KR20090128961A - 기판처리장치 - Google Patents

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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment

Abstract

본 발명은 가스분배판의 열팽창에 의해, 가스분배판과 지지대의 접촉에 의해 발생하는 이물질을 포집하는 포집수단을 설치하여, 최적의 공정조건 유지하는 기판처리장치에 관한 것으로, 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되는 후방 플레이트; 상기 후방 플레이트에서 연장되며, 상기 후방 플레이트에서 연장되는 내벽과 상기 내벽으로부터 확장되는 거치부를 포함하는 지지대; 상기 거치부에 거치되며, 다수의 분사홀을 가지는 가스분배판; 상기 가스분배판과 인접한 상기 거치부의 외주연을 따라 설치되는 제 1 포집수단; 상기 가스분배판의 하부에 설치되며 기판을 안치하는 기판안치수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
가스분배판, 열팽창, 이물질, 포집부, 방지벽

Description

기판처리장치{Apparatus for treatmenting substrate}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 가스분배판의 열팽창에 의해, 가스분배판과 지지대의 접촉에 의해 발생하는 이물질을 포집하는 포집수단을 설치하여, 최적의 공정조건 유지하는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치(Liquid Crystal Device) 또는 유리기판 상에 형성되는 박막 태양전지의 제조공정에서는 높은 생산성을 확보하기 위하여 대면적의 유리기판을 사용한다. 액정표시장치 또는 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 되며, 이들 각 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치의 내부에서 진행된다.
액정표시장치 또는 박막 태양전지에서, 증착공정 및 식각공정은 공정챔버 내부에서 상부로부터 다운 스트림 방식으로 반응 및 소스물질이 가스 상태로 유입되어 진행하며, 공정챔버는 반응 및 소스가스가 기판 상면에 균일하게 분포될 수 있 도록 기판 상부에 다수의 관통홀이 형성되어 있는 가스분배판을 포함한다. 그런데, 대면적의 기판을 사용함에 따라, 대면적의 가스분배판을 사용하게 된다. 대면적의 가스분배판은 고온의 공정을 진행할 때, 가스분배판이 팽창하면서, 가스분배판이 지지대와 마찰하면서 이물질이 발생하고, 이물질이 챔버의 내부에 유입되어 기판 상에 형성되는 박막 또는 식각에 영향을 주는 문제가 발생한다.
종래기술에 대한 기판처리장치의 일예를 설명하면 다음과 같다. 도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 개략도이고, 도 2는 종래기술에 따른 기판처리장치에서 이물질의 발생 모식도이다.
기판처리장치(10)는 밀폐공간을 제공하는 공정챔버(12), 공정챔버(12) 내부의 상부에 위치하며, 플라즈마 전극으로 사용되는 후방 플레이트(14), 후방 플레이트(14)와 연결되며 공정챔버(12)의 내부에 소스가스를 공급하는 가스 공급관(36), 후방 플레이트(14)의 하부에 위치하며, 다수의 분사홀(16)을 가지는 알루미늄 재질의 가스분배판(18), 플라즈마 전극과 대향전극으로 사용되며 기판(20)이 안치되는 기판안치대(22), 공정챔버(12)의 내부에서 사용되는 반응가스 및 부산물을 배출하기 위한 배출구(24)로 포함하여 구성된다. 그리고 후방 플레이트(14)는 RF전원(30)과 연결되고, 후방 플레이트(14)와 RF전원(30) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(32)가 설치된다.
가스분배판(18)은 후방 플레이트(14)와 버퍼공간(26)을 가지고, 후방 플레이트(14)로부터 연장되어 연결되는 지지대(28)에 거치된다. 가스분배판(18)의 열변형과 가스분배판(18)의 중앙부가 하부로 처지는 현상을 방지하기 위하여, 가스 공급관(14)의 중앙부와 대응되는 후방 플레이트(14)를 볼트(34)에 의해 결합시킨다. 볼트(34)에 의한 결합에 의해, 기판처리과정에서 발생할 수 있는 열변형에 기인한 가스분배판(18)의 변형을 방지하여, 가스분배판(18)과 기판안치대(22)의 간격을 균일하게 유지시키는 기능을 한다.
도 2와 같이, 공정챔버(12)의 온도가 300도 이상으로 가열되면, 가스분배판(12)이 열팽창되어, 지지대(28)의 내벽 쪽으로 확장되면서, 가스분배판(12)와 지지대(28)의 접촉부분에서 마찰에 의해 이물질이 발생한다. 가스분배판(12)와 지지대(28)의 마찰에 의해 발생된 이물질은 크게 2 개의 경로를 통해 확산된다. 첫번째는 이물질이 버퍼공간(26)으로 확산되어, 다수의 분사홀(16)을 통하여 가스분배판(18)과 기판안치대(22) 사이로 재차 확산되는 경로이고, 두번째는 이물질이 직접적으로 가스분배판(18)과 기판안치대(22) 사이의 공간으로 직접 확산되는 경로이다. 따라서, 가스분배판(18)의 열팽창에 의해 가스분배판(18)과 지지대(28)의 마찰에 의해 발생되는 이물질은 기판(20)의 박막증착 또는 식각공정의 질을 저하시킨다.
상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 가스분배판의 열팽창에 의해, 가스분배판과 지지대의 접촉에 의해 발생하는 이물질을 포집하는 포집수단을 설치하여, 최적의 공정조건 유지하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 가스분배판의 열팽창에 의해, 가스분배판과 지지대의 접촉에 의해 발생하는 이물질을 포집하는 포집수단을 가스분배판과 지지대에 설치하여, 최적의 공정조건 유지하는 기판처리장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
본 발명은 지지대와 접촉면적을 최소화하기 위해 지지대와 선접촉하는 돌출부를 가스분배판에 설치하여, 마찰면적을 감소시킨 기판처리장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되는 후방 플레이트; 상기 후방 플레이트에서 연장되며, 상기 후방 플레이트에서 연장되는 내벽과 상기 내벽으로부터 확장되는 거치부를 포함하는 지지대; 상기 거치부에 거치되며, 다수의 분사홀을 가지는 가스분배판; 상기 가스분배판과 인접한 상기 거치부의 외주연을 따라 설치되는 제 1 포집수단; 상기 가스분배판의 하부에 설치되며 기판을 안치하는 기판안치수단;을 포함 하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 제 1 포집수단은 상기 거치부의 외주연을 따라 설치되며, 상기 거치부의 내면보다 높은 높이의 방지벽인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 가스분배판은 상기 가스분배판의 외주연을 따라, 상기 거치부와 접촉하는 돌출부를 설치하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 돌출부는 상기 다수의 가스 분사홀과 인접한 부분에서 경사면을 가지고, 상기 내벽과 대향하는 부분에서 수직면을 가지는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 경사면과 상기 수직면이 만나는 상기 돌출부의 단부가 상기 거치부와 선접촉하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 제 1 포집수단은 상기 거치부의 외주연을 따라 설치된 도랑인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 도랑은 깊이가 너비에 비하여 2 내지 5 배인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 제 1 포집수단은 상기 방지벽과 상기 돌출부 사이의 포집공간을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 후방 플레이트와 대향하는 상기 가스분배판에서, 상기 가스분배판의 외주연을 따라 설치되는 제 2 포집수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 제 2 포집수단은 상기 가스분배판의 외주연을 따라 설치되는 도랑인 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 도랑은 깊이가 너비와 비교하여 2 내지 5 배인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명은 가스분배판의 열팽창에 의해, 가스분배판과 지지대의 접촉에 의해 발생하는 이물질을 포집하는 포집수단을 지지대와 인접한 가스분배판에 설치하여, 버퍼공간으로 비산되는 이물질을 포집하고, 지지대에 또 다른 포집수단을 설치하여, 가스분배판과 기판안치대으로 비산되는 이물질을 포집하여, 최적의 공정조건을 유지한다. 또한, 가스분배판의 외주연을 따라 돌출부를 설치하여, 돌출부가 지지대의 거치부와 접촉하게 하여, 접촉면적을 최소시켜 마찰에 의한 이물질의 발생을 감소시킨다. 따라서, 기판 상에 균일한 박막의 증착 또는 식각이 가능하다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 제 1 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 부분 상세도이고, 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 가스분배판의 평면도이다.
도 3과 같이, 본 발명의 기판처리장치(110)는 밀폐공간을 제공하며, 상부리드(138)를 가지는 공정챔버(112), 공정챔버(112) 내부의 상부에 위치하며, 플라즈마 전극으로 사용되는 후방 플레이트(114), 후방 플레이트(114)와 연결되며 공정챔버(112)의 내부에 소스가스를 공급하는 가스 공급관(136), 후방 플레이트(114)의 하부에 위치하며, 다수의 분사홀(116)을 가지는 알루미늄 재질의 가스분배판(118), 플라즈마 전극과 대향전극으로 사용되며 기판(120)이 안치되는 기판안치대(122), 공정챔버(112)의 내부에서 사용되는 반응가스 및 부산물을 배출하기 위한 배출구(124)로 포함하여 구성된다. 그리고 후방 플레이트(114)는 RF전원(130)과 연결되고, 후방 플레이트(114)와 RF전원(130) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(132)가 설치된다.
가스분배판(118)은 후방 플레이트(114)와 버퍼공간(126)을 가지고, 후방 플레이트(114)로부터 연장되어 연결되는 지지대(clamp)(128)에 거치된다. 가스분배판(118)의 열변형과 가스분배판(118)의 중앙부가 하부로 처지는 현상을 방지하기 위하여, 가스 공급관(114)의 중앙부와 대응되는 상부리드(138)를 후방 플레이트(114)를 관통하여 볼트(134)에 의해 결합시킨다. 볼트(134)에 의한 결합은 기판처리과정에서 발생할 수 있는 열변형에 기인한 가스분배판(118)의 변형을 방지하고 가스분배판(118)과 기판안치대(122)의 간격을 균일하게 유지시키는 기능을 한다.
도 4와 같이, 지지대(128)는 후방 플레이트(114)로부터 연장되는 내벽(154)과, 내벽(154)로부터 공정챔버(112)의 내측으로 확장되어 가스분배판(118)이 거치되는 거치부(156)로 구성된다. 가스분배판(118)의 열팽창을 고려하여, 가스분배판(156)은 지지대(128)의 거치부(156)는 열팽창되는 간격 이상으로 이격되어 거치된다. 가스분배판(118) 상부에는 가스분배판(118)의 열팽창에 의해 지지대(128)의 거치부(156)과의 마찰에 의해 발생되는 이물질을 포집하기 위해 포집수단으로 하나 이상의 도랑(ditch) 형상의 포집부(170)를 설치한다.
포집부(170)는 가스분배판(118)과 거치부(156)의 마찰에 의해 발생한 이물질이 버퍼공간(126)으로 비산되고, 가스분배판(118)의 다수의 분사홀(116)을 통하여, 기판(120) 상에 분사되는 것을 방지하는 기능을 한다. 버퍼공간(126)에서 비산되는 이물질이 지지대(128)와 인접한 포집부(170)에 포집되면, 포집부(170)의 외부로 다시 나오지 않도록, 포집부(170)는 너비에 비하여 깊이를 깊게 설치한다. 포집부(170)의 깊이는 너비와 비교하여 2 내지 5 배로 형성하는 것이 바람직하다. 포집부(170)는 다수의 분사홀(116)이 설치되지 않은 가스분배판(118)의 외곽에 위치하고, 또한 다수의 분사홀(116)에 영향을 주지지 않도록 형성한다.
도 5와 같이, 포집부(170)는 가스분배판(118)의 외주연을 따라 연속적으로 연장된 상태로 설치되며, 바람직하게는 1 내지 3 개의 포집부(170)를 설치한다. 그 리고, 도면에서 도시하지 않았지만 필요에 따라, 가스분배판(118)의 외주연을 따라 독립된 다수의 포집부를 단속적으로 설치할 수 있다. 포집부(170)에 포집된 이물질은 기판처리장치의 정기적 또는 비정기적 점검 시에 제거된다.
그러나, 본 발명의 제 1 실시예에서는 버퍼공간(126)에서 가스분배판(118)과 지지대(128)의 마찰에 의해 발생되는 이물질의 포집이 가능하지만, 가스분배판(118)과 기판안치대(122) 사이에서 발생하는 이물질의 포획은 불가능한 문제가 있다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판처리장치에서는 지지대의 거치부에 방지벽을 설치하여, 가스분배판과 기판안치대의 사이의 공간으로 비산될 수 있는 이물질을 포집할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판처리장치의 부분 상세도이고, 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판처리장치의 지지대에 대한 평면도이다. 도 6과 같이, 제 1 포집수단으로 가스분배판(118)이 거치되는 지지대(128)의 거치부(156)의 외주연을 따라 방지벽(172)을 설치하고, 제 2 포집수단으로 버퍼공간(126)의 내부에서 가스분배판(118)의 외주연에 따라 포집부(170)를 설치한다. 가스분배판(118)의 단부에는 돌출부(174)를 설치하고, 돌출부(174)가 거치부(156)과 접촉한다.
가스분배판(118)과 방지벽(172) 사이에는 포집공간(176)이 형성되고, 포집공 간(176)에는 가스분배판(118)의 돌출부(174)가 지지대(128)의 거치부(156)와의 마찰에 의해 발생되는 이물질이 포집된다. 방지벽(172)은 거치부(156)의 내면보다 높은 높이로 설치된다. 방지벽(172)과 마주보는 돌출부(174)는 경사면을 가지고, 내벽(154)와 대향하는 돌출부(174)는 내벽(154)와 평행한 수직면을 가진다. 경사면(174)은 이물질이 방지벽(172)을 넘어 가스분배판(118)과 기판안치대(122) 사이로 비산되는 것을 방지하는 기능을 한다.
또한 돌출부(174)의 경사면으로 인해, 돌출부(174)가 거치부(156)와 접촉하는 면적을 축소시켜, 마찰면적을 최소화하는 기능을 하여, 마찰에 의한 이물질의 발생을 줄일 수 있다. 도 7과 같이, 방지벽(172)은 거치부(156)의 외주연을 따라 연속적으로 연장되어 형성된다. 그리고, 도면에서 도시하지 않았지만, 방지벽(172)은 높이가 같은 형태 또는 높이가 순차적으로 높아지는 형태로 2 개 이상 설치할 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에서는 버퍼공간(126)에서 가스분배판(118)과 지지대(128)의 마찰에 의해 발생되는 이물질의 포집이 가능하지만, 가스분배판(118)과 기판안치대(122) 사이에서 발생하는 이물질의 포획은 불가능한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판처리장치에서는 지지대의 거치부에 또 다른 포집수단을 설치하여, 공정챔버의 공간에 발생되는 이물질을 포집할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판처리장치의 부분 상세도이고, 도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판처리장치의 지지대에 대한 평면도이다. 도 8과 같이, 제 1 포집수단으로 가스분배판(118)이 거치되는 지지대(128)의 거치부(156)의 외주연을 따라 제 2 포집부(180)을 설치하고, 제 2 포집수단으로 버퍼공간(126)의 내부에서 가스분배판(118)의 외주연에 제 2 포집부(178)를 설치한다. 가스분배판(118)의 단부에는 돌출부(174)를 설치하며, 가스분배판(118)의 열팽창에 따라, 돌출부(174)는 지지대(128)의 내벽(154)와 제 1 포집부(180) 사이의 거치부(156) 상에서 이동된다. 제 1 포집부(180)에는 가스분배판(118)의 돌출부(174)가 지지대(128)의 거치부(156)와의 마찰에 의해 발생되는 이물질이 포집된다.
제 1 포집부(180)와 인접한 돌출부(174)는 경사면을 가지고, 내벽(154)와 대향하는 돌출부(174)는 내벽(154)와 평행한 수직면을 가진다. 경사면(174)은 이물질이 제 1 포집부(180)을 넘어 가스분배판(118)과 기판안치대(122) 사이로 비산되는 것을 방지하는 기능을 한다. 도 9와 같이, 제 1포집부(180)는 거치부(156)의 외주연을 따라 연속적으로 연장되어 형성된다. 도면에서 도시하지 않았지만, 제 1 포집부(180)는 2 개 이상 설치할 수 있다. 그리고, 필요에 따라 거치부(156)의 외주연을 따라 독립된 제 1 포집부(180)가 다수 설치될 수 있다.
본 발명의 제 1 실시예에서는 버퍼공간(126)에서 가스분배판(118)과 지지대(128)의 마찰에 의해 발생되는 이물질의 포집이 가능하지만, 가스분배판(118)과 기판안치대(122) 사이에서 발생하는 이물질의 포획은 불가능한 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 제 4 실시예에서는 지지대의 거치부에 방지벽을 설치하여, 공정챔버의 공간에 발생되는 이물질을 포집하고, 지지대의 거치부와 가스분배판의 접촉면적을 최소화하여 이물질의 발생을 감소시키는 기판처리장치를 제공한다.
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판처리장치의 부분 상세도이고, 도 11은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판처리장치의 가스분배판의 평면도이다. 도 10과 같이, 제 1 포집수단으로 가스분배판(118)이 거치되는 지지대(128)의 거치부(156)의 외주연을 따라 방지벽(172)을 설치하고, 제 2 포집수단으로 버퍼공간(126)의 내부에서 가스분배판(118)의 외주연을 따라 포집부(170)를 설치한다. 가스분배판(118)의 단부에는 돌출부(174)를 설치하며, 돌출부(174)가 거치부(156)과 접촉한다. 가스분배판(118)과 방지벽(172) 사이에는 포집공간(176)이 형성되고, 포집공간(176)에는 가스분배판(118)의 돌출부(174)가 지지대(128)의 거치부(156)와의 마찰에 의해 발생되는 이물질이 포집된다.
방지벽(172)과 마주보는 돌출부(174)는 경사면을 가지고, 내벽(154)와 대향하는 돌출부(174)는 수직면을 가진다. 경사면(174)은 이물질이 방지벽(172)을 넘어 가스분배판(118)과 기판안치대(122) 사이로 비산되는 것을 방지하는 기능을 한다. 또한 돌출부(174)는 거치부(156)와 선접촉하여 접촉면적을 최소화한다. 거치부(156)과 접촉하는 돌출부(174)는 경사면과 지지대(128)의 내벽(154)와 마주보는 돌출부(174)의 수직면이 만나는 부분으로 접촉면적이 최소화되어, 마찰에 의해 발생하는 이물질을 감소시킬 수 있다. 도 11과 같이, 돌출부(174)는 가스분배판(118)의 외주연을 따라 연속적으로 연장되어 형성된다. 그리고, 돌출부(174)는 거치부(156)과 밀착되어 있는 상태로, 버퍼공간(126)의 반응 및 소스가스가 누출되지 않는다. 또한, 돌출부(174)를 2 개 이상 설치할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 개략도
도 2는 종래기술에 따른 기판처리장치에서 이물질의 발생 모식도
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 부분 상세도
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 가스분배판의 평면도
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판처리장치의 부분 상세도
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판처리장치의 지지대에 대한 평면도
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판처리장치의 부분 상세도
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판처리장치의 지지대에 대한 평면도
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판처리장치의 부분 상세도
도 11은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판처리장치의 가스분배판의 평면도

Claims (11)

  1. 반응공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버 내부에 설치되는 후방 플레이트;
    상기 후방 플레이트에서 연장되며, 상기 후방 플레이트에서 연장되는 내벽과 상기 내벽으로부터 확장되는 거치부를 포함하는 지지대;
    상기 거치부에 거치되며, 다수의 분사홀을 가지는 가스분배판;
    상기 가스분배판과 인접한 상기 거치부의 외주연을 따라 설치되는 제 1 포집수단;
    상기 가스분배판의 하부에 설치되며 기판을 안치하는 기판안치수단;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 포집수단은 상기 거치부의 외주연을 따라 설치되며, 상기 거치부의 내면보다 높은 높이의 방지벽인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가스분배판은 상기 가스분배판의 외주연을 따라, 상기 거치부와 접촉하 는 돌출부를 설치하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 다수의 가스 분사홀과 인접한 부분에서 경사면을 가지고, 상기 내벽과 대향하는 부분에서 수직면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 경사면과 상기 수직면이 만나는 상기 돌출부의 단부가 상기 거치부와 선접촉하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 포집수단은 상기 거치부의 외주연을 따라 설치된 도랑인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 도랑은 깊이가 너비에 비하여 2 내지 5 배인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 포집수단은 상기 방지벽과 상기 돌출부 사이의 포집공간을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 후방 플레이트와 대향하는 상기 가스분배판에서, 상기 가스분배판의 외주연을 따라 설치되는 제 2 포집수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 포집수단은 상기 가스분배판의 외주연을 따라 설치되는 도랑인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 도랑은 깊이가 너비와 비교하여 2 내지 5 배인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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