KR101106049B1 - 반도체 소자의 제조방법 및 이에 의한 반도체 소자 - Google Patents
반도체 소자의 제조방법 및 이에 의한 반도체 소자 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (5)
- 기판상에 하부금속배선 및 하부전극을 동시에 형성하는 단계;상기 하부금속배선과 하부전극이 형성된 결과물 상에 층간절연막을 형성하는 단계;상기 층간 절연막을 식각하여 상기 하부금속배선의 일부를 노출하는 비아홀 및 상기 하부전극을 노출하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 비아홀과 트렌치가 형성된 결과물 상에 제1 확산방지막과 제2 도전막을 순차적으로 증착하는 단계;상기 제2 도전막을 상기 제1 확산 방지막이 드러나는 시점까지 에치백하되, 상기 비아홀 내부의 상기 제2 도전막 부분은 제거되지 않게 상기 제2 도전막을 선택적으로 에치백하여 상기 비아홀 내부에 비아를 형성하는 단계;상기 비아가 형성된 결과물 상에 유전체막, 제2 확산 방지막 및 제3 도전막을 순차적으로 증착하는 단계; 및상기 제3 도전막을 상기 층간 절연막 상부가 드러나는 시점까지 화학기계적 연마하여 상부전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 기판 상에 하부금속배선 및 하부전극을 동시에 형성하는 단계는,기판 상에 제1 도전막을 형성하는 단계;상기 제1 도전막 상에 하부금속배선 형성 영역과 하부전극 형성 영역을 정의하는 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제1 도전막을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2, 제3 도전막은 텅스텐을 사용하여 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1, 제2 확산 방지막은 TiN 단일막 혹은 Ti와 TiN 이 순차적층 되어 있는 이중막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
- 반도체 소자에 있어서,제1 항 내지 제4 항 중 어느 하나의 방법에 의하여 제조된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
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