KR101138592B1 - 미세 피치 범프를 구비한 기판과 이의 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 108
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0364—Conductor shape
- H05K2201/0367—Metallic bump or raised conductor not used as solder bump
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0502—Patterning and lithography
- H05K2203/054—Continuous temporary metal layer over resist, e.g. for selective electroplating
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
- Y10T29/49165—Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base
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Abstract
본 발명은 미세 피치 범프를 구비한 기판과 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 회로 패턴이 형성된 코아층에 솔더 레지스트를 적층하여 솔더 레지스트층을 형성하는 단계; 솔더 레지스트층 상면에 시드층(Seed Layer)을 형성하는 단계; 시드층 상면에 드라이 필름를 적층하여 드라이 필름층을 형성하는 단계; 솔더 레지스트층, 시드층 및 드라이 필름층을 동시에 가공하여 홀을 형성하는 단계; 및 상기 홀에 구리 충전 도금을 수행하고, 시드층 및 드라이 필름층을 제거하여 구리 포스트 범프를 형성하는 단계;를 포함하여, 솔더 레지스트층과 드라이 필름층에 동일한 크기의 홀을 동시에 가공하기 때문에 구리 포스트 범프의 정합도를 향상시킬 수 있으며, 이로 인해 범프의 미세 피치 형성을 실현할 수 있다는 효과를 기대할 수 있다.
Description
본 발명은 미세 피치 범프를 구비한 기판과 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 제조 시 적층된 솔더 레지스트(SR)층과 드라이 필름(DF)층에 동일한 크기의 홀을 동시에 가공하여 구리 포스트 범프의 정합도를 향상시키고, 이로 인해 범프의 미세 피치를 형성할 수 있도록 하기 위한 미세 피치 범프를 구비한 기판과 이의 제조 방법에 관한 것이다.
전자기기의 고성능화 및 소형화 추세에 따라 반도체 칩 단자 수는 현저하게 증가되고 있으며, 이에 따라, 신호 전달 속도를 향상시키기 위하여 패키지(Package) 기판이 박형화되고 있는 실정이다.
이에 따라, 기판과 칩을 연결하는 범프 피치(Bump Pithc) 또한 미세화되고 있으며 이를 대응할 수 있는 기술로 구리 포스트 범핑(Cu Post Bumping) 기술 개발이 진행중에 있다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 기판 제조 시 솔더 레지스트층과 드라이 필름층에 동시에 홀 가공을 수행하여 미세 피치(Fine Pitch) 대응 기술인 구리 포스트 범핑(Cu Post Bumping) 중 미세화를 가능하도록 하기 위한 미세 피치 범프를 구비한 기판과 이의 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 의한 미세 피치 범프를 구비한 기판 제조 방법은, 회로 패턴이 형성된 코아층에 솔더 레지스트를 적층하여 솔더 레지스트층을 형성하는 단계; 솔더 레지스트층 상면에 시드층(Seed Layer)을 형성하는 단계; 시드층 상면에 드라이 필름을 적층하여 드라이 필름층을 형성하는 단계; 솔더 레지스트층, 시드층 및 드라이 필름층을 동시에 가공하여 홀을 형성하는 단계; 및 상기 홀에 구리 충전 도금을 수행하고, 시드층 및 드라이 필름층을 제거하여 구리 포스트 범프를 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 솔더 레지스트층, 시드층 및 드라이 필름층에 형성된 홀의 너비가 서로 동일하도록 홀을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 회로 패턴은 코아층 상면 또는 하면에 형성된 것이 바람직하다.
이에 더하여, 상기 솔더 레지스트는 코아층을 기준으로 상면 또는 하면에 적층되는 것이 바람직하다.
다른 본 발명의 미세 피치 범프를 구비한 기판은, 회로 패턴이 형성된 코아층; 코아층을 기준으로 상면 또는 하면에 적층된 솔더 레지스트층; 상기 솔더 레지스트층 상면에 형성된 시드층; 상기 시드층 상면에 형성된 드라이 필름층; 상기 솔더 레지스트층, 시드층 및 드라이 필름층을 관통하는 홀; 및 상기 홀에 구리 충전 도금을 통해 형성되는 구리 포스트 범프;를 포함할 수 있다.
여기에서, 상기 솔더 레지스트층, 시드층 및 드라이 필름층에 형성된 홀의 너비가 서로 동일하도록 홀을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 회로 패턴은 코아층 상면 또는 하면에 형성된 것이 바람직하다.
이에 더하여, 상기 솔더 레지스트층은 코아층을 기준으로 상면 또는 하면에 적층되는 것이 바람직하다.
본 발명의 미세 피치 범프를 구비한 기판과 이의 제조 방법은, 솔더 레지스트층과 드라이 필름층에 동일한 크기의 홀을 동시에 가공하기 때문에 구리 포스트 범프의 정합도를 향상시킬 수 있으며, 이로 인해 범프의 미세 피치 형성을 실현할 수 있다는 효과를 기대할 수 있다.
또한, 본 발명은 범프 다이 사이즈가 종래에 비해 작아지기 때문에, 미세 피치가 가능하다는 장점이 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명에 의한 미세 피치 범프를 구비한 기판의 제조 공정을 순차적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 미세 피치 범프를 구비한 기판을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1 내지 도 5는 본 발명에 의한 미세 피치 범프를 구비한 기판의 제조 공정을 순차적으로 나타내는 도면이다.
도시하는 바와 같이, 미세 피치 범프를 구비한 기판(100)은 코아층(110), 솔더 레지스트층(150), 시드층(170), 드라이 필름(Dry Film: DF)층(190), 홀(210) 및 구리 포스트 범프(230)를 포함한다.
보다 상세히 설명하면, 코아층(110)은 상면에 회로 패턴(130)이 형성될 수 있다.
여기에서, 회로 패턴(130)은 코아층(110) 상면 또는 하면에 형성될 수 있다.
솔더 레지스트층(150)은 코아층(110)을 기준으로 상면 또는 하면에 적층될 수 있다.
시드층(170)은 솔더 레지스트층(150) 상면에 형성될 수 있다.
드라이 필름층(190)은 시드층(170) 상면에 형성될 수 있다.
홀(210)은 솔더 레지스트층(150), 시드층(170) 및 드라이 필름층(190)을 관통하도록 형성될 수 있다.
여기에서, 홀은 솔더 레지스트층(150), 시드층(170) 및 드라이 필름층(190)에 형성된 홀의 너비가 서로 동일하도록 형성될 수 있다. 여기서, 솔더 레지스트층과 드라이 필름층에 형성된 홀의 사이즈가 동일하기 때문에, 이후 일체 형태의 포스트 범프를 형성할 수 있는 것이다.
구리 포스트 범프(230)는 홀(210)에 구리 충전 도금을 통해 형성될 수 있다.
여기에서, 구리 포스트 범프(230)는 솔더 레지스트층(150), 시드층(170) 및 드라이 필름층(190)에 동일한 폭으로 형성되도록 형성된 관통홀에 구리 충전 도금을 통해 형성되기 때문에, 일체 형태로 형성될 수 있으며, 이로 인해 범프 다이 사이즈가 종래에 비해 작아진다는 효과를 기대할 수 있다. 또한, 범프 다이 사이즈 축소에 따라, 미세 피치도 가능할 수 있는 것이다.
이하에서는, 도시하지 않았지만, 미세 피치 범프를 구비한 기판의 제조 방법을 설명하기로 한다.
먼저, 미세 피치 범프를 구비한 기판(100)은 회로 패턴(130)이 형성된 코아층(110)에 솔더 레지스트를 적층하여 솔더 레지스트층(150)을 형성할 수 있다.
여기에서, 회로 패턴(130)은 코아층(110) 상면 또는 하면에 형성될 수 있다.
이어서, 솔더 레지스트층(150) 상면에 시드층(Seed Layer)(170)을 형성할 수 있다.
이후, 시드층(170) 상면에 드라이 필름을 적층하여 드라이 필름층(190)을 형성할 수 있다.
솔더 레지스트층(150), 시드층(170) 및 드라이 필름층(190)을 동시에 가공하여 홀(210)을 형성할 수 있다.
여기에서, 솔더 레지스트층(150)은 코아층(110)을 기준으로 상명 또는 하면에 적층될 수 있다.
이어서, 홀(210)에 구리 충전 도금을 수행하고, 시드층(170) 및 드라이 필름층(190)을 제거하여 구리 포스트 범프(230)를 형성할 수 있다.
여기에서, 홀(210)은 솔더 레지스트층(150), 시드층(170) 및 드라이 필름층(190)에 형성된 홀의 너비가 서로 동일하도록 형성될 수 있다.
또한, 홀(210) 양측면에 형성된 시드층(170)과 드라이 필름층(190)은 일반적으로 공지된 기술을 통해 제거할 수 있다.
상술한 본 발명의 기술은 범프 다이 사이즈가 종래에 비해 작아지기 때문에, 미세 피치가 가능하다는 효과를 기대할 수 있다.
또한, 본 발명은 솔더 레지스트층과 드라이 필름층에 형성된 홀의 사이즈가 동일하기 때문에 일체 형태의 포스트 범프를 형성할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이나, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
100 : 기판
110 : 코아층
130 : 회로 패턴
150 : 솔더 레지스트층
170 : 시드층
190 : 드라이 필름층
210 : 홀
110 : 코아층
130 : 회로 패턴
150 : 솔더 레지스트층
170 : 시드층
190 : 드라이 필름층
210 : 홀
Claims (8)
- 회로 패턴이 형성된 코아층에 솔더 레지스트를 적층하여 솔더 레지스트층을 형성하는 단계;
솔더 레지스트층 상면에 시드층(Seed Layer)을 형성하는 단계;
시드층 상면에 드라이 필름을 적층하여 드라이 필름층을 형성하는 단계;
솔더 레지스트층, 시드층 및 드라이 필름층을 동시에 가공하여 홀을 형성하는 단계; 및
상기 홀에 구리 충전 도금을 수행하고, 시드층 및 드라이 필름층을 제거하여 구리 포스트 범프를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 솔더 레지스트층, 시드층 및 드라이 필름층에 형성된 홀의 너비가 서로 동일하도록 홀을 형성하는 미세 피치 범프를 구비한 기판 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 회로 패턴은 코아층 상면 또는 하면에 형성된 것을 특징으로 하는 미세 피치 범프를 구비한 기판 제조 방법.
- 제3항에 있어서,
상기 솔더 레지스트는 코아층을 기준으로 상면 또는 하면에 적층되는 것을 특징으로 하는 미세 피치 범프를 구비한 기판 제조 방법.
- 회로 패턴이 형성된 코아층;
코아층을 기준으로 상면 또는 하면에 적층된 솔더 레지스트층;
상기 솔더 레지스트층 상면에 형성된 시드층;
상기 시드층 상면에 형성된 드라이 필름층;
상기 솔더 레지스트층, 시드층 및 드라이 필름층을 관통하는 홀; 및
상기 홀에 구리 충전 도금을 통해 형성되는 구리 포스트 범프를 포함하고,
상기 솔더 레지스트층, 시드층 및 드라이 필름층에 형성된 홀의 너비가 서로 동일하도록 홀을 형성하는 미세 피치 범프를 구비한 기판.
- 삭제
- 제5항에 있어서,
상기 회로 패턴은 코아층 상면 또는 하면에 형성된 것을 특징으로 하는 미세 피치 범프를 구비한 기판.
- 제7항에 있어서,
상기 솔더 레지스트층은 코아층을 기준으로 상면 또는 하면에 적층되는 것을 특징으로 하는 미세 피치 범프를 구비한 기판.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100079832A KR101138592B1 (ko) | 2010-08-18 | 2010-08-18 | 미세 피치 범프를 구비한 기판과 이의 제조 방법 |
JP2011178356A JP5558432B2 (ja) | 2010-08-18 | 2011-08-17 | 微細ピッチバンプを備えた基板製造方法 |
US13/212,651 US20120043122A1 (en) | 2010-08-18 | 2011-08-18 | Board with fine pitch bump and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100079832A KR101138592B1 (ko) | 2010-08-18 | 2010-08-18 | 미세 피치 범프를 구비한 기판과 이의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120017246A KR20120017246A (ko) | 2012-02-28 |
KR101138592B1 true KR101138592B1 (ko) | 2012-05-10 |
Family
ID=45593175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100079832A KR101138592B1 (ko) | 2010-08-18 | 2010-08-18 | 미세 피치 범프를 구비한 기판과 이의 제조 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120043122A1 (ko) |
JP (1) | JP5558432B2 (ko) |
KR (1) | KR101138592B1 (ko) |
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---|---|---|---|---|
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2010
- 2010-08-18 KR KR1020100079832A patent/KR101138592B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-08-17 JP JP2011178356A patent/JP5558432B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-18 US US13/212,651 patent/US20120043122A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120043122A1 (en) | 2012-02-23 |
KR20120017246A (ko) | 2012-02-28 |
JP2012044180A (ja) | 2012-03-01 |
JP5558432B2 (ja) | 2014-07-23 |
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