KR101025027B1 - Dual Spring Structure and Test Socket Comprising Thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이중 스프링 및 이중 스프링을 포함한 테스트 소켓에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 칩의 리드단자와 테스트장비의 테스트단자를 전기적으로 연결하기 위한 테스트 소켓에 이용되는 이중 스프링으로서, 전도성을 가진 제1 강선이 나선 형태로 감겨 형성되되, 제1 강선이 접촉하여 감겨진 제1 밀착부와 제1 강선이 이격하여 감겨진 제1 탄성부를 포함하는 제1 스프링; 및 전도성을 가진 제2 강선이 나선 형태로 감겨 형성되되, 제2 강선이 접촉하여 감겨진 제2 밀착부와 제2 강선이 이격하여 감겨진 제2 탄성부를 포함하는 제2 스프링;을 포함하며, 제1 스프링은 제2 스프링의 내부로 삽입되어 형성된 것을 특징으로 하는 이중 스프링 및 상기 이중 스프링을 포함하는 테스트 소켓에 관한 것이다.The present invention relates to a test socket including a double spring and a double spring, and more particularly, a double spring used in the test socket for electrically connecting the lead terminal of the semiconductor chip and the test terminal of the test equipment. A first spring having a first wire wound in a spiral shape, the first spring including a first elastic part wound around the first steel wire and a first elastic part wound around the first steel wire; And a second spring having a conductive second wire wound in a spiral shape, the second spring including a second elastic part wound by contacting the second steel wire and a second elastic part wound apart from the second steel wire; The first spring relates to a double spring and a test socket comprising the double spring, characterized in that formed by being inserted into the second spring.

본 발명에 의한 이중 스프링은 인덕턴스를 감소시켜 신호 전달 특성을 개선하고, 원하는 길이로 형성될 수 있으므로 간단하게 테스트 소켓의 높이 조절을 가능하게 하며, 제작 비용이 매우 저렴하고 내구성이 좋아 적용 분야가 다양하다.The double spring according to the present invention improves the signal transmission characteristics by reducing the inductance, and can be formed to a desired length, so that the height of the test socket can be easily adjusted. Do.

이중 스프링, 테스트 소켓, 하우징, 접촉 시트, 탄성부, 밀착부, 볼록부, Double springs, test sockets, housings, contact sheets, elastic parts, tight parts, convex parts,

Description

이중 스프링 및 그를 포함한 테스트 소켓{Dual Spring Structure and Test Socket Comprising Thereof}Dual Spring Structure and Test Socket Comprising Thereof}

본 발명은 이중 스프링 및 이중 스프링을 포함한 테스트 소켓에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전기 전달 특성이 개선되고 간단하게 높이 조절이 가능하며 제작 비용이 저렴하며 내구성이 좋은 이중 스프링 및 이중 스프링을 포함한 테스트 소켓에 관한 것이다. The present invention relates to a test socket including a double spring and a double spring, and more particularly, to a test socket including a double spring and a double spring with improved electrical transmission characteristics, simple adjustable height, low manufacturing cost and durable It is about.

집적회로(IC) 등 반도체 칩(semi-conductor chip)의 제조공정이 끝나면 그 제조된 반도체 칩의 전기적 성능 및 불량 여부 등을 테스트한다. 반도체 칩 테스트 시 테스트장비와 반도체 칩 사이에는 일반적으로 테스트 소켓(test socket)이 마련되어 테스트 장비의 테스트단자와 반도체 칩의 리드단자를 서로 전기적으로 연결된다. 이후 테스트 장비의 테스트단자로부터 테스트 소켓 등을 통하여 반도체 칩의 리드단자로 전류를 흘려보내고, 각 리드단자로부터 출력되는 신호를 분석하여 반도체 칩의 이상 유무를 판별한다. After the manufacturing process of semi-conductor chip such as integrated circuit (IC) is completed, the electrical performance and defects of the manufactured semiconductor chip are tested. In the semiconductor chip test, a test socket is generally provided between the test equipment and the semiconductor chip to electrically connect the test terminal of the test equipment and the lead terminal of the semiconductor chip to each other. Thereafter, a current flows from the test terminal of the test equipment to the lead terminal of the semiconductor chip through the test socket and the like, and the signal output from each lead terminal is analyzed to determine whether the semiconductor chip is abnormal.

종래기술에 따른 테스트 소켓은 도 1에 도시한 바와 같이 테스트 장비(60) 위에 탑재되며, 용수철 핀(30)과 그 용수철 핀(30)을 지지하는 하우징(10)으로 이 루어진다. 한편, 용수철 핀(30) 대신에 일명 포고 핀(pogo pin, 미도시)이 이용될 수도 있다.The test socket according to the prior art is mounted on the test equipment 60, as shown in Figure 1, consists of a spring pin 30 and a housing 10 for supporting the spring pin 30. Meanwhile, a so-called pogo pin (not shown) may be used instead of the spring pin 30.

하우징(10)에는 테스트 장비(60)의 테스트단자(70)와 반도체 칩(40)의 리드단자(50)에 대응되는 위치에 각각 관통공(20)들이 형성되어 있으며, 각각의 관통공(20)에는 용수철 핀(30)이 마련되어 테스트단자(22)와 리드단자(12)를 전기적으로 연결한다.In the housing 10, through holes 20 are formed at positions corresponding to the test terminal 70 of the test equipment 60 and the lead terminal 50 of the semiconductor chip 40, respectively. The spring pin 30 is provided to electrically connect the test terminal 22 and the lead terminal 12.

종래의 용수철 핀(30)은 금속 강선을 나선 형태로 감아서 형성한다. 따라서, 반도체 칩 테스트 시 용수철 핀(30)은 코일과 같은 역할을 하게 되어 인덕턴스(inductance)를 가지며, 그에 따라 용수철 핀(30)에서의 신호 전달 특성이 나빠지는 문제점이 있다. 또한 테스트 소켓의 높이가 높아져 용수철 핀(30)의 길이가 길어지면, 그 용수철 핀(30)의 형상이 유지되기가 힘든 문제점이 있다.Conventional spring pin 30 is formed by winding a metal steel wire in the form of a spiral. Therefore, when the semiconductor chip test, the spring pin 30 plays a role as a coil and has an inductance, thereby deteriorating signal transmission characteristics of the spring pin 30. In addition, when the height of the test socket is increased and the length of the spring pin 30 is long, there is a problem that the shape of the spring pin 30 is difficult to maintain.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 더욱 상세하게는 내구성이 좋고, 제작 비용이 저렴하고, 개선된 전기 전달 특성을 가지며, 원하는 높이로 제작될 수 있는 이중 스프링 및 이중 스프링을 포함한 테스트 소켓을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been created to solve the above-mentioned problems, and more particularly includes a double spring and a double spring that is durable, low in manufacturing cost, has improved electrical transmission characteristics, and can be manufactured to a desired height. The purpose is to provide a test socket.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 반도체 칩의 리드단자와 테스트장비의 테스트단자를 전기적으로 연결하기 위한 테스트 소켓에 이용되는 이중 스프링으로서, 전도성을 가진 제1 강선이 나선 형태로 감겨 형성되되, 제1 강선이 접촉하여 감겨진 제1 밀착부와 제1 강선이 이격하여 감겨진 제1 탄성부를 포함하는 제1 스프링; 및 전도성을 가진 제2 강선이 나선 형태로 감겨 형성되되, 제2 강선이 접촉하여 감겨진 제2 밀착부와 제2 강선이 이격하여 감겨진 제2 탄성부를 포함하는 제2 스프링;을 포함하며, 제1 스프링이 제2 스프링의 내부로 삽입되어 형성된 이중 스프링을 제공하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention is a double spring used in the test socket for electrically connecting the lead terminal of the semiconductor chip and the test terminal of the test equipment, the conductive first steel wire is formed in a spiral form, A first spring including a first contact portion wound by contacting the first steel wire and a first elastic part wound by spaced apart from the first steel wire; And a second spring having a conductive second wire wound in a spiral shape, the second spring including a second elastic part wound by contacting the second steel wire and a second elastic part wound apart from the second steel wire; A first spring is inserted into the second spring to provide a double spring formed.

바람직하게는, 제1 탄성부는 제2 밀착부와 마주보도록 형성될 수 있다.Preferably, the first elastic portion may be formed to face the second contact portion.

바람직하게는, 제1 스프링의 길이는 제2 스프링의 길이보다 길게 형성될 수 있거나, 또는 제1 밀착부는 그 일부가 타부보다 큰 직경을 가지도록 형성된 볼록부를 포함할 수 있다.Preferably, the length of the first spring may be formed longer than the length of the second spring, or the first contact portion may include a convex portion formed so that a portion thereof has a diameter larger than the other portion.

바람직하게는, 제1 스프링 및 제2 스프링 중의 적어도 하나는 그 표면에 니 켈, 철, 구리, 금 및 은 중에서 적어도 어느 하나의 소재로 이루어진 도금층을 더 포함할 수 있다.Preferably, at least one of the first spring and the second spring may further include a plating layer made of at least one of nickel, iron, copper, gold, and silver on its surface.

바람직하게는, 제1 스프링 및 제2 스프링은 서로 상이한 방향으로 나선 형태로 감겨질 수 있거나, 또는 제1 스프링 및 제2 스프링은 그 상단 또는 하단 부분에서 서로 솔더링 접합될 수 있다.Preferably, the first spring and the second spring may be wound in a spiral form in different directions from each other, or the first spring and the second spring may be soldered to each other at the upper or lower portion thereof.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 반도체 칩의 리드단자와 테스트장비의 테스트단자를 전기적으로 연결하는데 이용되며, 리드단자 및 테스트단자와 접촉하는 이중 스프링; 및 리드단자와 대응되는 위치에 상하 방향으로 다수의 관통공이 형성되며, 관통공에 삽입되어 각각 배치되는 이중 스프링을 지지하는 하우징;을 포함하는 테스트 소켓을 제공하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention is used to electrically connect the lead terminal of the semiconductor chip and the test terminal of the test equipment, a double spring in contact with the lead terminal and the test terminal; And a housing having a plurality of through holes formed in a vertical direction at a position corresponding to the lead terminal, the housing supporting double springs inserted into the through holes and disposed respectively.

바람직하게는, 제2 스프링은 그 외주면에 하우징 외부로 이탈하지 않도록 이탈 방지 수단을 더 포함할 수 있으며, 하우징은 이중 스프링이 하우징 외부로 이탈되지 않도록 관통공 내주면에 걸림부가 형성될 수 있다.Preferably, the second spring may further include a release preventing means on the outer circumferential surface of the second spring so that the second spring does not escape to the outside of the housing.

바람직하게는, 테스트 소켓은 테스트 소켓과 반도체 칩 사이 또는 테스트 소켓과 반도체장비 사이에 배치되는 접촉시트를 더 포함할 수 있고, 접촉시트는 상기 이중 스프링과 접촉되는 전도 패드; 및 이중 스프링과 대응되는 위치에 전도패드가 배열되도록 전도패드를 지지하는 절연 필름을 포함할 수 있으며, 전도패드와 이중 스프링은 서로 솔더링 접합될 수 있다.Preferably, the test socket may further include a contact sheet disposed between the test socket and the semiconductor chip or between the test socket and the semiconductor device, the contact sheet comprising: a conductive pad in contact with the double spring; And an insulating film supporting the conductive pads so that the conductive pads are arranged at positions corresponding to the double springs, and the conductive pads and the double springs may be soldered to each other.

바람직하게는, 전도 패드는 리드단자 또는 테스트단자와 접촉하는 부분의 표면에 다이아몬드 입자를 포함할 수 있다.Preferably, the conductive pad may include diamond particles on the surface of the portion contacting the lead terminal or the test terminal.

본 발명에 따른 이중 스프링은, 반도체 칩 테스트 시 2개의 스프링에 존재하는 밀착부를 통해 전기 신호가 전달됨으로써 신호 전달 특성이 개선되는 효과가 있다.Double spring according to the present invention, the electrical signal is transmitted through the contact portion present in the two springs during the semiconductor chip test has the effect of improving the signal transmission characteristics.

또한 본 발명에 따른 이중 스프링은, 원하는 길이로 제작된 스프링을 이용하여 간단히 테스트 소켓의 높이 조절을 가능하게 하고, 2개의 스프링에 도금만을 해서 형성하기 때문에 그 제작 비용이 매우 저렴하여 적용 분야가 다양하며, 2개의 스프링이 반도체 테스트 시 가해지는 압력을 각각 분산하기 때문에 각 스프링의 내구성이 증대되는 효과가 있다.In addition, the double spring according to the present invention, by using a spring made of a desired length can be easily adjusted the height of the test socket, and formed by plating only two springs because the manufacturing cost is very low, there is a wide range of applications In addition, since the two springs respectively distribute the pressure applied during the semiconductor test, the durability of each spring is increased.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이중 스프링 및 이중 스프링을 포함한 테스트 소켓을 나타낸 도면이다.2 is a view illustrating a test socket including a double spring and a double spring according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 이중 스프링(100)은 반도체 칩(40)의 리드단자(50)와 테스트장비(60)의 테스트단자(70)를 전기적으로 연결하기 위한 테스트 소켓에 이용되며, 반도체 칩(40)의 리드단자(50) 및 테스트장비(60)의 테스트단자(70)와 접촉되어 반도체 칩(40)의 테스트를 가능하게 한다. 이중 스프링(100)은 탄성 및 전기 전도성을 가지며, 후술할 테스트 소켓(200)의 하우징(200)에 형성된 다수의 관통공(210)에 각각 삽입되어 배치된다.Double spring 100 according to the present invention is used in the test socket for electrically connecting the lead terminal 50 of the semiconductor chip 40 and the test terminal 70 of the test equipment 60, the semiconductor chip 40 It is in contact with the test terminal 70 of the lead terminal 50 and the test equipment 60 of the to enable the test of the semiconductor chip 40. The double spring 100 has elasticity and electrical conductivity and is inserted into and disposed in the plurality of through holes 210 formed in the housing 200 of the test socket 200 to be described later.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 이중 스프링(100)은 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)을 포함하며, 제1 스프링(110)은 제2 스프링(120)의 내부로 삽입된다.Referring to FIG. 2, the double spring 100 according to the present invention includes a first spring 110 and a second spring 120, and the first spring 110 is inserted into the second spring 120. do.

이중 스프링(100)에 포함되는 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)은 전기 전도성 및 탄성이 우수한 철, 니켈 등의 금속 강선 또는 다양한 금속 합금으로 이루어진 합금 강선으로 형성될 수 있다. The first spring 110 and the second spring 120 included in the double spring 100 may be formed of a metal steel wire such as iron or nickel having excellent electrical conductivity and elasticity, or an alloy steel wire made of various metal alloys.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이중 스프링을 상세히 나타낸 도면이다.3 is a view showing in detail a double spring according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 이중 스프링(100)은 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)을 포함하며, 제1 스프링(110)은 제2 스프링(120)의 내부로 삽입되도록 형성된다.Referring to FIG. 3, the double spring 100 according to the present invention includes a first spring 110 and a second spring 120, and the first spring 110 is inserted into the second spring 120. It is formed to be.

탄성 및 전기 전도성을 위해 제1 및 제2 스프링(110, 120)은 복원력을 가지는 철사형의 가는 금속 강선 또는 합금 강선으로 형성되며, 상기 금속 강선 또는 합금 강선이 어느 일 방향으로 나선형태로 감겨 형성된다. 또한, 제1 스프링(110)이 제2 스프링(120)의 내부로 삽입될 수 있도록 제1 스프링(110)의 외주 직경(a1)은 제2 스프링(120)의 내주 직경(b1)보다 작게 형성되며, 이중 스프링(100)이 하우징의 관통공(210)에 삽입될 수 있도록 제2 스프링(110)의 외주 직경은 관통공(210)의 내주 직경보다 작게 형성된다. For elasticity and electrical conductivity, the first and second springs 110 and 120 are formed of wire-type thin metal wires or alloy wires having a restoring force, and the metal wires or alloy wires are spirally wound in one direction. do. In addition, the outer diameter a1 of the first spring 110 is smaller than the inner diameter b1 of the second spring 120 so that the first spring 110 can be inserted into the second spring 120. The outer circumference of the second spring 110 is smaller than the inner circumference of the through hole 210 so that the double spring 100 can be inserted into the through hole 210 of the housing.

제1 스프링(110)은 제1 밀착부(114)와 제1 탄성부(112)를 포함한다. The first spring 110 includes a first contact portion 114 and the first elastic portion 112.

제1 밀착부(114)는 제1 강선이 접촉하여 감겨진 부분으로서, 감겨진 제1 강선, 즉 제1 강선의 권선 간에 서로 간격이 없도록 서로 접촉되어 감겨진 부분을 의 미한다. 권선 간에 간격이 있도록 감긴 경우에는, 인덕턴스(inductance)가 생기게 된다. 그러나 권선 간에 간격이 없도록 촘촘히 감긴 경우, 즉 권선이 서로 접촉하도록 감긴 경우, 전류가 권선의 접점을 따라 흐르게 되어 제1 밀착부(114)는 인덕턴스를 가지지 않는다. 다만, 제1 밀착부(114)는 압축력이 작용하는 경우 탄성을 가지지 않는다.The first contact portion 114 is a portion wound by contacting the first steel wire, and means a portion wound and contacted with each other so that there is no gap between the windings of the wound first steel wire, that is, the first steel wire. In the case of windings with a gap between the windings, there is inductance. However, when the winding is tightly wound so that there is no gap between the windings, that is, when the windings are wound to contact each other, the current flows along the contacts of the winding so that the first contact portion 114 does not have an inductance. However, the first contact portion 114 does not have elasticity when the compressive force is applied.

제1 탄성부(112)는 제1 강선이 이격하여 감겨진 부분으로서, 권선 간에 서로 소정의 간격을 가지도록 감겨진 부분을 의미한다. 제1 탄성부(112)에서 전류는 원형으로 흐르므로, 제1 탄성부는 인덕턴스를 가지며 압축력이 작용하여 압축되는 경우 탄성 또한 가진다. The first elastic portion 112 is a portion in which the first steel wire is wound apart from each other, and refers to a portion wound so as to have a predetermined distance between the windings. Since the current flows in a circular shape in the first elastic portion 112, the first elastic portion has an inductance and also has elasticity when a compressive force is applied to the elasticity.

한편, 제1 탄성부(112)의 길이(a4)는 제1 스프링(110)의 전체 길이(a2)의 반(50%)보다 작은 것이 바람직하며, 제1 밀착부(114)의 길이(a2-a4)는 제1 탄성부의 길이(a4)보다 긴 것이 바람직하다. On the other hand, the length a4 of the first elastic portion 112 is preferably less than half (50%) of the total length a2 of the first spring 110, the length (a2) of the first contact portion 114 -a4) is preferably longer than the length a4 of the first elastic portion.

제1 스프링(110)은 스프링의 상단, 중단, 및 하단 전체에 걸쳐 직경이 동일하게 형성되는 것이 바람직하지만, 도 3처럼 제1 스프링(110)이 제2 스프링(120)으로 쉽게 삽입될 수 있도록 반도체 칩(40)의 리드단자(50) 및 테스트 장비(60)의 테스트단자(70)와 접촉하는 제1 스프링(110)의 상단부 및/또는 하단부의 직경이 제1 스프링(110)의 중단부의 직경(a1)보다 작아지도록 형성될 수도 있는 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The first spring 110 is preferably formed to have the same diameter throughout the top, middle, and bottom of the spring, so that the first spring 110 can be easily inserted into the second spring 120 as shown in FIG. The diameter of the upper end and / or lower end of the first spring 110, which is in contact with the lead terminal 50 of the semiconductor chip 40 and the test terminal 70 of the test equipment 60, is determined by the interruption of the first spring 110. It may be formed in various shapes such as may be formed to be smaller than the diameter (a1).

제2 스프링(120)은 제2 밀착부(124)와 제2 탄성부(122)를 포함한다. The second spring 120 includes a second contact portion 124 and a second elastic portion 122.

제2 밀착부(124)는 제2 강선이 접촉하여 감겨진 부분으로서 제2 강선의 권선 간에 서로 간격이 없도록 제2 강선이 서로 접촉되어 감겨진 부분이며, 제2 탄성부(122)는 제2 강선이 이격하여 감겨진 부분으로서 권선 간에 소정의 간격이 형성되도록 제2 강선이 감겨진 부분이다. The second contact portion 124 is a portion in which the second steel wire is wound by contact, and the second steel wire is wound in contact with each other so that there is no gap between the windings of the second steel wire. The portion of the steel wire is wound apart and the portion of the second steel wire is wound so that a predetermined gap is formed between the windings.

제2 스프링(120)은 스프링의 상단, 중단, 및 하단 전체에 걸쳐 직경이 동일하게 형성된 것이 바람직하다. 제2 밀착부(124) 및 제2 탄성부(122)는 상기에서 설명한 제1 스프링(110)의 제1 밀착부(114) 및 제1 탄성부(112)와 그 구조 및 기능이 유사하므로 상세한 설명은 생략하도록 한다.The second spring 120 is preferably formed in the same diameter throughout the top, middle, and bottom of the spring. Since the second close contact portion 124 and the second elastic portion 122 are similar in structure and function to the first close contact portion 114 and the first elastic portion 112 of the first spring 110 described above, The description is omitted.

한편, 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)에 이용되는 금속 강선, 즉 제1 강선 및 제2 강선은 그 강선의 굵기가 동일할 수도 있고 서로 상이할 수도 있다. 제1 스프링(110)이 제2 스프링(120)의 내부로 삽입되고, 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)은 전기전도성을 가지고, 압축되는 경우 탄성을 제공하면 된다.On the other hand, the metal wires used in the first spring 110 and the second spring 120, that is, the first steel wire and the second steel wire may have the same thickness or different from each other. The first spring 110 is inserted into the second spring 120, and the first spring 110 and the second spring 120 have electrical conductivity, and may provide elasticity when compressed.

제1 스프링(110)이 제2 스프링(120)의 내부에 삽입되었을 때, 제1 탄성부(112)는 제2 밀착부(1240)와 마주보도록 형성될 수 있다.When the first spring 110 is inserted into the second spring 120, the first elastic part 112 may be formed to face the second contact part 1240.

도 3을 참조하면, 제1 밀착부(114)는 제1 스프링(110)의 하단부에 형성되며, 제1 탄성부(112)는 제1 스프링(110)의 상단부에 형성된다. 한편, 제2 밀착부(124)는 제2 스프링(120)의 상단부에 형성되며, 제2 탄성부(122)는 제2 스프링(120)의 하단부에 형성된다. 제1 스프링(110)을 제2 스프링(120)의 내부로 삽입하였을 때, 제1 탄성부(112)는 제2 밀착부(124)와 마주보고 제1 밀착부(114)는 제2 탄성부(122)와 마주보도록 이중 스프링(100)이 형성된다.Referring to FIG. 3, the first contact part 114 is formed at the lower end of the first spring 110, and the first elastic part 112 is formed at the upper end of the first spring 110. On the other hand, the second contact portion 124 is formed on the upper end of the second spring 120, the second elastic portion 122 is formed on the lower end of the second spring 120. When the first spring 110 is inserted into the second spring 120, the first elastic part 112 faces the second contact part 124 and the first contact part 114 has the second elastic part. Double spring 100 is formed to face 122.

제1 탄성부(112) 및 제2 탄성부(122)는 각각 제1 스프링(110)의 전체 길 이(a2) 및 제2 스프링(120)의 전체 길이(a1)의 50%에 해당하는 길이보다 작은 것이 바람직하다. 따라서, 이중 스프링(100)의 중간 부분에서는 제1 밀착부(114)는 제2 밀착부(124)와 마주보도록 형성될 수 있다. The first elastic part 112 and the second elastic part 122 have a length corresponding to 50% of the total length a2 of the first spring 110 and the total length a1 of the second spring 120, respectively. Smaller is preferred. Therefore, in the middle portion of the double spring 100, the first contact portion 114 may be formed to face the second contact portion 124.

이중 스프링(100)의 중간 부분에서 제1 밀착부(114)와 제2 밀착부(124)가 마주보는 경우, 이중 스프링(100)에 압축력이 작용하여 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)이 수축되면, 제1 스프링(110)이 옆으로 휘게 되어 제1 밀착부(114)가 제2 밀착부(124)와 접촉하게 된다.When the first contact portion 114 and the second contact portion 124 face each other in the middle portion of the double spring 100, a compressive force acts on the double spring 100 so that the first spring 110 and the second spring ( When the 120 is contracted, the first spring 110 is bent sideways such that the first contact portion 114 is in contact with the second contact portion 124.

한편, 제1 스프링(110)에서 제1 밀착부(114)는 제1 스프링(110)의 상부에 위치하고 제1 탄성부(112)는 제1 스프링(110)의 하부에 위치할 수도 있다. 이런 경우에는, 제2 스프링(120)에서 제2 밀착부(124)는 제2 스프링(120)의 하부에 위치하고 제2 탄성부(122)는 제2 스프링(120)의 상부에 위치하게 된다.On the other hand, the first contact portion 114 in the first spring 110 may be located on the upper portion of the first spring 110 and the first elastic portion 112 may be located below the first spring (110). In this case, the second contact portion 124 in the second spring 120 is located below the second spring 120 and the second elastic portion 122 is located above the second spring 120.

다시 도 2로 되돌아가 설명하도록 한다.2 will be described again.

도 2를 참조하면, 제1 스프링(110)의 제1 탄성부(112)는 제2 스프링의 제2 밀착부(124)와 마주보고, 제1 스프링(110)의 제1 밀착부(114)는 제2 스프링(120)의 제2 탄성부(122)와 마주보며, 이중 스프링(100)의 중간 부분에서는 제1 스프링(110)의 제1 밀착부(114)와 제2 스프링(120)의 제2 밀착부(124)가 서로 마주보도록 형성된다.2, the first elastic part 112 of the first spring 110 faces the second contact part 124 of the second spring and the first contact part 114 of the first spring 110. Is facing the second elastic portion 122 of the second spring 120, the middle portion of the double spring (100) of the first contact portion 114 and the second spring 120 of the first spring (110) The second close contact portion 124 is formed to face each other.

본 발명에 따른 이중 스프링(100)은 제1 스프링(110)의 길이가 제2 스프링(120)의 길이보다 더 길게 형성될 수 있다. 후술하겠지만, 제1 스프링(110)이 제2 스프링(120)보다 길면, 반도체 칩 테스트로 인해 이중 스프링(100)이 가압될 때 이중 스프링(100)의 중간 부분에서 제1 밀착부(114)와 제2 밀착부(124)가 서로 접촉하게 되어 전기신호 전달특성이 개선된다.Double spring 100 according to the present invention may have a length of the first spring 110 is longer than the length of the second spring (120). As will be described later, when the first spring 110 is longer than the second spring 120, when the double spring 100 is pressed due to the semiconductor chip test, the first spring 114 and the first contact portion 114 are formed in the middle of the double spring 100. The second contact portion 124 is in contact with each other to improve the electrical signal transmission characteristics.

또한, 이중 스프링(100)의 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)은 그 상단 부분 및/또는 하단 부분에서 서로 솔더링 접합될 수 있다. 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)이 솔더링 접합됨으로써, 제1 스프링(110)이 제2 스프링(120)의 외부로 이탈되는 것이 방지되고, 이중 스프링(100)이 리드단자(50) 및 테스트단자(70)와 접촉하는 부분에서 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120) 간의 전기적 접촉 특성이 개선된다.In addition, the first spring 110 and the second spring 120 of the double spring 100 may be soldered to each other at the upper portion and / or lower portion thereof. As the first spring 110 and the second spring 120 are soldered and joined, the first spring 110 is prevented from coming out of the second spring 120, and the double spring 100 is connected to the lead terminal 50. ) And the electrical contact between the first spring 110 and the second spring 120 in the contact portion with the test terminal 70 is improved.

또한, 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)은 서로 상이한 방향으로 나선 형태로 감겨 형성될 수 있다. 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)이 상이한 방향으로 형성되는 경우 인덕턴스를 상쇄시켜 신호 전달 특성이 개선되며, 반도체 칩 테스트 시 가해지는 압력을 서로 상이한 방향으로 분산시키게 되어 이중 스프링(100)의 내구성이 개선되므로 이중 스프링(100)의 형상이 오래도록 유지될 수 있다.In addition, the first spring 110 and the second spring 120 may be formed in a spiral form in a different direction from each other. When the first spring 110 and the second spring 120 are formed in different directions, the signal transmission characteristics are improved by canceling the inductance, and the pressures applied during the semiconductor chip test are distributed in different directions to double the spring 100. Since the durability of the) is improved, the shape of the double spring 100 can be maintained for a long time.

또한, 제1 스프링(110) 또는 제2 스프링(120)은 표면에 니켈, 철, 구리, 금 및 은 중에서 적어도 어느 하나의 소재로 이루어진 도금층을 더 포함할 수 있다. 제1 및 제2 스프링(110, 120)의 표면에는 구리, 금의 순서대로 도금되는 것이 바람직하며, 금 이외에 은 등의 다양한 금속이 도금소재로 사용될 수 있음은 물론이다. 제1 스프링(110) 또는 제2 스프링(120)의 표면을 전기전도성이 우수한 금속으로 도금함으로써, 신호 전달 특성이 개선된다.In addition, the first spring 110 or the second spring 120 may further include a plating layer made of at least one of nickel, iron, copper, gold, and silver on the surface thereof. The surfaces of the first and second springs 110 and 120 are preferably plated in the order of copper, gold, and of course, various metals such as silver may be used as the plating material. By plating the surface of the first spring 110 or the second spring 120 with a metal having excellent electrical conductivity, signal transmission characteristics are improved.

또한, 제2 스프링(120)은 그 외주면에 제2 스프링(120)이 하우징(200)의 관 통공(210) 외부로 이탈하는 것을 방지하는 이탈 방지 수단(126)을 더 포함할 수 있다. In addition, the second spring 120 may further include a departure preventing means 126 on the outer circumferential surface of the second spring 120 to prevent the second spring 120 from leaving the outside of the through-hole 210 of the housing 200.

이탈 방지 수단(126)은 제2 스프링(120)의 외주면에 위치하며, 제2 스프링(120)의 길이 방향에 수직한 방향으로 돌출되도록 형성된다. 이탈 방지 수단(126)은 제2 밀착부(124)의 외주면(이중 스프링의 중간 부분의 외주면)에 고리 형상 또는 도우넛 형상의 금속 또는 합금이 솔더링되거나, 제2 밀착부(124)의 외주면(이중 스프링의 중간 부분의 외주면)에 금속 또는 합금 소재의 돌출부 또는 돌기가 솔더링됨으로써 형성될 수 있다. The departure preventing means 126 is positioned on the outer circumferential surface of the second spring 120 and is formed to protrude in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the second spring 120. The separation preventing means 126 is a ring-shaped or donut-shaped metal or alloy is soldered to the outer circumferential surface of the second contact portion 124 (the outer circumferential surface of the middle portion of the double spring), or the outer circumferential surface of the second contact portion 124 (double Protrusions or projections of metal or alloy material on the outer circumferential surface of the middle portion of the spring) may be formed by soldering.

이탈 방지 수단(126)의 형상은 상기 형상에 한정되지 않고, 후술할 하우징(200)내 관통공(210)의 걸림부(220)에 걸려 이중 스프링(100)이 이탈되지 않게 하는 형상이면 어떠한 형상이든 가능하다. The shape of the separation preventing means 126 is not limited to the above shape, and any shape may be used so long as the double spring 100 is not caught by the locking portion 220 of the through hole 210 in the housing 200 to be described later. It is possible.

본 발명에 따른 이중 스프링(100)은, 반도체 칩 테스트 시에 제1 밀착부(114)와 제2 밀착부(124)를 통해 전기 신호를 전달하기 때문에 인덕턴스의 영향이 감소되므로 전기 신호 전달 특성이 개선된다. 한편 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)의 감긴 방향이 상이한 경우, 각 스프링(110, 120)에서 발생하는 인덕턴스가 서로 상쇄되어, 전체적으로 인덕턴스가 감소될 수 있다. Since the double spring 100 according to the present invention transmits an electric signal through the first contact part 114 and the second contact part 124 during the semiconductor chip test, the influence of the inductance is reduced, so that the electrical signal transmission characteristic is reduced. Is improved. Meanwhile, when the winding directions of the first spring 110 and the second spring 120 are different from each other, inductances generated in the respective springs 110 and 120 cancel each other, thereby reducing the inductance as a whole.

또한, 이중 스프링(100)은 스프링만으로 구성되기 때문에 종래의 포고핀보다 면적을 작게 차지하며, 테스트 소켓에서 일정 간격을 두고 나란히 배열될 경우 인접한 스프링이 서로 마주보는 면적이 작아져 캐패시턴스도 감소한다.In addition, since the double spring 100 is composed of only the spring, occupies a smaller area than the conventional pogo pin, and when arranged side by side at a predetermined interval in the test socket, the areas of adjacent springs facing each other decrease in capacitance.

또한, 반도체 칩(10) 테스트로 인하여 이중 스프링(100)이 반도체 칩(10)과 테스트 장비(20) 사이에서 가압될 때 2개의 스프링(110, 120)으로 압력이 각각 분산됨으로써, 이중 스프링(100)은 하나의 스프링이 있을 때보다 각 스프링(110, 120)의 내구성이 증대되며, 그로 인하여 이중 스프링(100)의 형상이 오래도록 유지되는 효과도 있다. In addition, when the double spring 100 is pressurized between the semiconductor chip 10 and the test equipment 20 due to the semiconductor chip 10 test, the pressure is distributed to the two springs 110 and 120, respectively. 100 has increased durability of each spring 110, 120 than when there is one spring, thereby the effect of maintaining the shape of the double spring 100 for a long time.

또한, 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)의 표면에 전도성이 좋은 금속 도금층이 형성됨으로써, 이중 스프링(100)의 신호 전달 특성이 개선되는 효과가 있다.In addition, since the conductive metal plating layer is formed on the surfaces of the first spring 110 and the second spring 120, the signal transmission characteristics of the double spring 100 is improved.

또한, 이중 스프링(100)은, 원하는 길이로 제조된 스프링(1100, 120) 및 후술할 하우징(200)을 이용하여 소켓의 높이를 자유자재로 조절 가능하고, 제1 및 제2 스프링(110, 120)에 도금만을 해서 형성할 수 있기 때문에 저렴하여 그 적용 분야가 넓다. 예를 들어, 이중 스프링(100)은 후술할 테스트 소켓에서 포고핀 대신에 이용될 수 있으며, 포고핀에서 배럴 내에 삽입되는 종래의 스프링 대신 이용될 수도 있는 등 그 적용분야가 다양하다. In addition, the double spring 100, the height of the socket can be freely adjusted using the springs 1100 and 120 and the housing 200 to be described later, the first and second springs 110, 120 can be formed only by plating, so it is inexpensive and its field of application is wide. For example, the double spring 100 may be used in place of the pogo pin in the test socket to be described later, and may be used in place of the conventional spring that is inserted into the barrel in the pogo pin, there are a variety of applications.

본 발명에 따른 테스트 소켓은 이중 스프링(100) 및 하우징(200)을 포함한다. 이중 스프링(100)은 상기에서 설명한 것과 동일하므로 상세한 설명은 생략하도록 한다.The test socket according to the invention comprises a double spring 100 and a housing 200. Since the double spring 100 is the same as described above, a detailed description thereof will be omitted.

테스트 소켓은 테스트 장비(60) 위에 탑재된 상태에서, 핸들러 장비 등에 의하여 운반되어오는 반도체 칩(40)에 접속하게 된다. 구체적으로는 핸들러 장비에 의하여 운반되어 오는 반도체 칩(40)이 하강하여 반도체 칩(40)의 리드단자(50)가 이중 스프링(100)의 상단과 접촉하게 되었을 때, 가압수단(미도시)에 의하여 반도 체 칩(40)이 하측으로 눌리게 되면 반도체 칩(40)의 리드단자(50), 이중 스프링(100), 및 테스트 장비(60)의 테스트단자(70)가 서로 전기적으로 연결된다.The test socket is connected to the semiconductor chip 40 carried by the handler equipment or the like while being mounted on the test equipment 60. Specifically, when the semiconductor chip 40 transported by the handler equipment descends and the lead terminal 50 of the semiconductor chip 40 comes into contact with the upper end of the double spring 100, the pressing means (not shown) When the semiconductor chip 40 is pressed downward, the lead terminal 50 of the semiconductor chip 40, the double spring 100, and the test terminal 70 of the test equipment 60 are electrically connected to each other.

하우징(200)은 이중 스프링(100)을 지지하는 역할을 하며, 반도체 칩(40)의 리드단자(50) 또는 테스트 장비(60)의 테스트 단자(70)와 대응되는 위치에 각각 상하방향으로 형성된 다수의 관통공(210)을 가진다. 하우징(200)을 이루는 소재로는 FR4, FR5, 베이클라이트 등이 사용가능하며, 이외에도 PCB 제작 소재 및 내열성이 좋은 엔지니어링 플라스틱 등의 합성수지 소재가 사용될 수 있다. 하우징(200)에 형성된 관통공(210)은 상하방향으로 동일한 직경을 가지며, 드릴 등을 이용하여 간편하게 형성될 수 있다.The housing 200 supports the double spring 100 and is formed in a vertical direction at positions corresponding to the lead terminals 50 of the semiconductor chip 40 or the test terminals 70 of the test equipment 60. It has a plurality of through holes 210. FR4, FR5, Bakelite, etc. may be used as the material forming the housing 200. In addition, synthetic resin materials such as PCB fabrication materials and heat-resistant engineering plastics may be used. The through hole 210 formed in the housing 200 has the same diameter in the vertical direction, and can be simply formed using a drill or the like.

상기 다수의 관통공(210)에는 본 발명에 따른 이중 스프링(100)이 각각 삽입되어 배치된다. 하우징(200)의 관통공(210)에 이중 스프링(100)이 삽입되도록, 관통공(210)의 내주 직경은 이중 스프링(100)에 포함된 제2 스프링(120)의 외주 직경보다 크다.Double springs 100 according to the present invention are respectively inserted into the plurality of through holes 210. The inner circumferential diameter of the through hole 210 is larger than the outer circumferential diameter of the second spring 120 included in the double spring 100 so that the double spring 100 is inserted into the through hole 210 of the housing 200.

테스트 소켓에 포함된 이중 스프링(100)은 반도체 테스트를 위하여 가압될 때 탄성을 제공하여 반도체 칩(10)의 리드단자(12) 및 테스트 장비(20)의 테스트단자(22)와의 접촉을 좋게 하며, 반도체 칩(10)의 리드단자(12) 또는 테스트 장비(20)의 테스트단자(22)의 위치나 높이가 미묘하게 달라져도 접촉을 좋게 한다.The double spring 100 included in the test socket provides elasticity when pressed for the semiconductor test, so that the contact terminal 12 of the semiconductor chip 10 and the test terminal 22 of the test equipment 20 are well provided. Even if the position and the height of the lead terminal 12 of the semiconductor chip 10 or the test terminal 22 of the test equipment 20 are slightly changed, the contact is good.

도 2를 참조하면, 상기 하우징(200)의 관통공(210) 내주면에는 걸림부(220)가 형성된다. 걸림부(220)는 관통공(210)보다 직경이 크게 형성되며, 걸림부(220)에 이중스프링(100)의 이탈 방지 수단(126)이 걸리게 되므로, 이중 스프링(100)이 하우징(200) 외부로 이탈되는 것이 방지된다. 걸림부(220)는 이탈 방지 수단(126)이 이중 스프링(100)의 길이 방향으로 걸림부(220) 내에서 상하로 움직일 수 있도록 소정 길이 이상의 깊이를 가진다. 2, a locking portion 220 is formed on an inner circumferential surface of the through hole 210 of the housing 200. The catching part 220 has a larger diameter than the through hole 210, and the stopping part 126 of the double spring 100 is caught by the catching part 220, so that the double spring 100 has the housing 200. Departure to the outside is prevented. The locking portion 220 has a depth of a predetermined length or more so that the separation preventing means 126 can move up and down within the locking portion 220 in the longitudinal direction of the double spring 100.

한편, 하우징(200)은 상단 하우징(200_a)과 하단 하우징(200_b)이 결합되어 이뤄질 수 있다. 상단 하우징(200_a)과 하단 하우징(200_b)은 반도체 칩(40)의 리드 단자(50)와 대응하는 위치에 관통공(210)이 형성되며, 상단 하우징(200_a)과 하단 하우징(200_b)이 접합되는 부분의 관통공(210) 주변에 관통공보다 큰 직경 및 소정 길이 이상의 깊이를 가지는 걸림부(220)가 각각 대칭적으로 형성될 수 있다.Meanwhile, the housing 200 may be formed by combining the upper housing 200_a and the lower housing 200_b. The through hole 210 is formed in the upper housing 200_a and the lower housing 200_b corresponding to the lead terminal 50 of the semiconductor chip 40, and the upper housing 200_a and the lower housing 200_b are joined to each other. Each of the engaging portions 220 having a diameter larger than the through hole and a depth greater than a predetermined length may be symmetrically formed around the through hole 210.

도 4는 반도체 칩 테스트 시에 본 발명의 실시예에 따른 이중 스프링의 동작을 예시한 도면이다. 4 is a diagram illustrating the operation of a double spring according to an embodiment of the present invention during a semiconductor chip test.

도 4를 참조하면, 반도체 칩 테스트 시에 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)은 반도체 칩(40)의 리드단자(50)와 테스트 장비(60)의 테스트단자(70) 간을 전기적으로 연결한다. 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)은 반도체 칩(40)의 테스트 시에 가압되어 각각 탄성을 가지며, 제1 스프링(110)의 중간 부분이 휘게 되어 A처럼 제1 밀착부(114)의 일부가 제2 밀착부(124)의 일부와 접촉하게 된다. Referring to FIG. 4, in the semiconductor chip test, the first spring 110 and the second spring 120 are connected between the lead terminal 50 of the semiconductor chip 40 and the test terminal 70 of the test equipment 60. Connect electrically. The first spring 110 and the second spring 120 are pressurized during the test of the semiconductor chip 40 to have elasticity, respectively, and the middle portion of the first spring 110 is bent to form a first contact portion 114 as A. A part of) is in contact with a part of the second contact portion 124.

A처럼 제1 밀착부(114)의 일부가 제2 밀착부(124)의 일부와 접촉하게 되므로, 전기신호는 제2 스프링(120)의 제2 밀착부(124) 및 제1 스프링(110)의 제1 밀착부(114)를 통해 흐르게 된다. 따라서, 이중 스프링(100)은 반도체 칩 테스트 시 탄성을 제공하고, 탄성부가 아닌 밀착부를 통하여 전기신호가 흐르므로 인덕턴스가 감소되며, 두 개의 스프링(110, 120)으로 구성되어 내구성이 향상된다.Since a part of the first contact part 114 comes into contact with a part of the second contact part 124 as in A, the electrical signal is transmitted to the second contact part 124 and the first spring 110 of the second spring 120. It flows through the first contact portion 114 of. Therefore, the double spring 100 provides elasticity in the semiconductor chip test, and the inductance is reduced because the electrical signal flows through the close contact portion rather than the elastic portion, and the durability is improved by being composed of two springs 110 and 120.

또한, 제1 스프링(110)의 길이(a2)는 제2 스프링(120)의 길이(b2)보다 길게 형성될 수 있다. 제1 스프링(110)의 길이(a2)가 제2 스프링(120)의 길이(b2)보다 길게 형성됨으로써, 반도체 칩(40) 테스트로 인하여 이중 스프링(100)이 가압될 때, 제1 스프링(110)의 일부, 특히 제1 밀착부(114)의 일부가 제2 스프링(120)의 제2 밀착부(124)의 일부와 용이하게 접촉할 수 있다.In addition, the length a2 of the first spring 110 may be longer than the length b2 of the second spring 120. Since the length a2 of the first spring 110 is formed longer than the length b2 of the second spring 120, when the double spring 100 is pressed by the semiconductor chip 40 test, the first spring ( A portion of the first contact portion 114, particularly a portion of the first contact portion 114, may be in easy contact with a portion of the second contact portion 124 of the second spring 120.

도 5는 본 발명의 다른 실시에에 따른 이중 스프링을 나타낸 도면이다.5 is a view showing a double spring according to another embodiment of the present invention.

상기에서 설명한 것처럼, 본 발명에 따른 이중 스프링(100)은 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)을 포함하며, 제1 스프링(110)은 제2 스프링(120)의 내부로 삽입되도록 형성된다. As described above, the double spring 100 according to the present invention includes a first spring 110 and a second spring 120, the first spring 110 is to be inserted into the second spring 120. Is formed.

제1 스프링(110)의 외주 직경(a1)이 제2 스프링(120)의 내주 직경(b1)보다 작기 때문에, 제1 스프링(110)이 제2 스프링(120)의 외부로 이탈될 염려가 있다. 따라서, 제1 스프링(110)은 도 5의 B에 나타난 것처럼 그 상단부 또는 하단부에 제2 스프링(120)의 내주 직경(b1)보다 큰 외주 직경을 가지는 끼움부(B)를 더 포함할 수 있다.Since the outer circumferential diameter a1 of the first spring 110 is smaller than the inner circumferential diameter b1 of the second spring 120, the first spring 110 may be separated out of the second spring 120. . Therefore, the first spring 110 may further include a fitting portion B having an outer circumferential diameter larger than the inner circumferential diameter b1 of the second spring 120 at its upper end or lower end as shown in B of FIG. 5. .

도 5의 B처럼 상단부에서의 제1 스프링(110)의 외주 직경을 제2 스프링(120)의 내주 직경(b1)보다 크게 형성하고, 제1 스프링(110)의 하단부를 제2 스프링(120)의 상단부로 삽입한 후, 마지막에 제1 스프링(110)의 상단부를 제2 스프링(120)의 상단부에 끼움으로써, 제1 스프링(110)이 제2 스프링(120)의 외부로 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 제1 스프링(110)에서 상단부를 제외한 부분의 외주 직경은 도 5에서 보는 것처럼 제2 스프링(120)의 내주 직경(b1)보다 작게 형성된 다. 물론, 끼움부(B)가 제1 스프링(110)의 하단부에 형성되는 구조도 당연히 가능하며, 이 경우 제1 스프링(110)의 상단부가 제2 스프링(120)의 하단부로 삽입됨으로써 이중 스프링(110)이 형성될 수 있다.As shown in B of FIG. 5, the outer circumferential diameter of the first spring 110 at the upper end is larger than the inner circumferential diameter b1 of the second spring 120, and the lower end of the first spring 110 is second spring 120. After inserting into the upper end of the first, the upper end of the first spring 110 is inserted into the upper end of the second spring 120, thereby preventing the first spring 110 from being separated out of the second spring 120. can do. The outer circumferential diameter of the portion excluding the upper end of the first spring 110 is smaller than the inner circumferential diameter b1 of the second spring 120 as shown in FIG. 5. Of course, the structure in which the fitting portion B is formed at the lower end of the first spring 110 is also possible. In this case, the upper end of the first spring 110 is inserted into the lower end of the second spring 120 so that the double spring ( 110 may be formed.

한편 제1 스프링(110)이 제2 스프링(120)의 외부로 이탈하지 않게 하는 것은 상기 구조에 한정되지 않으며, 후술하는 제1 스프링(110)과 제2 스프링(120)의 상단부 또는 하단부를 서로 함께 솔더링하거나, 제2 스프링(120)의 밀착부(124)의 어느 한 지점에 얇은 금속판(미도시)을 삽입하고 이 삽입된 금속판이 제1 스프링(110)의 밀착부(114)에 삽입되게 함으로써, 제1 스프링(110)이 제2 스프링(120) 외부로 이탈하지 않게 하는 등 여러 가지 다양한 방법이 이용될 수 있다.On the other hand, it is not limited to the above structure so that the first spring 110 does not escape to the outside of the second spring 120, the upper end or the lower end of the first spring 110 and the second spring 120 which will be described later Solder together or insert a thin metal plate (not shown) at any point of the contact portion 124 of the second spring 120 so that the inserted metal plate is inserted into the contact portion 114 of the first spring 110. As a result, various methods may be used such that the first spring 110 is not separated from the second spring 120.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이중 스프링을 나타낸 도면이다.6 is a view showing a double spring according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 이중 스프링(100)은 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)을 포함하며, 제1 스프링(110)은 제2 스프링(120)의 내부로 삽입되도록 형성된다. 제1 스프링(110) 및 제2 스프링(120)의 기본적인 사항은 상기에서 설명한 것과 동일하므로 생략하도록 한다.Double spring 100 according to another embodiment of the present invention includes a first spring 110 and the second spring 120, the first spring 110 is formed to be inserted into the second spring 120. do. Since the basic matters of the first spring 110 and the second spring 120 are the same as described above, it will be omitted.

제1 스프링(110)에 포함된 제1 밀착부(114)는 그 일부가 타부보다 큰 직경을 가지도록 형성된 볼록부(116)를 포함할 수 있다. 볼록부(116)는 앞에서 설명한 제1 밀착부(114)의 직경(a1)보다 큰 직경을 가지도록 제1 강선이 나선형태로 감겨 형성된다. 물론, 제1 볼록부(116)의 외주 직경(제1 밀착부의 길이 방향에 수직한 방향의 외주 직경)은 제2 스프링(120)의 내주 직경보다 작도록 형성된다.The first contact portion 114 included in the first spring 110 may include a convex portion 116 formed so that a portion thereof has a larger diameter than the other portion. The convex portion 116 is formed by winding the first steel wire in a spiral shape to have a diameter larger than the diameter a1 of the first contact portion 114 described above. Of course, the outer circumferential diameter (the outer circumferential diameter in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the first contact portion) of the first convex portion 116 is formed to be smaller than the inner circumferential diameter of the second spring 120.

반도체 칩 테스트로 인하여 이중 스프링(100)이 가압될 때, 제1 밀착부(114) 에 볼록부(116)가 형성됨으로써, 제1 밀착부(114)의 볼록부(116)는 제2 스프링(120)의 제2 밀착부(124)와 더욱 용이하게 접촉할 수 있다.When the double spring 100 is pressed due to the semiconductor chip test, the convex portion 116 is formed in the first contact portion 114, so that the convex portion 116 of the first contact portion 114 is formed by the second spring ( The second contact portion 124 of the 120 may be more easily contacted.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이중 스프링을 나타낸 도면이다.7 is a view showing a double spring according to another embodiment of the present invention.

제2 스프링(120)은 그 외주면에 제2 스프링(120)이 하우징(200)의 관통공(210) 외부로 이탈하는 것을 방지하는 이탈 방지 수단(126)을 더 포함할 수 있다. The second spring 120 may further include a departure preventing means 126 on the outer circumferential surface thereof to prevent the second spring 120 from leaving the through hole 210 of the housing 200.

이탈 방지 수단(126)은 제2 스프링(120)의 외주면에 위치한다. 이탈 방지 수단(126)은 제2 스프링(120)의 길이방향에 수직한 방향으로 돌출되도록 형성되며, 제2 밀착부(124)에 고리 형상 또는 도우넛 형상의 금속 또는 합금을 솔더링하거나 금속 또는 합금 소재의 돌출부 또는 돌기를 제2 밀착부(124)에 솔더링함으로써 형성될 수 있다. 물론 이탈 방지 수단(126)의 형상은 상기 형상에 한정되지 않으며, 하우징(200)내 관통공(210)의 걸림부(220)에 걸려 이중 스프링(100)이 이탈되지 않게 하는 형상이면 어떤 형상이든 가능하다. The separation preventing means 126 is located on the outer circumferential surface of the second spring 120. The separation preventing means 126 is formed to protrude in a direction perpendicular to the lengthwise direction of the second spring 120, and solders a metal or alloy in a ring shape or a donut shape to the second contact portion 124, or a metal or alloy material. It may be formed by soldering a protrusion or a projection of the second contact portion 124. Of course, the shape of the separation preventing means 126 is not limited to the above shape, and any shape as long as the shape prevents the double spring 100 from being caught by the engaging portion 220 of the through hole 210 in the housing 200. It is possible.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 테스트 소켓을 나타낸 도면이다.8 illustrates a test socket according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 테스트 소켓은 이중 스프링(100), 하우징(200), 및 접촉시트(300)를 포함한다. 이중 스프링(100) 및 하우징(200)은 앞서 설명한 것과 동일하므로 상세한 설명을 생략하도록 한다.Referring to FIG. 8, the test socket according to the present invention includes a double spring 100, a housing 200, and a contact sheet 300. Since the double spring 100 and the housing 200 are the same as described above, a detailed description thereof will be omitted.

접촉시트(300)는 이중 스프링(100)과 반도체 칩(40) 사이 및/또는 이중 스프링(100)과 반도체장비(60) 사이에 배치될 수 있으며, 전도 패드(320, 330) 및 절연 필름(310)을 포함한다.The contact sheet 300 may be disposed between the double spring 100 and the semiconductor chip 40 and / or between the double spring 100 and the semiconductor device 60, and the conductive pads 320 and 330 and the insulating film ( 310).

절연 필름(310)은 이중 스프링(100)과 대응되는 위치에 전도 패드(320, 330)가 위치될 수 있도록 다수의 홀(미도시)이 형성되며, 절연 필름(310)은 열변형이 작고 부드러운 폴리이미드(polyimid), 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 합성수지 소재로 이루어지는 것이 바람직하다.The insulating film 310 is formed with a plurality of holes (not shown) so that the conductive pads 320 and 330 can be positioned at a position corresponding to the double spring 100, and the insulating film 310 is soft and small in thermal deformation. It is preferable that it consists of synthetic resin materials, such as polyimid, polypropylene, and polyethylene.

전도 패드(320, 330)는 이중 스프링(100)과 대응되는 위치, 즉 하우징(200)의 관통공(210)이 형성된 위치와 대응되는 위치에 형성된 절연 필름(310)의 홀에 배열되어 이중 스프링(100)과 접촉하며, 반도체 칩(40)의 리드단자(50)와 테스트 장비(60)의 테스트단자(70)를 전기적으로 연결해준다.The conductive pads 320 and 330 are arranged in the holes of the insulating film 310 formed at a position corresponding to the double spring 100, that is, at a position corresponding to the position at which the through hole 210 of the housing 200 is formed. In contact with the reference numeral 100, the lead terminal 50 of the semiconductor chip 40 and the test terminal 70 of the test equipment 60 are electrically connected to each other.

전도 패드(320, 330)는 전기전도성이 좋은 다양한 금속소재로 이루어질 수 있으며, 동박에 니켈 및 금 도금층이 형성되어 있는 구조로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한 전도 패드(320, 330)의 표면에는 전기 전도성을 좋게 하기 위하여 니켈, 철, 구리, 금, 알루미늄, 및 은 중에서 적어도 어느 하나의 소재로 이루어진 도금층을 포함할 수 있으며, 그 외에 전도성이 우수한 다양한 금속 또는 합금 소재의 도금층을 포함할 수 있다.The conductive pads 320 and 330 may be made of various metal materials having good electrical conductivity, and preferably have a structure in which nickel and gold plating layers are formed on copper foil. In addition, the surface of the conductive pads 320 and 330 may include a plating layer made of at least one of nickel, iron, copper, gold, aluminum, and silver in order to improve electrical conductivity. It may include a plated layer of a metal or alloy material.

한편, 전도 패드(320, 330)와 이중 스프링(100)은 그 접촉하는 부분에서 서로 솔더링되어 접합될 수 있으며, 솔더링 접합으로 인하여 전도 패드(320, 330)와 이중 스프링(100)의 전기적 접촉 특성이 개선되고, 또한 이중 스프링(100)이 하우징(200)의 관통공(210) 외부로 이탈하는 것이 방지되는 효과가 있다.Meanwhile, the conductive pads 320 and 330 and the double spring 100 may be soldered to each other at the contact portion thereof, and the electrical contact characteristics of the conductive pads 320 and 330 and the double spring 100 may be due to the solder bonding. This is improved, and also the double spring 100 is prevented from escaping outside the through hole 210 of the housing 200.

앞서 설명한 것처럼, 이중 스프링(100)에서 제1 스프링(110)의 길이가 제2 스프링(120)의 길이보다 긴 것이 바람직하다. 제1 스프링(110)의 길이가 제2 스프 링(120)의 길이보다 길고, 제1 스프링(120), 제2 스프링(120), 및 전도 패드(330)가 모두 함께 솔더링되는 경우에, 제1 스프링(110)의 제1 밀착부는 도 8의 A 지점에서 제2 스프링(120)의 제2 밀착부와 접촉하게 된다. 물론 제1 스프링(110)과 제2 스프링(120)의 길이가 동일하더라도, 이중 스프링(100)이 가압되는 경우 제1 밀착부(114)의 일부는 제2 밀착부(124)의 일부와 서로 접촉하게 된다. As described above, it is preferable that the length of the first spring 110 in the double spring 100 is longer than the length of the second spring 120. When the length of the first spring 110 is longer than the length of the second spring 120 and the first spring 120, the second spring 120, and the conductive pad 330 are all soldered together, The first contact portion of the first spring 110 is in contact with the second contact portion of the second spring 120 at point A of FIG. 8. Of course, even if the length of the first spring 110 and the second spring 120 is the same, when the double spring 100 is pressed, a part of the first contact portion 114 and the part of the second contact portion 124 and each other Contact.

또한, 전도 패드(320, 330)에서 리드단자(50) 및/또는 테스트단자(70)와 접촉하게 되는 부분의 표면에는 다이아몬드 분말(미도시)이 도포될 수 있다. 구체적으로는 다이아몬드 분말이 니켈 또는 전기 전도성이 우수한 금속의 도금층에 의하여 전도 패드(320)의 표면에 도금 접합되어 있게 된다. In addition, diamond powder (not shown) may be applied to a surface of the conductive pads 320 and 330 in contact with the lead terminal 50 and / or the test terminal 70. Specifically, the diamond powder is plated and bonded to the surface of the conductive pad 320 by a plating layer of nickel or a metal having excellent electrical conductivity.

한편 다이아몬드 분말을 전도 패드(320, 330)에 도포하는 경우, 전기 전도성을 개선하기 위해 니켈 또는 전기 전도성이 우수한 금속 분말이 다이아몬드 분말과 함께 전도 패드(320, 330)의 표면에 함께 도포되어 도금 접합될 수 있다. On the other hand, when diamond powder is applied to the conductive pads 320 and 330, nickel or a metal powder having excellent electrical conductivity is coated together with the diamond powder on the surface of the conductive pads 320 and 330 to improve electrical conductivity. Can be.

다이아몬드 분말이 전도 패드(320, 330)의 표면에 배치됨에 따라 반도체 칩(40)의 리드단자(50) 또는 테스트장비(60)의 테스트단자(70)에 이물질 막(미도시)이 형성되어 있는 경우에도, 상기 다이아몬드 분말은 상기 단자(12, 22) 또는 이중 스프링(100)에 존재하는 이물질 막을 깨뜨릴 수 있다. 이에 따라 이물질막이 다이아몬드 분말에 의하여 제거된 단자(50, 70)가 다이아몬드 분말을 통과하여 전도 패드(320, 330)의 표면에 접촉함에 따라 전기적인 저항이 크게 감소할 수 있다.As the diamond powder is disposed on the surfaces of the conductive pads 320 and 330, a foreign material film (not shown) is formed on the lead terminal 50 of the semiconductor chip 40 or the test terminal 70 of the test equipment 60. Even in this case, the diamond powder may break up the foreign matter film existing in the terminals 12 and 22 or the double spring 100. Accordingly, as the terminals 50 and 70 having the foreign matter film removed by the diamond powder pass through the diamond powder and contact the surfaces of the conductive pads 320 and 330, the electrical resistance may be greatly reduced.

이러한 다이아몬드 분말의 입경은 0.1 ~ 50 ㎛ 정도인 것이 바람직하다. 다이아몬드 분말의 입경이 0.1㎛ 작으면 이물질을 쉽게 깨뜨릴 수 없는 문제점이 있 으며, 다이아몬드 분말의 입경이 50㎛보다 크면 상기 단자(50, 70) 표면을 손상시키게 되어 바람직하지 못하다.It is preferable that the particle diameter of such diamond powder is about 0.1-50 micrometers. If the particle size of the diamond powder is less than 0.1㎛ there is a problem that can not easily break the foreign matter, if the particle size of the diamond powder is larger than 50㎛ damage the surface of the terminals (50, 70) is not preferable.

도 8에는 접촉 시트(300)가 이중 스프링(100)의 상부 및 하부에 모두 위치하는 것으로 도시되었지만, 접촉 시트는 이중 스프링(100)의 상부 또는 하부 중 어느 한쪽에만 위치할 수 있으며, 또한 양쪽에 모두 위치할 수도 있다.Although the contact sheet 300 is shown in FIG. 8 as being located at both the top and the bottom of the double spring 100, the contact sheet can be located at either one of the top or the bottom of the double spring 100, and on both sides. All may be located.

한편, 접촉시트(300)의 전도 패드(320, 330)와 이중 스프링(100)이 접촉하고 있는 부분에서 접촉 패드(320, 330)와 제1 스프링(112)과 제2 스프링(120)은 솔더링 접합될 수 있다. 또한 절연 필름(310)의 가장자리(끝단) 부분(미도시)은 접착 또는 볼트 결합 등의 방법으로 하우징(200)과 결합 또는 접합될 수 있다. 절연 필름(310)은 하우징(200)과 다양한 방식으로 결합 또는 접합될 수 있다. Meanwhile, the contact pads 320, 330, the first spring 112, and the second spring 120 are soldered at a portion where the conductive pads 320 and 330 and the double spring 100 are in contact with the contact sheet 300. Can be bonded. In addition, an edge portion (not shown) of the insulating film 310 may be bonded or bonded to the housing 200 by a method such as bonding or bolting. The insulating film 310 may be bonded or bonded to the housing 200 in various ways.

본 발명에 따른 접촉시트(300)는 반도체 칩(40)의 리드 단자(50) 또는 테스트장비(60)의 테스트단자(70)와 접촉하는 전도 패드(320)가 절연 필름(310)에 의하여 서로 연결되어 있으므로 반도체 칩(40)의 리드단자(50) 또는 테스트장비(60)의 테스트단자(70)에 묻은 이물질이 하우징(200)의 관통공(210) 내로 들어갈 염려가 없으며, 절연 필름(310)에 의하여 전도 패드(320, 330)의 좌우위치가 일정하게 유지되며, 리드단자(50) 또는 테스트단자(70)와 접촉될 전도 패드(320, 330)의 단면적을 늘리면 각 단자(50, 70)와 접촉될 표면적이 커져 쉽게 전기적 접속을 할 수 있으며, 이중 스프링(100)이 하우징(200)의 관통공(210) 외부로 이탈되는 것을 방지하는 장점이 있다.In the contact sheet 300 according to the present invention, the conductive pad 320 contacting the lead terminal 50 of the semiconductor chip 40 or the test terminal 70 of the test equipment 60 is connected to each other by the insulating film 310. Since it is connected, there is no fear that foreign matter on the lead terminal 50 of the semiconductor chip 40 or the test terminal 70 of the test equipment 60 does not enter the through hole 210 of the housing 200, and the insulating film 310 The left and right positions of the conductive pads 320 and 330 are kept constant by increasing the cross-sectional area of the conductive pads 320 and 330 to be in contact with the lead terminal 50 or the test terminal 70. The surface area to be contacted with) increases, so that the electrical connection can be easily performed, and the double spring 100 is prevented from being separated out of the through hole 210 of the housing 200.

한편, 접촉시트(300)는 다음의 방법들로 간단히 제작될 수 있다. 우선, 이중 스프링(100)과 대응되는 위치에 홀(미도시)을 가지는 절연 필름(310)을 마련하고, 절연필름(310)의 홀을 중심으로 상하부에 각각 비아 홀(340)을 가진 원판형의 상부 전도 패드(320)와 하부 전도 패드(330)를 위치시키고, 전도성을 가지는 금속 또는 합금 소재를 이용한 솔더링 또는 도금 등의 방법으로 절연 필름(310)의 홀 및 상하부 전도 패드(321)의 비아 홀(340)을 충진하여 접촉 시트(300)를 제작한다. On the other hand, the contact sheet 300 can be produced simply by the following methods. First, an insulating film 310 having a hole (not shown) is provided at a position corresponding to the double spring 100, and a disc shape having via holes 340 at upper and lower portions, respectively, around the holes of the insulating film 310. The upper conductive pad 320 and the lower conductive pad 330 are positioned, and the holes of the insulating film 310 and the vias of the upper and lower conductive pads 321 are formed by soldering or plating using a conductive metal or alloy material. The contact sheet 300 is manufactured by filling the hole 340.

절연 필름(310)을 마련하고, 이중 스프링(100)과 대응되는 위치에 각각 원판형의 상부 전도 패드(320)와 하부 전도 패드(330)를 접착시키고, 상하부 전도 패드(320, 330)의 중앙에 절연 필름(310)을 관통하도록 비아 홀(340)을 형성한 후, 전도성을 가지는 금속 또는 합금 소재를 이용하여 상하부 전도 패드(320, 330)를 도금함으로써 상하부 전도 패드(320, 330)가 전기적으로 연결되는 접촉 시트(300)를 제작한다. 한편, 접촉시트(300)의 제조와 관련해서는 상기의 제작 방법들에 한정되지 않고 다양한 방법으로 제작될 수 있다.The insulating film 310 is provided, and the upper conductive pad 320 and the lower conductive pad 330 of a disc shape are adhered to the positions corresponding to the double springs 100, respectively, and the center of the upper and lower conductive pads 320 and 330 are provided. After the via hole 340 is formed to penetrate the insulating film 310, the upper and lower conductive pads 320 and 330 are electrically plated by plating the upper and lower conductive pads 320 and 330 using a conductive metal or alloy material. To prepare a contact sheet 300 connected to. On the other hand, with respect to the manufacturing of the contact sheet 300 is not limited to the above manufacturing methods can be produced in a variety of ways.

이상에서는 도면에 도시된 구체적인 실시예를 참고하여 본 발명을 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하므로, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 기술을 가진 자라면 이로부터 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명의 보호 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 해석되어야 하고, 그와 동등 및 균등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상은 본 발명의 보호 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the scope of protection of the present invention should be construed in accordance with the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents and equivalents thereof should be construed as being covered by the scope of the present invention.

도 1은 종래 기술에 다른 테스트 소켓을 예시한 도면.1 illustrates a test socket according to the prior art;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이중 스프링 및 이중 스프링을 포함한 테스트 소켓을 나타낸 도면.2 illustrates a test socket comprising a double spring and a double spring in accordance with an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이중 스프링을 상세히 나타낸 도면.3 is a view showing in detail a double spring according to an embodiment of the present invention.

도 4는 반도체 칩 테스트 시 본 발명의 실시예에 따른 이중 스프링의 동작을 예시한 도면. 4 illustrates the operation of a double spring in accordance with an embodiment of the present invention during a semiconductor chip test.

도 5는 본 발명의 다른 실시에에 따른 이중 스프링을 나타낸 도면.5 is a view showing a double spring according to another embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 또 다른 실시에에 따른 이중 스프링을 나타낸 도면.6 is a view showing a double spring according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 이중 스프링을 나타낸 도면.7 is a view showing a double spring according to another embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 테스트 소켓을 나타낸 도면.8 illustrates a test socket according to another embodiment of the present invention.

Claims (11)

반도체 칩의 리드단자와 테스트장비의 테스트단자를 전기적으로 연결하기 위한 테스트 소켓에 이용되는 이중 스프링으로서, 상기 이중 스프링은A double spring is used for a test socket for electrically connecting the lead terminal of the semiconductor chip and the test terminal of the test equipment. 전도성을 가진 제1 강선이 나선 형태로 감겨 형성되되, 상기 제1 강선이 접촉하여 감겨진 제1 밀착부와 상기 제1 강선이 이격하여 감겨진 제1 탄성부를 포함하는 제1 스프링; 및A first spring having a conductive first wire wound in a spiral shape, the first spring including a first contact portion wound by contacting the first steel wire and a first elastic part wound apart from the first steel wire; And 전도성을 가진 제2 강선이 나선 형태로 감겨 형성되되, 상기 제2 강선이 접촉하여 감겨진 제2 밀착부와 상기 제2 강선이 이격하여 감겨진 제2 탄성부를 포함하는 제2 스프링;을 포함하며,And a second spring having conductive conductivity formed in a spiral form, the second spring including a second contact portion wound by contact with the second steel wire and a second elastic part wound apart from the second steel wire. , 상기 제1 스프링은 상기 제2 스프링의 내부로 삽입되어 형성되고, The first spring is inserted into the second spring is formed, 상기 제1 탄성부는 상기 제2 밀착부와 마주보도록 형성된 것을 특징으로 하는 이중 스프링. Double spring, characterized in that the first elastic portion is formed to face the second contact portion. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 제1 스프링의 길이는 상기 제2 스프링의 길이보다 길게 형성된 것을 특징으로 하는 이중 스프링. The double spring of claim 1, wherein a length of the first spring is longer than a length of the second spring. 제1항에 있어서, 상기 제1 밀착부는 The method of claim 1, wherein the first contact portion 그 일부가 타부보다 큰 직경을 가지도록 형성된 볼록부를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 스프링.A double spring, wherein a portion thereof includes a convex portion formed to have a diameter larger than the other portion. 제1항에 있어서, 상기 제1 스프링 및 상기 제2 스프링 중의 적어도 하나는The method of claim 1, wherein at least one of the first spring and the second spring is 그 표면에 니켈, 철, 구리, 금 및 은 중에서 적어도 어느 하나의 소재로 이루어진 도금층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 스프링.The double spring, characterized in that the surface further comprises a plating layer made of at least one of nickel, iron, copper, gold and silver. 제1항에 있어서, 상기 제1 스프링 및 상기 제2 스프링은 The method of claim 1, wherein the first spring and the second spring is 서로 상이한 방향으로 나선 형태로 감겨진 것을 특징으로 하는 이중 스프링.A double spring characterized by being wound in a spiral form in different directions. 제1항에 있어서, 상기 제1 스프링 및 상기 제2 스프링은 The method of claim 1, wherein the first spring and the second spring is 그 상단 또는 하단 부분에서 서로 솔더링 접합되는 것을 특징으로 하는 이중 스프링.A double spring characterized in that it is soldered together at its top or bottom part. 제1항, 및 제3항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 따른 이중 스프링을 포함하는 테스트 소켓으로서, 상기 테스트 소켓은 A test socket comprising a double spring according to any one of claims 1 to 7, wherein the test socket comprises: 상기 리드단자와 대응되는 위치에 상하 방향으로 다수의 관통공이 형성되며, 상기 관통공에 삽입되어 각각 배치되는 상기 이중 스프링을 지지하는 하우징;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 스프링을 이용한 테스트 소켓.And a plurality of through holes formed in a position corresponding to the lead terminal in a vertical direction, the housing supporting the double springs inserted into the through holes and disposed respectively, the test socket using a double spring. 제8항에 있어서, 상기 제2 스프링은 그 외주면에 상기 하우징 외부로 이탈하지 않게 하는 이탈 방지 수단을 더 포함하며,The method of claim 8, wherein the second spring further comprises a separation preventing means for preventing the departure from the outside of the housing on its outer peripheral surface, 상기 하우징은 상기 이중 스프링이 상기 하우징 외부로 이탈되지 않도록 상기 관통공 내주면에 걸림부가 형성된 것을 특징으로 하는 이중 스프링을 이용한 테스트 소켓.The housing is a test socket using a double spring, characterized in that the engaging portion is formed on the inner circumferential surface of the through-hole so that the double spring is not separated out of the housing. 제8항에 있어서, 상기 테스트 소켓은 The method of claim 8, wherein the test socket 상기 테스트 소켓과 상기 반도체 칩 사이 또는 상기 테스트 소켓과 상기 테스트장비 사이에 배치되는 접촉시트를 더 포함하고, Further comprising a contact sheet disposed between the test socket and the semiconductor chip or between the test socket and the test equipment, 상기 접촉시트는The contact sheet is 상기 이중 스프링과 접촉되는 전도 패드; 및A conductive pad in contact with the double spring; And 상기 이중 스프링과 대응되는 위치에 상기 전도패드가 배열되도록 상기 전도패드를 지지하는 절연 필름을 포함하며,An insulating film supporting the conductive pads so that the conductive pads are arranged at positions corresponding to the double springs, 상기 전도패드와 상기 이중 스프링은 서로 솔더링 접합된 것을 특징으로 하는 이중 스프링을 이용한 테스트 소켓.The conductive pad and the double spring is a test socket using a double spring, characterized in that soldered to each other. 제10항에 있어서, 상기 전도 패드는 The method of claim 10, wherein the conductive pad is 상기 리드단자 또는 상기 테스트단자와 접촉하는 부분의 표면에 다이아몬드 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 스프링을 이용한 테스트 소켓.The test socket using a double spring, characterized in that it comprises diamond particles on the surface of the lead terminal or the portion in contact with the test terminal.
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