KR100984880B1 - 반도체 장치 - Google Patents

반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100984880B1
KR100984880B1 KR1020080077478A KR20080077478A KR100984880B1 KR 100984880 B1 KR100984880 B1 KR 100984880B1 KR 1020080077478 A KR1020080077478 A KR 1020080077478A KR 20080077478 A KR20080077478 A KR 20080077478A KR 100984880 B1 KR100984880 B1 KR 100984880B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor module
semiconductor device
semiconductor
plate
fixed
Prior art date
Application number
KR1020080077478A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090015844A (ko
Inventor
도루 기무라
유지 시라카타
Original Assignee
미쓰비시덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 filed Critical 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
Publication of KR20090015844A publication Critical patent/KR20090015844A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100984880B1 publication Critical patent/KR100984880B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • H05K7/20436—Inner thermal coupling elements in heat dissipating housings, e.g. protrusions or depressions integrally formed in the housing
    • H05K7/2049—Pressing means used to urge contact, e.g. springs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

소형화, 경량화, 저비용화를 도모하는 동시에, 성능의 안정성 및 생산성을 향상한 반도체 장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
반도체 장치(1)는, 반도체 소자가 수지 밀봉된 반도체 모듈(2)과, 반도체 모듈(2)의 상면에 판 형상 스프링(3)을 거쳐서 고정되는 보강 비임(4)과, 반도체 모듈(2), 판 형상 스프링(3), 보강 비임(4)의 외주를 사방에서 둘러싸도록 배치되고, 보강 비임(4)의 양단이 고정되는 프레임 형상의 프레임부(6)를 구비하고 있다.

Description

반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 자동차 등의 이동체에 탑재되는 반도체 모듈을 구비한 반도체 장치에 관한 것이고, 특히 발열에 의한 열응력의 영향을 저감하는 것이다.
종래의 반도체 장치는, 반도체 소자가 수지 밀봉되어 중앙부에 나사 관통 구멍이 마련된 반도체 모듈, 반도체 모듈의 일측에 배치되는 가압용 판 형상 스프링, 가압용 판 형상 스프링을 보강하는 보강 비임, 반도체 모듈의 타측에 배치되는 히트싱크(heatsink)를 구비하고, 반도체 모듈은 보강 비임 측으로부터 보강 비임과 가압용 판 형상 스프링을 거쳐서 반도체 모듈의 나사 관통 구멍에 삽입된 나사에 의해 히트싱크에 고정되는 반도체 장치이고, 가압용 판 형상 스프링에는 그 주연부를 분할하는 슬릿이 형성되어 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 공보 제 2005-235992 호{단락 번호 [0005], 도 1 등}
종래의 반도체 장치는, 반도체 모듈이나, 판 형상 스프링, 보강 비임 등의 각 부재가 히트싱크에 고정되는 것에 의해 구성되어 있었다. 그리고 반도체 모듈에서 발생한 열은, 우선 히트싱크로 방열되고, 히트싱크에 전도된 열은 추가로 히트싱크의 이면(裏面)(반도체 모듈이 설치되는 면의 반대면)에 설치되는 냉각 부재를 거쳐서 외기로 방열되고 있었다.
이러한 구성으로 했을 경우, 반도체 모듈과 히트싱크 간, 그리고 히트싱크와 냉각 부재 간에, 열 저항을 억제하기 위한 페이스트(paste) 형상 또는 유연성이 있는 시트 형상의 열 전도성 부재를 마련하는 것이 일반적이다. 그리고, 이 열 전도성 부재에 의한 열전도를 효과적으로 실행하기 위해서는, 히트싱크와 반도체 모듈 및 히트싱크와 냉각 부재의 사이의 압접력을 높게 해서 각 부재 간에 개재하는 열 전도성 부재의 두께를 얇게 하는 것, 또한 그 두께를 균일하게 하기 위해서 히트싱크의 평면도를 높이는 일이 필요하다. 이 때문에 히트싱크를 형성하는 부재에는, 압력에 견뎌 평면도를 확보하는 것이 가능한 높은 강성이 요구된다.
그러나, 이것을 충족시키는 재료로서 일반적으로 사용되고 있는 동은 비중이 크고 가격도 비싸서, 동을 히트싱크의 부재로서 사용하거나 부재 자체를 두껍게 해서 강성을 높이는 구성으로 하면, 반도체 장치의 소형화, 경량화, 저비용화를 도모할 수 없다는 문제가 있었다. 또한, 동을 사용할 경우에는 입수 용이한 판재를 채용하는 것이 일반적이고, 기계가공의 비용 억제 등의 이유로 형상의 성형이 곤란하 다는 문제도 있었다.
또한, 반도체 장치의 소형화, 경량화, 저비용화를 도모하기 위해서, 히트싱크를 박형화, 경량화 등을 하면, 히트싱크의 강성이 낮아지고, 히트싱크의 변형이 생겨버리기 때문에, 열 전도성 부재의 두께를 얇게 하고, 또한 균일하게 하는 것이 곤란하다는 문제가 있었다. 그리고, 히트싱크의 변형은 보강 비임, 판 형상 스프링에 의한 가압력의 영향이나, 열 전도성 부재를 얇고 균일하게 하기 위한 압접력의 영향, 반도체 장치의 사용 환경 온도나 반도체 모듈의 발열에 기인하는 열응력의 영향 등 여러 가지 요인에 의해 생기기 때문에, 반도체 장치의 본래의 성능을 안정적으로 발휘시킬 수 없다는 문제가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 소형화, 경량화, 저비용화와 동시에, 성능의 안정성 및 생산성을 향상한 반도체 장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 반도체 장치는 반도체 소자가 수지 밀봉된 반도체 모듈과, 반도체 모듈의 상면에 고정되는 보강 비임과, 반도체 모듈 및 해당 반도체 모듈에 고정된 보강 비임의 외주를 둘러싸도록 배치되고, 보강 비임이 고정되는 프레임부를 구비한 것이다.
본 발명의 반도체 장치에 의하면, 반도체 모듈을 보강 비임에 의해 프레임부에서 고정하기 때문에, 히트싱크가 불필요하고, 반도체 장치의 소형화, 경량화, 저 비용화를 도모할 수 있다. 또한, 히트싱크가 불필요하므로, 반도체 모듈로 발생한 열을 직접 냉각 부재에 방열할 수 있음과 동시에 열 저항을 억제하는 것이 가능하여, 반도체 장치의 성능을 안정적으로 발휘시킨다.
(실시형태 1)
도 1은 본 발명의 실시형태 1에 있어서의 반도체 장치의 구성을 도시하는 분해 사시도이다. 도 2는 도 1의 반도체 장치를 조립한 상태를 도시하는 사시도이다. 도 3은 도 2에 도시한 반도체 장치의 일부의 단면도이고, 프레임부를 생략한 것이다. 도 4는 도 2의 반도체 장치에 냉각 부재, 제어부를 고정했을 경우의 일 예를 도시하는 모식도이다.
도 1 내지 도 3에 있어서, 반도체 장치(1)는, 반도체 소자가 수지 밀봉된 반도체 모듈(2)과, 반도체 모듈(2)의 상면에 판 형상 스프링(3)을 거쳐서 고정되는 보강 비임(4)과, 반도체 모듈(2), 판 형상 스프링(3), 보강 비임(4)을 둘러싸도록 배치되고, 보강 비임(4)의 양단이 고정되는 프레임부(6)를 구비하고 있다.
반도체 모듈(2)은, 후술하는 제어부에 접속되는 제어 단자(21)와, 프레임부에 마련된 후술하는 접속 단자와 접속하기 위한 단자(22)를 구비하고 있다. 또한, 그 중앙부에는, 판 형상 스프링(3) 및 보강 비임(4)과 고정하기 위한 나사 구멍(23)이 마련되어 있다.
본 실시형태 1에서는 3개의 반도체 모듈(2)이 일렬로 소정 간격을 갖고 배치되고, 그 상면에는 각 반도체 모듈(2)에 대응하는 개소를 펜트 루프(pent roof)형 단면 형상으로 한 판 형상 스프링(3)이 배치되어 있다. 또한, 판 형상 스프링(3)의 반도체 모듈(2)의 나사 구멍(23)에 대응하는 위치에 고정용의 구멍(31)이 마련되어 있다.
판 형상 스프링(3)의 상면에는, 반도체 모듈(2)의 배치 방향, 즉 판 형상 스프링(3)의 길이방향을 따라 연장하는 보강 비임(4)이 배치되고, 3개의 반도체 모듈(2)의 배치 간격에 대응해서 관통 구멍(41)이 마련되어 있다. 또한, 보강 비임(4)의 양단에는 프레임부(6)와 고정하기 위한 고정구멍(42)이 마련되어 있다.
그리고, 보강 비임(4)의 상측으로부터 관통 구멍(41), 구멍(31), 나사 구멍(23)의 순으로 삽입되는 제 1 고정구로서의 나사(5)에 의해, 보강 비임(4)과 판 형상 스프링(3)과 각 반도체 모듈(2)이 고정되어 있다. 예를 들면, 판 형상 스프링(3)을 거치지 않고 보강 비임(4)과 반도체 모듈(2)을 직접 고정할 수도 있다. 그러나, 본 실시형태 1과 같이 판 형상 스프링(3)을 거쳐서 고정하는 구성으로 하면, 나사(5)의 조임력이 판 형상 스프링(3)의 펜트 루프형 단면 형상의 부분이 휘는 것에 의해 분산되기 때문에, 판 형상 스프링(3)이 완전히 신장하여 고정된 상태에서는, 각 반도체 모듈(2) 전체에 균일한 하중을 인가할 수 있다.
또, 본 실시형태 1에서는 반도체 모듈(2)에 성형 수지로 형성한 나사 구멍(23)을 마련하고, 보강 비임(4) 측으로부터 삽입한 나사(5)를 반도체 모듈(2)에 나사 고정함으로써 각 부재를 고정하고 있지만, 수지의 균열이 염려될 경우나 높은 체결력을 필요로 할 경우는 반도체 모듈(2) 내부에 너트를 인서트 성형하면 좋다.또한, 고정 방법은 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 반도체 모듈(2)에 나 사 구멍(23)이 아닌 관통 구멍을 마련해 두고, 반도체 모듈(2)의 하면측에 너트를 배치하고, 나사(5)를 해당 너트에 고정시키는 것에 의해 고정해도 좋다. 또한, 반도체 모듈(2)에는 나사 구멍(23)이 아닌 관통 구멍을 마련하고, 보강 비임(4)에는 관통 구멍(41)이 아닌 나사 구멍을 마련하고, 반도체 모듈(2)의 하면측에서 나사를 삽입하는 것에 의해 고정해도 좋다. 이로써, 반도체 모듈(2)에 나사선 형성 커팅을 할 필요가 없고 나사 구멍(23)의 균열 등에 의한 반도체 모듈(2)의 파손을 방지할 수 있다.
프레임부(6)는 일체로 고정된 보강 비임(4), 판 형상 스프링(3), 반도체 모듈(2)을 사방에서 둘러싸도록 프레임 형상으로 형성된다. 그리고, 프레임부(6)의 횡방향의 양 내벽면에는 보강 비임(4)을 고정하기 위한 단차부(61)가 돌출하여 마련되어 있고, 이 단차부(61)의 중앙부에는 나사 구멍(62)이 마련되어 있다. 그리고, 이 나사 구멍(62) 상에 보강 비임(4)의 고정구멍(42)이 겹치도록 보강 비임(4)이 배치되고, 제 2 고정구로서의 나사(7)가 보강 비임(4) 측으로부터 삽입되어 나사 구멍(62)에 나사 고정되는 것에 의해 보강 비임(4)과 프레임부(6)가 고정된다. 이로써, 반도체 모듈(2), 판 형상 스프링(3), 보강 비임(4), 프레임부(6)가 일체가 되어 반도체 장치(1)를 구성한다. 또, 본 실시형태 1에서는 프레임부(6)에는 보강 비임(4)만이 고정되어 있지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대 판 형상 스프링(3)의 길이방향의 양단을 연장해 보강 비임(4)과 함께 프레임부(6)에 고정해도 좋다.
프레임부(6)의 길이방향의 양쪽 외벽면에는 후술하는 냉각 부재와 고정하기 위한 고정 구멍(63)이 배치된 돌출부(jutting part)(64)가 형성되어 있다. 또한, 프레임부(6)의 프레임 형상 부분의 상면의 네 코너에는 후술하는 제어부를 고정, 지지하기 위한 지지부(65)가 마련되어 있다.
프레임부(6)의 재질로서는, 예를 들면 ABS, PBT, PPS 등의 열가소성의 합성 수지재를 사용하고, 그 형상은 사출성형으로 제작할 수 있다. 그리고, 프레임부(6)의 내부에는, 도통부로서의, 예를 들면 동 등의 높은 도전성을 갖는 금속으로 이루어지는 복수의 버스 바아(bus bar)(66)가 인서트 성형 등에 의해 구성되어 있다. 버스 바아(66)의 일단은 반도체 모듈(2)의 단자(22)와 접속되는 접속 단자(66a)로서 프레임부(6)의 내벽 측에 노출하고, 타단은 외부와 접속되는 외부 단자(66b)로서 프레임부(6)의 외벽 측에 노출하고 있다. 단자(22)와 접속 단자(66a)는 예를 들면 용접에 의해 접속되어, 원하는 전기 회로를 구성하고 있다. 물론, 접속 방법은 용접에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 나사 고정 등에 의해 행하여도 좋다.
또, 본 실시형태 1에서는 상기한 바와 같이 각 부재[반도체 모듈(2), 판 형상 스프링(3), 보강 비임(4), 프레임부(6)]가 일체가 되었을 때에, 반도체 모듈(2)의 하면과 프레임부(6)의 하면의 위치가 동일 평면상으로 되도록, 반도체 모듈(2), 프레임부(6), 단차부(61) 등의 두께 치수를 설정하고 있다. 이로써, 후술하는 냉각 부재와 반도체 모듈(2)의 하면이 확실하게 접촉한다.
다음에, 도 4를 참조해서 상기한 바와 같이 구성한 반도체 장치(1)에 냉각 부재(80), 제어부(83)를 고정했을 경우의 일예를 설명한다. 또, 도 4의 모식도는 도 2에 도시하는 반도체 장치(1)를 횡방향측의 측면으로부터 보고 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 냉각 부재(80)는 반도체 장치(1)의 하면측에 배치되고, 반도체 모듈(2)의 하면과 접하는 것에 의해, 반도체 모듈(2)에서 발생하는 열을 방열하기 위한 것이다. 예를 들면, 냉각 부재(80)에는, 프레임부의 돌출부(64)에 마련된 고정 구멍(63)에 대응하는 위치에 나사 구멍(81)이 마련된다. 그리고, 냉각 부재(80)를 반도체 모듈(2)의 하면과 접하도록 프레임부(6)의 하방측에 배치하고, 나사를 고정 구멍(63)을 거쳐서 냉각 부재(80)의 나사 구멍(81)에 나사 고정함으로써, 프레임부(6)와 냉각 부재(80)가 고정된다. 물론, 프레임부(6)와 냉각 부재(80)의 고정 방법은 이것에 한정되지 않고, 반도체 장치(1)의 사용 조건 등에 맞춰 고정하면 좋다.
또, 반도체 모듈(2)과 냉각 부재(80)의 사이에는, 열전도율이 1 내지 수W/mK 정도의 페이스트 형상 또는 유연성이 있는 시트 형상의 열 전도성 부재(82)(도 4 참조)가 도포 또는 끼워지는 것 등에 의해 마련되어 있다. 여기에서, 열 전도성 부재(82)는 반도체 모듈(2)과 냉각 부재(80)와의 접합면에 밀착해 열전도를 원활하게 실행하기 위한 것이다. 열 전도성 부재(82)의 두께는 작을수록 방열 효과를 높이지만, 두께가 크게 또는 불균일해지면, 두께가 큰 부분의 열 저항이 커져 버린다. 그리고 그 성능은 열 저항이 큰 부분에 제약되어버리기 때문에, 열 전도성 부재(82)를 적절하게 사용하지 않으면 이 열 전도성 부재(82) 자체가 열 저항 악화의 주요인이 되어 버린다. 이 때문에, 반도체 모듈(2)과 냉각 부재(80) 사이의 압접력을 높게 해서 열 전도성 부재(82)의 두께를 얇고 또한 균일하게 하는 것이 바람직하다.
본 실시형태 1에서는, 반도체 모듈(2)은 보강 비임(4)에 의해 프레임부(6)에 고정되어 있기 때문에, 압접력은 보강 비임(4)의 강성에 의존한다. 따라서, 보강 비임(4)의 재질로서, 예를 들면 영률이 높은 철계의 재료를 채용하면, 압접력을 높게 했을 때의 보강 비임(4)의 변형 등을 보다 더 막을 수 있다.
또, 본 실시형태 1에서는 보강 비임(4)의 양단만을 프레임부(6)에 고정하고 있지만, 보강 비임(4)의 변형을 더욱 억제하기 위해서, 예를 들면 프레임부(6)의 길이방향으로 반도체 모듈(2)의 사이를 지나는 리브(rib)를 마련해도 좋다. 보강 비임(4)의 양단을 프레임부(6)에 고정하는 것만이 아니라, 이 리브에도 고정하는 것에 의해, 보강 비임(4)의 변형을 더욱 억제할 수 있다.
또한, 보강 비임(4)의 강성에 따라서는, 보강 비임(4)이 다소 변형함으로써 3개의 반도체 모듈(2) 중 중앙의 반도체 모듈(2)을 가압하는 힘이 양단의 반도체 모듈(2)과 비교해서 약해지는 것도 생각할 수 있다. 이 경우에는, 판 형상 스프링(3) 중 중앙의 펜트 루프형 단면 형상의 부분의 스프링의 변형량을 변경함으로써, 중앙의 반도체 모듈(2)의 가압력을 보강할 수 있다. 구체적으로는, 펜트 루프형 단면의 경사부의 각도를 크게 하는 것에 의해 스프링의 변형량을 크게 하고, 반도체 모듈(2)로의 가압력을 증가시킨다. 또한, 판 형상 스프링(3)의 스프링 정수를 변경함으로써, 스프링의 변형량을 변경하는 구성을 해도 좋다.
또한, 보강 비임(4), 판 형상 스프링(3), 반도체 모듈(2)의 고정 방법으로서 상술한 바와 같이, 반도체 모듈(2)에 관통 구멍을 마련하고, 반도체 모듈(2)의 하면측에 너트를 배치해서 나사 고정하는 것으로 고정할 경우나, 반도체 모듈(2)에 관통 구멍을, 보강 비임(4)에 나사 구멍을 마련하고, 반도체 모듈(2)의 하면측으로부터 나사를 삽입해서 고정할 경우에는, 너트나 나사의 헤드 부분의 하면측에 돌출해 버린다. 거기에서, 냉각 부재(80)와 반도체 모듈(2)의 밀착을 도모하기 위해서, 냉각 부재(80)의 너트의 돌출 부분에 대응하는 부분에 오목부를 마련해 두면 좋다.
제어부(83)(도 4 참조)는, 예를 들면 프레임부(6)의 상방측에 배치되고, 반도체 모듈(2)의 구동 및 제어를 실행하는 것이다. 본 실시형태 1에서는, 제어부(83)에는 프레임부(6)의 프레임 형상 부분의 네 코너에 마련된 지지부(65)에 대응하는 위치에 관통 구멍(84)을 마련하고, 프레임부(6)의 상측을 덮도록 제어부(83)를 배치해서 나사 고정함으로써, 제어부(83)와 프레임부(6)를 고정하고 있다. 그리고, 반도체 모듈(2)의 제어 단자(21)가 제어부(83)에 접속되는 것에 의해, 제어부(83)는 반도체 모듈(2)의 제어를 실행한다. 물론, 프레임부(6)와 제어부(83)의 고정 방법은 이것에 한정되지 않고, 반도체 장치(1)의 사용 조건 등에 맞추어 고정하면 좋다.
이상과 같이, 본 실시형태 1의 반도체 장치(1)에서는, 반도체 모듈(2)을 보강 비임(4)을 거쳐서 프레임부(6)에 고정하기 때문에, 히트싱크가 불필요하고 반도체 장치(1)의 소형화, 경량화, 저비용화를 도모할 수 있다.
또한, 히트싱크를 거치지 않기 때문에, 반도체 모듈(2)과 냉각 부재(80)를 직접 접촉시켜서, 반도체 모듈(2)의 열을 방열할 수 있음과 동시에, 열 저항 악화의 주요인이 되는 열 전도성 부재(82)의 설치도 반도체 모듈(2)과 냉각 부재(82) 간의 1층만으로 하는 것이 가능하다. 이 때문에, 열 저항을 억제하고, 반도체 모듈(2)에서 발생하는 열을 효율적으로 방열하며, 반도체 장치(1)의 성능을 안정적으로 발휘시킨다. 또한, 부품 개수를 감소시켜, 저비용화, 조립 공정의 삭감, 생산성 향상을 도모할 수 있다.
또한, 보강 비임(4)을 강성이 높은 재료로 형성함으로써, 반도체 모듈(2)과 냉각 부재(80) 간의 압접력을 높게 했을 때의 보강 비임(4)의 변형을 막을 수 있다. 이 때문에, 프레임부(6)의 하면측에 배치되는 냉각 부재(80)의 상면과 반도체 모듈(2)의 하면의 압접을 확실하게 실행하고, 각 부재 간에 배치되는 열 전도성 부재(82)의 두께를 얇고 균일하게 할 수 있다. 따라서, 열 저항을 억제하고, 반도체 장치(1)의 성능을 안정화할 수 있다.
또한, 판 형상 스프링(3)을 거쳐서 반도체 모듈(2)과 보강 비임(4)을 고정하면, 나사(5)의 조임력은 판 형상 스프링(3)의 펜트 루프형 단면 형상의 부분이 휘는 것에 의해 분산되기 때문에, 각 반도체 모듈(2) 전체에 균일한 하중을 인가할 수 있다.
또한, 판 형상 스프링(3)의 스프링 변형량을 부분적으로 변화시킴으로써, 각 반도체 모듈(2)의 가압력을 조정할 수 있다. 예컨대 판 형상 스프링(3) 중 보강 비임(4)이 변형하기 쉬운 중앙부에 위치하는 펜트 루프형 단면 형상의 부분의 스프링 변형량을 커지도록 설정하면, 중앙의 반도체 모듈(2)의 가압력을 보강할 수 있고, 각 반도체 모듈(2)과 냉각 부재(80)의 압접력이 균일해진다.
또한, 프레임부(6)의 재질을 합성 수지로 하고, 그 내부에 복수의 버스 바 아(66)를 인서트 성형하고 있기 때문에, 반도체 장치(1) 내부의 배선 작업이나 접속 작업이 용이해지는 동시에, 반도체 장치(1)의 바람직한 형상을 용이하게 또한 염가로 실현가능하다.
또한, 프레임부(6)에 반도체 모듈(2)을 제어하는 제어부(83)를 지지하기 위한 지지부(65)를 마련했기 때문에, 간단한 구성으로 제어부(83)를 지지할 수 있고, 부품 개수의 삭감, 조립 비용의 억제, 조립 공정의 간략화, 생산성의 향상이 가능해진다.
(실시형태 2)
실시형태 1에서는 프레임부(6)는 합성 수지 재료로 형성되어 있었지만, 본 실시형태 2에서는 프레임부는 강성이 높은 금속에 의해 형성되어 있다.
도 5는 본 발명의 실시형태 2에 있어서의 반도체 장치의 구성을 도시하는 분해 사시도이다. 도 6은 도 5의 반도체 장치를 조립한 상태를 도시하는 사시도이다. 또한, 실시형태 1과 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙여 설명은 생략한다.
도 5, 도 6에 있어서, 프레임부(6)는, 예를 들면 철, 알루미늄, 마그네슘 등의 강성이 높은 금속재에 의해 형성되고, 주조 혹은 다이캐스트 등으로 제작할 수 있다. 프레임부(6) 자체가 도전성 재료에 의해 형성되기 때문에, 실시형태 1과 같이 도전부로서의 버스 바아를 인서트 성형해서 접속 단자나 외부 단자를 노출시키는 구성은 채용할 수 없다. 따라서, 내부 배선이나 외부 단자를 구성하기 위한 단자대(도시하지 않음)를 별도로 마련하고 있다.
이상과 같이, 본 실시형태 2의 반도체 장치(1)에서는, 프레임부(6)의 재질을 형상의 자유도가 높은 금속재의 주조품, 다이캐스트 물품 등으로 형성했기 때문에, 실시형태 1의 효과에 더해, 프레임부의 강성을 향상할 수 있는 동시에, 형상의 성형이 용이하고, 또한 염가로 제작하는 것이 가능해진다.
또한, 제어부(83)가 지지되는 지지부(65)도 금속재로 이루어지기 때문에 보다 더 강성이 높고, 반도체 장치(1)가 진동하는 것에 의한 지지부(65)의 손실을 방지하고, 반도체 장치(1)의 내진성의 향상을 꾀할 수 있다.
또한, 상기 실시형태 1과 마찬가지로, 프레임부(6)에 반도체 모듈(2)의 사이를 지나는 금속재로 이루어지는 리브(도시하지 않음)를 마련한 구성으로 하면, 실시형태 1의 경우 이상으로 보강 비임(4)의 변형을 억제할 수 있고, 확실하게 열 전도성 부재(82)의 두께를 얇게, 그리고 열 저항을 낮게 할 수 있다.
(실시형태 3)
실시형태 1, 2에서는 프레임부와 보강 비임은 각각의 부품으로서 형성되고, 나사 등에 의해 고정되어 있었지만, 본 실시형태 3은 프레임부가 보강 비임과 일체로 형성되어 있다. 또한, 프레임부의 재질은 그 목적에 따라 실시형태 1과 같이 합성 수지재로서도 실시형태 2와 같이 금속재로서도 좋지만, 본 실시형태 3에서는 금속재를 채용했을 경우에 대해서 설명한다.
도 7은 본 발명의 실시형태 3에 있어서의 반도체 장치의 구성을 도시하는 분해 사시도이다. 도 8은 도 7의 반도체 장치를 조립한 상태를 도시하는 사시도이다. 또, 실시형태 1과 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙여 설명은 생략한 다.
도 7, 도 8에 도시하는 바와 같이, 반도체 모듈(2)과, 반도체 모듈(2)의 상면에 고정되는 판 형상 스프링(300)은 프레임부(600)에 일체 형성된 보강 비임으로서의 비임부(601)의 하방측에 배치되어 있다. 그리고, 반도체 모듈(2)의 하방측에서 제 1 고정구로서의 나사(5)를 반도체 모듈(2)의 중앙부에 마련된 관통 구멍(24), 판 형상 스프링(300)에 마련된 구멍(301), 비임부(601)에 마련된 나사 구멍(602)에 삽입하고 나사 고정함으로써, 반도체 모듈(2), 판 형상 스프링(300)은 프레임부(600)의 비임부(601)에 고정되어 있다.
프레임부(600)에는 비임부(601)에 고정된 반도체 모듈(2)의 사이를 지나는 리브(603)가 형성되어 있고, 리브(603)는 비임부(601)를 지지하고 있다. 또, 리브(603)를 피해서 판 형상 스프링(300)이 비임부(601)에 고정할 수 있도록, 판 형상 스프링(300)은 각 반도체 모듈(2)에 대응해서 3개의 부품으로 분할되어 있다.
이상과 같이, 본 실시형태 3의 반도체 장치(1)에서는, 프레임부(600)가 보강 비임으로서의 비임부(601)와 일체로 형성되어 있기 때문에, 상기 각 실시형태와 같은 효과를 나타내는 동시에, 부품 개수의 삭감이나 조립 공정의 간략화를 도모할 수 있다. 또한, 단일 부품인 것으로 보다 높은 강성을 실현할 수 있다.
또한, 제 1 고정구인 나사(5)가 반도체 모듈(2)의 하방측으로부터 삽입되고 비임부(601)의 나사 구멍(602)에서 나사 고정되기 때문에, 반도체 모듈(2)에 나사 구멍을 마련하거나 너트를 인서트 성형할 필요가 없다. 이 때문에, 반도체 모듈(2)에 나사선 형성 커팅을 할 필요가 없고 나사 구멍의 균열 등에 의한 반도체 모듈(2)의 파손을 방지할 수 있다. 또, 나사(5)의 헤드 부분이 반도체 모듈(2)의 하면측에 돌출되어 있을 경우에는, 냉각 부재(80)와 반도체 모듈(2)의 밀착을 도모하기 위해서, 냉각 부재(80)에 나사의 돌출 부분에 대응하는 위치에 오목부를 마련해 두면 좋다. 또, 물론 상기 실시형태 1에서 설명한 바와 같이, 보강 비임으로서의 비임부(601) 측으로부터 나사 고정하는 구성을 해도 좋다.
또한, 프레임부(600)에 리브(603)를 형성했기 때문에, 비임부(601)의 지지를 보다 확실하게 실행할 수 있어, 비임부(601)의 변형을 억제할 수 있다. 이 때문에, 열전도 부재(82)의 두께를 얇게 할 수 있고, 열 저항을 억제해서 반도체 장치(1)의 성능을 안정화할 수 있다. 또, 반드시 리브(603)를 형성할 필요는 없고, 리브(603)를 갖지 않는 구성으로 했을 경우에는, 판 형상 스프링(300)을 3개의 부품으로 할 필요는 없고, 상기 실시형태 1 및 2에 기재의 판 형상 스프링(3)과 같은 형상으로 하면 좋다.
(실시형태 4)
상기 실시형태 1 내지 실시형태 3에 기재의 반도체 장치(1)에서는, 반도체 장치(1)의 하면측으로부터 설치되는 냉각 부재(80)와 반도체 모듈(2)을 확실하게 접촉시키고, 또 냉각 부재(80)와 반도체 모듈(2) 사이에 배설되는 열 전도성 부재(82)가 얇고, 또한 균일하게 가압할 수 있도록, 반도체 모듈(2)의 하면과 프레임부(6)[또는 프레임부(600)]와의 하면이 동일 평면 상에 위치하도록 설계되어 있다. 그 정밀도로서는, 반도체 모듈(2)의 하면과 프레임부(6)의 하면과의 단차가 ±50μm 이하로 할 것이 요구된다. 이 때문에, 이 ±50μm 이하의 정밀도를 달성할 수 있는 정도의 정밀도로, 반도체 모듈(2)이나 프레임부(6)[또는 프레임부(600)] 등의 성형을 실행하는 것이 바람직하다고 하고 있다.
본 실시형태 4에서는, 상기 정도의 치수 정밀도를 확보하지 않아도, 반도체 장치(1)의 하면측으로부터 설치되는 냉각 부재(80)와 반도체 모듈(2)이 확실하게 접촉하는 구성에 대해서 설명한다.
도 9는 본 발명의 실시형태 4에 있어서의 반도체 장치의 일부의 단면도이고, 프레임부를 생략한 것이다.
본 실시형태 4의 기본적인 구성은 상기 실시형태 1과 같기 때문에, 그 사시도는 도 2와 같다. 단지, 도 9에 도시하는 바와 같이, 반도체 모듈(2)과 판 형상 스프링(3)이 밀착해 있지 않고 간신히 간극이 비는 것과 같은 상태로 반도체 모듈(2)과 보강 비임(4)이 판 형상 스프링(3)을 거쳐서 고정되어 있다. 또, 실시형태 1과 동일한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙여 설명은 생략한다.
도 2, 도 9에 도시하는 바와 같이, 반도체 모듈(2)은 제어부(83)(도 4 참조)에 접속되는 제어 단자(21)와 프레임부(6)의 접속 단자(66a)와 접속하기 위한 단자(22)를 구비하고, 제어 단자(21)와 단자(22)에는 각각 수평부(21a, 22a)가 마련되어 있다. 또한, 반도체 모듈(2)의 중앙부에는 판 형상 스프링(3) 및 보강 비임(4)과 고정하기 위한 나사 구멍(230)이 마련되고, 이 나사 구멍(230)은 반도체 모듈(2)을 관통하지 않고 막힘 구멍으로 하고 있다. 나사 구멍(230)은 성형 수지로 형성해도 좋지만, 본 실시형태 4에서는 너트(24)를 인서트 성형하는 구성으로 하고, 나사 구멍(230) 부분의 강화를 도모하고 있다.
그리고, 보강 비임(4), 판 형상 스프링(3), 반도체 모듈(2)을 고정할 때는, 보강 비임(4)의 상측으로부터 삽입되는 나사(5)가 나사 구멍(230)의 바닥부에 맞부딪치는 것에 의해, 판 형상 스프링(3)과 반도체 모듈(2)과의 사이에 간극을 가진 상태로 고정된다.
상기한 바와 같이 간극을 마련하는 구성으로 한 것에 의해, 보강 비임(4)이 프레임부(6)에 고정되고, 반도체 모듈(2), 판 형상 스프링(3), 보강 비임(4), 프레임부(6)가 일체가 되었을 때, 반도체 모듈(2)의 하면이 프레임부(6)의 하면보다 상기 간극 만큼 돌출하는 구성이 된다. 이러한 반도체 장치(1)에 냉각 부재(80)를 하방측으로부터 설치하면(도 4 참조), 냉각 부재(80)에 가압되는 것에 의해 판 형상 스프링(3)이 변형하고, 반도체 모듈(2)은 그 하면이 프레임부(6)의 하면과 동일 평면상의 위치가 될 때까지 냉각 부재(80)에 밀어 올려져 이동한다. 이 때문에, 반도체 모듈(2)이나 프레임부(6)의 두께 방향의 치수 정밀도를 고정밀도로 확보하지 않아도, 확실하게 반도체 모듈(2)과 냉각 부재(80)가 접촉하고, 그 동안에 배치되는 열 전도성 부재(82)의 두께를 얇고, 또한 균일하게 가압할 수 있다.
냉각 부재(80)에 의해 반도체 모듈(2)이 밀어 올려져 이동하면, 반도체 모듈(2)과 프레임부(6)의 상대 위치가 변화하기 때문에, 제어부(83)와 제어 단자(21) 및 접속 단자(66a)와 단자(22)의 접속 부분에 응력이 생기기 쉽다. 이때, 제어 단자(21)와 단자(22)에 각각 마련된 수평부(21a, 22a)가 변형함으로써 상기 접속 부분에 생기는 응력을 완화하고 있다.
또, 반도체 모듈(2)이 프레임부(6)보다 크게 돌출할 경우, 즉 반도체 모 듈(2)과 판 형상 스프링(3)의 간극이 클 경우에는, 상기 접속 부분에 따른 응력이 커지고, 이것을 완화하기 위한 수평부(21a, 22a)를 길게 할 필요가 생긴다. 따라서, 반도체 장치(1)의 소형화를 저해하지 않도록, 반도체 모듈(2)의 돌출량은 0.05∼0.2mm 정도가 바람직하다.
이상과 같이, 본 실시형태 4의 반도체 장치(1)에서는, 반도체 모듈(2)과 판 형상 스프링(3) 사이에 간극을 마련한 상태로 반도체 모듈(2)과 보강 비임(4)이 고정되어 있기 때문에, 판 형상 스프링(3)이 변형함으로써 반도체 모듈(2)의 하면의 높이를 이동시킬 수 있다. 이 때문에, 냉각 부재(80)를 반도체 장치(1)에 고정할 때는, 냉각 부재(80)에 가압되어 밀어 올려지는 것에 의해 반도체 모듈(2)의 하면과 프레임부(6)의 하면을 일치시킬 수 있다. 따라서, 반도체 모듈(2)이나 프레임부(6)의 두께 방향의 치수 정밀도를 고정밀도로 확보하지 않아도, 적합하게 반도체 모듈(2)과 냉각 부재(80)를 접촉시킬 수 있고, 그 동안에 배치되는 열 전도성 부재(82)의 두께를 얇고, 또한 균일하게 가압할 수 있다.
또한, 제어 단자(21)에 수평부(21a), 단자(22)에 수평부(22a)를 마련한 것에 의해, 반도체 모듈(2)이 이동한 것에 의해 생기는, 제어부(83)와 제어 단자(21) 및 접속 단자(66a)와 단자(22)의 접속 부분의 응력을 완화할 수 있다.
또, 본 실시형태 4는 실시형태 1의 구성에 근거해서 설명했지만, 상기 실시형태 2, 3의 구성으로 편성하는 것도 물론 가능하다. 예를 들면, 실시형태 3에 있어서는, 반도체 모듈(2)의 관통 구멍(24)을 막힘 구멍으로 함으로써 적용가능하다.
도 1은 본 발명의 실시형태 1에 있어서의 반도체 장치의 구성을 도시하는 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 반도체 장치를 조립한 상태를 도시하는 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시한 반도체 장치의 일부의 단면도이고, 프레임부를 생략한 도면이다.
도 4는 도 2의 반도체 장치에 냉각 부재, 제어부를 고정했을 경우의 일예를 도시하는 모식도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태 2에 있어서의 반도체 장치의 구성을 도시하는 분해 사시도이다.
도 6은 도 5의 반도체 장치를 조립한 상태를 도시하는 사시도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태 3에 있어서의 반도체 장치의 구성을 도시하는 분해 사시도이다.
도 8은 도 7의 반도체 장치를 조립한 상태를 도시하는 사시도이다.
도 9는 본 발명의 실시형태 4에 있어서의 반도체 장치의 일부의 단면도이며, 프레임부를 생략한 것이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 반도체 장치 2 : 반도체 모듈
3, 300 : 판 형상 스프링 4 : 보강 비임
6, 600 : 프레임부 65 : 지지부
66 : 버스 바아(bus bar)(도통부) 83 : 제어부

Claims (8)

  1. 반도체 장치에 있어서,
    반도체 소자가 수지 밀봉된 반도체 모듈과,
    상기 반도체 모듈의 상면에 고정되는 보강 비임(reinforcing beam)과,
    상기 반도체 모듈 및 이 반도체 모듈에 고정된 상기 보강 비임의 외주를 둘러싸도록 배치되고, 상기 보강 비임이 고정되는 프레임부를 구비한 것을 특징으로 하는
    반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 모듈과 상기 보강 비임은 판 형상 스프링을 거쳐서 고정되는 것을 특징으로 하는
    반도체 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반도체 모듈과 상기 판 형상 스프링과의 사이에 간극을 마련한 상태로 상기 반도체 모듈과 보강 비임이 고정되고, 상기 판 형상 스프링의 변형에 의해 상기 반도체 모듈이 상기 프레임부에 대하여 상하 방향으로 이동가능한 것을 특징으로 하는
    반도체 장치.
  4. 제 2 항 또는 3 항에 있어서,
    상기 판 형상 스프링의 변형량을 부분적으로 변화시킨 것을 특징으로 하는
    반도체 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 프레임부는 합성 수지로 형성되고, 상기 프레임부의 내부에는 상기 반도체 모듈과 전기적으로 접속되는 도통부가 인서트 성형에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    반도체 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 프레임부는 금속재로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    반도체 장치
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 프레임부는 상기 보강 비임과 일체로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    반도체 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 프레임부는 상기 반도체 모듈의 제어를 실행하는 제어부를 지지하는 지지부를 구비한 것을 특징으로 하는
    반도체 장치.
KR1020080077478A 2007-08-08 2008-08-07 반도체 장치 KR100984880B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2007-00206163 2007-08-08
JP2007206163A JP5014016B2 (ja) 2007-08-08 2007-08-08 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090015844A KR20090015844A (ko) 2009-02-12
KR100984880B1 true KR100984880B1 (ko) 2010-10-01

Family

ID=40070805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080077478A KR100984880B1 (ko) 2007-08-08 2008-08-07 반도체 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7880299B2 (ko)
EP (1) EP2023389B1 (ko)
JP (1) JP5014016B2 (ko)
KR (1) KR100984880B1 (ko)
CN (1) CN101364575B (ko)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5267283B2 (ja) * 2009-04-02 2013-08-21 三菱電機株式会社 パワーモジュール
DE102009002993B4 (de) * 2009-05-11 2012-10-04 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul mit beabstandeten Schaltungsträgern
JP4968316B2 (ja) * 2009-12-14 2012-07-04 アンデン株式会社 電子回路装置
US8198725B2 (en) * 2009-12-31 2012-06-12 Star Technologies Inc. Heat sink and integrated circuit assembly using the same
JP2012054262A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP5510432B2 (ja) * 2011-02-28 2014-06-04 株式会社豊田自動織機 半導体装置
JP5832215B2 (ja) * 2011-09-28 2015-12-16 株式会社ケーヒン 半導体制御装置
KR101228841B1 (ko) * 2011-10-04 2013-02-04 엘에스산전 주식회사 일체형 탄성클립을 이용한 전력용반도체 고정장치
JP5971190B2 (ja) * 2012-06-07 2016-08-17 株式会社豊田自動織機 半導体装置
JP2014064463A (ja) * 2013-12-20 2014-04-10 Panasonic Corp 給電制御装置
JP6645315B2 (ja) * 2016-03-29 2020-02-14 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 インバータ装置、及び、インバータ装置の製造方法
JP6920790B2 (ja) * 2016-05-24 2021-08-18 ローム株式会社 インテリジェントパワーモジュール、電気自動車またはハイブリッドカー、およびインテリジェントパワーモジュールの組み立て方法
CN110520981A (zh) * 2017-04-21 2019-11-29 三菱电机株式会社 功率转换装置
CN112074948A (zh) * 2018-05-08 2020-12-11 三菱电机株式会社 紧固结构体及使用紧固结构体的电力转换装置
DE102019122640A1 (de) * 2019-08-22 2021-02-25 Ebm-Papst Mulfingen Gmbh & Co. Kg Haltevorrichtung zur thermischen Kontaktierung eines auf einer Leiterplatte montierten elektronischen Bauteils mit einem Kühlkörper
CN111225544B (zh) * 2019-12-06 2021-11-05 法雷奥西门子新能源汽车(深圳)有限公司 用于电子元件的散热装置
US11444002B2 (en) * 2020-07-29 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure
JP7452373B2 (ja) 2020-10-19 2024-03-19 株式会社デンソー 電力変換装置
JP7468433B2 (ja) 2021-03-30 2024-04-16 株式会社豊田自動織機 電動圧縮機
JP2023009908A (ja) * 2021-07-08 2023-01-20 株式会社豊田自動織機 電動圧縮機
EP4164349A1 (en) 2021-10-06 2023-04-12 MAHLE International GmbH Control device for an electric machine

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02140856U (ko) * 1989-04-27 1990-11-26
JP2001160696A (ja) 1999-12-02 2001-06-12 Kenwood Corp 電子部品取付機構
JP2004087552A (ja) 2002-08-23 2004-03-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2005235992A (ja) 2004-02-19 2005-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6223079Y2 (ko) * 1981-01-27 1987-06-12
JPH0289356A (ja) * 1988-09-26 1990-03-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6043981A (en) * 1997-11-13 2000-03-28 Chrysler Corporation Heat sink assembly for electrical components
US5977640A (en) * 1998-06-26 1999-11-02 International Business Machines Corporation Highly integrated chip-on-chip packaging
JP3881488B2 (ja) * 1999-12-13 2007-02-14 株式会社東芝 回路モジュールの冷却装置およびこの冷却装置を有する電子機器
US7265981B2 (en) * 2005-07-05 2007-09-04 Cheng-Ping Lee Power supply with heat sink
DE102005055713B4 (de) * 2005-11-23 2011-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Anschlusselementen
JP4589239B2 (ja) * 2006-01-12 2010-12-01 株式会社日立製作所 電子機器の冷却構造

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02140856U (ko) * 1989-04-27 1990-11-26
JP2001160696A (ja) 1999-12-02 2001-06-12 Kenwood Corp 電子部品取付機構
JP2004087552A (ja) 2002-08-23 2004-03-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2005235992A (ja) 2004-02-19 2005-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US7880299B2 (en) 2011-02-01
EP2023389B1 (en) 2015-01-21
CN101364575A (zh) 2009-02-11
CN101364575B (zh) 2011-10-12
KR20090015844A (ko) 2009-02-12
EP2023389A2 (en) 2009-02-11
EP2023389A3 (en) 2013-03-20
US20090039504A1 (en) 2009-02-12
JP2009043863A (ja) 2009-02-26
JP5014016B2 (ja) 2012-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100984880B1 (ko) 반도체 장치
JP4936021B2 (ja) モータ制御装置
JP5644706B2 (ja) 電動圧縮機用の電子部品固定構造
US20080019095A1 (en) Configurable heat sink with matrix clipping system
JP6548146B2 (ja) 回路構成体
JP2014225571A (ja) 半導体装置
JP2014179376A (ja) 半導体装置及びその製造方法
US20220061185A1 (en) Power conversion device
CN211959879U (zh) 用于多个分立电子器件的热界面
JP5421951B2 (ja) 半導体装置
JP2008258241A (ja) 半導体装置
JP2008103577A (ja) パワーモジュールの放熱構造およびそれを備えたモータ制御装置
US11277932B2 (en) Power conversion device
JP2022010604A (ja) 電子機器
JP5777175B2 (ja) 電子回路基板およびその組立方法
JP4460057B2 (ja) 発熱体の放熱構造
JPH09213852A (ja) 発熱電子部品の放熱構造
JP2004349345A (ja) 電子制御装置
US20060151872A1 (en) Connection between a semiconductor housing and a base plate comprising a passage opening for fastening to a heat sink
JPH08307077A (ja) プリント基板実装品およびプリント基板実装ユニット品
US20240172397A1 (en) Electronic control unit
US20210272876A1 (en) Transistor heat dissipation module and assembly method thereof
JP5161192B2 (ja) パワー回路配線構造
JP7127498B2 (ja) 放熱部材及び電気接続箱
JP5022916B2 (ja) 発熱体搭載可能部品、金属体及び発熱体搭載可能部品の取付構造

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130903

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140901

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150827

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160831

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170830

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180920

Year of fee payment: 9