KR101073286B1 - 전력용 반도체 모듈 - Google Patents

전력용 반도체 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR101073286B1
KR101073286B1 KR1020080122080A KR20080122080A KR101073286B1 KR 101073286 B1 KR101073286 B1 KR 101073286B1 KR 1020080122080 A KR1020080122080 A KR 1020080122080A KR 20080122080 A KR20080122080 A KR 20080122080A KR 101073286 B1 KR101073286 B1 KR 101073286B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
terminal
power
power semiconductor
integrated
Prior art date
Application number
KR1020080122080A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100063524A (ko
Inventor
이병호
Original Assignee
엘에스산전 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘에스산전 주식회사 filed Critical 엘에스산전 주식회사
Priority to KR1020080122080A priority Critical patent/KR101073286B1/ko
Priority to US12/611,072 priority patent/US8223506B2/en
Priority to CN2009102096898A priority patent/CN101752333B/zh
Priority to JP2009256853A priority patent/JP5133965B2/ja
Priority to EP09175637A priority patent/EP2194577A1/en
Priority to TW098140338A priority patent/TW201023720A/zh
Publication of KR20100063524A publication Critical patent/KR20100063524A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101073286B1 publication Critical patent/KR101073286B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

본 발명의 전력용 반도체 모듈은, 전력용 반도체 소자가 마운팅되고 패턴이 형성되는 기판; 상기 기판에 전원을 인가하는 전원 단자 및 상기 기판에 신호를 입출력하는 신호 단자가 절연 수지 재질로 된 몸체부와 일체형으로 조립된 일체형 단자 유니트; 를 포함하며, 상기 일체형 단자 유니트를 상기 기판에 마운팅함으로써 상기 전원 단자 및 상기 신호 단자를 상기 기판에 동시에 연결하는 것을 특징으로 한다.

Description

전력용 반도체 모듈{POWER SEMICONDUCTOR MODULE}
본 발명은 전원을 공급하는 전원 단자 및 신호를 입출력하는 신호 단자를 일체화된 부품으로서 기판에 마운팅할 수 있는 전력용 반도체 모듈에 관한 것이다.
전력용 반도체 모듈은 인버터, 컨버터, 무정전전원장치 등에 사용되고, 모터컨트롤용, 스위칭용, 파워 써플라이용 등으로 응용되는 전력용 모듈을 말한다.
일반적으로 IGBT, 파워모스펫, 또는 바이폴라 트랜지스터 등으로 이루어진 전력용 반도체 모듈을 제작하는 데 있어서 각 재료의 접합 공정을 살펴 보면, 트랜지스터 소자와 다이오드 소자를 DBC(direct bonded copper) 기판에 접합하고 와이어로 연결하며, 외부로 연결되는 전원 단자 및 신호 단자를 상기 기판에 접합하게 된다.
여기서, 종래의 전원 단자 및 신호 단자는 일반적으로 별개의 부품으로 구성되는 한편, 이들 전원 단자 및 신호 단자는 DBC에 별도의 와이어로 연결되는 와이어 커넥팅 구조를 취하고 있다. 이러한 와이어 커넥팅 구조는 DBC의 구조를 복잡하게 하고, 조립 공수를 증가시키기 때문에 생산 수율이 떨어지며, 잠재적인 불량 발 생 요인이 되고 있는 실정이다.
본 발명은 전원 단자와 신호 단자를 개별 부품으로서 조립하는 구조가 아니라 일체형 단자 유니트로 제공하며, 일체형 단자 유니트를 DBC 기판에 한번에 마운팅함으로써 전원 단자와 신호 단자를 조립할 수 있어 조립 공수와 생산성이 대폭 향상된 전력용 반도체 모듈을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 전력용 반도체 모듈은, 전력용 반도체 소자가 마운팅되고 패턴이 형성되는 기판; 상기 기판에 전원을 인가하는 전원 단자 및 상기 기판에 신호를 입출력하는 신호 단자가 절연 수지 재질로 된 몸체부와 일체형으로 조립된 일체형 단자 유니트; 를 포함하며, 상기 일체형 단자 유니트를 상기 기판에 마운팅함으로써 상기 전원 단자 및 상기 신호 단자를 상기 기판에 동시에 연결하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예로서, 상기 전원 단자 및 상기 신호 단자는 상기 몸체부와 함께 동일한 사출 금형에서 인서트 사출된다.
일 실시예로서, 상기 신호 단자는 상기 몸체부와 함께 동일한 사출 금형에서 인서트 사출되고 상기 전원 단자는 상기 몸체부에 형성된 압입부에 압입됨으로써 상기 일체형 단자 유니트가 형성된다.
일 실시예로서, 상기 기판은 DBC(Direct Bonded Copper)기판이다.
일 실시예로서, 상기 전원 단자는, 상기 기판에 연결되는 안착부와, 상기 몸체부에 대한 위치를 제한하는 제한부와, 외부와의 전기적 연결을 위한 단자 연결부와, 상기 단자 연결부를 절곡시키는 절곡부를 구비한다.
본 발명의 전력용 반도체 모듈에 따르면, 전원 단자 및 신호 단자 중 적어도 하나를 절연 수지 재질로 된 몸체부와 동일한 사출 금형에서 일체로 성형함으로써 전력용 반도체 모듈의 구조가 단순해지고, 제조 공정에 들어가는 작업 공수가 줄어들어 조립 작업이 개선되며, 조립 불량률을 현저하게 줄일 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 한다.
도 1은 본 발명의 전력용 반도체 모듈의 구조를 도시한 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일체형 단자 유니트의 외관을 도시한 사시도이다. 도 3은 도 2의 조립 사시도이다. 도 1 내지 도 3을 함께 참조하며, 본 발명의 전력용 반도체 모듈의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.
본 발명의 전력용 반도체 모듈은 기판(100)과 여기에 연결되는 일체형 단자 유니트(300)를 포함한다. 기판(100)은 전력용 반도체 소자(150)가 마운팅되고 패턴이 형성되는 것으로 DBC(Direct Bonded Copper)기판인 것이 바람직하다.
전력용 반도체 소자(150)의 예로는, 교류용 소자로는 싸리스터(SCR, TRIAC)등이 있고 직류용 소자로는 파워용으로 쓰이는 CMOS FET, IGBT 등이 있다. DBC(Direct Bonded Copper)기판은 고압용으로 사용되는 직접 구리 부착 방식 기판으로서, 베이스 플레이트가 없이 구리로 된 방열판에 전력 반도체 소자가 직접 부착되는 기판을 예로 들 수 있다. 전기 에너지로의 전환과 변환을 위하여 전기 산업에서 전력용 반도체 모듈은 매우 중요한 위치를 차지하고 있다. 새로운 전력용 반도체 모듈의 신흥시장은 높은 냉각 성능과 높은 전류 밀도 그리고 높은 신뢰성이 요구되는 대체 에너지 산업과 하이브리드 자동차 산업이다.
한편, 일체형 단자 유니트(300)는 전원 단자(210,220,230) 및 신호 단자(311,311',312,312',313,313',314,314')가 몸체부(390)와 일체형으로 조립된 것이다. 전원 단자(210,220,230)는 기판(100) 및 여기에 마운팅된 전력용 반도체 소자(150)에 전원을 인가하는 단자이며, 신호 단자(311,311',312,312',313,313', 314,314')는 기판(100)에 조립된 부품 및 패턴에 제어 신호를 입출력하는 단자이 고, 몸체부(390)는 절연 수지 재질로 이루어져 일체형 단자 유니트(300)의 골격을 이루는 것이다.
종래와 달리 본 발명에서는 전원 단자(210,220,230) 및 신호 단자(311,311',312,312',313,313',314,314')를 별개의 마운팅 작업으로 기판(100)에 올리는 것이 아니라, 일체형 단자 유니트(300)를 기판(100)에 마운팅하는 단일 작업에 의하여 전원 단자(210,220,230) 및 신호 단자(311,311',312,312',313,313', 314,314')를 기판(100)에 연결함으로써, 작업 공수와 생산성을 향상시킬 수 있고 잠재적 불량 요인을 제거할 수 있다.
일체형 단자 유니트(300)의 일 실시예로서, 전원 단자(210,220,230) 및 신호 단자(311,311',312,312',313,313',314,314')를 몸체부(390)의 사출 금형에 동시에 장착하여 한 번에 인서트 사출함으로써 성형할 수 있다.
이러한 실시예는 도 2에 잘 도시된다. 몸체부(390)는 여러 개의 신호 단자(311,311',312,312',313,313',314,314')들 사이, 전원 단자(210,220,230)와 신호 단자(311,311',312,312',313,313',314,314') 사이에 절연층으로 개재되는 부분으로서 절연 수지 재질인 것이 바람직하다.
전원 단자(210,220,230)는 3상 전원(R상, S상, T상 또는 U상, V상, W상)이 인가되는 경우 제1전원 단자(210), 제2전원 단자(220) 및 제3전원 단자(230)로 이루어진다. 일체형 단자 유니트(300)에는 이들 중 적어도 하나의 전원 단자가 일체화될 수 있다. 도시된 예에 의하면 제3전원 단자(230)가 일체형 단자 유니트(300)에 일체화되고 있다.
한편, 신호 단자(311,311',312,312',313,313',314,314')만을 몸체부(390)와 인서트 사출하고 전원 단자(230)는 몸체부(390)에 형성된 압입부(392)에 압입함으로써 일체형 단자 유니트(300)를 성형할 수 있다. 이러한 실시예는 도 3의 조립 사시도를 통하여 잘 이해할 수 있다.
여러 개의 신호 단자(311,311',312,312',313,313',314,314')와 몸체부(390)를 인서트 사출에 의하여 단일한 사출 금형에서 동시에 성형한 다음, 몸체부(390)에 형성된 압입부(392)에 전원 단자(230)의 일부를 압입함으로써 일체형 단자 유니트(300)를 형성한다.
일 실시예로서, 전원 단자(210,220,230)는 기판(100)에 마운팅되는 안착부(212,222,232)와, 몸체부(390)에 대한 조립 위치를 제한하는 제한부(234)와, 외부와 볼트 체결 등의 방법으로 전원이 연결되는 단자 연결부(238)와, 단자 연결부(238)를 제한부(234)에 대하여 소정 각도로 절곡시킴으로써 전원 연결을 위한 볼트 체결이 용이하도록 하는 절곡부(236)를 구비한다.
따라서, 전원 단자(210,220,230)는 일체형 단자 유니트(300)에 조립된 후에 몸체부(390)로부터 이탈이 방지되고, 기판(100)에 대하여 정확한 마운팅 높이 및 마운팅 위치를 유지할 수 있으며, 외부와 전원 연결시 접촉 불량을 억제할 수 있다.
일체형 단자 유니트(300)는 종래와 달리 와이어 등의 연결 방법에 의하지 아니하고 전원 단자(210,220,230) 및 신호 단자(311,311',312,312',313,313', 314,314')를 기판(100)에 직접 동시에 연결하므로, 기판(100) 및 여기에 마운팅된 전력 반도체 소자에서 높은 열이 발생하더라도 열적 변형에 의한 접촉 불량을 억제할 수 있고, 생산성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있으며 잠재적인 불량 요인을 미연에 제거할 수 있다.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 전력용 반도체 모듈의 구조를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일체형 단자 유니트의 외관을 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2의 조립 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100...기판 150...전력용 반도체 소자
210...제1전원 단자 212,222,232...안착부
220...제2전원 단자 230...제3전원 단자
234...제한부 236...절곡부
238...단자 연결부 300...일체형 단자 유니트
311,311',312,312',313,313',314,314'...신호 단자
390...몸체부 392...압입부

Claims (5)

  1. 전력용 반도체 소자가 마운팅되고 패턴이 형성되는 기판;
    상기 기판에 전원을 인가하는 전원 단자 및 상기 기판에 신호를 입출력하는 신호 단자가 절연 수지 재질로 된 몸체부와 일체형으로 조립된 일체형 단자 유니트; 를 포함하며,
    상기 일체형 단자 유니트를 상기 기판에 마운팅함으로써 상기 전원 단자 및 상기 신호 단자를 상기 기판에 동시에 연결하고,
    상기 전원 단자 및 상기 신호 단자는 상기 몸체부와 함께 동일한 사출 금형에서 인서트 사출되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 모듈.
  2. 삭제
  3. 전력용 반도체 소자가 마운팅되고 패턴이 형성되는 기판;
    상기 기판에 전원을 인가하는 전원 단자 및 상기 기판에 신호를 입출력하는 신호 단자가 절연 수지 재질로 된 몸체부와 일체형으로 조립된 일체형 단자 유니트; 를 포함하며,
    상기 일체형 단자 유니트를 상기 기판에 마운팅함으로써 상기 전원 단자 및 상기 신호 단자를 상기 기판에 동시에 연결하고,
    상기 신호 단자는 상기 몸체부와 함께 동일한 사출 금형에서 인서트 사출되고 상기 전원 단자는 상기 몸체부에 형성된 압입부에 압입됨으로써 상기 일체형 단자 유니트가 형성되는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 DBC(Direct Bonded Copper)기판인 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 모듈.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전원 단자는,
    상기 기판에 연결되는 안착부와, 상기 몸체부에 대한 위치를 제한하는 제한부와, 외부와의 전기적 연결을 위한 단자 연결부와, 상기 단자 연결부를 절곡시키는 절곡부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체 모듈.
KR1020080122080A 2008-12-03 2008-12-03 전력용 반도체 모듈 KR101073286B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080122080A KR101073286B1 (ko) 2008-12-03 2008-12-03 전력용 반도체 모듈
US12/611,072 US8223506B2 (en) 2008-12-03 2009-11-02 Power semiconductor module
CN2009102096898A CN101752333B (zh) 2008-12-03 2009-11-06 电力半导体模块
JP2009256853A JP5133965B2 (ja) 2008-12-03 2009-11-10 電力用半導体モジュール
EP09175637A EP2194577A1 (en) 2008-12-03 2009-11-11 Power semiconductor module
TW098140338A TW201023720A (en) 2008-12-03 2009-11-26 Power semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080122080A KR101073286B1 (ko) 2008-12-03 2008-12-03 전력용 반도체 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100063524A KR20100063524A (ko) 2010-06-11
KR101073286B1 true KR101073286B1 (ko) 2011-10-12

Family

ID=42040536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080122080A KR101073286B1 (ko) 2008-12-03 2008-12-03 전력용 반도체 모듈

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8223506B2 (ko)
EP (1) EP2194577A1 (ko)
JP (1) JP5133965B2 (ko)
KR (1) KR101073286B1 (ko)
CN (1) CN101752333B (ko)
TW (1) TW201023720A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150046962A (ko) * 2013-10-23 2015-05-04 삼성전기주식회사 전력 모듈 패키지

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9036355B2 (en) * 2012-03-29 2015-05-19 Hamilton Sundstrand Corporation Printed wiring board (PWB) for high amperage circuits
KR102034717B1 (ko) * 2013-02-07 2019-10-21 삼성전자주식회사 파워모듈용 기판, 파워모듈용 터미널 및 이들을 포함하는 파워모듈
US11398447B2 (en) 2017-12-13 2022-07-26 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method for producing semiconductor device
US10759658B2 (en) * 2018-12-10 2020-09-01 Texas Instruments Incorporated Hermetic vertical shear weld wafer bonding
CN112366196A (zh) * 2020-10-29 2021-02-12 珠海格力电器股份有限公司 引脚结构及智能功率模块

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303375A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Nissan Motor Co Ltd 電力変換装置及びその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH087956A (ja) 1994-06-23 1996-01-12 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の端子組立構造
JP3452678B2 (ja) * 1995-03-03 2003-09-29 三菱電機株式会社 配線構成体の製造方法
JPH11177017A (ja) 1997-12-16 1999-07-02 Nippon Inter Electronics Corp 複合半導体装置
DE10101086B4 (de) * 2000-01-12 2007-11-08 International Rectifier Corp., El Segundo Leistungs-Moduleinheit
US7012810B2 (en) * 2000-09-20 2006-03-14 Ballard Power Systems Corporation Leadframe-based module DC bus design to reduce module inductance
EP1316999A1 (de) 2001-11-28 2003-06-04 Continental ISAD Electronic Systems GmbH & Co. oHG Verfahren und Vorichtung zum Kontaktieren von Leistungselektronik-Bauelementen
DE10345768B4 (de) 2003-10-01 2006-07-27 Siemens Ag Anschlussmittel und Verfahren zum Kontaktieren des Anschlussmittels
JP4453498B2 (ja) * 2004-09-22 2010-04-21 富士電機システムズ株式会社 パワー半導体モジュールおよびその製造方法
DE102006006424B4 (de) 2006-02-13 2011-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren
JP4353951B2 (ja) * 2006-03-06 2009-10-28 三菱電機株式会社 電動式パワーステアリング装置
US7804131B2 (en) * 2006-04-28 2010-09-28 International Rectifier Corporation Multi-chip module
JP5098440B2 (ja) 2007-05-25 2012-12-12 三菱電機株式会社 電力半導体装置の製造方法
US7911792B2 (en) * 2008-03-11 2011-03-22 Ford Global Technologies Llc Direct dipping cooled power module and packaging

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303375A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Nissan Motor Co Ltd 電力変換装置及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150046962A (ko) * 2013-10-23 2015-05-04 삼성전기주식회사 전력 모듈 패키지
KR101942722B1 (ko) 2013-10-23 2019-01-28 삼성전기 주식회사 전력 모듈 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
CN101752333A (zh) 2010-06-23
US20100134994A1 (en) 2010-06-03
US8223506B2 (en) 2012-07-17
TW201023720A (en) 2010-06-16
CN101752333B (zh) 2012-01-25
JP2010135783A (ja) 2010-06-17
JP5133965B2 (ja) 2013-01-30
KR20100063524A (ko) 2010-06-11
EP2194577A1 (en) 2010-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9390996B2 (en) Double-sided cooling power module and method for manufacturing the same
JP6764807B2 (ja) 半導体モジュール
US8115294B2 (en) Multichip module with improved system carrier
EP2816598B1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing same
JP5643752B2 (ja) 半導体装置
KR101073286B1 (ko) 전력용 반도체 모듈
JP4829690B2 (ja) 半導体装置
US20030107120A1 (en) Intelligent motor drive module with injection molded package
US8350376B2 (en) Bondwireless power module with three-dimensional current routing
JP6816825B2 (ja) 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法
JP2009213268A (ja) 電力変換装置
US9001518B2 (en) Power module with press-fit clamps
JP4640425B2 (ja) 電力変換装置
US10790218B2 (en) Semiconductor device and electric power conversion apparatus
JP2012089794A (ja) 半導体装置
JP5092892B2 (ja) 半導体装置
JP5407674B2 (ja) 半導体装置
JP3798184B2 (ja) パワー半導体モジュール
JP5062029B2 (ja) 半導体装置
JP2015195334A (ja) 半導体モジュール
JP4640424B2 (ja) 電力変換装置
US20230215787A1 (en) Semiconductor device
KR20240101579A (ko) 콤팩트 파워 모듈
JP2013038310A (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141001

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151002

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee