KR101114696B1 - 포토레지스트 조성물의 시차 분해율을 조절하는 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 목적하는 엑소 몰%를 갖는 하나 이상의 폴리시클릭 올레핀 반복 단위를 갖는 중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이며, 반복 단위는 목적하는 엑소 몰%를 갖는 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 유래된다. 목적하는 엑소 몰%를 갖는 이러한 반복 단위를 갖는 중합체는 시차 분해율을 조절하고, 이에 따라 개선된 이미지화 특성을 제공한다. 또한, 본 발명은 목적하는 엑소 몰%를 갖는 단량체에 관한 것이다.
Description
본 발명은 포토레지스트 조성물을 형성하는 데 사용되는 중합체의 분해율을 조절하는 방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로 포토레지스트 조성물 중의 이러한 중합체의 분해율을 조절하기 위한 시클로알킬 반복 단위를 갖는 중합체 및 이의 조성물에 관한 것이다.
포토레지스트는 그 안에 형성된 이미지를 기부층 또는 기재에 전달하는데 사용되는 감광막이다. 포토레지스트 층은 기재 및 일반적으로 이미지가 전달되어야 하는 물질 층 상에 형성된다. 이후, 상기 포토레지스트 층은 포토마스크(photomask)를 통해 활성화 조사원에 노광되며, 이때 포토마스크는 이러한 조사에 대해 불투명한 소정의 영역 및 투명한 다른 영역을 갖는다. 광유도된 화학적 변형은 상기 영역을 활성화 조사선에 노출되게 하고, 이는 그 안에 릴리프 이미지(relief image)를 현상되게 한다.
포토레지스트는 포지티브 톤(positive-tone)이거나 네가티브 톤(negative-tone)일 수 있다. 일반적으로, 네가티브 톤 포토레지스트는 활성화 조사선에 노광되는 포토레지스트 층의 부분내에서 가교 반응이 진행한다. 이 결과, 노광된 부분은 노광되지 않은 부분에 비해 릴리프 이미지를 현상시키는 데 사용된 용액에 덜 용해성이 된다. 대조적으로, 포지티브 톤 포토레지스트에 있어서, 포토레지스트 층의 노광된 부분은 이러한 조사원에 대해 노광되지 않은 부분보다 현상액에 더 용해성이 된다.
집적 회로와 같은 마이크로전자 기기가 그 기능을 수행하는 데 있어 점점 더 소형의 기기 구조물을 사용함에 따라, 이러한 기기 구조물을 분해할 수 있는 포토레지스트 조성물에 대한 요구가 점점 더 중요해 진다. 특정 기기 구조물을 분해하는 특정 포토레지스트 조성물의 능력은 다수 인자의 기능에 의한 것이며, 이러한 인자 중 하나가 포토레지스트의 노광된 부분 및 노광되지 않은 부분의 분해율에서의 차를 조절하는 것이다. 이러한 인자는 이미 연구되어 왔으나, 이러한 연구의 목적은 일반적으로 현상액 중에서 이러한 노광된 부분 및 노광되지 않은 부분의 분해율에서의 차를 증가시키는 역할을 할 수 있는 첨가제를 개발하는 것이었다. 그러나, 이러한 첨가제는 예를 들어 활성화 조사선의 작동 파장에서 조성물의 광학 밀도를 증가시키므로써 포토레지스트 조성물의 다른 특성에 덜 바람직한 방식으로 영향을 미칠 수 있으며, 더우기 보다 중요하게는, 단순히 노광된 영역 및 노광되지 않은 영역의 분해율 차이를 증가시키는 것이 항상 시차 분해율을 조절하는 것은 아니다.
따라서, 조절된 시차 분해율을 갖는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이 바람직하다. 다시 말해, 포토레지스트의 노광된 부분과 노광되지 않은 부분의 분해율 간의 차이가 조절가능하다. 또한, 이러한 포토레지스트 조성물은 첨가제를 필요로 하지 않으면서 시차 분해율을 조절하는 중합체 물질을 포함하는 것이 바람직할 것이다. 또한, 이러한 포토레지스트 조성물의 베이스(base) 수지로서 사용하기 위한 중합체 물질을 제공하고, 이러한 바람직한 중합체를 형성하는 방법을 제공하는 것이 바람직할 것이다.
도 1은 5-메틸-2-노르보르넨의 엑소(exo) 및 엔도(endo) 이성질체의 대표도이다.
도 2는 본 발명의 구체예에 따른 중합반응에 대해 사용되는 몇몇 α,α-비스(트리플루오로메틸)비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-에탄올(HFANB) 단량체의 엑소/엔도 이성질체 비를 보여주는 표이다.
도 3은 본 발명의 예시적 구체예에 대해 분자량 및 엑소 이성질체 몰%에 대한 분해율을 플롯팅한 3차원 막대 그래프이다.
도 4는 소정의 엑소 몰% 및 상대적으로 높은 분자량을 갖는 약 50중량%의 단독중합체를 갖는 중합체 배합물의 주사전자현미경 사진을 나타낸 것이다.
도 5는 소정의 엑소 몰% 및 상대적으로 낮은 분자량을 갖는 약 50중량%의 단독중합체를 갖는 중합체 배합물의 주사전자현미경 사진을 나타낸 것이다.
이후, 폴리시클릭 올레핀 수지를 형성하는 데 유용한 단량체로서 언급되는 노르보르넨 유도체의 제조는 일반적으로 엑소 이성질체와 엔도 이성질체의 혼합물이 형성되게 한다(도 1 참조). 일반적으로, 본 발명의 구체예에서 유용한 단량체의 합성으로부터 반응 혼합물의 정제는 분별 증류법을 포함한다. 이러한 증류로부터 수거된 상이한 분획들은 상이한 비의 상기 언급된 엑소 및 엔도 이성질체를 갖는다(도 2 참조). 상이한 분획으로부터 형성된 중합체의 특징에 대해 이러한 이성질체 비의 차이가 어떠한 영향을 미칠 수 있을 것인 지를 측정하기 위해, 단독중합체가 각각 수개의 분획으로 형성되었다.
유리하게는, 형성된 폴리시클릭 올레핀 수지가 그 분해율에서 예상치 못한 변동을 나타낸 것으로 밝혀졌다. 예상밖으로, 일반적으로 관찰되는 바와 같이, 분자량(Mn 또는 Mw로서 표현됨)에 따라서 수지의 분해율이 변화하기 때문이라고 보기 보다는, 이러한 변화는 주로 단량체 출발 물질 중 엔도 이성질체에 대한 엑소 이성질체의 비에 따른 것으로 여겨진다(도 3 참조).
예를 들어, 엑소 이성질체 몰비가 48몰%인 단량체로부터 중합된 Mn이 3560인 제 1 수지는 분해율(DR)이 3920Å/초인 것으로 나타났으나, 동일한 출발 단량체로부터 중합되나 분자량이 약 두배인 Mn이 7520인 유사한 제 2 수지는 분해율이 3850Å/초인 것으로 나타났다. 따라서, 예상밖으로, 매우 상이한 분자량을 갖는 수지가 실질적으로 동일한 분해율을 갖는 것으로 나타났다(표 1의 실시예 21 및 22 참조). 유사하게, 분자량이 3270이고, 엑소 이성질체가 22몰%인 단량체로부터 중합된 제 3 수지에 대해, 분해율은 6627Å/초인 것으로 나타났고, 분자량이 대략 4배인 13700이고, 동일한 출발물질로부터 중합된, 유사한 제 4 수지는 실질적으로 동일한 분해율인 6543Å/초인 것으로 나타났다(표 1의 실시예 16 및 20 참조).
상기 각각의 실시예에 있어서, 수지는 실질적으로 동일한 방식으로 형성된 α,α-비스(트리플루오로메틸)비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-에탄올(HFANB)의 단독중합체이다. 따라서, 각각의 쌍(21과 22, 16과 20)에 있어서, 중합 반응에 사용된 사슬 전달제의 농도만이 달라져서 분자량이 상이한 중합체를 제공한다.
제 2 수지 쌍(16과 20)에 대해 제 1 수지 쌍(21과 22)의 분해율을 비교하여 보면, 제 2 수지 쌍의 분해율이 제 1 수지 쌍의 분해율보다 약 2배가 됨을 알 수 있다. 두 쌍의 수지가 출발 물질에 있어서 엑소 이성질체의 몰%만 상이한 HFANB 단독중합체이기 때문에, 출원인은 이러한 분해율의 차이가 엑소 이성질체 몰비의 차이에 따른 것으로 보고 있다. 따라서, 출발 단량체에서 엑소 이성질체의 농도가 감소하는 경우, 예를 들어, 제 1 수지쌍의 48몰%로부터, 제 2 수지쌍의 22몰%로 감소됨에 따라 분해율은 증가하는 것으로 보인다.
도 3을 살펴보면, 각각의 실시예 12-23(표 1 참조)에 대해 엑소 이성질체 몰% 및 분자량(Mn)에 대한 분해율 값을 보여주는 3차원 막대 그래프는 이러한 관계를 도시하고 있다. 그러나, 엑소 이성질체 몰% 및 분해율 간의 관계가 선형이라기 보다는, 약 25%와 40% 사이의 엑소 이성질체 몰% 값에서 한계값이 되는 것으로 나타남을 유의해야 할 것이다. 다시 말해, 엑소 이성질체 함량의 제 1 범위는 비교적 일정한 제 1 분해율(약 6000 내지 약 7200Å/초)을 나타내는 것으로 보이나, 엑소 이성질체의 제 2 범위는 제 1 분해율과는 상당히 다른 비교적 일정한 제 2 분해율(약 3500 내지 4000Å/초)을 나타내는 것으로 보인다.
관찰된 예상밖의 결과(상기 도 3 참조)를 설명하는 어떠한 특별한 이론을 내세우는 것은 아니지만, 중합체의 분해율이 현상액 중의 중합체의 용해도에 따르고, 이는 중합체 주쇄를 형성하는 반복 단위에 존재하는 특이적인 펜던트기 치환체에 따르는 것으로 잘 알려져 있음에 유의해야 한다. 또한, 이러한 반복 단위가 폴리시클릭 올레핀으로부터 유도되는 경우, 또한 펜던트기의 반응성이 이러한 기가 엑소 치환되는 경우에 더 높고, 동일기에 대해 엔도 치환되는 경우에는 그 반대가 되는 것으로 잘 알려져 있기 때문에, 중합체 용해도는 펜던트기가 엑소 위치에서 치환되는 지 또는 엔도 위치에서 치환되는 지에 따른 것이다. 그러므로, 일반적으로 중합체 분해율이 종종 분자량에 따르는 것으로 관찰되었지만, 본 출원인은 다른 인자가 동일한 경우, 중합체의 분해율은, 중합체 반복 단위의 엑소 위치로의 반응성 펜던트기의 치환이 증진되거나 감소되거나 간에 일반적으로 예상되는 것에 의해 변경시킴으로써 효과적으로 조절될 수 있을 것으로 본다.
그럼에도 불구하고, 결합제 수지의 분해율 거동을 이해하는 것은 고성능 포토레지스트 제형 및 복합체의 개발 모두에 중요한 것으로 잘 알려져 있다. 예를 들어, 이토(Ito) 등의 문헌(Proceedings of SPIE, 2003, 5039, 70)에는, Ni 및 Pd 촉매 둘 모두를 사용하여 제조된 HFANB의 단독중합체가, 석영결정 미량천칭법(quartz crystal microbalance method)을 사용하여 조사한 경우, "분해율[0.26N TMAH 중에서]과 Mn 또는 Mw 간에는 직접적인 관련성이 전혀 없는 것으로 나타났다"고 보고되어 있다. 또한, 이토는 보다 희석된, 즉, 0.21N TMAH 용액을 사용한 동일 중합체의 분해율 거동을 조사하였으나, 분해 거동이 복잡하고, 겉으로 보기에 중합체의 분자량 다분산성에 의존함을 발견하였다. 호스킨스(Hoskins) 등의 문헌(Proceedings of SPIE, 2003, 5039, 600)에는 단독중합체가 Pd 촉매만을 사용하여 제조된 경우, 0.19N TMAH 용액 중의 HFANB 단독중합체의 분해율 거동이 보고되어 있다. 분해율을 측정하기 위해 광간섭 방법을 사용한 호스킨스는, HFANB 단독중합체가 "분자량에 대해 분해율이 비정형적 의존성을 나타낸다" 고 보고하였다. 따라서, 호스킨스는, 저분자량 HFANB 단독중합체(Mw < 10,000)가 분자량이 증가함에 따라 분해율이 감소하는 것으로 나타났지만, Mw가 10,000 초과이나 100,000미만의 단독중합체는 분자량이 증가함에 따라 분해율이 증가하는 것으로 나타났음을 밝혀냈다. 그러나, 호스킨스 샘플의 분자량 다분산성은 1.91 내지 9.21의 범위로 상당히 광범위하며, 이에 따라 분해율 거동의 해석이 매우 복잡할 수 있음을 유의해야 한다.
그러므로, 분해율 거동의 조사를 단순화하기 위해, 본 출원인은 상대적으로 협소한 분자량 다분산성(즉, 1.50 내지 2.50)이 되는 Pd 촉매 및 처리 조건을 사용하여 HFANB 단독중합체를 제조할 것을 제시하였다. 또한, 추가의 복잡성을 피하기 위해, 본 출원인은 단지 표준 0.26N TMAH 용액 및 석영결정 미량천칭법 만을 사용하여 이러한 단독중합체의 분해율 거동을 측정하였다.
따라서, 분해율 거동을 보다 잘 이해하므로써, 이러한 해석을 이용하는, 포지티브 작용 및 네가티브 작용 둘 모두를 갖는 포토레지스트 조성물에 대한 결합제 수지를 제조하여 포토레지스트층의 노광된 부분과 노광되지 않은 부분의 분해율 간의 차이(시차 분해율)가 조절되게 할 수 있는 것으로 여겨진다. 추가로, 이러한 이해는 보다 광범위한 중합체 매개변수, 예를 들어 분자량에서의 변동에 대해 보다 우수한 이지미화 결과를 유도할 수 있을 것으로 여겨지며, 그러한 것으로 본원에서 보여진다. 추가로, 연구되는 단독중합체에 대한 HFANB 단량체의 선택은 또한 보고된 다수의 포토레지스트 결합제 수지 제형에서 이러한 단량체의 사용에 의해 영향을 받게 되었으며, 이에 따라 본원에서 얻어진 이해는 보다 용이하게 적용될 수 있을 것임을 유의해야 한다.
추가로, 분해율 연구에서 사용되는 단독중합체는 올레핀계 및 비올레핀계 사슬 전달제(CTA) 둘 모두를 사용하여 제조되었다. 이와 같이 형성된 단독중합체를 분석한 결과, 중합체의 물성, 예를 들어, Mw, Mn, OD(광학 밀도) 등이 중합 동안에 사용된 CTA의 선택에 의해 달라질 수 있는 것으로 나타났다.
상기의 관찰결과가 비닐 부가 중합반응에 의해 형성된 단독중합체에 의한 것이지만, 하나 초과의 단량체 타입을 사용하여 형성된 중합체는 개선된 이미지화를 유도하는 유사한 분해율의 효과를 나타내는 것으로 나타났다. 따라서, 하기에서 본 발명에 따른 구체예를 실시하는 데 유용한 단량체가 기술될 것이며, 이러한 단량체로부터 형성된 중합체는 목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는 하나 이상의 단량체를 포함할 것이다.
본 발명에 따른 구체예는 산 불안정성 보호된 펜던트기를 갖는 노르보르넨 타입 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함한다. 이러한 단량체는 하기 화학식(A)에 의해 표현된다:
상기 식에서,
m 및 Z는 상기 정의된 바와 같으며,
R1, R2, R3 또는 R4 중 하나 이상은 독립적으로 예를 들어 광산(photoacid) 생성물질로부터 생성된 산에 의해 분해될 수 있는 산 불안정성 보호된 펜던트기이다. 화학식(A)와 관련하여 본원에서 언급되는 것들과 같은 문헌 및 당해 공지된 어떠한 공지의 산 불안정성 기가 본 발명에 사용될 수 있다.
R1, R2, R3 또는 R4 중 나머지 하나 이상의 기는 독립적으로 수소이거나, 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 히드로카르빌이거나, F, Cl, 또는 Br로부터 선택된 할로겐이거나, 임의의 수소 원자가 O, S, N 또는 Si 등으로 치환된 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 히드로카르빌이거나, 각각의 탄소 원자가 독립적으로 0, 1, 2, 또는 3개의 불소 원자로 치환되는 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 갖는 플루오르화된 히드로카르빌일 수 있다.
다시 산 불안정성 보호기에 대해 기술하면, 몇몇 구체예에서, 이러한 기들은 각각의 탄소 원자가 독립적으로 0, 1, 2, 또는 3개의 불소 원자로 치환되고, 산소가 광산 생성물질로부터 생성된 산에 의해 분해될 수 있는 산 불안정성 기(즉, 블록킹기 또는 보호기)에 의해 보호되는, 1 내지 약 20개의 탄소 원자를 갖는 플루오르화된 카르비놀 부분이다. 플루오르화된 기의 예로는, -(CR2)nOR', -(O-(CH2)n)n-C(CF3)2-OR', -(CH2O)n-C(CF3)2-OR', -((CH2)nO)n-CH2-C(OR')(CF3)2가 포함되며, 여기에서 각각의 n은 독립적으로 0 내지 약 5의 정수로부터 선택되고, 각각의 R은 독립적으로 수소 또는 할로겐(즉, F, Cl, Br, I)이고, R'는 산 불안정성 기이다. R'는 -CH2OCH3(디메틸 에테르), -CH2OCH2CH3(메틸 에틸 에테르), -C(CH3)3, -Si(CH3)3, -CH2C(O)O(t-Bu), 2-메틸노르보닐, 2-메틸이소보르닐, 2-메틸-2-아다만틸, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로피라노일, 3-옥소시클로헥사노닐, 메발론산 락토닐, 디시클로프로필메틸(Dcpm), 또는 디메틸시클로프로필메틸(Dmcp)기를 포함하나, 이로 제한되는 것은 아니며, 또는 R'는 -C(O)OR"이다(여기에서, R"는 -C(CH3)3, -Si(CH3)3, 2-메틸노르보르닐, 2-메틸이소보르닐, 2-메틸-2-아다만틸, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로피라노일, 3-옥소시클로헥사노일, 메발론산 락토닐, Dcpm, 또는 Dmcp기 또는 이들의 조합물이다).
본 발명의 몇몇 구체예에서, 화학식(A)는 하기 화학식(A1)으로 표현된다:
상기 식에서,
n 및 R'는 앞서 정의된 바와 같다. 보다 구체적으로, 화학식(A1)에 따른 산 불안정성 보호된 펜던트기를 포함하는 단량체의 예는 하기를 포함한다:
추가로, 화학식(A)에 따른 노르보르넨 타입 단량체는 하기 화학식(A2)에 의해 표현된다:
상기 식에서,
n'는 0 내지 5의 정수이고,
Ra, Rb 및 Rc는 독립적으로 C1 내지 약 C20의 선형 또는 분지형 히드로카르빌기를 나타내거나, Ra과 Rb는 이들이 결합되는 공통의 탄소와 함께 4 내지 12개의 탄소 원자를 함유하는 포화된 시클릭 기를 나타낸다. 화학식(A2)에 따른 노르보르넨 타입 단량체의 예는 하기를 포함한다:
상기 식에서,
tBu는 3차 부틸기이다.
본 발명의 몇몇 구체예는 가교가능한 펜던트기를 갖는 노르보르넨 타입 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함한다. 이러한 단량체는 하기 화학식(B)에 의해 표현된다.
상기 식에서,
m 및 Z는 상기 정의된 바와 같으며,
R5, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 H, 할로겐, 선형, 분지형 또는 고리형 C1 내지 C30 알킬, 알킬올, 아릴, 아르알킬, 알크아릴, 알케닐 또는 알키닐이나, 단, R5, R6, R7 및 R8 중 하나 이상은 가교가능한 작용기이다. 적합한 가교가능한 작용기에는 하기 화학식(I)에 따른 히드록시 알킬 에테르가 포함되나, 이로 제한되는 것은 아니다:
-A-O-[-(CR** 2)q-O-]p-(CR** 2)q-OH 화학식(I)
상기 식에서,
A는 C1 내지 C6 선형, 분지형 또는 고리형 알킬렌으로부터 선택된 연결기이고, 각각의 R**는 독립적으로 H, 메틸 및 에틸로부터 선택되고, q는 독립적으로 1 내지 5의 정수이고, 몇몇 경우에 2 내지 5의 정수이고, p는 0 내지 3의 정수이다.
다른 적합한 가교가능한 작용기는 하기 화학식(II), (III), (IV) 및 (V)에 의해 표현된다:
-R***-Q 화학식(II)
-(CH2)nC(O)OR# 화학식(III)
-(CH2)t-C(CF3)2-O-(CH2)t-CO-(OR##) 화학식(IV)
상기 화학식(II)에서, R***는 부분적으로 또는 완전히 할로겐화되거나 할로겐화되지 않은, 선형, 분지형 또는 고리형 C1 내지 C30 알킬렌, 아릴렌, 아르알킬렌, 알크아릴렌, 알케닐렌 또는 알키닐렌 연결기이고, Q는 히드록실, 카르복실산, 아민, 티올, 이소시아네이트 및 에폭시로부터 선택된 작용기이다. 상기 화학식(III)에서, n은 이미 정의된 바와 같으며, R#는 광산 생성물질에 의해 분해될 수 있는 산 불안정성 기를 나타낸다. 끝으로, 화학식(IV)에서, 각각의 t는 독립적으로 1 내지 6의 정수이고, R##는 C1-C8 선형 또는 분지형 알킬 부분이고, 몇몇 경우에 t-부틸기이다.
또한, 본 발명에 따른 몇몇 구체예는, 산 불안정성 보호기 및 가교가능한 기 뿐인 펜던트 기를 갖는 노르보르넨 타입 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함한다. 이러한 단량체는 하기 화학식(C)에 의해 표현된다:
상기 식에서,
m 및 Z는 상기 정의된 바와 같으며, 치환기 R9, R10, R11 및 R12는 각각 독립적으로 할로겐(즉, F, Cl, 또는 Br), -(CH2)n-C(O)OR21, -(CH2)n-(CM2)n-OR18, -(CM2)n-OC(O)R17, -(CH2)n-OC(O)OR17, -(CH2)n-C(O)R18, -(CH2)nC(R19)2CH(R19)(C(O)OR20), -(CH2)n-NH-(SO2)-CF3, -(CH2)nC(R19)2CH(C(O)OR20)2, -C(O)O-(CH2)n-OR18 및 -(CH2)n-O-(CH2)n-OR18, -(CH2)n-(O-(CH2)n)n-C(CF3)2OR21로 이루어진 군으로부터 선택된 중성 치환기이며, 여기에서 각각의 n은 독립적으로 0 내지 5이고, M은 수소 또는 할로겐(즉, F, Cl, 또는 Br)일 수 있으며, R19는 독립적으로 수소, 할로겐, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬기 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 할로겐화된 알킬기 또는 할로겐화된 시클로알킬기일 수 있으며, R18은 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10알킬기 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 할로겐화된 알킬기 또는 할로겐화된 시클로알킬기일 수 있으며, R20은 광산 생성물질에 의해 용이하게 분해되지 않으며, 독립적으로 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬기 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 할로겐화된 알킬기 또는 할로겐화된 시클로알킬기일 수 있으며, R17은 광산 생성물질에 의해 용이하게 분해되지 않으며, 독립적으로 선형 또는 분지형 C1 내지 C10알킬 또는 할로겐화된 알킬, 모노시클릭 또는 폴리시클릭 C4 내지 C20 시클로지방족 또는 할로겐화된 시클로알킬 부분, 시클릭 에테르, 시클릭 케톤 또는 시클릭 에스테르(락톤)일 수 있으며, 여기에서 각각의 시클릭 에테르, 케톤 및 에스테르는 할로겐화되거나 할로겐화되지 않을 수 있으며, R21은 수소를 포함하여 R17에 정의된 바와 같다. 시클로지방족 부분의 예는 치환되지 않은 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실기 뿐만 아니라 1-아다만틸 및 1-노르보닐 부분이 포함되나, 이로 제한되는 것은 아니다. 추가로, R9, R10, R11 및 R12는 각각 독립적으로 화학식(I)에 의해 표현된 중성 치환기로부터 선택될 수 있다:
-A-O-[-(CR** 2)q-O-]p-(CR** 2)q-OH 화학식(I)
상기 식에서,
A 및 q는 상기 정의된 바와 같으며,
R**는 할로겐으로부터 선택된다.
그러므로, 본 발명의 구체예에 따른 중합체는 화학식 A, B 및 C 중 어느 하나에 따른 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함한다. 이러한 단량체는 다양한 방법에 의해 제조될 수 있으며, 이러한 방법 및 이러한 단량체의 중합을 위한 촉매계는 본원에서 관련되어 참고 문헌으로 인용되는 미국 특허 제 5,468,819호, 제 5,569,730호, 제 6,136,499호, 제 6,232,417호 및 제 6,455,650호에 자세히 논의된다. 폴리시클릭 올레핀 단량체를 형성하는 방법의 예로는 시클로펜타디엔 및 적합한 디에노필(dienopile)을 사용하는 디엘스-알더(Diels-Alder) 축합반응 또는 목적하는 최종 단량체를 형성하기에 적합한 시약을 사용하는 적합하게 치환된 폴리시클릭 올레핀과 목적하는 엑소 이성질체 몰%와의 반응을 포함한다.
상기 기술된 바와 같이, 목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는 단량체는 이로부터 제조된 중합체의 분해율에 유리하게 영향을 미치는 것으로 밝혀졌다. 몇몇 구체예에서, 이러한 목적하는 엑소 이성질체 몰%는 디엘스-알더 반응으로부터 수득된 단량체의 이성질체의 열역학적 평형을 기초로 하여 폴리시클릭 올레핀 단량체에 대해 예상되는 엑소 이성질체 몰%보다 높다. 다른 구체예에서, 목적하는 엑소 이성질체 몰%는 디엘스-알더 반응으로부터 수득된 단량체의 이성질체의 열역학적 평형을 기초로 하여 폴리시클릭 올레핀에 대해 예상된 엑소 이성질체 몰%보다 낮다. 이러한 목적하는 엑소 이성질체 몰% 단량체는 예를 들어 분별 증류법을 사용하여 정제 동안에 적합한 단량체 부분을 선택하므로써 얻어질 수 있다. 그러나, 이러한 단량체의 수득이 분별 증류법이나 그 밖의 다른 정제 방법으로 제한되는 것은 아니다. 오히려, 본 발명의 구체예에 유용한 목적하는 엑소 이성질체 몰%의 단량체는 임의의 적합한 방법에 의해서 수득될 수 있으며, 이러한 적합한 방법 및 이로부터 수득된 단량체는 본 발명의 범주 및 사상내에 있는 것이다.
본 발명의 구체예에 따른 중합체는 목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 유래된 하나 이상의 폴리시클릭 올레핀 반복 단위를 포함하는 것으로 이해해야 한다. 그러나, 이러한 중합체는 또한 다양한 다른 유형의 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들어, 이러한 중합체는 말레산 무수물 단량체, 아크릴레이트 단량체, 트리플루오로메틸아크릴레이트 단량체 등 뿐만 아니라 이러한 다양한 유형의 단량체의 혼합물로부터 유래된 반복 단위를 포함할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 중합체는 비닐 부가 중합방법, 고리 열림 전이 중합방법(ROMP) 및 자유 라디칼 방법을 포함하는 임의의 적합한 중합 방법을 사용하여 형성될 수 있으나, 단, 이러한 중합 방법은 사용되는 폴리시클릭 올레핀 단양체의 엑소 이성질체 몰%를 현저히 변화시키지 않아야 한다. 또한, 본 발명에 따른 중합체는 목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는 단일 반복 단위를 갖는 것으로 제한되지 않는 것으로 이해해야 한다. 따라서, 두개 이상의 이러한 반복 단위를 포함하는 중합체 또한 본 발명이 범주 및 사상내에 포함된다.
본 발명에 따라 제조된 유리한 중합체는 2,3-사슬화를 통해 연결된 부가 중합 폴리시클릭 반복 단위를 포함한다. 이러한 중합체는 상기 정의된 바와 같은 화학식(C)에 의해 포함되는 하나 이상의 단량체 및 임의로, 화학식(A) 및/또는 (B)에 의해 포함되는 하나 이상의 단량체 및 상기 언급된 임의의 다른 유형의 단량체를 포함한다. 이러한 단량체 중 하나 이상은 형성되는 중합체가 목적하는 분해율 또는 이미지화 특성을 갖도록 목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는다. 유리하게는, 하나 이상의 단량체의 목적하는 엑소 이성질체의 몰%는 예를 들어, 단량체의 분별 증류로부터 적합한 컷(cut) 또는 분획을 선택하므로써 얻어질 수 있다. 그러나, 목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는 단량체를 수득하기 위해, 예를 들어 직접적으로 목적하는 엑소 이성질체 몰%가 되게 하는 방식으로 단량체를 제조하는 것과 같은 다른 방법 또한 사용될 수 있다.
목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는 반복 단위를 사용하는 중합체의 최종 분해율 및/또는 이미지화 특성은 중합체 내에 혼입되는 이러한 반복 단위의 상대적 양에 의존함을 알 수 있음은 물론이다. 따라서, 목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는 반복단위가 비교적 낮은 농도로 중합체에 혼입되는 경우, 이러한 낮은 반복 단위 농도는 중합체의 분해율 또는 이미지화 특성에 거의 관련되지 않거나 전혀 영향을 미치지 않을 수 있다. 그러나, 목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는 반복 단위의 농도가 높은 경우, 형성된 중합체의 분해율 또는 이미지화 특성에 상당한 효과가 관찰된다. 예를 들어, 하기 표 2와 관련하여, 실시예 24, 25, 및 26(약 87% HFANB)의 중합체에 있어서, 중합체의 분해율은 실시예 1 내지 23의 HFANB 단독중합체에 대해 관찰된 것과 실질적으로 동일한 방식으로 거동함을 알 수 있다. 그러나, HFANB 단독중합체와 하기 논의되는 P(TBTFMA-VENBHFA) 공중합체와 같은 다른 물질과의 배합물에 있어서와 같이 HFANB의 양이 감소하는 경우, 관찰되는 효과는 감소될 수 있다.
또한, 본 발명의 구체예는 반응성 펜던트기(여기에서, "반응성"은 보호된 산 불안정성 펜던트기 또는 형성된 중합체의 분해에 관여하는 펜던트기를 말한다)를 갖는 하나 초과의 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 형성된 중합체를 포함할 수 있다. 따라서, 이들 단량체 각각에 대해 상이한 목적하는 엑소 이성질체 몰%가 있을 수 있다. 단일 중합체로의 이러한 상이한 단량체의 배합은 각각의 단량체에 대해 적합한 엑소 이성질체 몰% 및 중합체내 각각의 단량체의 상대적 농도를 측정하기 위한 소정의 실험을 요구할 수 있지만, 이러한 실험은 간단하며 당해 통상의 기술자들은 잘 알고 있을 것으로 여겨진다.
본 발명에 따른 구체예는 비닐 부가 중합에 의해 형성된 중합체 뿐만 아니라 이러한 중합체를 형성하는 데 사용되는 시클릭 올레핀 단량체를 포함하며, 이러한 시클릭 올레핀 단량체 중 하나 이상은 목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는 것이 실현된다. 또한, 본 발명에 따른 몇몇 구체예의 중합체는 화학식(A), (B) 및 (C) 각각에 따른 단량체들로부터 선택된 하나 이상의 단량체를 포함하는 것으로 이해해야 한다. 이러한 중합체 뿐만 아니라 본 발명에 따른 그 밖의 중합체는 목적하는 분해율 및 이미지화 특성을 갖는 포토레지스트 조성물을 형성하는 데 유리하다. 본 발명에 따른 몇몇 구체예는 포지티브 톤(포지티브 작용) 중합체 및 이로부터 제조된 포토레지스트 조성물을 포함할 것이다. 다른 구체예는 네가티브 톤(네가티브 작용) 중합체 및 이로부터 제조된 포토레지스트 조성물을 포함할 것이다. 선택되는 목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는 특정 단량체는 목적하는 포토레지스트 조성물(포지티브 또는 네가티브)의 타입에 적합한 펜던트기를 포함할 것임을 인지해야 한다. 또한, 본 발명에 따른 몇몇 구체예는 개선된 엑소 이성질체 몰%를 갖는 단량체 및 최종 반복 단위를 포함할 것이며, 본 발명의 다른 구체예는 개선된 엔도 이성질체 몰%를 갖는 단량체 및 최종 반복 단위를 포함할 것임은 분명하다. 또한, 본 발명에 따른 단량체의 펜던트기 및 최종 반복 단위는 산 불안정성 기에 의해 보호되거나 보호되지 않을 수 있음을 유의해야 한다. 끝으로, 본 발명에 따른 구체예는 포토레지스트 조성물을 제형화하는 데 사용되는 임의의 다양한 첨가제와 함께 조합되는, 목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는 단량체의 선택을 포함한다. 예를 들어, 이러한 첨가제는 광산 생성물질, 광개시제, 분해율 개질제 등을 포함할 수 있으며, 임의의 이러한 첨가제는 원래 단량체, 올리고머 또는 중합체형일 수 있다.
본 발명의 여러가지 일면은 본 발명에 따른 중합체 대한 하기의 예시적 실시예 및 예시적 화학식의 관점에서 보다 잘 이해될 것이다 이러한 실시예는 단지 예시의 목적인 것이지, 본 발명의 범주 및 사상을 제한하고자 하는 것은 아니다. 다르게 명시하지 않는 한, 하기 실시예에서 기재되는 경우에 제조된 최종 중합체의 분자량은 폴리(스티렌) 표준물질에 의한 THF 중에서의 GPC 방법을 사용하여 측정한 것이다.
실시예 1
α,α-비스(트리플루오로메틸)비시클로[2.2.1]헵트-5-엔-2-에탄올((HFANB) 80g, 0.292mol, 엔도/엑소 비: 44/56), N,N-디메틸아닐리늄 테트라키스펜타플루오로페닐)보레이트((DANFABA) 0.0468g, 0.0584mMol) 및 총부피가 200mL가 되게 하는 충분량의 톨루엔을 가압 유리 반응기에 첨가하였다. 상기 혼합물을 30분 동안 수소 가스로 퍼어징시킨 후, 수소(90psig)로 충전시켰다. 반응 혼합물을 80℃로 가열하였다. 압력을 경감시키고, 팔라듐 촉매, 팔라듐 비스(디이소프로필페닐포스핀)디아세테이트(0.0071g, 0.012mMol)을 첨가하였다. 반응기를 즉시 수소 가스(90psig)로 재가압시키고, 18시간 동안 반응되도록 하였다. 반응 혼합물을 냉각시 킨 후, 0.22 마이크론 테플론？ 필터를 통해 여과하여 흑색 팔라듐 금속을 제거하였다. 형성된 여액을 헵탄에 첨가하자 중합체가 백색 분말로서 침전되었다. 분말을 여과에 의해 수거하고, 90℃에서 진공 오븐 내에서 건조시켰다. 수율 52.2g(66%). Mw = 11,300; Mn = 5440.
실시예 2
HFANB(19.2g, 0.701mol, 엔도/엑소 비: 70/30), DANFABA(0.0112g, 0.0140mMol), 및 총부피가 47mL가 되게 하는 충분량의 톨루엔을 가압 유리 반응기에 첨가하였다. 반응기를 17psig 에틸렌으로 충전시킨 후, 80℃로 가열하였다. 압력을 경감시키고, 팔라듐 톡매, 팔라듐 비스(디-이소프로필페닐포스핀)디아세테이트(메틸렌 클로라이드 중의 0.93mMol 용액 3mL)를 첨가하였다. 반응기를 즉시 에틸렌(17psig)으로 재가압시키고, 20시간 동안 반응되도록 하였다. 반응 혼합물을 냉각시키고, 과량의 헵탄을 첨가하자 중합체가 침전되었다. 중합체를 여과에 의해 수거하고, 80℃에서 진공 오븐 내에서 건조시켰다. 수율: 9.5g(50%)
이후, 중합체를 48mL의 톨루엔에 용해시켰다. 이 혼합물에 24mL의 빙초산, 12mL의 과산화수소(30%) 및 12mL의 물을 첨가하였다. 이 혼합물을 3시간 동안 80℃로 가열하였다. 유기층을 분리시키고, 물로 4배 세척하였다. 유기층을 로터리 증발기에 의해 농축시킨 후 헵탄에 붓자, 중합체가 침전되었다. 중합체를 여과에 의해 수거하고, 80℃에서 진공 오븐 내에서 건조시켰다. 수율 8.8g. 중합체를 메탄올 중에 재용해시키고, 물을 첨가하여 침전시켰다. Mw = 6400; Mn =3630.
실시예 3
5psig 압력의 에틸렌을 사용한 것을 제외하고, 실시예 2를 반복하였다. 수율 11.4g(59%). 실시예 2에서와 같이 중합체를 빙초산 및 과산화수소로 처리하였다. 수율 10.5g. Mw = 12900; Mn = 5930.
실시예 4, 5 및 6
실시예 4, 5 및 6을 실시예 3과 동일한 방식으로 수행하였으나, 서로 다른 수준의 에틸렌을 사용하여 서로 다른 분자량을 입수하였다. 수율을 하기 표 1에 나타내었다. 중합체를 실시예 3에서와 같이 빙초산 및 과산화수소로 처리하였다. 중합체의 분자량을 하기 표 1에 나타내었다.
실시예 7
HFANB (19.2 g, 0.701 mol, 엔도/엑소 비 70/30), DANFABA (0.0112 g, 0.0140 mMol) 및 총부피 47 ml가 되도록 하는 충분한 톨루엔을 유리 압력 반응기에 첨가하였다. 혼합물을 수소 가스 (90 psig)로 충전시켰다. 반응 혼합물을 80℃로 가열하였다. 압력을 경감시키고 팔라듐 촉매, 팔라듐 비스(디-이소프로필페닐포스핀) 디아세테이트 (메틸렌 클로리드 중 0.93 mMol 용액 3 ml)를 첨가하였다. 반응기를 즉시 수소 (90 psig)로 재가압하고, 18 시간 동안 반응시켰다. 반응 혼합물을 냉각시킨 후 0.22 마이크론 테플론 (Teflon？) 필터를 통과시켜 여과하였다. 얻어진 여액을 헵탄에 첨가하여 백색 분말의 중합체를 침전시켰다. 분말을 여과하여 수거하고 80℃의 진공 오븐에서 건조시켰다. 수율 11.6 g (61%). Mw=17,860; Mn=7270.
실시예 8
90 psig 수소로 가압하기 전에 수소를 15 분 동안 반응 혼합물을 통해서 살포하는 것을 제외하고 실시예 7을 반복하였다. 수율 9.95 g (52%). Mw=7900; Mn=4150.
실시예 9
단량체의 엔도/엑소 비가 85/15인 것을 제외하고 실시예 1을 반복하였다. 중합체를 헥산으로 침전시켜 분리하였다. 수율 65.1 g (80%). Mw=8870; Mn=4880.
실시예 10
단량체의 엔도/엑소 비가 85/15이고 수소 압력이 50 psig인 것을 제외하고 실시예 9를 반복하였다. 중합체를 헥산으로 침전시켜 분리하였다. 수율 60.6 g (76%). Mw=13600; Mn=5700.
실시예 11
단량체의 엔도/엑소 비가 85/15이고 수소 압력이 50 psig인 것을 제외하고 실시예 9를 반복하였다. 중합체를 헥산으로 침전시켜 분리하였다. 수율 61.9 g (77%). Mw=11600; Mn=5820.
실시예 12
HFANB (40.0 g, 0.146 mol, 엔도/엑소 비 90/10), DANFABA (0.0351 g, 0.0438 mMol), 트리에틸실란 (2.31 ml, 14.4 mMol), 에탄올 (0.940 ml, 16.2 mMol) 및 톨루엔 (68 ml)을 유리 바이알에 첨가하였다. 병을 고무마개로 캡핑하고 혼합 물에 질소를 15 분 동안 살포하였다. 이후 혼합물을 80℃로 가열하고, 촉매 [팔라듐 비스(트리이소프로필포스핀)(아세토니트릴)(아세테이트)][테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트] (0.017 g, 0.0146 mMol)를 최소량의 1,2-디클로로에탄 중에 첨가하였다. 혼합물을 18 시간 동안 반응시켰다. 반응 혼합물을 냉각시키고 헵탄에 첨가하여 백색 분말의 중합체를 침전시켰다. 분말을 여과시켜 수거하고, 헵탄으로 세척하고 100℃의 진공 오븐에서 건조시켰다. 수율 30.7 g (77%). 중합체를 톨루엔 중에 재용해시키고, 헵탄으로 재침전시키고, 여과하고, 100℃의 진공 오븐에서 건조시켰다. Mw=4670; Mn=3120.
실시예 13
0.28 ml (0.177 mol)의 트리에틸실란을 사용하는 것을 제외하고 실시예 12를 반복하였다. 수율 및 분자량을 하기 표 1에 기술하였다.
실시예 14
1.1 ml (0.0069 mol)의 트리에틸실란을 사용하는 것을 제외하고 실시예 12를 반복하였다. 수율 및 분자량을 하기 표 1에 기술하였다.
실시예 15
0.55 ml (0.0034 mol)의 트리에틸실란을 사용하는 것을 제외하고 실시예 12를 반복하였다. 수율 및 분자량을 하기 표 1에 기술하였다.
실시예 16
HFANB (100 g, 0.365 mol, 엔도/엑소 비 78/22), DANFABA (0.088 g, 0.110 mMol), 트리에틸실란 (5.8 ml, 36 mMol), 에탄올 (2.3 ml, 40 mMol) 및 톨루엔 (171 ml)을 유리 바이알에 첨가하였다. 바이알을 고무마개로 밀봉하고 80℃로 가열하고, 촉매 [팔라듐 비스(트리이소프로필포스핀)(아세토니트릴)(아세테이트)][테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트] (메틸렌 클로리드 중의 0.0025 M 용액 1.0 ml)를 첨가하였다. 혼합물을 18 시간 동안 반응시켰다. 반응 혼합물을 냉각시키고 소량의 아세톤을 첨가하여 용액의 점도를 감소시켰다. 반응 혼합물을 10배 초과량의 헥산에 첨가하여 백색 분말의 중합체를 침전시켰다. 분말을 여과시켜 수거하고, 90℃의 진공 오븐에서 건조시켰다. 수율 30.1 g (73%). Mw=5350; Mn=3270.
실시예 17
3.1 ml (19 mMol)의 트리에틸실란을 사용하는 것을 제외하고 실시예 16을 반복하였다. 수율 및 분자량을 하기 표 1에 기술하였다.
실시예 18
1.8 ml (11 mMol)의 트리에틸실란을 사용하는 것을 제외하고 실시예 16을 반복하였다. 수율 및 분자량을 하기 표 1에 기술하였다.
실시예 19
1.2 ml (7.5 mMol)의 트리에틸실란을 사용하는 것을 제외하고 실시예 16을 반복하였다. 수율 및 분자량을 하기 표 1에 기술하였다.
실시예 20
0.89 ml (5.6 mMol)의 트리에틸실란을 사용하는 것을 제외하고 실시예 16을 반복하였다. 수율 및 분자량을 하기 표 1에 기술하였다.
실시예 21
HFANB (41.1 g, 0.150 mol, 엔도/엑소 비 58/42), DANFABA (메틸렌 클로리드 중의 0.0075 M 용액 1.0 ml), 트리에틸실란 (1.73 g, 0.0148 mol), 에탄올 (0.77 g, 0.017 mol) 및 총부피 100 ml가 되도록 하는 충분한 톨루엔을 유리 바이알에 첨가하였다. 반응 혼합물을 80℃로 가열하였다. 팔라듐 촉매, 비스(디-이소프로필페닐포스핀) 디아세테이트 (메틸렌 클로리드 중의 0.0025 M 용액 1 ml)를 단량체 용액에 첨가하였다. 18 시간 후에, 반응 혼합물을 냉각시킨 후 헥산에 첨가하여 백색 분말의 중합체를 침전시켰다. 분말을 여과시켜 수거하고, 90℃의 진공 오븐에서 건조시켰다. 수율 30.2 g (73%). Mw=5770; Mn=3560.
실시예 22
0.54 ml (4.6 mMol)의 트리에틸실란을 사용하는 것을 제외하고 실시예 21을 반복하였다. 수율 및 분자량을 하기 표 1에 기술하였다.
실시예 23
0.27 ml (2.3 mMol)의 트리에틸실란을 사용하는 것을 제외하고 실시예 21을 반복하였다. 수율 및 분자량을 하기 표 1에 기술하였다.
실시예 24
HFANB (51.0 g, 0.186 mol, 엔도/엑소 비 90:10), 5-노르보르넨-2-히드록시에틸에테르 ((HEENB) 2.36 g, 0.0140 mol), 트리에틸실란 (2.58 g, 0.0222 mol), 에탄올 (1.02 g, 0.0222 mol) 및 총부피 133 ml가 되도록 하는 충분한 톨루엔을 유리 바이알에 첨가하였다. 반응 혼합물을 80℃로 가열하였다. DANFABA (메틸렌 클로리드 중의 0.06M 용액 1.0 ml) 및 [팔라듐 비스(트리이소프로필포스핀)(아세토니트릴)(아세테이트)][테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트] (메틸렌 클로리드 중의 0.02M 용액 1.0 ml)를 첨가하였다. 18 시간 후에, 반응 혼합물을 냉각시킨 후 40 ml의 암버라이트 (Amberlite) GT-73 (Rohm and Haas) 및 디아이온 (Diaion) CRBO2 (Mitsubishi Chemical) 수지 비드에 첨가하였다. 이러한 슬러리를 하룻밤 동안 흔들어 주었다. 수지 비드를 여과함으로써 제거하여 무색의 여액을 수득하였다. 여액을 로터리 증발기로 농축시킨 후 10 배의 부피 초과량의 헥산에 첨가하여 중합체를 침전시켰다. 중합체를 여과하여 수거하고, 90℃의 진공 오븐에서 건조시켰다. 수율 24.6 g (46%). Mw=4610; Mn=3260. HFANB:HEENB의 몰비는 13C NMR 측정에 의해 88:12임을 확인하였다.
실시예 25
단량체의 엔도/엑소 비가 70:30인 것을 제외하고 실시예 24를 반복하였다. 수율 19.9 g (37%). Mw=6740; Mn=4580. HFANB:HEENB의 몰비는 13C NMR 측정에 의해 86:14임을 확인하였다.
실시예 26
단량체의 엔도/엑소 비가 58:42인 것을 제외하고 실시예 24를 반복하였다. 수율 20.9 g (39%). Mw=7140; Mn=4590. HFANB:HEENB의 몰비는 13C NMR 측정에 의해 87:13임을 확인하였다.
실시예 1 내지 23에 대한 분해율 방법 1
석영결정 미량천칭 (QCM)을 사용하여, 수계 현상액 중에서의 실시예 1 내지 23의 여러 중합체로부터 형성된 중합체 필름의 분해 동력학을 연구하였다. 본 연구에서 사용된 석영결정은 약 5 MHz의 고유 주파수를 갖는다. 맥스테크 (Maxtek) TPS-550 센서 프로브 및 PI-70 드라이버를 필립스 (Phillips) PM6654 프로그래밍가능한 고해상도 주파수 계수기 및 IBM PC와 연결하여 사용하였다. 장비를 조절하고 데이타를 주문 제작 랩뷰 (LabView) 소프트웨어 프로그램으로 수집하였다. 중합체를 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 (1/5 중량/중량)에 용해시키고 용액을 0.2㎛ 이하로 여과하였다. 중합체 필름을 1" 석영 디스크 상에서 스핀-캐스팅(네spin-casting)으로 제조하고 130℃에서 60초 동안 베이킹(baking)한 후 코팅된 디스크를 QCM 프로브상에 올려놓았다. 0.26N의 테트라메틸암모늄 히드록시드 (TMAH) (CD-26)중에서, 중합체의 분해는 시간에 따라 다소 선형이여서, 두께-현상 시간 플롯의 기울기로부터 속도 (Å/초)를 계산할 수 있다.
이러한 측정 결과는 도 3에 나타내었다. 여기서, 상술된 실시예 중 각각의중합체의 분해율 (DR)을 중합에 사용된 HFANB 단량체의 수평균 분자량 (Mn) 및 엑소 몰%의 함수로서 플롯팅하였다. 플롯을 통하여 단독중합체의 DR이 이러한 중합체의 Mn (또는 Mw)에 의해 영향을 받지 않는다는 것을 알 수 있다. 또한, 초기 단량체의 엑소 농도가 높으면 (즉, 42%), DR은 늦어지며 (3500 내지 3900 Å/초), 이러한 초기 단량체의 엑소 농도가 낮으면 (즉, 25% 미만), DR은 2배 정도 더 빨라진다 (6000 내지 7300 Å/초).
분해율 측정예 2
실시예 24, 25 및 26으로부터의 공중합체를 PGMEA 중에서 20 내지 25 고형물%로 용해시켰다.
세정된 실리콘 웨이퍼 (Silicon Quest, <1,0,0>)를 1 ml의 헥사메틸디실라진 (HMDS)으로, 10 초 동안 500 rpm 및 60 초 동안 2000 rpm의 속도로 스핀 코팅한 후 130℃에서 90 초 동안 베이킹하였다. 약 1 ml의 여과(0.2 마이크론)된 중합체 용액을 웨이퍼의 중앙에 도포하고 상술된 바와 같이 회전시켰다. 웨이퍼를 130℃에서 120 초 동안 소프트 베이킹시켜 모든 캐스팅 용매를 확실히 제거하였다.
샘플의 코우치 (Cauchy) 파라미터 및 필름 두께를 제이.에이.울람 (J.A. Woollam) M2000 타원계를 이용하여 측정하였다.
분해율 측정을 반사측정 계열 분해율 모니터를 이용하여 수행하였고, 주문 제작된 랩뷰 시스템, 단일 파장 대 시간, 간섭계(interferometry) 데이타를 사용하여 수집하고 조절하였다. 현상액은 테트라메틸 암모늄 히드록시드 수용액(Shipley, TMAH 2.38%)이었다. 현상액의 분취량을 필름상에 배치시키는 퍼들(puddle) 기술을 이용하여 샘플을 현상하고, 필름 두께를 시간에 대해 측정하였다. 두께 대 시간 플롯의 직선 기울기로 분해율을 산출하고, Å/초로서 표시하였다. 이들 측정 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
도 3에 플롯팅된 DR 데이타 및 상술된 바와 같이, 실시예 24, 25 및 26의 중합체의 분해율은 출발 HFANB 단량체 중의 엑소 mol%에 보다 더 의존적인 것으로 보인다. 따라서, 표면상으로는 분자량과 상관없이, 엑소 mol%가 높을수록, DR이 보다 낮아진다.
중합체 배합물 제형 및 이미지화
폴리(t-부틸 2-트리플루오로메틸아크릴레이트-co-5-[(1,1',1'-트리플루오로-2'-트리플루오로메틸-2'-히드록시)프로필]노르보르난-2-일 비닐 에테르)(P(TBTFMAVENBHFA)공중합체) 및 HFANB 단독중합체 (1/1 중량/중량) (실시예 12, 15, 16, 19, 21 및 23 중 하나)를 각각 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 중에 동일한 중량으로 용해시킴으로써 배합하여 10 중량%의 중합체 용액을 제조하였다. 디-t-부틸페닐리도도늄 퍼플루오로옥탄술포네이트 (4%) 및 테트라부틸암모늄 히드록시드 (0.15%)를 중합체 용액에 첨가하였다. 용액을 여과하였다 (0.2 ㎛). 이후 용액을 스핀 캐스팅하고, 얻어진 필름을 130℃에서 60초 동안 베이킹하고, 이원의 유리상 크롬 마스크(binary chrome-on-glass mask)를 통하여 193 nm 방사선에 노출시키고, 130℃에서 90초 동안 노출후-베이킹한 후, 시판되는 0.26N의 테트라메틸암모늄 히드록시 용액으로 현상하였다.
도 4 및 5와 관련하여, 상술된 바와 같이, 스핀 캐스팅 필름의 주사전자현미경 사진은 노출 후 (120 나노미터 (nm) 라인 및 간격) 이미지 현상을 나타낸 것이다. 도 4에서, 현미경 사진은 실시예 23, 19 및 16의 단독중합체를 사용하는 비교적 높은 Mn 배합물에 관한 것이다. 보여지는 바와 같이, 이미지의 품위(image quality)가 가장 높은 엑소 mol%를 갖는 중합체 배합물에 대한 것이 가장 우수하다. 도 5에서, 현미경 사진은 실시예 21, 16 및 12의 단독중합체를 사용하는 비교적 낮은 Mn 배합물에 관한 것이다. 보여지는 바와 같이, 이미지의 품위는 모든 샘플에 대해 비교적 균일하게 시각적인 이미지의 품위 및/또는 상응하는 엑소 mol%에서 명백한 경향을 지니지 않는 것으로 보여진다. 그러나, 도 4의 가장 우수한 이미지화의 결과가 배합물 중에 사용된 HFANB 단독중합체의 분자량이 현저하게 다름에도 불구하고 도 5의 이미지화의 결과와 유사하다는 것이 가장 관심을 갖게 한다. 이러한 결과는 예상치 못한 것으로, 엑소 이성질체 mol%의 조절이 광범위한 분자량에서 비교적 균일한 이미지의 품위를 제공할 수 있음을 제시하는 것이다. 따라서, 실제 이미지 및 포토레지스트 조성물 둘 모두에 대해 보다 광범위한 공정 창을 제공한다.
공중합체는 퍼센트가 공중합체 중 개별적인 단량체의 상대 농도인 하기 구조로 표현된다:
따라서, 상기 나타낸 이미지화 결과로부터 HFANB 단독중합체의 분자량이 높은 경우 (도 4 참조), 가장 우수한 이미지의 품위는 HFANB 출발 중합체의 엑소 mol%가 가장 높은 경우(58/42)에서 볼 수 있다고 할 수 있다. 엑소 mol%가 낮은 경우 (90/10), 이미지는 심하게 브릿징된다.
HFANB 출발 단량체의 분자량이 낮은 경우(도 5), 모든 배합물의 성능이 균일하게 양호하고 엑소 mol%와는 별개인 것처럼 보인다. 따라서, 포토레지스트 조성물에 사용되는 중합체의 하나 이상의 반복 단위 중에 요망되는 엑소 이성질체 몰 퍼센트를 제공함으로써, 시차 분해율의 조절이 광범위한 범위의 중합체 분자량에 대해 양호한 이미지의 품위를 제공하는 것으로 보인다.
표 1
표 2
Claims (22)
- 목적하는 엑소 이성질체 몰%를 갖는 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 유래된 하나 이상의 반복 단위를 포함하는, 목적하는 분해율을 갖는 중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물로서, 목적하는 엑소 이성질체 몰%가, 반복 단위가 유래되는 폴리시클릭 올레핀 단량체에 대해 이러한 단량체를 형성하는데 사용된 디엘스-알더(Diels-Alder) 반응으로부터 얻어진 이러한 단량체의 이성질체의 열역학적 평형에 기초한 예상되는 엑소 이성질체 몰%보다 높거나 낮으며,상기 폴리시클릭 올레핀 단량체는 하기 일반식에 의해 표현되는 하나 이상의 폴리시클릭 올레핀 단량체를 포함하며;
(상기 식에서, n은 0 내지 5의 정수이고, R'는 수소 또는 산 불안정성 기로부터 선택된다)상기 폴리시클릭 올레핀 단량체의 상기 목적하는 엑소 이성질체 몰%는 엑소 이성질체 및 엔도 이성질체의 총 몰을 기준으로 하여 15몰% 미만 및 25몰% 초과로부터 선택되는, 포토레지스트 조성물. - 제 1항에 있어서, 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 유래된 하나 이상의 반복 반위가 하나 이상의 폴리시클릭 올레핀 단량체에 대해 예상되는 엑소 이성질체 몰%보다 높은 엑소 이성질체 몰%를 갖는, 포토레지스트 조성물.
- 제 1항에 있어서, 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 유래된 하나 이상의 반복 반위가 하나 이상의 폴리시클릭 올레핀 단량체에 대해 예상되는 엑소 이성질체 몰%보다 낮은 엑소 이성질체 몰%를 갖는, 포토레지스트 조성물.
- 하기 화학식(A)에 의해 표현된 플루오르화된 카르비놀 펜던트기를 갖는 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 유래된 하나 이상의 반복 단위를 포함하는, 목적하는 분해율을 갖는 폴리시클릭 올레핀 기반 중합체를 포함하는 포토레지스트 조성물로서,
상기 식(A)에서,m은 0 내지 5의 정수이고,Z는 -(CH2)p-이고, p는 1이고,R1 내지 R4 중 어느 하나는 화학식 -(CH2)n-C(CF3)2-OR'(여기서, n은 0 내지 5의 정수이고, R'는 수소 또는 산 불안정성기로부터 선택된다)에 의해 표현된 플루오르화된 카르비놀 펜던트기이고,R1 내지 R4 중 나머지 세개는 각각 수소이고,상기 하나 이상의 반복 단위 타입은 폴리시클릭 올레핀 단량체에 대해 이러한 단량체를 형성하는데 사용된 디엘스-알더 반응으로부터 얻어진 이러한 단량체의 이성질체의 열역학적 평형에 기초한 예상되는 엑소 이성질체 몰%보다 높거나 낮은 플루오르화된 카르비놀 펜던트기에 대한 엑소 이성질체 몰%를 가지며,상기 플루오르화된 카르비놀 펜던트기에 대한 상기 엑소 이성질체 몰%는 엑소 이성질체 및 엔도 이성질체의 총 몰을 기준으로 하여 15몰% 미만 및 25몰% 초과로부터 선택되는, 포토레지스트 조성물. - 제 4항에 있어서, R'가 수소, 디메틸 에테르, 메틸 에틸 에테르, 2-메틸노르보닐, 2-메틸이소보르닐, 2-메틸-2-아다만틸, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로피라노일, 3-옥소시클로헥사노닐, 메발론산 락토닐, 디시클로프로필메틸(Dcpm), 디메틸시클로프로필메틸(Dmcp) 및 -C(O)OR"(여기에서, R"는 t-부틸, 트리메틸실릴, 2-메틸노르보르닐, 2-메틸이소보르닐, 2-메틸-2-아다만틸, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로피라노일, 3-옥소시클로헥사노일, 메발론산 락토닐, Dcpm, 또는 Dmcp 기 또는 이들의 조합이다)로부터 선택되는, 포토레지스트 조성물.
- 제 5항에 있어서, 반복 단위를 함유하는 플루오르화된 카르비놀 펜던트기에 대한 엑소 이성질체 몰%가 그것이 유래되는 폴리시클릭 올레핀 단량체에 대해 예상되는 엑소 이성질체 몰%보다 높은, 포토레지스트 조성물.
- 제 5항에 있어서, 반복 단위를 함유하는 플루오르화된 카르비놀 펜던트기에 대한 엑소 이성질체 몰%가 그것이 유래되는 폴리시클릭 올레핀 단량체에 대해 예상되는 엑소 이성질체 몰%보다 낮은, 포토레지스트 조성물.
- 제 7항에 있어서, 폴리시클릭 올레핀 기반 중합체가 하기 화학식(A2),(B) 및 (C) 중 하나 또는 그 초과에 의해 표현되는 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 유래된 반복 반위를 추가로 포함하는, 포토레지스트 조성물:
상기 식(A2)에 있어서, n'는 0 내지 5의 정수이고, Ra, Rb, 및 Rc는 독립적으로 선형 또는 분지형의 C1 내지 C20 히드로카르빌기이거나, Ra 및 Rb는 이들이 결합된 공통의 탄소와 함께 4 내지 12개의 탄소 원자를 함유하는 포화된 시클릭기를 나타내고;상기 식(B)에 있어서, m은 0 내지 5의 정수이고, Z는 -(CH2)p-이고, p는 1 또는 2이고, R5, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 H, 불소, 선형, 분지형 또는 시클릭 C1 내지 C30 알킬, 알킬올, 아릴, 아르알킬, 알크아릴, 알케닐 또는 알키닐이나, 단 R5, R6, R7 및 R8 중 하나 이상은 가교할 수 있는 작용기이고;상기 식(C)에 있어서, m은 0 내지 5의 정수이고, Z는 -(CH2)p-이고, p는 1 또는 2이고, R9, R10, R11 및 R12는 각각 독립적으로 불소, -(CH2)n-C(O)OR21, -(CH2)n-(CM2)n-OR18, -(CM2)n-OC(O)R17, -(CH2)n-OC(O)OR17, -(CH2)n-C(O)R18, -(CH2)nC(R19)2CH(R19)(C(O)OR20), -(CH2)n-NH-(SO2)-CF3, -(CH2)nC(R19)2CH(C(O)OR20)2, -C(O)O-(CH2)n-OR18, -(CH2)n-O-(CH2)n-OR18, 및 -(CH2)n-(O-(CH2)n)n-C(CF3)2OR21로 이루어진 군으로부터 선택된 중성 치환기이며, 여기에서 각각의 n은 독립적으로 0 내지 5이고, M은 수소 또는 불소일 수 있으며, R19는 독립적으로 수소, 불소, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬기 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 플루오르화된 알킬기 또는 플루오르화된 시클로알킬기일 수 있으며, R18은 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10알킬기, 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 플루오르화된 알킬기 또는 플루오르화된 시클로알킬기일 수 있으며, R20은 광산(photoacid) 생성물질에 의해 용이하게 분해되지 않으며, 독립적으로 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬기 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 플루오르화된 알킬 또는 시클로알킬기일 수 있으며, R17은 광산 생성물질에 의해 용이하게 분해되지 않으며, 독립적으로 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬 또는 플루오르화된 알킬, 모노시클릭 또는 폴리시클릭 C4 내지 C20 시클로지방족 또는 플루오르화된 시클로알킬 부분, 시클릭 에테르, 시클릭 케톤 또는 시클릭 에스테르(락톤)일 수 있으며, 여기에서 각각의 시클릭 에테르, 케톤 및 에스테르는 플루오르화되거나 플루오르화되지 않을 수 있으며, R21은 수소를 포함하여 R17에 정의된 바와 같다. - 제 4항에 있어서, 플루오르화된 카르비놀 펜던트기에 대한 엑소 이성질체 몰%가 폴리시클릭 올레핀 단량체에 대해 예상되는 엑소 이성질체 몰%보다 낮은, 포토레지스트 조성물.
- 제 9항에 있어서, 폴리시클릭 올레핀 기반 중합체가 하기 화학식(A2),(B) 및 (C) 중 하나 또는 그 초과에 의해 표현되는 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 유래된 반복 반위를 추가로 포함하는, 포토레지스트 조성물:
상기 식(A2)에 있어서, n'는 0 내지 5의 정수이고, Ra, Rb, 및 Rc는 독립적으로 선형 또는 분지형의 C1 내지 C20 히드로카르빌기이거나, Ra 및 Rb는 이들이 결합된 공통의 탄소와 함께 4 내지 12개의 탄소 원자를 함유하는 포화된 시클릭기를 나타내고;상기 식(B)에 있어서, m은 0 내지 5의 정수이고, Z는 -(CH2)p-이고, p는 1 또는 2이고, R5, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 H, 불소, 선형, 분지형 또는 시클릭 C1 내지 C30 알킬, 알킬올, 아릴, 아르알킬, 알크아릴, 알케닐 또는 알키닐이나, 단 R5, R6, R7 및 R8 중 하나 이상은 가교할 수 있는 작용기이고;상기 식(C)에 있어서, m은 0 내지 5의 정수이고, Z는 -(CH2)p-이고, p는 1 또는 2이고, R9, R10, R11 및 R12는 각각 독립적으로 불소, -(CH2)n-C(O)OR21, -(CH2)n-(CM2)n-OR18, -(CM2)n-OC(O)R17, -(CH2)n-OC(O)OR17, -(CH2)n-C(O)R18, -(CH2)nC(R19)2CH(R19)(C(O)OR20), -(CH2)n-NH-(SO2)-CF3, -(CH2)nC(R19)2CH(C(O)OR20)2, -C(O)O-(CH2)n-OR18, -(CH2)n-O-(CH2)n-OR18, 및 -(CH2)n-(O-(CH2)n)n-C(CF3)2OR21로 이루어진 군으로부터 선택된 중성 치환기이며, 여기에서 각각의 n은 독립적으로 0 내지 5이고, M은 수소 또는 불소일 수 있으며, R19는 독립적으로 수소, 불소, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬기 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 플루오르화된 알킬기 또는 플루오르화된 시클로알킬기일 수 있으며, R18은 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10알킬기, 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 플루오르화된 알킬 또는 시클로알킬기일 수 있으며, R20은 광산 생성물질에 의해 용이하게 분해되지 않으며, 독립적으로 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 플루오르화된 알킬 또는 시클로알킬기일 수 있으며, R17은 광산 생성물질에 의해 용이하게 분해되지 않으며, 독립적으로 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬 또는 플루오르화된 알킬, 모노시클릭 또는 폴리시클릭 C4 내지 C20 시클로지방족 또는 플루오르화된 시클로알킬 부분, 시클릭 에테르, 시클릭 케톤 또는 시클릭 에스테르(락톤)일 수 있으며, 여기에서 각각의 시클릭 에테르, 케톤 및 에스테르는 플루오르화되거나 플루오르화되지 않을 수 있으며, R21은 수소를 포함하여 R17에 정의된 바와 같다. - 필수적으로 노르보르넨 타입 반복 단위로 이루어진 폴리머를 포함하는 포토레지스트로 조성물로서, 상기 반복 단위는 각각 반응성 펜던기를 갖는 하나 또는 그 초과의 노르보르넨 타입 단량체로부터 유래되며, 상기 노르보르넨 타입 단량체중 하나 이상은 하기 화학식(A)에 의해 표현되며, 다른 노르보르넨 타입 단량체는 하기 화학식(B) 및/또는 (C)에 의해 표현되며:
상기 식(A)에서, m은 0 내지 5의 정수이고, Z는 -(CH2)p-이고, p는 1이고, R1 내지 R4 중 어느 하나는 화학식 -(CH2)n-C(CF3)2-OR'(여기서, n은 0 내지 5의 정수이고, R'는 수소 또는 산 불안정성기로부터 선택된다)에 의해 표현된 플루오르화된 카르비놀 펜던트기이고, R1 내지 R4 중 나머지 세개는 각각 수소이고,상기 식(B)에서, m은 0 내지 5의 정수이고, Z는 -(CH2)p-이고, p는 1 또는 2이고, R5, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 H, 불소, 선형, 분지형 또는 시클릭 C1 내지 C30 알킬, 알킬올, 아릴, 아르알킬, 알크아릴, 알케닐 또는 알키닐이나, 단 R5, R6, R7 및 R8 중 하나 이상은 하기 화학식(B1), (B2), (B3) 또는 (B4)로 표현되는 가교가능한 작용기이며;-A-O-[-(CR** 2)q-O-]p-(CR** 2)q-OH (B1)-R***-Q (B2)-(CH2)nC(O)OR# (B3)-(CH2)t-C(CF3)2-O-(CH2)t-CO-(OR##) (B4)상기 화학식(B1)에서, A는 C1 내지 C6 선형, 분지형 또는 고리형 알킬렌으로부터 선택된 가교기이고, 각각의 R**는 독립적으로 H, 메틸 및 에틸로부터 선택되고, q는 독립적으로 1 내지 5의 정수이고, p는 0 내지 3의 정수이고;상기 화학식(B2)에서, R***는 부분적으로 또는 완전히 할로겐화된, 선형, 분지형 또는 고리형 C1 내지 C30 알킬렌, 아릴렌, 아르알킬렌, 알크아릴렌, 알케닐렌 또는 알키닐렌 연결기이고, Q는 히드록실, 카르복실산, 아민, 티올, 이소시아네이트 및 에폭시로부터 선택된 작용기이고;상기 화학식(B3)에서, n은 1 내지 5의 정수이고, R#는 광산 생성물질에 의해 분해될 수 있는 산 불안정성 기를 나타내고;상기 화학식(B4)에서, 각각의 t는 독립적으로 1 내지 6의 정수이고, R##는 C1-C8 선형 또는 분지형 알킬 부분이며;상기 식(C)에서, m은 0 내지 5의 정수이고, Z는 -(CH2)p-이고, p는 1 또는 2이고, R9, R10, R11 및 R12는 각각 독립적으로 할로겐, -(CH2)n-C(O)OR21, -(CH2)n-(CM2)n-OR18, -(CM2)n-OC(O)R17, -(CH2)n-OC(O)OR17, -(CH2)n-C(O)R18, -(CH2)nC(R19)2CH(R19)(C(O)OR20), -(CH2)n-NH-(SO2)-CF3, -(CH2)nC(R19)2CH(C(O)OR20)2, -C(O)O-(CH2)n-OR18, -(CH2)n-O-(CH2)n-OR18, 및 -(CH2)n-(O-(CH2)n)n-C(CF3)2OR21로 이루어진 군으로부터 선택된 중성 치환기이며, 여기에서 각각의 n은 독립적으로 0 내지 5이고, M은 수소 또는 할로겐일 수 있으며, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬기 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 할로겐화된 알킬기 또는 할로겐화된 시클로알킬기일 수 있으며, R20은 광산 생성물질에 의해 용이하게 분해되지 않으며, 독립적으로 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬기 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 할로겐화된 알킬 또는 시클로알킬기일 수 있으며, R17은 광산 생성물질에 의해 용이하게 분해되지 않으며, 독립적으로 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬 또는 할로겐화된 알킬, 모노시클릭 또는 폴리시클릭 C4 내지 C20 시클로지방족 또는 할로겐된 시클로알킬 부분, 시클릭 에테르, 시클릭 케톤 또는 시클릭 에스테르(락톤)일 수 있으며, 여기에서 각각의 시클릭 에테르, 케톤 및 에스테르는 할로겐화되거나 할로겐화되지 않을 수 있으며, R21은 수소를 포함하여 R17에 정의된 바와 같으며,상기 하나 이상의 반복 단위 타입은 폴리시클릭 올레핀 단량체에 대해 이러한 단량체를 형성하는데 사용된 디엘스-알더 반응으로부터 얻어진 이러한 단량체의 이성질체의 열역학적 평형에 기초한 예상되는 엑소 이성질체 몰%보다 높거나 낮은 플루오르화된 카르비놀 펜던트기에 대한 엑소 이성질체 몰%를 가지며,상기 플루오르화된 카르비놀 펜던트기에 대한 상기 엑소 이성질체 몰%는 엑소 이성질체 및 엔도 이성질체의 총 몰을 기준으로 하여 15몰% 미만 및 25몰% 초과로부터 선택되는, 포토레지스트 조성물. - 제 1항에 있어서, 상기 폴리시클릭 올레핀 단량체의 상기 목적하는 엑소 이성질체 몰%가 각각의 경우 엑소 이성질체 및 엔도 이성질체의 총 몰을 기준으로 하여, 10몰%, 30몰%, 42몰%, 52몰%, 56몰%, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 포토레지스트 조성물.
- 제 1항에 있어서, R'가 수소, 디메틸 에테르, 메틸 에틸 에테르, 2-메틸노르보닐, 2-메틸이소보르닐, 2-메틸-2-아다만틸, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로피라노일, 3-옥소시클로헥사노닐, 메발론산 락토닐, 디시클로프로필메틸(Dcpm), 디메틸시클로프로필메틸(Dmcp) 및 -C(O)OR"(여기에서, R"는 t-부틸, 트리메틸실릴, 2-메틸노르보르닐, 2-메틸이소보르닐, 2-메틸-2-아다만틸, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로피라노일, 3-옥소시클로헥사노일, 메발론산 락토닐, Dcpm, 또는 Dmcp 기 또는 이들의 조합이다)로부터 선택되는, 포토레지스트 조성물.
- 제 4항에 있어서, 상기 플루오르화된 카르비놀 펜던트기에 대한 상기 엑소 이성질체 몰%가 각각의 경우 엑소 이성질체 및 엔도 이성질체의 총 몰을 기준으로 하여, 10몰%, 30몰%, 42몰%, 52몰%, 56몰%, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 포토레지스트 조성물.
- 제 11항에 있어서, 상기 플루오르화된 카르비놀 펜던트기에 대한 상기 엑소 이성질체 몰%가 각각의 경우 엑소 이성질체 및 엔도 이성질체의 총 몰을 기준으로 하여, 10몰%, 30몰%, 42몰%, 52몰%, 56몰%, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 포토레지스트 조성물.
- 제 11항에 있어서, R'가 수소, 디메틸 에테르, 메틸 에틸 에테르, 2-메틸노르보닐, 2-메틸이소보르닐, 2-메틸-2-아다만틸, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로피라노일, 3-옥소시클로헥사노닐, 메발론산 락토닐, 디시클로프로필메틸(Dcpm), 디메틸시클로프로필메틸(Dmcp) 및 -C(O)OR"(여기에서, R"는 t-부틸, 트리메틸실릴, 2-메틸노르보르닐, 2-메틸이소보르닐, 2-메틸-2-아다만틸, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로피라노일, 3-옥소시클로헥사노일, 메발론산 락토닐, Dcpm, 또는 Dmcp 기 또는 이들의 조합이다)로부터 선택되는, 포토레지스트 조성물.
- 목적하는 분해율을 갖는 포토레지스트 조성물을 형성시키는 방법으로서,하기 화학식(A)에 의해 표현된 플루오르화된 카르비놀 펜던트기를 갖는 폴리시클릭 올레핀 모노머의 제 1 엑소 몰%를 측정하고;상기 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함하는 제 1 폴리머를 형성하고;상기 폴리머의 제 1 분해율을 측정하고;상기 폴리시클릭 올레핀 단량체의 제 1 엑소 몰%를 제 1 엑소 몰%보다 높거나 낮은 제 2 엑소 몰%로 변경시키고;제 2 엑소 몰%를 갖는 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 유래된 반복 단위를 포함하는 제 2 폴리머를 형성시키고;제 2 폴리머를 포함하는 포토레지스트 조성물을 포뮬레이팅하는 것을 포함하는 방법:
상기 식에서, m은 0 내지 5의 정수이고, Z는 -(CH2)p-이고, p는 1 또는 2이고; R1 내지 R4 중 하나 이상은 독립적으로 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 플루오르화된 카르비놀 펜던트기이고, 각각의 탄소 원자는 독립적으로 1, 2 또는 3개의 불소 원자로 치환되고, 산소 원자는 산 불안정성인 블로킹 또는 보호기에 의해 보호된다. - 제 17항에 있어서, 하나 이상의 반복 단위의 플루오르화된 카르비놀 펜던트기가 -(CR2)nOR', -(O-(CH2)n)n-C(CF3)2-OR', -(CH2O)n-C(CF3)2-OR', -((CH2)nO)n-CH2-C(OR')(CF3)2로부터 선택되며, 여기에서 각각의 n은 독립적으로 0 내지 5의 정수로부터 선택되고, 각각의 R은 독립적으로 수소 또는 불소이고, R'는 디메틸 에테르, 메틸 에틸 에테르, 2-메틸노르보닐, 2-메틸이소보르닐, 2-메틸-2-아다만틸, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로피라노일, 3-옥소시클로헥사노닐, 메발론산 락토닐, 디시클로프로필메틸(Dcpm), 디메틸시클로프로필메틸(Dmcp) 및 -C(O)OR"(여기에서, R"는 t-부틸, 트리메틸실릴, 2-메틸노르보르닐, 2-메틸이소보르닐, 2-메틸-2-아다만틸, 테트라히드로푸라닐, 테트라히드로피라노일, 3-옥소시클로헥사노일, 메발론산 락토닐, Dcpm, 또는 Dmcp 기 또는 이들의 조합이다)로부터 선택되는 방법.
- 제 18항에 있어서, 카르비놀 펜던트기에 대한 제 2 엑소 이성질체 몰%가 폴리시클릭 올레핀 단량체에 대해 예상되는 엑소 이성질체 몰%보다 높은 방법.
- 제 19항에 있어서, 폴리시클릭 올레핀 기반 중합체가 하기 화학식(A2),(B) 및 (C) 중 하나 또는 그 초과에 의해 표현되는 폴리시클릭 올레핀 단량체로부터 유래된 반복 반위를 추가로 포함하는 방법:
상기 식(A2)에 있어서, n'는 0 내지 5의 정수이고, Ra, Rb, 및 Rc는 독립적으로 선형 또는 분지형의 C1 내지 C20 히드로카르빌기이거나, Ra 및 Rb는 이들이 결합된 공통의 탄소와 함께 4 내지 12개의 탄소 원자를 함유하는 포화된 시클릭기를 나타내고;상기 식(B)에 있어서, m 및 Z는 제 8항에서 정의된 바와 같고, R5, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 H, 불소, 선형, 분지형 또는 시클릭 C1 내지 C30 알킬, 알킬올, 아릴, 아르알킬, 알크아릴, 알케닐 또는 알키닐이나, 단 R5, R6, R7 및 R8 중 하나 이상은 가교할 수 있는 작용기이고;상기 식(C)에 있어서, m 및 Z는 제 8항에서 정의된 바와 같고, R9, R10, R11 및 R12는 각각 독립적으로 불소, -(CH2)n-C(O)OR21, -(CH2)n-(CM2)n-OR18, -(CM2)n-OC(O)R17, -(CH2)n-OC(O)OR17, -(CH2)n-C(O)R18, -(CH2)nC(R19)2CH(R19)(C(O)OR20), -(CH2)n-NH-(SO2)-CF3, -(CH2)nC(R19)2CH(C(O)OR20)2, -C(O)O-(CH2)n-OR18, -(CH2)n-O-(CH2)n-OR18, 및 -(CH2)n-(O-(CH2)n)n-C(CF3)2OR21로 이루어진 군으로부터 선택된 중성 치환기이며, 여기에서 각각의 n은 독립적으로 0 내지 5이고, M은 수소 또는 불소일 수 있으며, R19는 독립적으로 수소, 불소, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬기 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 플루오르화된 알킬기 또는 플루오르화된 시클로알킬기일 수 있으며, R18은 독립적으로 수소, 선형 또는 분지형 C1 내지 C10알킬기, 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 플루오르화된 알킬 또는 시클로알킬기일 수 있으며, R20은 광산 생성물질에 의해 용이하게 분해되지 않으며, 독립적으로 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬 또는 시클로알킬기 또는 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 플루오르화된 알킬 또는 시클로알킬기일 수 있으며, R17은 광산 생성물질에 의해 용이하게 분해되지 않으며, 독립적으로 선형 또는 분지형 C1 내지 C10 알킬 또는 플루오르화된 알킬, 모노시클릭 또는 폴리시클릭 C4 내지 C20 시클로지방족 또는 플루오르화된 시클로알킬 부분, 시클릭 에테르, 시클릭 케톤 또는 시클릭 에스테르(락톤)일 수 있으며, 여기에서 각각의 시클릭 에테르, 케톤 및 에스테르는 플루오르화되거나 플루오르화되지 않을 수 있으며, R21은 수소를 포함하여 R17에 정의된 바와 같다. - 삭제
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2007
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Patent Citations (1)
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