KR101047430B1 - 도전성 실리콘 소켓 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 도전성 실리콘 소켓 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세히는 내부가 관통된 프레임부를 마련하여, 이러한 프레임부의 내부에 삽입되되, 상기 프레임부의 상단부보다 돌출 형성되는 메인바디와 상기 메인바디의 상단부에 적층되는 비전도성 커버 및 상기 프레임부, 상기 메인바디 및 상기 비전도성 커버를 관통하여 형성되며 전기적 접속을 중계하는 적어도 하나 이상의 도전체를 포함하는 도전성 실리콘 소켓 및 그 제조방법에 관한 것이다.

실리콘 소켓, 전도성 폴, 도전체, 디바이스, 절개부

Description

도전성 실리콘 소켓 및 그 제조방법 {Conductive Silicone Socket and The Method of Manufacturing thereof}

본 발명은 도전성 실리콘 소켓 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세히는 전기적 접속을 중계하는 소켓으로서 전기적 단자와 단자 사이 또는 단자와 회로기판 사이에서 통전을 위해 사용되는 도전성 실리콘 소켓 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 회로기판과 전기소자 간 또는 전기소자와 전기소자 간의 전기적 접속을 중계하기 위해서 실리콘 소켓이 사용된다.

종래의 실리콘 소켓은 메인바디인 실리콘 소재에 홀을 형성하여, 이러한 홀에 은 분말과 폴리머(polymer)를 적당한 비율로 섞어 도전체를 형성하였다. 그러나 이러한 실리콘 소켓은 전기소자의 단자, 즉 디바이스 볼(device ball)이 상기 도전체를 프레스(press)하는 하게 되면, 소프트한 실리콘 소재의 메인바디에 의해 전도성 폴의 도전성 분말들이 홀에서 빠져나가게 되고, 실리콘 소켓 상단부의 부드러운 실리콘 소재가 외부로 노출되어 있어, 쉽게 파손된다는 문제가 있었다.

또한 도전체에 접속하는 디바이스 볼은 매끄러운 금속성 소재로 되어 있으므 로 디바이스 볼과 도전체간에 미끄러짐이 발생하여 전기적 접속이 끊어질 수 있는 문제가 있었다.

따라서 본 발명의 목적은 전기소자의 단자(device ball)와 전도성 폴의 접속을 보다 신뢰도 있게 하고 실리콘 소켓의 상단부에 경도가 높은 물질을 적용하여 내구성이 향상된 도전성 실리콘 소켓을 제공함에 있다.

또한, 실리콘 소켓에 절개된 부위를 형성하여 전기소자가 전도성 폴에 가하는 포스(force)를 줄일 수 있는 도전성 실리콘 소켓을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 다른 목적은 경도가 높은 비전도성 물질로 실리콘 소켓의 커버를 형성하고, 도전체를 형성한 실리콘 층으로 이루어지는 도전성 실리콘 소켓의 제조방법을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 도전체 부분이 비전도성 커버에 비해 낮게 형성되는 도전성 실리콘 소켓의 제조방법을 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓은, 도전성 실리콘 소켓에 있어서, 내부가 관통된 프레임부와, 상기 프레임부의 내부에 삽입되는 메인바디와, 상기 메인바디의 상단부에 적층되는 비전도성 커버 및 상기 프레임부, 상기 메인바디 및 상기 비전도성 커버를 관통하여 형성되며 전기적 접속을 중계하는 적어도 하나 이상의 도전체를 포함할 수 있다.

바람직하게는, 상기 도전체는 상기 프레임부의 하단부로부터 적층되어 형성 되되, 상기 비전도성 커버의 상단면보다 낮은 높이까지 형성될 수 있을 것이다.

그리고, 상기 도전성 실리콘 소켓은, 상기 도전체를 감싸고 형성되며 외부로부터 상기 도전체에 가해지는 포스(force)에 대응하여 수축/복원되는 실리콘 층을 더 포함하는 것이 바람직할 것이다.

그리고, 상기 도전성 실리콘 소켓은, 상기 도전체의 외주와 상기 메인바디의 내부 사이에 게재되며 외부로부터 상기 도전체에 가해지는 포스(force)에 대응하여 수축/복원되는 실리콘 층을 더 포함하는 것이 바람직할 것이다.

또한 바람직하게는, 상기 도전체는 실리콘 소재와 도전성 분말이 혼합된 도전 혼합물로 형성될 수 있을 것이며, 여기서 도전성 분말은 니켈 분말, 은 분말, 금 분말 중 어느 하나로 할 수 있을 것이다.

또한 바람직하게는, 상기 도전체는 원기둥 형상의 폴(pole)로 할 수 있을 것이다.

또한 바람직하게는, 상기 메인바디는 실리콘 재질로 형성될 수 있을 것이다.

또한 바람직하게는, 상기 프레임부는 플라스틱 소재로 형성될 수 있을 것이다.

또한 바람직하게는, 상기 비전도성 커버는 플라스틱 또는 상기 메인바디를 형성하는 소재보다 경도가 큰 소재로 형성될 수 있을 것이다.

또한 바람직하게는, 상기 비전도성 커버는 플라스틱, 폴리에스터 메쉬(mesh) 또는 상기 메인바디를 형성하는 소재보다 경도가 큰 소재 중 어느 하나로 형성될 수 있을 것이다.

또한 바람직하게는, 상기 도전체를 둘러싸고 형성되는 상기 메인바디에는 상기 도전체에 가해지는 포스(force)를 줄이기 위한 절개부가 형성될 수 있을 것이다.

또는 상기 실리콘 층에는 상기 도전체에 가해지는 포스(force)를 줄이기 위한 절개부가 형성되는 것이 바람직할 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 제조방법은, (A1)내부가 관통된 프레임부에 메인바디를 형성하는 단계와, (B1)상기 메인바디의 상단부에 비전도성 커버를 적층하는 단계와, (C1)상기 메인바디와 상기 비전도성 커버를 관통하는 제1 홈을 형성하는 단계 및 (D1)상기 제1 홈 내부에 전기적 접속을 중계할 수 있는 도전체를 형성하는 단계를 포함할 수 있을 것이다.

또한, 상기 (D1)단계 이후에, (d1)상기 도전체를 금형으로 프레스(press)하여 경화시키는 단계를 더 포함할 수 있을 것이다. 여기서 상기 금형은 엠보싱(embossing)부를 구비하는 것이 바람직할 것이다.

또한 바람직하게는, 상기 제1 홈은 금형 또는 레이저 가공으로 형성할 수 있을 것이다.

또한 바람직하게는, 상기 제1 홈은 원기둥 형상의 홀(hole)로 형성할 수 있을 것이다.

또는 상기 (D1)단계 이후에, (d2)상기 메인바디에 외부로부터 상기 도전체에 가해지는 포스(force)를 줄이기 위한 절개부를 형성하는 단계를 시행하는 것이 바 람직할 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 다른 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 제조방법은, (A2)내부가 관통된 프레임부에 메인바디를 형성하는 단계와, (B2)상기 메인바디의 상단부에 비전도성 커버를 적층하는 단계와, (C2)상기 메인바디와 상기 비전도성 커버를 관통하는 제1 홈을 형성하는 단계와, (D2)상기 제1 홈의 내부에 실리콘 층을 형성하는 단계와, (E2)상기 실리콘 층을 관통하는 제2 홈을 형성하는 단계 및 (F2)상기 제2 홈에 도전체를 충진하는 단계를 포함할 수 있을 것이다.

또한, 상기 (F2)단계 이후에, (f1)상기 도전체를 금형으로 프레스(press)하여 경화시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직할 것이다. 그리고, 상기 금형은 엠보싱(embossing)부를 구비할 수 있을 것이다.

또한 바람직하게는, 상기 제1 홈 및 제2 홈은 금형 또는 레이저 가공으로 형성할 수 있을 것이며, 상기 제1 홈 및 제2 홈은 원기둥 형상의 홀(hole)로 형성할 수 있을 것이다.

또한 상기 (F2)단계 이후에, (f2)상기 메인바디에 외부로부터 상기 도전체에 가해지는 포스(force)를 줄이기 위한 절개부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직할 것이다. 또는, 상기 (F2)단계 이후에, (f3)상기 실리콘 층에 외부로부터 상기 도전체에 가해지는 포스(force)를 줄이기 위한 절개부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직할 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도전성 실리 콘 소켓의 제조방법은, (A3)내부가 관통된 프레임부에 메인바디를 형성하는 단계와, (B3)상기 메인바디를 관통하는 제1 홈을 형성하는 단계와, (C3)상기 제1 홈에 전기적 접속을 중계할 수 있는 도전체를 충진하는 단계 및 (D3)상기 메인 바디의 상단부에 상기 도전체가 노출될 수 있는 제2 홈을 형성한 비전도성 커버를 부착하는 단계를 포함할 수 있을 것이다.

본 발명에 따르면, 실리콘 소켓의 상단부를 경도가 높은 물질로 형성하여 실리콘 소켓의 상단부가 쉽게 파손되는 것을 막을 수 있다.

또한 본 발명은, 전도성 폴을 감싸고 형성되는 소프트한 실리콘 층의 축소/복원의 반복에 따라 스프링 텐션(spring tension)이 제공되어 전기소자의 단자와의 전기적 접속을 안정적으로 할 수 있게 한다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 이때 도면에 도시되고 또 이것에 의해서 설명되는 본 발명의 구성과 작용은 적어도 하나의 실시예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해서 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용이 제한되지는 않는다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 제조과정을 개략적으로 도시한 도면이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓은 실리콘 소켓은 프레임부(10), 메인바디(20), 비전도성 커버(30), 도전체(50)으로 이루어진다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 소켓의 단면을 도시한 도면이다.

본 발명에 있어서, 도전체(50)는 도전체(50)의 상단부와 하단부에 접속되는 전기 소자의 단자/또는 회로기판의 단자와 접촉하여 전기적으로 도통되도록 하는 매개체가 된다. 도전성 실리콘 소켓은 먼저 내부가 관통된 프레임부(10)에 메인바디(20)를 삽입하고 메인바디(20)의 일정부분이 돌출될 수 있도록 하며, 메인바디(20)에 다시 비전도성 커버(30)을 적층하고, 메인바디(20)와 비전도성 커버(30)에 홈을 형성하여 여기에 도전 혼합물을 충진하는 것에 의해 도전체(50)를 형성하여 이루어진다.

실리콘 소켓(100)의 전도성 폴(50)은 실리콘 소재와 도전성 분말을 혼합하여 형성되는 도전 혼합물로 제작될 수 있다. 본 발명에 있어서, 도전성 분말이란 전도성을 가진 미세한 분말로서, 특별히 제한되는 것으로 아니다. 예를 들어, 도전성 분말은 니켈 분말, 은 분말, 금 분말 중 어느 하나로 할 수 있다. 바람직하게는 전도성이 가장 우수한 은 분말이 사용될 수 있을 것이다.

본 발명에 있어서, 프레임부(10)는 플라스틱 소재로 형성되어 실리콘 소켓(1)의 메인바디(20)를 지지한다.

본 발명에 있어서 메인바디(20)는 도전성 실리콘 소켓의 몸체에 해당하는 부분으로 그 재질을 실리콘 소재로 할 수 있다. 그러나, 실리콘 소재를 사용하는 이 유는 가공성이 높고, 도전성 실리콘 소켓이 디바이스 볼에 의해 눌려지는 경우 복원력 내지는 탄성력을 가져지는 것 때문이므로, 이러한 기능을 갖는 다른 재료를 사용하여도 무방하다.

또한, 본 발명에 있어서, 비전도성 커버(30)는 그 재질을 플라스틱 또는 경도가 실리콘에 비하여 높은 물질로 하여 형성된다. 또는 비전도성 커버(30)는 폴리에스터 메쉬로 제작하는 것도 가능하다. 비전도성 커버(30)로 하는 이유는 전도성 폴(50)만을 통해 전기적 도통이 이루어져야 도전성 실리콘 소켓으로서 사용될 수 있기 때문이다. 플라스틱 또는 실리콘 보다 경도가 높은 물질이 사용되는 이유는 플라스틱등은 실리콘에 비하여 상대적으로 내구성이 강하기 때문이다.

즉, 도전성 실리콘 소켓의 상단면에 경도가 높은 물질을 형성하는 것에 의하여 도전성 실리콘 소켓의 내구성이 강화되게 된다. 도전성 실리콘 소켓에 형성되는 도전체(50)는 도전성 분말로 형성되므로 전기소자의 단자 내지는 디바이스 볼의 접속이 반복되면 도전성 분말이 이탈하고, 메인바디(20)가 소프트한 재질, 특히 실리콘 등으로 형성되면 도전성 실리콘 소켓이 쉽게 파손될 있다. 따라서, 본 발명은 플라스틱 또는 경도가 높은 물질로 도전성 실리콘 소켓의 상단면을 형성함으로서, 도전체(50)의 도전성 분말이 이탈되는 것을 방지하고, 도전성 실리콘 소켓에 내구성을 부여할 수 있는 것이다. 도전성 실리콘 소켓의 보다 상세한 제조방법은 후술하기로 한다.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 단면을 도시한 도면이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 도전성 실리콘 소 켓(100)은 프레임부(10), 메인바디(20) 및 상기 비전도성 커버(30)를 관통하여 프레임부(10)의 하단부로부터 적층되되, 비전도성 커버(30)의 상단면보다 낮은 높이까지 형성되는 도전체(50)로 이루어진다. 따라서, 도전체(50)를 이루는 도전성 분말의 이탈을 방지할 수 있게 되고, 디바이스 볼(200)에 접속되는 경우에 디바이스 볼(200)과 도전체(50)간의 미끄러짐 현상을 방지할 수 있게 된다.

또한, 도전체(50)의 상단면보다 높은 위치에서 도전체(50)를 감싸고 형성되는 비전도성 커버(30)는 디바이스 볼(200)을 감싸는 형태로 접속을 유지시키므로, 안정된 통전이 가능한 것이다.

이하에서는 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 제조방법에 관한 설명을 개시한다.

도 3은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 제조방법에 관한 블록도, 도 4는 도 3의 설명을 위해 도시한 도면이다.

도 3을 참조하면, 도전성 실리콘 소켓은 도전성 실리콘 소켓은 프레임부의 관통된 내부에 메인바디를 형성하는 단계(S10)와, 메인바디의 상단부에 비전도성 커버를 순차로 적층하는 단계(S20)와, 메인바디와 비전도성 커버를 관통하는 제1 홈을 형성하는 단계(S30)와, 제1 홈의 내부에 도전체를 충진하는 단계(S40)와, 금형을 이용해 도전체를 경화시키는 단계(S50)로 제조된다.

도 4를 참조하여 상세히 설명하면, S10단계 및 S20단계에서는 플라스틱 소재로 이루어지며 내부가 일정한 형태로 관통된 프레임부(10)에 메인바디(20)를 삽입하고, 상기 메인바디(20)의 상단면에 비전도성 커버(30)를 적층한다. 메인바 디(20)는 실리콘 소재로 할 수 있으며, 비전도성 커버(30)는 상술한 바와 같이 경도가 큰 물질 또는 플라스틱이나 폴리머 메쉬로 형성하며, 공지의 접착기술을 사용하여 적층, 부착한다.

S30단계에서는 메인바디(20)와 비전도성 커버(30)에 제1 홈을 형성한다. 이 때, 제1 홈은 금형 또는 레이저 가공으로 형성할 수 있으며, 그 형상은 원기둥 또는 사각기둥 형상의 홀로 형성할 수 있다. 제1 홈을 형성함에 있어서, 하나의 홈으로 형성하는 것도 가능하고, 수개의 제1 홈을 형성하는 것도 가능하다.

S40단계에서는 S30단계에서 형성된 제2 홈의 내부에 도전성 분말을 주입, 충진하여 도전체(50)를 형성한다. 여기까지의 과정을 수행하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓을 제조할 수 있다. 그리고, 제2 실시예를 위하여는 하기의 과정을 더 실행한다.

즉, S50단계에서는 금형(300)을 이용하여 S40단계에서 충진된 도전체(50)를 압박하여 도전체(50)를 경화시킨다. 이 때 상기 금형(300)은 엠보싱(embossing)부를 구비하여 도전체(50)를 누를 때 도전체(50)의 높이가 비전도성 커버(30)의 높이보다 낮게 되도록 한다. 또한, 엠보싱부가 형성된 금형(300)은 하나의 엠보싱부를 형성할 수도 있으나, 바람직하게는 수개의 도전체(50)를 갖도록 형성되는 도전성 실리콘 소켓에 사용하기 위해 수개의 엠보싱부를 구비할 수 있다.

다음으로 본 발명의 제3 실시예 및 제4 실시예에 대한 설명을 개시한다.

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 단면을 도시한 도면이다.

도 5를 참고하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓(100)은 프레임부(10), 메인바디(20), 비전도성 커버(30), 도전체(50) 및 실리콘 층(40)으로 이루어진다. 여기서 프레임부(10), 메인바디(20), 비전도성 커버(30) 및 도전체(50)에 관해서는 상술한 설명으로 갈음하고, 실리콘 층(40)에 대하여 설명하기로 한다.

실리콘 층(40)은 메인바디(20)와 비전도성 커버(30)에 홈을 형성하여 실리콘을 충진하여 형성한다. 실리콘 층(40)은 도전성 실리콘 소켓(100)의 도전체(50)의 상단부와 하단부가 전기소자의 단자 및/또는 회로기판의 단자에 접속되어 디바이스 볼 등에 의해 도전체(50)가 강하게 눌려지는 경우, 도전체(50)가 양 측부로 팽창하게 됨에 따라 실리콘 층(40)이 갖는 고유의 복원력 또는 탄성력으로 도전체(50)의 팽창된 양 측부를 압박하여 디바이스 볼과 도전체(50)의 접속을 견고하게 하기 위해 구비되는 것이다. 여기서 메인바디(20)를 이루는 실리콘과 도전체(50)를 감싸는 실리콘 층(50)의 소재는 동일한 실리콘일 수 있다.

도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 단면을 도시한 도면, 도 6을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓(100)은 프레임부(10), 메인바디(20), 비전도성 커버(30), 도전체(50) 및 실리콘 층(40)으로 이루어진다.

여기서 도전체(50)는 프레임부(10), 메인바디(20) 및 상기 비전도성 커버(30)를 관통하여 프레임부(10)의 하단부로부터 적층되되, 비전도성 커버(30)의 상단면보다 낮은 높이까지 형성되는 도전체(50)로 이루어진다. 따라서, 도전체(50) 를 이루는 도전성 분말의 이탈을 방지할 수 있게 되고, 디바이스 볼(200)에 접속되는 경우에 디바이스 볼(200)과 도전체(50)간의 미끄러짐 현상을 방지할 수 있게 된다.

또한, 도전체(50)의 상단면보다 높은 위치에서 도전체(50)를 감싸고 형성되는 비전도성 커버(30)는 디바이스 볼(200)을 감싸는 형태로 접속을 유지시키므로, 안정된 통전을 가능하게 하는 것이다. 또한, 이렇게 도전체(50)를 그 주위를 둘러싸는 비전도성 커버(30)보다 낮은 위치로 압박하는 방법에 대하여는 후술하기로 한다.

다음으로 본 발명의 제3 및 제4 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 제조방법에 관하여 설명을 개시한다.

도 7은 본 발명의 제3 및 제4 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 제조과정을 나타낸 블록도, 도 8 및 도 9는 도 7의 설명을 위해 도시한 도면이다.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제3 및 제4 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 제조과정은, 프레임부의 관통된 내부에 메인바디를 형성하는 단계(S100)와, 프레임부의 상단부에 비전도성 커버를 순차로 적층하는 단계(S200)와, 메인바디와 비전도성 커버를 관통하는 제1 홈을 형성하는 단계(S300)와, 제1 홈의 내부에 실리콘 층을 형성하는 단계(S400)와, 실리콘 층을 관통하는 제2 홈을 형성하는 단계(S500)와 제2 홈에 도전체를 충진하는 단계(S600)로 제조된다. 여기까지의 과정을 수행하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓을 제조할 수 있다. 그리고, 제4 실시예는 금형을 이용하여 도전체를 경화하는 단계(S700)를 더 시행하는 것을 포함한다.

도 8을 이용하여 보다 상세히 설명하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓은 S100단계 및 S200단계에서 플라스틱 소재로 이루어진 내부가 관통된 프레임부(10)에 메인바디(20)를 형성하고 메인바디(20)의 상단부에 비전도성 커버(30)를 적층한다. 메인바디(20)는 실리콘 소재로 할 수 있으며, 비전도성 커버(30)는 상술한 바와 같이 경도가 큰 물질 또는 플라스틱이나 폴리머 메쉬로 형성하며, 공지의 접착기술을 사용하여 적층, 부착한다.

S300단계에서는 메인바디(20)와 비전도성 커버(30)에 제1 홈을 형성한다. 이 때, 제1 홈은 금형 또는 레이저 가공으로 형성할 수 있으며, 그 형상은 원기둥 또는 사각기둥 형상의 홀로 형성할 수 있다. 제1 홈을 형성함에 있어서, 하나의 홈으로 형성하는 것도 가능하고, 수개의 제1 홈을 형성하는 것도 가능하다.

S400단계에서는 S300단계에서 형성된 제1 홈의 내부에 실리콘을 주입 충진하여, 실리콘 층(40)을 형성한다.

S500단계에서는 실리콘 층(40)에 제2 홈을 형성한다. 이 때, 제2 홈은 금형 또는 레이저 가공으로 형성할 수 있으며, 그 형상은 원기둥 또는 사각기둥 형상의 홀로 형성할 수 있다. 제2 홈을 형성함에 있어서, 하나의 홈으로 형성하는 것도 가능하고, 수개의 제2 홈을 형성하는 것도 가능하다.

S600단계에서는 제2 홈의 내부에 도전성 분말을 주입, 충진하여 도전체(50)를 형성한다. 여기까지의 과정을 수행하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓을 제조할 수 있다.

그리고 도 9를 참조하면, 본 발명의 제4 실시예를 구현하기 위하여 금형(300)을 이용하여 S600단계에서 충진된 도전체(50)를 압박하여 도전체(50)를 경화시킨다. 이 때 상기 금형(900)은 엠보싱(embossing)부를 구비하여 도전체(50)를 누를 때 도전체(50)의 높이가 비전도성 커버(30)의 높이보다 낮게 되도록 한다. 또한, 엠보싱부가 형성된 금형(900)은 하나의 엠보싱부를 형성할 수도 있으나, 바람직하게는 수개의 도전체(50)를 갖도록 형성되는 도전성 실리콘 소켓에 사용하기 위해 수개의 엠보싱부를 구비할 수 있다.

본 발명의 제3 및 제4 실시예에 있어서, 실리콘 층(40)은 도전성 실리콘 소켓(102)의 도전체(50)의 상단부와 하단부가 전기소자의 단자 및/또는 회로기판의 단자에 접속되어 디바이스 볼 등에 의해 도전체(50)가 강하게 눌려지는 경우, 도전체(50)가 양 측부로 팽창하게 됨에 따라 실리콘 층(40)이 갖는 고유의 복원력 또는 탄성력으로 도전체(50)의 팽창된 양 측부를 압박하여 디바이스 볼과 도전체(50)의 접속을 견고하게 하기 위해 구비되는 것이다.

또한, 디바이스 볼에 의해 도전체가 프레스(press)되는 경우 도전성 실리콘 소켓이 그 포스를 보다 효과적으로 감쇄 내지 흡수할 수 있도록 절개부를 구비할 수 있다. 이하에서 이를 설명한다.

도 10a 및 도 10b는 본 발명의 제3 및 제4 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓에 절개부를 형성한 것을 도시한 도면이다.

도 10a를 참조하면, 절개부는 디바이스 볼이 압력을 가하는 도전성 실리콘 소켓(100)의 하단부에 형성되는 것으로서, 이렇게 도전성 실리콘 소켓(100)의 밑면 이 절개됨에 따라, 디바이스 볼이 포스를 가하는 경우 실리콘 층(40)이 그 포스를 보다 효과적으로 감쇄 내지 흡수할 수 있는 것이다. 이 때 상기 절개부(200)를 도전성 실리콘 소켓(100)의 메인바디(20)에 형성하는 방법 또는 도전체(50)를 감싸고 형성되는 실리콘 층(40)에 형성하는 방법(도 10b참조)으로 할 수 있다.

또한 도 11에 나타낸바와 같이 절개부(200)의 형성은 도전체(50)를 둘러싸는 라인(line)으로 형성할 수 있는 것이다. 이러한 방법은 공정을 단축시켜 효율적으로 도전성 실리콘 소켓을 제조할 수 있게 한다. 즉(A)와 같이 도전체(50)를 둘러싸는 열십자 방식으로 절개부(200)를 형성하거나, (B)와 같이 장축 방향으로 절개하거나 (C)와 같이 단축 방향으로 절개할 수 있다. 그리고 이러한 절개부(200)의 형성은 하나의 직선 라인(line)이 아닌 불규칙적인 배열을 갖고 임의로 형성되는 라인들로 절개부를 형성할 수 있다(미도시). 이러한 절개부는 금형 또는 레이져 가공의 방법 등 공지된 기술을 사용하여 형성될 수 있다.

본 발명의 제 5실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓은 도 12에 나타나 있다.

도 12를 참조하면, 제 5실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓은(100)은 프레임부(10), 메인바디(20), 비전도성 커버(30), 도전체(50) 및 관통된 홈을 형성한 비전도성 커버(60)로 이루어진다. 즉, 이러한 도전성 실리콘 소켓(100)은 도전체(50)의 높이를 비전도성 커버(60)의 높이보다 낮은 위치에서 형성될 수 있도록 한 것으로, 상술한 제2 실시예 및 제4 실시예에서 구현되는 효과와 동일한 효과를 나타내기 위한 것이다. 즉, 본 발명의 제5 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓(100)의 제조방법은 (A3)내부가 관통된 프레임부(10)에 메인바디(20)를 형성하는 단계와 (B3) 상기 메인바디(20)를 관통하는 제1 홈을 형성하는 단계와, (C3)상기 제1 홈에 전기적 접속을 중계할 수 있는 도전체(50)를 충진하는 단계 및 (D3)상기 메인 바디(20)의 상단부에 상기 도전체(50)가 노출될 수 있는 제2 홈을 형성한 비전도성 커버(60)를 부착하는 단계로서 이루어진다.

지금까지 설명한 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 첨부된 청구범위에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 변형이 가능하고 이러한 변형은 본 발명의 범위에 속한다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 제조과정을 개략적으로 도시한 도면,

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 단면을 도시한 도면,

도 3은 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 제조방법에 관한 블록도,

도 4는 도 3의 설명을 위해 도시한 도면,

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 단면을 도시한 도면,

도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 단면을 도시한 도면,

도 7은 본 발명의 제3 및 제4 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 제조과정을 나타낸 블록도,

도 8 및 도 9는 도 7의 설명을 위해 도시한 도면,

도 10a 및 도 10b는 본 발명의 제3 및 제4 실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓에 절개부를 형성한 것을 도시한 도면,

도 11은 본 발명에 따른 도전성 실리콘 소켓에 절개부를 형성하는 방법을 설명하기 위해 도시한 도면,

도 12는 본 발명의 제 5실시예에 따른 도전성 실리콘 소켓의 단면을 도시한 도면이다.

Claims (20)

1. 내부가 관통된 프레임부;

   상기 프레임부의 내부에 삽입되는 메인바디;

   상기 메인바디의 상단부에 적층되는 비전도성 커버; 및

   상기 메인바디 및 상기 비전도성 커버를 관통하여 형성되어 전기적 접속을 중계하는 적어도 하나 이상의 도전체로서, 상기 도전체는 상기 비전도성 커버의 상단면보다 낮은 높이까지 형성되고 상기 도전체를 둘러싸고 형성되는 상기 메인바디에는 상기 도전체에 가해지는 포스(force)에 대응하기 위한 절개부가 구비되는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓.
2. 삭제
3. 내부가 관통된 프레임부;

   상기 프레임부의 내부에 삽입되는 메인바디;

   상기 메인바디의 상단부에 적층되는 비전도성 커버;

   상기 메인바디 및 상기 비전도성 커버를 관통하여 형성되어 전기적 접속을 중계하는 적어도 하나 이상의 도전체; 및

   상기 도전체와 상기 메인바디 사이에 형성되며, 외부로부터 상기 도전체에 가해지는 포스(force)에 대응하여 수축 또는 복원되는 실리콘 층을 포함하는 도전성 실리콘 소켓으로서, 상기 도전체는 상기 비전도성 커버의 상단면보다 낮은 높이까지 형성되고, 상기 실리콘 층은 상기 비전도성 커버의 상단면까지 형성되며 상기 도전체에 가해지는 포스(force)에 대응하기 위한 절개부를 구비하는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓.
4. 삭제
5. 제1항 또는 제3항에 있어서,

   상기 도전체는 실리콘 소재와 도전성 분말이 혼합된 도전 혼합물로 형성되는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓.
6. 제5항에 있어서,

   상기 도전성 분말은 니켈 분말, 은 분말, 금 분말 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓.
7. 제1항 또는 제3항에 있어서,

   상기 비전도성 커버는 플라스틱, 폴리에스터 메쉬(mesh) 또는 상기 메인바디를 형성하는 소재보다 경도가 큰 소재 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓.
8. 삭제
9. 삭제
10. (A1)내부가 관통된 프레임부에 메인바디를 형성하는 단계;

    (B1)상기 메인바디의 상단부에 비전도성 커버를 적층하는 단계;

    (C1)상기 메인바디와 상기 비전도성 커버를 관통하는 제1 홈을 형성하는 단계;

    (D1)상기 제1 홈 내부에 전기적 접속을 중계할 수 있는 도전체를 형성하는 단계;

    (D2)상기 도전체가 상기 비전도성 커버의 상단면보다 낮은 높이까지 형성되도록 엠보싱(embossing)부를 구비하는 금형으로 상기 도전체를 프레스(press)하는 단계; 및

    (D3)외부로부터 상기 도전체에 가해지는 포스(force)에 대응하기 위해 상기 메인바디에 절개부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓의 제조방법.
11. 삭제
12. 삭제
13. 제10항에 있어서,

    상기 제1 홈은 금형 또는 레이저 가공으로 형성하는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓의 제조방법.
14. 삭제
15. (A2)내부가 관통된 프레임부에 메인바디를 형성하는 단계;

    (B2)상기 메인바디의 상단부에 비전도성 커버를 적층하는 단계;

    (C2)상기 메인바디와 상기 비전도성 커버를 관통하는 제1 홈을 형성하는 단계;

    (D2)상기 제1 홈의 내부에 실리콘 층을 형성하는 단계;

    (E2)상기 실리콘 층을 관통하는 제2 홈을 형성하는 단계;

    (F2)상기 제2 홈에 도전체를 충진하는 단계;

    (G2)상기 도전체가 상기 비전도성 커버의 상단면보다 낮은 높이까지 형성되도록 엠보싱(embossing)부를 구비하는 금형으로 상기 도전체를 프레스(press)하는 단계; 및

    (H2)외부로부터 상기 도전체에 가해지는 포스(force)에 대응하기 위해 상기 실리콘 층에 절개부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 실리콘 소켓의 제조방법.
16. 삭제
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