KR101127658B1 - 집적 회로 패키지의 저항 측정 - Google Patents

집적 회로 패키지의 저항 측정 Download PDF

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Abstract

집적 회로는 집적 회로용 패키지(120)로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들(130)을 상기 집적 회로(110)에 연결하는 노드(112)를 포함한다. 또한, 집적 회로는 패키지의 기준 저항과, 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들의 저항에 적어도 부분적으로 기초하여 패키지의 저항을 측정하는 모니터(140)를 포함한다. 개시된 다른 실시예에 있어서, 집적 회로용 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들에 흐르는 전류가 제어된다. 패키지의 기준 저항과, 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들의 저항에 적어도 부분적으로 기초하여 패키지의 저항이 측정된다.
집적 회로, 패키지, 저항, 전력, 전류, 전압, 제어기

Description

집적 회로 패키지의 저항 측정{INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE RESISTANCE MEASUREMENT}
여기에 기재하는 실시예는 집적 회로에 관한 것이다.
예를 들어 마이크로프로세서와 같은 집적 회로는 피드백 제어 시스템을 사용하여 집적 회로에 대한 전력 소비 및/또는 열 방산 제어를 돕는다. 하나의 피드백 제어 시스템은 예컨대 소프트웨어의 부하 변동으로 인하여 전력 소비에 변동이 생겨도 집적 회로가 원하는 전력 엔벨로프 내에서 유지되도록 돕는다.
동일한 부호는 유사한 요소를 나타내는 첨부 도면의 예를 통해 실시예들을 설명하지만, 이에 제한되지 않는다.
도 1은 일 실시예에 따라 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들의 저항과 패키지의 기준 저항에 적어도 부분적으로 기초하여 패키지형 집적 회로의 패키지 저항을 측정하는 모니터를 구비한 패키지형 집적 회로의 블록도를 나타낸다.
도 2는 일 실시예에 따라 도 1의 패키지형 집적 회로의 전력을 제어하는 흐름도를 나타낸다.
도 3은 일 실시예에 따라 도 1의 패키지형 집적 회로의 패키지 저항을 측정하는 흐름도를 나타낸다.
도 4는 일 실시예에 따라 도 1의 패키지형 집적 회로의 패키지 저항을 측정하는 흐름도를 나타낸다.
도 5는 일 실시예에 따라 도 1의 패키지형 집적 회로의 패키지 저항을 측정하는 회로를 나타낸다.
도 6은 일 실시예에 따라 도 1의 패키지형 집적 회로의 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들을 나타낸다.
도 7은 일 실시예에 따라 도 4의 흐름도에 대하여 패키지형 집적 회로의 특성을 측정하는 흐름도를 나타낸다.
도 8은 도 1의 패키지형 집적 회로의 패키지 저항을 측정하는 회로를 나타낸다.
도 9는 일 실시예에 따라 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들의 저항과 패키지의 기준 저항에 적어도 부분적으로 기초하여 프로세서용 패키지 저항을 측정하는 모니터를 구비한 프로세서를 포함하는 예시적인 시스템의 블록도를 나타낸다.
도면은 반드시 일정 비율로 그려지지 않는다.
집적 회로 패키지의 저항 측정과 관련된 장치, 방법, 매체 및 시스템의 예시적인 실시예에 대하여 아래에서 상세히 설명한다. 예를 들어 구조(들), 기능(들) 및/또는 특성(들)과 같은 특징은 편의상 하나의 실시예를 참고하여 설명하며, 임의의 적절한 하나 이상의 기재된 특징으로 다양한 실시예를 구현할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따라 집적 회로(110)용 패키지(120)를 구비한 패키지형 집적 회로(packaged integrated circuit)(100)를 나타낸다. 일 실시예에 따른 집적 회로(110)는, 집적 회로(110)에 하나 이상의 컴포넌트들(130)을 연결하여 그 하나 이상의 컴포넌트들(130)을 통해서 패키지(120)로 전류가 흐르게 하는 노드(112)를 가질 수 있다. 집적 회로(110)는 예컨대 본딩 패드(bonding pad)와 같이 적절한 방식으로 노드(112)를 형성할 수 있다. 일 실시예에 따른 집적 회로(110)는 패키지(120)의 기준 저항과 하나 이상의 컴포넌트들(130)의 저항에 적어도 부분적으로 기초하여 패키지(120)의 저항을 측정하는 모니터(140)를 구비할 수 있다.
측정된 패키지 저항의 사용예
집적 회로(110)는 임의의 적절한 목적을 위해 모니터(140)를 사용하여 패키지(120)의 저항을 측정할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 일 실시예에 따른 집적 회로(110)는 도 2의 흐름도(200)에 도시한 바와 같이 패키지형 집적 회로(100)에 대한 전력 제어를 돕는 하나 이상의 전력 제어기(150)를 선택적으로 포함할 수 있다. 도 2의 블록(202)에 있어서, 모니터(140)는, 패키지(120)의 기준 저항과, 패키지(120)로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들(130)의 저항에 기초하여 패키지(120)의 저항(Rpackage)을 측정할 수 있다. 블록(204)에 있어서, 하나 이상의 전력 제어기(150)는 패키지(120)의 측정된 저항(Rpackage)에 적어도 부분적으로 기초하여 패키지형 집적 회로(100)의 전력을 제어할 수 있다.
일 실시예에 따른 모니터(140)는 패키지(120)의 측정된 저항(Rpackage)에 적어도 부분적으로 기초하여 집적 회로(110)에 인가된 전력을 또한 측정할 수 있다. 이때, 일 실시예에 따른 하나 이상의 전력 제어기(들)(150)는 집적 회로(110)의 전력을 제어하기 위하여 측정된 전력을 나타내거나 그것에 대응하는 하나 이상의 신호들을 모니터(140)로부터 수신하도록 연결될 수 있다. 일 실시예에 따른 전력 제어기(들)(150)는 집적 회로(110)의 전력을 제어하여 집적 회로(110)에 대한 전력 소비 및/또는 열 방산 제어를 도울 수 있다.
일 실시예에 따른 집적 회로(110)는 도 1에 도시한 바와 같이 가변 클록 소스(variable clock source)(156)를 선택적으로 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 전력 제어기(150)는 가변 클록 소스(156)에 연결되어 집적 회로(110)의 회로를 클록시키거나(clock) 활성화시키는 가변 클록 소스(156)에 의해 생성되는 하나 이상의 클록 신호의 주파수를 가변시키도록 가변 클록 소스(156)를 제어함으로써 집적 회로(110)의 전력 소비 및/또는 열 방산 제어를 도울 수 있다. 일 실시예에 따른 가변 클록 소스(156)는 패키지형 집적 회로(100)의 외부에 위치한 클록 소스로부터 미리 결정된 주파수를 갖는 외부 클록 신호를 수신하도록 연결될 수 있고, 전력 제어기(150)로부터의 하나 이상의 제어 신호에 응답하여 임의의 적절한 주파수를 갖는 하나 이상의 내부 클록 신호 신호를 생성하는 임의의 적절한 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 전력 제어기(150)는 패키지형 집적 회로(100)의 외부에 위치한 가변 클록 소스를 제어하도록 연결될 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 일 실시예에 따른 전력 제어기(150)는 패키지형 집적 회로(100)의 외부에 위치한 가변 전원 공급 장치(variable power supply)(158)를 제어하도록 연결될 수 있다. 일 실시예에 따른 패키지형 집적 회로(100)는 가변 전원 공급 장치(158)로부터의 전력을 수신하도록 연결될 수 있다. 일 실시예에 따른 전력 제어기(150)는 가변 전원 공급 장치(158)를 제어하여 가변 전원 공급 장치(158)에 의하여 집적 회로(110)에 인가되는 공급 전압을 가변시킴으로써 집적 회로(110)의 전력 소비 및/또는 열 방산 제어를 도울 수 있다. 가변 전원 공급 장치(158)는 전력 제어기(150)로부터의 하나 이상의 제어 신호에 응답하여 집적 회로(110)에 임의의 적절한 레벨로 공급 전압을 인가하는 임의의 적절한 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 가변 전원 공급 장치(158)는 예를 들어 교류 직류(AC-DC) 어댑터(adaptor) 또는 배터리와 같은 전원 공급 장치, 그리고 예를 들어 직류 직류(DC-DC) 변환기와 같이 전원 공급 장치 및 전력 제어기(150)에 연결되어 가변 공급 전압을 집적 회로(110)에 인가하는 전압 조절기(regulator)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 모니터(140)는 집적 회로용 다이(die)의 전압(Vdie) 및 집적 회로(110)용 패키지(120)의 전압(Vpackage)을 측정하도록 연결될 수 있고, 다이 전압(Vdie), 측정된 패키지 전압(Vpackage) 및 측정된 패키지 저항(Rpackage)에 기초하여 집 적 회로(110)에 인가된 전력을 측정할 수 있다.
일 실시예에 따른 모니터(140)는 다음 수학식 1에 따라 집적 회로(110)에 인가된 전력(P)을 측정할 수 있다.
Figure 112008025716418-pct00001
집적 회로(110)에 인가되는 전력(P)의 양은 이상적으로 다음 수학식 2와 같음을 유의하여야 한다.
Figure 112008025716418-pct00002
여기서, I는 집적 회로(110)에 의해 인출되는 전류의 양이고, 이상적으로 다음의 수학식 3에 따라 패키지(120)를 통해 인출되는 전류의 양과 역시 동일하다.
Figure 112008025716418-pct00003
모니터(140)는 임의의 적절한 방식으로 다이 전압(Vdie) 및 패키지 전압(Vpackage) 을 측정할 수 있다. 일 실시예에 따른 모니터(140)는 노드(111)에서 집적 회로(110)용 다이 전력 그리드(die power grid)에 연결되어 다이 전압(Vdie)을 측정할 수 있다. 일 실시예에 따른 모니터(140)는 패키지(120) 근처 또는 외부의 노드(121)에 연결되어 외부 전압(Vouter)을 측정할 수 있다. 이때, 모니터(140)는 다음 수학식 4에 따라 패키지 전압(Vpackage)을 측정할 수 있다.
Figure 112008025716418-pct00004
패키지 저항 측정
일 실시예에 따른 모니터(140)는 도 3의 흐름도(300)에 따라 패키지(120)의 저항을 측정할 수 있다. 도 3의 블록(302)에 있어서, 모니터(140)는 집적 회로(110)용 패키지(120)로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들(130)에 흐르는 전류를 제어할 수 있다. 블록(304)에 있어서, 모니터(140)는 패키지(120)의 기준 저항과 패키지(120)로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들(130)의 저항에 적어도 부분적으로 기초하여 패키지(120)의 저항을 측정할 수 있다.
일 실시예에 따른 모니터(140)는 하나 이상의 컴포넌트들(130)을 사용하여 집적 회로(110)의 동작시 패키지(120) 저항의 변화를 반영하도록 돕는다. 패키지(120) 저항은 예를 들어, 패키지(120)의 온도 변화 및/또는 집적 회로(110)용 다이 때문에 변할 수 있다. 일 실시예에 따른 모니터(140)는, 패키지(120)의 기준 저항을 사용하여 상이한 동작 조건 하에서 패키지(120) 저항을 측정하고, 그런 조건 하에서 하나 이상의 컴포넌트들(130)의 저항에 기초하여 측정값을 조정할 수 있다. 모니터(140)는 임의의 적절한 방식으로 패키지(120)의 기준 저항을 식별할 수 있다.
일 실시예에 따른 모니터(140)는 기준 온도에서 측정된 패키지(120)의 저항 에 기초한 패키지(120)의 기준 저항을 이용하여 주어진 온도에서의 패키지(120)의 저항을 측정할 수 있다. 이어, 일 실시예에 따른 모니터(140)는 이러한 패키지(120)의 기준 저항 및 주어진 온도에서의 하나 이상의 컴포넌트들(130)의 저항에 적어도 부분적으로 기초하여 주어진 온도에서의 패키지(120)의 저항을 측정할 수 있다.
일 실시예에 따른 패키지(120)의 기준 저항은 패키지형 집적 회로(100)를 공지된 전류(Itest)로 싱크(sink)시키는 전류 테스터 온도(tester temperature)(Ttest)에서 패키지형 집적 회로(100)를 공지된 부하 조건 하에 두는 테스터를 사용하여 측정될 수 있다. 이때, 일 실시예에 따른 모니터(140)는 패키지(120)에 걸리는 기준 패키지 전압[Vpackage(Ttest)]을 측정하여 다음 수학식 5에 따라 기준 패키지 저항[Rpackage(Ttest)]을 측정할 수 있다.
Figure 112008025716418-pct00005
일 실시예에 따른 모니터(140)는 패키지(120) 근처 또는 외부의 노드(121)에 연결되어 외부 전압[Vouter(Ttest)]을 측정할 수 있고, 노드(111)에서 집적 회로(110)용 다이 전력 그리드에 연결되어 다이 전압[Vdie(Ttest)]을 측정할 수 있다. 이때, 모니터(140)는 다음 수학식 6에 따라 기준 패키지 전압[Vpackage(Ttest)]을 측정할 수 있다.
Figure 112008025716418-pct00006
일 실시예에서, 테스터는 패키지(120)에 걸리는 기준 패키지 전압[Vpackage(Ttest)] 및/또는 기준 패키지 저항[Rpackage(Ttest)]을 측정하기 위해 사용될 수 있다. 이때, 일 실시예에 따른 테스터는 기준 패키지 전압[Vpackage(Ttest)] 및/또는 기준 패키지 저항[Rpackage(Ttest)]을 모니터(140)로 업로드(upload)하기 위해 사용될 수 있다.
일 실시예에 따른 모니터(140)는 도 4의 흐름도(400)에 따라 온도(T1)에서의 패키지(120) 저항을 측정할 수 있다. 도 4의 블록(402)에 있어서, 모니터(140)는 온도(T1)에서 패키지(120)로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들(130)의 저항[R1(T1)]에 적어도 부분적으로 기초하여 패키지형 집적 회로(100)의 특성[X(T1)]을 측정할 수 있다. 블록(404)에 있어서, 온도(T0)에서의 패키지(120)의 기준 저항[Rpackage(T0)], 측정된 특성[X(T1)], 및 온도(T0)에서 패키지(120)로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들(130)의 저항[R1(T0)]에 적어도 부분적으로 기초하여 패키지형 집적 회로(100)의 기준 특성[X(T0)]에 적어도 부분적으로 기초하여 온도(T1)에서의 패키지(120)의 저항[Rpackage(T1)]을 측정할 수 있다.
일 실시예에 따른 기준 패키지 저항[Rpackage(T0)]은 테스터를 사용하여 측정될 수 있다. 따라서 온도(T0)는 테스터 온도(Ttest)에 대응할 수 있다. 일 실시예에 따른 기준 특성[X(T0)]은 패키지형 집적 회로(100)가 온도(T0)에 있는 동안에 모니터(140)로 측정할 수 있다. 일 실시예에 따른 모니터(140)는 도 4의 블록(402)과 유사하게 기준 특성[X(T0)]을 측정할 수 있다. 일 실시예에 따른 기준 특성[X(T0)]은 패키지형 집적 회로(100)가 온도(T0)에 있는 동안 테스터로 측정될 수 있다. 이때, 일 실시예에 따른 테스터는 기준 특성[X(T0)]을 모니터(140)로 업로드하기 위해 사용될 수 있다.
일 실시예에 따른 모니터(140)는 상이한 시간에 패키지 저항(Rpackage)의 다수 측정값들에 대하여 동일한 기준 패키지 저항[Rpackage(T0)]값과 동일한 기준 특성[X(T0)]값을 사용할 수 있다. 일 실시예에 따른 모니터(140)는 패키지 저항(Rpackage) 및 특성(X)의 사전 측정값들에 기초하여 패키지 저항(Rpackage)의 하나 이상의 측정값들에 대한 기준 패키지 저항[Rpackage(T0)]과 기준 특성[X(T0)]의 값들을 업데이트할 수 있다.
일 실시예에 따른 모니터(140)는 기준 특성[X(T0)] 및 기준 패키지 저항[Rpackage(T0)] 사이의 관계를 이용하여 측정된 특성[X(T1)]에 기초한 패키지 저 항[Rpackage(T1)]을 측정할 수 있다. 모니터(140)는 임의의 적절한 특성(X)을 이용하여 패키지 저항(RPackage)을 측정할 수 있다.
일 실시예에 따른 모니터(140)는 패키지(120)로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 제1 컴포넌트들(130)의 저항(R1) 및 패키지형 집적 회로(100)에 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 제2 컴포넌트들의 저항(R2) 사이의 비를 특성(X)으로서 사용할 수 있다. 일 실시예에 따른 저항(R2)은 저항(R1)에 비하여 비교적 일정할 수 있다.
저항(R1)은 이상적으로 다음의 수학식 7과 같다.
Figure 112008025716418-pct00007
여기서, V1은 하나 이상의 제1 컴포넌트들(130)의 양단에 걸리는 전압이고 I1은 하나 이상의 제1 컴포넌트들(130)에 흐르는 전류이다.
저항(R2)은 다음의 수학식 8과 같다.
Figure 112008025716418-pct00008
여기서, V2는 하나 이상의 제2 컴포넌트들의 양단에 걸리는 전압이고 I2는 하나 이상의 제2 컴포넌트들에 흐르는 전류이다.
일 실시예에 따른 모니터(140)는 다음 수학식 9에 따라 블록(402)에 대하여 저항(R1)과 저항(R2) 사이의 비를 측정할 수 있다.
Figure 112008025716418-pct00009
일 실시예에 따른 모니터(140)는 블록(404)에 대하여 다음 수학식 10에 따라 패키지 저항[Rpackage(T1)]을 측정할 수 있다.
Figure 112008025716418-pct00010
일 실시예에 따른 모니터(140)는 특성(X)으로서 비(R1/R2)를 사용할 수 있는데, 그 이유는, 일 실시예에 따른 이러한 비는 저항(R1)을 정확하게 또는 저항(R2)을 정확하게 측정할 필요 없이 비교적 정확하게 측정될 수 있기 때문이다.
모니터용 회로예
모니터(140)는 임의의 적절한 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 모니터(140)는 집적 회로(110)에 의하여 수행되는 명령어들에 의하여 적어도 부분적으로 구현될 수 있다. 그러한 명령어들은 그러한 명령어들을 수행하도록 액세스 가능한 임의의 적절한 매체에 저장되고/되거나 내장될 수 있다. 일 실시예에 따른 집적 회로(110)는 그러한 매체를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 집적 회로(110)는 그러한 매체로부터 명령어들을 수신하도록 연결될 수 있다.
일 실시예에 따른 모니터(140)는 도 5에 도시한 바와 같이, 제어기(540), 프 로그램 가능 전류 소스(programmable current source)(546) 및 프로그램 가능 전류 소스(548)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 프로그램 가능 전류 소스(546)는 임의의 적절한 하나 이상의 컴포넌트들(130)을 통하여 전류(I1)를 인출하도록 연결될 수 있다. 일 실시예에 따른 컴포넌트들(130)은 공급 전압 노드(501)와 프로그램 가능 전류 소스(546) 사이에 연결되어 있을 수 있다.
일 실시예에 따른 컴포넌트(들)(130)는 패키지(120)로 전류를 흐르게 하는 용도로 전용되어 패키지(120)의 저항 측정을 돕는다. 따라서, 일 실시예에 따른 집적 회로(110)는, 모니터(140)가 패키지(120)의 저항을 측정하는 것을 돕는 하나 이상의 컴포넌트들(130)에 흐르는 전류를 제어하도록 하는 임의의 적절한 하나 이상의 기능을 수행하도록 계속 동작할 수 있다.
집적 회로(110)가 기판 위에 위치되어 패키지(120)에 집적 회로(110)를 패키징하는 것을 돕는 일 실시예에 따르면, 기판은 하나 이상의 컴포넌트들(130)을 가질 수 있다. 일 실시예에 따른 하나 이상의 컴포넌트들(130)은 집적 회로(110)의 동작시 패키지(120)의 저항(Rpackage)의 변화를 복제하는 것을 돕도록 구성될 수 있다. 일반적으로, 일 실시예에 따른 패키지(120) 전반에 하나 이상의 컴포넌트들(130)을 확장 또는 분산시키면 그러한 변화를 더욱 잘 복제할 수 있다. 일 실시예에 따른 하나 이상의 컴포넌트들(130)은 집적 회로(110)의 하나보다 많은 측면(side), 예컨대 둘, 셋 또는 네 측면으로 전류를 흐르게 할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따라 컴포넌트(들)(130)의 구현을 돕기 위해 패키지 기판(610) 위에 위치된 집적 회로(110)의 네 측면 상의 패키지 기판(610) 전반에 라우팅된(routed) 도선(conductive line)(630)을 나타낸다. 일 실시예에 따른 도선(630)은 뱀의 형상을 갖도록 라우팅될 수 있다. 일 실시예에 따른 패키지 기판(610)은 예컨대, 패키지 기판(610) 내부, 위(on) 및/또는 위쪽(over)의 다른 선들과 같은 다른 컴포넌트들의 배치에 이어서 패키지 기판(610) 내부, 위 및/또는 위쪽의 사용 가능한 공간을 통하여 도선(630)이 라우팅되도록 설계될 수 있다. 도선(630)은 예를 들어 구리와 같은 임의의 적절한 도전성 재료를 포함할 수 있다. 도선(630)은 온도에 따라 선형인 저항을 갖거나 갖지 않을 수 있는 임의의 적절한 도전성 재료를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 도선(630)은 집적 회로(110)에 전력을 공급하는 공급선(들)에 사용되는 것과 동일한 도전성 재료를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따라 이러한 방식으로 동일한 도전성 재료를 사용하면 그러한 공급선(들)에 대한 온도 효과를 더욱 잘 관련시키는데 도움을 줄 수 있다.
일 실시예에 따른 프로그램 가능 전류 소스(548)는 임의의 적절한 하나 이상의 컴포넌트들(530)을 통하여 전류(I2)를 인출하도록 연결될 수 있다. 일 실시예에 따른 하나 이상의 컴포넌트(들)(530)는 공급 전압 노드(501)와 프로그램 가능 전류 소스(548) 사이에 연결되어 있을 수 있다.
하나 이상의 컴포넌트들(530)은 집적 회로(110) 및/또는 패키지(120) 내의 임의의 적절한 위치에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 하나 이상의 컴포넌트 들(530)은 실질적으로 온도 무관형(temperature independent)으로, 즉 온도 동작 범위 내에서의 온도 변화에도 불구하고 비교적 최소 편차의 저항을 가질 수 있다. 일 실시예에 따른 하나 이상의 컴포넌트들(530)은 실질적으로 공급 전압 무관형으로, 즉 패키지형 집적 회로(100)에 인가되는 공급 전압의 동작 범위 내에서의 공급 전압의 변화에도 불구하고 비교적 최소 편차를 가지는 저항을 가질 수 있다. 일 실시예에 따른 하나 이상의 컴포넌트들(530)은 실질적으로 온도 무관형이고 실질적으로 공급 전압 무관형일 수 있다.
일 실시예에 따른 컴포넌트들(130)은 일반적으로 하나 이상의 컴포넌트들(530)의 저항(R2)의 특정 양이나 퍼센트와 거의 동일하거나 그 범위 내에 있는 저항(R1)을 구비할 수 있다.
일 실시예에 따른 제어기(540)는 공급 전압 노드(501), 하나 이상의 컴포넌트들(130)과 프로그램 가능 전류 소스(546) 사이의 노드(502), 및/또는 하나 이상의 컴포넌트들(530)과 프로그램 가능 전류 소스(548) 사이의 노드(503)에서의 전압 또는 그 전압에 대응하는 전압을 측정하도록 연결될 수 있다. 일 실시예에 따른 제어기(540)는 노드들(501, 502)로부터 측정된 전압들 사이의 차를 식별함으로써 하나 이상의 컴포넌트들(130) 양단의 전압(V1) 또는 전압(V1)에 대응하는 전압을 측정할 수 있다. 일 실시예에 따른 제어기(540)는 노드들(501, 503)로부터 측정된 전압들 사이의 차를 식별함으로써 하나 이상의 컴포넌트들(530) 양단의 전압(V2) 또 는 전압(V2)에 대응하는 전압을 측정할 수 있다.
일 실시예에 따른 전압 조절기(560)는 공급 전압 노드(501)에서 비교적 일정한 전압을 생성하는 것을 돕기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에 따른 전압 조절기(560)는 집적 회로(110)에 공급 전압을 인가하는 동일한 전원 공급 장치로부터 공급 전압을 입력받도록 연결될 수 있다. 일 실시예에 따른 전압 조절기(560)는 도 6에 도시한 바와 같이 집적 회로(110) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 전압 조절기(560)는 집적 회로(110)가 패키지(120)에 패키징되는 것을 돕기 위해 사용되는 기판 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 전압 조절기(560)는 패키지형 집적 회로(100)의 외부에 있을 수 있다.
하나 이상의 컴포넌트들(130)과 하나 이상의 컴포넌트들(530)이 공통 공급 전압 노드(501)에 연결되는 것으로 도시하였지만, 별개의 공급 전압 노드에 연결될 수 있다. 이때, 일 실시예에 따른 제어기(540)는 이러한 별개의 공급 전압 노드로부터의 전압들을 측정하도록 연결될 수 있다.
일 실시예에 따른 제어기(540)는 프로그램 가능 전류 소스(546, 548)에 연결되어 패키지(120)의 기준 저항, 하나 이상의 컴포넌트들(130)을 통하여 인출되는 전류(I1)의 양 및 하나 이상의 컴포넌트들(530)을 통하여 인출되는 전류(I2)의 양에 적어도 부분적으로 기초하여 패키지(120)의 저항(Rpackage)을 측정할 수 있다. 일 실시예에 따른 제어기(540)는 프로그램 가능 전류 소스(546)를 제어하여 하나 이상의 컴포넌트들(130) 양단에 전압(V1)을 발생시킬 수 있고, 프로그램 가능 전류 소 스(548)를 제어하여 하나 이상의 컴포넌트들(530) 양단에 전압(V2)을 발생시킬 수 있으며, 전압(V1)은 전압(V2)과의 하나 이상의 미리 결정된 관계를 충족시킨다.
일 실시예에 따른 제어기(540)는 패키지(120)의 저항(Rpackage) 측정을 돕기 위해 전류(I1)의 양과 전류(I2)의 양에 적어도 부분적으로 기초하여 패키지형 집적 회로(100)의 특성(X)을 측정할 수 있다. 일 실시예에 따른 제어기(540)는 패키지(120)의 저항(Rpackage) 측정을 돕기 위해 전류(I1)의 양과 전류(I2)의 양에 적어도 부분적으로 기초하여 하나 이상의 컴포넌트들(130)의 저항(R1)과 하나 이상의 컴포넌트들(530)의 저항(R2) 사이의 비를 측정하도록 연결될 수 있다.
일 실시예에 따른 제어기(540)는 도 7의 흐름도(700)에 따라 하나 이상의 컴포넌트들(130)의 저항(R1)과 하나 이상의 컴포넌트들(530)의 저항(R2) 사이의 비를 측정할 수 있다.
도 7의 블록(702)에 있어서, 제어기(540)는 프로그램 가능 전류 소스(546)를 제어하여 저항(R1)을 갖는 하나 이상의 컴포넌트들(130)을 통하여 전류(I1)를 인출할 수 있다. 블록(704)에 있어서, 제어기(540)는 프로그램 가능 전류 소스(548)를 제어하여 저항(R2)을 갖는 하나 이상의 컴포넌트들(530)을 통하여 전류(I2)를 인출할 수 있다. 일 실시예에 따른 저항(R2)은 비교적 일정할 수 있다.
블록(706)에 있어서, 제어기(540)는 하나 이상의 컴포넌트들(130) 양단의 전 압(V1) 및 하나 이상의 컴포넌트들(530) 양단의 전압(V2)이 하나 이상의 미리 결정된 관계식을 충족시키는지를 식별할 수 있다. 일 실시예에 따른 제어기(540)는 블록(760)에 있어서 전압(V1)과 전압(V2)의 차의 절대값이 전압(V1)과 전압(V2) 중 어느 하나의 미리 결정된 양 또는 미리 결정된 퍼센트보다 작거나 또는 그 이하인지를 식별할 수 있다. 블록(706)에 있어서, 일 실시예에 따른 제어기(540)는 전압(V1)과 전압(V2)이 실질적으로 동일한지를 식별할 수 있다. 일 실시예에서, 하나 이상의 컴포넌트들(130)과 하나 이상의 컴포넌트들(530)은 공통 공급 전압 노드(501)에 연결되어 있을 수 있고, 일 실시예에 따른 제어기(540)는 블록(706)에 있어서 노드들(502, 503)에서 측정된 전압이 하나 이상의 미리 결정된 관계를 충족시키는 지를 식별할 수 있다.
전압(V1)과 전압(V2)이 블록(706)에 있어서 하나 이상의 미리 결정된 관계를 충족시키지 못할 경우, 블록(708)에 있어서 제어기(540)는 프로그램 가능 전류 소스(546)를 제어하여 하나 이상의 컴포넌트들(130)에 흐르는 전류(I1)를 조절하고/하거나 프로그램 가능 전류 소스(548)를 제어하여 하나 이상의 컴포넌트들(530)에 흐르는 전류(I2)를 조절할 수 있다. 블록(708)에 있어서 일 실시예에 따른 제어기(540)는 전류(I1) 및/또는 전류(I2)를 임의의 적절한 방식으로 조절하여 전압(V1)과 전압(V2)이 블록(706)에 있어서 하나 이상의 미리 결정된 관계를 충족시키도록 돕는다. 제어기(540)는 전압(V1)과 전압(V2)이 블록(706)에 있어서 하나 이상의 미리 결정된 관계를 충족시킬 때까지 블록(706, 708)에 대한 동작을 반복할 수 있다.
전압(V1)과 전압(V2)이 블록(706)에 있어서 하나 이상의 미리 결정된 관계를 충족시키는 경우, 블록(710)에 있어서 제어기(540)는 패키지(120)의 저항(Rpackage) 측정을 돕기 위해 전류(I1)의 양과 전류(I2)의 양에 적어도 부분적으로 기초하여 하나 이상의 컴포넌트들(130)의 저항(R1)과 하나 이상의 컴포넌트들(530)의 저항(R2) 사이의 비를 측정할 수 있다. 일 실시예에 따른 제어기(540)는 다음 수학식 11에 따라 이러한 비를 측정할 수 있다.
Figure 112008025716418-pct00011
일 실시예에 따른 제어기(540)는 이어 다음 수학식 12에 따라 패키지(120)의 저항(Rpackage)을 측정할 수 있다.
Figure 112008025716418-pct00012
일 실시예에 따른 제어기(540)는 측정된 패키지 저항(Rpackage)에 적어도 부분적으로 기초하여 집적 회로(110)에 공급되는 전력을 측정하도록 연결될 수 있다. 일 실시예에 따른 제어기(540)는 도 5에 도시한 바와 같이, 노드(111)에서 집적 회 로(110)용 다이의 전압(Vdie)을 측정하고, 패키지(120) 근처 또는 외부의 노드(121)에서 외부 전압(Vouter)을 측정하도록 연결될 수 있다. 이때, 일 실시예에 따른 제어기(540)는 다음 수학식 13에 따라 패키지 전압(Vpackage)을 측정할 수 있다.
Figure 112008025716418-pct00013
또한, 다음 수학식 14에 따라 집적 회로(110)에 공급되는 전력(P)을 측정할 수 있다.
Figure 112008025716418-pct00014
제어기(540) 및 프로그램 가능 전류 소스(546, 548)는 임의의 적절한 방식으로 구현될 수 있다.
일 실시예에 따른 제어기(540)는 도 8에 도시한 바와 같이, 제어 로직(840), 및 제어 로직(840)이 노드(501, 502, 503)로부터의 전압을 각각 측정하게 하도록 연결된 아날로그 디지털 변환기(ADC들)(841, 842, 843)를 포함할 수 있다. 도 8에 도시한 바와 같이, 제어기(540)는 또한 제어 로직(840)이 노드(111, 121)로부터의 전압을 각각 측정하게 하도록 연결된 아날로그 디지털 변환기(ADC들)(844, 845)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 제어기(840)는 프로그램 가능 전류 소스(546, 548)의 제어 를 돕고 패키지(120)의 저항(Rpackage) 측정을 돕기 위해 임의의 적절한 명령어들을 수행하는 임의의 적절한 로직을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 제어 로직(840)은 집적 회로(110)에 공급되는 전력의 측정을 돕기 위해 임의의 적절한 명령어들을 수행하는 임의의 적절한 로직을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 제어 로직(840)에 의하여 수행되는 명령어들은 이러한 명령어들을 수행하기 위해 액세스 가능할 수 있는 임의의 적절한 매체에 저장되고/되거나 내장될 수 있다. 도 8에 도시한 바와 같이, 일 실시예에 따른 제어 로직(840)은 그러한 매체(849)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 제어 로직(840)은 그러한 매체로부터의 명령어들을 수신할 수 있도록 연결될 수 있다.
일 실시예에 따른 프로그램 가능 전류 소스(546)는, 도 8에 도시한 바와 같이, 기준 전류 생성기(847)로부터 기준 전류(Iref)를 수신하도록 연결된 디지털 아날로그 변환기(DAC)(846)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 DAC(846)은 DAC(846)를 제어하기 위해 제어기(540)로부터 생성되는 제어 비트 설정(control bit setting)(DAC1)을 수신함으로써 하나 이상의 컴포넌트들(130)을 통하여 인출되는 전류(I1)의 양을 제어하도록 연결될 수 있다. DAC(846)은 임의의 적절한 회로를 포함할 수 있고, 임의의 적절한 비트 수의 임의의 적절한 제어 비트 설정을 구비하여 임의의 적절한 분해능을 가지고 전류(I1)를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따른 DAC(846)은 예를 들어 8, 9, 10비트 길이의 제어 비트 설정을 구비할 수 있다. 도 8에 도시한 바와 같이, 일 실시예에서, 제어 로직(840)은 제어 비트 설정(DAC1)을 생성하기 위해 사용될 수 있다.
일 실시예에 따른 프로그램 가능 전류 소스(548)는, 도 8에 도시한 바와 같이, 기준 전류 생성기(847)로부터 기준 전류(Iref)를 수신하도록 연결된 디지털 아날로그 변환기(DAC)(848)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 DAC(848)은 DAC(848)를 제어하기 위해 제어기(540)로부터 생성되는 제어 비트 설정(control bit setting)(DAC2)을 수신함으로써 하나 이상의 컴포넌트들(530)을 통하여 인출되는 전류(I2)의 양을 제어하도록 연결될 수 있다. DAC(848)은 임의의 적절한 회로를 포함할 수 있고, 임의의 적절한 비트 수의 임의의 적절한 제어 비트 설정을 구비하여 임의의 적절한 분해능을 가지고 전류(I2)를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따른 DAC(848)은 예를 들어 8, 9, 10비트 길이의 제어 비트 설정을 구비할 수 있다. 도 8에 도시한 바와 같이, 일 실시예에서, 제어 로직(840)은 제어 비트 설정(DAC2)을 생성하기 위해 사용될 수 있다.
도 7의 블록(706, 708)에 있어서 일 실시예에 따른 제어기(540)는 전압(V1)과 전압(V2)이 실질적으로 동일할 때까지 제어 비트 설정(DAC1) 및/또는 제어 비트 설정(DAC2)을 조절하여 DAC(846, 848)용 전계 효과 트랜지스터(FET)의 드레인 소스간 전압(Vds)의 불일치(mismatch)를 감소 또는 최소화하도록 돕고 이에 따라 Vds의 변조 오류(modulation error)를 감소 또는 최소화시키도록 도울 수 있다.
기준 전류 생성기(847)는 기준 전류(Iref)를 생성하기 위한 임의의 적절한 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 기준 전류 생성기(847)는 예컨대, 비교적 고출력 임피던스를 갖는 와이드 스윙 캐스코드 전류 미러(wide swing cascode current mirror)와 같이 비교적 고임피던스 전류 미러 설계를 구비한 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 이러한 고임피던스 전류 미러 설계는 DAC(846, 848)용 전계 효과 트랜지스터(FET)의 드레인 소스간 전압(Vds)에서의 임의의 불일치로 인한 전류(I1, I2)의 변화를 감소 또는 최소화하도록 도울 수 있고, 이에 따라 Vds의 변조 오류를 감소 또는 최소화하도록 도울 수 있다.
일 실시예에서, DAC(846, 848)에 대하여 동일한 기준 전류(Iref)를 사용하여 일반적으로 제어 비트 설정(DAC1, DAC2)에 각각 비례하는 전류(I1, I2)를 각각 인출할 수 있다. 따라서, 일 실시예에 따른 제어기(540)는 다음 수학식 15에 따라 하나 이상의 컴포넌트들(130)의 저항(R1)과 하나 이상의 컴포넌트들(530)의 저항(R2) 사이의 비를 측정할 수 있다.
Figure 112008025716418-pct00015
따라서, 일 실시예에 따른 제어기(540)는 전류(I1), 저항(R1), 전류(I2) 또는 저항(R2)을 측정할 필요 없이 비(R1/R2)를 비교적 정확하게 측정할 수 있다.
시스템 예
패키지형 집적 회로(100)는 임의의 적절한 시스템에서의 사용하기 위해 설계될 수 있다. 일 실시예에 따른 패키지형 집적 회로(100)는 도 9에 도시한 바와 같이 시스템(900)에서 사용하기 위해 프로세서(910)의 적어도 일부를 형성하도록 설계될 수 있다. 즉, 프로세서(910)는 패키지의 기준 저항과, 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들(914)의 저항에 적어도 부분적으로 기초하여 프로세서(910)용 패키지의 저항을 측정하는 모니터(912)를 구비할 수 있다. 일 실시예에 따른 모니터(912) 및 컴포넌트(들)(914)는 도 1의 모니터(140) 및 컴포넌트(들)(130)에 각각 대응할 수 있다.
일 실시예에 따른 컴포넌트(들)(914)는 패키지의 저항 측정을 돕기 위해 프로세서(910)용 패키지로 전류를 흐르게 하는 용도로 전용될 수 있다. 따라서 일 실시예에 따른 프로세서(910)는 모니터(912)가 패키지의 저항 측정을 돕는 하나 이상의 컴포넌트들(914)에 흐르는 전류를 제어하도록 하는 임의의 적절한 하나 이상의 기능을 수행하도록 계속 동작할 수 있다. 일 실시예에 따른 프로세서(910)는 모니터(912)가 패키지의 저항 측정을 돕는 하나 이상의 컴포넌트들(914)에 흐르는 전류를 제어하도록 하는 명령어들을 계속 수행할 수 있다. 프로세서(910)가 다수의 코어 아키텍쳐를 포함하는 일 실시예에서는, 일 실시예에 따른 프로세서(910)는 예를 들어 모든 코어를 포함하여 하나 이상의 코어(core)에 대해 모니터(912)가 패 키지의 저항 측정을 돕는 하나 이상의 컴포넌트들(914)에 흐르는 전류를 제어하도록 하는 명령어들을 계속 수행할 수 있다.
일 실시예에 따른 프로세서(910)는 프로세서(910)용 패키지의 측정된 저항에 적어도 부분적으로 기초하여 프로세서(910)에 대한 전력을 선택적으로 제어할 수 있다.
일 실시예에 따른 프로세서(910)는 측정된 패키지 저항에 적어도 부분적으로 기초하여 가변 클록 소스를 선택적으로 제어하여, 프로세서(910)의 회로를 클록시키거나 활성화시키기 위해 가변 클록 소스에서 생성되는 하나 이상의 클록 신호의 주파수를 가변시킴으로써 집적 회로(910)의 전력 소비 및/또는 열 방산 제어를 도울 수 있다. 일 실시예에 따른 가변 클록 소스는 도 1의 가변 클록 소스(156)에 대응할 수 있다.
일 실시예에 따른 프로세서(910)는 측정된 패키지 저항에 적어도 부분적으로 기초하여 전원 공급 장치(901)에 연결되어 있는 전압 조절기(902)를 선택적으로 제어하여 전압 조절기(902)에 의하여 프로세서(910)에 인가되는 공급 전압을 변화시킴으로써 프로세서(910)의 전력 소비 및/또는 열 방산 제어를 도울 수 있다. 일 실시예에 따른 전원 공급 장치(901) 및 전압 조절기(902)는 도 1의 가변 전원 공급 장치(158)에 대응할 수 있다.
일 실시예에 따른 시스템(900)은 프로세서(910)에 연결되어 있는 칩셋(chipset)(920), 칩셋(920)에 연결되어 있는 기본 입출력 시스템(basic input/output system, BIOS) 메모리(930), 칩셋(920)에 연결되어 있는 휘발성 메모 리(940), 칩셋(920)에 연결되어 있는 불휘발성 메모리 및/또는 저장 장치(들)(950), 칩셋(920)에 연결되어 있는 하나 이상의 입력 장치(960), 칩셋(920)에 연결되어 있는 디스플레이(970), 칩셋(920)에 연결되어 있는 하나 이상의 통신 인터페이스(980), 및/또는 칩셋(920)에 연결되어 있는 하나 이상의 기타 입출력(I/O) 장치(990)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 칩셋(920)은 프로세서(910) 및/또는 칩셋(920)과 통신하는 임의의 적절한 장치 또는 컴포넌트에 임의의 적절한 통신 링크를 제공하는 임의의 적절한 인터페이스 제어기를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 칩셋(920)은 BIOS 메모리(930)에 대한 인터페이스를 제공하는 펌웨어 제어기(firmware controller)를 포함할 수 있다. BIOS 메모리(930)는 임의의 적절한 시스템 및/또는 시스템(900)용의 영상 BIOS 소프트웨어를 저장하기 위해 사용될 수 있다. BIOS 메모리(930)는 예를 들어 적절한 플래시 메모리와 같은 임의의 적절한 불휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 대안적으로, 일 실시예에 따른 BIOS 메모리(930)는 칩셋(920)에 포함될 수 있다.
일 실시예에 따른 칩셋(920)은 휘발성 메모리(940)에 대한 인터페이스를 제공하는 하나 이상의 메모리 제어기를 포함할 수 있다. 휘발성 메모리(940)는 예를 들어 시스템(900)에 대한 데이터 및/또는 명령어들을 로딩 및 저장하기 위해 사용될 수 있다. 휘발성 메모리(940)는 예를 들어 적절한 동적 램(dynamic random access memory, DRAM)과 같은 임의의 적절한 메모리를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 칩셋(920)은 디스플레이(970)에 인터페이스를 제공하는 그 래픽 제어기(graphics controller)를 포함할 수 있다. 디스플레이(970)는 예를 들어 음극선관(cathode ray tube, CRT) 또는 액정 디스플레이(liquid crystal display, LCD)와 같은 임의의 적절한 디스플레이를 포함할 수 있다. 대안적으로, 일 실시예에 따른 그래픽 제어기는 칩셋(920)의 외부에 위치할 수 있다.
일 실시예에 따른 칩셋(920)은 불휘발성 메모리 및/또는 저장 장치(들)(950), 입력 장치(들)(960), 통신 인터페이스(들)(980) 및/또는 입출력 장치(990)에 대한 인터페이스를 제공하는 하나 이상의 입출력 제어기를 포함할 수 있다.
불휘발성 메모리 및/또는 저장 장치(들)(950)는 예컨대, 데이터 및/또는 명령어들을 저장하기 위해 사용될 수 있다. 불휘발성 메모리 및/또는 저장 장치(들)(950)는, 예를 들어 하나 이상의 하드 디스크 드라이브(HDD), 하나 이상의 콤팩트 디스크(CD) 드라이브, 및/또는 하나 이상의 DVD(digital versatile disc) 드라이브와 같은 임의의 적절한 불휘발성 저장 장치(들)를 포함할 수 있다.
입력 장치(들)(96)는 키보드, 마우스, 및 또는 임의의 다른 적절한 커서 제어 장치와 같은 임의의 적절한 입력 장치(들)를 포함할 수 있다.
통신 인터페이스(들)(980)는 시스템(900)이 하나 이상의 네트워크를 통해 및/또는 임의의 다른 적절한 장치와 통신하기 위한 인터페이스를 제공할 수 있다. 통신 인터페이스(들)(980)는 임의의 적절한 하드웨어 및/또는 펌웨어를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 인터페이스(들)(980)는 예를 들어, 네트워크 어댑터, 무선 네트워크 어댑터, 전화 모뎀(modem), 및/또는 무선 모뎀을 포함할 수 있다. 무선 통선에 있어서, 일 실시예에 따른 통신 인터페이스(들)(980)는 하나 이상의 안 테나(982)를 사용할 수 있다.
입출력 장치(들)(990)는 예를 들어, 소리를 대응하는 디지털 신호로 변환하는 것을 돕고/돕거나 디지털 신호를 대응하는 소리로 변환하는 것을 돕는 오디오 장치, 카메라, 캠코더, 프린터 및/또는 스캐너와 같은 임의의 적절한 입출력 장치(들)를 포함할 수 있다.
칩셋(920)의 하나 이상의 제어기가 칩셋(920)에 내장되는 것으로 설명하였지만, 프로세서(910)가 하나 이상의 장치 또는 컴포넌트들와 직접 통신하도록 프로세서(910)와 통합될 수 있다. 일례로서, 일 실시예에 따른 하나 이상의 메모리 제어기는 프로세서(910)가 휘발성 메모리(940)와 직접 통신하도록 프로세서(910)와 통합될 수 있다.
전술한 기재에 있어서, 예시적인 실시예를 설명하였다. 첨부된 청구항의 범위를 벗어남이 없이 다양한 변형 및 변경이 그러한 실시예에 대하여 이루어질 수 있다. 따라서 설명 및 도면은 제한적인 의미보다는 예시적인 것으로 여겨져야 한다.

Claims (20)

  1. 집적 회로용 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들을 상기 집적 회로에 연결시키는 노드; 및
    상기 패키지의 기준 저항과, 상기 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들의 저항에 기초하여 상기 패키지의 저항을 측정하는 모니터
    를 포함하는 집적 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 모니터는 제1 온도에서 상기 패키지의 저항을 측정하고,
    상기 패키지의 상기 기준 저항은 제2 온도에서 상기 패키지의 측정된 저항에 기초하는 집적 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 모니터는 상기 패키지의 저항 측정을 돕기 위해 상기 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들의 저항에 기초하여 상기 집적 회로의 특성을 측정하는 집적 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 모니터는 상기 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들의 저항과, 상기 패키지의 저항 측정을 돕는 하나 이상의 컴포넌트 들의 저항 사이의 비를 측정하는 집적 회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 모니터는 상기 측정된 저항에 기초하여 상기 집적 회로에 공급되는 전력을 측정하는 집적 회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 측정된 저항에 기초하여 상기 집적 회로의 전력을 제어하는 제어기를 더 포함하는 집적 회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들을 갖는 기판과 결합하는 경우, 상기 집적 회로는 상기 기판 위에 위치되며, 상기 기판은 상기 집적 회로의 하나보다 많은 측면(side)으로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들을 갖는 집적 회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 집적 회로는 프로세서의 적어도 일부를 구성하고, 상기 프로세서는 상기 모니터가 상기 패키지의 저항 측정을 돕는 하나 이상의 컴포넌트들에 흐르는 전류를 제어하도록 하는 명령어들을 수행할 수 있는 집적 회로.
  9. 제1항에 있어서, 배터리와 결합하는 경우, 상기 집적 회로는 패키지 내에 패키징되며(packaged) 상기 배터리로부터 전력을 공급받도록 연결된 집적 회로.
  10. 집적 회로용 패키지에 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 제1 컴포넌트들을 통하여 제1 전류를 인출하는 제1 프로그램 가능 전류 소스(programmable current source),
    하나 이상의 제2 컴포넌트들을 통하여 제2 전류를 인출하는 제2 프로그램 가능 전류 소스; 및
    상기 제1 및 제2 프로그램 가능 전류 소스을 제어하여 상기 패키지의 기준 저항, 상기 제1 전류의 양, 및 상기 제2 전류의 양에 기초하여 상기 패키지의 저항을 측정하는 제어기
    를 포함하는 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제어기는 상기 제1 프로그램 가능 전류 소스를 제어하여 하나 이상의 제1 컴포넌트들에 걸쳐 제1 전압을 발생시키고, 상기 제2 프로그램 가능 전류 소스를 제어하여 하나 이상의 제2 컴포넌트들에 걸쳐 제2 전압을 발생시키며, 상기 제1 전압은 상기 제2 전압과 동일한, 장치.
  12. 삭제
  13. 제10항에 있어서, 상기 제1 프로그램 가능 전류 소스는 기준 전류 생성기에 연결되어 있는 제1 디지털 아날로그 변환기를 포함하고,
    상기 제2 프로그램 가능 전류 소스는 상기 기준 전류 생성기에 연결되어 있는 제2 디지털 아날로그 변환기를 포함하며,
    상기 제어기는 상기 제1 디지털 아날로그 변환기를 제어하는 제1 제어 비트 설정(control bit setting)과, 상기 제2 디지털 아날로그 변환기를 제어하는 제2 제어 비트 설정을 생성하는 장치.
  14. 제10항에 있어서, 상기 하나 이상의 제1 컴포넌트들는 상기 패키지의 저항 측정을 돕기 위해 상기 패키지로 전류를 흐르게 하는 용도로 전용되는 장치.
  15. 집적 회로에 의하여 수행될 때, 상기 집적 회로로 하여금,
    집적 회로용 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들에 흐르는 전류를 제어하고; 및
    상기 패키지의 기준 저항과, 상기 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들의 저항에 기초하여 상기 패키지의 저항을 측정하게 하는 명령어들을 갖는 매체.
  16. 제15항에 있어서, 상기 명령어들은, 상기 집적 회로로 하여금, 상기 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들에 흐르는 전류를 제어하는 디지털 아날로그 변환기 제어 비트들를 생성하게 하는 매체.
  17. 제15항에 있어서, 상기 명령어들은, 상기 집적 회로로 하여금, 상기 패키지의 저항 측정을 돕기 위해 상기 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들의 저항에 기초하여 상기 집적 회로의 특성을 측정하게 하는 매체.
  18. 집적 회로용 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들에 흐르는 전류를 제어하는 단계; 및
    상기 패키지의 기준 저항과, 상기 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들의 저항에 기초하여 상기 패키지의 저항을 측정하는 단계
    를 포함하는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 패키지의 저항을 측정하는 단계는, 상기 패키지로 전류를 흐르게 하는 하나 이상의 컴포넌트들의 저항에 기초하여 상기 집적 회로의 특성을 측정하는 단계를 포함하는 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 측정된 저항에 기초하여 상기 집적 회로의 전력을 제어하는 단계를 포함하는 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7394273B2 (en) * 2006-01-18 2008-07-01 International Business Machines Corporation On-chip electromigration monitoring system
US20100007334A1 (en) * 2008-07-08 2010-01-14 Silicon Laboratories Inc. Power sourcing equipment device and method of providing a power supply to a powered device
US8558553B2 (en) * 2008-12-16 2013-10-15 Infineon Technologies Austria Ag Methods and apparatus for selecting settings for circuits
US9696353B2 (en) * 2013-07-29 2017-07-04 Atmel Corporation Measuring power consumption of circuit component operating in run mode
US9470725B2 (en) 2013-07-29 2016-10-18 Atmel Corporation Measuring power consumption of circuit component operating in ultra-low power mode
WO2016183760A1 (zh) * 2015-05-18 2016-11-24 北京大学 基于接触作用的电阻抗调控装置及方法
EP3640669B1 (en) 2018-10-15 2023-12-27 Integrated Device Technology, Inc. Solid-state optical receiver driver system and method for testing a solid-state optical receiver driver system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4734641A (en) * 1987-03-09 1988-03-29 Tektronix, Inc. Method for the thermal characterization of semiconductor packaging systems
US6841852B2 (en) 2002-07-02 2005-01-11 Leeshawn Luo Integrated circuit package for semiconductor devices with improved electric resistance and inductance
US6959258B2 (en) 2003-02-18 2005-10-25 Lsi Logic Corporation Methods and structure for IC temperature self-monitoring
US7029932B1 (en) * 2005-02-07 2006-04-18 Texas Instruments Incorporated Circuit and method for measuring contact resistance

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5386188A (en) * 1993-01-15 1995-01-31 Keithley Instruments, Inc. In-circuit current measurement
US6448811B1 (en) 2001-04-02 2002-09-10 Intel Corporation Integrated circuit current reference
US6737909B2 (en) 2001-11-26 2004-05-18 Intel Corporation Integrated circuit current reference
US6894513B2 (en) * 2003-01-27 2005-05-17 Sun Microsystems, Inc. Multipoint plane measurement probe and methods of characterization and manufacturing using same
US6879489B2 (en) 2003-02-06 2005-04-12 Intel Corporation Processor sensing voltage regulator
US6882238B2 (en) * 2003-03-21 2005-04-19 Intel Corporation Method and apparatus for detecting on-die voltage variations
DE10333089B4 (de) * 2003-07-21 2016-12-29 Infineon Technologies Ag Stromauswertevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
US7091796B2 (en) 2003-08-20 2006-08-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for calibration of a voltage controlled oscillator (VCO)
US8037445B2 (en) 2003-08-20 2011-10-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System for and method of controlling a VLSI environment
US6954706B2 (en) * 2003-08-20 2005-10-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for measuring integrated circuit processor power demand and associated system
US7123104B2 (en) 2003-08-20 2006-10-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for measuring current
JP2007052591A (ja) * 2005-08-17 2007-03-01 Fujitsu Ltd 半導体集積回路の電源電圧分布シミュレーション方法およびシミュレーションプログラム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4734641A (en) * 1987-03-09 1988-03-29 Tektronix, Inc. Method for the thermal characterization of semiconductor packaging systems
US6841852B2 (en) 2002-07-02 2005-01-11 Leeshawn Luo Integrated circuit package for semiconductor devices with improved electric resistance and inductance
US6959258B2 (en) 2003-02-18 2005-10-25 Lsi Logic Corporation Methods and structure for IC temperature self-monitoring
US7029932B1 (en) * 2005-02-07 2006-04-18 Texas Instruments Incorporated Circuit and method for measuring contact resistance

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