KR101044773B1 - 증가된 채널 폭을 갖는 mos 트랜지스터 및 제조 방법 - Google Patents
증가된 채널 폭을 갖는 mos 트랜지스터 및 제조 방법 Download PDFInfo
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- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
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- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
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Abstract
Description
Claims (8)
- 게이트 전극 및 소오스/드레인 영역을 갖는 MOS 트랜지스터의 제조 방법에 있어서,반도체 기판의 활성 영역에 소자 분리막 및 웰을 형성하는 단계;상기 활성 영역내에서 상기 게이트 전극의 채널 길이 방향으로 트렌치를 내측벽이 바닥쪽이 경사지게 형성하는 단계;상기 트렌치가 형성된 기판의 활성 영역 상부에 게이트 절연막 및 상기 게이트 전극을 순차 적층하는 단계;상기 게이트 전극 측벽에 스페이서 절연막을 형성하는 단계; 및상기 스페이서 절연막과 활성 영역의 트렌치 공간 사이에 서로 분리된 상기 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 증가된 채널 폭을 갖는 MOS 트랜지스터의 제조 방법.
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 트렌치는 상기 게이트 전극의 채널 폭 방향과 교차되 도록 길게 배치된 것을 특징으로 하는 증가된 채널 폭을 갖는 MOS 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 소자 분리막 및 웰을 형성한 후에, 이온 빔 또는 X-선 노광 공정으로 트렌치가 형성될 예정의 활성 영역 내부를 스플리트 형태로 잘게 쪼갠 후에 활성 영역의 트렌치 식각시 굴곡된 표면을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 증가된 채널 폭을 갖는 MOS 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 트렌치를 형성한 후에, 기판의 활성 영역에 희생 산화막을 형성하고 이를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증가된 채널 폭을 갖는 MOS 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 트렌치를 형성한 후에, 문턱 전압을 조절하기 위한 이온 주입 공정을 실시하고 서브문턱 전압의 누설을 조절하기 위한 이온 주입 공정을 경사진 각도 또는 회전 방식으로 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증가된 채널 폭을 갖는 MOS 트랜지스터의 제조 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 트렌치를 형성한 후에, 기판의 활성 영역에 문턱 전압을 조절하기 위한 이온 주입 공정을 실시하고 실리콘 에피택셜 성장 공정을 진행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증가된 채널 폭을 갖는 MOS 트랜지스터의 제조 방법.
- 게이트 전극 및 소오스/드레인 영역을 갖는 MOS 트랜지스터에 있어서,활성 영역을 포함하고 상기 활성 영역 내에서 상기 게이트 전극의 채널 길이 방향으로 트렌치가 내측벽이 바닥쪽이 경사지게 형성된 반도체 기판;상기 트렌치가 형성된 기판의 활성 영역 상부에 순차 적층된 게이트 절연막 및 상기 게이트 전극;상기 게이트 전극 측벽에 형성된 스페이서 절연막; 및상기 스페이서 절연막과 활성 영역의 트렌치 공간 사이를 채워 상기 게이트 전극 측부에 위치하게 형성되고 서로 분리된 상기 소오스/드레인 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 증가된 채널 폭을 갖는 MOS 트랜지스터.
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KR970054256A (ko) * | 1995-12-06 | 1997-07-31 | 김주용 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR19980042259A (ko) * | 1996-11-11 | 1998-08-17 | 로더리히네테부쉬 | 전기적으로 기록 및 소거 가능한 상수 메모리 셀 장치의 제조방법 |
JP2000114512A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Siemens Ag | バ―チカルfetトランジスタ及び該バ―チカルfetトランジスタの作製方法 |
KR20030008332A (ko) * | 2001-07-20 | 2003-01-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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2003
- 2003-07-16 KR KR1020030048845A patent/KR101044773B1/ko active IP Right Grant
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