KR101118404B1 - 광 파이버 - Google Patents

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스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 복수 채널의 신호광을 전송 가능한 WDM 광 통신 시스템의 전송 매체로서, 1.3㎛ 파장대뿐만 아니라 1.55파장대의 광 통신에도 적용 가능한, 보다 광 대역에서의 신호 전송을 가능하게 하는 광 파이버를 제공한다. 당해 광 파이버는, 석영유리를 주성분으로 하여, 소정축으로 따른 코어 영역과 해당 코어 영역의 외주에 마련된 클래드 영역을 구비한다. 이러한 구조를 갖춘 당해 광 파이버는, 대표적인 광학 특성으로서, 1260㎚ 이하의 케이블 컷오프 파장과, 파장 1310㎚에서 0.32dB/㎞ 이하의 전송 손실과, 파장 1380㎚에서 0.3dB/㎞ 이하의, OH기에 기인한 손실 증가량을 갖는다.

Description

광 파이버{FIBER OPTICS}
본 발명은 광 통신 시스템 등에 있어서의 광 전송로에 적용 가능한 광 파이버에 관한 것이다.
광 통신 시스템은, 전송 매체인 광 파이버를 거쳐서 신호광을 전송함으로써, 대용량 정보의 고속 송수신을 가능하게 한다. 또한, 파장 분할 다중(WDM: Wavelength Division Multiplexing) 광 통신 시스템은, 파장이 다른 복수 채널이 다중화된 신호광(다중화 신호광)을 전송함으로써, 보다 대용량의 정보를 송수신 가능하게 한다. 최근은, WDM 광 통신 시스템에 있어서 한층더 대용량화가 요구되고 있으며, 이 때문에, WDM 광 전송에 있어서의 신호 채널 간격을 좁게 하는 것이 고려되고, 또한, WDM 광 전송에서 사용되는 파장 대역을 확대하는 것이 고려되고 있다.
신호 파장 대역의 확대에 대해서는, 당초의 C 밴드(1530㎚～1565㎚)의 이용뿐만 아니라, C 밴드보다 장파장측의 L 밴드(1565㎚～1625㎚)나 U 밴드(1625㎚～1675㎚)의 이용도 검토되고, 또한, C 밴드보다 단파장측의 O 밴드(1260㎚～1360㎚), E 밴드(1360㎚～1460㎚) 및 S 밴드(1460㎚～1530㎚)의 이용도 검토되고 있다.
이러한 광 대역에 있어서 신호광을 전송하는 광 파이버에는, 그 신호 파장 대역에 있어서의 전송 손실이 작은 것 등이 요구된다. 광 통신 시스템에 적용되는 광 파이버는, 일반적으로, 석영유리를 주성분으로 하는 전송 매체이며, C 밴드 내의 파장 1550㎚ 부근에서 전송 손실이 최소로 되고, 또한, 파장 1380㎚에서 OH기에 기인한 손실 증가가 존재한다.
또, 표준적인 싱글모드 광 파이버의 특성은 국제규격(ITU-T G.652)으로 정해져 있다. 이 규격에 의하면, 표준적인 싱글모드 광 파이버는, 1300㎚～1324㎚의 영분산 파장과, 파장 1310㎚에서 그 중심값이 8.6㎛～9.5㎛이고 또한 편차의 허용값이 ±0.7㎛인 모드 필드 직경과, 그리고, 1260㎚ 이하의 케이블 컷오프 파장을 갖는다. 이 규격에 준거한 싱글모드 광 파이버는, 예컨대 비특허문헌 1～4에 기재되었듯이, 많은 광 파이버 메이커에 의해 제조?판매되어 있다.
한편, 1.55㎛ 파장 대용 광 파이버로서는, 예컨대, 비특허문헌 5에, 파장 1550㎚에서 0.154dB/㎞의 전송 손실과, 파장 1300㎚에서 0.291dB/㎞의 전송 손실과, 그리고, 파장 1380㎚에서 0.75dB/㎞의, OH기에 기인한 손실 증가량을 갖는 광 파이버가 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 1에는, 파장 1550㎚에서 0.170～0.173dB/㎞의 전송 손실과, 그리고, 파장 1380㎚에서 0.3dB/㎞의, OH기에 기인한 손실 증가량을 갖는 광 파이버가 개시되어 있다.
[특허문헌 1] 미국특허 제 6449415호 명세서
[비특허문헌 1] 스미토모전기공업주식회사의 카탈로그, 「Specification for Low Water Peak Single-Mode Optical Fiber(G.652D) "PureBandTM"」, 2003년 8월 25일
[비특허문헌 2] 코닝사의 카탈로그, 「CorningR SMF-28eTM Optical Fiber Product Information」, 2003년 3월
[비특허문헌 3] OFS사의 카탈로그, 「AllWaveR Fiber The New Standard for Single-Mode Fiber」, 2003년
[비특허문헌 4] Alcatel사의 카탈로그, 「Alcatel 6901 Enhanced Singlemode Fiber」, 2002년 1월
[비특허문헌 5] 요코타히로시 외, 「초저손실 순실리카 코어 싱글모드 파이버의 손실 특성」, 1986년도 전자통신학회 종합전국대회, 1091
발명자들은 종래의 광 파이버에 대하여 검토한 결과, 이하와 같은 과제를 발견했다. 즉, 국제규격(ITU-T G.652)에 준거한 상기 표준적인 싱글모드 광 파이버는, 애당초, 1.3㎛ 파장대의 신호광을 전송하는 광 전송로를 의도하여 설계되어 있기 때문에, 1.55㎛ 파장대의 신호광을 전송하는 광 전송로에 적용되는 경우에는, 전송품질의 점에서 문제를 갖고 있다. 특히, 1.55㎛ 파장대의 다중화 신호광을 전송하는 WDM 광 통신 시스템의 광 전송로로서 표준적인 싱글모드 광 파이버가 적용되는 경우, 각 신호 채널에 있어서의 파형 열화가 발생하기 쉽다고 하는 문제가 있었다.
한편, 상기 비특허문헌 5에 기재된 광 파이버는, 파장 1300㎚에서의 전송 손실이 작은 점에서는 바람직하지만, 파장 1380㎚에서의 OH기에 기인한 손실 증가량이 크다. 환언하면, 상기 비특허문헌 5에 기재된 광 파이버는, 파장 1380㎚ 및 주변 파장대에서의 전송 손실이 다른 파장대와 비교하여 매우 크고, 따라서, 파장 1380㎚을 포함하는 파장대에서는 신호 전송에 부적합하다.
또한, 상기 특허문헌 1에 기재된 광 파이버는, 파장 1380㎚에서의 OH기에 기인한 손실 증가량이 작은 점에서는 바람직하지만, 컷오프 파장이 1310㎚ 이상이거나, 또는 영분산 파장이 1350㎚이다. 이 때문에, 상기 특허문헌 1에 기재된 광 파이버는, 파장 1310㎚ 부근의 파장대에서는 신호 전송에 부적합하다.
본 발명은, 상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해서 행해진 것으로서, 국제규격(ITU-T G.652)으로 규정되는 표준적인 싱글모드 광 파이버와의 호환성이 우수하고(1.3㎛ 파장대에서 고품질 다중전송이 가능), 1.55㎛ 파장대에서도 고품질 다중전송이 가능한, 보다 광 대역에서의 신호 전송에 적합한 광 파이버를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명에 따른 광 파이버는, 소정축을 따라 신장한 코어 영역과 외코어 영역의 외주에 마련된 클래드 영역을 구비하고, 석영유리를 주성분으로 하는 광 전송 매체이다. 특히 실시예 1에 따른 광 파이버는, 1260㎚ 이하의 케이블 컷오프 파장과, 파장 1310㎚에서 0.32dB/㎞ 이하의 전송 손실과, 그리고, 파장 1380㎚에서 0.3dB/㎞ 이하의, OH기에 기인한 손실 증가량을 갖는다.
상술한 바와 같은 특성을 갖는 당해 광 파이버는, 석영유리를 주성분으로 하는 전송 매체이기 때문에, 파장 1550㎚ 부근에서 전송 손실이 최소로 된다. 또한, 당해 광 파이버는, 파장 1310㎚에서의 전송 손실이 작고, 파장 1380㎚에서의 OH기에 기인한 손실 증가량도 작다. 또한, 당해 광 파이버는, 케이블 컷오프 파장이 1260㎚ 이하이므로, O 밴드로부터 L 밴드까지의 넓은 신호 파장 대역에 있어서, 신호광을 저손실 또한 싱글모드 전송을 보증할 수 있다.
실시예 1에 따른 광 파이버에 있어서, 파장 1310㎚에서의 전송 손실은 0.30dB/㎞ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 파장 1310㎚ 부근의 신호광을 더 작은 손실로 장거리 전송할 수 있다.
실시예 1에 따른 광 파이버에 있어서, 파장 1380㎚에서의 전송 손실은, 파장 1310㎚에서의 전송 손실보다 작은 것이 바람직하다. 이 경우, 파장 1380㎚ 부근의 신호광을 저손실로 장거리 전송하는 데에 있어서 안성맞춤이다.
실시예 1에 따른 광 파이버에 있어서, 파장 1310㎚에서의 전송 손실로부터 파장 1550㎚에서의 전송 손실을 뺀 값은, 0.13dB/㎞ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 파장 1310㎚과 1550㎚의 양 파장에 있어서의 전송 손실의 차가 작기 때문에, 넓은 신호 파장 대역에 있어서 균일한 품질의 신호광 전송을 실현할 수 있다.
실시예 1에 따른 광 파이버에 있어서, 영분산 파장은, 1300㎚ 이상 1324㎚ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 당해 광 파이버의 영분산 파장과 표준적인 싱글모드 광 파이버의 영분산 파장이 같은 정도로 되기 때문에, 당해 광 파이버는 표준적인 싱글모드 광 파이버와의 호환성이 우수하고, 분산 보상의 점에서 안성맞춤이다.
실시예 1에 따른 광 파이버에 있어서, 편파 모드 분산은, 파장 1550㎚에서 0.5ps/㎞1/2 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 고비트 레이트 전송을 실행할 때의 편파 모드 분산에 기인한 신호 전송 성능의 열화가 충분히 저감 가능하게 된다.
실시예 1에 따른 광 파이버에 있어서, 파장 1550㎚에서의 굴곡 직경 20㎜에서의 굴곡 손실은 3dB/m 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 당해 광 파이버가 코일 형상으로 감겨 수납될 때나 배선시에 매크로벤딩(macrobending)에 기인한 손실 증가를 저감할 수 있다.
실시예 1에 따른 광 파이버에 있어서, 파장 1550㎚에서의 Petermann-I 모드 필드 직경은 10.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 케이블화될 때의 마이크로벤딩(microbending)에 기인한 손실 증가를 저감할 수 있다.
한편, 실시예 2에 따른 광 파이버는, 1260㎚ 이하의 케이블 컷오프 파장과, 파장 1310㎚에서 9㎛ 이하의 모드 필드 직경과, 파장 1550㎚에서 0.055ps/㎚2/㎞ 이하의 분산 슬로프를 갖더라도 좋다. 또, 당해 광 파이버는, 또한, 파장 1550㎚에서 16㎰/㎚/㎞ 이하, 보다 바람직하게는 15㎰/㎚/㎞ 이하의 파장 분산을 갖더라도 좋다.
또한, 실시예 3에 따른 광 파이버는, 파장 1310㎚에서 9㎛ 이하의 모드 필드 직경과, 영분산 파장에 있어서 0.082ps/㎚2/㎞ 이하의 분산 슬로프를 갖더라도 좋다. 이 때, 당해 광 파이버에 있어서, 영분산 파장에 있어서의 분산 슬로프는, 0.080ps/㎚2/㎞ 이하인 것이 바람직하다.
이들 실시예 2 및 3에 따른 광 파이버가 적용되는 것에 의해, 1.55㎛ 파장대의 다중화 신호광을 전송하는 경우에도 고품질의 신호 전송이 가능하게 된다. 또한, 이들 실시예 2 및 3에 따른 광 파이버는, 국제규격(ITU-T G.652)으로 규정되는 표준적인 싱글모드 광 파이버와의 호환성이 우수하다. 즉, 종래의 싱글모드 광 파이버가 적용된 광 통신 시스템의 경우와 마찬가지로, 본 발명에 따른 광 파이버가 적용되는 광 통신 시스템의 설계나 구축이 가능하게 된다. 또한, 종래의 싱글모드 광 파이버와 이 발명에 따른 광 파이버가 혼재한 광 통신 시스템의 구축도 가능하게 된다.
또, 실시예 2 및 3에 따른 광 파이버에 있어서, 파장 1550㎚에서의 전송 손실은 0.176dB/㎞ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 1.55㎛ 파장대의 신호광을 무중계로 장거리 전송하는 광 전송로가 구축 가능하게 된다.
실시예 2 및 3에 따른 광 파이버에 있어서, 파장 1310㎚에서의 전송 손실은 0.32dB/㎞ 이하이며, 파장 1380㎚에서의 OH기에 기인한 손실 증가량은, 0.3dB/㎞ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 1.55㎛ 파장대뿐만 아니라 광 대역의 신호광을 무중계로 장거리 전송하는 광 전송로가 구축 가능하게 된다.
실시예 2 및 3에 따른 광 파이버에 있어서, 영분산 파장이 1300㎚ 이상 1324㎚ 이하로 설정되는 것에 의해, 국제규격(ITU-T G.652)으로 규정되는 표준적인 싱글모드 광 파이버와의 호환성이 더 우수하다.
또, 상술한 바와 같이 구조를 구비한 실시예 1 내지 3에 따른 광 파이버에 있어서, 클래드 영역에는 불소가 첨가되는 한편, 코어 영역에 GeO2가 첨가되지 않는 것이 바람직하다. 또한, 상술한 바와 같이 여러 가지의 광학 특성을 얻기 위해, 이들 실시예 1 내지 3에 따른 광 파이버는, 코어 영역의 외경이 7.5㎛ 이상 8.6㎛ 이하로 되고, 또한, 클래드 영역에 대한 코어 영역의 비굴절률차가 0.36% 이상 0.42% 이하가 되도록 설계된다.
도 1은 본 발명에 따른 광 파이버의 구조를 설명하기 위한 단면도 및 굴절률 프로파일이다.
도 2는 본 발명에 따른 광 파이버의 전송 손실의 파장 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명에 따른 광 파이버의 파장 분산의 파장 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명에 따른 광 파이버로서 준비된 샘플의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 5는 본 발명에 따른 광 파이버로서 준비된 샘플 A 및 비교예 A 각각의 여러 가지 특성을 모은 표이다.
도 6은 본 발명에 따른 광 파이버로서 준비된 샘플 A 및 비교예 A 각각의 전 송 손실의 파장 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 7은 국제규격(ITU-T G.652)으로 규정되는 표준적인 싱글모드 광 파이버의 파장 분산 특성을 기준으로 하여, 본 발명에 따른 광 파이버의 파장 분산 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 샘플 B～I 및 비교예 B 각각에 따른 광 파이버의 여러 가지 특성을 모은 표이다.
도 9는, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경 MFD를 가로축으로 하고 케이블 컷오프 파장 λcc을 종축으로 하는 2차원 공간상에서, 샘플 B～F 및 비교예 B 각각에 따른 광 파이버의(MFD, λcc)의 위치를 나타내고, 또한, 등파장 분산 곡선도 나타내는 그래프이다.
도 10은, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경 MFD를 가로축으로 하고 케이블 컷오프 파장 λcc을 종축으로 하는 2차원 공간상에서, 샘플 B～F 및 비교예 B 각각에 따른 광 파이버의(MFD, λcc)의 위치를 나타내고, 또한, 등분산 슬로프 곡선도 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명에 따른 광 파이버의 각 실시예를, 도 1～도 10 각각을 이용하여 상세히 설명한다. 또, 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 부여하여, 중복하는 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명에 따른 광 파이버의 구조를 설명하기 위한 도면이다. 도 1중에 표시된 (a)는, 광 파이버(10)의 광축에 수직인 단면 구조를 도시하는 도면이며, 도 1중에 표시된 (b)는, 광 파이버(10)의 굴절률 프로파일이다. 이 도 1(a)와 같이, 광 파이버(10)는 중심에 원형 단면을 갖는 외경(2a)의 코어 영역(11)과, 이 코어 영역(11)의 외주를 둘러싸는 클래드 영역(12)을 구비한다. 또한, 도 1중의 (b)에 표시된 광 파이버(10)의 굴절률 프로파일에 있어서, 클래드 영역(12)에 대한 코어 영역(11)의 비굴절률차는 Δn이다.
광 파이버(10)는, 석영유리를 주성분으로 하고, 바람직하게는, 클래드 영역(12)에 불소가 첨가되고, 코어 영역(11)에 GeO2가 첨가되어 있지 않은 순석영유리이다. 이 경우, 전송 손실을 저감하는 데에 있어서 안성맞춤이다. 또한, 광 파이버(10)의 케이블 컷오프 파장은 1260㎚ 이하이다.
도 2는 본 발명에 따른 광 파이버의 전송 손실의 파장 의존성을 나타내는 그래프이다. 광 파이버(10)는, 석영유리를 주성분으로 하고 있기 때문에, 이 도 2에 표시된 바와 같이, 파장 1550㎚ 부근에서 전송 손실이 최소로 된다. 또, 파장 1550㎚에서의 전송 손실을 α1550이라 나타낸다. 광 파이버(10)에 있어서, 파장 1310㎚에서의 전송 손실 α1310은 0.32dB/㎞ 이하이며, 파장 1380㎚에서의 OH기에 기인한 손실 증가량 Δα1380은 0.3dB/㎞ 이하이다.
이 광 파이버(10)에 있어서, 파장 1310㎚에서의 전송 손실 α1310은 작고, 파 장 1380㎚에서의 OH기에 기인한 손실 증가량 Δα1380도 작다. 또한, 이 광 파이버(10)는, 케이블 컷오프 파장이 1260㎚ 이하이므로, O 밴드로부터 L 밴드까지의 광신호 파장 대역에 있어서, 신호광의 저손실 또한 싱글모드에서의 전송을 보증한다.
광 파이버(10)에 있어서, 파장 1310㎚에서의 전송 손실 α1310은 0.30dB/㎞ 이하이면 더 바람직하고, 이 경우, 해당 파장 1310㎚ 부근의 신호광을 더 작은 손실로 장거리 전송할 수 있다.
광 파이버(10)에 있어서, 파장 1380㎚에서의 전송 손실 α1380은 파장 1310㎚에서의 전송 손실 α1310보다 작은 것이 바람직하고, 이 경우, 파장 1380㎚ 부근의 신호광을 저손실로 장거리 전송하는 데에 있어서 안성맞춤이다.
광 파이버(10)에 있어서, 파장 1310㎚에서의 전송 손실 α1310로부터 파장 1550㎚에서의 전송 손실 α1550을 뺀 값 Δα(=α1550-α1310)은, 0.13dB/㎞ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 양 파장간의 전송 손실의 차가 작기 때문에, 넓은 신호 파장 대역에 있어서 균질한 성능의 신호광 전송이 실현 가능하게 된다.
도 3은 본 발명에 따른 광 파이버의 파장 분산의 파장 의존성을 나타내는 그래프이다. 이 도 3에 표시되는 바와 같이, 파장이 길수록, 광 파이버(10)의 파장 분산은 크다. 또한, 광 파이버(10)의 영분산 파장 λ0은 1300㎚ 이상 1324㎚ 이하이다. 이 경우, 광 파이버(10)의 영분산 파장은, 표준적인 싱글모드 광 파이버와 영분산 파장과 같은 정도이므로, 당해 광 파이버(10)는, 표준적인 싱글모드 광 파이버와의 호환성이 우수하고, 분산 보상의 점에서 안성맞춤이다.
또한, 광 파이버(10)에 있어서, 파장 1550㎚에서의 편파 모드 분산은 0.5ps/㎞1/2 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 고비트 레이트 전송을 실행할 때의 편파 모드 분산에 기인한 신호광 전송 성능의 열화를 저감할 수 있다. 또한, 광 파이버(10)에 있어서, 파장 1550㎚에서의 굴곡 직경 20㎜에서의 굴곡 손실은 3dB/m 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 코일 형상으로 감겨 수납될 때나 배선시에 매크로벤딩에 기인한 손실 증가가 저감 가능하게 된다. 또한, 광 파이버(10)에 있어서, 파장 1550㎚에서의 Petermann-I 모드 필드 직경은 10.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 케이블화될 때의 마이크로벤딩에 기인한 손실 증가를 저감할 수 있다.
다음에, 본 발명에 따른 광 파이버로서 준비된 제 1 샘플(샘플 A)에 대하여, 제 1 비교예(비교예 A)와 함께 설명한다.
샘플 A의 광 파이버는, 도 1에 도시된 단면 구조 및 굴절률 프로파일을 갖고, 코어 영역이 순석영유리로 이루어지며, 클래드 영역이 불소첨가 석영유리로 이루어진다. 코어 영역의 외경(2a)은 7.9㎛이며, 클래드 영역의 외경(2b)은 125㎛ 이다. 또한, 클래드 영역의 굴절률을 기준으로 한 코어 영역의 비굴절률차 Δn은 0.39%이다. 이에 반하여, 비교예 A에 따른 광 파이버는, 표준적인 싱글모드 광 파이버로서, 코어 영역이 GeO2 첨가 석영유리로 이루어지고, 클래드 영역이 순석영유리로 이루어진다.
이 샘플 A의 광 파이버는 이하에 설명하는 제조 방법에 의해 제조된다. 즉, 도 4는 본 발명에 따른 광 파이버에 있어서의 각 샘플의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 도 4에 도시된 제조 공정에서는, 우선, 고순도의 석영유리막대가 VAD법으로 합성되어, 이 유리막대가 온도 약 2000℃의 가열로 내에서 연신되고, 외경 3㎜, 길이 50㎝의 유리 로드(2)가 작성된다. 덧붙여, 순석영유리에 대한 비굴절률차가 -0.39%인 불소첨가 석영유리로 이루어지는 유리 파이프(1)가 VAD법으로 작성된다. 또, 이 유리 파이프(1)는, 외경이 20㎜이고, 내경이 6㎜이다.
그리고, 도 4중에 표시된 (a)와 같이, 테이프 히터(7)가 감긴 유리 파이프(1) 내에 유리 로드(2)가 삽입된 상태에서, 해당 유리 파이프(1)의 제 1 단측의 파이프(5)로부터 유리 파이프(1) 내에 청정한 N2 가스(H2O 함유량이 0.5부피ppm 이하, 그 밖의 H 함유 가스의 함유량이 0.1부피ppm 이하)를 표준 상태(온도 0℃, 1기압)환산으로 유량 2000cc/min(이하, sccm이라 표기)만큼 흐른다. 한편, 유리 파이프(1)의 제 2 단측의 파이프(6)로부터 진공 배기하고, 유리 파이프(1)의 내부의 기압을 2.5kPa로 한다. 이 때, 후의 불순물 제거, 봉지 및 중실화의 각 공정에서 유리 파이프(1) 및 유리 로드(2) 각각의 내부 온도 550℃ 이상으로 가열되는 범위 A뿐만 아니라, 그 범위 A의 양 외측의 길이 200㎜의 부분을 포함하는 범위 B를, 테이프 히터(7)로 온도 200℃로 가열한다. 가열범위 B는, 후의 중실화 공정에서 온도 550℃ 이상으로 가열되는 범위를 포함하도록 설정된다. 이 상태가 4 시간 유지되어, 상기 청정한 N2 가스가 흘러 배기된다.
계속해서, 도 4중에 표시된 (b)와 같이, 유리 파이프(1)의 제 1 단측의 파이프(5)로부터 유리 파이프(1) 내로 탈금속 불순물성 가스(예컨대, Cl2, SOCl2)가 도입되어, 열원(3)에 의해 유리 파이프(1) 및 유리 로드(2)가 온도 1150℃로 가열된다. 이에 따라, 유리 파이프(1)의 내벽면 및 유리 로드(2)의 표면 각각에 부착되어 있는 금속 불순물이 제거된다.
또한 계속해서, 도 4중에 표시된 (c)와 같이, 유리 파이프(1)의 제 2 단측이 열원(3)에 의해 가열 용융되는 것에 의해, 유리 파이프(1)와 유리 로드(2)가 융착하여, 화살표 S로 표시된 영역이 봉지된다. 그리고, 배기 배관인 가스라인(8)을 거쳐서 진공 펌프에 의해, 유리 파이프(1)의 내부가 기압 0.01㎪ 이하의 진공 상태로 감압된다. 그 후, 유리 파이프(1)의 제 1 단측의 파이프(5)로부터 유리 파이프(1) 내로 청정한 N2 가스(H2O 함유량이 0.5부피ppm 이하, 그 밖의 H 함유 가스의 함유량이 0.1부피ppm 이하)가 도입된다. 이 때, 진공 펌프를 정지함으로써, 유리 파이프(1)의 내부가 기압 105kPa로 가압된다. 이 감압 및 가압이 3 사이클 반복되는 것에 의해, 유리 파이프(1)의 내벽면 및 유리 로드(2)의 표면 각각에 흡착하고 있는 가스(주로 H2O)가 탈리된다.
그리고, 도 4중에 도시된 (d)와 같이, 유리 파이프(1)의 제 2 단측으로부터 제 1 단측을 향하여 순서대로 열원(3)을 이동시키는 것에 의해, 유리 파이프(1)와 유리 로드(2)가 가열 용융하여 중실화한다(로드인콜랩스법). 이 때, 유리 파이프(1)의 내부에는, 500sccm의 Cl2 가스 및 500sccm의 O2 가스가 도입된다. 또한, 유리 파이프(1)의 내부의 기압은 게이지 압력으로 -1kPa이며, 중실화시에 있어서의 유리 파이프(1)의 외 표면의 온도는 1600℃이다. 이상의 공정을 거쳐 제 1 프리폼을 얻을 수 있다.
이 제 1 프리폼은, 외경이 19㎜이며, 길이가 400㎜이며, 클래드 직경과 코어 직경의 비가 6.6이다. 또한, 이 제 1 프리폼을 연신(延伸)함으로써, 외경 14㎜의 제 2 프리폼을 얻을 수 있다. 이 외경 14㎜의 제 2 프리폼의 외주면 상에, H2/O2 불꽃중에 SiCl4를 도입하여 얻어진 SiO2 미립자가, 외경 120㎜이 될 때까지 퇴적하여 간다. 이렇게 하여 얻어진 퇴적체는 화로 내에서 온도 800℃로 더 가열된다. 또, 화로 온도는 승온 속도 33℃/분으로 온도 1500℃까지 올라간다. 이동안, 15000sccm의 He 가스 및 450sccm의 SF6 가스가 화로 내에 도입된다. 이상과 같이 하여 파이버 프리폼을 얻을 수 있다. 그리고, 이 파이버 프리폼을 드로잉(drawing)함으로써, 본 발명에 따른 광 파이버의 각 샘플을 얻을 수 있다.
도 5는 상술한 샘플 A 및 비교예 A 각각에 따른 광 파이버의 여러 가지 특성을 모은 표이다. 또한, 도 6은 샘플 A 및 비교예 A 각각에 따른 광 파이버의 전송 손실의 파장 의존성을 나타내는 그래프이다. 또, 도 6에 있어서, 실선은 샘플 A에 따른 광 파이버의 전송 손실을 나타내고, 파선은 비교예 A에 따른 광 파이버의 전송 손실을 나타낸다.
이들 도 5 및 도 6으로부터 알 수 있듯이, 비교예 A의 광 파이버는, 파장 1310㎚에서의 전송 손실 α1310이 0.33dB/㎞이며, 파장 1380㎚에서의 전송 손실 α 1380이 0.62dB/㎞이며, 파장 1550㎚에서의 전송 손실 α1550이 0.19dB/㎞이며, 손실차 Δα(=α1550-α1310)가 0.14dB/㎞이며, 파장 1380㎚에서의 OH기에 기인한 손실 증가량 Δα1380이 0.31dB/㎞이다.
한편, 샘플 A의 광 파이버는, 파장 1310㎚에서의 전송 손실 α1310이 0.29dB/㎞이며, 파장 1380㎚에서의 전송 손실 α1380이 0.27dB/㎞이며, 파장 1550㎚에서의 전송 손실 α1550이 0.17dB/㎞이며, 손실차 Δα가 0.12dB/㎞이며, 파장 1380㎚에서의 OH기에 기인한 손실 증가량 Δα1380이 0.03dB/㎞이다.
또한, 샘플 A의 광 파이버는, 케이블 컷오프 파장이 1220㎚이며, 영분산 파장이 1310㎚이며, 파장 1550㎚에서의 모드 필드 직경이 9.7㎛이며, 파장 1550㎚에서의 굴곡 직경 20㎜에서의 굴곡 손실이 2dB/m이다.
또한, 샘플 A의 광 파이버는, 코어 영역 및 클래드 영역 각각의 비원화(非圓化)가 충분히 억제되어 있고, 파장 1550㎚에서의 편파 모드 분산은, 보빈감김 상태에서 0.1ps/㎞1/2 이하이며, 외력이 저감된 다발 상태에서 0.03ps/㎞1/2 이하이다.
다음에, 본 발명에 따른 광 파이버로서 준비된 제 2～제 9 샘플(샘플 B～I)을, 제 2 비교예(비교예 B)와 비교하면서 상세히 설명한다.
또, 본 발명에 따른 광 파이버로서 준비된 샘플 B～I는, 도 1에 도시된 단면 구조 및 굴절률 프로파일을 갖는다. 즉, 샘플 B～I 각각의 광 파이버는, 외경(2a) 의 코어 영역과, 해당 코어 영역의 외주를 둘러싸는 클래드 영역을 구비한다. 코어 영역의 굴절률은, 클래드 영역의 굴절률보다도 높고, 클래드 영역의 굴절률을 기준으로 한 코어 영역의 비굴절률차 Δn은 정(正)이다.
이들 샘플 B～I의 광 파이버(1) 각각도, 석영유리를 주성분으로 하고 있고, 코어 영역 및 클래드 영역의 쌍방 또는 어느 한쪽에 굴절률 조정용의 첨가물이 첨가되어 있다. 코어 영역은 GeO2이 첨가되고, 클래드 영역은 순석영유리로 이루어지고 있더라도 좋지만, 바람직하게는, 코어 영역은 GeO2이 첨가되어 있지 않은 순석영유리로 이루어지고, 클래드 영역은 불소가 첨가된다. 이러한 조성으로 하는 것에 의해 얻어지는 광 파이버의 전송 손실을 작게 할 수 있다.
도 7은, 국제규격(ITU-T G.652)으로 규정되는 표준적인 싱글모드 광 파이버의 파장 분산 특성을 기준으로 하여, 본 발명에 따른 광 파이버의 파장 분산 특성을 나타내는 그래프이다. 또, 이 도 7에 있어서, 그래프 G710은 본 발명에 따른 광 파이버의 파장 분산 특성을 나타내고, 그래프 G720은, 국제규격(ITU-T G.652)으로 규정되는 표준적인 싱글모드 광 파이버의 파장 분산 특성을 나타내고 있다. 당해 광 파이버는, 표준적인 싱글모드 광 파이버와 마찬가지로, 영분산 파장이 파장 1300㎚ 부근에 있고, 파장 1200㎚～1700㎚의 범위에서 분산 슬로프가 정이다. 그러나, 당해 광 파이버는, 표준적인 싱글모드 광 파이버와 비교하면, 파장 1550㎚에서 파장 분산이 작고 분산 슬로프도 작다.
즉, 본 발명에 따른 광 파이버에 있어서, 파장 1550㎚에서의 분산 슬로프는 0.055ps/㎚2/㎞ 이하이며, 파장 1550㎚에서의 파장 분산은 16㎰/㎚/㎞ 이하, 보다 바람직하게는 15㎰/㎚/㎞ 이하이다. 또한, 본 발명에 따른 광 파이버에 있어서, 케이블 컷오프 파장은 1260㎚ 이하이며, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경은 9㎛ 이하이다.
또는, 본 발명에 따른 광 파이버에 있어서, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경은 9㎛ 이하이며, 영분산 파장에 있어서의 분산 슬로프는 0.082ps/㎚2/㎞ 이하, 보다 바람직하게는 0.080ps/㎚2/㎞ 이하이다.
이러한 광 파이버가 광 전송로로서 적용되는 것에 의해, 1.55㎛ 파장대의 다중화 신호광을 전송하는 경우에 있어서 고품질의 신호 전송이 가능하게 된다. 또한, 당해 광 파이버는, 국제규격(ITU-T G.652)으로 규정되는 표준적인 싱글모드 광 파이버와의 호환성이 우수하다. 즉, 종래의 싱글모드 광 파이버가 광 전송로에 적용된 광 통신 시스템의 경우와 마찬가지로, 본 발명에 따른 광 파이버가 광 전송로에 적용된 광 통신 시스템의 설계나 구축이 가능하게 된다. 또한, 종래의 싱글모드 광 파이버와 이 발명에 따른 광 파이버가 혼재하는 광 통신 시스템의 구축도 가능하게 된다.
덧붙여, 본 발명에 따른 광 파이버에 있어서, 파장 1550㎚에서의 전송 손실은 0.176dB/㎞ 이하인 것이 바람직하다. 1.55㎛ 파장대의 신호광을 무중계로 장거리 전송하는 광 전송로가 구축 가능하게 되기 때문이다. 또한, 파장 1310㎚에서의 전송 손실은 0.32dB/㎞ 이하이며, 파장 1380㎚에서의 OH기에 기인한 손실 증가량은 0.3dB/㎞ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우에는, 1.55㎛ 파장대뿐만 아니라 해당1.55㎛ 파장대를 포함하는 광 대역의 신호광을 무중계로 장거리 전송하는 광 전송로가 구축 가능하게 된다. 또한, 영분산 파장은 1300㎚ 이상 1324㎚ 이하인 경우에는, 국제규격(ITU-T G.652)으로 규정되는 표준적인 싱글모드 광 파이버와의 사이에서 우수한 호환성을 얻을 수 있다.
다음에, 도 8～도 10을 이용하여, 본 발명에 따른 광 파이버의 제 2～제 9 샘플(샘플 B～I)에 대하여 설명한다. 도 8은, 샘플 B～I 및 비교예 B 각각에 따른 광 파이버의 여러 가지 특성을 모은 표이다. 샘플 B～I 각각의 광 파이버는, 도 1에 도시된 단면 구조 및 굴절률 프로파일을 갖는다. 즉, 코어 영역이 순석영유리로 이루어지고, 클래드 영역이 불소첨가의 석영유리로 이루어진다. 한편, 비교예 B의 광 파이버는, 국제규격(ITU-T G.652)에 준거하는 싱글모드 광 파이버이며, 코어 영역은 GeO2 첨가의 석영유리로 이루어지고, 클래드 영역은 순석영유리로 이루어진다.
이 도 8에는, 샘플 B～I 및 비교예 B의 각 광 파이버에 대하여, 비굴절률차 Δn(%), 코어 직경(2a)(㎛), 케이블 컷오프 파장(㎚), 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경(㎛), 영분산 파장(㎚), 파장 1550㎚에서의 파장 분산(ps/㎚/㎞), 파장 1550㎚에서의 분산 슬로프(ps/㎚2/㎞), 영분산 슬로프(ps/㎚2/㎞), 파장 1310㎚에서의 전송 손실(dB/㎞), 파장 1380㎚에서의 전송 손실(dB/㎞), 파장 1380㎚에서의 OH기에 기인한 손실 증가량(dB/㎞), 파장 1550㎚에서의 전송 손실(dB/㎞), 및 파이버 구조가 도시되고 있다.
즉, 샘플 B의 광 파이버는, 비굴절률차 Δn이 0.38%, 코어 직경(2a)이 7.80㎛, 케이블 컷오프 파장이 1166㎚, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경이 8.53㎛, 영분산 파장이 1318㎚, 파장 1550㎚에서의 파장 분산이 14.97ps/㎚/㎞, 파장 1550㎚에서의 분산 슬로프가 0.0540ps/㎚2/㎞, 영분산 슬로프가 0.0793ps/㎚2/㎞이다.
샘플 C의 광 파이버는, 비굴절률차 Δn이 0.395%, 코어 직경(2a)이 8.16㎛, 케이블 컷오프 파장이 1230㎚, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경이 8.60㎛, 영분산 파장이 1313㎚, 파장 1550㎚에서의 파장 분산이 15.46ps/㎚/㎞, 파장 1550㎚에서의 분산 슬로프가 0.0544ps/㎚2/㎞, 영분산 슬로프가 0.0806ps/㎚2/㎞이다.
샘플 D의 광 파이버는, 비굴절률차 Δn이 0.39%, 코어 직경(2a)이 8.02㎛, 케이블 컷오프 파장이 1200㎚, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경이 8.57㎛, 영분산 파장이 1313㎚, 파장 1550㎚에서의 파장 분산이 15.39ps/㎚/㎞, 파장 1550㎚에서의 분산 슬로프가 0.0537ps/㎚2/㎞, 영분산 슬로프가 0.0801ps/㎚2/㎞이다.
샘플 E의 광 파이버는, 비굴절률차 Δn이 0.395%, 코어 직경(2a)이 7.56㎛, 케이블 컷오프 파장이 1135㎚, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경이 8.37㎛, 영분산 파장이 1318㎚, 파장 1550㎚에서의 파장 분산이 14.86ps/㎚/㎞, 파장 1550㎚에서의 분산 슬로프가 0.0531ps/㎚2/㎞, 영분산 슬로프가 0.0789ps/㎚2/㎞이다.
샘플 F의 광 파이버는, 비굴절률차 Δn이 0.42%, 코어 직경(2a)이 7.60㎛, 케이블 컷오프 파장이 1260㎚, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경이 8.33㎛, 영분산 파장이 1307㎚, 파장 1550㎚에서의 파장 분산이 15.75ps/㎚/㎞, 파장 1550㎚에서의 분산 슬로프가 0.0536ps/㎚2/㎞, 영분산 슬로프가 0.0816ps/㎚2/㎞이다.
샘플 G의 광 파이버는, 비굴절률차 Δn이 0.385%, 코어 직경(2a)이 8.14㎛, 케이블 컷오프 파장이 1184㎚, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경이 8.72㎛, 영분산 파장이 1312㎚, 파장 1550㎚에서의 파장 분산이 15.90ps/㎚/㎞, 파장 1550㎚에서의 분산 슬로프가 0.0547ps/㎚2/㎞, 영분산 슬로프가 0.0800ps/㎚2/㎞이다.
샘플 H의 광 파이버는, 비굴절률차 Δn이 0.38%, 코어 직경(2a)이 8.52㎛, 케이블 컷오프 파장이 1226㎚, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경이 8.92㎛, 영분산 파장이 1304㎚, 파장 1550㎚에서의 파장 분산이 16.66ps/㎚/㎞, 파장 1550㎚에서의 분산 슬로프가 0.0548ps/㎚2/㎞, 영분산 슬로프가 0.0819ps/㎚2/㎞이다.
샘플 I의 광 파이버는, 비굴절률차 Δn이 0.36%, 코어 직경(2a)이 8.10㎛, 케이블 컷오프 파장이 1133㎚, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경이 8.92㎛, 영분산 파장이 1317㎚, 파장 1550㎚에서의 파장 분산이 15.39ps/㎚/㎞, 파장 1550㎚에서의 분산 슬로프가 0.0544ps/㎚2/㎞, 영분산 슬로프가 0.0790ps/㎚2/㎞이다.
또, 샘플 B～I의 광 파이버의 모두, 파장 1310㎚에서의 전송 손실은 0.32dB/㎞ 이하, 파장 1380㎚에서의 전송 손실은 0.31dB/㎞, 파장 1380㎚에서의 OH기에 기인한 손실 증가량은 0.10dB/㎞ 이하, 파장 1550㎚에서의 전송 손실은 0.176dB/㎞ 이하이다. 또한, 어느 쪽의 광 파이버도 순석영 코어와 F 첨가 클래드를 구비한다.
한편, 비교예 B의 광 파이버는, 케이블 컷오프 파장이 1158㎚, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경이 9.13㎛, 영분산 파장이 1316㎚, 파장 1550㎚에서의 파장 분산이 16.50ps/㎚/㎞, 파장 1550㎚에서의 분산 슬로프가 0.0584ps/㎚2/㎞, 영분산 슬로프가 0.0850ps/㎚2/㎞이다. 또한, 파장 1310㎚에서의 전송 손실은 0.33dB/㎞, 파장 1380㎚에서의 전송 손실은 0.62dB/㎞이며, 파장 1380㎚에서의 OH기에 기인한 손실 증가량은 0.31dB/㎞이며, 파장 1550㎚에서의 전송 손실은 0.19dB/㎞이다. 이 비교예 B의 광 파이버는 Ge 첨가 코어와 순석영 클래드를 구비한다.
도 9는, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경 MFD를 가로축으로 하고 케이블 컷오프 파장 λcc을 세로축으로 하는 2차원 공간상에서, 샘플 B～F 및 비교예 B 각각의 광 파이버의(MFD, λcc)의 위치를 나타내고, 또한, 파장 1550㎚에서의 등파장 분산 곡선도 나타내는 그래프이다. 또, 이 도 9에 있어서, 기호 ▲B～▲F는 샘플 B～F의 광 파이버의(MFD, λcc)를 나타내고, 기호 △B는 비교예 B의 광 파이버의(MFD, λcc)를 나타낸다. 또한, 그래프 G910은 파장 분산이 17㎰/㎚/㎞ 이하인 표준적인 싱글모드 광 파이버의 등파장 분산 곡선, 그래프 G920은 파장 분산이 16㎰/㎚/㎞ 이하인 표준적인 싱글모드 광 파이버의 등파장 분산 곡선, 그래프 G930은 파장 분산이 15㎰/㎚/㎞ 이하인 표준적인 싱글모드 광 파이버의 등파장 분산 곡선을 나타내고 있다. 한편, 그래프 G940은 파장 분산이 16㎰/㎚/㎞ 이하인 순석영 코어를 갖는 파이버의 등파장 분산 곡선, 그래프 G950은 파장 분산이 16㎰/㎚/㎞ 이하인 순석영 코어를 갖는 광 파이버의 등파장 분산 곡선을 나타내고 있다.
이 도 9로부터 알 수 있듯이, 비교예 B의 광 파이버와 비교하여, 각 샘플의 광 파이버는, MFD 및 λcc이 동일하더라도, 파장 분산이 작다.
도 10은, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경 MFD를 가로축으로 하여 케이블 컷오프 파장 λcc을 세로축으로 하는 2차원 공간상에서, 샘플 B～F 및 비교예 B 각각의 광 파이버의(MFD, λcc)의 위치를 나타내고, 또한, 파장 1550㎚에서의 등분산 슬로프 곡선도 나타내는 그래프이다. 또, 이 도 10중에 있어, 기호 ▲B～▲F는 샘플 B～F의 광 파이버(MFD, λcc)를 나타내고, 기호 △B는 비교예 B의 광 파이버의(MFD, λcc)를 나타낸다. 또한, 그래프(1010)는 분산 슬로프가 0.055ps/㎚2/㎞ 이하인 표준적인 싱글모드 광 파이버의 등분산 슬로프 곡선, 그래프(1020)는 분산 슬로프가 0.059ps/㎚2/㎞ 이하인 표준적인 싱글모드 광 파이버의 등분산 슬로프 곡선을 나타낸다. 한편, 그래프(1030)는 분산 슬로프가 0.055ps/㎚2/㎞ 이하인 순석영 코어를 갖는 광 파이버의 등분산 슬로프 곡선을 나타낸다. 이 도 10으로부터 알 수 있듯이, 비교예 B의 광 파이버와 비교하여, 각 샘플의 광 파이버는, MFD 및 λcc이 동일하더라도, 분산 슬로프가 작다.
이상과 같이, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경 MFD가 9㎛ 이하인, 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 광 파이버는, 국제규격(ITU-T G.652)에 준거하는 GeO2 첨가의 석영계 광 파이버와 비교하여, 케이블 컷오프 파장 λcc 및 파장 1310㎚에서의 모드 필드 직경 MFD가 동일하더라도, 파장 1550㎚에서의 파장 분산 및 파장 1550㎚에서의 분산 슬로프가 작다.
본 발명에 의하면, 국제규격(ITU-T G.652)으로 규정되는 표준 싱글모드 광 파이버와의 호환성이 우수하고(1.3㎛ 파장대에서 고품질 다중전송이 가능), 1.55㎛ 파장대에서도 고품질 다중전송이 가능한, 보다 광 대역에서의 신호 전송에 적합한 광 파이버를 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 광 파이버는, 복수 채널의 신호광을 전송 가능한 WDM 광 통신 시스템의 전송 매체로서, 1.3㎛ 파장대뿐만 아니라 1.55파장대의 광 통신에 적용 가능하다.

Claims (20)

  1. 소정축을 따라 연장된 코어 영역과, 상기 코어 영역의 외주에 마련된 클래드 영역을 구비한 석영유리계 광 파이버로서,
    국제규격 ITU-T G.652에 준거하며, 또한,
    1260㎚ 이하의 케이블 컷오프 파장과,
    파장 1310㎚에서 0.32㏈/㎞ 이하의 전송 손실과,
    파장 1380㎚에서 0.3㏈/㎞ 이하의 OH기에 기인한 손실 증가량과,
    파장 1550㎚에서 0.5ps/㎞1/2 이하의 편파 모드 분산을 갖되,
    상기 클래드 영역에는 불소가 첨가되어 있는
    광 파이버.
  2. 소정축을 따라 연장된 코어 영역과, 상기 코어 영역의 외주에 마련된 클래드 영역을 구비한 석영유리계 광 파이버로서,
    국제규격 ITU-T G.652에 준거하며, 또한,
    1260㎚ 이하의 케이블 컷오프 파장과,
    파장 1310㎚에서 0.32㏈/㎞ 이하의 전송 손실과,
    파장 1380㎚에서 0.3㏈/㎞ 이하의 OH기에 기인한 손실 증가량을 갖되,
    상기 클래드 영역에는 불소가 첨가되어 있는 한편, 상기 코어 영역은 GeO2을 포함하지 않는
    광 파이버.
  3. 소정축을 따라 연장된 코어 영역과, 상기 코어 영역의 외주에 마련된 클래드 영역을 구비한 석영유리계 광 파이버로서,
    국제규격 ITU-T G.652에 준거하며, 또한,
    1260㎚ 이하의 케이블 컷오프 파장과,
    파장 1310㎚에서 0.32㏈/㎞ 이하의 전송 손실과,
    파장 1380㎚에서 0.3㏈/㎞ 이하의 OH기에 기인한 손실 증가량을 갖되,
    상기 클래드 영역에는 불소가 첨가되고,
    상기 코어 영역은, 7.5㎛ 이상, 8.6㎛ 이하의 외경을 갖고, 또한, 상기 클래드 영역에 대한 상기 코어 영역의 비굴절률차는 0.36% 이상, 0.42% 이하인
    광 파이버
  4. 소정축을 따라 연장된 코어 영역과, 상기 코어 영역의 외주에 마련된 클래드 영역을 구비한 석영유리계 광 파이버로서,
    국제규격 ITU-T G.652에 준거하며, 또한,
    1260㎚ 이하의 케이블 컷오프 파장과,
    파장 1310㎚에서 9㎛ 이하의 모드 필드 직경과,
    파장 1550㎚에서 0.055ps/㎚2/㎞ 이하의 분산 슬로프를 갖되,
    상기 클래드 영역에는 불소가 첨가되어 있는 한편, 상기 코어 영역은 GeO2을 포함하지 않는
    광 파이버.
  5. 소정축을 따라 연장된 코어 영역과, 상기 코어 영역의 외주에 마련된 클래드 영역을 구비한 석영유리계 광 파이버로서,
    국제규격 ITU-T G.652에 준거하며, 또한,
    1260㎚ 이하의 케이블 컷오프 파장과,
    파장 1310㎚에서 9㎛ 이하의 모드 필드 직경과,
    파장 1550㎚에서 0.055ps/㎚2/㎞ 이하의 분산 슬로프를 갖되,
    상기 클래드 영역에는 불소가 첨가되고,
    상기 코어 영역은, 7.5㎛ 이상, 8.6㎛ 이하의 외경을 갖고, 또한, 상기 클래드 영역에 대한 상기 코어 영역의 비굴절률차는 0.36% 이상, 0.42% 이하인
    광 파이버.
  6. 소정축을 따라 연장된 코어 영역과, 상기 코어 영역의 외주에 마련된 클래드 영역을 구비한 석영유리계 광 파이버로서,
    국제규격 ITU-T G.652에 준거하며, 또한,
    파장 1310㎚에서 9㎛ 이하의 모드 필드 직경과,
    영분산 파장에서 0.082ps/㎚2/㎞ 이하의 분산 슬로프를 갖되,
    상기 클래드 영역에는 불소가 첨가되어 있는 한편, 상기 코어 영역은 GeO2을 포함하지 않는
    광 파이버.
  7. 소정축을 따라 연장된 코어 영역과, 상기 코어 영역의 외주에 마련된 클래드 영역을 구비한 석영유리계 광 파이버로서,
    국제규격 ITU-T G.652에 준거하며, 또한,
    파장 1310㎚에서 9㎛ 이하의 모드 필드 직경과,
    영분산 파장에서 0.082ps/㎚2/㎞ 이하의 분산 슬로프를 갖되,
    상기 클래드 영역에는 불소가 첨가되고,
    상기 코어 영역은, 7.5㎛ 이상, 8.6㎛ 이하의 외경을 갖고, 또한, 상기 클래드 영역에 대한 상기 코어 영역의 비굴절률차는 0.36% 이상, 0.42% 이하인
    광 파이버.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    파장 1310㎚에서의 전송 손실은 0.30dB/㎞ 이하인 광 파이버.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    파장 1380㎚에서의 전송 손실은 파장 1310㎚에서의 전송 손실보다 작은 광 파이버.
  10. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    파장 1310㎚에서의 전송 손실로부터 파장 1550㎚에서의 전송 손실을 뺀 값은 0.13dB/㎞ 이하인 광 파이버.
  11. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    1300㎚ 이상, 1324㎚ 이하의 영분산 파장을 더 갖는 광 파이버.
  12. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    파장 1550㎚에서 3dB/m 이하의 굴곡 직경 20㎜에서의 굴곡 손실을 더 갖는 광 파이버.
  13. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    파장 1550㎚에서 16㎰/㎚/㎞ 이하의 파장 분산을 더 갖는 광 파이버.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 파장 1550㎚에서의 파장 분산은 15ps/㎚/㎞ 이하인 광 파이버.
  15. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 영분산 파장에서의 분산 슬로프는 0.080ps/㎚2/㎞ 이하인 광 파이버.
  16. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    파장 1550㎚에서 0.176dB/㎞ 이하의 전송 손실을 더 갖는 광 파이버.
  17. 삭제
  18. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    파장 1310㎚에서 0.32dB/㎞ 이하의 전송 손실을 더 갖고, 또한, 파장 1380㎚에서 0.3dB/㎞ 이하의, OH기에 기인한 손실 증가량을 더 갖는 광 파이버.
  19. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    1300㎚ 이상, 1324㎚ 이하의 영분산 파장을 더 갖는 광 파이버.
  20. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 코어 영역은, 7.5㎛ 이상, 8.6㎛ 이하의 외경을 갖고, 또한, 상기 클래드 영역에 대한 상기 코어 영역의 비굴절률차는 0.36% 이상, 0.42% 이하인 광 파이버.
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