KR101036185B1 - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 플라즈마를 발생시켜 소정의 처리를 실시할 때 상부 전극의 온도를 제어함에 따라 온도 균일성을 확보할 수 있고, 샤워 헤드의 유지보수가 용이한 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
즉, 본 발명은, 챔버, 상기 챔버 내부에 설치되며 진공상태에서 기판상에 플라즈마에 의한 처리가 가능하게 하는 상부전극 및 하부전극이 구비된 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 상부전극은, 상기 챔버 내 상측에 구비되며 하부가 개방된 샤워 헤드 몸체부; 상기 샤워 헤드 몸체부의 하부에 구비되어 미세한 공정가스 확산공이 다수개 형성되어 있는 판상의 샤워 헤드; 상기 샤워 헤드의 상부에 구비되며 상기 샤워 헤드를 냉각시키는 냉각부재; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
플라즈마 처리장치, 상부 전극, 냉각부재, 샤워 헤드(Shower head), 냉각

Description

플라즈마 처리장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE WITH PLASMA}
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예의 냉각부재를 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예의 냉각부재를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예의 냉각부재를 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예의 냉각부재를 도시한 평면도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 챔버 110 : 상부 전극
110a : 샤워 헤드 몸체부 112 : 샤워 헤드(Shower head)
116, 216, 316, 416 : 냉각부재
116a, 216a, 316a, 416a : 유로
116b : 관통홀 130 : 열전달 매체
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 플라즈마를 발생시켜 소정의 처리를 실시할 때 상부 전극의 온도를 제어함에 따라 온도 균일성을 확보할 수 있고, 샤워 헤드의 유지보수가 용이한 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
반도체 장치, 액정표시 장치 등의 제조 프로세스에는, 플라즈마를 사용하여 기판의 표면을 처리하는 플라즈마 처리장치가 많이 사용되고 있다. 이러한 플라즈마 처리장치로는, 기판에 에칭을 실시하는 플라즈마 에칭 장치나, 화학적 기상 성장(Chemical Vapor Deposition : CVD)을 실시하는 플라즈마 CVD 장치 등을 예로 들 수 있다.
이러한 플라즈마 처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 진공 상태와 대기압 상태가 반복적으로 수행되는 챔버(1)와 상기 챔버(1)내 상하측에 서로 평행하게 대향하는 2개의 평판 전극(10, 20)을 구비한다. 2개의 전극 중 하부 전극(20) 상에는 기판(S)이 탑재된다. 따라서 이 하부 전극(20)을 기판 탑재대라고도 한다.
그리고 상기 챔버(1)에는 도 1에 도시된 바와 같이, 그 내부의 가스를 배기시키기 위한 통로인 배기홀(2)이 상기 챔버(1)의 하부 가장자리에 다수개 형성되고 각각의 배기홀(2)과 연통되되 상기 챔버(1) 외부에 마련되는 펌프(P)에 의하여 상기 챔버(1) 내부의 기체를 흡입하여 제거하고, 상기 챔버(1) 내부를 진공 상태로 유지한다.
다음으로, 상기 상부 전극(10)은 상기 하부 전극(20)과 대향하는 위치에 마련된다. 상기 상부 전극(10)은 전극으로서의 역할뿐만 아니라, 양 전극 사이에 공 정가스를 공급하는 공정가스 공급부의 역할도 수행한다.
따라서, 상기 상부 전극(10)은 도 1에 도시된 바와 같이 하부가 개방된 샤워 헤드 몸체부(10a)가 구비되고 상기 샤워 헤드 몸체부(10a)의 하부에 샤워 헤드(Shower head : 12)가 고정되어 마련된다. 여기에서 상기 샤워 헤드(12)에는 미세한 직경을 가지는 다수개의 공정가스 확산공(14)이 형성된다. 따라서, 상기 샤워 헤드(12)를 통해서 공정가스가 양 전극(10, 20) 사이의 공간으로 균일하게 공급된다. 상기 상, 하부전극(10, 20) 사이에 공급된 처리가스는 상기 상, 하부전극(10, 20)으로의 고주파 전력 인가에 의해 플라즈마화 되고, 이 플라즈마에 의해 기판(S)의 표면이 처리된다.
그리고 상기 상부 전극(10)에는 냉각제가 순환할 수 있는 유로(16)가 형성된다. 상기 유로(16)는 상부 전극(10)을 수평 방향으로 관통하여 형성되며, 하나로 연결되어 형성되되, 상기 상부 전극(10)의 모든 영역에 걸쳐서 고르게 형성된다.
상기 유로(16)의 일단은 외부와 연통되는 냉각제 공급관(17)에 연결되고, 타단은 냉각제 회수관(18)에 연결된다. 따라서, 상기 냉각제 공급관(17) 및 냉각제 회수관(18)을 통하여 새로운 냉각제를 공급받고, 사용된 냉각제를 회수하여 냉각제를 순환시키는 것이다. 더욱이, 상기 유로(16)는 플라즈마 발생과정에서 샤워 헤드(12)의 온도 상승으로 인하여 플라즈마 처리장치에 의하여 진행되는 공정에 영향이 미치는 것을 방지하기 위한 것이다.
그리고 상기 챔버(1)의 내벽과 하부 전극(20)의 이격 공간에 구비되어 공정수행 중 또는 공정이 수행된 후 챔버(1) 내의 미반응가스 및 공정 중에 발생한 폴 리머(Polymer) 등을 챔버(1) 외부로 배기시키도록 상기 챔버(1)의 바닥에 형성된 배기홀(2)의 상측에 배플(Baffle : 20a)이 마련된다.
상기 배플(20a)은 펌프(P)와의 통로 역할을 하고 공정가스의 흐름을 지연시키며, 상기 챔버(1) 하부면 모서리에 각각 형성된 배기홀(2)을 통해 공정가스가 배출되기 전 1차적으로 블럭킹(blocking)시키는 기능을 한다.
여기서, 상기 배플(20a)은 적정 간격으로 배열되는 슬릿(Slit : 도면에 미도시)이 다수개 형성된다.
즉, 상기 챔버(1)의 저면 중 하부 전극(20)과의 이격 공간에 형성되는 배기홀(2)을 통해 미반응 가스 등이 곧바로 펌프(P)를 향해 이동하는 것이 아니라, 상기 배플(20a)에 의하여 그 흐름이 일단 멈추었다가 슬릿을 통하여 조금씩 배기되는 것이다.
결국, 상기 배플(20a)을 설치함에 따라 모서리 부분 이외의 부분에서 공정가스가 통과하는 길을 좁혀 줌으로써 공정가스 배출속도를 늦추어 줄 수 있다. 따라서 하부 전극(20)의 모서리와 가장자리 부분의 가스 흐름 속도를 일정하게 맞추어 줄 수 있다.
여기서, 상기 상부 전극(10)이 플라즈마에 노출되어 온도 상승함에 따라 상기 상부 전극(10)의 냉각이 요구되는 실정으로 종래에는 온도 상승하는 샤워 헤드(12)를 직접 냉각시키지 않고 상기 상부 전극(10)의 샤워 헤드 몸체부(10a) 상단 내부에 냉각제가 순환되는 유로(16)를 형성하여 간접적으로 샤워 헤드(12)를 냉각시킴에 따라 상기 샤워 헤드(12)의 온도 균일성 확보가 불가능하여 결국 냉각 효율 이 저하되는 문제점이 있었다.
이렇게, 상기 샤워 헤드(12)는 간접 방식에 의해 정밀한 온도 조절이 어려워 적정 온도를 유지하기 힘들며, 그로 인해 상기 샤워 헤드(12)의 온도가 상승하는 경우에는 고주파 전력의 전달효율이 저하되고 식각 비율이나 식각 균일도 등이 영향을 받아서 프로세스(Process) 재현성이 저하되는 문제점이 있다.
그리고 상기 상부 전극(10)은 플라즈마에 직접 노출되므로 플라즈마에 의해 소모됨을 초래하게 되며 상기 상부 전극(10)을 챔버(1) 외부로 분리한 다음 상기 상부 전극(1)에서 샤워 헤드(12)를 분리하므로 상기 상부 전극(10)의 유지보수 시간 및 비용이 증가하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 상기 상부 전극 중 플라즈마에 노출되는 샤워 헤드를 직접 냉각시켜 더욱 정밀하게 상기 샤워 헤드의 온도 균일성이 확보될 수 있고, 플라즈마에 직접 노출되는 샤워 헤드를 용이하게 교체할 수 있게 한 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 상기 냉각부재와 샤워 헤드 사이에 열을 전도할 수 있는 매체를 개재하여 냉각 효율을 더 상승시킬 수 있게 한 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 챔버, 상기 챔버 내부에 설치되며 진공상태에서 기판상에 플라즈마에 의한 처리가 가능하게 하는 상부전극 및 하 부전극이 구비된 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 상부전극은, 상기 챔버 내 상측에 구비되며 하부가 개방된 샤워 헤드 몸체부; 상기 샤워 헤드 몸체부의 하부에 구비되어 미세한 공정가스 확산공이 다수개 형성되어 있는 판상의 샤워 헤드; 상기 샤워 헤드의 상부에 구비되며 상기 샤워 헤드를 냉각시키는 냉각부재; 를 포함하여 이루어짐으로써, 플라즈마에 직접적으로 노출되어 온도 상승되는 상기 샤워 헤드를 냉각부재에 의해 냉각시켜 적정 온도로 상기 샤워 헤드의 온도를 정밀하게 조절할 수 있으므로 바람직하다.
또한, 본 발명에서의 상기 샤워 헤드와 상기 냉각부재의 사이에 밀착된 상태로 열전달 매체가 개재됨으로써, 상기 냉각부재의 내부에서 순환되는 냉각제를 통한 냉각 효율에 열전달 매체의 의해 열전도도가 배가되므로 상기 샤워 헤드의 냉각 효율이 상승되므로 바람직하다.
이때, 상기 냉각부재, 열전달 매체, 샤워 헤드는, 그 사이에 이격 공간이 없이 상호 밀착된 상태에서 샤워 헤드를 직접 냉각시킬 수 있도록 구성됨과 아울러, 상기 냉각부재의 상면과 샤워 헤드 몸체부 내의 상면 사이에는 이격된 이격 공간이 형성되고, 상기 이격 공간으로 유입된 공정 가스는, 서로 연결되어 통하는 냉각부재의 관통홀, 열전달 매체의 구멍, 샤워 헤드의 공정가스 확산공을 통해 챔버 내부로 확산시킬 수 있도록 구성되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에서의 상기 샤워 헤드는, 상기 샤워 헤드 몸체부에서 결합 또는 분리됨으로써, 플라즈마에 노출되는 상기 샤워 헤드가 소모되어 유지보수가 필요할 경우 분리가 용이하므로 바람직하다.
이하, 본 발명의 플라즈마 처리장치를 첨부도면을 참조하여 일 실시예를 들어 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 도 2에 도시된 바와 같이 내부에서 기판(S)에 공정이 수행되는 챔버(100)와, 상기 챔버(100)내 상측과 하측에 각각 구비되는 상부 전극(110) 및 하부 전극(120)으로 이루어진다.
여기서, 상기 챔버(100)와 하부 전극(120)은 종래의 그것과 동일한 구조와 기능을 하므로 상세한 설명은 생략한다.
상기 챔버(100)의 바닥 모서리에 배기홀(101)이 각각 형성되고 상기 배기홀(101)의 상측인 상기 챔버(110)와 하부 전극(120)과의 사이에 구비되는 배플(120a)은 펌프(P)와의 통로 역할을 하여 공정가스의 흐름을 지연시켜 균일한 공정가스가 배출될 수 있도록 상기 배기홀(101)을 통해 공정가스가 배출되기 전 1차적으로 블럭킹(blocking)시키는 기능을 한다.
상기 상부 전극(110)은 샤워 헤드 몸체부(110a)와, 샤워 헤드(Shower head : 112)와, 냉각부재(116) 및 열전달 매체(130)로 이루어진다.
상기 샤워 헤드 몸체부(110a)는 하부가 개구된 블럭 형상으로 상기 챔버(100) 내부 상측에 고정되며, 내벽 상단에는 면적이 축소되도록 단차가 형성되고 가장자리에 동일한 간격으로 수직 방향의 관통 구멍이 다수 형성된다.
여기서, 상기 샤워 헤드 몸체부(110a)의 내벽에 형성된 단차는 상기 상부 전극(110)의 조립시 상기 냉각부재(116)의 상면 가장자리를 샤워 헤드 몸체부(110a)의 단차가 접한 상태로 가압하여 상기 냉각부재(116)를 견고하게 고정시킨다.
상기 샤워 헤드(112)는 상기 샤워 헤드 몸체부(110a)의 개구된 하부에 결합 또는 분리가 가능하도록 상기 챔버(100)의 상측에서 볼트로 체결할 수 있으며, 상 기 볼트가 상기 샤워 헤드 몸체부(110a) 가장자리에 형성된 구멍을 통해 삽입되어 결국, 샤워 헤드(112)에 체결되고 상기 샤워 헤드(112)를 샤워 헤드 몸체부(110a)에 결합시킨다.
결국, 상기 샤워 헤드(112)에는 상기 볼트가 삽입되는 위치마다 나선홈이 소정 깊이로 형성된다. 그리고 상기 샤워 헤드(112)는 적정 두께를 갖는 판상으로 다수개가 적정 간격으로 배열되는 공정가스 확산공(114)이 형성되며, 상기 공정가스 확산공(114)을 통해 챔버(100) 내부의 기판(S)에 공정가스를 확산시킨다.
한편, 상기 샤워 헤드 몸체부(110a)에 냉각부재(116)를 위치시키면 상기 냉각부재(116)의 상면과 샤워 헤드 몸체부(110a)내 상면은 서로 적정 간격을 갖도록 이격되어 공간이 형성되는데 이 공간은 공정가스가 상부 전극(110)으로 유입되어 각각의 냉각부재(116)의 관통홀(116b)을 거치면서 샤워 헤드(112)의 공정가스 확산공(114)으로 확산시키는 장소이다.
상기 냉각부재(116)는 적정 두께를 갖는 판상으로 그 내부에 적정 형상의 유로(116a)가 형성되며, 상기 유로(116a)의 양 끝단에 냉각제를 공급하는 공급관(117)과 회수관(118)이 구비된다.
상기 공급관(117)은 상기 챔버(100) 내외부를 관통하도록 마련되며, 유로(116a)의 일단인 유입구에 연결되고 상기 공급관(117)은 외부로부터 유로(116a)로 새로운 냉각제를 공급하는 역할을 한다.
그리고 상기 회수관(118)은 공급관(117)과 마찬가지로 챔버(100) 내외부를 관통하도록 마련되며, 상기 유로(116a)의 타단에 연결된다. 이 회수관(118)은 유로 (116a)를 통과하여 데워진 냉각제를 챔버(100) 외부로 배출시켜 회수하는 역할을 한다.
한편, 상기 공급관(117)과 회수관(118)은 서로 연결되되 그 도중에 냉각제 순환 펌프(도면에 미도시)를 구비하여 상기 공급관(117) 및 회수관(118)에 연결되도록 마련되며, 상기 냉각제 순환 펌프를 이용하여 냉각제를 강제로 순환시킨다. 물론, 상기 냉각제 순환 펌프에는 일정량의 냉각제를 보관할 수 있는 냉각제 보관 탱크(도면에 미도시)가 더 마련될 수도 있다.
상기 열전달 매체(130)는 상기 샤워 헤드(112)와 상기 냉각부재(116)와의 사이에 밀착된 상태로 개재되며, 연성을 갖으면서 열 전도도가 우수한 재질로 형성되되 일 예로 실리콘 패드(Silicone pad)를 사용한다.
여기서, 상기 열전달 매체(130)가 실리콘 패드와 같이 연성의 재질로 사용되는 것은 상기 샤워 헤드(112)의 발생 열이 냉각부재(116)로 전도되게 하는 역할도 하지만, 상기 샤워 헤드(112)를 유지보수하기 위해 상기 냉각부재(116)에 사용하지 않은 샤워 헤드(112)를 결합시킬 때 그 중간에 연성의 재질인 열전달 매체(130)가 개입되어 상호 밀착력을 상승시키는 이점도 있기 때문이다.
그리고 상기 열전달 매체(130)는 판상으로 상기 샤워 헤드(112)의 공정가스 확산공(114)과 동일수직선상 위치마다 관통된 구멍이 형성된다.
즉, 상기 열전달 매체(130)의 구멍들은 상기 샤워 헤드(112)와 냉각부재(116)에 결합될 때 상기 샤워 헤드(112)의 공정가스 확산공(114) 및 냉각부재(116)의 관통홀(116b)과 서로 연결되어 통할 수 있도록 구비되어 공정가스가 기판(S)을 향해 분사된다.
한편, 전술한 냉각부재(116)는 도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이 그 내부에 형성된 유로(116a)가 다양하게 변경 실시가 가능하며, 일체형 또는 복수개가 대칭되는 대칭형 등으로 형성된다.
더욱이, 상기 냉각부재(116)의 내부에 유로(116a)가 형성되므로 상기 유로(116a)를 가공할 때 냉각부재(116)의 양측면을 교차되도록 관통시키고 일체로 통하게 하기 위해 구멍을 막거나, 상기 냉각부재(116)를 상하로 구비하고 각각에 유로(116a)를 반씩 가공한 다음 서로 부착시켜 형성시킬 수도 있다.
우선, 상기 냉각부재(116)의 내부에 종 방향으로 반복되는 지그재그 형상의 유로(116a)가 형성되고 그 양 끝단에 공급관(117)과 회수관(118)이 연결되며, 상기 유로(116a)와 겹치지 않으면서 샤워 헤드(112)의 공정가스 확산공(114)과 연결되도록 관통홀(116b)이 다수개 형성된다. (도 3 참조)
다음으로, 상기 냉각부재(216)의 내부에 종 방향으로 반복되는 지그재그 형상의 유로(216a)가 형성되되 양측이 서로 대칭되도록 복수개를 형성하되 그 각각의 양 끝단에 공급관(217a)과 회수관(218b)을 각각 연결되며, 상기 유로(216a)와 겹치지 않으면서 샤워 헤드(112)의 공정가스 확산공(114)과 연결되도록 관통홀(216b)이 다수개 형성된다. (도 4 참조)
다음으로, 상기 냉각부재(316)의 내부에 횡 방향으로 반복되는 지그재그 형상의 유로(316a)가 형성되고 그 양 끝단에 공급관(317)과 회수관(318)이 연결되며, 상기 유로(316a)와 겹치지 않으면서 샤워 헤드(112)의 공정가스 확산공(114)과 연 결되도록 관통홀(316b)이 다수개 형성된다. (도 5 참조)
다음으로, 상기 냉각부재(416)의 내부에 횡 방향으로 반복되는 지그재그 형상의 유로(416a)가 형성되되 양측이 서로 대칭되도록 복수개를 형성하되 그 각각의 양 끝단에 공급관(417a)과 회수관(418b)을 각각 연결되며, 상기 유로(416a)와 겹치지 않으면서 샤워 헤드(112)의 공정가스 확산공(114)과 연결되도록 관통홀(416b)이 다수개 형성된다. (도 6 참조)
한편, 본 발명에서는 상기 유로(116a, 216a, 316a, 416a)를 종 방향 또는 횡 방향으로 한정하여 설명하였지만 굴절이 반복되는 형상으로 형성될 수 있다.
그러므로 본 발명의 플라즈마 처리장치의 상부 전극을 냉각시키는 과정은 도 2에 도시된 바와 같이 상기 챔버(100) 내부에서 하부 전극(120)에 안착된 기판(S)에 공정 처리할 때 플라즈마의 직접 접촉되는 샤워 헤드(112)의 온도가 상승되기 때문에 상기 샤워 헤드(112)를 냉각시킨다.
이때, 상기 샤워 헤드(112)의 상부에 구비된 냉각부재(116)는 그 일단에 구비된 공급관(117)을 통해 냉각제가 공급되고 공급된 냉각제가 유로(116a)를 순환하여 상기 유로(116a)의 타단에 구비된 회수관(118)으로 회수되므로 냉각제가 순환하여 샤워 헤드(112)의 온도를 설정 온도로 하강시켜 균일하게 적정 온도를 유지시킨다.
더욱이, 상기 샤워 헤드(112)와 냉각부재(116)의 사이에는 열전도도가 우수한 열전달 매체(130)가 밀착된 상태로 개재되어 상기 샤워 헤드(112)의 온도가 냉 각부재(116)로 전도됨에 따라 샤워 헤드(112)의 온도를 더욱 정밀하게 유지시킬 수 있다.
그리고 온도 상승되는 샤워 헤드(112)는 소모되므로 유지보수가 필요할 때 상기 챔버(100)에서 삽입되어 상기 샤워 헤드(112)를 샤워 헤드 몸체부(110a)에 결합시킨 볼트를 분리한 다음 용이하게 교체가 가능하다.
여기서, 상기 샤워 헤드(112)의 고정시 연성의 열전달 매체(130)에 의해 샤워 헤드(112)를 냉각부재(116)에 더욱 밀착시킬 수 있다.
이와 같은 본 발명의 플라즈마 처리장치는 상기 샤워 헤드를 냉각제의 순환에 따라 냉각시키는 냉각부재를 샤워 헤드에 직접 접촉된 상태로 구비시켜 상기 샤워 헤드의 온도를 더욱 정밀하게 조절할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기 샤워 헤드와 냉각부재 사이에 열전도도가 우수한 열전달 매체가 밀착된 상태로 구비되어 상기 샤워 헤드의 열 효율을 상승시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 상기 샤워 헤드를 챔버를 통해 삽입되는 볼트에 의해 용이하게 결합 또는 분리시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (8)

  1. 챔버, 상기 챔버 내부에 설치되며 진공상태에서 기판상에 플라즈마에 의한 처리가 가능하게 하는 상부전극 및 하부전극이 구비된 플라즈마 처리장치에 있어서,
    상기 상부전극은, 상기 챔버 내 상측에 구비되며 하부가 개방된 샤워 헤드 몸체부, 상기 샤워 헤드 몸체부의 하부에 구비되어 미세한 공정가스 확산공이 다수개 형성되어 있는 판상의 샤워 헤드, 상기 샤워 헤드의 상부에서 상기 샤워 헤드 몸체부의 내벽 단차에 의해 가압 지지되어 상기 샤워 헤드를 냉각시킬 수 있도록 소정 두께를 갖는 판상으로 내부에 냉각제가 순환되는 유로가 적정 형상으로 형성되는 냉각부재, 및 상기 샤워 헤드와 상기 냉각부재의 사이에 밀착된 상태로 개재되는 판상으로 상기 샤워 헤드의 공정가스 확산공과 연결되는 구멍이 다수개 형성되는 연성을 갖는 열전달 매체를 포함하고;
    상기 냉각부재, 열전달 매체, 샤워 헤드는, 그 사이에 이격 공간이 없이 상호 밀착된 상태에서 샤워 헤드를 직접 냉각시킬 수 있도록 구성됨과 아울러,
    상기 냉각부재의 상면과 샤워 헤드 몸체부 내의 상면 사이에는 이격된 이격 공간이 형성되고,
    상기 이격 공간으로 유입된 공정 가스는, 서로 연결되어 통하는 냉각부재의 관통홀, 열전달 매체의 구멍, 샤워 헤드의 공정가스 확산공을 통해 챔버 내부로 확산시킬 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 유로는,
    일체형의 지그재그 형상으로 그 양끝단에 유입구와 배출구가 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 유로는,
    독립적으로 제어되는 대칭형의 지그재그 형상으로 그 양끝단에 유입구와 배출구가 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서, 상기 열전달 매체는,
    실리콘 패드(Silicone pad)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 샤워 헤드는,
    상기 샤워 헤드 몸체부에서 결합 또는 분리되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
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