KR101032706B1 - 반도체 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

반도체 패키지 및 그 제조 방법 Download PDF

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    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods

Abstract

반도체 패키지 및 그 제조 방법이 개시된다. 일면에 전도성 패턴(conductive pattern)이 형성된 기판(substrate), 기판의 일면에 형성되며 전도성 패턴이 노출되도록 관통홀이 형성되는 절연층, 일단이 전도성 패턴에 접하고 타단이 오목하도록 관통홀에 형성되는 메탈 포스트(metal post), 및 메탈 포스트의 타단에 형성되는 솔더 범프(solder bump)를 포함하는 반도체 패키지(semiconductor package)는, 메탈 포스트와 솔더 범프 간의 접촉 면적이 증가되어, 이들 간의 접착력이 향상될 수 있다. 이에 따라, 반도체 패키지가 솔더 범프에 의하여 외부 장치에 접합된 후 반도체 패키지에 횡방향으로 작용하는 하중에 대한 저항력이 향상될 수 있다.
패키지, 메탈 포스트, 오목

Description

반도체 패키지 및 그 제조 방법{Semiconductor package and method of manufacturing the same}
본 발명은 반도체 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 패키지(semiconductor package)는, 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package, WLP), 칩 스케일 패키지(chip scale package, CSP) 등과 같이, 전극이 형성된 반도체 기판 상에 절연층 및 재배선층(redistribution layer)등을 형성함으로써, 제조된다.
또한, 이와 같은 반도체 패키지는, 메인 보드(main board)등 외부 장치와의 전기적인 연결을 위하여, 재배선층에 메탈 포스트(metal post)가 형성되고, 이 메탈 포스트에 솔더(solder)가 형성된다.
그러나, 이와 같은 종래 기술에 따르면, 메탈 포스트와 솔더볼 사이의 접합면이 평면으로 이루어져, 이들간의 접착력을 확보하기 어려우므로, 특히, 횡방향의 힘에 대하여 저항력이 크게 떨어지는 한계점이 있다.
본 발명은, 메탈 포스트와 솔더 범프 간의 접착력이 향상되는 반도체 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 일면에 전도성 패턴(conductive pattern)이 형성된 기판(substrate), 기판의 일면에 형성되며 전도성 패턴이 노출되도록 관통홀이 형성되는 절연층, 일단이 전도성 패턴에 접하고 타단이 오목하도록 관통홀에 형성되는 메탈 포스트(metal post), 및 메탈 포스트의 타단에 형성되는 솔더 범프(solder bump)를 포함하는 반도체 패키지(semiconductor package)이 제공된다.
이 때, 메탈 포스트는, 타단이 절연층의 표면에 위치하도록 형성될 수 있다.
또한, 메탈 포스트 직경에 대한 메탈 포스트 길이의 비는 0.5 내지 10 일 수 있다.
한편, 관통홀과 메탈 포스트 사이에 개재되는 시드(seed)를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 일면에 전도성 패턴(conductive pattern)이 형성된 기판(substrate)을 제공하는 단계, 전도성 패턴이 노출되도록 관통홀이 형성되는 절연층을 기판의 일면에 형성하는 단계, 관통홀에 전도성 물질을 충전하여, 일단이 전도성 패턴에 접하고 타단은 오목하도록 관통홀에 메탈 포스트(metal post)를 형성하는 단계, 및 메탈 포스트의 타단에 솔더 범프(solder bump)를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 패키지(semiconductor package) 제조 방 법이 제공된다.
이 때, 절연층을 형성하는 단계와 메탈 포스트를 형성하는 단계 사이에, 관통홀에 시드(seed)를 형성하는 단계를 더 포함하고, 메탈 포스트를 형성하는 단계는, 전해 도금에 의하여 수행될 수 있다.
또한, 시드를 형성하는 단계는, 관통홀 및 절연층에 시드층을 형성하는 단계를 포함하고, 시드를 형성하는 단계와 솔더 범프를 형성하는 단계 사이에, 시드층 중 관통홀에 형성된 부분을 제외한 부분을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
그리고, 시드를 형성하는 단계와 메탈 포스트를 형성하는 단계 사이에, 시드층 중 관통홀에 형성된 부분을 제외한 부분에 도금 레지스트를 형성하는 단계를 더 포함하고, 메탈 포스트를 형성하는 단계와 솔더 범프를 형성하는 단계 사이에, 도금 레지스트를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 메탈 포스트와 솔더 범프 간의 접촉 면적이 증가되어, 이들 간의 접착력이 향상될 수 있다. 이에 따라, 반도체 패키지가 솔더 범프에 의하여 외부 장치에 접합된 후 반도체 패키지에 횡방향으로 작용하는 하중에 대한 저항력이 향상될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 패키지 및 그 제조 방법의 실시예를 첨부도면을 참조 하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
또한, 형성이라 함은, 각 구성 요소 간에 물리적으로 직접 접촉되는 경우만을 뜻하는 것이 아니라, 다른 구성이 각 구성 요소 사이에 개재되어, 그 다른 구성에 구성 요소가 각각 접촉되어 있는 경우까지 포괄하는 개념으로 사용하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 패키지(100)의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.
본 실시예에 따르면, 일면에 전도성 패턴(conductive pattern, 120)이 형성된 기판(substrate, 110), 기판(110)의 일면에 형성되며 전도성 패턴(120)이 노출되도록 관통홀(140)이 형성되는 절연층(130), 일단이 전도성 패턴(120)에 접하고 타단이 오목하도록 관통홀(140)에 형성되는 메탈 포스트(metal post, 170), 및 메탈 포스트(170)의 타단에 형성되는 솔더 범프(solder bump, 180)를 포함하는 반도체 패키지(semiconductor package, 100)가 제시된다.
이와 같은 본 실시예에 따르면, 솔더 범프(180)가 형성되는 메탈 포스트(170)의 타단이 오목하게 형성됨으로써, 메탈 포스트(170)와 솔더 범프(180) 간의 접촉 면적이 증가되어, 이들 간의 접착력을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 결과적으로, 반도체 패키지(100)가 솔더 범프(180)에 의하여 외부 장치에 접합된 후, 반도체 패키지(100)에 횡방향으로 작용하는 하중에 대한 저항력이 향상될 수 있다.
이하, 도 1을 참조하여, 각 구성에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
기판(110)은, 일면에 전도성 패턴(120)이 형성된다. 이 경우, 기판(110)은, 예를 들어, 실리콘(Si) 기판과 같은 반도체 기판일 수 있다. 또한, 이하, 전도성 패턴(120)이, 기판(110) 상에 형성되는 재배선층(redistribution layer)인 경우를 일 예로서 설명하도록 한다.
즉, 본 실시예의 경우, 실리콘 등으로 이루어진 기판(110)에 전극(112)이 형성되고, 이 전극(112)을 노출시키도록 기판(110) 상에 보호층(114)이 형성되며, 전극(112)과 전기적으로 연결되도록 보호층(114) 상에 전도성 패턴(120), 즉, 재배선층이 형성된다.
본 실시예의 경우, 전도성 패턴이 재배선층인 경우를 일 예로 제시하고 있으나, 전도성 패턴은 기판(110)에 형성되는 전극일 수도 있으며, 이러한 경우, 상술한 보호층 및 재배선층은 생략될 수 있다.
절연층(130)은, 기판(110)의 일면에 형성되며 전도성 패턴(120)이 노출되도록 관통홀(140)이 형성된다. 즉, 절연층(130)은, 전도성 패턴(120)을 커버하도록 기판(110) 상에 메탈 포스트(170)의 길이(L)와 동일 또는 유사하도록 형성되며, 절연층(130)에는, 전도성 패턴(120)과 전기적으로 연결되는 메탈 포스트(170)를 형성하기 위하여, 전도성 패턴(120)의 위치와 상응하도록 관통홀(140)이 형성된다.
이 때, 관통홀(140)은, 본 실시예와 같이 전도성 패턴(120)이 재배선층인 경우, 전도성 패턴(120)의 일부분만이 노출되도록 형성되며, 본 실시예와 달리 전도 성 패턴이 전극인 경우, 관통홀은 전극의 사이즈와 상응하도록 형성될 수 있다.
메탈 포스트(170)는, 전도성 패턴(120)과 전기적으로 연결되도록, 일단이 전도성 패턴(120)에 접한다. 또한, 메탈 포스트(170) 직경(D)에 대한 메탈 포스트(170) 길이(L)의 비는 0.5 내지 10이 될 수 있다.
이와 같은 메탈 포스트(170)가 형성됨으로써, 반도체 패키지(100)가 메인 보드 등의 외부 장치에 접합된 후, 외부로부터 반도체 패키지(100)의 너비 방향, 즉, 횡방향의 하중을 받는 경우, 메탈 포스트(170)가 그 길이 방향을 따라 미세하게 조금씩 변형되어, 이러한 하중을 분산시킬 수 있으므로, 결과적으로, 반도체 패키지(100)의 횡방향 하중에 대한 저항력이 향상될 수 있다.
한편, 메탈 포스트(170)는, 타단이 오목하도록 관통홀(140)에 형성된다. 즉, 솔더 범프(180)와 접합되는 메탈 포스트(170)의 타단은 외부를 향하여 오목하게 형성된다. 이에 따라, 솔더 범프(180)와 메탈 포스트(170)가 접하는 면은 곡면 형상이 되어, 이들 간의 접촉 면적이 증가하게 된다.
이와 같이 메탈 포스트(170)와 솔더 범프(180) 간의 접촉 면적이 증가함에 따라, 이들 간의 접찹력이 향상될 수 있으며, 이에 따라, 전술한 바 있는 횡방향 하중에 대한 저항력이 더욱 향상될 수 있다.
즉, 메탈 포스트(170)의 타단이 오목하게 형성되어 솔더 범프(180)와 메탈 포스트(170)의 접촉면이 곡면 형상이 됨으로써, 외부로부터 반도체 패키지(100)에 하중이 작용할 때, 이러한 하중에 대하여 메탈 포스트(170) 및 솔더 범프(180)에 의해 발생되는 지지력은 반도체 패키지(100)의 두께 방향에 해당하는 종방향 성분 이외에 횡방향 성분도 존재하게 되므로, 횡방향으로 작용하는 외부 자극에 대한 저항력이 더욱 향상될 수 있는 것이다.
또 한편, 메탈 포스트(170)는, 타단이 상기 절연층(130)의 표면에 위치하도록 형성된다. 메탈 포스트(170)는, 타단이 관통홀(140)의 내측으로 함입되지 않고, 절연층(130)의 표면을 연장시킨 가상의 평면 상에 위치하도록 형성되는 것이다.
즉, 기판(110)의 일면으로부터, 메탈 포스트(170)의 타단과 절연층(130) 표면까지의 각 거리가 서로 동일하도록 관통홀(140) 내에 메탈 포스트(170)가 형성되어, 메탈 포스트(170)의 타단이 절연층(130)의 표면에 노출된다.
메탈 포스트(170)가 관통홀(140) 내부로 함입되는 경우에는, 이러한 메탈 포스트(170) 함입에 따른 관통홀(140)의 여유 공간을 충전하기 위해, 솔더 범프(180)의 양을 증가시켜야 하므로, 본 실시예와 같이 메탈 포스트(170)의 타단이 절연층(130)의 표면에 위치하도록 메탈 포스트(170)를 형성함으로써, 메탈 포스트(170)와 솔더 범프(180) 간의 접착력을 향상시키면서도 솔더 범프(180)의 양을 필요 이상으로 증가시킬 필요가 없다.
솔더 범프(180)는, 메탈 포스트(170)의 타단에 형성된다. 메탈 포스트(170)의 타단이 오목하게 형성되어 있으므로, 이러한 메탈 포스트(170)의 타단에 솔더 범프(180)가 접합되면, 이들 간의 접촉면이 증가되어 접착력이 증가됨과 동시에, 횡방향 하중에 대한 지지력이 증가하게 되어 보다 안정적이고 내구성이 향상된 반도체 패키지(100)를 구현할 수 있다.
이러한, 솔더 범프(180)는, 솔더 페이스트(solder paste)를 메탈 포스 트(170)의 타단에 도포한 후, 리플로우(reflow) 공정을 수행함으로써 형성될 수 있으며, 이외에, 솔더 볼(solder ball)을 직접 접합함으로써 형성될 수도 있다. 이에 대하여는 본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 패키지(도 12의 200) 제조 방법의 일 실시예를 제시하는 부분에서 후술하도록 한다.
한편, 시드(seed, 150)는, 관통홀(140)과 메탈 포스트(170) 사이에 개재된다. 시드(150)는, 전해 도금을 위하여 관통홀(140) 내부에 형성될 수 있다. 즉, 관통홀(140) 내부에 시드(150)를 형성하고, 전해 도금을 통해 관통홀(140) 내부에 전도성 물질을 충전함으로써, 메탈 포스트(170)를 형성할 수 있다.
이러한, 전해 도금은 시드(150)의 표면을 따라 진행되므로, 메탈 포스트(170)가 절연층(130)으로부터 돌출될 정도로 전해 도금을 진행하지 않는 한, 메탈 포스트(170)는 타단은 오목한 형상을 갖도록 형성되는 것이다. 이에 대하여는 본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 패키지(도 12의 200) 제조 방법의 일 실시예를 제시하는 부분에서 후술하도록 한다.
다음으로, 도 2 내지 도 12를 참조하여, 본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 패키지(200)의 제조 방법에 대하여 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 패키지(200) 제조 방법의 일 실시예를 나타낸 순서도이다. 도 3 내지 도 12는 본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 패키지(200) 제조 방법 일 실시예의 각 공정을 나타낸 단면도이다.
본 실시예에 따르면, 일면에 전도성 패턴(220)이 형성된 기판(210)을 제공하 는 단계, 전도성 패턴(220)이 노출되도록 관통홀(240)이 형성되는 절연층(230')을 기판(210)의 일면에 형성하는 단계, 관통홀(240)에 전도성 물질을 충전하여, 일단이 전도성 패턴(220)에 접하고 타단은 오목하도록 관통홀(240)에 메탈 포스트(270)를 형성하는 단계, 및 메탈 포스트(270)의 타단에 솔더 범프(280)를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 패키지(200) 제조 방법이 제시된다.
이와 같은 본 실시예에 따르면, 솔더 범프(280)가 형성되는 메탈 포스트(270)의 타단이 오목하게 형성됨으로써, 메탈 포스트(270)와 솔더 범프(280) 간의 접촉 면적이 증가되어, 이들 간의 접착력이 향상될 수 있다. 이에 따라, 반도체 패키지(200)가 솔더 범프(280)에 의하여 외부 장치에 접합된 후 반도체 패키지(200)에 횡방향으로 작용하는 하중에 대한 저항력이 향상될 수 있다.
또한, 종래 메탈 포스트(270) 형성에 있어 수반되었던 그라인딩(grinding) 공정이 생략됨으로써, 공정을 단순화하여 공정 비용 및 공정 시간을 절감할 수 있다.
이하, 도 2 내지 도 12를 참조하여, 각 공정에 대하여 보다 상세히 설명하도록 한다.
먼저, 도 3에 도시된 바와 같이, 일면에 전도성 패턴(220)이 형성된 기판(210)을 제공한다(S110). 여기서, 기판(210)은, 예를 들어, 실리콘(Si) 기판과 같은 반도체 기판일 수 있다. 또한, 전도성 패턴(220)은 기판(210) 상에 형성되는 재배선층(redistribution layer)이다.
즉, 본 실시예의 경우, 실리콘 등으로 이루어진 기판(210)에 전극(212)이 형성되고, 이 전극(212)을 노출시키도록 기판(210) 상에 보호층(214)이 형성되며, 전극(212)과 전기적으로 연결되도록 보호층(214) 상에 전도성 패턴(220), 즉, 재배선층이 형성된다.
본 실시예의 경우, 전도성 패턴이 재배선층인 경우를 일 예로 제시하고 있으나, 전도성 패턴은 기판(210)에 형성되는 전극일 수도 있으며, 이러한 경우, 상술한 보호층 및 재배선층은 생략될 수 있다.
여기서, 보호층(214)은, 예를 들어, 포토리소그래피(photo-lithography) 등에 의하여 형성될 수 있고, 재배선층은, 예를 들어, 에디티브(additive) 또는 서브트랙티브(subtractive) 방식에 의하여 형성될 수 있다.
다음으로, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 전도성 패턴(220)이 노출되도록 관통홀(240)이 형성되는 절연층(230')을 기판(210)의 일면에 형성한다(S120). 이는 다음과 같이 나누어 설명할 수 있다.
우선, 도 4에 도시된 바와 같이, 전도성 패턴(220)을 커버하도록 절연층(230)을 형성한다. 이 때, 절연층(230)의 두께는 이 후 형성될 메탈 포스트(270)의 길이(L)와 동일 또는 유사하다.
이어서, 도 5에 도시된 바와 같이, 전도성 패턴(220)의 일부가 노출되도록 절연층(230)에 관통홀(240)을 천공한다. 이 때, 관통홀(240)은 포토리소그래피(photo-lithography) 또는 레이저 드릴(laser drill) 등에 의하여, 전도성 패턴(220)의 위치와 상응하도록 형성될 수 있다.
한편, 본 실시예와 달리 전도성 패턴이 전극인 경우에는, 관통홀(240)이 전극의 사이즈와 상응하도록 형성될 수 있다.
다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, 관통홀(240)에 시드(250)를 형성한다(S130). 메탈 포스트(270)를 전해 도금 방식으로 형성하기 위하여 관통홀(240) 내부에 시드(250)를 형성하는 공정이다.
즉, 관통홀(240) 및 절연층(230') 모두에 일괄적으로 시드층(252)을 형성함으로써, 관통홀(240) 내부에 시드(250)를 형성할 수 있으며, 이러한 시드층(252)은, 이 후 공정에서 플래시 에칭(flash etching) 등에 의해 일부가 제거됨으로써, 관통홀(240) 내부의 시드(250)만이 잔존하게 된다.
이와 같이, 시드(250) 또는 시드층(252)을 이용하여 전해 도금에 의해 메탈 포스트(270)를 형성함으로써, 절연층(230')과의 밀착력을 향상시키면서 보다 용이하게 메탈 포스트(270)를 형성할 수 있다. 또한, 전해 도금의 정도(시간 또는 속도)를 조절함을 통해 메탈 포스트(270) 타단의 형상을 조절할 수 있으므로, 보다 용이하게 오목한 형상의 메탈 포스트(270)를 형성할 수 있다.
한편, 시드(250)를 형성하기 위하여 관통홀(240) 및 절연층(230')에 일괄적으로 시드층(252)을 형성함으로써, 일부 영역에만 시드(250)를 형성하기 위하여 레지스트 등을 추가적으로 형성할 필요가 없으므로, 공정을 단순화하여 효율성을 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 시드층(252) 중 관통홀(240)에 형성된 부분을 제외한 부분에 도금 레지스트(260)를 형성한다(S140). 즉, 전해 도금에 의 하여 관통홀(240)의 내부만을 전도성 물질로 충전하기 위하여, 관통홀(240)에 형성된 시드(250)를 제외한 나머지 시드층(252)에 도금 레지스트(260)를 형성한다.
이와 같이, 도금 레지스트(260)를 형성함으로써, 관통홀(240)만이 전도성 물질에 의해 도금되고, 관통홀(240) 이외의 절연층(230')에는 도금층이 형성되지 않으므로, 이 후, 노출된 시드층(252)을 플래시 에칭 등에 의해 보다 용이하게 제거할 수 있다.
다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 관통홀(240)에 전도성 물질을 충전하여, 일단이 전도성 패턴(220)에 접하고 타단은 오목하도록 관통홀(240)에 메탈 포스트(270)를 형성한다(S150). 즉, 전해 도금에 의하여 시드층(252)이 형성된 관통홀(240)의 내부에 전도성 물질을 충전하여, 일단이 전도성 패턴(220)에 접하는 메탈 포스트(270)를 형성한다.
이와 같이 메탈 포스트(270)를 형성함으로써, 상술한 반도체 패키지(도 1의 100)의 일 실시예에서 설명한 바와 같이, 반도체 패키지(200)가 메인 보드 등의 외부 장치에 접합된 후, 반도체 패키지(200)의 횡방향 하중에 대한 저항력을 향상시킬 수 있다.
또한, 메탈 포스트(270)의 타단은 외부를 향하여 오목하도록 형성된다. 즉, 전해 도금은 시드층(252)의 표면을 따라 진행되므로, 메탈 포스트(270)가 절연층(230')으로부터 돌출되도록 전해 도금을 진행하지 않는 한, 메탈 포스트(270)는 타단이 오목한 형상을 갖도록 형성되는 것이다.
이와 같이 메탈 포스트(270)의 타단을 오목하게 형성함으로써, 상술한 반도 체 패키지(도 1의 100)의 일 실시예에서 설명한 바와 같이, 솔더 범프(280)와 메탈 포스트(270)가 접하는 면은 곡면 형상이 되어, 이들 간의 접촉 면적이 증가하게 되므로, 반도체 패키지(200)의 횡방향 하중에 대한 저항력을 더욱 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 도금 레지스트(260)를 제거한다(S160). 상술한 바와 같이 전해 도금에 의하여 메탈 포스트(270)를 형성한 후, 기능을 다한 도금 레지스트(260)를 제거하는 것이다.
다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 시드층(252) 중 관통홀(240)에 형성된 부분을 제외한 부분을 제거한다(S170). 상술한 바와 같이, 시드층(252)은 관통홀(240) 및 절연층(230') 모두에 형성되므로, 메탈 포스트(270)를 형성한 이후, 메탈 포스트(270)가 형성되지 않고 외부로 노출된 시드층(252)을 플래시 에칭에 의하여 제거한다. 이에 따라, 시드층(252)은 관통홀(240) 내부의 시드(250)만이 잔존하게 된다.
또한, 이 때, 메탈 포스트(270)의 타단 중 일부분도, 이와 같은 플래시 에칭에 의하여 제거된다.
다음으로, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 메탈 포스트(270)의 타단에 솔더 범프(280)를 형성한다(S180). 이는 다음과 같이 나누어 설명할 수 있다.
우선, 도 11에 도시된 바와 같이, 메탈 포스트(270)의 타단에 솔더 페이스트(solder paste, 270)를 도포한다. 예를 들어, 스크린 프린팅(screen printing) 등의 공정에 의해 솔더 페이스트(270)를 도포할 수 있다.
이어서, 도 12에 도시된 바와 같이, 도포된 솔더 페이스트(270)를 리플로 우(reflow)하여, 메탈 포스트(270)와 밀착된 솔더 범프(280)를 형성한다. 이에 따라, 메탈 포스트(270)의 타단과 솔더 범프(280) 간에는 곡면 형상의 접착면이 형성되며, 이러한 곡면 형상의 접착면에 의하여 상술한 바와 같이, 접촉 면적이 증가하고 접착력이 증가하게 된다.
한편, 본 실시예와 달리, 메탈 포스트(270)의 타단에 플럭스(flux)를 도포한 후, 이 플럭스에 솔더 볼(solder ball)을 접합하여 솔더 범프(280)를 형성할 수도 있으며, 이 역시 본 발명의 권리범위에 포함됨은 물론이다.
이와 같이, 본 실시예에 따르면, 솔더 범프(280)를 형성하기 이전에, 메탈 포스트(270)의 타단을 그라인딩 등에 의하여 평탄하게 가공하는 공정이 생략되므로, 공정을 단순화할 수 있고, 이에 따라, 공정 비용 및 공정 시간을 절감할 수 있다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 패키지의 일 실시예를 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 패키지 제조 방법의 일 실시예를 나타낸 순서도.
도 3 내지 도 12는 본 발명의 다른 측면에 따른 반도체 패키지 제조 방법 일 실시예의 각 공정을 나타낸 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 반도체 패키지 110: 기판
112: 전극 114: 보호층
120: 전도성 패턴 130: 절연층
140: 관통홀 150: 시드
170: 메탈 포스트 180: 솔더 범프

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 일면에 전도성 패턴(conductive pattern)이 형성된 기판(substrate)을 제공하는 단계;
    상기 전도성 패턴이 노출되도록 관통홀이 형성되는 절연층을 상기 기판의 일면에 형성하는 단계;
    상기 관통홀에 시드(seed)를 형성하는 단계;
    전해 도금에 의하여 상기 관통홀에 상기 시드의 표면을 따라 전도성 물질을 충전하여, 일단이 전도성 패턴에 접하고 타단은 오목한 형상을 갖도록 상기 관통홀에 메탈 포스트(metal post)를 형성하는 단계; 및
    상기 메탈 포스트의 타단에 솔더 범프(solder bump)를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 메탈 포스트는, 타단이 상기 절연층의 표면에 위치하도록 형성되고,
    상기 솔더 범프와 상기 메탈 포스트의 접촉면은 곡면 형상을 가지며,
    상기 메탈 포스트의 타단은 전해 도금의 수행 시간을 조절함에 의해 오목하게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지(semiconductor package) 제조 방법.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서,
    상기 시드를 형성하는 단계는,
    상기 관통홀 및 상기 절연층에 시드층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 시드를 형성하는 단계와 상기 솔더 범프를 형성하는 단계 사이에,
    상기 시드층 중 상기 관통홀에 형성된 부분을 제외한 부분을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 시드를 형성하는 단계와 상기 메탈 포스트를 형성하는 단계 사이에,
    상기 시드층 중 상기 관통홀에 형성된 부분을 제외한 부분에 도금 레지스트를 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 메탈 포스트를 형성하는 단계와 상기 솔더 범프를 형성하는 단계 사이에,
    상기 도금 레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 제조 방법.
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