KR101025401B1 - 디캡 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 디캡 방법 - Google Patents

디캡 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 디캡 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 와이어 본딩의 불량을 검사하기 위해 반도체 패키지를 디캡(decap)함에 있어서, 디캡 과정 중에 구리 와이어가 디캡 용액에 녹는 것을 방지할 수 있는 디캡 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 디캡 방법에 관한 것이다.
이를 위해 컨트롤러, 상기 컨트롤러의 상부에 형성되고, 상부에 반도체 패키지가 안착되는 플레이트 및 상기 컨트롤러에 연결되어 상기 반도체 패키지의 상면에 광을 조사하는 램프를 포함하는 디캡 장치가 개시된다.
반도체, 패키지, 구리, 와이어, 디캡, Decap

Description

디캡 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 디캡 방법{Decapper And Decap Method Using The Same}
본 발명은 디캡 장치 및 이를 이용한 디캡 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 와이어 본딩의 불량을 검사하기 위해 반도체 패키지를 디캡함에 있어서, 디캡 과정 중에 구리 와이어가 디캡 용액에 녹는 것을 방지할 수 있는 디캡 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 디캡 방법에 관한 것이다.
일반적으로 널리 사용되는 BGA(Ball Grid Array) 방식 또는 LGA(Land Grid Array) 방식의 반도체 패키지는 서브스트레이트, 서브스트레이트의 상부에 부착된 반도체 다이, 서브스트레이트와 반도체 다이를 연결하는 와이어, 반도체 다이와 와이어를 감싸도록 서브스트레이트의 상부에 형성되는 인캡슐런트를 포함하여 구성된다.
이러한 BGA 또는 LGA 방식의 반도체 패키지에 사용되는 와이어는 전도성이 좋고, 인캡슐런트를 디캡(decap)하는 경우에도 디캡 용액에 부식되지 않고 남아서 와이어 본딩의 불량 검사를 용이하게 할 수 있는 금(gold)이 널리 사용되고 있다. 따라서, 이러한 금은 반도체 패키지의 와이어로 사용되는 데에 최적의 재료로 알려져 있다. 그러나 이러한 금을 반도체 패키지에 사용하면, 생산 단가가 높아지게 되는 문제점이 있다.
한편, 최근들어 전도성은 금에 비해 떨어지지만, 단가가 낮은 구리(copper)를 반도체 패키지의 와이어로 이용하여 금을 대체하려는 노력들이 있어 왔다.
그리고 반도체 패키지의 와이어 본딩 불량을 검사하기 위해서는 반도체 패키지를 디캡(decap) 용액으로 부식시키고 세정하는 과정을 반복하게 된다. 그런데 구리는 반응성이 좋기 때문에, 와이어 본딩 불량을 검사하기 위해 디캡 용액으로 인캡슐런트를 부식시키는 공정에서 와이어를 이루는 구리가 디캡 용액과 반응하여 부식되는 현상이 발생한다. 따라서, 구리를 와이어로 이용한 반도체 패키지는 디캡 후 와이어 본딩 불량 검사를 하기 어려워서 제품화하기 곤란한 문제가 있다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 와이어 본딩의 불량을 검사하기 위해 반도체 패키지를 디캡함에 있어서, 디캡 과정 중에 구리 와이어가 디캡 용액에 녹는 것을 방지할 수 있는 디캡 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 디캡 방법을 제공함에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 디캡 장치는 컨트롤러, 상기 컨트롤러의 상부에 형성되고, 상부에 반도체 패키지가 안착되는 플레이트 및 상기 컨트롤러에 연결되어 상기 반도체 패키지의 상면에 광을 조사하는 램프를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 플레이트는 상기 반도체 패키지의 하면에 열을 가하는 것일 수 있다.
그리고 상기 플레이트는 상기 반도체 패키지의 하면에 100℃ 내지 120℃의 열을 가하는 것일 수 있다.
또한, 상기 컨트롤러 및 램프의 사이에는 상기 컨트롤러의 상부에 형성되는 수직 이송 수단이 구비되고, 상기 수직 이송 수단은 내부에 볼 스크류 및 LM 가이드를 포함하여, 상기 램프의 수직 위치를 이동시키는 것일 수 있다.
또한, 상기 램프는 상기 수직 이송 수단에 플렉서블 와이어를 이용하여 연결 될 수 있다
또한, 상기 수직 이송 수단의 적어도 일 측부에는 핸드 휠이 형성되어 회전을 통해 상기 볼 스크류를 회전시켜 상기 수직 이송 수단의 수직 위치를 조절할 수 있다.
또한, 상기 램프는 상기 플레이트의 상부에 이격되어 쌍을 이루어 형성될 수 있다.
또한, 상기 램프는 상기 반도체 패키지의 상면에 70℃ 내지 90℃의 온도를 갖는 램프광을 조사할 수 있다.
또한, 상기 램프는 구동시 턴온되는 시간이 30분 내지 50분일 수 있다.
더불어, 상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 반도체 패키지의 디캡 방법은 플레이트의 상부에 반도체 패키지를 안착하는 반도체 패키지 구비 단계, 상기 반도체 패키지의 상부에 디캡 용액을 도포하는 디캡 용액 도포 단계, 상기 플레이트를 가열하여 상기 반도체 패키지의 하면을 가열하는 플레이트 가열 단계 및 상기 플레이트의 상부에 형성된 램프로 상기 반도체 패키지의 상면에 램프광을 조사하는 램프광 조사 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 디캡 용액 도포 단계는 상기 반도체 패키지의 상면에 발연 질산, 황산 및 탈이온수를 혼합하여 형성된 상기 디캡 용액을 도포하는 것일 수 있다.
그리고 상기 디캡 용액 도포 단계는 상기 발연 질산의 부피를 기준으로 상기 황산을 2배 내지 4배의 부피로 혼합한 상기 디캡 용액을 도포하는 것일 수 있다.
또한, 상기 디캡 용액 도포 단계는 상기 발연 질산의 부피를 기준으로 상기 탈이온수를 0.2배 내지 1배의 부피로 혼합한 상기 디캡 용액을 도포하는 것일 수 있다.
또한, 상기 플레이트 가열 단계는 상기 플레이트를 100℃ 내지 120℃의 온도로 가열하는 것일 수 있다.
또한, 상기 램프광 조사 단계는 상기 반도체 패키지의 상부에 30분 내지 50분의 시간동안 상기 램프광을 조사하는 것일 수 있다.
또한, 상기 램프광 조사 단계는 온도가 70℃ 내지 90℃인 상기 램프광을 조사하는 것일 수 있다.
또한, 상기 램프광 조사 단계 이후에는 상기 반도체 패키지를 세정액으로 세정하는 세정 단계가 더 이루어질 수 있다.
또한, 상기 세정 단계는 아세톤 및 탈이온수 중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 상기 세정액으로 상기 반도체 패키지를 세정하는 것일 수 있다.
상기와 같이 하여 본 발명에 의한 디캡 장치 및 반도체 패키지의 디캡 방법은 구리 와이어를 이용한 반도체 패키지의 하면을 플레이트로 가열하고, 반도체 패키지의 상면을 램프를 통해 가열한 상태에서 디캡 용액을 사용함으로써, 구리 와이 어가 손상됨이 없이 디캡(decap)이 가능하도록 하며, 와이어 본딩 불량 검사가 수행될 수 있도록 할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 디캡 장치(100)의 구성을 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 디캡 장치(100)를 도시한 사시도이다. 도 2는 본 발명에 따른 디캡 장치(100)를 도시한 측면도이다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 디캡 장치(100)의 정면 사진을 도시한 것이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 디캡 장치(100)는 컨트롤러(110), 상기 컨트롤러(110)의 상부에 형성된 플레이트(120), 상기 컨트롤러(110)의 상부에 형성된 지지 기둥(130), 상기 지지 기둥(130)의 상부에 형성된 수직 이송 수단(140), 상기 수직 이송 수단(140)의 일측부에 형성된 핸드 휠(150), 상기 수직 이송 수단(140)에 연결된 램프(170)를 포함한다. 또한, 상기 수직 이송 수단(140) 및 램프(170)는 플렉서블 와이어(160)를 통해 연결될 수 있다.
상기 컨트롤러(110)는 본 발명에 따른 디캡 장치(100)에 인가되는 전반적인 신호를 제어한다. 상기 컨트롤러(110)는 상기 플레이트(120)에 가해지는 열의 온도를 제어할 수 있으며, 상기 램프(170)의 턴온 시간 및 온도를 제어할 수도 있다. 또한, 상기 컨트롤러(110)는 본 발명에 따른 디캡 장치(100)의 하부를 구성하여 전체적인 무게 중심을 잡고, 위치를 고정하는 역할을 할 수도 있다.
상기 플레이트(120)는 상기 컨트롤러(110)의 상부에 형성된다. 또한, 상기 플레이트(120)의 상부에는 반도체 패키지(a)가 위치할 수 있다. 상기 플레이트(120)는 상기 반도체 패키지(a)의 하부를 가열하여 상기 반도체 패키지(a)를 디캡하기 위한 용액을 활성화시키도록 한다.
여기서, 상기 플레이트(120)의 온도는 100℃ 내지 120℃일 수 있다. 상기 플레이트(120)의 온도가 100℃ 미만인 경우, 상기 반도체 패키지(a)에 열이 전달되는 정도가 지연되어 상기 반도체 패키지(a)의 디캡의 공정 시간이 오래 걸리게 된다. 또한, 상기 플레이트(120)의 온도가 120℃를 초과하는 경우, 상기 반도체 패키지(a)의 하면에 형성된 솔더볼이 녹을 염려가 있다.
상기 지지 기둥(130)은 상기 컨트롤러(110)의 상부에 형성될 수 있다. 상기 지지 기둥(130)은 상기 컨트롤러(110)의 상면에 수직한 방향으로 형성될 수 있다. 상기 지지 기둥(130)은 상기 수직 이송 수단(140)을 지지하는 역할을 하며, 상기 컨트롤러(110)로부터 상기 램프(170)에 연결되기 위해 상기 수직 이동 수단(140)으로 연결되는 배선을 내부에 포함할 수 있다. 또한, 상기 지지 기둥(130)은 상기 수직 이송 수단(140)과 별도의 구조로 도시되어 있으나, 상기 수직 이송 수단(140)과 일체의 구조로 형성될 수도 있다.
상기 수직 이송 수단(140)은 상기 램프(170)를 수직 방향으로 이송한다. 상기 수직 이송 수단(140)은 별도로 도시하지 않았지만, 내부에 볼 스크류 및 LM(Linear Motion) 가이드를 포함할 수 있다. 그리고 상기 볼 스크류는 상기 핸드 휠(150)과 결합하여 상기 핸드 휠(150)의 회전에 따라 함께 회전함으로써, 상기 LM 가이드를 따라 상기 수직 이송 수단(140) 전체를 수직 방향으로 이송시킬 수 있다. 상기 볼 스크류 및 LM 가이드의 구조는 일반적으로 널리 알려져 있는 바, 상세한 설명은 생략하도록 한다.
상기 핸드 휠(150)은 상기 수직 이송 수단(140)의 일측에 형성된다. 상기 핸드 휠(150)은 본 발명에 따른 디캡 장치(100)를 사용하는 사용자에 의해 일정 방향으로 회전될 수 있다. 또한, 상기 핸드 휠(150)의 회전에 따라 상기 수직 이송 수단(140)의 볼 스크류가 회전을 하여, 상기 LM 가이드를 따라 이동함으로써 상기 수직 이송 수단(150)이 수직 방향으로 이송될 수 있다. 결국, 상기 핸드 휠(150)은 상기 램프(170)의 수직 위치를 조절하는데 사용될 수 있다.
상기 플렉서블 와이어(160)는 상기 수직 이송 수단(140)의 적어도 일측면에 형성될 수 있다. 상기 플렉서블 와이어(160)는 상기 램프(170)를 상기 수직 이송 수단(140)에 결합시킨다. 상기 플렉서블 와이어(160)는 구부릴 수 있도록 형성되어 본 발명에 따른 디캡 장치(100)의 사용자가 원하는 대로 형상을 세팅할 수 있도록 한다. 그리고 상기 플렉서블 와이어(160)는 상기 세팅이 끝난 후에는 외력이 없는 한 세팅된 위치에서 고정될 수 있다. 따라서, 상기 플렉서블 와이어(160)는 사용자가 상기 램프(170)의 위치를 원하는 곳으로 이동 및 고정시킬 수 있도록 한다. 또한, 상기 플렉서블 와이어(160)의 내부로는 전기적 배선이 구비되어 상기 램프(170)에 상기 수직 이송 수단(140)으로부터의 전압을 인가할 수 있다.
상기 램프(170)는 상기 플렉서블 와이어(160)를 통해 상기 수직 이송 수단(140)에 결합된다. 상기 램프(170)는 상기 플렉서블 와이어(160)로부터 전압을 인가받아 턴온된다. 상기 램프(170)는 상기 플레이트(120)의 상부를 조사하여, 상기 반도체 패키지(a)의 상면에 도포된 디캡 용액이 상기 반도체 패키지(a)의 상면을 용이하게 디캡할 수 있도록 열을 가할 수 있다. 또한, 상기 램프(170)는 플레이트(120)의 상면으로부터 이격되어 형성되며, 쌍을 이루어 형성될 수도 있다.
또한, 상기 램프(170)의 온도는 70℃ 내지 90℃일 수 있다. 상기 램프(170)의 온도가 70℃ 미만인 경우, 상기 반도체 패키지(a)의 상면을 디캡하는 상기 디캡 용액이 활성을 유지하기 어려워서 디캡하는 속도가 느려져서 공정 시간이 증가하게 된다. 또한, 상기 램프(170)의 온도가 90℃를 초과하는 경우, 상기 반도체 패키 지(a)의 구리 와이어가 녹아서 디캡 이후에 와이어 본딩의 안정성을 확인하기 어렵게 될 염려가 있다.
또한, 상기 램프(170)의 램프광을 조사하는 시간은 30분 내지 50분 일 수 있다. 상기 램프광의 조사 시간이 30분 미만인 경우, 상기 디캡 용액이 활성화되기 적정한 온도를 유지하기 어려워 공정 시간이 지연된다. 또한, 상기 램프광의 조사 시간이 50분을 초과하는 경우, 상기 구리 와이어가 녹을 염려가 있다.
상기와 같이 하여, 본 발명에 따른 디캡 장치(100)는 구리 와이어를 이용한 반도체 패키지(a)의 하면을 플레이트(120)로 가열하고, 상기 반도체 패키지(a)의 상면을 램프(170)를 통해 가열한 상태에서 디캡 용액을 사용함으로써, 구리 와이어가 손상됨이 없이 디캡(decap)이 가능하도록 하며, 와이어 본딩 불량 검사가 수행될 수 있도록 할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 디캡 장치(100)를 이용한 반도체 패키지의 디캡 방법을 설명하도록 한다.
도 4는 본 발명에 따른 디캡 장치(100)를 이용한 반도체 패키지의 디캡 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다. 도 5는 본 발명에 따른 디캡 장치(100)를 이용한 반도체 패키지의 디캡 방법을 반복하여 디캡된 반도체 패키지(a)를 도시한 평면 사진이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 디캡 장치(100)를 이용한 디캡 방 법은 반도체 패키지 구비 단계(S1), 디캡 용액 도포 단계(S2), 플레이트 가열 단계(S3), 램프광 조사 단계(S4)를 포함한다. 또한, 상기 램프광 조사 단계(S4)의 이후에는 세정 단계(S5)가 더 이루어질 수 있다.
먼저, 본 발명에 따른 디캡 장치(100)에 의해 디캡될 반도체 패키지(a)를 구비하는 반도체 패키지 구비 단계(S1)가 이루어진다. 상기 반도체 패키지(a)는 상기 플레이트(120)의 상부에 위치한다. 이 때, 상기 반도체 패키지(a)는 구리로 와이어 본딩이 되어 있을 수 있으며, 상기 와이어가 상기 반도체 패키지(a)의 내부에서 상측을 향하도록 위치한다.
이후, 상기 반도체 패키지(a)의 상면에 디캡 용액을 도포하는 디캡 용액 도포 단계(S2)가 이루어진다. 상기 디캡 용액은 발연 질산(Fuming Nitric Acid), 황산(Sulfuric Acid) 및 탈이온수(De-Ionized Water)를 혼합하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 발연 질산의 부피를 기준으로 상기 황산은 2배 내지 4배의 부피로 혼합될 수 있다. 상기 황산이 상기 발연 질산의 2배 미만인 경우에는 상기 반도체 패키지(a)의 상면을 디캡하는 속도가 늦어지게 되어 공정 시간이 길어지게 된다. 그리고 상기 황산이 상기 발연 질산의 4배를 초과하는 경우, 상기 구리 와이어를 부식하여 와이어 본딩을 테스트하기 어렵게 될 염려가 있다.
또한, 상기 발연 질산의 부피를 기준으로 상기 탈이온수는 0.2배 내지 1배의 부피비로 혼합될 수 있다. 상기 탈이온수는 상기 디캡 용액을 희석시키는 역할을 하기 때문에 상기 탈이온수가 상기 발연 질산의 0.2배 미만으로 혼합되는 경우에는 상기 반도체 패키지(a)의 부식 속도가 빨라져서 구리 와이어를 부식시킬 염려가 있다. 또한, 상기 탈이온수가 상기 발연 질산의 1배를 초과하여 혼합되는 경우에는 상기 반도체 패키지(a)의 상면을 디캡하는 속도가 늦어져서 공정 시간이 길어지게 된다.
이후, 상기 플레이트(120)로 상기 반도체 패키지(a)의 하면을 가열하는 플레이트 가열 단계(S3)가 이루어진다. 따라서, 상기 반도체 패키지(a)가 상기 디캡 용액에 의해 디캡되기 적정한 온도를 유지할 수 있다. 이 때, 상기 플레이트(120)의 온도는 100℃ 내지 120℃일 수 있음은 앞에서 상술하였다.
이후, 상기 반도체 패키지(a)의 상면에 램프(170)를 통해 램프광을 조사하는 램프광 조사 단계(S4)가 이루어진다. 상기 램프(170)는 상기 반도체 패키지(a)의 상면을 가열하여 상기 디캡 용액이 디캡하기 적정한 온도를 유지하도록 할 수 있다. 이 때, 상기 램프(170)의 온도는 70℃ 내지 90℃일 수 있고, 램프광의 조사 시간은 30분 내지 50분일 수 있음은 앞에서 상술하였다. 또한, 상기 램프광 조사 단계(S4)는 상기 플레이트 가열 단계(S3) 이후에 이루어지는 것으로 도시하였으나, 상기 플레이트 가열 단계(S3)보다 이전 또는 동시에 이루어져도 무방하다.
이후, 상기 반도체 패키지(a)를 세정액을 통해 세정하는 세정 단계(S5)가 이 루어질 수 있다. 상기 세정액은 아세톤 또는 탈이온수를 사용할 수 있다. 상기 세정 단계(S5) 이후 상기 반도체 패키지(a)의 상면을 일정 부분 디캡한 이후의 와이어의 상태를 관찰할 수 있게 된다.
또한, 상기 세정 단계(S5) 이후에는 다시 상기 디캡 용액 도포 단계(S2) 내지 램프광 조사 단계(S4)가 반복하여 이루어질 수 있다. 도 5는 본 발명에 따른 디캡 장치(100)를 이용한 디캡 방법으로 반도체 패키지(a)의 상면을 반복하여 디캡한 것을 도시한 사진이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 반복 횟수가 증가함에 따라 구리 와이어가 점점 드러남을 확인할 수 있고, 이 경우에도 구리 와이어는 부식되지 않는 것을 확인할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 디캡 장치(100)를 이용한 디캡 방법을 통해 반도체 패키지(a)를 디캡함으로써, 와이어 본딩 검사를 용이하게 수행할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 디캡 장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 디캡 장치를 도시한 측면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 디캡 장치의 정면 사진이다.
도 4는 본 발명에 따른 디캡 장치를 이용한 디캡 방법을 설명하기 위한 플로우챠트이다.
도 5는 본 발명에 따른 디캡 장치를 이용한 디캡 방법을 반복하여 디캡된 반도체 패키지를 도시한 평면 사진이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100; 본 발명에 따른 디캡 장치 110; 컨트롤러
120; 플레이트 130; 지지 기둥
140; 수직 이송 수단 150; 핸드 휠
160; 플렉서블 와이어 170; 램프

Claims (18)

  1. 컨트롤러;
    상기 컨트롤러의 상부에 형성되고, 상부에 반도체 패키지가 안착되는 플레이트; 및
    상기 컨트롤러에 연결되어 상기 반도체 패키지의 상면에 70℃ 내지 90℃의 온도를 갖는 광을 조사하는 램프를 포함하는 것을 특징으로 하는 디캡 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 반도체 패키지의 하면에 열을 가하는 것을 특징으로 하는 디캡 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 반도체 패키지의 하면에 100℃ 내지 120℃의 열을 가하는 것을 특징으로 하는 디캡 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 컨트롤러 및 램프의 사이에는 상기 컨트롤러의 상부에 형성되는 수직 이송 수단이 구비되고, 상기 수직 이송 수단은 내부에 볼 스크류 및 LM 가이드를 포함하여, 상기 램프의 수직 위치를 이동시키는 것을 특징으로 하는 디캡 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 램프는 상기 수직 이송 수단에 플렉서블 와이어를 이용하여 연결된 것을 특징으로 하는 디캡 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 수직 이송 수단의 적어도 일 측부에는 핸드 휠이 형성되어 회전을 통해 상기 볼 스크류를 회전시켜 상기 수직 이송 수단의 수직 위치를 조절하는 것을 특징으로 하는 디캡 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 램프는 상기 플레이트의 상부에 이격되어 쌍을 이루어 형성된 것을 특징으로 하는 디캡 장치.
  8. 삭제
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 램프는 구동시 턴온되는 시간이 30분 내지 50분인 것을 특징으로 하는 디캡 장치.
  10. 플레이트의 상부에 반도체 패키지를 안착하는 반도체 패키지 구비 단계;
    상기 반도체 패키지의 상부에 발연 질산, 황산 및 탈이온수를 혼합하여 형성되고, 상기 발연 질산의 부피를 기준으로 상기 황산을 2배 내지 4배의 부피로 혼합한 디캡 용액을 도포하는 디캡 용액 도포 단계;
    상기 플레이트를 가열하여 상기 반도체 패키지의 하면을 가열하는 플레이트 가열 단계; 및
    상기 플레이트의 상부에 형성된 램프로 상기 반도체 패키지의 상면에 램프광을 조사하는 램프광 조사 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 디캡 방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 디캡 용액 도포 단계는 상기 발연 질산의 부피를 기준으로 상기 탈이온수를 0.2배 내지 1배의 부피로 혼합한 상기 디캡 용액을 도포하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 디캡 방법.
  14. 제 10항에 있어서,
    상기 플레이트 가열 단계는 상기 플레이트를 100℃ 내지 120℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 디캡 방법.
  15. 제 10항에 있어서,
    상기 램프광 조사 단계는 상기 반도체 패키지의 상부에 30분 내지 50분의 시간동안 상기 램프광을 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 디캡 방법.
  16. 제 10항에 있어서,
    상기 램프광 조사 단계는 온도가 70℃ 내지 90℃인 상기 램프광을 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 디캡 방법.
  17. 제 10항에 있어서,
    상기 램프광 조사 단계 이후에는 상기 반도체 패키지를 세정액으로 세정하는 세정 단계가 더 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 디캡 방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 세정 단계는 아세톤 및 탈이온수 중에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합으로 이루어진 상기 세정액으로 상기 반도체 패키지를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 디캡 방법.
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