KR101097310B1 - 기판 지지 장치 및 지지대 및 이를 포함하는 이온 주입 장치 - Google Patents

기판 지지 장치 및 지지대 및 이를 포함하는 이온 주입 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판의 손상을 방지하는 지지대의 구조 및 상기 지지대를 포함하는 기판 지지 장치와 이온 주입 장치에 관한 것으로 일 실시예에 의하면 이온 주입 장치에 포함된 기판 지지 장치에 있어서, 프레임부 및 상기 프레임부에 적층되어 항정전성을 가지도록 배치된 기판 접촉부를 구비한 복수개의 외측 지지대; 및 복수개의 내측 지지대; 를 포함하는 기판 지지 장치를 개시함으로써, 기판과 지지대 사이에서 발생하는 박리 대전을 방지하는 특징이 있다.
지지대

Description

기판 지지 장치 및 지지대 및 이를 포함하는 이온 주입 장치{Supporter and substrate supporting apparatus of ion implant machine and ion implant machine thereof}
본 발명은 이온 주입 장치의 기판 지지 장치 및 지지대와 이를 포함하는 이온 주입 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판의 손상을 방지하는 지지대의 구조 및 상기 지지대를 포함하는 기판 지지 장치와 이온 주입 장치에 관한 것이다.
OLED (organic light emitting diodes) 패널, 반도체 웨이퍼 등에서 도전층을 형성하는 방법으로 이온소스에서 생성한 이온을 가속하여 이온빔으로 기판에 주입(implant)하는 이온 주입 기술이 이용된다.
이온 주입 장치를 사용하여 이온 주입을 할 때에는 프로세스 챔버로 유입된 기판을 지지 장치에 의하여 고정한 다음 원하는 각도로 조절하여 기판에 이온을 주입하게 된다. 이렇게 이온 주입이 완료되면 기판이 올려진 지지대는 바닥과 수평한 상태로 배치되고, 기판은 로봇암에 의하여 이온 소스부에서 반송된다.
이러한 반송 과정에서 지지대에 탑재된 기판이 로봇암에 의하여 들려 올라갈 때, 지지대와 기판 사이는 박리 대전 현상이 일어난다. 즉 서로 밀착되어 있던 기판과 지지대의 분리과정에서 자유 전자가 방출 및 흡입되어 기판과 지지대에 다른 종류의 전하가 대전되어 정전기가 발생하는 것이다.
박리 대전이 발생한 기판과 지지대 사이의 거리가 멀어지면, 기판과 지지대 사이의 인력이 약해지고 기판의 탄력성으로 인하여 기판이 상하로 떨리게 된다. 공정에서 사용하는 기판은 초박형이기 때문에 이렇게 발생한 상하의 떨림 및 휨으로 기판의 코너 부분이 깨지거나 부러져 손상되는 문제가 있었다. 이로 인하여 발생하는 경제적 손실 및 공정 효율을 개선하기 위한 방안이 요구된다.
본 발명은 이온 주입 장치의 기판 지지 장치 및 지지대와 이를 포함한 이온 주입 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판의 손상을 방지하는 지지대의 구조 및 상기 지지대를 포함하는 기판 지지 장치와 이온 주입 장치를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 이온 주입 장치에 포함된 기판 지지 장치에 있어서, 프레임부 및 상기 프레임부에 적층되어 항정전성을 가지도록 배치된 기판 접촉부를 구비며 기판의 외측을 지지하는 복수개의 외측 지지대; 및 기판의 내측을 지지하는 내측 지지대; 를 포함하는 기판 지지 장치를 제공한다.
여기서 상기 외측 지지대의 기판 접촉부는 코너부분이 비어있도록 비연속적으로 형성되어 기판이 상기 기판 접촉부에 접촉하지 않는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 기판의 코너 부분이 상기 프레임부와 0.1mm-1.2mm의 갭을 유지한다.
여기서 상기 기판 접촉부는 상기 프레임부 최외각 코너 꼭지점에서 50mm-100mm 떨어진 지점에서부터 시작되어 프레임부의 가로측 외곽을 따라 형성된 제1부재; 및 상기 프레임부 최외각 코너 꼭지점에서 50mm-100mm 떨어진 지점에서부터 시작되어 프레임부의 세로측 외곽을 따라 형성되며, 상기 제1부재와 수직한 방향으로 배치된 제2부재; 를 포함한다.
여기서 상기 기판 접촉부는 상기 프레임부 최외각 꼭지점에서 반경 50mm- 100mm가 비어있어 프레임부가 드러나도록 형성된 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 기판 접촉부는 항정전성을 가진 실리콘 러버인 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 프레임부는 두랄미늄, 알루미늄 특수강 또는 알루미늄 합금 중 하나로 형성되는 제1층; 및 알마이트, 인산철, 인산아연 또는 크롬화 물질 중 하나로 이루어지며, 상기 제1층 위에 코팅된 제2층; 을 포함한다.
본 발명의 또 다른 일 측면에 따르면, 이온 주입 장치의 기판 지지 장치에 포함된 지지대에 있어서, 기판을 지지하여 이송하는 복층의 프레임부; 및 상기 프레임부의 외곽을 따라 형성된 기판 접촉부; 를 포함하며 상기 기판 접촉부는 항정전성을 가지도록 배치된 지지대를 제공한다.
여기서 상기 지지대에 올려진 기판은 상기 기판의 코너 부분이 상기 기판 접촉부에 접촉하지 않는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 기판의 코너 부분이 상기 프레임부와 0.1mm-1.2mm의 갭을 유지한다.
여기서 상기 기판 접촉부는 외곽의 코너부분이 비어있도록 비연속적으로 형성된 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 기판 접촉부는 상기 프레임부 최외각 코너 꼭지점에서 50mm-100mm 떨어진 지점에서부터 시작되어 프레임부의 가로측 외곽을 따라 형성된 제1부재; 및 상기 프레임부 최외각 코너 꼭지점에서 50mm-100mm 떨어진 지점에서부터 시작되어 프레임부의 세로측 외곽을 따라 형성되며, 상기 제1부재와 수직한 방향으로 배치된 제2부재;를 포함한다.
여기서 상기 기판 접촉부는 상기 제1부재와 제2부재가 Γ자 또는 ㄱ자 형태로 배치된 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 기판 접촉부는 상기 프레임부 최외각 꼭지점에서 반경 50mm-100mm가 비어있어 프레임부가 드러나도록 형성된 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 기판 접촉부는 항정전성을 가진 실리콘 러버인 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 프레임부는 두랄미늄, 알루미늄 특수강 또는 알루미늄 합금 중 하나로 형성되는 제1층; 및 알마이트, 인산철, 인산아연 또는 크롬화 물질 중 하나로 이루어지며, 상기 제1층 위에 코팅된 제2층; 을 포함한다.
본 발명의 또 다른 일 측면에 따르면, 기판을 지지하여 이송하는 복층의 프레임부; 및 상기 프레임부의 외곽을 따라 형성된 기판 접촉부; 를 포함하며 상기 기판 접촉부는 항정전성을 가지도록 배치된 지지대를 포함하는 이온 주입 장치를 제공한다.
여기서 상기 지지대에 올려진 기판의 코너 부분이 상기 지지대의 기판 접촉부에 접촉하지 않는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 지지대의 프레임 부와 상기 기판의 코너 부분이 0.1mm-1.2mm의 갭을 유지하는 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 지지대의 기판 접촉부는 외곽의 코너부분이 비어있도록 비연속적으로 형성된 것을 특징으로 한다.
여기서 상기 지지대의 상기 기판 접촉부는 상기 프레임부 최외각 코너 꼭지점에서 50mm-100mm 떨어진 지점에서부터 시작되어 상기 프레임부의 외곽을 따라 형성된 제1부재; 및 상기 제1부재와 수직한 방향으로 상기 프레임부 최외각 코너 꼭지점에서 50mm-100mm 떨어진 지점에서부터 시작되어 상기 프레임부의 외곽을 따라 형성된 제2부재; 를 포함한다.
여기서 상기 지지대의 기판 접촉부는 상기 프레임부의 최외각 꼭지점에서 반경 50mm-100mm가 비어있어 상기 프레임부가 드러나도록 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 의한 지지대를 통하여 기판을 반송함으로써 기판의 반송시 발생하는 박리 대전이 제거되어 기판의 깨짐이나 손상이 방지되는 효과가 있다.
또한 본 발명에 의한 지지대 및 기판 지지 장치는 기존 장치의 문제점을 개선함으로써 생산성을 증대하는 효과가 있다.
이하, 본 발명에 따른 지지대 및 지지 장치의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명에 의한 이온 주입 장치를 나타낸 개략도이다.
도 1을 참조하면, 이온 주입 장치(ion-implant machine)는 기판에 이온을 주입하는 장치이다. 이온 주입 장치는 기판 공급부(100), 로드락부(110), 프로세스 챔버부(120), 이온 소스부(130)로 구성된다.
기판 공급부(100)는 복수개의 카세트(cassette)(101) 및 로봇암(102)을 포함한다. 카세트(101)는 공정에 들어갈 기판이 수납되어 있으며, 상기 기판 공급부(100)에 있는 기판을 로봇암(102)이 로드락부(110)의 로드락 챔버(111)로 자동 이송하여 공급하는 역할을 한다.
로드락부(110)는 복수개의 로드락 챔버(111) 및 로봇암(112)을 포함한다. 로드락 챔버(111)는 내부를 대기압 상태로 유지하며, 반송 챔버상의 로봇암(112)은 로드락 챔버(111) 내의 기판을 프로세스 챔버(121)로 유입한다.
프로세스 챔버부(120)는 프로세스 챔버(121)로 유입된 기판에 이온 주입을 실시한다. 이 때 기판은 유리를 사용할 수 있으며, 프로세스 챔버(121)에 포함된 지지 장치(122)를 통하여 기판의 위치를 변경한 다음 이온 주입을 실시한다.
이온 소스부(130)는 기판에 주입될 이온 소스(131)를 구비한 부분이다.
상기 프로세스 챔버부(120)에서 이온 주입이 실시되는 과정을 구체적으로 나타내면 다음과 같다.
먼저 로드락 챔버(111)에서 프로세스 챔버(121)로 유입된 기판은 기판 지지 장치(200)를 구성하는 지지대에 바닥과 수평한 상태로 로딩된다. 다음으로 기판 지지 장치(200)는 기판을 탑재한 지지대를 바닥과 수직인 상태로 전환한 다음, 이온 소스(131)를 통하여 이온 주입을 실시한다. 이온 주입이 완료되면 지지대는 바닥과 수평한 상태로 돌아간다. 다음으로 지지대에 탑재된 기판은 로봇암에 의하여 반송된다. 즉, 이온 주입이 완료되면 기판은 지금까지 공정과 역순으로 로드락 챔버(111)를 거쳐 다시 카세트(101)로 돌아간다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 기판 지지 장치(200)를 나타낸 사시도이다.
기판 지지 장치(200)는 이온 주입 장치에 포함되며, 로드락 챔버(111)에서 프로세스 챔버(121)로 이송된 기판을 장착하여 이온 주입을 실시할 때 기판을 원하는 각도로 지지하여 받쳐주는 역할을 하고, 복수개의 지지대(platen)(204) 및 복수개의 지지대를 연결하는 이음부(205)를 포함한다.
복수개의 지지대(204)는 도 2에 나타난 바와 같이 직사각형 모양의 바가 3개가 나란히 배치된 형태로 구성될 수 있다. 그러나 지지대의 형태는 사다리꼴, 사각형, 등도 가능하며, 지지대의 개수 또한 2개, 4개 등으로 다양하게 구성될 수 있다.
복수개의 지지대(204)는 외측 지지대와 내측 지지대로 구분할 수 있다. 외측지지대는 기판이 접촉하는 면을 기준으로 기판의 모서리나, 외측 부분이 닿아 지지되는 것이며, 내측 지지대는 기판의 중심부인 내측에 가깝게 접촉하여 지지하는 것이다.
일 실시예로 도 2를 참조하면, 직사각형의 기판(300)의 짧은 모서리를 세로측으로 하고, 기판의 긴 모서리를 가로측이라 할 때, 세로측에 가까운 도면부호 201 및 203은 외측 지지대에 해당하며, 기판의 중심부를 지지하는 도면부호 202는 내측 지지대에 해당한다. 외측 및 내측 지지대라는 명칭은 지지대가 기판을 지지하는 부분에 따라 지시되는 것이므로, 도 2에 개시된 내용에 한정되지 않고 다양하게 표현할 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 도 2의 지지 장치(200) 에 포함된 지지대(204)를 나타낸 사시도 및 단면도이다. 도 3a는 이음부(205)에서 볼 때 우측에 위치한 외측 지지대(201)의 사시도 이며, 도 3c는 이음부(205)에서 볼 때 좌측에 위치한 외측 지지대(203)를 나타낸 것이다. 도 3a와 도 3b는 거울상의 형태를 가지므로 도 3a를 기준으로 설명하며 도 3b에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다. 도 3c는 도 3a 및 도 3b에 도시된 외측 지지대(201, 203)의 A-A' 부분을 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 3c를 참조하여 외측 지지대(201)의 적층 구조에 대하여 설명하기로 한다. 지지대는 프레임부(201a)와 기판 접촉부(201b)를 포함한다. 또한 프레임부와 기판 접촉부 사이에는 코팅층(201c)이 더 형성될 수도 있다.
프레임부(201a)는 기판을 지지하여 바닥과 수평 또는 수직 각도로 기판을 고정하는 지지대의 틀에 해당한다. 일 실시예에 의하면 프레임부(201a)는 두랄미늄으로 형성할 수 있으며, 이외에도 알루미늄 특수강 또는 알루미늄 합금과 같은 메탈로 형성될 수 있다.
코팅층(201c)은 프레임부(201a)는 표면 저항이 큰 물질을 코팅한 것으로, 경우에 따라서 생략될 수도 있다. 일 예로 두랄미늄으로 형성된 프레임부(201a)위에 표면 저항이 106 [ohms per squre]이고 내식, 내마모성이 있는 알마이트(alumite) 코팅을 하여 코팅층(201c)을 형성할 수 있다. 코팅층(201c)은 인산철, 인산아연 또는 크롬화 물질 중 어느 하나로 형성될 수도 있으며. 상기 프레임부(201a)의 재료 및 코팅층(201c)의 종류 및 개수는 이에 한정되지 않고, 코팅층이 복수개의 층으로 형성될 수도 있다.
기판 접촉부(201b)는 프레임부(201a) 또는 코팅층(201c)위에 적층되어 형성되며 기판과 직접 닿는 부분이다. 상기 기판 접촉부(201b)는 초박형 기판과 사이에서 발생하는 정전기를 방지하기 위하여 항정전성을 가진 절연 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 정전기 방전(ESD: electrostatic discharge) 현상은 노출되는 소자나 시스템이 파괴되는 성능 저하를 비롯하여, 본 발명과 같이 기판을 손상시켜 불량률을 높이는 문제가 있다. 따라서 이를 방지하기 위해 사용되는 항정전성(anti static) 절연 물질은 표면 저항치가 1010 내지 1013 [ohms per squre] 범위 내인 물질을 채택하는 것이 바람직하다. 본 발명의 일실시예로 상기 기판 접촉부(201b)는 표면 저항이 1013 [ohms per square] 에 해당하는 실리콘 러버(Si rubber)를 사용할 수 있다. 하지만 기판 접촉부(201b)의 재료는 이에 한정되지 않으며, 상술한 표면 저항 범위내의 항정전성 물질은 어느 것이든 사용할 수 있다.
또한 기판 접촉부(201b)는 0.1mm-1.2mm의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 기판 접촉부(201b)는 도 3a 및 도3b에 도시된 구조에 의할 때 프레임부(201a)의 코너 부분이 비어있는 'Γ'자 또는 'ㄱ'자 형태로 구성된다. 따라서 지지대(204)에 놓이는 기판(300)의 코너와 프레임부(201a) 사이에는 기판 접촉부(201b) 두께인 0.1mm-1.2mm 만큼의 갭(gap)이 생기게 된다. 이와 같은 갭이 형성됨으로써 지지대(204)와 기판(300)의 코너 부분은 접촉과 분리과정이 발생하지 않으므로, 정전기가 발생되지 않고, 박리 대전으로 인한 기판(300)의 손상이 일어나지 않는 특징이 있다. 상기 갭이 1.2mm보다 클 경우 지지대(204)에 올려진 기판(300)의 코너부분이 지지대(204)의 프레임부(201a)와 너무 떨어져 있게 되어 이온을 주입하는 과정에서 기판(300)의 코너가 불안정하게 떨리는 문제가 발생한다. 또한 갭이 0.1mm보다 작을 경우에는 기판(300)과 프레임부(201a) 사이에 정전기가 일어날 가능성이 있다.
도 3a 및 도 3b는 도 2의 기판 지지 장치(200)에 포함된 외측 지지대(201,203)의 제1 실시예를 나타낸 사시도이다.
상술하였듯이 도 3b는 그 적층 구조가 도 3a와 동일하고 기판 접촉부(201b)의 형태는 도 3a와 거울상에 해당하므로 도 3a를 중심으로 설명하고 도 3b에 대한 개별적인 설명은 생략하기로 한다.
기판 접촉부(201b)는 기판의 외곽 테두리 부분이 닿는 지점에 형성되므로 이에 대응하여 프레임부(201a)의 외곽을 따라 형성된다. 본 발명의 제1 실시예에 의한 외측 지지대(201)상의 기판 접촉부(201b)는 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이 외곽의 코너부분이 비어있도록 비연속적으로 형성된다. 여기서 외측 지지대(201)의 바깥쪽 코너에 위치하는 기판 접촉부(201b)는 기판 지지 장치(200)의 이음부(205) 쪽에서 볼 때 꼭지점이 비어있는 'Γ'자 또는 'ㄱ'자 형태로 형성된다. 기판(300)을 올려놓았다고 볼 때, 기판의 세로측에 가까운 프레임부(201a) 최외각 코너 꼭지점에서 50mm-100mm 떨어진 지점부터 제1기판 접촉부(201b_1)가 시작되어 기판 지지 장치의 이음부(205)까지 이어진다. 또한 제2기판 접촉부(201b_2)는 상기 제1기판 접촉부(201b_1)와 수직한 방향으로, 기판의 가로측에 가까운 프레임부(201a) 최외각 코너 꼭지점에서 50mm-100mm 떨어진 지점부터 시작되어 프레임부(201a)의 외곽을 따라 형성된다.
기판 접촉부(201b)가 프레임부(201a) 코너 꼭지점에서 100mm를 초과하여 떨어진 지점부터 형성되는 경우, 초박형 기판의 코너 부분이 휠 수 있어 기판의 수평상태가 유지되지 않아 이온 주입이 어려워 질 수 있는 문제가 있다. 또한 프레임부(201a) 코너 꼭지점에서 50mm미만으로 떨어진 지점부터 형성되는 경우, 기판의 코너 부분과 기판 접촉부(201b)가 접촉될 수 있어, 박리 대전을 방지하기 위한 본 발명의 목적을 달성할 수 없다.
본 발명의 제1실시예에 의한 지지대(204)는 기판의 모서리 부분과 지지대 사이에 기판 접촉부(201b)의 두께에 해당하는 만큼 갭(gap)이 형성되어 기판이 반송될 때 기판의 모서리 부분과 지지대의 기판 접촉부(201b)에서 발생하는 박리 대전을 방지하는 특징이 있다.
도 4a 및 도 4b는 도 2의 기판 지지 장치(200)에 포함된 외측 지지대(201', 203')의 제2 실시예를 나타낸 사시도이다.
본 발명의 제2 실시예에 의한 외측 지지대의 A-A' 부분을 절단하여 나타낸 단면은 도 3c에서 설명한 것과 동일하므로, 생략하기로 하고, 기판 접촉부의 형상에 대해서만 설명하기로 한다.
도 4b는 외측 지지대 중 도 4a와 반대쪽에 형성된 지지대로 그 구조는 도 4a와 동일하고 형태 또한 도 4a와 거울상에 해당하므로, 도 4a를 중점적으로 설명하고 도 4b에 대한 개별적인 설명은 생략하기로 한다.
제2 실시예에 의한 기판 접촉부(201b')는 프레임부(201a') 최외각 꼭지점에서 반경 50-100mm를 제외하고, 프레임부(201a')에 적층되어 있는 구조이다. 비어있는 기판 접촉부(201b')의 형태는 도시된 바와 같이 원형일 수 있으며, 이에 한정되지 않고 프레임부(201a') 최외각 꼭지점에서 반경 50-100mm를 제외하는 범위에서 다각형으로 형성될 수도 있다.
본 발명의 제2실시예에 의한 지지대는 기판의 코너 부분과 지지대 사이에 기판 접촉부의 두께에 해당하는 만큼 갭(gap)이 형성되어 기판이 반송될 때 기판의 모서리 부분과 지지대의 기판 접촉부에서 발생하는 박리 대전을 방지하는 특징이 있다.
기판 접촉부가 프레임부(201a') 코너 꼭지점에서 100mm를 초과하여 떨어진 지점부터 형성되는 경우, 초박형 기판의 코너 부분이 휠 수 있어 기판의 수평상태가 유지되지 않아 이온 주입이 어려워 질 수 있는 문제가 있다. 또한 프레임부(201a') 코너 꼭지점에서 50mm미만으로 떨어진 지점부터 형성되는 경우, 기판의 코너 부분과 기판 접촉부가 접촉될 수 있어, 박리 대전을 방지하기 위한 본 발명의 목적을 달성할 수 없다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 지지대(204)를 포함한 지지 장치가 기판(300)을 이송하는 과정을 나타낸 개략도이다.
도 6a를 참고하면 프로세스 챔버에서 기판(300)에 이온 주입을 완료한 다음 로봇암은 지지대(204) 위에 탑재된 기판(300)을 프로세스 챔버에서 송출하기 위하여 지지대(204)의 하부로 로봇암 핸드(112a)를 뻗는다. 다음으로 도 4의 (b)에 의하면 상기 로봇암 핸드(112a)가 지지대(204)의 하부에서 상부로 기판(300)을 올림으로써 기판(300)을 반송하게 된다.
상기 (b) 과정에서 지지대(204)에 탑재된 기판(300)이 들려 올라갈 때, 지지대(204)와 기판(300)사이의 접촉과 분리과정에서 자유 전자가 방출 및 흡입되어 정전기가 발생한다. 이렇게 발생하는 박리 대전으로 인하여 기판의 모서리 부분이 휘면서 상하로 떨리는 현상이 발생하게 된다. 공정에서 사용하는 기판은 초박형이기 때문에 이렇게 발생한 상하의 떨림 및 휨으로 깨지거나 부러져 손상되는 문제가 있었다.
그러나 도 6b에 의하면, 본 발명에 의한 지지대(204)는 모서리 부분의 일부가 기판(300)과 접촉되지 않게 됨으로써, 밀착된 물체가 떨어질 때 전하의 분리로 일어나는 정전기가 지지대(204)와 기판(300) 사이에 발생되지 않는다. 따라서 기판(300)의 반송 과정에서 기판(300)이 손상되는 문제점을 해결하고 이에 따라 생산성을 향상하는 특징이 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
전술한 실시예 외의 많은 실시예들이 본 발명의 특허청구범위 내에 존재한다.
도 1은 본 발명에 의한 기판 지지 장치를 포함한 이온 주입 장치를 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지 장치를 개략적으로 나타낸 사시도.
도 3a 내지 도 3c는 도 2의 기판 지지 장치에 포함된 지지대의 제1실시예를 나타낸 사시도 및 단면도.
도 4a 내지 도 4b는 도 2의 기판 지지 장치에 포함된 지지대의 제2 실시예를 나타낸 사시도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 기판 지지 장치가 기판을 이송하는 과정을 나타낸 개략도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 이온 주입 장치 100 : 기판 공급부
110 : 로드락 부 120 : 프로세스 챔버부
130 : 이온소스부 101 : 카세트
102, 112 : 로봇 암 111 : 로드락 챔버
121 : 프로세스 챔버 131 : 이온 소스
200 : 지지 장치 204 : 지지대
205 : 이음부 300 : 기판

Claims (22)

  1. 이온 주입 장치에 포함된 기판 지지 장치에 있어서,
    프레임부 및 상기 프레임부에 적층되어 항정전성을 가지도록 배치된 기판 접촉부를 구비하며 기판의 외측을 지지하는 복수개의 외측 지지대; 및
    기판의 내측을 지지하는 내측 지지대; 를 포함하며,
    상기 외측 지지대의 상기 기판 접촉부는 코너 부분이 비어있도록 비연속적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 지판 지지 장치.
  2. 제1항에 있어서
    상기 외측 지지대에 올려진 기판은 상기 기판의 코너 부분이 상기 외측 지지대의 상기 기판 접촉부에 접촉하지 않는 것을 특징으로 하는 지판 지지 장치.
  3. 제2항에 있어서
    상기 기판의 코너 부분이 상기 프레임부와 0.1mm-1.2mm의 갭을 유지하는 기판 지지 장치.
  4. 제1항에 있어서
    상기 기판 접촉부는
    상기 프레임부 최외각 코너 꼭지점에서 50-100mm 떨어진 지점에서부터 시작되어 상기 프레임부의 외곽을 따라 형성된 제1부재; 및
    상기 제1부재와 수직한 방향으로 상기 프레임부 최외각 코너 꼭지점에서 50-100mm 떨어진 지점에서부터 시작되어 상기 프레임부의 외곽을 따라 형성된 제2부재;
    를 포함하는 기판 지지 장치.
  5. 제1항에 있어서
    상기 기판 접촉부는
    상기 프레임부 최외각 꼭지점에서 반경 50mm-100mm가 비어있어 상기 프레임부가 드러나도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  6. 제1항에 있어서
    상기 기판 접촉부는 항정전성을 가진 실리콘 러버인 것을 특징으로 하는 기판 지지 장치.
  7. 제1항에 있어서
    상기 프레임부는
    두랄미늄, 알루미늄 특수강 또는 알루미늄 합금 중 하나로 형성되는 제1층; 및
    알마이트, 인산철, 인산아연 또는 크롬화 물질 중 하나로 이루어지며, 상기 제1층 위에 코팅된 제2층;
    을 포함하는 기판 지지 장치.
  8. 이온 주입 장치의 기판 지지 장치에 포함된 지지대에 있어서,
    기판을 지지하여 이송하는 복층의 프레임부; 및
    상기 프레임부의 외곽을 따라 형성되며 항정전성을 가진 기판 접촉부;
    를 포함하며,
    상기 기판 접촉부는 외곽의 코너부분이 비어있도록 비연속적으로 형성된 것을 특징으로 하는 지지대.
  9. 제8항에 있어서
    상기 지지대에 올려진 기판은 상기 기판의 코너 부분이 상기 기판 접촉부에 접촉하지 않는 것을 특징으로 하는 지지대.
  10. 제9항에 있어서
    상기 기판의 코너 부분이 상기 프레임부와 0.1mm-1.2mm의 갭을 유지하는 지지대.
  11. 삭제
  12. 제8항에 있어서
    상기 기판 접촉부는
    상기 프레임부 최외각 코너 꼭지점에서 50mm-100mm 떨어진 지점에서부터 시작되어 상기 프레임부의 외곽을 따라 형성된 제1부재; 및
    상기 제1부재와 수직한 방향으로 상기 프레임부 최외각 코너 꼭지점에서 50mm-100mm 떨어진 지점에서부터 시작되어 상기 프레임부의 외곽을 따라 형성된 제2부재;
    를 포함하는 지지대.
  13. 제12항에 있어서
    상기 기판 접촉부는
    상기 제1부재와 상기 제2부재가 상기 프레임부 상에 Γ자 또는 ㄱ자 형태로 배치된 것을 특징으로 하는 지지대.
  14. 제8항에 있어서
    상기 기판 접촉부는
    상기 프레임부 최외각 꼭지점에서 반경 50mm-100mm가 비어있어 상기 프레임부가 드러나도록 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지대.
  15. 제8항에 있어서
    상기 기판 접촉부는 항정전성을 가진 실리콘 러버인 것을 특징으로 하는 지지대.
  16. 제8항에 있어서
    상기 프레임부는
    두랄미늄, 알루미늄 특수강 또는 알루미늄 합금 중 하나로 형성되는 제1층; 및
    알마이트, 인산철, 인산아연 또는 크롬화 물질 중 하나로 이루어지며, 상기 제1층 위에 코팅된 제2층;
    을 포함하는 지지대.
  17. 기판을 지지하여 이송하는 복층의 프레임부; 및
    상기 프레임부의 외곽을 따라 형성되며 항정전성을 가진 기판 접촉부;
    를 포함하는 지지대를 포함하며,
    상기 지지대의 상기 기판 접촉부는 외곽의 코너부분이 비어있도록 비연속적으로 형성된 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
  18. 제17항에 있어서
    상기 지지대에 올려진 기판의 코너 부분이 상기 지지대의 기판 접촉부에 접촉하지 않는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
  19. 제18항에 있어서
    상기 지지대의 프레임 부와 상기 기판의 코너 부분이 0.1mm-1.2mm의 갭을 유지하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
  20. 삭제
  21. 제17항에 있어서
    상기 지지대의 상기 기판 접촉부는
    상기 프레임부 최외각 코너 꼭지점에서 50mm-100mm 떨어진 지점에서부터 시작되어 상기 프레임부의 외곽을 따라 형성된 제1부재; 및
    상기 제1부재와 수직한 방향으로 상기 프레임부 최외각 코너 꼭지점에서 50mm-100mm 떨어진 지점에서부터 시작되어 상기 프레임부의 외곽을 따라 형성된 제2부재;
    를 포함하는 이온 주입 장치.
  22. 제17항에 있어서
    상기 지지대의 기판 접촉부는 상기 프레임부의 최외각 꼭지점에서 반경 50mm-100mm가 비어있어 상기 프레임부가 드러나도록 형성된 것을 특징으로 하는 이 온 주입 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5684664B2 (ja) * 2011-07-13 2015-03-18 本田技研工業株式会社 燃料電池スタック

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111490A (ja) 2002-09-13 2004-04-08 Dainippon Printing Co Ltd チャック台および電子デバイスの製造方法
JP2008078283A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Olympus Corp 基板支持装置
JP2009099648A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Kyocera Chemical Corp 搬送用治具

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11188681A (ja) * 1997-12-24 1999-07-13 Canon Inc 基板搬送用ハンド及びその吸着機構
JP4301181B2 (ja) * 2005-02-22 2009-07-22 日新イオン機器株式会社 基板保持装置
JP2006253029A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Toshiba Corp イオン注入装置及びイオン注入方法
JP5300363B2 (ja) * 2007-07-30 2013-09-25 京セラ株式会社 保持用治具およびそれを用いた搬送装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004111490A (ja) 2002-09-13 2004-04-08 Dainippon Printing Co Ltd チャック台および電子デバイスの製造方法
JP2008078283A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Olympus Corp 基板支持装置
JP2009099648A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Kyocera Chemical Corp 搬送用治具

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