KR101035820B1

KR101035820B1 - 전기 광학 장치

Info

Publication number: KR101035820B1
Application number: KR1020090037016A
Authority: KR
Inventors: 신 후지타
Original assignee: 소니 주식회사
Priority date: 2008-05-01
Filing date: 2009-04-28
Publication date: 2011-05-20
Also published as: JP2009271212A; TW201003628A; TWI412011B; CN101572049A; US20090273554A1; US8115719B2; JP5183292B2; CN101572049B; KR20090115670A

Abstract

소비 전력을 저감하는 것이 가능한 전기 광학 장치를 제공한다.

이 액정 표시 장치(전기 광학 장치)(100)는 게이트선(2a)과 데이터선(3a)의 교차에 대응하여 마련된 화소 전극(1c)과, 화소 전극(1c)과 액정(6)을 사이에 두고 대향하도록 배치된 대향 전극(1d)과, 일단이 화소 전극(1c)에 접속되는 유지 용량(1e)을 구비하고, 데이터선(3a)을 통해서 화소 전극(1c)에 공급되는 영상 신호(데이터선 신호)가 고전위측(대향 전극(1d)의 전위에 대해서 양극성)에 대응하는 경우에는 영상 신호의 기입 후에 유지 용량(1e)의 타단의 전위를 고전위측으로 변동시키고, 또한 영상 신호가 저전위측(대향 전극(1d)의 전위에 대해서 음극성)에 대응하는 경우에는 영상 신호의 기입의 전후에서 유지 용량(1e)의 타단의 전위를 일정한 크기로 유지하도록 구성되어 있다.

Description

전기 광학 장치{ELECTRO-OPTICAL DEVICE}

본 발명은 전기 광학 장치에 관한 것으로, 특히, 액정 표시 장치 등의 화소 전극과, 화소 전극에 대향하도록 배치된 대향 전극을 구비한 전기 광학 장치에 관한 것이다.

종래, 화소 전극과, 화소 전극에 대향하도록 배치된 대향 전극을 구비한 표시 장치가 알려져 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).

상기 특허 문헌 1에는 액정을 사이에 두도록 해서 배치된 화소 전극 및 대향 전극과, 화소 전극의 전위를 유지하는 축적 용량(유지 용량)을 구비한 액정 표시 장치가 개시되어 있다. 상기 특허 문헌 1에 기재된 액정 표시 장치에서는 기입된 영상 신호가 고전위측이면, 영상 신호의 기입 후에 축적 용량의 전위를 고전위측으로 변동시키고, 또한 기입된 영상 신호가 저전위측이면, 영상 신호의 기입 후에 축적 용량의 전위를 저전위측으로 변동시키도록 구성되어 있다.

특허 문헌 1 :일본 특허 공개 제 2002-196358호 공보

그러나, 상기 특허 문헌 1에 기재된 액정 표시 장치에서는 상기와 같은 동작을 행하는 경우, 유지 용량의 전위를 변동시키는 것에 따라서, 화소 전극의 전위가 고전위측 및 저전위측 양측으로 변동하는 한편으로, 고전위측 및 저전위측 양측으로 변동하는 분만큼, 화소 전극의 전위의 진폭이 커진다. 이 때문에, 이에 따라서 화소 전극으로의 영상 신호의 기입의 온 오프 제어를 행하기 위한 게이트 신호의 진폭도 크게 하지 않으면 안되기 때문에, 소비 전력을 저감시키기 어렵다는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 하나의 목적은 소비 전력을 저감하는 것이 가능한 전기 광학 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 제 1 국면에 따른 전기 광학 장치는 게이트선과 데이터선의 교차에 대응하여 마련된 화소 전극과, 화소 전극과 전기 광학 물질을 통해서 대향하도록 배치된 대향 전극과, 일단이 화소 전극에 접속되는 유지 용량을 구비하고, 데이터선을 통해서 화소 전극에 공급되는 데이터선 신호가 대향 전극의 전위에 대해서 양극성 기입에 대응하는 것인 경우에는 데이터선 신호의 기입 후에 유지 용량의 타단의 전위를 고전위측으로 변동시키고, 또한 데이터선 신호가 대향 전극의 전위에 대해서 음극성 기입에 대응하는 경우에는 데이터선 신호의 기입의 전후에서 유지 용량의 타단의 전위를 일정한 크기로 유지하도록 구성되어 있다.

본 발명의 제 1 국면에 따른 전기 광학 장치에서는, 상기한 바와 같이, 화소 전극에 기입하는 데이터선 신호가 대향 전극의 전위에 대해서 음극성 기입(저전위측)에 대응하는 경우에는 기입을 행하는 데이터선 신호가 대향 전극의 전위에 대해서 양극성 기입(고전위측)에 대응하는 경우와 달리, 유지 용량의 전위를 일정한 크기로 유지한 상태로 데이터선 신호의 기입을 행하도록 제어한다. 즉, 화소 전극으로의 데이터선 신호의 기입 후에 화소 전극의 전위를 저전위측으로 변동시키는 일이 없기 때문에, 그 만큼, 화소 전극의 전위의 변동의 진폭의 크기를 작게 할 수 있다. 따라서, 이에 따라, 화소 전극으로의 데이터선 신호의 기입의 온 오프 제어를 행하기 위한 신호(게이트 신호)의 진폭도 작게 할 수 있다. 이로써, 게이트 신호의 진폭이 작아지는 만큼, 화소 전극으로의 데이터선 신호의 기입시의 소비 전력을 저감할 수 있다.

상기 제 1 국면에 따른 전기 광학 장치에 있어서, 바람직하게는 화소 전극에 접속된 화소 트랜지스터와, 화소 트랜지스터를 온 오프 제어하기 위한 게이트 신호를 공급하는 게이트선과, 게이트선을 주사하는 게이트선 주사부와, 게이트선 주사부에 구동용 전원 전위를 공급하는 구동용 전원을 더 구비하고, 화소 트랜지스터에 공급되는 게이트 신호의 오프 전위는 전기 광학 장치의 기준 전위가 되도록 구성되어 있다. 이와 같이 구성하면, 기준 전위에 대해서 고전위측(양극성측)으로만 게이트 신호의 온 전위 및 오프 전위(기준 전위)가 제어되기 때문에, 기준 전위에 대 해서 음극성측의 전원을 별도로 마련하지 않고 게이트선을 구동할 수 있다. 이로써, 전원수가 증가하는 것을 억제할 수 있다.

이 경우, 바람직하게는 유지 용량에 접속된 용량선과, 용량선을 통해서 유지 용량의 전위를 제어하는 용량선 제어 회로를 더 구비하고, 용량선 제어 회로는 게이트선과 접속되어 있고, 또한 게이트선으로부터 공급되는 게이트 신호에 따라서 유지 용량의 전위를 제어하도록 구성되어 있다. 이와 같이 구성하면, 유지 용량의 전위를 제어하기 위한 신호를 별도로 생성하지 않고 유지 용량의 전위를 제어할 수 있기 때문에, 그 만큼, 회로가 복잡화하는 것을 억제할 수 있다.

상기 용량선 및 용량선 제어 회로를 구비한 구성에 있어서, 바람직하게는 용량선 제어 회로는 용량선마다 마련되고, 각각 화소 트랜지스터를 갖는 복수의 화소와, 초단의 용량선에 대응하여 배치된 용량선 제어 회로에 접속된 더미 게이트선을 더 구비하고, 초단의 용량선에는 더미 게이트선에 의해 공급되는 더미 게이트 신호에 기초해서, 초단의 용량선에 대응하여 배치된 용량선 제어 회로로부터 초단의 용량선에 대응하는 유지 용량의 전위를 제어하는 신호가 공급되도록 구성되어 있다. 이와 같이 구성하면, 초단의 용량선에 대응하는 유지 용량의 전위를 더미 게이트 신호에 기초해서 용이하게 제어할 수 있다.

상기 복수의 화소를 구비한 구성에 있어서, 바람직하게는 복수의 화소는 행렬 형상으로 배치되고, 행렬 형상으로 배치된 복수의 화소의 수평 라인마다, 화소 전극에 공급되는 데이터선 신호가, 대향 전극의 전위에 대해서 양극성인 데이터선 신호와, 대향 전극의 전위에 대해서 음극성인 데이터선 신호로 전환되로록 구성되 어 있다. 이와 같이 구성하면, 복수의 화소에 대해서 수평 라인마다 고전위측에 대응하는 데이터선 신호와 저전위측에 대응하는 데이터선 신호가 교대로 공급되기 때문에, 액정의 이미지 스티킹 현상(an image sticking phenomenon)이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

상기 복수의 화소를 구비한 구성에 있어서, 바람직하게는 1행분의 화소마다 각각, 용량선 및 용량선 제어 회로가 하나씩 마련되고 있다. 이와 같이 구성하면, 1행분의 화소마다, 확실하게 유지 용량의 전위를 제어할 수 있다.

상기 복수의 화소를 구비한 구성에 있어서, 바람직하게는 복수행분의 화소마다, 각각, 용량선 및 용량선 제어 회로가 하나씩 마련되어 있다. 이와 같이 구성하면, 복수행분의 화소에 대해서 용량선이 1개씩 대응하고 있는 만큼, 용량선의 개수가 증가하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 용량선의 개수가 적어지는 만큼, 각 화소에 있어서의 광원의 투과율을 증가시킬 수 있다. 즉, 화소의 개구율을 증가시킬 수 있다. 또한, 용량선 제어 회로의 수가 적은 만큼, 회로 구성을 보다 간소화할 수 있다.

이 경우, 바람직하게는 데이터선 신호의 기입시에, 1수직 기간마다, 전단의 화소로부터 후단의 화소에 걸쳐서 1단씩 차례로 순차 기입을 행하는 제 1 기입 형식과, 전단의 화소로부터 후단의 화소에 걸쳐서 2단마다 제 1 기입 형식과 역의 순서로 기입을 행하는 제 2 기입 형식을 교대로 행하도록 구성되어 있어도 된다.

상기 복수의 화소를 구비한 구성에 있어서, 바람직하게는 게이트선을 주사하는 게이트선 주사부와, 복수의 화소를 포함하는 표시부를 더 구비하고, 게이트선 주사부는 표시부를 사이에 두는 위치에 하나씩 배치되어 있다. 이와 같이 구성하면, 게이트선 주사부를 표시부를 사이에 두도록 하여 2개 마련함으로써, 게이트선 주사부가 하나인 경우에 비해서, 게이트선 주사부로부터 각 화소까지의 게이트선의 거리를 짧게 할 수 있기 때문에, 그 만큼, 배선 저항 및 배선 용량이 커지는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 시정수를 저감시킬 수 있기 때문에, 각 화소에 대한 데이터선 신호의 기입을 정확하게 행할 수 있다.

본 발명의 제 2 국면에 따른 전자 기기는 상기한 구성을 갖는 전기 광학 장치를 구비한다. 이와 같이 구성하면, 소비 전력을 저감하는 것이 가능한 전자 기기를 획득할 수 있다.

본 발명을 통해서 소비 전력을 저감하는 것이 가능한 전기 광학 장치를 제공할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시예를 도면에 기초해서 설명한다.

(실시예 1)

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치의 전체구성을 나타내는 블록도이다. 도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치의 상세한 구성을 설명하기 위한 회로도이다. 우선, 도 1 및 도 2를 참조해서, 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치(100)의 구성에 대해서 설명한다. 한편, 실시예 1에서는 전기 광학 장치의 일례인 액정 표시 장치에 본 발명을 적용한 예에 대해서 설명한다.

본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치(100)는 도 1에 나타낸 바와 같이, 표시 화면부(1)와, V 드라이버(2)와, H 드라이버(3)와, 용량선 구동 회로부(4)를 구비하고 있다. 표시 화면부(1)에는 복수의 화소(1a)가 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 한편, 도 1은 도면의 간략화를 위해서 8화소분의 화소(1a)를 도시하고 있다. 한편, V 드라이버(2)는 본 발명의 「게이트선 주사부」의 일례이다.

V 드라이버(2) 및 H 드라이버(3)에는 각각, 복수의 게이트선(2a) 및 데이터선(3a)이 접속되어 있다. 게이트선(2a) 및 데이터선(3a)은 서로 직교하도록 배치되어 있다. 또한, 게이트선(2a) 및 데이터선(3a)이 서로 직교하는 위치에 화소(1a)가 배치되어 있다.

V 드라이버(2)는 시프트 레지스터(2b) 및 출력 제어 회로(2c)를 구비하고 있고, 또한 게이트선(2a)의 구동 회로로서의 기능을 갖는다. 구체적으로는 구동 IC(10)로부터 샘플링 펄스(SP), 클록 신호(CLK), 이네이블 신호(ENB) 및 구동용 전원 전위(Va)가 V 드라이버(2) 내의 시프트 레지스터(2b)에 공급되고, 또한 이들 신호 및 구동용 전원 전위에 기초해서 시프트 레지스터(2b)로부터 출력 신호가 생성된다. 그리고, 이 출력 신호가 출력 제어 회로(2c)에 순차 공급되고, 또한 출력 제어 회로(2c)로부터 게이트선(2a)에 대해서 게이트 신호가 출력되도록 구성되어 있다. 또한, H 드라이버(3)는 구동 IC(10)로부터 공급된 영상 신호를, 데이터선(3a)을 통해서, 후술하는 화소 전극(1c)에 순차 공급하는 기능을 갖는다. 한편, 구동 IC(10)는 본 발명의 「구동용 전원」의 일례이며, 영상 신호는 본 발명의 「데이터선 신호」의 일례이다.

또한, 각 화소(1a)는 화소 트랜지스터(1b)(TFT)와, 화소 전극(1c)과, 대향 전극(1d)과, 유지 용량(1e)으로 구성되어 있다. 화소 트랜지스터(1b)의 소스 영역(S)은 데이터선(3a)에 접속되어 있고, 또한 화소 트랜지스터(1b)의 드레인 영역(D)은 화소 전극(1c) 한쪽의 전극과 유지 용량(1e) 한쪽의 전극(본 발명의 「유지 용량의 일단부」의 일례이다)과 접속되어 있다. 또한, 화소 트랜지스터(1b)의 게이트(G)는 게이트선(2a)에 접속되어 있다. 또한, 대향 전극(1d)은 LCCOM선(5)을 통해서 COM 드라이버(도시 생략)에 접속되어 있다. 또한, 유지 용량(1e)의 다른쪽 전극(본 발명의 「유지 용량의 타단」의 일례이다)은 용량선(4a)에 접속되어 있고, 또한 용량선(4a)은 용량선 구동 회로부(4)에 접속되어 있다. 또한, 화소 전극(1c)과 대향 전극(1d)의 사이에는 액정(6)이 봉입되어 있다.

여기서, 실시예 1에서는 용량선 구동 회로부(4)는 각 용량선(4a)마다(도면의 SC1, SC2, SC3…)에 마련된 복수의 용량선 제어 회로(4b)를 구비하고 있다. 용량선 제어 회로(4b)는 각각, 대응하는 용량선(4a)을 구동하기 위한 기능을 갖고 있다. 또한, 1행분의 화소(1a)마다, 각각, 용량선(4a) 및 용량선 제어 회로(4b)가 하나씩 마련되어 있다.

또한, 각 용량선 제어 회로(4b)에는 각각, 전단의 행의 화소(1a)에 접속된 게이트선(2a)과, 후단의 행의 화소(1a)에 접속된 게이트선(2a)이 접속되어 있다. 구체적으로는 예컨대, 도 1에 있어서는 2번째단의 행의 화소(1a)에 대응하는 용량선 제어 회로(4b)에는 전단의 행의 화소(1a)에 접속된 게이트선(2a)(도면의 Gate1) 및 후단의 행의 화소(1a)에 접속된 게이트선(2a)(도면의 Gate3)이 접속된 상태로 된다.

여기서, 실시예 1에서는 초단의 행의 화소(1a)에 대응하는 용량선 제어 회로(4b)에는 후단의 행의 화소(1a)에 접속된 게이트선(2a)(도면의 Gate2)과 함께, 더미 게이트선(2d)(도면의 DM)이 접속되어 있다.

또한, 실시예 1에서는 각 용량선 제어 회로(4b)에는 용량선(4a)을 통해서 유지 용량(1e)에 COMH 신호의 전위 레벨(도면의 COMH)을 공급하기 위한 COMH 선(7a)과, 용량선(4a)을 통해서 유지 용량(1e)에 COML 신호의 전위 레벨(도면의 COML)을 공급하기 위한 COML 선(7b)이 접속되어 있다. 또한, COMH 신호는 유지 용량(1e)의 전위를 고전위측으로 변동시키는 H 레벨의 신호이고, 또한 COML 신호는 유지 용량(1e)의 전위를 저전위측(고전위측 전위에 대해서 저전위)으로 변동시키는 L 레벨의 신호다. 또한, 각 용량선 제어 회로(4b)에는 각 용량선 제어 회로(4b)로부터 용량선(4a)에 대해서 COMH 신호와 COML 신호 중 어느 한쪽 신호를 출력할지를 선택하기 위한 극성 선택 신호(도면의 POL)를 공급하기 위한 POL선(8)이 접속되어 있다.

이상으로부터, 각 용량선 제어 회로(4b)는 더미 게이트 신호 또는 게이트 신호와, 극성 선택 신호에 기초해서, 대응하는 용량선(4a)에 대해서 COMH 신호 및 COML 신호 중 어느 한쪽 신호를 출력하도록 구성되어 있다. 한편, 상세한 동작은 이후에 설명한다.

다음으로 용량선 구동 회로부(4)의 상세한 회로도에 대해서 설명한다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 각 용량선 제어 회로(4b)는 홀수단과 짝수단에 따라 다른 회로 구성에 의해 마련되어 있다. 우선, 홀수단의 용량선 제어 회로(4b)의 회로 구성에 대해서 설명한다. 각 용량선 제어 회로(4b)는 각각 2개의 인버터(4c)로 이루어지는 래치 회로(4d)와, 트랜지스터(4e, 4f)와, NAND 회로(4g)와, 트랜스퍼 게이트 트랜지스터에 의해 구성된 스위치부(4h, 4i)와, 인버터(4j)로 구성되어 있다. 한편, 스위치부(4h, 4i)(트랜스퍼 게이트 트랜지스터)는 n형 MOS 트랜지스터와 p형 MOS 트랜지스터를 병렬 접속함으로써 구성되어 있다.

래치 회로(4d)의 한쪽 접속부에는 트랜지스터(4e)의 소스 및 드레인 중 한쪽이 접속되어 있고, 또한 트랜지스터(4e)의 소스 및 드레인 중 다른쪽에는 L 레벨의 신호(도면의 VL)가 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 마찬가지로, 래치 회로(4d)의 다른쪽 접속부에는 노드 1(ND1)을 통해서 트랜지스터(4f)의 소스 및 드레인 중 한쪽이 접속되어 있다. 또한, 트랜지스터(4f)의 소스 및 드레인 중 다른쪽에는 L 레벨의 신호(VL)가 공급되도록 구성되어 있다.

또한, 래치 회로(4d)와 트랜지스터(4f)의 접속 부분인 노드 1(ND1)은 NAND 회로(4g)의 한쪽 입력측에 접속되어 있다. 또한, NAND 회로(4g)의 다른쪽 입력측은 POL선(8)에 접속되어 있다. 또한, NAND 회로(4g)의 출력측은 노드 2(ND2)를 통해서 인버터(4j)의 입력측과 접속되어 있다. 또한, NAND 회로(4g)의 출력측은 노 드 2(ND2)에 있어서, 각각 스위치부(4h)의 p형 트랜지스터측의 게이트와, 스위치부(4i)의 n형 트랜지스터측의 게이트와 접속되어 있다. 또한, 인버터(4j)의 출력측은 스위치부(4h)의 n형 트랜지스터측의 게이트와, 스위치부(4i)의 p형 트랜지스터측의 게이트와 접속되어 있다. 또한, 스위치부(4h)의 한쪽 접속부는 COML 선(7b)에 접속되어 있고, 또한 다른쪽 접속부는 용량선(4a)에 접속되어 있다. 또한, 스위치부(4i)의 한쪽 접속부는 COMH 선(7a)에 접속되어 있고, 또한 다른쪽 접속부는 용량선(4a)에 접속되어 있다.

또한, 짝수단의 용량선 제어 회로(4b)는 상술한 홀수단의 용량선 제어 회로(4b)에 있어서의 구성에 인버터(4k)를 더한 구성이 된다. 구체적으로는 예컨대, 2번째단의 용량선 제어 회로(4b)에 나타낸 바와 같이, NAND 회로(4g)의 다른쪽 입력측과 인버터(4k)의 출력측이 접속되어 있고, 또한 인버터(4k)의 입력측과 POL선(8)이 접속되어 있다.

또한, 홀수단 및 짝수단에 있어서의 각각의 용량선 제어 회로(4b)에서, 트랜지스터(4e)의 게이트에는 전단의 행의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a)이 접속되어 있고, 또한 트랜지스터(4f)의 게이트에는 후단의 행의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a)이 접속되어 있다. 구체적으로는 예컨대, 2번째단의 용량선 제어 회로(4b)에서의 트랜지스터(4e)의 게이트에는 전단 행의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a)(Gate1에 대응하는 게이트선(2a))이 접속되어 있고, 또한 트랜지스터(4f)의 게이트에는 후단 행의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a)(Gate3에 대응하는 게이트선(2a))이 접속되어 있다. 또한, 초단의 용량선 제어 회로(4b)에서의 트랜지스 터(4e)의 게이트에는 더미 게이트선(2d)이 접속되어 있다.

도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치에 있어서의 영상 신호의 기입시의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트도이다. 도 4~도 7은 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치에 있어서의 영상 신호의 기입시의 상세한 동작에 대해서 설명하기 위한 도면이다. 다음으로 도 2~도 7을 참조해서, 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치(100)에 있어서의 영상 신호의 기입시의 동작에 대해서 설명한다.

우선, 도 3에 나타낸 바와 같이, 최초의 1 수직 기간내(도면의 1V 기간)에 있어서, POL선(8)(도 2 참조)으로부터는 H 레벨의 극성 선택 신호(도 3의 POL)이 계속 공급된다. 이 때, 시간 t1에 있어서, 클록 신호에 따라서 H 레벨의 더미 게이트 신호가 더미 게이트선(2d)을 통해서 초단의 용량선 제어 회로(4b)에서의 트랜지스터(4e)의 게이트에 공급된다. 이로써, 이 트랜지스터(4e)의 소스 및 드레인을 통해서 L 레벨의 신호(도 2의 VL)가 래치 회로(4d)에 공급된다. 이 때, 래치 회로(4d) 내의 인버터(4c)에 의해 L 레벨의 신호가 반전해서 래치 회로(4d)의 노드 1(ND1)측이 H 레벨의 상태로 유지되도록 기억(래치)된다. 이로써, 래치 회로(4d)로부터 노드 1(ND1)을 통해서 H 레벨의 신호가 NAND 회로(4g)의 한쪽 입력측에 공급된다.

또한, 이 때, POL선(8)을 통해서 H 레벨의 신호가 NAND 회로(4g)의 다른쪽 입력측에 공급되고 있기 때문에, NAND 회로(4g)의 출력측으로부터는 L 레벨의 신호가 출력된다. 그리고, 이 L 레벨의 신호는 노드 2(ND2)를 통해서 스위치부(4h, 4i)를 각각 구성하는 트랜지스터의 게이트에 공급된다. 여기서, 스위치부(4i)에서는 L 레벨의 신호가 n형 MOS 트랜지스터측의 게이트에 공급되기 위해서 오프 상태가 유지된다. 한편으로, 스위치부(4h)에서는 L 레벨의 신호가 p형 MOS 트랜지스터측의 게이트에 공급되기 위해서 온 상태가 된다. 따라서, 온 상태로 전환된 스위치부(4h)를 통해서, COML 선(7b)으로부터 COML 신호(L 레벨)가 초단의 용량선(4a)(도 2의 SC1)에 공급된다. 즉, 도 3의 시간 t1에 있어서, SC1(초단의 용량선(4a)의 전위)가 L 레벨로 변화된다.

여기서, 실시예 1에서는 이 상태에 있어서, 도 3의 시간 t2에 있어서, 초단의 행의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a)(도면의 Gate1)가 온 상태로 되는 것에 따라, 초단의 행의 화소(1a)에 대해서 영상 신호의 기입이 행해진다. 그리고, 이 때, 초단의 행의 화소(1a)에는 고전위측(대향 전극(1d)의 전위에 대해서 양극성 기입)에 대응하는 영상 신호가 공급된다. 즉, SC1(초단의 용량선(4a)의 전위)가 L 레벨의 상태시에 고전위측에 대응하는 영상 신호가 기입된다(도 3의 A1 부분). 한편, 초단의 화소(1a)에는 시간 t2부터 시간 t3까지의 기간(Gate1이 온인 기간)에 영상 신호의 기입이 행해진다.

또한, 시간 t2에 있어서, Gate1의 게이트선(2a)으로부터 공급되는 온 신호는 도 2에 나타낸 바와 같이, 2번째단의 용량선(4a)(도 2의 SC2)에 대응하는 용량선 제어 회로(4b)에서의 트랜지스터(4e)의 게이트에 입력된다. 이로써, 이 트랜지스터(4e)의 소스 및 드레인을 통해서 L 레벨의 신호가 래치 회로(4d)에 공급되고, 또한 래치 회로(4d)에는 노드 1(ND1)측이 H 레벨의 상태가 되도록 해서 기억된다. 그리고, 이 래치 회로(4d)로부터 노드 1(ND1)을 통해서 2번째단의 용량선 제어 회로(4b)에서의 NAND 회로(4g)의 한쪽 입력측에 H 레벨의 신호가 입력된다.

여기서, NAND 회로(4g)의 다른쪽 입력측에는 POL선(8)으로부터 공급되는 H 레벨의 신호가 인버터(4k)에 의해 L 레벨의 상태로 반전되어 공급된다. 이로써, NAND 회로(4g)의 출력측으로부터는 H 레벨의 신호가 출력되고, 또한 이 H 레벨의 신호가 스위치부(4i)의 n형 트랜지스터측의 게이트에 입력됨으로써, 2번째단의 용량선 제어 회로(4b)에서의 스위치부(4i)가 온 상태로 된다. 또한, 스위치부(4h)는 오프 상태가 유지된다. 그리고, 스위치부(4i)를 통해서 COMH 선(7a)으로부터 COMH 신호(H 레벨)가 2번째단의 용량선(4a)(도 2의 SC2)에 공급된다. 즉, 도 3의 시간 t2에 있어서는 SC2(2번째단의 용량선(4a)의 전위)는 H 레벨의 상태가 유지되고 있다.

그리고, 도 3의 시간 t3에 있어서, 초단의 화소(1a)에 대한 영상 신호의 기입이 종료되고, 또한 2번째단의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a)(Gate2)으로부터 H 레벨의 게이트 신호가 공급된다.

이 때, 실시예 1에서는 Gate2에 대응하는 게이트선(2a)으로부터 출력된 게이트 신호는 초단의 용량선 제어 회로(4b)에서의 트랜지스터(4f)의 게이트에도 공급된다. 이로써, 이 트랜지스터(4f)의 소스 및 드레인을 통해서 L 레벨의 신호(도면의 VL)가 래치 회로(4d)에 공급된다. 그리고, 이 L 레벨의 신호는 래치 회로(4d)에 노드 1(ND1)측이 L 레벨의 상태가 되도록 기억되고, 또한 노드 1(ND1)을 통해서 NAND 회로(4g)의 한쪽 입력측에 공급된다. 이로써, NAND 회로(4g)의 다른쪽 입력 측에는 POL선(8)으로부터 H 레벨의 신호가 계속 공급됨으로써, NAND 회로(4g)의 출력측으로부터는 H 레벨의 신호가 출력된다.

그리고, 이 H 레벨의 신호에 의해, 스위치부(4i)가 온 상태로 전환되고, 또한 스위치부(4h)가 오프 상태로 전환된다. 따라서, 스위치부(4i)를 통해서, 초단의 용량선(4a)에는 COMH 신호(H 레벨)이 공급된다. 즉, 도 3의 시간 t3에 있어서, 초단의 용량선(4a)(도 3의 SC1)에 대응하는 유지 용량(1e)의 전위는 저전위측으로부터 고전위측으로 변동된다. 그리고, 이로써, 고전위측(대향 전극(1d)의 전위에 대해서 양극성 기입)에 대응하는 영상 신호가 기입된 초단의 행의 화소(1a)에서의 화소 전극(1c)의 전위는 유지 용량(1e)의 전위가 고전위측으로 변동한 만큼(COMH 신호의 전위-COML 신호의 전위에 상당하는 전압분), 고전위측으로 변동하게 된다(도 3의 A 2 부분).

또한, 실시예 1에서는 시간 t3에 있어서, 2번째단의 행의 화소(1a)에 영상 신호의 기입이 행해진다. 여기서, 2번째단의 행의 화소(1a)에는 저전위측(대향 전극(1d)의 전위에 대해서 음극성 기입)에 대응하는 영상 신호가 공급된다. 즉, 실시예 1에 있어서의 액정 표시 장치(100)는 화소(1a)의 행마다, 화소 전극(1c)에 공급되는 영상 신호가 고전위측과 저전위측으로 전환되는 1 수평 기간 반전 구동에 의해 구동된다. 또한, 이 때, 2번째단의 용량선(4a)(SC2)의 전위는 고전위측으로 유지되고 있다. 즉, 2번째단의 행의 화소(1a)에 대해서는 유지 용량(1e)의 전위가 고전위측으로 유지된 상태로, 화소 전극(1c)에는 저전위측(대향 전극(1d)의 전위에 대해서 음극성 기입)에 대응하는 영상 신호가 기입된다(도 3의 B 부분).

또한, 이 때, 시간 t3에 있어서, Gate2에 대응하는 게이트선(2a)으로부터 출력된 온 신호는 3번째단의 용량선 제어 회로(4b)에서의 트랜지스터(4e)의 게이트에도 공급된다. 이로써, 3번째단의 용량선 제어 회로(4b)에서, 초단의 용량선 제어 회로(4b)에서의 동작과 같은 동작이 행해진다. 즉, 스위치부(4h)가 온 상태로 되고, 또한 스위치부(4h)를 통해서 3번째단의 용량선(4a)(도 2의 SC3)에 COML 신호(L 레벨)가 공급된다. 이로써, 도 3의 SC3의 전위(3번째단의 용량선(4a)의 전위)가 시간 t3에 있어서 L 레벨로 된다.

그리고, 이 상태로, 시간 t4에 있어서, 3번째단의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a)(도 2의 Gate3)에 온 신호가 공급되고, 또한 3번째단의 화소(1a)에 대해서 영상 신호의 기입이 행해진다. 여기서, 3번째단의 화소(1a)에는 1 수평 기간 반전 구동에 의해, 초단의 화소(1a)와 마찬가지로 고전위측에 대응하는 영상 신호가 기입된다.

그리고, 시간 t5에 있어서, 3번째단의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a)에 공급되고 있던 온 신호가 오프 상태로 되고, 또한 4번째단의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a)(Gate4(도시 생략))으로부터 온 신호가 공급된다. 그리고, 이 온 신호가, 3번째단의 용량선 제어 회로(4b)에서의 트랜지스터(4f)의 게이트에 공급됨으로써, 상기 시간 t3에 있어서의 초단의 용량선 제어 회로(4b)와 같은 동작이 행해진다. 즉, 저전위측에 유지되고 있던 3번째단의 용량선(4a)의 전위가 고전위측으로 변동됨으로써 고전위측에 대응하는 영상 신호가 기입된 3번째단의 화소(1a)의 화소 전극(1c)의 전위가, 용량선(4a)의 천이만큼(COMH 신호의 전위-COML 신호의 전 위)에 상당하는 전압만큼, 고전위측으로 변동된다.

이상과 같이 해서, 실시예 1에서는 홀수단의 화소(1a)에 대해서는 유지 용량(1e)이 저전위측의 전위로 유지된 상태로 고전위측(대향 전극의 전위에 대해서 양극성 기입)에 대응하는 영상 신호가 기입되고, 또한 영상 신호의 기입 후에 유지 용량(1e)의 전위가 저전위측에서 고전위측으로 변동하도록 제어된다. 또한, 짝수단의 화소(1a)에 대해서는 유지 용량(1e)가 고전위측의 전위로 유지된 상태로 저전위측(대향 전극의 전위에 대해서 음극성 기입)에 대응하는 영상 신호가 기입되도록 제어된다.

여기서, 홀수단의 화소(1a)에서의 영상 신호(고전위측에 대응하는 영상 신호)의 기입 동작시의 전위의 변동에 대해서 구체적으로 설명한다.

우선, 도 4를 참조해서, 노멀리 블랙 방식인 경우에 있어서의 백 표시에 대응하는 영상 신호를 기입하는 경우에 대해서 설명한다. 예컨대, Gate1에 대응하는 게이트선(2a)(초단의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a))이 온 상태일 때에, H 레벨의 선택 신호가 공급된 화소(1a)에서, 영상 신호의 기입이 행해진다. 한편, 선택 신호란, 영상 신호를 기입하는 화소(1a)를 선택하기 위한 신호이다.

구체적으로는, 백 표시에 대응하는 영상 신호가 데이터선(3a)에 공급됨으로써, 데이터선(3a)을 통해서 화소 전극(1c)에 영상 신호가 공급된다. 이로써, 도 4의 기입 기간에 있어서, 데이터선(3a) 및 화소 전극(1c)의 전위가 VIDEOH인 레벨에 이른다. 이 때, 초단의 용량선(4a)의 전위(도면의 SC선 전위)는 COML의 레벨(L 레벨)로 유지되고 있다. 그리고, 게이트 신호가 오프 상태로 되고, 또한 용량선(4a) 의 전위가 COML인 상태로부터 COMH인 상태로 변동한다. 그리고, 이에 따라 화소 전극(1c)의 전위가 고전위측으로 변동한다.

또한, 이 때, 게이트 신호는 오프 상태라는 점에 의해, 화소 트랜지스터(1b)는 오프 상태이다. 따라서, 데이터선(3a)의 전위는 거의 변동되지 않는다. 이로써, 일정한 크기로 유지된 대향 전극(1c)의 전위(도면의 LCCOM)와, 고전위측으로 변동한 화소 전극(1d)의 전위와의 전위차(도면의 V1(백 표시에 대응하는 전위차))가 액정(6)에 인가되게 된다.

또한, 도 5에 나타낸 바와 같이, 노멀리 블랙 방식의 경우에 있어서의 흑 표시에 대응하는 영상 신호를 기입할 때에는 상기와 같이, 도면의 기입 기간내에서 영상 신호가 기입된다. 이로써, 기입 기간에 있어서, 데이터선(3a) 및 화소 전극(1c)의 전위가 VIDEOL의 레벨에 이르고, 또한 초단의 용량선(4a)의 전위(도면의 SC선 전위)는 COML의 레벨(L 레벨)로 유지되고 있다. 그리고, 게이트 신호가 오프 상태로 되고, 또한 용량선(4a)의 전위가 COML의 상태로부터 COMH의 상태로 변동한다. 그리고, 이에 따라서 화소 전극(1c)의 전위가 고전위측으로 변동한다. 이로써, 대향 전극(1d)의 전위(도면의 LCCOM)와, 고전위측으로 변동한 화소 전극(1c)의 전위의 전위차(도면의 V2(흑 표시에 대응하는 전위차))가 액정(6)에 인가되게 된다.

다음으로 짝수단의 화소(1a)에서의 영상 신호(저전위측)의 기입 동작시의 전위의 변동에 대해서 구체적으로 설명한다.

우선, 도 6을 참조하여, 노멀리 블랙 방식의 경우에 있어서의 백 표시에 대 응하는 영상 신호를 기입하는 경우에 대해서 설명한다. 예컨대, Gate2에 대응하는 게이트선(2a)(초단의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a))이 온 상태일 때에, 상기 와 같이 하여 영상 신호의 기입이 행해진다. 구체적으로는 도 6의 기입 기간에 있어서, 데이터선(3a) 및 화소 전극(1c)의 전위가 VIDEOL의 레벨에 이른다. 이 때, 2번째단의 용량선(4a)의 전위(도면의 SC선 전위)는 게이트 신호가 오프 상태가 된 후에 있어서도, COMH의 레벨(H 레벨)로 유지되고 있다. 따라서, 영상 신호의 기입이 종료한 후에도, 용량선(4a)의 전위는 COMH의 상태로 계속 유지됨으로써 화소 전극(1c)의 전위는 변동되지 않는다. 또한, 화소 트랜지스터(1b)는 오프 상태이기 때문에 데이터선(3a)의 전위는 거의 변동하지 않는다. 이로써, 일정한 크기로 유지된 대향 전극(1d)의 전위(도면의 LCCOM)와, 화소 전극(1c)의 전위의 전위차(도면의 V1(백 표시에 대응하는 전위차))가 액정(6)에 인가되게 된다.

또한, 도 7에 나타낸 바와 같이, 노멀리 블랙 방식의 경우에 있어서의 흑 표시에 대응하는 영상 신호를 기입할 때는 상기와 같이, 기입 기간에 있어서 데이터선(3a) 및 화소 전극(1c)의 전위가 VIDEOH의 레벨에 이르고, 또한 2번째단의 용량선(4a)의 전위(도면의 SC선 전위)는 COMH의 레벨(H 레벨)로 유지되어 있다. 그리고, 게이트 신호가 오프 상태가 됨으로써 영상 신호(흑 표시)의 기입이 종료된다. 여기서, 영상 신호의 기입이 종료한 후에도, 용량선(4a)의 전위는 COMH의 상태로 계속 유지됨으로써 화소 전극(1c)의 전위는 변동되지 않는다. 이로써, 대향 전극(1d)의 전위(도면의 LCCOM)와, 화소 전극(1c)의 전위의 전위차(도면의 V2(흑 표시에 대응하는 전위차))가 액정(6)에 인가되게 된다.

여기서, 실시예 1에서는 도 4~도 7에 나타낸 바와 같이, 게이트 신호의 오프 전위를 액정 표시 장치의 기준 전위, 즉 그라운드 레벨(GND)과 같은 전위로 하고 있다. 이로써, 실시예 1에 있어서의 액정 표시 장치(100)에서는 영상 신호의 기입 동작에 있어서는 기준 전위에 대해서 양극성측만의 전위에 의해 행해진다. 한편, 그라운드 레벨(GND)은 전기 신호를 주고 받을 때의 기준 전위로, 접지 전위로 해도 되고, 또한 V 드라이버(2)의 구동용 전원의 Low 전위로 해도 된다.

또한, 도 3에 나타낸 바와 같이, 다음 1 수직 기간(시간 t6 이후)에 있어서는 L 레벨의 극성 선택 신호(도 3의 POL)가 계속 공급된다. 또한, 홀수단의 화소(1a)에는 저전위측에 대응하는 영상 신호가 기입되고, 또한 짝수단의 화소(1a)에는 고전위측에 대응하는 영상 신호가 기입된다. 구체적으로는 POL선(8)으로부터 L 레벨의 신호가 공급되고 있는 상태로, 시간 t6에 있어서, 더미 게이트선(2d)으로부터 H 레벨의 더미 게이트 신호가 초단의 용량선 제어 회로(4b)에서의 트랜지스터(4e)의 게이트에 공급된다. 이로써, L 레벨의 신호(VL)가 래치 회로(4d)에 공급되고, 또한 래치 회로(4d)의 인버터(4c)에 의해서 노드 1(ND1)측이 H 레벨이 되도록 반전된다. 그리고, H 레벨의 신호가 NAND 회로(4g)의 한쪽 입력측에 공급되고, 또한 다른쪽 입력측에는 L 레벨의 신호(POL)가 공급되고 있음으로써, NAND 회로(4g)의 출력측으로부터 H 레벨의 신호가 출력된다. 이로써, 스위치부(4i)만이 온 상태로 되고, 또한 스위치부(4i)를 통해서 용량선(4a)(SC1)에 COMH 신호(H 레벨)이 공급된다. 즉, 도 3에 나타내는 시간 t6에 있어서, 초단의 용량선(4a)의 전위(SC1)는 H 레벨로 계속 유지된다.

또한, 시간 t7에 있어서, Gate1로부터의 게이트 신호가 2번째단의 용량선 제어 회로(4b)에서의 트랜지스터(4e)의 게이트에 공급됨으로써, 2번째단의 용량선(4a)(SC2)의 전위가 L 레벨의 상태로 된다. 또한, Gate1으로부터의 게이트 신호에 의해, 초단의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a)이 온 상태로 됨으로써, 영상 신호의 기입이 시작된다. 이 때, 초단의 화소(1a)에 대해서는 저전위측에 대응하는 영상 신호가 공급된다. 또한, 초단의 화소(1a)에 영상 신호의 기입이 행해지고 있을 때에는 용량선(4a)의 전위가 H 레벨의 상태로 계속 유지된다.

그리고, 시간 t8에 있어서, 2번째단의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a)(Gate2)이 온 상태로 됨으로써, 용량선(4a)의 전위가 L 레벨로 유지된 상태로 고전위측에 대응하는 영상 신호가 기입된다. 그리고, 시간 t9에 있어서, 3번째단의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(2a)(Gate3)으로부터 온 상태의 게이트 신호가 출력되고, 또한 이 게이트 신호가 2번째단의 용량선 제어 회로(4b)에서의 트랜지스터(4f)의 게이트에 공급된다. 이로써, 2번째단의 용량선(4a)(SC2)의 전위 및 2번째단의 화소(1a)에서의 화소 전극(1c)의 전위가 고전위측으로 변동한다(도면의 A2 부분). 또한, 이 때, 3번째단의 화소(1a)에 대해서 영상 신호가 기입된다(도면의 B 부분).

이상과 같이, 실시예 1에서는 홀수단의 화소(1a) 및 짝수단의 화소(1a)에는 각각, 1수직 기간마다 고전위측에 대응하는 영상 신호와 저전위측에 대응하는 영상 신호가 교대로 공급된다.

본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치(100)는 도 8 및 도 9에 나타낸 바와 같이, 휴대 전화(50) 및 PC(퍼스널 컴퓨터)(60)등에 이용하는 것이 가능하다. 도 8의 휴대 전화(50)에 있어서는 표시 화면(50a)에 본 발명의 실시예 1에 있어서의 액정 표시 장치(100)가 사용된다. 또한, 도 9의 PC(60)에 있어서는 키보드(60a) 등의 입력부 및 표시 화면(60b) 등에 이용하는 것이 가능하다. 또한, 주변 회로를 액정 패널 내의 기판에 내장함으로써 부품 점수를 대폭 줄이고, 또한 장치 본체의 경량화 및 소형화를 할 수 있게 된다.

실시예 1에서는 상기한 바와 같이, 화소 전극(1c)에 기입하는 영상 신호가 저전위측(대향 전극(1d)의 전위에 대해서 음극성 기입)에 대응하는 경우에는 기입을 행하는 영상 신호가 고전위측(대향 전극(1d)의 전위에 대해서 양극성 기입)에 대응하는 경우와 달리, 유지 용량(1e)의 전위를 일정한 크기로 유지한 상태(LCCOM)로 영상 신호의 기입을 행하도록 제어한다. 즉, 화소 전극(1c)의 전위를 저전위측으로 변동시키는 일없이 영상 신호의 기입을 행하기 때문에, 그 만큼 화소 전극(1c)의 전위의 변동의 진폭의 크기를 작게 할 수 있다. 따라서, 이에 따라서 영상 신호의 기입의 온 오프 제어를 행하기 위한 게이트 신호의 진폭도 작게 할 수 있기 때문에, 그 만큼 영상 신호의 기입시에서의 소비 전력을 저감할 수 있다.

또한, 상기 실시예 1에서는 화소 트랜지스터(1b)에 공급되는 게이트 신호의 오프 전위를 액정 표시 장치의 기준 전위, 즉 그라운드 레벨(GND)과 같은 전위로 되도록 구성함으로써, 기준 전위에 대해서 고전위측(양극성측)에 있어서만 게이트 신호의 온 전위 및 오프 전위가 제어되기 때문에, 기준 전위에 대해서 저전위측(음극성측)의 전원을 별도로 마련하지 않고 게이트선(2a)을 구동할 수 있다. 이로써, 전원수가 증가하는 것을 억제할 수 있다. 한편, 그라운드 레벨(GND)은 전기 신호를 주고 받을 때의 기준 전위이며, 접지 전위로 해도 되고, 또한 V 드라이버(2)의 구동용 전원의 Low 전위로 해도 된다. 이 경우에도, 접지 전위 또는 구동용 전원의 Low 전위에 대해서 저전위측(음극성측)의 전원을 별도로 마련하지 않고 게이트선(2a)을 구동할 수 있기 때문에, 전원수가 증가하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 상기 실시예 1에서는 용량선 제어 회로(4b)를 게이트선(2a)과 접속하도록 구성하고, 또한 게이트선(2a)으로부터 공급되는 게이트 신호에 기초해서 유지 용량(1e)의 전위를 제어하도록 구성함으로써, 유지 용량(1e)의 전위를 제어하기 위한 신호를 별도로 생성하지 않고 게이트 신호에 의해 유지 용량(1e)의 전위를 제어할 수 있기 때문에, 그 만큼 회로가 복잡화되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 상기 실시예 1에서는, 초단의 용량선(4a)에서는, 초단의 용량선 제어 회로(4b)에는 더미 게이트 신호가 공급되고, 또한 초단의 용량선 제어 회로(4b)로부터 더미 게이트 신호에 기초해서 초단의 용량선(4a)에 대응하는 유지 용량(1e)의 전위를 제어하도록 구성함으로써, 초단의 용량선(4a)에 대응하는 유지 용량(1e)의 전위를 더미 게이트 신호에 기초해서 용이하게 제어할 수 있다.

또한, 상기 실시예 1에서는 1수평 기간마다(1 H 기간마다), 화소 전극(1c)에 공급되는 영상 신호를, 고전위측(대향 전극의 전위에 대해서 양극성 기입)에 대응하는 영상 신호와, 저전위측(대향 전극의 전위에 대해서 음극성 기입)에 대응하는 영상 신호로 전환해서 기입을 행하도록 구성함으로써, 1 H 기간마다 고전위측에 대응하는 영상 신호와 저전위측에 대응하는 영상 신호가 교대로 공급되기 때문에, 액 정(6)의 이미지 스티킹 현상이 발생하는 것을 억제할 수 있다.

또한, 상기 실시예 1에서는 1행분의 화소(1a)마다, 각각 용량선(4a) 및 용량선 제어 회로(4b)를 하나씩 마련함으로써, 1행분의 화소(1a)마다, 확실하게 유지 용량(1e)의 전위를 제어할 수 있다.

(실시예 2)

도 10 및 도 11은 본 발명의 실시예 2에 있어서의 액정 표시 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 실시예 2에서는 도 10 및 도 11을 참조해서, 1행분의 화소(1a)마다 용량선(4a) 및 용량선 제어 회로(4b)를 하나씩 마련한 실시예 1과는 달리, 2행분의 화소(1a)마다 용량선(40a) 및 용량선 제어 회로(40b)를 마련한 예에 대해서 설명한다.

본 발명의 실시예 2에 있어서의 액정 표시 장치(200)에서는 도 10에 나타낸 바와 같이, 표시 화면부(1)를 사이에 두도록 해서, 게이트선(20a)을 구비한 V 드라이버(20)가 하나씩 배치되어 있다. 또한, 각 V 드라이버(20)는 시프트 레지스터(20b) 및 출력 제어 회로(20c)를 구비하고 있고, 또한 구동 IC(10)로부터 샘플링 펄스(SP), 클록 신호(CLK), 이네이블 신호(ENB) 및 구동용 전원 전위(Va)가 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 한편의 V 드라이버(20)에 마련된 게이트선(20a)은 홀수단의 화소(1a)에 각각 접속되어 있고, 또한 다른쪽 V 드라이버(20)에 마련된 게이트선(20a)은 짝수단의 화소(1a)에 각각 접속되어 있다. 즉, 실시예 2에 있어서의 하나의 V 드라이버(20)가 구동하는 게이트선(20a)의 개수는 실시예 1에 있어서 의 V 드라이버(2)가 구동하는 게이트선(2a)의 개수의 절반이 된다.

또한, 실시예 2에서는 용량선 구동 회로부(40)를 구비하고 있고, 또한 용량선 구동 회로부(40)에는 2행분의 화소(1a)마다 용량선(40a)과 용량선 제어 회로(40b)가 하나씩 마련되어 있다. 또한, 각 용량선 제어 회로(40b)에는 대응하는 2행분의 화소(1a)에 각각 접속되어 있는 2개의 게이트선(20a)가 접속되어 있다. 또한, 각 용량선 제어 회로(40b)에는 CSL 신호를 공급하기 위한 CSL 선(9)이 접속되어 있다. 또한, CSL 신호는 각 용량선 제어 회로(40b)를 구동하는 기능을 갖는다. 한편, 실시예 2에서는 CSL 신호 및 게이트 신호에 기초해서 용량선 제어 회로(40b) 및 용량선(40a)이 구동하도록 구성되어 있다.

또한, 초단의 용량선(40a)(도 10의 SC1)에 대응하는 용량선 제어 회로(40b)에는 더미 게이트선(20d)(도 10의 DM0) 및 더미 게이트선(20e)(도 10의 DM1)가 접속되어 있다. 또한, 더미 게이트선(20d)은 한쪽 V 드라이버(20)에 접속되어 있고, 또한 더미 게이트선(20e)은 다른쪽 V 드라이버(20)에 접속되어 있다.

다음으로 실시예 2에 있어서의 용량선 구동 회로부(40)의 상세한 회로도에 대해서 설명한다. 도 11에 나타낸 바와 같이, 각 용량선 제어 회로(40b)는 홀수단과 짝수단에 있어서 회로 구성이 다른 실시예 1과는 달리, 모두 같은 회로 구성이 된다. 구체적으로는 각각의 용량선 제어 회로(40b)는 2개의 인버터(40c)로 이루어지는 래치 회로(40d)와, 트랜지스터(40e, 40f, 40g)를 구비하고 있고, 또한 실시예 1과 같이, 트랜스퍼 게이트 트랜지스터로 이루어지는 스위치부(4h, 4i)를 구비하고 있다.

래치 회로(40d)의 한쪽에는 노드 3(ND3)을 통해서, 각각 트랜지스터(40e, 40f)의 소스 및 드레인 중 한쪽이 접속되어 있다. 또한, 트랜지스터(40e, 40f)에서의 소스 및 드레인 중 다른쪽에는 각각, L 레벨의 신호(도면의 VL)가 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 래치 회로(40d)의 다른쪽에도, L 레벨의 신호(도면의 VL)가 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 트랜지스터(40e)의 게이트에는 더미 게이트선(20d)이 접속되어 있고, 또한 트랜지스터(40f)의 게이트에는 더미 게이트선(20e)이 접속되어 있다. 또한, 트랜지스터(40g)의 게이트에는 CSL 선(9)이 접속되어 있다.

또한, 노드 2(ND2)와 노드 3(ND3)이 서로 접속되어 있다. 이로써, 래치 회로(40d)는 노드 2(ND2) 및 노드 3(ND3)을 통해서 스위치부(4h), 스위치부(4i) 및 인버터(4j)와 접속되어 있다.

한편, 그 외의 구성은 실시예 1과 마찬가지다.

다음으로 도 11 및 도 12를 참조해서, 본 발명의 실시예 2에 따른 액정 표시 장치(200)에 있어서의 영상 신호의 기입시의 동작에 대해서 설명한다.

우선, 도 12에 나타낸 바와 같이, 최초의 1 수직 기간(1V 기간)에 있어서, CSL 선(9)으로부터는 2수평 기간(2H 기간)마다 온 신호가 출력된다. 이 때, 시간 t10에 있어서, 클록 신호에 기초해서 H 레벨의 더미 게이트 신호(DM0)가 더미 게이트선(20d)(도 11 참조)을 통해서 초단의 용량선 제어 회로(40b)에서의 트랜지스터(40e)의 게이트에 공급된다. 이로써, 이 트랜지스터(40e)의 소스 및 드레인을 통해서 L 레벨의 신호(도 11의 VL)가 래치 회로(40d)에 기억된다. 또한, 이 때, L 레벨의 신호는 노드 3(ND3) 및 노드 2(ND2)를 통해서 스위치부(4h, 4i)에 공급되고, 또한 스위치부(4h)만이 온 상태로 전환된다. 그리고, 스위치부(4h)를 통해서, COML 신호가 초단의 용량선(40a)(SC1)에 공급된다. 즉, 시간 t10에 있어서, 초단의 용량선(40a)의 전위(SC1의 전위)가 L 레벨의 상태로 된다.

다음으로, 시간 t11에 있어서, CSL 선(9)으로부터 트랜지스터(40g)의 게이트에 온 신호가 공급된다. 이로써, 트랜지스터(40g)의 소스 및 드레인을 통해서 L 레벨의 신호가 래치 회로(40d)에 공급되고, 또한 래치 회로(40d)의 노드 3(ND3)측이 H 레벨의 상태로 된다. 이로써, 시간 t11에 있어서, CSL 신호가 온 상태인 기간만, H 레벨의 신호가 스위치부(4i)에 공급되어, 스위치부(4i)가 온 상태로 된다. 그리고, 스위치부(4i)를 통해서, COMH 신호(H 레벨)이 초단의 용량선(40a)에 공급된다. 이로써, 도 12의 시간 t11에 있어서, 초단의 용량선(40a)의 전위(SC1)가 CSL 신호의 온 기간과 같은 기간 동안 H 레벨로 된다.

또한, 이 때, H 레벨의 더미 게이트 신호(DM1)가 더미 게이트선(20e)(도 11 참조)을 통해서 초단의 용량선 제어 회로(40b)에서의 트랜지스터(40f)의 게이트에 공급된다. 이로써, 트랜지스터(40f)의 소스 및 드레인을 통해서 L 레벨의 신호가 래치 회로(40d)에 공급됨으로써, 다시 래치 회로(40d)에서 노드 3(ND3)측이 L 레벨의 상태로 되도록 해서 기억된다. 그리고, 상술한 바와 같이 해서, 다시 스위치부(4h)가 온 상태로 됨으로써, SC1의 전위가 L 레벨이 된다.

다음으로 시간 t12에 있어서, 초단의 행의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(20a)(도 11의 Gate1)에 온 신호가 공급됨으로써, 초단의 행의 화소(1a)에 대해 서, 용량선(40a)이 저전위측으로 유지된 상태로, 고전위측에 대응하는 영상 신호의 기입이 행해진다(도면의 A1 부분). 또한, 이 때, 게이트선(20a)(Gate1)으로부터 출력된 게이트 신호는 2번째단의 용량선 제어 회로(40b)에서의 트랜지스터(40f)의 게이트에 공급된다. 이로써, 2번째단의 용량선 제어 회로(40b)에서, 노드 3(ND3) 및 노드 2(ND2)를 통해서, L 레벨의 신호가 스위치부(4h, 4i)에 공급된다. 그리고, 상술한 바와 같이, 스위치부(4h)만이 온 상태로 됨으로써 COML 신호(L 레벨)이 2번째단의 용량선(40a)에 공급된다. 즉, 시간 t12에 있어서, 2번째단의 용량선(40a)의 전위(SC2의 전위)가 L 레벨로 변화된다.

그리고, 시간 t13에 있어서, CSL 선(9)으로부터 온 신호가 출력된다. 이 때, 초단의 용량선 제어 회로(40b)에서는 트랜지스터(40g)가 온 상태로 되고, 또한 L 레벨의 신호가 래치 회로(40d)에 공급됨으로써, 노드 3(ND3)가 H 레벨의 상태로 된다. 그리고, 이 H 레벨의 신호에 의해 스위치(4i)가 온 상태로 되고, 또한 스위치부(4i)를 통해서 COMH 신호(H 레벨)이 초단의 용량선(40a)에 공급된다. 즉, 시간 t13에 있어서, CSL 신호에 기초해서, 초단의 용량선(40a)의 전위(SC1의 전위)가 고전위측으로 변동된다. 그리고, 이로써, 영상 신호가 기입된 초단의 행의 화소(1a)의 화소 전극(1c)의 전위는 고전위측으로 변동된다(도면의 A2 부분).

또한, 이 때, CSL 신호는 2번째단의 용량선 제어 회로(40b)에서의 트랜지스터(40g)의 게이트에도 공급된다. 이로써, 상술한 바와 같은 동작에 의해서 2번째단의 용량선(40a)의 전위(SC2의 전위)가 CSL 신호의 온 기간과 같은 기간만 H 레벨로 된다. 또한, 시간 t13에 있어서, 2번째단의 행의 화소(1a)에 대응하는 게이트 선(20a)(도면의 Gate2)으로부터 온 신호가 출력된다. 이로써, 2번째단의 행의 화소(1a)에 대해서, 용량선(40a)의 전위가 고전위측으로 유지된 상태에서, 저전위측에 대응하는 영상 신호의 기입이 행해진다(도면의 B 부분).

그리고, 시간 t14에 있어서, 3번째단의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(20a)(도면의 Gate3)으로부터 온 신호가 출력됨으로써, 3번째단의 행의 화소(1a)에 대해서, 상기와 같이 해서, 용량선(40a)의 전위가 저전위측으로 유지된 상태에서, 고전위측에 대응하는 영상 신호의 기입이 행해진다. 이상으로부터, 순차적으로, 고전위측에 대응하는 영상 신호와 저전위측에 대응하는 영상 신호가 행마다 교대로 기입된다.

또한, 다음 1수직 기간(1V 기간)에 있어서는, 시간 t17에, 더미 게이트선(20e)으로부터 H 레벨의 더미 게이트 신호(도면의 DM1)가 초단의 용량선 제어 회로(40b)에서의 트랜지스터(40f)에 공급된다. 이로써, 스위치(4i)가 온 상태로 되어, 초단의 용량선(40a)(SC1)에 COMH 신호가 공급된다. 그리고, 초단의 용량선(40a)의 전위(SC1의 전위)가 저전위측으로 변화된다. 그리고, 시간 t18에 있어서, H 레벨의 CSL 신호가 각 용량선 제어 회로(40b)에서의 트랜지스터(40g)의 게이트에 공급되고, 또한 더미 게이트선(20d)으로부터 H 레벨의 더미 게이트 신호(도면의 DM0)가 초단의 용량선 제어 회로(40b)에서의 트랜지스터(40e)의 게이트에 공급된다. 이로써, CSL 신호에 기초해서, 각 단의 용량선(40a)에는 COMH 신호가 공급됨으로써 고전위측으로 변화되는 한편으로, 초단의 용량선(40a)에서는 더미 게이트 신호(DM0)에 기초해서, 바로 저전위측으로 돌아간다.

이 상태로, 시간 t19에 있어서, 2번째단의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(20a)(Gate2)으로부터 H 레벨의 게이트 신호가 출력됨으로써, 2번째단의 행의 화소(1a)에 대해서, 용량선(40a)의 전위가 저전위측으로 유지된 상태에서, 고전위측에 대응하는 영상 신호가 기입된다. 그리고, 시간 t20에 있어서, H 레벨의 CSL 신호가 각 용량선 제어 회로(40b)에 공급됨으로써, 초단의 용량선(40a)의 전위는 고전위측으로 변화된다. 이로써, 영상 신호가 기입된 2번째단의 행의 화소(1a)의 화소 전극(1c)의 전위가 더 고전위측으로 변동한다. 또한, 이 때, 초단의 행의 화소(1a)에 대응하는 게이트선(20a)(Gate1)이 온 상태로 됨으로써, 초단의 행의 화소(1a)에 대해서, 용량선(40a)의 전위(SC1의 전위)가 고전위측으로 유지된 상태로, 저전위측에 대응하는 영상 신호가 기입된다. 즉, 2번째단의 화소(1a)에 영상 신호가 기입된 후에 초단의 화소(1a)에 영상 신호가 기입된다. 또한, 3번째단 이후의 화소(1a)에서도, 우선 4번째단의 화소(1a)의 영상 신호의 기입을 행한 후에 3번째단의 화소(1a)에 영상 신호가 기입된다.

여기서, 실시예 2에서는 1수직 기간마다, 전단이 되는 상단의 행의 화소(1a)로부터 후단이 되는 하단의 행의 화소(1a)에 걸쳐서, Gate1, Gate2, Gate3, Gate4…의 순서로 기입을 행하는 제 1 기입 형식과, 2단의 행마다 후단이 되는 하단의 행의 화소(1a)로부터 전단이 되는 상단의 행의 화소(1a)로, Gate2, Gate1, Gate4, Gate3, …의 순서로 영상 신호의 기입을 행하는 제 2 기입 형식이 교대로 행해진다. 한편, 화소로의 기입이 하단의 행으로부터 상단의 행으로 기입되어 가는, 이른바, 역 스캔인 경우는 하단이 전단에 대응하고, 상단이 후단에 대응해서, 다시 판 독하면 된다.

한편, 실시예 2의 그 외의 동작은 실시예 1과 마찬가지다.

실시예 2에서는 상기한 바와 같이, 2행분의 화소(1a)마다, 각각 용량선(40a) 및 용량선 제어 회로(40b)를 하나씩 마련함으로써, 2행분의 화소(1a)에 대해서 용량선(40a)이 1개씩 대응하고 있는 만큼, 용량선(40a)의 개수가 증가하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 용량선(40a)의 개수가 적은 만큼, 각 화소(1a)에서의 광원의 투과율을 증가시킬 수 있다. 즉, 화소(1a)의 개구율을 증가시킬 수 있다. 또한, 용량선 제어 회로(40b)의 수가 적은 만큼, 회로 구성을 간소화할 수 있다.

또한, 상기 실시예 2에서는 V 드라이버(20)를, 표시 화면부(1)를 사이에 두는 위치에 하나씩 배치함으로써, V 드라이버(20)를 표시 화면부(1)를 사이에 두도록 하여 2개 마련함으로써, V 드라이버(20)가 하나인 경우에 비해서, V 드라이버(20)로부터 각 화소(1a)까지의 게이트선(20a)의 거리를 짧게 할 수 있기 때문에, 그 만큼, 배선 저항 및 배선 용량이 커지는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 시정수를 저감시킬 수 있기 때문에, 각 화소(1a)에 대한 영상 신호의 기입을 정확하게 행할 수 있다.

한편, 실시예 2의 그 외의 효과는 실시예 1과 마찬가지다.

(실시예 3)

도 13 및 도 14는 본 발명의 실시예 3에 있어서의 액정 표시 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 실시예 3에서는 도 13 및 도 14를 참조해서, 하나의 CSL 신호에 의해 용량선 제어 회로(40b)를 구동한 실시예 2와는 달리, 2개의 CSL 신호(CSL1 및 CSL2)에 의해 용량선 제어 회로(40b)를 구동하는 예에 대해서 설명한다.

본 발명의 실시예 3에 있어서의 액정 표시 장치(300)에서는 도 13에 나타낸 바와 같이, 홀수단의 용량선 제어 회로(40b)에는 각각 CSL1 신호가 공급되도록 구성되어 있고, 또한 짝수단의 용량선 제어 회로(40b)에는 각각 CSL2 신호가 공급되도록 구성되어 있다. 구체적으로는 CSL1 신호를 공급하기 위한 CSL1선(9a)가, 홀수단의 용량선 제어 회로(40b)에서의 트랜지스터(40g)의 게이트에 접속되어 있다. 또한, CSL2 신호를 공급하기 위한 CSL2 신호(9b)가, 짝수단의 용량선 제어 회로(40b)에서의 트랜지스터(40g)의 게이트에 접속되어 있다.

한편, 실시예 3에 있어서의 그 외의 구성은 실시예 2와 마찬가지다.

다음으로 도 13 및 도 14를 참조해서, 본 발명의 실시예 3에 따른 액정 표시 장치(300)에 있어서의 영상 신호의 기입시의 동작에 대해서 설명한다.

우선, 실시예 2의 시간 t10(도 12 참조)에 있어서의 동작과 같은 동작이 행해진다. 즉, 더미 게이트선(20d)으로부터 H 레벨의 더미 게이트 신호(DM0)가 출력됨으로써, 초단의 용량선(40a)의 전위(SC1의 전위)가 저전위측으로 변화된다. 그리고, 시간 t25에 있어서, 더미 게이트선(20e)으로부터 H 레벨의 더미 게이트 신호(DM1)가 출력되고, 또한 CSL2 선(9b)으로부터 H 레벨의 신호가 출력한다. 여기서, 더미 게이트 신호(DM1)는 초단의 용량선 제어 회로(40b)에서의 트랜지스터(40f)의 게이트에 공급됨으로써, 초단의 용량선(40a)의 전위(SC1의 전위)는 저전 위측으로 계속 유지된다. 즉, 실시예 2에 있어서, 용량선(40a)의 전위는 저전위측으로 변화되고 나서 1 H 기간후에 CSL 신호에 의해 한번 고 전위의 상태로 변화된 후에, 다시 저전위측으로 돌아가도록 동작되고 있는 한편, 실시예 3에 있어서는 한번 저전위측으로 변화된 용량선(40a)의 전위는 영상 신호가 기입되기까지의 기간(2 H 기간) 저전위측으로 계속 유지되도록 제어된다.

또한, CSL2선(9b)으로부터 출력된 H 레벨의 신호는 2번째단의 용량선 제어 회로(40b)에서의 트랜지스터(40g)의 게이트에 공급된다. 이로써, 2번째단의 용량선(40a)의 전위는 고전위측으로 계속 유지된다. 그리고, 시간 t26에 있어서, 초단의 화소(1a)에 대해서, 용량선(40a)의 전위가 저전위측으로 유지된 상태로 고전위측에 대응하는 영상 신호가 기입된다.

그리고, 시간 t27에 있어서, 영상 신호가 기입된 초단의 화소(1a)에서의 용량선(40a)의 전위가, 저전위측으로부터 고전위측으로 변동함으로써, 대응하는 화소(1a)의 화소 전극(1c)의 전위도 고전위측으로 변동한다(도면의 A1 부분). 또한,이 때, 2번째단의 화소(1a)에는 용량선(40a)의 전위가 고전위측으로 유지된 상태로, 저전위측에 대응하는 영상 신호가 기입된다. 그리고, 순차적으로, 전단에 대응하는 상단의 행으로부터 후단에 대응하는 하단의 행에 걸쳐서, 같은 동작에 의해서 영상 신호가 기입된다.

또한, 다음 1수직 기간(1 V 기간)에 있어서도 마찬가지로, 영상 신호의 기입시에, 한번 저전위측으로 변화된 용량선(40a)의 전위는 영상 신호가 기입될 때까지 저전위측으로 계속 유지되도록 제어된다. 또한, 영상 신호의 기입의 순서는 실시 예 2와 같이, 2번째단의 행의 화소(1a)로의 기입의 후에 1번째단의 행의 화소(1a)로의 기입이 행해진다. 즉, Gate2, Gate1, Gate4, Gate3 …과 같이, 2단의 행마다 하단의 화소(1a)로부터 상단의 화소(1a)로 영상 신호의 기입이 행해진다.

실시예 3에서는, 상기한 바와 같이, 실시예 2와 달리 용량선 제어 회로(40b)를 구동하기 위해서, 2개의 CSL 신호(CSL1 및 CSL2)를 마련함으로써, 저전위측으로 변화된 용량선(40a)의 전위는 영상 신호가 기입될 때까지 저전위측으로 계속 유지되도록 제어되기 때문에, 영상 신호의 기입시에, 용량선(40a)의 전위가 불필요하게 변화되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 정확하게 영상 신호의 기입을 행할 수 있다.

한편, 실시예 3의 그 외의 효과는 실시예 2와 마찬가지다.

한편, 금번 개시된 실시예는 모든 점에서 예시이고 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 실시예의 설명이 아니라 특허청구의 범위에 의해서 나타내어지고, 또한 특허청구의 범위와 균등한 의미 및 범위내에서의 모든 변경이 포함된다.

예컨대, 상기 실시예 1~3에서는 표시 화면부의 한쪽측에만 용량선 제어 회로를 배치하는 예를 게시했지만, 본 발명은 이에 한하지 않고, 표시 화면부의 양측에 각각 배치시켜도 된다. 이로써, 용량선의 용량선 구동 회로로부터의 거리(신호 전송로)가 짧아짐으로써, 그 만큼 시정수를 저감시킬 수 있다.

또한, 상기 실시예 1~3에서는 게이트 신호의 오프 전위를 액정 표시 장치의 기준 전위, 즉 그라운드 레벨(GND)로 하는 예를 게시했지만, 본 발명은 이에 한하 지 않고, 게이트 신호의 오프 전위를 접지 전위 또는 V 드라이버(2)의 구동용 전원의 Low 전위로 설정할 수도 있다.

또한, 상기 실시예 1~3에서는 각 화소에 대해서 한쪽 방향(단방향)으로 순차적으로 영상 신호의 기입을 행하는 방식을 본 발명에 적용하는 예를 게시했지만, 본 발명은 이에 한하지 않고, 각 화소에 대해서 쌍방향으로부터 영상 신호의 기입을 행하는 방식에서도 본 발명에 적용 가능하다.

또한, 상기 실시예 1~3에 기재한 드라이버 회로, 구동 회로 및 구동 IC 등의 주변 회로는 액정 표시 장치의 기판 상에, SOG(시스템·온·글라스)의 기술을 이용해서 화소 전극과 같은 유리 기판상에 형성할 수도 있다. 이로써, 반도체 부품 점수의 삭감, 조립의 간편화가 가능해서, 외부 회로 기판도 축소할 수 있어서, 전체적으로 소형·경량화·저비용화를 실현할 수 있다.

또한, 상기 실시예 1에 나타낸 본 발명에 있어서의 액정 표시 장치를 전자 기기에 적용하는 예를 게시했지만, 본 발명은 이에 한하지 않고, 상기 실시예 2 및 3에 있어서 나타낸 본 발명에 있어서의 액정 표시 장치에 있어서도 상기 실시예 1에 있어서 나타낸 전자 기기에 적용 가능하다.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치의 전체 구성을 나타내는 블록도,

도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치의 구성을 나타내는 회로도,

도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치에 있어서의 영상 신호의 기입시의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트,

도 4는 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치에 있어서의 영상 신호의 기입시의 전위 변화를 설명하기 위한 도면,

도 5는 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치에 있어서의 영상 신호의 기입시의 전위 변화를 설명하기 위한 도면,

도 6은 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치에 있어서의 영상 신호의 기입시의 전위 변화를 설명하기 위한 도면,

도 7은 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치에 있어서의 영상 신호의 기입시의 전위 변화를 설명하기 위한 도면,

도 8은 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치를 이용한 전자 기기의 일례를 나타내는 도면,

도 9는 본 발명의 실시예 1에 따른 액정 표시 장치를 이용한 전자 기기의 일례를 나타내는 도면,

도 10은 본 발명의 실시예 2에 따른 액정 표시 장치의 전체 구성을 나타내는 블록도,

도 11은 본 발명의 실시예 2에 따른 액정 표시 장치의 구성을 나타내는 회로도,

도 12는 본 발명의 실시예 2에 따른 액정 표시 장치에 있어서의 영상 신호의 기입시의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트,

도 13은 본 발명의 실시예 3에 따른 액정 표시 장치의 구성을 나타내는 회로도,

도 14는 본 발명의 실시예 3에 따른 액정 표시 장치에 있어서의 영상 신호의 기입시의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트이다.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1 : 표시 화면부 1a : 화소

1b : 화소 트랜지스터 1c : 화소 전극

1d : 대향 전극 1e : 유지 용량

2 : V 드라이버(게이트선 주사부) 2a : 게이트선

2d : 더미 게이트선 3a : 데이터선

4a : 용량선 4b : 용량선 제어 회로

6 : 액정(전기 광학 물질) 10 : 구동 IC(구동용 전원)

20 : V 드라이버(게이트선 주사부) 20a : 게이트선

20d : 더미 게이트선 20e : 더미 게이트선

40a : 용량선 40b : 용량선 제어 회로

50 : 휴대 전화(전자 기기) 60 : PC(전자 기기)

100 : 액정 표시 장치(전기 광학 장치)

200 : 액정 표시 장치(전기 광학 장치)

300 : 액정 표시 장치(전기 광학 장치)

Claims

게이트선과 데이터선의 교차에 대응하여 마련된 화소 전극과,

상기 화소 전극과 전기 광학 물질을 사이에 두고 대향하도록 배치된 대향 전극과,

일단이 상기 화소 전극에 접속되는 유지 용량

을 구비하고,

상기 데이터선을 통해서 상기 화소 전극에 공급되는 데이터선 신호가 상기 대향 전극의 전위에 대해서 양극성 기입에 대응하는 것인 경우에는 상기 데이터선 신호의 기입 후에 상기 유지 용량의 타단의 전위를 고전위측으로 변동시키고, 또한 상기 데이터선 신호가 상기 대향 전극의 전위에 대해서 음극성 기입에 대응하는 것인 경우에는 상기 데이터선 신호의 기입의 전후에서 상기 유지 용량의 타단의 전위를 일정한 크기로 유지하도록 구성되어 있는

전기 광학 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 화소 전극에 접속된 화소 트랜지스터와,

상기 화소 트랜지스터를 온 오프 제어하기 위한 게이트 신호를 공급하는 게이트선과,

상기 게이트선을 주사하는 게이트선 주사부와,

상기 게이트선 주사부에 구동용 전원 전위를 공급하는 구동용 전원

을 더 구비하고,

상기 화소 트랜지스터에 공급되는 게이트 신호의 오프 전위는 전기 광학 장치의 기준 전위로 되도록 구성되어 있는

전기 광학 장치.
제 2 항에 있어서,

상기 유지 용량에 접속된 용량선과,

상기 용량선을 통해서 상기 유지 용량의 전위를 제어하는 용량선 제어 회로

를 더 구비하고,

상기 용량선 제어 회로는, 상기 게이트선과 접속되어 있고, 또한 상기 게이트선으로부터 공급되는 게이트 신호에 기초해서 상기 유지 용량의 전위를 제어하도록 구성되어 있는

전기 광학 장치.
제 3 항에 있어서,

상기 용량선 제어 회로는 상기 용량선마다 마련되고,

각각 상기 화소 트랜지스터를 갖는 복수의 화소와,

초단의 상기 용량선에 대응하여 배치된 상기 용량선 제어 회로에 접속된 더미 게이트선

을 더 구비하고,

상기 초단의 용량선에는, 상기 더미 게이트선에 의해 공급되는 더미 게이트 신호에 기초해서, 상기 초단의 용량선에 대응하여 배치된 용량선 제어 회로로부터 상기 초단의 용량선에 대응하는 유지 용량의 전위를 제어하는 신호가 공급되도록 구성되어 있는

전기 광학 장치.
제 4 항에 있어서,

상기 복수의 화소는 행렬 형상으로 배치되고,

상기 행렬 형상으로 배치된 복수의 화소의 수평 라인마다, 상기 화소 전극에 공급되는 상기 데이터선 신호가, 상기 대향 전극의 전위에 대해서 양극성 기입에 대응하는 데이터선 신호와, 상기 대향 전극의 전위에 대해서 음극성 기입에 대응하는 데이터선 신호로 전환되도록 구성되어 있는

전기 광학 장치.
제 4 항에 있어서,

1행분의 상기 화소마다, 각각, 상기 용량선 및 상기 용량선 제어 회로가 하나씩 마련되어 있는 전기 광학 장치.
제 4 항에 있어서,

복수행분의 상기 화소마다, 각각, 상기 용량선 및 상기 용량선 제어 회로가 하나씩 마련되어 있는 전기 광학 장치.
제 7 항에 있어서,

상기 데이터선 신호의 기입시에, 1수직 기간마다, 전단(前段)의 상기 화소로부터 후단의 상기 화소에 걸쳐서 1단씩 차례로 순차 기입을 행하는 제 1 기입 형식과, 전단의 상기 화소로부터 후단의 상기 화소에 걸쳐서 2단마다 상기 제 1 기입 형식과 역의 순서로 기입을 행하는 제 2 기입 형식을 교대로 행하도록 구성되어 있는 전기 광학 장치.
제 4 항에 있어서,

상기 복수의 화소를 포함하는 표시부를 더 구비하고,

상기 게이트선 주사부는 복수 구비되며, 상기 게이트선 주사부는 상기 표시부를 사이에 두는 위치에 하나씩 배치되어 있는

전기 광학 장치.
청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 기재된 전기 광학 장치를 구비한 전자 기기.