전압을 인가하여 상기 소자들의 기능성을 검사할 수 있다(직접 프로빙(direct probing)).
도 2에 도시된 단면을 갖는 소자에서는 대안으로 또는 추가로 기판(4) 위에 배치된 반도체 층 시퀀스(6)도 전자기 방사선을 방출하는 활성 구역을 가질 수 있다. 소자에 전압이 인가되면 마스크 재료층(11)을 통하는 전류가 윈도우(2)의 영역으로 제한되므로, 광 발생 영역이 윈도우(2)의 아래에 놓이는, 실질적으로 반도체 층 시퀀스(6)의 활성 구역의 일부분으로 제한된다.
도 3에는 소자의 제 2 실시예의 단면이 도시되어 있다. 도 2에 기초하여 설명한 실시예와 달리, 본 실시예에서의 제조 방법은 반도체 층 시퀀스(8)의 제공 이후 마스크 재료층(11)을 제거하는 단계를 포함하며, 이는 선택적 에칭을 통해 이루어질 수 있다.
이어서 성장 표면(3) 및 반도체 층 시퀀스(8) 위에 평탄화 층(10)이 제공되고, 상기 평탄화 층은 예컨대 반도체 층 시퀀스(8)의 재료들보다 더 작은 굴절률을 갖는 유전체로 형성될 수 있다.
반도체 층 시퀀스(8)가 도전 접촉될 수 있도록 하기 위해, 후속 단계에서 상기 평탄화 층(10)이 적어도 부분적으로 얇아지거나 제거됨으로써 반도체 층 시퀀스(8)의 가장 바깥쪽 층이 노출된다. 이어서 상기 노출된 층 위로, 도 2에 기초하여 설명한 실시예와 유사하게, 도전 접촉 재료(7)가 적층되어 템퍼링된다.
이어서 상기 적층된 재료를 포함하는 칩 복합체 베이스(5)가 분리되어 다수의 광전자 반도체 칩을 형성할 수 있다. 상기 반도체 칩 각각은 다수의 구조 요소(12)를 포함한다.
본 발명의 보호 범위가 실시예들에 기초한 본 발명의 설명에 의해 제한되지는 않는다. 예컨대 마스크 재료층 내 윈도우들은 상기 윈도우들 내에서 준 1차원 반도체 소자 구조물들이 성장하도록 작게 형성될 수 있다. 본 발명은 각각의 새로운 특징 및 각각의 특징들의 조합, 특히 청구항들에 제시된 각각의 특징 조합들을 포함하며, 이는 상기 조합이 청구의 범위 내에 명백하게 제시되어 있지 않더라도 그러하다.

Claims (14)

  1. 각각 하나 이상의 반도체 층을 갖는 다수의 구조 요소들을 각각 포함하는 다수의 광전자 반도체 칩들을 제조하기 위한 방법으로서, 적어도
    기판 및 성장 표면을 포함하는 칩 복합체 베이스(chip composite base)를 제공하는 단계;
    상기 성장 표면 위에 1㎛보다 작거나 또는 1 ㎛와 같은 평균 확산(spread)을 보이는 다수의 윈도우들을 포함하는 마스크 재료층을 형성하는 단계 ? 마스크 재료는 후속 방법 단계에서 성장할 반도체 층의 반도체 재료가 상기 마스크 재료 위에서 성장할 수 없거나, 또는 상기 성장 표면에 비해 성장 정도가 저하되도록 선택됨 ?;
    상기 반도체 층 시퀀스들을 상기 윈도우 내부에 놓인 성장 표면 영역들 위에 실제로 동시에 성장시키는 단계 ? 이 경우 상기 반도체 층 시퀀스들 각각은 전자기 방사선을 방출하는 활성 구역을 포함하고 그리고 구조 요소를 형성함 ? ; 및
    적층된 재료를 포함하는 상기 칩 복합체 베이스가 분리(singulate)되어 반도체 칩들을 형성함으로써 모든 반도체 칩들 각각이 다수의 구조 요소들을 갖는 단계
    를 포함하는,
    다수의 광전자 반도체 칩들을 제조하기 위한 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 마스크 재료는 SiO2, SixNy 또는 Al2O3를 함유하는,
    다수의 광전자 반도체 칩들을 제조하기 위한 방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 반도체 층들이 성장된 후, 상기 반도체 층들 위에 상기 활성 구역으로부터 방출되는 전자기 방사선을 투과시키는 도전 접촉 재료로 이루어진 층이 적층됨에 따라 여러 구조 요소들의 반도체 층들이 상기 접촉 재료에 의해 서로 도전 연결되는,
    다수의 광전자 반도체 칩들을 제조하기 위한 방법.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 마스크 재료층의 평균 두께가 하나의 구성 요소의 반도체 층들의 총 두께보다 얇은,
    다수의 광전자 반도체 칩들을 제조하기 위한 방법.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 마스크 재료층은 상기 반도체 층들이 성장된 후에 적어도 부분적으로 제거되는,
    다수의 광전자 반도체 칩들을 제조하기 위한 방법.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 반도체 층 시퀀스들이 성장된 후 상기 성장 표면 위에 평탄화 층이 적층되는,
    다수의 광전자 반도체 칩들을 제조하기 위한 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 평탄화 층을 위해 상기 반도체 층들의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 재료가 선택되는,
    다수의 광전자 반도체 칩들을 제조하기 위한 방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 평탄화 층을 위해 유전 특성을 갖는 재료가 선택되는,
    다수의 광전자 반도체 칩들을 제조하기 위한 방법.
  9. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 반도체 층들의 성장을 위한 성장 조건들은 상기 구조 요소들의 반도체 층들이 렌즈 형태, 원뿔대 형태 또는 다면체 형태를 형성하도록 설정되거나, 또는
    상기 반도체 층들의 성장을 위한 미리 설정된 성장 조건들은 상기 구조 요소들의 반도체 층들이 렌즈 형태, 원뿔대 형태 또는 다면체 형태를 형성하도록 성장 동안 변경되는,
    다수의 광전자 반도체 칩들을 제조하기 위한 방법.
  10. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 반도체 층들의 성장이 유기금속 기상 성장법(MOVPE = metal-organic vapor-phase epitaxy)에 의해 이루어지는,
    다수의 광전자 반도체 칩들을 제조하기 위한 방법.
  11. 1㎛보다 작거나 또는 1㎛와 같은 평균 확산을 보이는 다수의 윈도우들을 구비하는 마스크 재료 층을 갖는 성장 표면 및 기판을 포함하는 광전자 반도체 칩으로서,
    상기 반도체 칩은 상기 윈도우 내부에 놓인 성장 표면 영역들 위에 배치된 다수의 구조 요소들을 포함하고, 상기 구조 요소들은 각각 상기 반도체 층 시퀀스에 의해 형성되며, 상기 반도체 층 시퀀스는 전자기 방사선을 방출하는 활성 구역을 포함하는,
    광전자 반도체 칩.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 다수의 구조 요소들이 상기 활성 구역으로부터 방출되는 전자기 방사선을 투과시키는 도전 접촉 재료로 이루어진 층에 의해 서로 도전 연결되는,
    광전자 반도체 칩.
  13. 삭제
  14. 삭제
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