KR101064681B1 - 전치왜곡 선형화 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기, 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제1 저항, 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 신호의 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항, 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항, 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기를 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치에 관한 것으로, 가변 또는 고정 감쇄기를 간단한 회로 구성으로 대신하여 전치왜곡 신호를 간편하게 최적화할 수 있어 집적도를 높여야 하는 비선형 증폭기에 적합한 효과가 있다.
전치, 왜곡, 선형화기, 감쇄기, 직렬

Description

전치왜곡 선형화 장치{Predistortion linearizer}
본 발명은 전치왜곡 선형화 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 가변 또는 고정 감쇄기를 간단한 회로 구성으로 대신하여 전치왜곡 신호를 간편하게 최적화할 수 있어 집적도를 높여야 하는 비선형 증폭기에 적합한 전치왜곡 선형화 장치에 관한 것이다.
비선형적 증폭기의 선형성을 개선하기 위해 전치 왜곡 선형화기를 사용한다. 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같게, 위상은 반대가 되게 하는 신호를 전치 왜곡기에서 발생시켜 비선형 증폭기에서 발생하는 왜곡신호를 상쇄시켜 선형성을 개선한다.
도 1은 일반적인 전치왜곡 선형화 장치를 도시한 것으로, 전치 왜곡 선형화기에 의해서 발생되는 왜곡신호가 전력 증폭기의 비선형 신호와 크기를 같게 해주기 위해서 전치왜곡 선형화기 앞 단과 뒷 단에 감쇄기를 구성한다.
즉, 비선형 회로의 왜곡 성분을 제거하기 위하여 사용하는 전치 왜곡 선형화기에서 전치왜곡 선형화기의 왜곡성분 발생을 조절하기 위하여 증폭기와 전치왜곡 선형화기 사이에 가변 또는 고정 감쇄기를 사용한다.
하지만, 전치 왜곡기에서 왜곡신호의 크기를 조절하기 위해선 감쇄기를 따로 구성하여 크기를 조절함으로 인해 회로 구성이 복잡하고 커진다. 아울러, 전치왜곡기와 감쇄기가 서로 비 독립적으로 동작하므로 선형성을 최적화하는데 어려움이 발생된다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 개발된 것으로, 가변 또는 고정 감쇄기를 간단한 회로 구성으로 대신하여 전치왜곡 신호를 간편하게 최적화할 수 있도록 하는 전치왜곡 선형화 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전치왜곡 선형화 장치는
비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기, 상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제1 저항, 상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 신호의 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항, 상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항, 상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 전치왜곡 선형화 장치는
비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기, 상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제2 커패시터, 상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 신호 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항, 상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항, 상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제2 커패시터와 직렬로 연결된 제1 인덕터를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제1 인덕터와 직렬로 연결된 제5 저항을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 제2 저항 또는 제3 저항에 병렬로 연결된 제2 인덕터를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 제2 저항 또는 제3 저항에 병렬로 연결된 제3 커패시터를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제2 인덕터에 병렬로 연결된 제4 커패시터를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 직렬전치왜곡 선형화기는 바이어스 전압 입력단에 연결된 제4 저항, 제4 저항과 신호 입력단 사이에 설치된 제1 커패시터, 제1 커패시터의 일단과 제4 저항의 일단에 연결된 제1 다이오드를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 제1 다이오드에 병렬로 연결되고 상호 간에는 직렬로 연결된 제3 인덕터와 제5 커패시터를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 직렬전치왜곡 선형화기는 바이어스 전압 입력단에 연결된 제4 인덕터, 제4 인덕터와 신호 입력단 사이에 설치된 제6 커패시터, 제6 커패시터의 일단과 제4 인덕터의 일단에 연결된 제2 다이오드를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 제4 인덕터에 병렬로 연결된 제5 저항을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명은 종래 기술과 달리 왜곡신호의 크기를 조정하기 위해 사용된 감쇄기를 간단한 회로구성으로 대신함으로, 회로의 집적도를 높여서 크기에 제약을 받는 비선형 전력증폭기를 좀 더 작고 간편하게 구현이 가능하다. 또한 증폭기의 특성에 대하여 최적의 성능을 가질 수 있도록 쉽게 조정이 가능한 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전치왜곡 선형화 장치를 도시한 것으로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전치왜곡 선형화 장치는 직렬전치왜곡 선형화기(201), 제1 저항(202), 제2 저항(203), 제3 저항(204), 전력증폭기(205)를 포함하여 이루어진 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전치왜곡 선형화 장치는 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기(201), 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제1 저항(202), 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 입력단과 신호의 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항(203), 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항(204), 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기(205)를 포함하여 이루어진 것이다.
직렬전치왜곡 선형화기(201)는 입력단이 제1 저항(202)과 제2 저항(203)의 일단에 연결되고, 출력단이 제1 저항(202)의 타단과 제3저항(204)의 일단에 연결되어 비선형 증폭기인 전력증폭기(205)의 선형성 개선을 위하여 사용되는 것으로, 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시킨다.
제1 저항(202)은 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 입력단과 출력단 사이에 연결된 것으로, 제2 저항(203), 제3 저항(204)과 더불어 왜곡신호의 크기를 조절하는 감쇄기 역할을 수행하여, 입력되는 신호의 레벨 또는 출력되는 비 선형 성분의 크기를 자유롭게 조정할 수 있도록 한다.
제2 저항(203)은 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 입력단과 신호 입력단 및 접지 사이에 설치된 것으로, 제1 저항(202), 제3 저항(204)과 더불어 왜곡신호의 크기를 조절하는 감쇄기 역할을 수행하여, 입력되는 신호의 레벨 또는 출력되는 비 선형 성분의 크기를 자유롭게 조정할 수 있도록 한다.
제3 저항(204)은 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 출력단과 접지 사이에 설치된 것으로, 제1 저항(202), 제2 저항(203)과 더불어 왜곡신호의 크기를 조절하는 감쇄기 역할을 수행하여, 입력되는 신호의 레벨 또는 출력되는 비 선형 성분의 크기를 자유롭게 조정할 수 있도록 한다.
전력증폭기(205)는 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 것으로, 비 선형 성분 즉, 크기가 전력증폭기의 비 선형 성분과 같으며, 위상은 반대가 되는 성분을 입력받아 선형성을 개선하도록 한 것이다.
이러한 본 발명에 따른 전치왜곡 선형화 장치는 선형성 개선을 위하여 사용되는 일반적인 직렬전치왜곡 선형화기(201)에서, 이 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제1 저항(202), 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 입력단과 접지 사이의 제2 저항(203), 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 출력단과 접지 사이의 제3 저항(204)의 값을 조정하여 직렬전치왜곡 선형화기(201)로 유입되는 입력신호의 크기의 레벨과 직렬전치왜곡 선형화기(201)에서 출력되는 왜곡신호의 크기의 레벨을 조정하여 전력 증폭기(205)에서 발생하는 비선형신호와 크기를 같게 조정한다.
이를 통하여, 직렬전치왜곡 선형화기(201)로부터 원하는 크기와 위상을 갖는 비 선형성분을 만들어 낼 수 있으며, 이렇게 발생된 비 선형 성분이 포함된 신호를 전력증폭기(205)에 인가하여 전력 증폭기(205)의 선형성을 개선하는 효과를 얻게 된다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기(201)를 예로 들 어 도시한 것으로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기는 바이어스 전압 입력단에 연결된 제4 저항(301), 제4 저항(301)과 신호 입력단 사이에 설치된 제1 커패시터(302), 제1 커패시터(302)의 일단과 제4 저항(301)의 일단에 연결된 제1 다이오드(303)를 포함하여 이루어진 것이다.
이러한 본 발명의 제1 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기(201)는 제1 다이오드(303)에 포워드로 걸어주는 전압Vd1이 제4 저항(301)에 의해서 조정되어 제1 다이오드(303)를 포화영역으로 동작시켜 왜곡 신호를 발생시킨다.
그리고, 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제1 저항(R1), 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 입력단과 접지 사이의 제2 저항(R2), 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 출력단과 접지 사이의 제3 저항(R3)의 값을 조정하여 직렬전치왜곡 선형화기(201)로 유입되는 입력신호의 크기의 레벨과 직렬전치왜곡 선형화기(201)에서 출력되는 왜곡신호의 크기의 레벨을 조정하여 전력증폭기에서 발생하는 비선형신호와 크기를 같게 조정한다.
각 기호에 따라 상세 동작을 설명하면 우선 제1 다이오드(303)에 포워드로 인가해주는 전압 Vd1은 제1 다이오드(303)를 포화되어 동작하게 하는 전압을 걸어주며 인가하는 전압에 따라서 비선형 신호의 위상을 조정한다. 제4 저항(301)은 제1 다이오드(303)에 포워드로 인가해주는 전압 Vd1의 레벨을 조정하여 제4 저항(301)에 흐르는 전류와 제4 저항(301)의 저항 값이 곱해져 전압강하 된 전압 값이 제1 다이오드(303)에 인가된다.
제1 다이오드(303)는 인가하는 전압 Vd1에 따라서 비선형 신호의 위상을 조 정하며, 이는 전압 Vd1에 따라서 그 값이 변하는 캐패시터로도 해석할 수 있다.
제1 커패시터(302)는 Vd1의 직류성분(DC)을 차단하고 또한 제1 다이오드(303)의 왜곡 신호의 위상을 변하게 하는 커패시터의 값의 레벨을 결정해 준다. 예를 들어, 제1 다이오드(303)의 인가해주는 전압 Vd1에 의해서 변할 수 있는 커패시터 값이 1 ~ 10pf일 경우 제1 커패시터(302)가 10pF이라면 전체 변할 수 있는 커패시터의 레벨은 11 ~ 20pF이 된다.
도 4a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 감쇄기를 도시한 것으로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 감쇄기는 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 입력단과 출력단 사이에 위치한 제1 저항(R1) 대신에 제2 커패시터(401)가 구성된 구조이다.
제1 저항(R1) 대신에 제2 커패시터(401)를 연결하면, 제1 다이오드(D1)에서 발생되는 비선형 왜곡신호가 제2 커패시터(401)로 이루어진 폐루프를 통과하고, 제2 커패시터(401) 값에 따라 특정주파수의 발생되는 비선형 왜곡신호의 크기의 레벨을 조정하며 아울러 특정 왜곡 신호의 변화시킬 수 있는 위상의 범위를 넓어지게 한다.
도 4b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 감쇄기를 도시한 것으로, 본 발명의 제2 실시예에 따른 감쇄기는 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 입력단과 출력단 사이에 위치한 제1 저항(R1) 대신에 직렬로 제2 커패시터(401)와 제1인덕터(402)가 구성된 구조이다.
제1 저항(R1) 대신에 직렬로 제2 커패시터(401)와 제1 인덕터(402)를 연결하면, 제1 다이오드(D1)에서 발생되는 비선형 왜곡신호가 제2 커패시터(401)와 제1 인덕터(402)로 이루어진 폐루프를 통과하고, 제2 커패시터(401)와 제1 인덕터(402)는 해당 값에 따라 특정주파수의 발생되는 비선형 왜곡신호의 크기의 레벨을 조정하며, 아울러 특정 왜곡 신호의 변화시킬 수 있는 위상의 범위를 넓어지게 한다.
도 4c는 본 발명의 제3 실시예에 따른 감쇄기를 도시한 것으로, 본 발명의 제3 실시예에 따른 감쇄기는 직렬전치왜곡 선형화기(201)의 입력단과 출력단 사이에 위치한 제1 저항(R1) 대신에 직렬로 제2 커패시터(401)와 제1인덕터(402), 제5 저항(403)이 구성된 구조이다.
제1 저항(R1) 대신에 직렬로 제2 커패시터(401)와 제1 인덕터(402), 제5 저항(403)을 연결하면 제1 다이오드(D1)에서 발생되는 비선형 왜곡신호가 제2 커패시터(401)와 제1 인덕터(402), 제5 저항(403)으로 이루어진 폐루프를 통과하고, 제5 저항(403)은 값에 따라 비선형 왜곡신호의 크기 레벨을 제2 커패시터(401)와 제1 인덕터(402)는 값에 따라 특정주파수의 발생되는 비선형 왜곡신호의 크기의 레벨을 조정하며, 아울러 특정 왜곡 신호의 변화시킬 수 있는 위상을 범위를 넓어지게 한다.
도 5a, 5b, 5c는 본 발명의 제4, 5, 6 실시예에 따른 감쇄기를 각기 도시한 것으로, 감쇄기를 구성하는 부분이 저항, 인덕터, 커패시터의 조합으로 이루어진 다양한 구조를 예로 들어 도시한 것이다.
좀 더 구체적으로, 도 5a에 도시된 본 발명의 제4 실시예에 따른 감쇄기는 제2 저항(R2) 또는 제3 저항(R3)에 병렬로 제2 인덕터(501)가 연결된 구조이다.
그리고, 본 발명의 제5 실시예에 따른 감쇄기는 제2 저항(R2) 또는 제3 저 항(R3)에 병렬로 제3 커패시터(502)가 연결된 구조이고(도 5b), 본 발명의 제6 실시예에 따른 감쇄기는 제2 저항(R2) 또는 제3 저항(R3)에 병렬로 제2 인덕터(501)와 제4 커패시터(503)가 연결된 구조이다.
이러한 본 발명의 제4, 5, 6실시예에 따른 감쇄기는 제2 저항(R2)과 제3 저항(R3)의 분배된 저항 값에 의하여 직렬전치왜곡 선형화기(201)로 유입되는 입력신호의 크기의 레벨과 직렬전치왜곡 선형화기(201)에서 출력되는 왜곡신호의 크기의 레벨을 조정하여 전력 증폭기에서 발생하는 비선형신호와 크기를 같게 한다.
아울러, 제2 저항(R2) 또는 제3 저항(R3)과 제2 인덕터(501), 제3 커패시터(502), 제4 커패시터(503)의 해당 조합으로 구성하여 접지 쪽으로 빠질 수 있는 RF신호를 막아 주는 역할을 한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기를 도시한 것이다.
도 6에 도시된 본 발명의 제2 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기는 바이어스 전압 입력단에 연결된 제4 저항(R4), 제4 저항(R4)과 신호 입력단 사이에 설치된 제1 커패시터(C1), 제1 커패시터(C1)의 일단과 제4 저항(R4)의 일단에 연결된 제1 다이오드(D1), 제1 다이오드(D1)에 병렬로 연결되고 상호 간에는 직렬로 연결된 제3 인덕터(601)와 제5 커패시터(602)를 포함하여 이루어진 것이다.
이러한 본 발명의 제2 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기는 제1 다이오드(D1)에서 발생되는 비선형 왜곡신호가 제3 인덕터(601), 제5 커패시터(602)로 이루어진 폐루프를 통과하고, 제3 인덕터(601), 제5 커패시터(602)의 해당 값에 따라 특정주파수의 발생되는 비선형 왜곡신호의 크기의 레벨을 조정하며, 아울러 특정 왜곡 신호의 변화시킬 수 있는 위상의 범위를 넓어지게 한다.
도 7a, 7b는 본 발명의 제3, 4 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기를 각기 도시한 것으로, 다이오드의 바이어스 인가회로를 저항이나 인덕터 또는 그것 들의 조합으로 구성한 구조이다.
좀 더 구체적으로, 도 7a에 도시된 본 발명의 제3 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기는 바이어스 전압 입력단에 연결된 제4 인덕터(701), 제4 인덕터(701)와 신호 입력단 사이에 설치된 제6 커패시터(702), 제6 커패시터(702)의 일단과 제4 인덕터(701)의 일단에 연결된 제2 다이오드(703)를 포함하여 이루어진 구조이다.
도 7b에 도시된 본 발명의 제4 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기는 바이어스 전압 입력단에 연결된 제5 저항(704), 제5 저항(704)과 신호 입력단 사이에 설치된 제6 커패시터(702), 제6 커패시터(702)의 일단과 제5 저항(704)의 일단에 연결된 제2 다이오드(703), 제5 저항(704)에 병렬로 연결된 제4 인덕터(701)를 포함하여 이루어진 구조이다.
제4 저항(R4)을 제4 인덕터(701)로 대체하여 사용할 경우 Vd1 바이어스단에서 RF 신호를 막아주는 RF쵸크로 그 역할을 수행하며, 아울러 제5 저항(704)과 제4 인덕터(701)는 조합하여 그 사용이 가능하다.
도 1은 종래의 전치왜곡 선형화 장치를 도시한 도면
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전치왜곡 선형화 장치를 도시한 도면
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기를 도시한 도면
도 4a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 감쇄기를 도시한 도면
도 4b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 감쇄기를 도시한 도면
도 4c는 본 발명의 제3 실시예에 따른 감쇄기를 도시한 도면
도 5a는 본 발명의 제4 실시예에 따른 감쇄기를 도시한 도면
도 5b는 본 발명의 제5 실시예에 따른 감쇄기를 도시한 도면
도 5c는 본 발명의 제6 실시예에 따른 감쇄기를 도시한 도면
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기를 도시한 도면
도 7a는 본 발명의 제3 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기를 도시한 도면
도 7b는 본 발명의 제4 실시예에 따른 직렬전치왜곡 선형화기를 도시한 도면
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
201 : 직렬전치왜곡 선형화기 202 : 제1 저항
203 : 제2 저항 204 : 제3 저항
301 : 제4 저항 302 : 제1 커패시터
303 : 제1 다이오드

Claims (18)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제2 커패시터;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 신호 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기를 포함하여 이루어지고,
    상기 제2 커패시터와 직렬로 연결된 제1 인덕터를 더 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 인덕터와 직렬로 연결된 제5 저항을 더 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  5. 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제1 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 신호의 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기를 포함하여 이루어지고,
    상기 제2 저항 또는 제3 저항에 병렬로 연결된 제2 인덕터를 더 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  6. 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제1 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 신호의 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기를 포함하여 이루어지고,
    상기 제2 저항 또는 제3 저항에 병렬로 연결된 제3 커패시터를 더 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 인덕터에 병렬로 연결된 제4 커패시터를 더 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  8. 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제1 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 신호의 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기를 포함하여 이루어지고,
    상기 직렬전치왜곡 선형화기는
    바이어스 전압 입력단에 연결된 제4 저항;
    제4 저항과 신호 입력단 사이에 설치된 제1 커패시터;
    제1 커패시터의 일단과 제4 저항의 일단에 연결된 제1 다이오드를 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 다이오드에 병렬로 연결되고 상호 간에는 직렬로 연결된 제3 인덕터와 제5 커패시터를 더 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  10. 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제1 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 신호의 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기를 포함하여 이루어지고,
    상기 직렬전치왜곡 선형화기는
    바이어스 전압 입력단에 연결된 제4 인덕터;
    제4 인덕터와 신호 입력단 사이에 설치된 제6 커패시터;
    제6 커패시터의 일단과 제4 인덕터의 일단에 연결된 제2 다이오드를 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제4 인덕터에 병렬로 연결된 제5 저항을 더 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  12. 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제2 커패시터;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 신호 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기를 포함하여 이루어지고,
    상기 제2 저항 또는 제3 저항에 병렬로 연결된 제2 인덕터를 더 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  13. 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제2 커패시터;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 신호 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기를 포함하여 이루어지고,
    상기 제2 저항 또는 제3 저항에 병렬로 연결된 제3 커패시터를 더 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 인덕터에 병렬로 연결된 제4 커패시터를 더 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  15. 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제2 커패시터;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 신호 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기를 포함하여 이루어지고,
    상기 직렬전치왜곡 선형화기는
    바이어스 전압 입력단에 연결된 제4 저항;
    제4 저항과 신호 입력단 사이에 설치된 제1 커패시터;
    제1 커패시터의 일단과 제4 저항의 일단에 연결된 제1 다이오드를 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제1 다이오드에 병렬로 연결되고 상호 간에는 직렬로 연결된 제3 인덕터와 제5 커패시터를 더 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  17. 비선형 증폭기에서 발생되는 왜곡신호와 크기는 같고, 위상은 반대가 되는 신호를 발생시켜 비선형 증폭기의 선형성을 개선시키는 직렬전치왜곡 선형화기;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 출력단 사이에 연결된 제2 커패시터;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 입력단과 신호 입력단 및 접지 사이에 설치된 제2 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단과 접지 사이에 설치된 제3 저항;
    상기 직렬전치왜곡 선형화기의 출력단에 연결된 비선형 증폭기인 전력증폭기를 포함하여 이루어지고,
    상기 직렬전치왜곡 선형화기는
    바이어스 전압 입력단에 연결된 제4 인덕터;
    제4 인덕터와 신호 입력단 사이에 설치된 제6 커패시터;
    제6 커패시터의 일단과 제4 인덕터의 일단에 연결된 제2 다이오드를 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제4 인덕터에 병렬로 연결된 제5 저항을 더 포함하여 이루어진 전치왜곡 선형화 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20020050372A1 (en) 2000-08-04 2002-05-02 Lg Electronics Inc. Predistortion digital linearizer and gain controlling method thereof
EP1592127A1 (en) 2004-04-29 2005-11-02 Siemens Mobile Communications S.p.A. Analog predistortion linearizer with fixed in advance intermodulation power, method and device
KR100760523B1 (ko) * 2006-07-29 2007-09-20 홍의석 전치왜곡 선형화기
JP2008167434A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Thales 調整可能な振幅および形状を備えたプリディストーション線形化装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020050372A1 (en) 2000-08-04 2002-05-02 Lg Electronics Inc. Predistortion digital linearizer and gain controlling method thereof
EP1592127A1 (en) 2004-04-29 2005-11-02 Siemens Mobile Communications S.p.A. Analog predistortion linearizer with fixed in advance intermodulation power, method and device
KR100760523B1 (ko) * 2006-07-29 2007-09-20 홍의석 전치왜곡 선형화기
JP2008167434A (ja) 2006-12-28 2008-07-17 Thales 調整可能な振幅および形状を備えたプリディストーション線形化装置

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