KR101136397B1 - 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물과 이를 이용한 인쇄회로기판 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 열전도성 절연무기도료 조성물과 이를 이용한 인쇄회로기판에 관한 것으로, 그 목적은 다양한 재질의 소재표면에 도포되어 절연성과 우수한 열전도성을 구비함과 동시에 내열성을 구비한 열전도성 절연무기도료 조성물과 이를 이용한 인쇄회로기판을 제공하는 것이다.
본 발명은 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물은 일반식 RnSi(OR')4-n 으로 대표되는 알콕실란을 가수분해물 및 축합물로 환산하여 1～30중량%; 물 또는 유기용매를 분산매로 하는 0.1～300㎚ 입자크기의 나노 콜로이드 실리카를 고형분으로 환산하여 0.5～30중량%; 저급지방족 알코올 0.1～50중량%; 유기산 또는 무기산 0.1～3중량%; 무기 충진제 0.1～70중량%; 무기 안료 0.1～40중량%로 이루어져 있다.
또한, 본 발명은 열전도성 절연무기도료 조성물을 메탈 PCB 의 메탈기판 표면에 코팅하여 메탈기판과 도전층 사이에 절연 및 열전도성 무기도막을 구비한 인쇄회로기판을 형성하도록 되어 있다.
절연무기도료, 열전도성, 절연층, 메탈PCB, 방열
Description
본 발명은 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물과 이를 이용한 인쇄회로기판에 관한 것으로, 다양한 재질의 소재표면에 코팅되어 내전압, 절연, 방열(열전도성향상), 내열 등의 우수한 물성의 도막을 형성하고, 특히 전자부품이나 전자기기 등에 코팅되어 동작 중에 발생되는 열을 원활하게 방출시킬 수 있는 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물과 이를 이용한 인쇄회로기판에 관한 것이다.
최근 전자제품이 소형화, 고밀도화, 박판화, 패키지화 됨에 따라 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)의 박판화 및 미세패턴화가 진행되고 있다. 이러한 추세를 반영하기 위하여 종래와는 차별화된 인쇄회로기판의 구조 및 제조방법이 요구되는 실정이다. 즉, 인쇄회로기판의 제조에 있어서, 공정단축 및 이를 통한 원가절감 뿐만 아니라, 차세대 플립칩 인쇄회로기판(Flip-Chip BGA)의 필수조건인 박판화에 대응하기 위해서 두께가 얇으면서도 높은 강성(Stiffness)을 갖는 기판 소재에 대한 연구가 활발한 상황이다.
또한, 기본적으로 인쇄회로기판은 인쇄회로 원판에 전기배선의 회로설계에 따라 각종 전자 부품을 연결하거나 부품을 지지하는 역할을 수행해 왔으나, 실장되는 수동 부품 및 패키징 개수가 늘어날수록 부품에는 전력 소모가 많아지고 심한 열이 발생하게 되어 방열성능은 제품의 신뢰성 측면, 소비자의 제품 선호도 측면에서도 중요한 판단기준이 되고 있다.
종래에 사용되고 있는 인쇄회로 기판을 정리해 보면,
페놀수지기판(PP재질) : 크라프트지에 페놀수지를 함침하여 적층한 것으로 소요되는 비용은 적으나 치수변화가 크고 흡습성이 있어 문제를 일으킬 수 있다. 또한 전기적-기계적 특성이 떨어지는 단점이 있다.
에폭시수지기판(Epoxy Resin, GE 재질) : 보통 에폭시수지와 유리섬유를 합성하여 제조하며 치수변화도 적고 흡수성도 적은 장점이 있는 반면, 가격이 다소 비싸고 가공성이 떨어지는 단점이 있고 열전도성도 떨어진다.
컴퍼지트 기판(Compogite Base Material, CPE 재질) : 여러 가지 재질을 합성하고 적층하여 만든 기판이다. 일반적으로 유리에 셀룰로오스를 합성하여 만든 기판으로 전기적 기계적 특성이 우수하다.
유리폴리이미드수지 : 유리에 폴리이미드필름을 부착하는 방법으로 내열성은 좋으나 가공성이 취약하고 열전도도가 약하다.
상기 나열한 기존 방식의 PCB기판들은 공통적으로 방열효과가 약한 문제점을 가지고 있으며, 특히 LED(발광다이오드)는 인쇄회로기판(PCB)에서 발생한 열을 빨리 처리하지 못하면 LED 인쇄회로기판과 조광장치 내부의 온도를 상승시키고 그 결과 LED 램프의 고장, 작동 불능 상태를 불러옴과 동시에 관련 회로들의 오작동까지 유발시키는 문제점이 있다.
이와 같이 PCB기판에서 방열효과는 기판의 신뢰성, 내구성을 결정하는 가장 중요한 사항이며 현재는 PCB 기판의 고기능화로 인하여 발생하는 열을 효과적으로 방열 및 방출할 수 있는 기능성 인쇄회로기판이 요구되고 있다.
또한, 상기와 같은 문제점을 해소하기 위하여, 우수한 가공성 및 내열성을 갖는 절연물질에 의해 절연층을 구비한 인쇄회로기판이 사용되고 있으며,
공개번호 10-2004-008788에는 유기폴리실록산 화합물을 사용한 절연막 형성용 코팅 조성물이 소개 되어있다. 이 특허는 절연층으로 사용되는 유기 고분자의 열(熱)적불안정은 어느 정도 해결하였으나 낮은 도막두께에서도 크랙(crack)이 발생하기 쉬우며 열전도도가 낮은 단점이 있다.
또한, 절연성능을 갖는 절연세라믹 조성물은 공개번호 특2002-0009450(우선권주장JP-P-2000-00220867)에 소개되어있으나 이 조성물의 경우 MgAl2O4계 세라믹과 보로실리케이트 글래스(borosilicate glass)의 소성 혼합물을 포함하며, 이 조성물의 경우 높은 열팽창계수를 갖는 장점은 있으나 원하는 물성을 얻기 위해서는 소성 온도가 900℃ 이상이 필요하다. 따라서 높은 열에너지와 장비를 필요로 하며 고온 소성으로 인하여 소재 선택의 제약을 받는 단점이 있고 가공이 어렵다.
또한, 특허등록 제 0865771 호는 메틸트리메톡실란 또는 테트라에틸오소실리케이트를 가수분해하거나 물유리계열을 바인더로 사용한 전자부품의 방열용코팅제에 관한 것이나, 가수분해는 물을 사용한 것으로 경도가 약해 3H를 넘기 어렵고, 도막두께 30㎛를 넘기면 크랙이 발생하며, 도막이 얇고 도막에 공극(孔隙)이 많아 절연성능은 기대할 수 없는 문제점이 있다.
또한, 금속기판을 인쇄회로기판의 코어부재로 사용하여, 반도체부품의 방열효과를 부여하고 고온에서의 신뢰성을 향상시킨 인쇄회로기판이 있으나, 종래 메탈코어 인쇄회로기판에 사용되는 메탈기판으로는 알루미늄(Al) 기판, 마그네슘 기판, 티타늄 기판 등이 사용되고 있으며, 이러한 메탈기판들은 밀착력이 상당히 불량하여 도막형성시 도금의 들뜸현상이 발생되고, 이로 인해 회로패턴을 형성하기 어려울 뿐 만 아니라, 도막내에 존재하는 다량의 공극에 의해 크랙이 발생되어 우수한 방열성을 구비할 수 없게 되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 해소하기 위한 것으로, 그 목적은 다양한 재질의 소재표면에 도포되어 절연성과 우수한 열전도성을 구비함과 동시에 내열성을 구비한 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물과 이를 이용한 인쇄회로기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 Metal PCB 의 메탈기판 표면에 코팅되어 절연 및 방열성능을 극대화시킬 수 있는 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물과 이를 이용한 인쇄회로기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 전자부품 및 전자기기에 코팅되어 발생되는 열을 외부로 신속하게 방출하고, 이를 통해 기기의 성능을 유지시킬 수 있는 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물과 이를 이용한 인쇄회로기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 알콕실란, 나노 콜로이드 화합물, 무기 안료 및 무기 충진제를 첨가하여 열전도도가 우수하고, 절연성을 구비하며, 우수한 내열성을 구비한 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물과 이를 이용한 인쇄회로기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물은 일반식 RnSi(OR')4-n 으로 대표되는 알콕실란을 가수분해물 및 축합물로 환산하여 1～30중량%; 물 또는 유기용매를 분산매로 하는 0.1～300㎚ 입자크기의 나노 콜로이드 실리카를 고형분으로 환산하여 0.5～30중량%; 저급지방족 알코올 0.1～50중량%; 유기산 또는 무기산 0.1～3중량%; 무기 충진제 0.1～70중량%; 무기 안료 0.1～40중량%로 이루어져 있다.
단, 식 중 R은 탄소수 1～6의 알킬기, R'는 탄소수 1～5의 알킬기 또는 탄소수 1～4의 아실기이다.
또한, 본 발명의 열전도성 절연무기도료 조성물은 방향족 또는 지방족 탄화수소 화합물의 혼합용제 0.1～30중량%; 물 0.1～20중량%를 더 포함한다.
또한, 본 발명은 알콕실란을 나노 콜로이드 실리카와 유기산 또는 무기산을 넣어 가수분해 반응시키고, 상기 가수분해 반응물에 물, 알코올, 무기충진제 및 무기안료를 넣어 평균입도가 10㎛ 이하가 되도록 분쇄기로 교반하여 열전도성 절연무기도료 조성물을 제조하도록 되어 있다.
또한, 본 발명은 열전도성 절연무기도료 조성물을 메탈 PCB 의 메탈기판 표면에 코팅하여 메탈기판과 도전층 사이에 절연 및 열전도성 무기도막을 구비한 인쇄회로기판을 형성하도록 되어 있다.
이와 같이 본 발명은 알콕실란과 나노사이즈의 콜로이드 실리카를 반응시키고, 이에 나노입자~마이크론입자의 정제된 무기 안료, 무기 충진제를 첨가하여 우수한 내열성 및 열전도성을 구비함과 동시에 절연성을 구비한 내열 무기질도막을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 최종 반응물이 경화를 거쳐 세라믹화 하여 내열 무기질도막을 형성하며, 도막내의 입자크기를 조절하여 공극을 최소화시키며, 이로 인해 형성된 내열 무기질도막은 물리적, 화학적으로 안정적일 뿐만 아니라 유기도료와는 달 리 800℃에서도 내구성이 유지되는 절연무기도료로, 뛰어난 방열효과와 절연성능을 구비한다.
또한, 본 발명은 최근 크게 부각되고 있는 Metal PCB 의 메탈기판 표면에 내열 무기질도막 형성을 용이하게 하여, Metal PCB 절연층에 적합한 도료이고, 절연성 및 방열성을 극대화시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 Metal PCB에 주로 쓰이는 알루미늄 피도물과 도전층사이에 절연, 방열성능이 뛰어난 무기도료 도막을 형성하여 인쇄회로기판(PCB)에서 발생하는 열을 빠르게 방출시켜 Metal PCB의 수명을 연장하고 신뢰성을 부여할 수 있다.
또한, 본 발명은 기존 일반 Metal PCB 절연층의 열전도도가 1～2W/m?K 인 것을 감안해 볼 때 본 발명 절연무기도료 조성물의 열전도도는 30～40W/m?K로 약 20～30배의 열전도도를 구비하며, 본 발명의 절연무기도료 조성물을 알루미늄에 코팅한 PCB의 열전도도는 150～160W/m?K(100℃기준)로 매우 뛰어난 효과를 구비한다.
또한, 본 발명은 기존 PCB 기판에서 문제되는 가공성, 고가, 전기적-기계적특성 저하, 내열취약의 문제점, 특히 방열효과 미비로 발생하는 제품 신뢰성, 수명을 획기적으로 올릴 수 있다.
또한, 본 발명은 알콕실란을 물 또는 유기용매를 분산매로 하는 나노사이즈(0.1㎚～100㎛) 콜로이드 실리카를 이용해 가수분해 하여 도막내의 공극(孔隙)을 현저하게 제거하여, 경도향상은 물론이며 크랙방지, 내열, 절연, 고방열성의 특성을 구비하는 등 많은 효과가 있다.
도 1 은 본 발명에 따른 제조방법을 보인 블록예시도를, 도 2 는 본 발명에 따른 내열 무기질도막이 형성된 메탈 PCB 예시도를, 도 3 은 본 발명에 따른 내열 무기질도막이 형성된 알루미늄합금 예시도를, 도 4 는 본 발명에 따른 내열 무기질도막과 일반 무기도료 도막의 단면구조를 대비한 예시도를 도시한 것으로,
본 발명은 열전도성 절연무기도료 조성물은 일반식 RnSi(OR')4-n 으로 대표되는 알콕실란을 가수분해물 및 축합물로 환산하여 1～30중량%; 물 또는 유기용매를 분산매로 하는 0.1～300㎚ 입자크기의 나노 콜로이드 실리카를 고형분으로 환산하여 0.5～30중량%; 저급지방족 알코올 0.1～50중량%; 유기산 또는 무기산 0.1～3중량%; 무기 충진제 0.1～70중량%; 무기 안료 0.1～40중량%로 이루어져 있다.
단, 식 중 R은 탄소수 1～6의 알킬기, R'는 탄소수 1～5의 알킬기 또는 탄소수 1～4의 아실기이다.
즉, 본 발명에 따른 열전도성 절연무기도료 조성물은 일반식 RnSi(OR')4-n (식중 R은 탄소수 1～6의 알킬기, R'는 탄소수 1～5의 알킬기 또는 탄소수 1～4의 아실기를 표시)으로 대표되는 알콕실란을 가수분해물 및 축합물로 환산하여 1～30중량%; 물 또는 유기용매를 분산매로 하는 나노 콜로이드 실리카를 고형분으로 환산하여 0.5～30중량%; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, 이소부 탄올로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 저급지방족 알코올 0.1～50중량%; 크실렌, 톨루엔, 에틸렌클리콜모노부틸에테르, 메틸에틸케톤 등으로 이루어진 방향족 또는 지방족 탄화수소 화합물의 혼합용제 0.1～30중량%; 물 0.1～20중량%; 인산, 염산, 황산, 질산, 초산, 옥살산, 개미산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 유/무기산 0.1～3중량%; 티탄산 칼륨위스커, 산화알루미늄, 질화규소, 탄화규소, 산화규소, 질화붕소, 산화붕소, 질화알루미늄, 실리카-알루미나의 위스커, 산화지르코니아, 산화티탄, CNT(carbon nanotube), 나노다이아몬드, 공업용 사파이어, 유리섬유, 탄소섬유의 미분말, 무기방청제 중에서 선택된 1종 이상의 무기충진제 0.01～70중량%; 루틸형 안료와 운모-산화티탄계의 무독성 펄안료 중 선택한 1 종 이상의 무기안료 0.01～40중량%; 로 이루어져 있다.
상기 알콕실란은 일반식 RnSi(OR')4-n (식중 R은 탄소수 1～8의 알킬기, R'는 탄소수 1～5의 알킬기 또는 탄소수 1～4의 아실기를 표시)로 대표되는 것으로, 알콕실란의 대표적인 예는 메틸트리메톡실란, 메틸트리에톡실란, 에틸트리메톡실란, 에틸트리에톡실란, n-프로필트리에톡실란, i-프로필트리메톡실란, n-프로필트리에톡실란, 페닐트리메톡실란, 페닐트리에톡실란, 테트라에틸오소실리케이트 등을 들 수가 있고 상기 알콕실란은 1종 이상을 병용하여 사용한다.
상기 나노 콜로이드 실리카는 알콕실란을 가수분해하고 도막의 부착성, 경도 향상, 공극제거, 열전도도, 절연성을 부여하기 위하여 첨가되는 것으로, 물 또는 유기용매를 분산매로 하고 있다.
또한, 본 발명에서는 나노사이즈 콜로이드 실리카를 선택, 사용하였는데 그 이유는 콜로이드 알루미나나 지르코니아의 경우 나노사이즈 입자 제품이 워낙 고가이며, 도료의 가사시간(Pot life)이 짧아지는 단점이 있다.
나노사이즈 콜로이드 실리카는 마이크로 입자의 알콕실란 가수분해 반응물,무기안료, 무기충진제 사이사이로 침투하여 도막내의 빈 공간을 최소화하는 본 발명의 핵심 원료이다.
나노사이즈 콜로이드 실리카는 0.1～300㎚의 크기를 가지는 것이 좋으며 더욱 좋은 것은 균일된 크기의 입자보다는 0.1～300㎚ 사이의 다양한 크기가 골고루 분포된 나노 콜로이드 실리카가 내열, 공극제거, 열전도성, 절연에 더욱 좋은 효과를 발휘한다.
대표적인 나노사이즈 콜로이드 실리카 상품명에는 日産化學 ST-O, ST-20, ST-30, ST-40, O-33 NALCO 1034A, 1030, NAYCOL 2034DI, LUDOX HS-30, HS-40, SK, TMA, CL 日本 觸媒化成工業(주) SN, SI-45P, SI-80 등이 있다.
심사관에게 사실성을 심어주기위해 기재하였으나 지금 보니 굳이 필요없는 항목으로 판단되어 삭제했으면 좋겠습니다.
또한, 본 발명은 물 또는 유기용매를 분산매로 하는 콜로이드 알루미나, 콜로이드 지르코니아, 나노사이즈가 아닌 마이크로 사이즈의 콜로이드 실리카를 고형분으로 환산하여 1～20중량% 더 첨가할 수 있다. 더욱 좋은 것은 1～10중량% 으로 첨가하는 것으로 10중량% 초과하여 첨가하면 도막표면이 매끄럽지 못하고 제조원가가 크게 상승하는 단점이 있다.
상기 무기충진제는 도막의 경도 향상, 도막의 균열 방지, 도료의 침강방지, 내구성 향상, 절연성 향상, 열전도성 향상 등의 이유로 첨가하며 티탄산 칼륨위스커, 산화알루미늄, 질화규소, 탄화규소, 산화규소, 질화붕소, 질화알루미늄, 실리카-알루미나의 위스커, 산화지르코니아, 산화티탄, CNT(carbon nanotube), 나노다이아몬드, 공업용 사파이어, 유리섬유, 탄소섬유의 미분말, 무기방청제 등을 사용한다.
상기 무기충진제는 열전도도가 좋은 1㎚～100㎛ 사이즈의 충진제를 사용하며 1종 또는 2종 이상을 병용, 사용하여 나노 콜로이드 실리카와 함께 도막의 공극을 없애고 도막의 절연, 방열효과를 극대화할 수 있다.
상기에서와 같은 알콕실란의 가수분해에 사용되는 나노사이즈(㎚) 콜로이드 실리카와 나노사이즈～마이크로 입자(㎛)의 무기안료, 무기충진제는 서로 상호 보완하여 도막 내부의 기포나 빈 공간을 최소화하여 절연무기도료 조성물에 의해 형성되는 도막이 우수한 절연성과 열전도도를 나타내게 된다.
상기 알코올은 분산용매로 사용하며 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판 올, n-부탄올, 이소부탄올 등이 있으며 이를 1종 또는 2종 이상을 사용한다.
알코올은 5～30중량%의 사용이 가장 좋으며, 5%미만 첨가시에는 도장면이 좋지 않고 가사시간이 줄어드는 경향이 있으며 30중량% 초과하여 첨가시에는 알콜의 강한 수소 결합력 때문에 중합반응이 지속적으로 일어나 가사시간이 줄어들고 절연 성능, 열전도도가 떨어지는 단점이 있다.
상기 무기안료는 광범위하게 시판되고 있는 평균 입자경 0.1㎚～20㎛의 루틸(Rutile)형 무기안료, 운모-산화티탄계 등의 무독성 펄안료를 사용하며, 보통 1종 또는 2종 이상을 사용한다.
상기 유기산 또는 무기산은 인산, 염산, 황산, 질산, 초산, 옥살산, 개미산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 혼합액 0.1～3중량%을 사용한다. 유/무기산은 염기성 콜로이드에 첨가하여 가수분해를 일으키는 역할을 하며 3중량%를 넘기면 pH 변화 및 수소결합력으로 인하여 도료 안정성에 저해가 된다.
또한, 본 발명의 열전도성 절연무기도료 조성물은 방향족 또는 지방족 탄화수소 화합물의 혼합용제 0.1～30중량%; 물 0.1～20중량%를 더 포함한다.
상기 방향족 또는 지방족 탄화수소 화합물의 혼합용제는 크실렌, 톨루엔, 에틸렌클리콜모노부틸에테르, 메틸에틸케톤 등으로 대표되는 물질에서 1종 또는 2종 이상으로 이루어진 혼합용제를 사용하며, 이러한 방향족 또는 지방족 탄화수소 화 합물의 혼합용제는 주로 도막외관성의 향상, 다른 도료와의 상용성의 목적으로 첨가되며 레벨링이 좋아지는 장점이 있다.
또한, 상기 물은 0.1～20중량%을 선택적으로 첨가하며 알콕실란의 가수분해를 돕고 전체 조성물의 물 함량 비율을 높여 작업 시 비산되는 유기용매가 줄어들어 작업환경을 개선시킨다. 또한 전체 조성물의 희석 목적으로 첨가되기도 한다. 첨가하는 양은 0.1～20중량%이 좋으며 20중량% 이상 첨가 시 전체 조성물의 가사시간이 줄어들거나 도막의 광택과 표면경도가 저하되는 단점이 있다.
상기와 같이 이루어진 본 발명의 열전도성 절연무기도료 조성물은 알콕실란을 나노 콜로이드 실리카와 유기산 또는 무기산을 넣어 가수분해 반응시키고, 상기 가수분해 반응물에 물, 알코올, 무기충진제 및 무기안료를 넣어 평균입도가 10㎛ 이하가 되도록 분쇄기로 교반하여 제조한다. 이때, 평균입도가 10㎛ 이상일 경우, 미장성과 내오염성이 나빠지는 경향이 있으며, 조성물 도장 시에는 침전물이 없도록 저어주거나 교반하여 사용한다.
이와 같은 본 발명의 열전도성 절연무기도료 조성물은 금속, 비금속, 시멘트, 유리, 플라스틱, 목재, 슬레이트 등의 피도물에 도장되며, 상기와 같은 금속의 대표적인 예로는 알루미늄 및 알루미늄 합금, 구리 및 구리합금, 마그네슘 및 마그네슘 합금, 스테인레스 스틸 합금, 아연용융/도금 강판, 알루미늄 용융/도금 강판, 티타늄 강판, 철(Fe) 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명은 열전도성 절연무기도료 조성물을 메탈 PCB 의 메탈기판(이하 '피도물'이라 합니다.) 표면에 코팅하여 피도물(10)과 전도층(50) 사이에 절연 및 열전도성을 구비한 내열 무기질도막(30)을 구비한 인쇄회로기판을 형성하도록 되어 있다.
즉, 본 발명에 따른 내열 무기질도막(30)을 구비한 인쇄회로기판은 도 1 에 도시된 바와 같이, 피도물(10)을 표면처리하고, 이를 예열처리하며, 예열된 피도물 표면에 열전도성 절연무기도료 조성물을 도포 및 경화처리하여 절연층으로의 내열 무기질도막(30)을 형성한 다음, 이에 전도층(50)을 형성한다. 상기 피도물(10)은 금속 또는 비금속을 포함한다.
상기 피도물(10) 위에 형성되는 내열 무기질도막(30)은 물리적 표면처리나 화학적 표면처리(20)된 피도물 표면에 형성되는 것이 바람직하다. 이는 내열 무기질도막과 피도물과의 접착력 향상, 절연성향상, 방열성능 향상을 위한 것으로, 내열 무기질도막의 접착신뢰성 및 물성이 향상된다.
상기 물리적 표면처리의 종류로는 샌드블라스트, 드라이아이스블라스트, 비드블라스트, 숏트블라스트, 그라인딩 등이 있으며 소재 표면에 미세 요철을 형성하고 비표면적을 넓혀 무기질도막과 피도물과의 접착력이 향상되며 경도, 내구성이 증가한다. 단, 피도물의 두께가 얇을 경우 소재가 변형되거나 파괴될 수도 있으니 주의해야한다.
상기 화학적 표면처리 종류로는 탈지, 에칭, 화성처리, 양극산화피막, PEO(Plasma electrolytic oxidation), MAO(microarc oxidation), 크로메이트, 인산염피막, 방전처리(플라즈마) 등이 있다. 피도물이 금속인 경우 사용되며 마찬가지로 피도물과의 접착력이 향상되며 절연성, 방열성, 내식성도 향상되는 장점이 있지만 처리비용은 물리적 표면처리에 비해 대체로 고가이다.
상기와 같이 표면처리가 완료되면, 피도물에 존재하는 수분의 영향, 피도물의 온도로 인하여 형성되는 내열 무기질도막의 물성이 저하될 우려가 있으므로, 소정온도로 예열처리를 한다. 상기 예열은 피도물의 온도 10～80℃로 처리 한 후 도장 하며, 더 좋은 것은 15～60℃로 하는 것이 좋다. 또한, 15℃미만에서는 피도물의 수분이 쉽게 제거가 되지 않으며 60℃를 초과해서는 도막의 평활성이 떨어지며 핀홀(PIN-HOLE)이 생기는 원인이 되므로, 적정온도 범위내에서 예열처리한다.
이와 같이 예열처리가 완료되면, 본 발명 절연무기도료 조성물을 도포하고, 경화과정을 통해 내열 무기질도막(30)을 형성한다. 내열 무기질도막(30)의 두께는 경화도막 기준으로 5～150㎛의 범위에서 도장하는 것이 바람직하며 5㎛미만에서는 절연성이 저하되는 단점이 있고, 150㎛ 초과시에는 도막균열 및 방열성능이 저하되는 단점이 있다.
경화온도는 40～400℃로 처리하며, 바람직하게는 80～300℃에서 경화처리한다. 80℃미만 온도에서의 경화는 도막 내에 용제가 남아 있을 가능성이 있으며, 300℃초과 온도에서의 경화는 피도물과 무기도막의 열팽창계수의 차이로 인해 균열 이 일어날 수 있다.
또한, 상기 절연무기도료 조성물은 스프레이, 에어리스스프레이, 정전도장, 전착도장, 인쇄기법, 플로우도장, 스핀도장, 딥핑, 롤코팅 중 선택한 1종의 방법으로 피도물에 도장하며, 이러한 도장방법은 널리 공지된 기술수단이므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상기와 같이 형성된 내열 무기질도막(30)은 도 4 에서의 비교를 통해 알 수 있듯이 나노입자의 콜로이드 실리카는 도막내의 공극(孔隙) 즉, 빈공간을 현저하게 제거하게 되어, 경도향상은 물론이며 크랙방지, 내열, 절연, 고방열성의 특성을 구비하게 된다. 도 4 의 (a)는 일반 무기도료 조성물로 코팅된 도막단면구조를, 도 4 의 (b)는 본 발명 절연무기도료 조성물로 코팅된 도막단면구조를 나타낸 것이다.
또한, 빈공간의 최소화하기 위한 방법으로, 본 발명 이외에 물을 이용해 알콕실란을 가수분해하고 나노사이즈의 충진제 분말을 넣어 공극을 없애는 방법도 생각할 수 있으나 가수분해한 수지에 나노사이즈의 분말을 넣으면 응집이 일어나기 쉬워 교반하여 분쇄한다하더라도 이미 응집된 입자들로 인해 본연의 공극제거의 특성을 온전히 발휘하지 못하게 된다.
상기와 같은 경화처리에 의해 내열 무기질도막(30)이 형성되면, 이에 전도층(50)을 형성한다. 상기 전도층(50)은 동, 텅스텐, 은 등에 의해 형성되며, 이러한 전도층을 형성하는 방법으로 저압 화학 기상 증착(Low Pressure CVD, LPCVD), 플라즈마 향상 화학 기상 증착(Plasma Enhanced CVD, PECVD), 대기압 화학 기상 증착(Atmospheric Pressure CVD, APCVD), MOCVD(Metal-organic chemical vapor deposition), HVPE(Hydride vapor phase epitaxy), 금속의 증기를 사용하는 증발(evaporation) 증착법, 물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 Sputtering 증착법, 레이저분자빔증착법(L-MBE), 펄스레이저증착법(PLD), Atomic Layer Deposition(ALD), 전기도금, 무전해도금, 전착 등이 사용된다.
또한, 내열 무기질도막(30) 위에 전도층(50)을 형성할 때 전도층의 접착력강화를 목적으로 내열 무기질도막을 전처리(40)하고 이에 전도층(50)을 형성할 수 있다. 상기 내열 무기질도막의 전처리 방법으로는 탈지, 그라인딩, 플라즈마 처리 등을 사용할 수 있다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따른 열전도성 절연무기도료 조성물을 이용한 인쇄회로기판은 도 2 에 도시된 바와 같이, 피도물(10, 메탈PCB 메탈기판)에 절연층으로 내열 무기질도막(30)이 형성되고, 내열 무기질도막(30)에 전도층(50)이 형성되며, 전도층에 배선, 소자 등의 회로층(60)이 형성된 구성을 구비하게 된다.
도 3 은 본 발명에 따른 내열 무기질도막이 형성된 알루미늄합금 예시도를 도시한 것으로, (a)는 메탈 PCB에 대표적으로 사용되는 금속인 알루미늄 합금판을, (b)는 (a)에 본 발명에 따른 내열 무기질도막이 형성된 실제 모습을, (c)는 (b)에 전도층(텅스텐)를 형성한 모습을 각각 도시한 것이다.
이하 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.
실시예 1
알콕실란 전체양을 나노사이즈 콜로이드 실리카 및 유기산을 넣은 후 가수분해시켜 물, 알코올이나 방향족 또는 지방족 탄화수소 화합물의 혼합용제 중 일부를 첨가하고, 무기충진제, 무기안료를 넣어 볼밀(Ball Mill), 샌드밀(Sand Mill), 3-롤 밀(roll mill)등으로 평균 입도가 10㎛ 이하가 되도록 교반한 뒤, 이를 남은 물, 알코올 또는 방향족 또는 지방족 탄화수소 화합물의 혼합용제로 세척하여 절연무기도료 조성물을 얻었다.
실시예 2
알콕실란을 제외한 나노사이즈 콜로이드 실리카를 물, 알코올이나 방향족 또는 지방족 탄화수소 화합물의 혼합용제와 혼합하고, 무기충진제, 무기 안료를 넣어 볼밀(Ball Mill), 샌드밀(Sand Mill), 3-롤 밀(roll mill) 등으로 평균 입도가 10㎛ 이하가 되도록 교반하여 반제품을 얻고, 이 반제품에 알콕실란과 일정량의 산을 첨가하고 가수분해시켜 절연무기도료 조성물을 얻었다.
실시예 3
알콕실란 전체양 중 일부를 나노사이즈 콜로이드 실리카를 넣은 후 가수분해시켜 물, 알코올이나 방향족 또는 지방족 탄화수소 화합물의 혼합용제 중 일부를 첨가하고, 무기충진제, 무기 안료를 넣어 볼밀(Ball Mill), 샌드밀(Sand Mill), 3-롤 밀(roll mill) 등으로 평균 입도가 10㎛ 이하가 되도록 교반한 뒤, 이를 남은 물, 알코올 또는 방향족 또는 지방족 탄화수소 화합물의 혼합용제로 세척하여 반제품을 얻은 다음, 이 반제품에 여분의 알콕실란을 첨가하여 일정시간 가수분해 시켜 내열 무기도료 조성물을 얻었다.
상기 실시예1 내지 실시예3의 무기도료 조성물의 조성비를 [표1]에 기재하였으며, 전처리에 따른 내열 무기질도막의 물성은 [표2]와 같다.
[표1]
상기 (a-1) 메틸트리메톡실란, (a-2) 페닐트리메톡실란, (b-1) USA DuPont Ludox collidal sillica HS-40, (b-2) USA NALCO 1034A, (b-3) USA NAYCOL 2034DI, (c-1) USA NALCO 8676, (d-1) USA NALCO 00SS008, (e-1) Acetic Acid(CH3COOH=60.05), (e-2) Nitric Acid, (f-1) Aluminum Nitride, (f-2) SCI-nano-TiO2, (f-3) GERMANY Degussa Al2O3 oxcide-C, (f-4) Silicon Nitride, (f-5) SCI-nano-ZrO2, (f-6) GERMANY NYCO MINERALS, INC. Wollastonite 이다.
실시예 3에 유,무기산 1 (e-1)으로 수정해주시면 감사하겠습니다.
[표2]
상기 METAL 소재는 Al 5052 (두께 3mm), 전처리 A 는 샌드블라스트, 전처리 B 는 양극산화피막, 전처리 C 는 PEO(Plasma electrolytic oxidation)이다.
[표2]는 [표1]의 절연무기도료 조성물을 각 전처리를 통해 알루미늄 시편에 코팅한 도막의 시험 결과치이다.
상기 [표2]에서 전처리 B(양극산화피막)의 실시예가 NG인 이유는 양극산화피막이 약 200℃에서 크랙(Crack)이 발생하여 무기질도막까지 크랙(crack)이 발생하였다. 따라서 양극산화처리 전처리방법은 처리비용도 비싸고 고온의 용도에서는 적합하지 않음을 알 수 있다.
또한, 기존 일반 Metal PCB 절연층의 열전도도가 1～2W/m?K 인 것을 감안해 볼 때 [표2]에서 알 수 있듯이 본 발명 절연무기도료조성물의 열전도도는 30～40W/m?K로 일반 제품에 비해 약 20～30배의 열전도도를 구비하고 있음을 알 수 있다. 또한, 소재인 알루미늄위에 내열무기 도막을 코팅한 시편의 전체 열전도율은 [표2]와 같이 130～160W/m?K로 방열효과가 매우 뛰어남을 알 수 있다.
또한, 절연기능도 뛰어나 거의 모든 도막에서 4.0 AC ㎸를 만족함을 알 수 있으며, 이는 절연, 열방출이 수명을 좌우하는 LED 메탈(Metal) PCB기판에서 의미하는 바가 매우 큼을 알 수 있다.
비교예
[표3]은 본 발명의 절연무기도료 조성물, 졸겔법을 이용한 일반 무기도료조성물(비교예1 및 비교예2)과의 물성 비교이다.
이때, 비교예1은 나노사이즈 콜로이드 실리카를 사용하지 않고 물 또는 마이크로 사이즈의 콜로이드 산화물을 사용해서 알콕실란을 가수분해한 후 충진제, 안료를 넣고 교반하여 코팅, 경화한 시편이고, 비교예2는 일반 졸겔법(알콕실란 + 물 + 산)을 이용한 투명 코팅제이다.
[표3]
* 시험방법 및 관련규격
- 연필경도 : 연필경도 시험(JIS K 5600 5-4)
- 부착력시험 : 1㎜간격으로 100/100후 테이프로 박리(KS D 6711)
- 내열성 : 전기로에 300℃/2시간 (JIS K 5600 6-3)
- 내전압(AC kV) : Dielectric Breakdown Voltage
- 열전도도(W/m?K) : Thermal Conductivity
- 내충격시험 : 도막에 300g의 공을 30㎝위에서 낙하 후 스카치 테이프 점착 후 박리
- 염수분무 : 5% 염수를 8시간 분무 후 16시간 휴지를 1 사이클(cycle)로 20 사이클(cycle) 실시
상기 [표3]의 결과에 나타나듯이 도막내의 공극을 최소화한 본 발명의 절연 무기도료 조성물의 내열, 경도, 절연성능, 열전도도, 내부식성 등 모든 물성이 기존 조성물에 비해 매우 우수한 것을 알 수 있다.
본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위내에 있게 된다.
도 1 은 본 발명에 따른 제조방법을 보인 블록예시도
도 2 는 본 발명에 따른 내열 무기질도막이 형성된 메탈 PCB 예시도
도 3 은 본 발명에 따른 내열 무기질도막이 형성된 알루미늄합금 예시도
도 4 는 본 발명에 따른 내열 무기질도막과 일반 무기도료 도막의 단면구조를 대비한 예시도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
(10) : 피도물 (20) : 표면처리
(30) : 내열 무기질도막 (40) : 전처리
(50) : 전도층 (60) : 회로층
Claims (11)
- 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물에 있어서;일반식 RnSi(OR')4-n 으로 대표되는 알콕실란을 가수분해물 및 축합물로 환산하여 1～30중량%;물 또는 유기용매를 분산매로 하는 0.1～300㎚ 입자크기의 나노 콜로이드 실리카를 고형분으로 환산하여 0.5～30중량%;저급지방족 알코올 0.1～50중량%;유기산 또는 무기산 0.1～3중량%;무기 충진제 0.1～70중량%;무기 안료 0.1～40중량%;방향족 또는 지방족 탄화수소 화합물의 혼합용제 0.1～30중량%;물 0.1～20중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물.단, 식 중 R은 탄소수 1～6의 알킬기, R'는 탄소수 1～5의 알킬기 또는 탄소수 1～4의 아실기이다.
- 삭제
- 청구항 1 에 있어서;상기 알콕실란은 메틸트리메톡실란, 메틸트리에톡실란, 에틸트리메톡실란, 에틸트리에톡실란, n-프로필트리에톡실란, i-프로필트리메톡실란, n-프로필트리에톡실란, 페닐트리메톡실란, 페닐트리에톡실란, 테트라에틸오소실리케이트 중에서 1가지 이상을 병용하여 사용하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물.
- 청구항 1 에 있어서;물 또는 유기용매를 분산매로 하는 콜로이드 알루미나 또는, 콜로이드 지르코니아 또는, 마이크로 사이즈의 콜로이드 실리카가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물.
- 청구항 1 에 있어서;상기 무기충진제는 1㎚～100㎛의 입자크기를 가지는 티탄산 칼륨위스커, 산화알루미늄, 질화규소, 탄화규소, 산화규소, 질화붕소, 산화붕소, 질화알루미늄, 실리카-알루미나의 위스커, 산화지르코니아, 산화티탄, CNT(carbon nanotube), 나노다이아몬드, 공업용 사파이어, 유리섬유, 탄소섬유의 미분말, 무기방청제 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물.
- 청구항 1 에 있어서;무기안료는 0.1㎚～20㎛의 무기안료 또는 운모-산화티탄계의 무독성 펄안료 를 단독 또는 혼용하여 첨가하는 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물.
- 삭제
- 청구항 1,3,4,5,6 중 어느 한 항으로 이루어진 열전도성 절연무기도료 조성물에 의해 형성된 내열 무기질도막을 구비한 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물을 이용한 인쇄회로기판.
- 청구항 8 에 있어서;내열 무기질도막은 메탈PCB의 메탈기판 표면에 형성되고, 내열 무기질도막 표면에는 전도층이 형성되며, 전도층에 회로층이 형성된 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물을 이용한 인쇄회로기판.
- 청구항 9 에 있어서;내열 무기질도막은 전처리된 메탈기판 위에 형성된 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물을 이용한 인쇄회로기판.
- 청구항 9 에 있어서;전도층은 표면처리 된 내열 무기질도막 위에 형성된 것을 특징으로 하는 인쇄회로기판 표면코팅용 열전도성 절연무기도료 조성물을 이용한 인쇄회로기판.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101424082B1 (ko) | 2014-02-24 | 2014-07-28 | 주식회사 에코인프라홀딩스 | 졸겔법을 이용하여 제조된 복합 세라믹, 이를 함유하는 초고온 내열성 및 고 내식성을 갖는 박막 코팅재 및 이의 제조방법 |
| KR20150039185A (ko) * | 2015-03-17 | 2015-04-09 | (주)나노엘엔피 | 세라믹 조성물, 그 제조방법 및 이를 이용한 방열부재 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101104390B1 (ko) * | 2011-02-18 | 2012-01-16 | 한국전기연구원 | 유무기 나노융복합 절연바니쉬의 제조방법 및 이에 의해 제조된 유무기 나노융복합 절연바니쉬가 코팅된 코일 |
| WO2015163541A1 (ko) * | 2014-04-24 | 2015-10-29 | 한국생산기술연구원 | 복합재료의 제조방법 |
| CN105670502B (zh) * | 2016-04-13 | 2018-04-24 | 广东产品质量监督检验研究院 | 散热涂料及其制备方法 |
| KR101908671B1 (ko) * | 2016-10-11 | 2018-10-16 | 대한화인세라믹 주식회사 | 갈라지는 표면효과를 구현하는 세라믹 코팅제와, 이 세라믹 코팅제가 코팅된 제품 |
| KR102251305B1 (ko) * | 2019-11-04 | 2021-05-12 | 주식회사 비앤비 | 티탄산칼륨 구조체를 포함하는 부식방지 도료층 |
| CN114231173A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-03-25 | 中山科邦化工材料技术有限公司 | 一种耐高温高导热绝缘涂料及其制备方法 |
| KR102787721B1 (ko) * | 2022-12-20 | 2025-03-27 | 방민규 | 전도성 복합 다공체 조성물, 이를 포함하는 전도성 폴리머 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10313002A (ja) | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ＳｉＯ２被膜の形成方法 |
| KR100307190B1 (ko) | 1998-07-31 | 2001-12-28 | 김정하 | 무기도료조성물과그제조방법및용도 |
| KR100816523B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-03-24 | (주)디피아이 홀딩스 | 도금강판용 피복 조성물 |
| KR20090047265A (ko) * | 2007-11-07 | 2009-05-12 | 세진세라믹(주) | 순수 무기질계 상온 경화형 코팅제 조성물 및 그 제조방법 |
-
2009
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10313002A (ja) | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ＳｉＯ２被膜の形成方法 |
| KR100307190B1 (ko) | 1998-07-31 | 2001-12-28 | 김정하 | 무기도료조성물과그제조방법및용도 |
| KR100816523B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-03-24 | (주)디피아이 홀딩스 | 도금강판용 피복 조성물 |
| KR20090047265A (ko) * | 2007-11-07 | 2009-05-12 | 세진세라믹(주) | 순수 무기질계 상온 경화형 코팅제 조성물 및 그 제조방법 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101424082B1 (ko) | 2014-02-24 | 2014-07-28 | 주식회사 에코인프라홀딩스 | 졸겔법을 이용하여 제조된 복합 세라믹, 이를 함유하는 초고온 내열성 및 고 내식성을 갖는 박막 코팅재 및 이의 제조방법 |
| WO2015126216A1 (ko) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | 주식회사 에코인프라홀딩스 | 졸겔법을 이용하여 제조된 복합 세라믹, 이를 함유하는 초고온 내열성 및 고 내식성을 갖는 박막 코팅재 및 이의 제조방법 |
| KR20150039185A (ko) * | 2015-03-17 | 2015-04-09 | (주)나노엘엔피 | 세라믹 조성물, 그 제조방법 및 이를 이용한 방열부재 |
| KR101595872B1 (ko) | 2015-03-17 | 2016-02-22 | (주)나노엘엔피 | 세라믹 조성물, 그 제조방법 및 이를 이용한 방열부재 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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