KR100978547B1 - 표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용다이아몬드의 설치방법 - Google Patents

Abstract

다이아몬드 테이블(7a)이 편평하고 소정 높이가 되도록 도프(31) 내에 다이아몬드(7)를 설치하기 위하여, 상기 다이아몬드(7)는 상기 테이블(7a)이 상면 플레이트의 저면과 결합되도록 주입성형 도구를 위치시키고, 인서트(54)에 의해 상방으로 밀려난다. 엘라스토머(35)는 도프링(32) 내로 주입성형되고 상기 다이아몬드(7)의 거들(7c)의 전방 및 후방에 모두 엘라스토머(35)가 있는 상기 도프링(32) 내에서 상기 다이아몬드(7)를 단단히 홀딩한다. 상기 엘라스토머(35)의 조금의 누출이 발생함에도 불구하고, 상기 다이아몬드 테이블(7a)은 상기 도프링(32)의 상면 및 저면에 엄격하게 평행하게 세팅되고, 상기 테이블(7a)은 상기 도프링(32)의 상면에 의해 형성되는 면에 단지 조금 아래에 위치된다. 이런 방식으로, 상기 도프(31)는 상기 다이아몬드 테이블(7a)에 광레지스트를 적용한 후 마이크로리쏘그래피에 의해 마크를 형성시키기 위한 장치의 테이블 상에 위치된다. 상기 레지스트를 베이킹 하기 위하여, 상기 도프(31)는 상기 다이아몬드(7)를 빠르게 가열하고, 베이킹 시간의 간격과 온도를 제어하며, 빠르게 상기 다이아몬드(7)를 냉각시키기 위해 땜납의 드롭을 함유하는 공동(64)을 가지는 펠티에 히트펌프의 히터팁(63)에 걸쳐 위치된다.

보석 또는 공업용 다이아몬드, 마크, 테이블, 거들, 엘라스토머, 도프

Description

표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치 및 제조방법{MOUNTING AND PREPARING A GEMSTONE OR INDUSTRIAL DIAMOND FOR THE FORMATION OF A MARK ON THE SURFACE THEREOF}

본 발명은 보석 또는 공업용 다이아몬드에 마크(mark), 바람직하게는 마이크로 마크(micro mark)를 형성하는 방법에 관한 것이다. 여기에서 사용되는 "마이크로 마크"의 용어는 보석 또는 공업용 다이아몬드 상의 매우 미세한 소정의 마크이다. 상기 마크는 다이아몬드 보석 판매인, 제조자 또는 무역회사의 명칭 또는 로고와 같은 인식할 수 있는 상업상 브랜드 또는 트레이드 마크(trade mark)로 이루어질 수 있다. 상기 마크는 표면들이 연마된 일부 공업용 다이아몬드(와이어-드로잉 다이스(wire-drawing dies)와 같은)에 적용될 수 있다. 본 발명은 보석의 연마된 면들, 바람직하게는 테이블(table)에 마크가 적용되는 보석류 분야에 보다 적합하다. 보석 또는 공업용 다이아몬드에 육안으로 보이지 않는 마크를 형성하기 위하여 다양한 방법들이 제안되어 왔으며, 보석의 경우, 상기 마크는 보석 세팅에서 육안으로 볼 수 있는 일면에 형성될 수 있다. 엄밀히 말하자면, 상기 마크는 재료의 제거(텀드 밀링(termed milling))에 의하여 형성되는 것으로, 표면내에(바람직하게는 표면상에) 상기 마크를 형성하는 것이 가장 확실한 방법이다. 그러나, 여기에서 사 용되는 "표면상에"와 같은 표현은 상투적으로 밀링을 포함한다.

먼저, 상기 마크의 깊이는 미적가치를 손상시키지 않고 보석의 값어치를 유지하는 수준에서 마크의 가시성을 제한되도록 제어되며, 특히 다이아몬드에 있어 다이아몬드의 내부투명도를 손상시키지 않도록 상기 마크가 형성되는 것이 바람직하다. 일반적으로, 상기 마크는 육안으로 보이지 않는다. 넓은 의미에서 보면, 상기 마크는 보석의 아름다움이나 미적외관을 해치지 않도록 해야 한다. 이와 관련하여 다양한 기준이 있으나, ×10루페(loupe) 배율로 육안으로 볼 때, ×10 확대 이하에서 내부결합이 보이지 않아야 하는 것이 통상적으로 요구되며, 다이아몬드의 마크형성이 널리 일반화됨에 따라, 상기 마크가 내부결함으로 작용하지 않은 범위에서 상기 마크의 가시성은 부분적으로 적용될 수 있다. 예를 들면, 비록 ×10 확대를 갖는 어떤 발광조건하에서 보이더라도, 25㎚ 또는 50㎚로 에칭된 1mm² 이상의 영역을 차지하는 마크가 적용될 수 있다. 보다 깊게 형성되는 마크, 500㎚ 깊이 이상의 마크 또한 적용될 수 있다. 최소깊이는 약 20 또는 30㎚이다. 그러나, 보석상의 마크는 어떠한 영역으로부터도 아주 큰 빛을 확산시키지 않도록 충분히 얕아야 한다. WO 97/03846에서는 형성될 수 있는 마크의 수치를 제안하고 있다. 상기 마크가 형성되는 라인(line)들은 폭:깊이 비가 약 20:1 내지 3000:1을 가질 수 있지만, 50:1 내지 1000:1 범위로 하는 것이 바람직하다.

상기 마크는 소정의 적절한 방법으로 형성될 수 있다. 하나의 방법으로, 일면이 레지스트(resist) 또는 포토레지스트로 스핀-코팅(spin-coated)되고, 마스크(mask)의 이미지는 상기 레지스트를 노출시키는 노출 조사선을 이용하여 코팅된 일면으로 투사(projection)되거나(일반적으로, 마스크에 대하여 이미지 크기를 실질적으로 축소시키는 렌즈 시스템이 이용된다), 빔(beam)을 이동시키면서 코팅된 일면에 이미지를 새기는(빔 직접새김방식) 마이크로리쏘그래피(microlithorgraphy)를 이용한다. 그런 다음 상기 레지스트는 선택된 부분을 제거하도록 현상(development)되고, 일면에 접촉 마스크를 효과적으로 제공한다. 현상과정에서, 상기 레지스트의 노출된 영역 및 노출되지 않은 영역은 서로 다른 비율로 현상되고, 즉 포지티브 톤(positive tone) 레지스트에서 보다 쉽게 디졸브(dissolve)되는 것이 노출된 영역이고, 그 노출된 영역에서 마스크되지 않은 표면 또는 일면이 남게된다. 톰슨 등(Thompson et al.)의 "마이크로리쏘그래피의 소개" 제2판(1994)에서 마이크로리쏘그래피를 자세히 설명하고 있다. 다음으로, 상기 보석 또는 공업용 다이아몬드는 예를 들면 미국특허 제5,335,526호 또는 WO 98/52773호에서 제안된 바와 같은 플라즈마 에칭(plasma etching)을 이용하여 밀링(milling)될 수 있다. 다른 방법으로, 다이아몬드 또는 보석의 표면에 직접적으로 가해지는 조사선을 이용하여, 예를 들면 WO 97/03846호에서 제안한 바와 같이 마스크를 통해 투사하거나 표면상에 직접적으로 새기는 방법이 있다.

본 발명의 제1 및 제2 실시예의 배경

보석 및 공업용 다이아몬드의 마킹율이 증가하는 것은 바람직한 일이다. 문 제들 중의 한가지는 보석 또는 다이아몬드를 셋업하는데 소정 시간이 걸리는 것이다. 상기 표면은, 상(image)의 전 영역은 포커싱되며, 최대 틸트 허용오차의 일예가 0.1°또는 0.2°로 되는 노출방사(exposure radiation)에 정확히 수직으로 세팅되어야 한다. 상기 표면은, 또한, 예를 들면 ±100마이크론 정도의 상당히 큰 오차가 허용됨에도 불구하고 일반적으로 특정 높이로 세팅될 수 있다; 높이에서 작은 차이는, 장비의 기준면에서 너무 멀지 않으면 적절히 초점을 조절함에 의해 맞추어 질 수 있는 높이에 세팅되어야 한다. 그러나, 에칭율은 에칭된 표면의 높이에 민감하다. 이처럼 노출방사에 수직인 표면 및 일반적으로 예정된 높이에 가까운 높이에 보석 또는 다이아몬드를 홀딩하는 방식을 제공하는 것이 바람직하다. 상기 다이아몬드가 레지스트(resist)로 스핀코팅(spin-coated)되고, 상기 레지스트를 세팅하기 위해 가열시킬 필요가 있기 때문에, 상기 홀딩은 단단히 되어야 하며 50에서 70초의 시간에 대해 각각 105℃, 110℃, 또는 115℃의 가열은 보석 및 다이아몬드의 위치설정을 크게 변경시킬 수는 없다.

WO 00/76583은, 상기 플레이트에 장착된 다이아몬드와 거의 같은 크기의 실린더 형상의 관통 보어(bore)를 가지는 금속플레이트의 형상(form)에 홀더를 제공함에 의해 이 문제에 해결책을 제안한다. 상기 플레이트는 플래너 기준면 또는 접촉면 상에 위치되고, 상기 다이아몬드들은 상기 보어들 내로 테이블에 삽입되어서, 그 테이블들이 상기 접촉면과 맞닿게 된다. 플러그는 각 보어 내로 삽입되고, 접착제가 상기 다이아몬드와 플러그 및 상기 플러그와 보어에 사이에 도포되고, 상기 접착제를 건조시켜 상기 보어 내 상기 플러그 및 상기 다이아몬드를 단단히 고정시 킨다. 이런 방법은 다른 크기의 보어들을 갖는 넓은 범위의 홀더들이 필요하고, 상기 보어 내에 고정되어 다이아몬드가 약간 크기가 달라지게 되거나, 그렇지 않으면 정확하게 수평이 되거나, 그렇지 않으면 보어에 완전히 고착되고(stick), 또한 다이아몬드의 포인트들이 깨질 위험이 있는 것을 감수한다.

일반적으로, 상기 보석 또는 다이아몬드는 마킹에 관련된 모든 공정에 대해 적당한 방식으로 처리된다(be held in). 이것에 덧붙여, 상기 설치방법은 가능한 한 단순하며, 빠르게 설치와 제거, 및 클리닝 작업을 할 수 있어야 한다. 대부분의 마킹 공정에서, 설치 공정에 덧붙여 여섯 가지 메인 공정이 있다. 그것들을 바람직한 특징들을 나열하였다.

설치 - 빠르고, 깨끗하고, 안전하고, 신뢰할만 하며, 싸며, 단순해야 한다.

클리닝 - 완전히 깨끗한 테이블이어야 한다.

스피닝 - 통상적인 조작이어야 하며, 상기 보석 및 다이아몬드의 홀딩을 단단히 해야 한다.

베이킹 - 이것은 하기에 설명된다.

노출 - 마킹된 표면은 상기된 바와 같이 편평해야 한다.

현상(develop) - 통상적인 조작이다.

에칭 - 상기 마운트는 진공이어야 하며, 상기 보석 및 다이아몬드는 0.5mm 내로 상기 마운트에 중심이 일치해야 한다.

제거 - 설치와 같다.

마운트 및 보석 클리닝 - 설치와 같다.

다음에 사용법이 알려져 있다.

고용융 접착제 - 온도는 40℃이상에서 형상과 안전성이 유지되고, 화학적 클리닝, 자주 산(acid)이 상기 보석 및 홀더에 필요하다.

저온 접착제 - 이것들은 긴 경화시간(cure time)을 가지며, 보통 제거를 위해서는 산성 에칭이 필요하다.

기계적 집게 홀딩 - 이것은 상대적으로 크고 비싸며, 세팅에 걸리는 시간이 필요하다. - 다른 보석과, 다이아몬드 및 낮은 열전달에 대한 상당한 변동이 있다.

다이아몬드 내로의 에칭 마크에 대한 특별히 미세 리쏘그래피(microlithography) 기술의 상업적 이용을 저해하는 문제점이 있다.

본 발명의 제1실시예의 목적은, 종래기술의 단점을 적어도 하나 극복하거나 개선하며, 또는 상기 보석 또는 다이아몬드의 설치에 관련하여 유용한 대안을 제공하는 것이다.

본 발명의 제3실시예에 대한 배경

일반적으로, 상기 레지스트는 적용되었을 때 베이킹 되어야만 한다. 상기 베이킹의 온도 및 기간은, 상기 레지스트의 필요한 노출량이 상기 레지스트의 본질 및 베이킹 되는 정도 때문에 임계적이다. 상기 베이킹이 다이린다면, 상기 노출은 일반적으로 다이리게 된다 - 예를 들면, 상기 베이킹은 상기 레지스트가 완전히 건조되는 그런 긴 시간이 아니다. 온도 및 기간은 상기에 명시하였다.

본 발명의 제3실시예의 목적은, 하나 이상의 종래 기술의 단점을 극복하거나 개선하고, 또한 상기 레지스트를 베이킹하는 것에 관해 유용한 대안을 제공하는 것 이다.

본 발명의 제1실시예

본 발명의 제1실시예는 청구항 제1항, 제37항 및 제38항에 명시된 바와 같이 방법 및 청구항 제41항에 명시된 바와 같이 홀더를 제공한다. 상기 종속항들은 바람직하고 및/또한 선택적인 특징들을 청구한다. 일반적으로 본 발명에 따라, 상기 보석 또는 다이아몬드는 몰드 내에 위치되고, 마킹된 상기 표면은 접촉면과 맞닿게 되고, 세팅 또는 홀딩재는 상기 홀딩재에 대해 움직이지 않도록 상기 보석 또는 다이아몬드 주위에 성형되고 상기 보석 또는 다이아몬드를 단단히 고정하며, 소재 표면(locating surface)은 상기 접촉면과 평행하거나 동일평면 상에 형성된다. 상기 소재 표면은 상기 홀딩재 상에 있을 수 있으나, 상기 컨테이너 내에 상기 보석 또는 다이아몬드를 보관하고, 상기 컨테이너 상의 위치선정면을 가지는 것이 보다 더 편리하다.

개시되어 있는 상기 단계들은 세팅된 순서대로 될 필요는 없다. 예를 들면, 상기 컨테이너가 상기 컨테이너 내에 상기 보석 또는 다이아몬드를 배열하기 전 또는 후에 액상 홀딩재로 채워질 수도 있는, 순서에 취해지지 않고 개시된다. 상기 컨테이너가 원형이면, 하나의 측벽(sidewall)을 가진다고 말할 수 있다.

상기 방법은, 상기 보석 또는 다이아몬드의 각 면(facet) 또는 표면이, 상기 보석 또는 공업용 다이아몬드가 쉽게 조작되며, 노출 방상 처리에 대해 빠르고 단 순하게 포지셔닝 되도록 기준면과 동일면상에 있을 수 있도록 상기 보석 또는 공업용 다이아몬드를 세팅하는 방법을 제공한다. 한가지 이점은, 대부분의 보석 형상 및 크기에 대하여, 단지 한가지 크기의 컨테이너가 필요하다는 것이다. 전송을 위해서 마킹을 위해서 개인사업장에 설치된 보석 또는 다이아몬드에 대해서 어디서든 가능하다. 상기 설치된 다이아몬드 또는 그 원석(source)은 상기 컨테이너 또는 상기 홀딩재를 마킹함에 의해, 또는 착색제(colouring agent) 또는 트레이싱 수단(tracing means) 또는 은밀한 표시재(covert tagging substance)를 홀딩재로 혼합함으로 인해 식별될 수 있다.

상기 홀딩재는, 이후에 클리닝 문제나 예를 들면 형상에 의한, 순수하게 기계적 연동에 의해 상기 보석 또는 다이아몬드를 유지하는 것을 피하기 위해 상기 보석 또는 다이아몬드에 고착되지 않게 하는 것이 바람직하다. 그럼에도 불구하고, 상기 보석 또는 다이아몬드는 상기 홀딩재에 의해 단단히 고정되고, 마킹되는 표면에 수직 방향 또는 마킹되는 표면에 평행한 방향으로 상기 홀딩재에 대해 이동될 수 없다. 보석의 경우에, 상기 홀딩재는, 상기 거들(girdle)이 상기 홀딩재에 의해 고정됨에 따라 상기 거들에 어떤 힘을 효과적으로 전달한다.

최소한 이론적으로, 상기 레지스트가 스피닝에 의해 적용된다면, 상기 홀딩재의 관련 표면은 상기 보석 또는 다이아몬드의 면(facet) 또는 표면과 동일 편면이 될 수 있다; 그러나, 비드(bead)가 불연속적으로 형성되면, 상기 마크는 상기 표면의 모서리로부터 멀어지게 형성될 수 있다.

상기 레지스트는 단지 마킹되는 표면을 덮을 필요가 있고, 에칭되는 동안, 마킹될 표면을 제외한 상기 보석 또는 다이아몬드의 모든 부분이 다른 면(facet)의 의도되지 않은 에칭을 방지하기 위해 홀딩재에 의해 보호될 수 있다. 이처럼 보석 면의 경우에, 상기 면의 주위에 보석의 모든 부분은 상기 홀딩재로 덮힐 수 있다. - 상기 홀딩재 상면은 마킹되기 위해 상기 평면과 동일 평면상에 있을 수 있다.

본 발명을 이용하여, 높은 질의 마크가 상대적으로 비싸지 않고 신뢰할 수 있는 장치를 사용하여 형성시킬 수 있고, 상기 장치는 저렴한 비용으로 연마된 보석 또는 공업용 다이아몬드의 제조 공정으로 본 발명의 방법을 이룰 수 있게 한다.

일반적으로, 상기 홀딩재는, 레지스트가 사용된다면, 상기된 레지스트 베이킹 온도에서 안정적이어야 한다. 다른 형태의 홀딩재도 사용가능하다.

첫번째, 바람직한 홀딩재는 예를 들면 엘라스토머 같이 유연할 수도 있고 탄성적일 수도 있다. 상기 엘라스토머는 고무같고, 탄성적이다; 이 정의에 제한이 없음에도 불구하고, 엘라스토머는 실온에서 이것의 길이가 최소한 두배로 저응력 하에서 늘어날 수 있고, 상기 응력의 제거(release)로 거의 원래 길이로 복원 될 수 있는, (천연고무, 합성고무 또는 플라스틱재가 될 수 있는) 재료이다. 여기에 사용된 "탄성적"이란 단어는 제한되지 않았음에도 불구하고 이런 일반적인 의미를 가진다. 상기 홀딩재가 예를 들면 상기 다이아몬드를 충분히 단단하게 고정하고 있으면, 소위 상기 마크가 형성되는 표면에 노출되는 임계단계동안에 상기 다이아몬드가 실제적으로 응력이 없는 상태에 있기 때문에 유연성이 생긴다. 유연하고 탄성적인 홀딩재를 사용하는 한가지 이점은, 표면에 마킹이 이루어질 때 상기 공정의 끝에서 상기 보석 또는 다이아몬드가 단지 팝아웃(popped out) 될 수 있다. 예를 들 면 상대적으로 낮은 힘을 가지고, 상기 백으로부터 밀려나는 것이다; 상기 홀딩재가 (상기 컨테이너 내에 있으면) 수직방향으로 찢어져서 버려지거나 재활용되기 때문에 이것의 탄성한계 이상으로 변형될 수는 없다는 것은 이 때에 필수적인 것은 아니다. 상기 컨테이너는 클리닝 될 필요는 없다. 상기 보석 또는 다이아몬드의 제거(de-mounting) 후에, 상기 보석 또는 다이아몬드는 단지 상기 레지스트의 제거로 클리닝 될 필요가 있다.

탄성적이고 유연한 홀딩재의 경도의 선택에 있어서, 절충안이 만들어졌다. 상기 홀딩재의 경도가 높으면 높을수록, 에칭 및 클리닝 동안 포지셔닝 및/또한 저항은 더욱 좋아진다. 그러나, 상기 홀딩재가 너무 경화되면, 상기 보석 또는 다이아몬드를 제거하는 것은 더욱 어렵고, 마르퀴스(marquises) 같은 어떤 특별한 형상의 보석에서, 상기 홀딩재가 너무 딱딱하면 코너가 깨질 위험이 있다. 일반적으로, 상기 홀딩재는 상기 홀딩재 내에 어떤 균열(split)이 있음에도 불구하고 상기 홀딩재의 어떤 조각남 없이 마킹될 표면에 수직 방향으로 상기 홀더로 상기 보석 또는 다이아몬드를 밀어넣을 수 있도록 충분히 탄성적이거나 유연할 수 있다. 더욱 바람직하게는, 상기 홀딩재가 탄성한계 이상으로 변형될 수도 있음에도 불구하고 상기 홀딩재 내에 아무런 균열이 없는 것이다. 가장 경화된 홀딩재는 라운드 브릴리언트 컷형이 보석에 대해 사용될 수 있고, 쇼어(듀로미터)경도 A 스캐일(A scale)로 측정됨에 따라, 예를 들면, 상기 쇼어 경도가 약 60에서 70부터 약 100까지 될 수 있다; 브릴리언트 컷형 다이아몬드에 대해서, 바람직한 경도는 약 92이다. 이론적으로, 상기 홀딩재는, 심지어 폴리머로 이루어졌을지라도, 실온에서 경화될 수 있고, 상기 보석을 제거하기 위해 가열될 수 있지만, 이것은 바람직하지 않다. 상기 홀딩재는 투명성 재료일 수 있다 - 투명성은 특별히 팬시(fancy) 형상, 예를 들면 전개도에서 원형이 아닌 보석의 배열을 도와준다. 열전도성이 낮으면 낮을수록, 더 좋아진다. 적합한 플라스틱은 열가소성 또는 합성 고무이나 바람직하게는 열가소성이다(예를 들면 용해될 수 있고, 재응고될 수 있음). 그러나, 상기 홀딩재는, 상기 홀딩재가 화학적 반응에 의해 세팅되기 위하여 전조물질(precursor)을 주입함에 의해 이루어질 수 있다. 또한, 바람직한 방법은 고온 주입성형법을 사용함에도 불구하고, 차가운 상태로 부어져서 화학적 반응에 의해 세팅되는 적합한 폴리머를 찾는 것이 가능할 수도 있다.

두번째 형태의 홀딩재는, 상기 홀딩재가 마킹 공정의 끝에서 쉽게 깨질 수 있게 하고 상기 보석 또는 다이아몬드에 손상을 입힐 위험 없이 상기 보석 또는 다이아몬드를 릴리즈(release)하도록 부서지기 쉽다. 상기 홀딩재는, 깨지기 쉬운 폴리머 또는 이것의 전조물질이 다른 방법으로 삽입됨에 따라 주입성형될 수 있다.

세번째 형태의 홀딩재는, 통상적인 응고(freezing or solidification)에 의해 세팅되는 녹는 점 이상으로 액상이다. 상기 홀딩재에 대해 높은 열전도성의 선택으로, 상기 보석 또는 다이아몬드는 짧은 시간에 가열될 수 있고, 이 가열온도는 정확히 제어될 수 있다. 상기 보석 또는 공업용 다이아몬드는 상기 홀딩재와 좋은 열적 접촉을 한다.

상기와 같은 홀딩재 중 하나는 인듐이나 적합한 합금 같은 금속이다. 금속 또는 인듐 같은 합금이 사용된다. 바람직한 합금은 하나의 융점을 가지기 때문에 주석/창연(tin/bismuth) 합금 같은 공용의 합금이다. 인듐은 높은 열전도율을 가지고 이것의 융점은 쉽게 용해될 수 있게 약 156℃이다. 상기 레지스트 베이킹 온도는 안정되게 상기 융점이하이고, 과열수는 상기 베이킹에 사용될 수 있다. 인듐은 낮은 증기압을 갖는다. 다이아몬드를 습윤시키는(wet) 경향이 있다. 플럭스가 사용될 수 있다. 인듐은 보다 고온임에도 불구하고 에칭의 위험을 가지고 사용될 수 있는 온도에서 다이아몬드에 측정할 수 없는 손상을 야기할 수 있다.

공정의 끝에서, 응고된 두번째 형태의 홀딩재는, 제거되기 위해 용해될 수 있고, 상기 보석에 남아있는 어떤 흔적들은 닦아낼 수 있다. 인듐은, 상기에 나타낸 바와 같이 다이아몬드를 습윤시키는 경향이 있음에도 불구하고, 상기 다이아몬드 표면에 들러붙지는 않는다. 어떤 흔적들이 남아있다면, 왕수(aqua regia) 같은 것으로 제거가능하다.

상기 홀딩재 중 어떤 형태의 홀딩재를 사용하면 상기 보석 또는 공업용 다이아몬드의 표면을 클리닝하는 것을 용이하게 한다. 적합한 클리닝 화학작용은, 홀딩재의 제거 및 오염을 야기하지 않고도 사용될 수 있다. 상기 홀딩재 표면은 상대적으로 부드러우며, 클리닝 작업의 연마 및 기계적 클리닝 동안 사용된 그와 같은 것을 방지하거나 감소하기 위해 날카로운 모서리 및 마킹된 면 또는 표면을 감추고 있다.

큰 범위의 보석 및 공업용 다이아몬드의 크기 및 형상은 같은 크기의 홀더 내에 설치된다. 적당한 배열에 의해, 복수 개의 보석들이 하나의 홀더에 설치될 수도 있다.

상기 컨테이너는 어떤 적합한 형태를 취할 수 있다. 예를 들면, 상기 접촉면의 반대편에 위치한 개방된 상면를 가지거나 상기 접촉면의 반대편에 위치한 개방된 저면을 가지거나 상기 상면 및 저면이 상기 접촉면의 반대편에 위치한 링의 형태를 가지거나 필요하다면 타단이 다른 부재로 폐쇄된다. 이것의 가장 광범위한 개념으로, 상기 컨테이너는, 상기 홀더의 일부를 형성할 필요는 없고 제 위치에서 단지 나중에 제거되는 상기 홀딩재를 성형하는데 돕거나, 상기 홀딩재 및 상기 보석 또는 다이아몬드를 제거하는 다이(die)을 형성할 수 있다. 상기 컨테이너가 상기 홀더의 일부를 형성하지 않는다면, 상기 홀딩재는 충분히 견고해져야 한다. 상기 컨테이너 또는 다이의 위치선정면은, 마크를 형성하기 위해 예를 들면 레지스트의 노출 같은 후공정에 대한 상기 홀더를 위치시키는 것에 대한 홀딩재의 대응 표면을 형성하여, 상기 컨테이너 소재 표면이 간접적으로 상기 후공정에 대해 상기 홀더를 위치시킨다. 상기 위치선정면은 상기 접촉면의 대향하는 상기 컨테이너 또는 다이의 표면이 될 수 있다. 다른 방안으로, 상기 위치선정면은, 상기 홀딩재 상의 대응 표면이 마킹될 보석 또는 다이아몬드의 표면과 동일 평면 상에 있도록 상기 접촉면이 될 수 있다. 이 대안에서, 상기 홀더는, 상기 테이블의 보다 낮은 표면 상에 마킹되는(registering) 노출 단계 동안 편평하게 되는 테이블 또는 압반(platen) 하에서 위치되거나 상기 노출 방사동안 상기 압반에 홀이 구비된다.

본 발명의 제2실시예

본 발명의 제2실시예는, 청구항 제25항에 기재된 바와 같이 방법 및 청구항 제45항에 기재된 바와 같이 홀더를 제공한다. 상기 종속항들은 바람직한 및/또는 선택적인 특징들을 청구한다.

본 발명의 제3실시예

본 발명의 제3실시예는, 청구항 제31항에 기재된 바와 같이 방법을 제공한다. 상기 종속항은 바람직한 및/또는 선택적인 특징들을 청구한다.

히트펌프를 사용하여, 가열의 기간 및 온도의 매우 정확한 제어를 얻을 수 있고, 빠른 가열 및 냉각을 얻을 수 있다.

본 발명의 일반적인 개념은, 상기 홀더 및 홀딩재의 배열이 어떠하든지, 또는 상기 보석 또는 다이아몬드가 단지 홀덩에 부착된다면 마킹되는 표면의 반대편에 상기 보석 또는 다이아몬드의 일부가 홀딩재 또는 접착제를 덮지 않도록 배열될 수 있어서, 상기 일부는 자유로우며 노출되고, 상기 보석 또는 다이아몬드가 가열 또는 냉각됨에 따라 가열 또는 냉각된다는 것이다. 홀딩재가 사용된다면, 상기 일부는, 바람직하게는 상기 홀딩재를 둘러싸는 것으로부터 돌출된다. 이런 방식으로, 상기 보석 또는 다이아몬드는 직접적으로, 예를 들면, 펠티에 히트펌프를 사용하여 가열 또는 냉각하거나 과열수 또는 땜납 같은 증기 또는 뜨거운 액체를 사용하여 가열된다. 가열의 다른 방식은, 예를 들면, 적외선으로 마킹되는 표면 또는 상기 보석 또는 다이아몬드의 반대측을 조사함에 의해 가능하다. 상기 보석 또는 다이아몬드가 낮은 열전도성을 가진 홀딩재로 둘러싸지거나 공기로 둘러싸여 지게 되면, 매우 빠른 가열 및 냉각을 얻을 수 있고 매우 정확한 온도 제어도 가능하다. 본 발명의 제3실시예는 리쏘그래피 공정의 우수한 제어가 가능하다.

도1은 제1홀더 내에 보석을 세팅하는 방법을 도시한 개략적인 수직 단면도이다;

도2는 제2홀더 내에 보석을 세팅하는 방법을 도시한 개략적인 수직 단면도이다;

도3은 제3홀더를 도시한 수직단면도이다;

도4는 상기 제3홀더 내에 보석을 세팅하는 것에 대해 몰딩 도구를 통해 외부의 일부를 잘라낸 것을 도시한 수직 단면도이다;

도5는 제4홀더를 도시한 수직단면도이다;

도6은 가열 또는 냉각된 제3홀더 내에 상기 다이아몬드를 도시한 펠티에 장치의 일부를 통한 수직단면도이다.

바람직한 실시예

본 발명은 참고도면을 참조하여 예시함에 의해 더욱 상세히 설명한다.

도1a 내지 도1d - 제1홀더

도1a는 가열된 압반 또는 핫플레이트(2) 상에 위치하는 홀더(1)를 나타낸다. 상기 홀더(1)는, 가열에 의해 액화되는 홀딩재(3)를 포함한다. 상기 홀더(1)는, 상부 개구를 구비하도록 베이스(4)에 의해 형성되며, 측벽(5) 안쪽으로 경사진다. 상 기 측벽(5)의 상면은 평면이며, 기준 또는 위치선정면 또는 기준면(6)을 제공한다. 상기 베이스(4)의 저면은, 상기 기준면(6)과 평행하고, 상기 기준면(6) 아래로 간격을 미리 정하며, 위치선정면을 따라 작용한다.

제1홀더 내 상기 다이아몬드의 설치

상기 다이아몬드(7)는 진공척(중앙 덕트(9)에 적용되는 진공)(8)의 중심에 위치되며, 상기 진공척에 의해 위치되도록 홀딩된다. 상기 진공척(8)은, 접촉면에 따라, 그리고 상기 다이아몬드(7)의 플래너 테이블(7a)이 있는 것에 대하여 작용하는 플래너 저면(undersurface)(10)과 상기 홀더(10)에 대해 커버를 형성한다. 상기 저면(10)은 상기 진공척(8)의 위치가 낮아질 때 상기 측벽(5)을 둘러싸는 돌출부(11)에 의해 둘러싸여진다.

상기 홀딩재(3)가 인듐이라면, 상기 압반(2)은 인듐의 융점인 156℃ 이상인, 170℃의 온도로 가열될 수 있다.

상기 기준면(6)이 상기 플래너 저면(10)(도1b)과 결합되거나 일치할 때, 상기 진공척(8)은 그 저면이 상기 홀더(1)의 상부와 접촉될 때까지 낮아진다. 내부로 경사진 상기 측벽(5)은 내부로 향하여, 어떤 스플래싱(splashing)을 야기하는 상기 진공척(8)의 저면 상에 스플래시업(splash up)하기 위한 홀딩재가 용융되는 경향을 감소시킨다. 빠르게 낮아지는 상기 다이아몬드(7)는, 상기 홀딩재(3)를 응고시킬 수도 있다; 이것은 상기 다이아몬드(7) 내로 플러깅하고 상기 진공척(8)을 집어올리는 매우 빠른 공정을 가능하게 한다. 대안적으로, 이것이 발생하지 않은 곳에서 의 공정에서, 홀딩재는 와이어(12)의 형성으로 상기 홀더(1)가 완전히 채워질 때까지 개구부 또는 비아(13)들을 통해 유입될 수 있고, 상기 와이어(12)는 (와이어가 접촉한다면) 상기 홀더(1)와 접촉함에 의해, 그리고 이미 용융된 홀딩재(3)와 접촉함에 의해 가열됨에 따라 용융된다. 또 다른 공정에서, 충분한 홀딩재(3)가 상기 다이아몬드(7)의 거들 이상으로 올리기 위해 사용되지만, 상기 홀딩재(3)의 표면과 상기 도프(8)의 저면 사이에 공간이 남는다.

상기 홀더(1)는, (이미 응고되지 않았다면) 예를 들면, 상기 핫플레이트(2)의 세팅온도를 감소시키거나, 상기 홀더(1)에 냉각액 또는 냉각 고형을 적용함에 따라 상기 홀딩재(3)를 응고시키기 위해 냉각된다. 상기 홀딩재(3)는 융점 이하로 냉각되고, 실온 이하로 냉각되지 않기 때문에 필요한 냉각 정도는 크지 않다.

상기 진공척(8)은 냉각이 보다 더 발생하는(도1c) 상기 핫플레이트(2)로부터 상기 홀더(1) 및 다이아몬드(7)를 들어올리기 위해 사용될 수도 있다. 그에 따라, 상기 진공은 스위치 오프될 수도 있다. 상기 홀더(1)는 상기 진공척(8)의 저면(10) 및 상기 위치선정면 또는 평면(도1d를 참조)과 동일 평면상에 있는, 엄격하게는 상기 베이스(4)의 저면과 평행한 테이블(7a)과 상기 홀더(1) 내에 상기 다이아몬드(7) 세트와 함께 도프를 형성한다. 상기 도프는 상기 진공척(8)으로부터 분리될 수도 있다. 상기 진공척(8)의 재료 및 상기 홀딩재(3)의 적절한 선택에 의해, 상기 도프는 상기 진공이 불연속일 때 떨어질(drop off) 수도 있다 - 예를 들면, 상기 홀딩재(3)가 인듐 또는 창연/납 합금이라면, 상기 진공척(8)은 알루미늄 합금으로 이루어질 수 있다.

일반적으로, 상기 홀더(1) 및 진공척(8)은 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 황동, 스테인리스 또는 가공가능한(machinable) 세라믹으로 이루어질 수도 있다. 상기 홀더(1) 및 진공척(8)은 원형 형상으로 될 수 있다.

상기 홀더(1)가 적당한 크기이고 진공덕트(9)가 적당한 숫자로 제공되면, 대다수의 다이아몬드(7)는 상기 홀더(1) 내에 설치될 수 있다.

클리닝

상기 다이아몬드(7)는, 예를 들면 알콜에 적신 걸레로 기계적으로 클리닝하거나 적절한 광학 렌즈 클리닝 티슈나 그와 유사한 것으로 상기 다이아몬드(7) 및 도프를 드로잉함에 의해 클리닝 될 수 있다. 대안적으로, 상기 도프는 진공척 상에 설치되고, 바람직하게는 상기 다이아몬드(7)의 상기 테이블(7a)에 수직으로 축에 대해 회전될 수도 있다. 이런 경우에, 스핀 건조, 기계적 클리닝 및 다른 적절한 기술에 따르는 용매가 적용될 수 있다.

레지스트 코팅

그리고 나서, 상기 면이 마이크로리쏘그래피에 의해 에칭되면, 상기 도프는 진공척 상에 설치되고, 상기 다이아몬드(7)의 상기 테이블(7a)에 수직이며 상기 테이블(7a)을 통해 지나가는 수직축에 대해 회전될 수 있다. 대다수의 다이아몬드(7)가 상기 도프 내에 세팅된다면, 상기 축은 근사적으로 상기 도프의 중심선을 통해야 한다.

광레지스트는 최소한 상기 다이아몬드(7)의 상기 테이블(7a)을 덮도록 한다. 적합한 포지티브-톤의 레지스트 재질은 쉽리사(Shipley Company)에서 제조된 마이크로포지(Microposit) 1818 이고, 이는 디아조냅쏘큐니언 / 노보락(diazonaphthoquinone/novolak) 레지스트이다. 상기 도프 및 상기 다이아몬드(7)와 함께 상기 진공척(8)은 보통 15 내지 30초 동안 4000 내지 8000 rpm으로, 고속으로 회전한다. 이것은 상기 다이아몬드 테이블(7a)의 보다 큰 부분, 보통 이분의 일에 걸쳐 균일한 두께로 레지스트의 필름이 입혀지게 한다. 상기 상면이 상기 다이아몬드 테이블(7a)을 거쳐 연속적이면, 상기 홀딩재(2)의 표면 및 상기 도프, 노비드(no bead) 또는 림(rim)의 측벽(5)의 상면은 상기 다이아몬드 테이블(7a) 상에 형성된다.

사전 노출 베이킹

그리고 나서, 상기 레지스트는 베이킹된다. 전형적인 조건은 115℃에서 1분이 될 것이다. 이것은 핫플레이트 상에 위치됨으로 인해, 바람직하게는 인티메이트 접촉(intimate contact)에 이것을 홀딩하는 진공척을 사용함에 의해 행해질 수 있다. 열은 상기 핫플레이트를 거쳐 상기 도프로 들어가고 빠르게 상기 다이아몬드(7)에 전달된다. 대안적으로, 상기 가열효과는 유도 가열, 상기 도프에 부착된 가열 요소 또는 적외선 조사로 상기 테이블(7a)에 조사함에 따르는 그런 적합한 방식에 의해 산출될 수도 있다. 상기 도프의 온도는 열전대 또는 상기 도프에 설치된 유사한 것 또는 이것과 접촉함에 의해 측정될 수 있고, 이 측정은 온도를 조정하는 가열 수단에 의해 제어될 수 있다. 대안적으로, 상기 핫플레이트의 온도는 측정되고 제어될 수도 있다.

베이킹 후, 상기 열소스는 불연속적으로 되고 상기 도프는 재빨리 식는다. 상기 다이아몬드(7)는 이제 상기 레지스트에 노출될 준비가 되어 있다.

광학적 노출

상기 도프는 x10의 축소배율로 상기 다이아몬드 테이블(7a) 상에 마스크를 방사함에 의해 형성되는 상기 마크에 대응하는 패턴 내에 상기 레지스트를 부과하기 위하여 적합한 마이크로리쏘그래피 장치의 수평 압반 상에 위치된다, 상기 노출 이미지의 위치, 방위 및 초점은 적절히 조절되고, 상기 다이아몬드 테이블(7a)은 상기 장치의 압반에 수평을 엄격히 유지하고, 상기 장치의 압반 위로의 높이를 결정한다. 또 다른 배열로, 상기 도프는 상기 다이아몬드 테이블(7a)이 조사될 수 있는 개구부를 가지는 아래방향-형성 레지스터 표면에 대해 열려있다. 이 대안으로, 상기 베이스(4)의 저면은 상기 기준면(6)에 엄격히 평행할 필요가 없고, 상기 기준면(6) 아래로 소정 간격을 가질 필요가 없다.

적당한 조사는 상기 레지스트를 노출하는데 사용될 수 있다. 상기 마이크로포지트 1818 레지스트에 대해서, 파장범위 350 내지 450nm 내에서의 전자기 조사가 적합하다. 보다 짧은 파장은 보다 높은 해상도 패턴닝을 허락한다. 상기 노출은 하나의 파장, 예를 들면 436nm에서 수은 방전램프 G 라인(G line)으로 되거나, 파장밴드, 예를 들면 필터링 된 텅스텐/할로겐 램프로 될 수 있다.

사후 노출 베이킹

사후 노출 베이킹에 상기 레지스트를 부과하는 것은 바람직하다. 확산공정은 정상파의 영향 또는 상기 레지스트 내에 간섭을 감소시킨다. 상기 공정은 상기한 사전 노출 베이킹과 유사하다.

현상(development)

상기 레지스트의 현상은 통상적이다. 사용되는 장비는 상기한 레지스트 스피너와 유사할 수 있다.

에칭

플라즈마 에칭 장비는 옥스포드 플라즈마 테크널러지(영국) 또는 사우스베이 테크널러지(미국)으로 얻을 수 있다. 직류 방전 에칭이 사용될 수도 있지만, 다이아몬드가 대전되는 문제를 피하기 위해 RF(radio frequency) 플라즈마를 사용하는 것이 바람직하다. 반응적인 이온 에칭이 바람직하고, 상기 다이아몬드는 어스 전극(earth electrode) 보다 오히려 에처(etcher)의 구동 전극 상에 설치된다. 한 가지 예로, 상기 다이아몬드는 100 에서 1000볼트의 플라즈마에 대한 음의 바이어스 포텐셜을 발생시킨다. 상기 플라즈마로부터 활동적인 이온들을 가진 충격은 그라파이트 같은 좀 더 반응적으로 형성되는 탄소의 비반응적인 다이아몬드의 동소체의 부분적인 전환을 야기할 수도 있다. 순수한 산소 또는 산소/아르곤 혼합 또는 공기는 상기 그라파이트를 산화하기 위해 공급될 수 있다. 상기 바람직한 플라즈마 는, 순수한 산소 에칭이 사용됨에도 불구하고, 표면처리 산소를 제거하기 위해 순수한 아르곤 에칭에 의해 따르는 75%의 아르곤 및 25%의 산소를 사용한다.

릴리즈

에칭 후에, 상기 다이아몬드(7)를 릴리즈하기 위해, 상기 도프는 상기 홀딩재(3)가 녹기까지 핫플레이트 위에 놓여진다. 상기 다이아몬드(7)는 부유되고(float up), 진공척 또는 족집게로 제거될 수 잇다.

도2 - 제2홀더

도2는 홀더(21)가 상기 다이아몬드(7) 위에 위치할 수 있다는 것을 나타낸다. 상기 기준면 또는 위치선정면 또는 소재면(6)은, 저면 개구부를 갖는 상기 홀더(21)의 측벽(22)의 저면에 의해 형성된다. 상기 홀더(21)의 상부의 상면은 상기 소재면(6)과 엄격히 평행하고, 상기 소재면(6) 위로 소정 간격을 가질 수 있다. 상기 다이아몬드(7)는 접촉면을 형성하는 플래너 상면(10)을 가지는 플레이트(23) 상에 위치하며, 개구부(24)를 통해 흡입함으로 홀딩된다. 상기 홀더(21)는 와이어(12)의 형상 내에 홀딩재(3)를 주입하는 상면 개구부(25)를 가진다. 상기 홀더(21)는 완전히 채워질 필요가 없다. 상기 홀딩재가 충분히 더해져 냉각되었을 때, 상기 흡입은 불연속적으로 되고 상기 홀더(21)는 상기 홀더(21) 내에 상기 다이아몬드(7) 세트로 상기 플레이트(23)를 들어올린다. 이런 배열의 이점은 상기 접촉면(10)이 제1 및 상기 홀딩재(3)의 표면을 덮어서 어떤 리플링(rippling) 없이도 편평하게 형성된다.

상기 홀더(21)는 상기 홀더(1)에 대해 상기한 대안적인 방법으로 상기 마이크로리쏘그래피 장비로 포지셔닝 될 수 있다.

도3 - 제3홀더

제3홀더 또는 도프(31)는 원형, 환형 도프링 또는 하프 도브테일의 형상 내에 어더컷(33)을 가진 하나의 측벽을 형성하는 컨테이너(32)를 가진다. 상기 링은 두개의 주입성형 게이트(34)를 가지고, 테이블(7a), 큐렛(7b) 및 거들(7c)을 가지는 브릴리언트 컷형 다이아몬드(7)를 단단히 홀딩하는 홀딩재(35)를 포함한다. 상기 홀딩재(35)의 상면은 상기 테이블(7a)과 동일면상에 있고, 상기 거들(7c) (상기 테이블(7a)의 수직 방향으로 보면 전방과 후방의 상방 및 하방의 양방향에 홀딩재(35)가 있어서, 상기 다이아몬드(7)가 상기 홀딩재(35)에 의해 단단히 홀딩되고 상기 테이블(7a)과 수직 방향 또는 평행한 방향 어느 한방향으로 상기 홀딩재(35)에 대해 이동할 수 없다. 상기 다이아몬드 큐렛(7b)은 둘러싼 상기 홀딩재(35)로부터 돌출된다.

도4는 상기 도프(31)가 어떻게 형성되는지를 나타낸다. 도4는 바디(41)를 가지는 주입성형 도구를 나타낸다. 도시된 배열에서, 상기 바디(41)는, 상기 바디(41) 내에 적합한 덕트를 가진 두 개의 주입성형 또는 다이공동(die cavity)(42), 두 개의 덤프 공동(43) 및 진공 연결부(44)를 가진다. 각 다이공동(42)은, 주게이트(45)에 연결되는 하나의 게이트(34) 및 덤프공동(43)과 연결되는 다른 게이트로 상기 공동 내에 도프링(32)을 위치시키기 위해 펙(peg) 또는 유사한 것(미도시)을 가진다. 두 개의 중앙핀(46)들은 상기 바디(41) 내로 수직으로 슬라이딩 가능하고 헬리컬 압축 스프링(47)에 의해 위쪽으로 편향된다. 상기 스프링(47)은 견고한 가벼운 압력을 제공하지만, 성형 후에 상기 중앙핀(46)을 밀어내기에는 충분하다. 좌측은 성형 위치에서 상기 중앙핀(46)을 나타내는 반면에 우측은 예를 들면 높은 위치 같은 상기 로드에서 상기 중앙핀(46)을 나타낸다. 상기 스프링(47)은 상기 주바디(41) 내로 나사고정되는 엄지스크류(48)에 의해 유지되고, 상기 주바디(41)는 캡스크류(50)에 의해 위치에 고정되는 엄지스크류 후방벽(49)을 움직인다. 각 엄지스크류(48)의 베이스는 각 중앙핀(48)의 중앙보어(46a) 내로 지나가는 벤트 블록킹핀(51)을 움직인다. 각 중앙핀(48)은 크로스보어(52)를 가지며 단부에 인서트(54)를 홀딩하는 실린더형 공동(53)을 형성한다. 상기 주바디(41)의 상방으로, 단지 폐쇄 위치에서 보여지는 죄측부인 상승 가능한 상면 플레이트(55)가 있다.

성형 순서는 다음과 같다:

1. 상기 다이공동(42) 내로 상기 도프링(32)을 적재하라.

2. 상기 인서트(54)의 보어(56)에 의해 형성되는 상기 인서트(54)의 상면의 홈(recess) 내에 각 다이아몬드(7)의 큐렛을 위치시켜라. 단지 설명에 의해서, 도4는 좌측 인서트(54)에 0.25캐럿(0.05그램)의 다이아몬드(7) 및 우측 인서트(54)에 2캐럭(0.4그램)의 다이아몬드(7)를 나타낸다. 상기 다이아몬드(7)를 위치시켜 홀딩하는데 진공이 사용된다. 상기 인서트(54) 내 상면 홈은 상기 다이아몬드가 브릴리 언트형이면 상기 다이아몬드(7)의 중심에 있고, 상방으로 상기 테이블(7a)을 잡아준다. 같은 크기의 인서트(54)가 큰 범위의 다이아몬드 무게에 사용됨에도 불구하고, 다른 크기의 인서트(54)를 제공하는 것도 가능하다. 아울러, 상기 다이아몬드가 킬(keel)을 갖는 팬시 컷이면, 특별히 형성된 인서트가 제공될 수 있다. 후에 설명되겠지만, 과도한 홀딩재는 상기 보어(56) 내로 통과하지 못하며, 최대갭 허용오차는 약 30마이크론이다.

3. 상기 상면 플레이트(55)는 낮아진다. 상기 다이아몬드(7)를 아래로 눌러서 상기 스프링(47)을 압축하고 상기 다이아몬드 테이블(7a)이 상기 상면 플레이트(55)의 저면에 단단히 결합되게 하여 상기 다이아몬드 테이블(8a)은 확실하게 인접되어 상기 상면 플레이트(55)의 저면에 의해 제공되는 상기 접촉면에 접하게 되어 편평하게(level) 된다. 효율적으로, 상기 다이아몬드(7)는 중심과 편평한 부분(flat)이 다 클램프 된다. 도4의 좌측에 나타낸 바에 의하면, 상기 중앙핀(46)이 아래로 눌려짐에 따라 상기 벤트 블록킹핀(51)은 상기 중앙보어로 삽입되고 상기 통로(passage)의 크기가 크게 감소된다.

4. 상기 엄지 스크류(46)는 위치 내에 상기 중앙핀(46)을 서서히 고정하기 위해 감기고, 상기 중앙핀(46)을 아래로 밀어내는 주입성형의 압력을 방지한다.

5. 상기 도구는 주입성형기 내로 넣고, 액상 엘라스토머 같은 홀딩재(35)는 상기 주게이트(45)를 통해 주입되고, 상기 제1파트는 상기 각 도프링(32)을 통하고 보다 차가와진 초기 차지(charge)를 버리고 공기를 밀어내기 위해 상기 덤프공동(43) 내로 통과시킨다. 상기 벤트 블록킹핀(51) 주위의 제한된 통로는, 상 기 다이아몬드(7)와 상기 인서트(54) 사이에 공기 누출을 허용하지만, 상기 진공통로 내로 홀딩재(35)가 누출되는 것을 방지할만큼 충분히 적은 양이다. 상기 게이트(34)가 상기 도프링(32)의 측면에 있기 때문에, 상기 도프링(32)의 상면에 걸쳐 돌출된 홀딩재(35)의 문제는 없다. 일반적으로, 상기 홀딩재(35)는 상기 다이아몬드(7)가 위치에 고정되어 있는 한 상기 도프링(32)을 채워야하지만, 상기 배열이 상기 도프링(32)을 채워지게 하는 것은 필수적인 요소는 아니다.

6. 상기 도구는 상기 주입성형기로부터 제거되고 상기 엄지스크류(48)는 풀려진다.

7. 상기 상면 플레이트(55)가 도프(31)를 형성하기 위해 상기 도프링(32) 내에 고정되는 상기 다이아몬드(7)를 들어서 상기 중앙핀(46)을 밀어올릴때, 상기 상면 플레이트(55)는 들려진다.

8. 상기 도프(31)는 상기 중앙핀(46)의 상면을 들어올린다. 상기 홀딩재(35)가 상기 다이아몬드(7) 뒤로 누출되면, 상기 인서트(54)는, 홀딩재(35)의 "리벳 헤드"에 의해 고정된(trapped) 상기 도프(31)와 멀어진다. 따라서, 상기 "리벳헤드"는 립오프된다.(ripped off); 상기 홀딩재(35)는, 상기 다이아몬드 큐렛(7b)이 상기 인서트(54)의 상기 보어(56) 내에 안착되는 최소 단면적의 포인트에서 부러질 것이다. 상기 "리벳헤드"의 립오프는 상기 큐렛(7b)을 노출한다. 상기 큐렛(7b)에 어떤 과도한 홀딩재(35)가 있다면, 집게로 집어낼 수 있다.

9. 과도한 홀딩재(35)는 상기 덤프 공동(43) 및 상기 러너 등에서 끌어내린다.

사이클 시간은 약 일분 정도(이분당 네개의 도프(31))이고, 예열은 필요없다. 상기 홀딩재(35)가 엘라스트론 G 1047이라면, 180℃에서 주입 가능하다. 상기 성형 도구 및 도프(31)는 40℃ 이상의 온도에 도달하지 않아서 건강과 안전이 보장되지 못한다. 상기 다이아몬드(7)는 0.5mm 내로 중심이 맞춰져야 한다. 홀딩재(35)가 거의 사용되지 않고, 따라서 이것의 비용이 낮다. 또한, 적절히 사용되면 재활용 가능하다.

상기 도프(31)는, 이제 위치선정면을 형성할 수 있는 상기 롭링(32)의 상면 및 저면(단부면)에 엄격히 평행한 상기 테이블(7a)을 가진 다이아몬드(7)를 포함한다. 일반적으로, 상기 홀딩재(35)가 가볍게 수축되기를 기대한다. 상기 홀딩재(35)는 상기 언더컷(33)(도3을 참조) 아래에 결합되고, 상기 홀딩재(35)가 수축됨에 따라 상기 언더컷은, 상기 다이아몬드 테이블(7a)은, 상기 배열의 대칭이기 때문에 상기 도프링(32)의 상면에 엄격하게 평행하게 남아있음에도 불구하고 상기 다이아몬드(7)를 아주 조금 아래로 당긴다. 상기 언더컷(33)은 상기 도프링(32)에 상기 홀딩재(35)를 고정한다.

어떤 적합한 재료가 상기 홀딩 도구로 사용될 수 있다. 그러나, 한 배열에서, 상기 바디(41)가 도구강으로 만들어지고, 상기 상면 플레이트(55)는 예를 들면 (보기에는 내부에 있는) 맥로론(Macrolon)인 폴리카보네이트(polycarbonate)같은 깨끗한 합성수지로 만들어진다 - 상기 도프링(32)의 상면 모서리에 걸쳐 크리핑(creeping)되는 상기 홀딩재(35)로 인한 어려움이 있다면, 상기 상면 플레이트(55)는 고무 라이너로 제공된 저면을 가질 수 있다. 상기 인서트(54)는, 작은 공 기 통로를 센터링하고 남겨두는데 충분히 견고하지만, 상기 다이아몬드(7)를 조각내지는 않는, 예를 들면 델린같은 아세탈 또는 폴리포름알데하이드 수지로 이루어진다. 상기 도프링(32)은 스테인리스강 또는 알루미늄 합금 또는 알루미늄으로 만들어질 수 있다.

도5- 제4홀더

재4홀더 또는 도프(36)는 상기 도프(31)와 같지만, 상기 홀딩재(35)를 완전히 형성하는 도프링(32)은 가지고 있지 않다. 상기 도프(36)는, 실질적으로 당겨지는 탕구(sprue)로 도4의 상기 도구의 주입성형 공동(42) 내에 성형되는 것으로 나타난다. 상기 홀딩재(35)는 딱딱한 폴리머이고, 상기 폴리머 및 상기 인서트(54)의 재료는, 상기 홀딩재(35)가 상기 인서트(54)에 고착되지 않는 것으로 선택된다; 이런 방식으로, 상기 인서트(54)는 상기 중앙핀(46)을 여전히 들어올리지만, 상기 보어(56) 내로 관통되는 단지 폴리머에 의해 상기 도프(36) 내에 유지되고, 상기한 바와 같이 분리될 수 있다. 상기 다이공동의 상면 및 저면은, 상기 도프(36)의 상면 및 저면을 형성하고, 상기 마크를 형성하기 위해 상기 다이아몬드 테이블(7a)을 간접적으로 위치시키는 위치선정면을 형성한다. 이처럼, 상기 도프(36)의 상면 또는 저면 중 어느 하나는, 위치선정면으로써 작용한다.

도6

상기한 "사전 노출 베이킹" 및 "사후 노출 베이킹"에 대하여, 펠티에 장비 또는 히트펌프(열전기 냉각기)가 가열 및 냉각을 위해 사용된다.

도6에 일부를 도시된 상기 펠티에 장비는, 히터팁(63)을 갖는 펠티에 유닛(62)을 구비하는 표준 히트펌프이다. 상기 팁(63)은 액상 땜납(65)의 작은 덩이를 포함하는 공동으로 형성된다. 팁클램프(66)는, 상기 땜납(65)이 상기 다이아몬드(7)의 큐렛(7b)을 젖게 하기 위해 (도6에 살짝 올라가게 나타낸) 밑으로 떨어지는 상기 도프(31 또는 36)를 수용하는 형상이다. 이런 방식으로, 상기 다이아몬드(7)가 가열되고, 상기 레지스트(미도시)를 베이킹하기 위해 상기 테이블(7a) 상에 상기 레지스트를 가열한다. 적당한 가열시간 후에, 상기 펠티에 히트펌프(61)는, 반전되고 상기 다이아몬드(7)는 급격하게 냉각된다. 상기 땜납(65)은 약 70℃에서 세팅되지만, 상기 다이아몬드가 젖지않음에도 불구하고 여전히 좋은 열적 접촉을 제공한다. 후에, 상기 도프(31 또는 36)는 단지 들려질 수 있고, 클리닝은 필요없다.

상기 펠티에 장치의 사용은, 상기 베이킹 사이클을 걸쳐 놀라운 제어를 준다. 일분 동안 110℃의 베이킹과 함께 3 내지 4초의 아주 빠른 가열시간과 12 내지 15초의 아주 빠른 냉각이 가능하다. 상기 홀딩재(35)는, 상기 가열에 의해 손상되지 않는 그런 것으로 선택될 수 있다. 상기 홀딩재(35)가 단열재가 될 수 있음에 따라, 상기 도프링(32)은 냉각된 채로 남아있고, 과도한 열손실을 피할 수 있으며 조작할 수도 있다.

따라서, 상기 도프(31 또는 36)는 클리닝에서 에칭까지 상기한 바와 같이 공정이 진행된다. 상기 도프(31)의 경우 "릴리즈"에 대해, 상기 다이아몬드(7)는, 상 기 큐렛(7b) 상에 가압하기 위해 적합한 비금속 도구를 사용해 단지 상기 도프(31)로 밀어낸다. 상기 홀딩재(35)의 잔류재는, 상기 도프링(32)으로 찢어질 수 있고 상기 도프링(32)은 재활용된다. 상기 도프(36)의 경우에, 상기 홀딩재(35)가 상기 다이아몬드를 밀어내기에 너무 딱딱하다면 잘려질 수 있다.

상기 문장이 상세한 설명 및 청구항을 통해 다른 방식으로 명확히 요구되지 않는다면, "포함하다", "포함하는" 및 그와 유사한 단어는 배타적이거나 철저한 의미에 반대되는 포함적으로 구성된다; 다시 말하면, 포함하는 의미 내에 제한은 없다.

명세서를 통해 종래 기술이 당 분야에서 광범위하게 일반적인 지식의 일부를 알려진 것으로 한다면 종래 기술의 어떤 토론도 고려되지 않아도 된다.

본 발명은 순수하게 예시된 방식에 의해 설명되었고, 서술된 특징들에 상응하는 본 발명의 사상 내에서 변형이 가능하다.

Claims (49)

1. 표면(7a)에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드(7)의 설치방법에 있어서, 컨테이너(1, 21, 31 또는 42) 내에 상기 보석 또는 다이아몬드(7)를 위치시키는 단계, 및 상기 보석 또는 다이아몬드(7)가 상기 컨테이너(1, 21, 31 또는 42) 내의 측벽들과 접촉하지 않도록 상기 컨테이너(1, 21, 31 또는 42)의 측벽 또는 측벽들과 상기 보석 또는 다이아몬드 사이에 액상의 홀딩재(3 또는 35)를 성형하는 단계를 포함하고,

   마킹되는 상기 표면(7a)의 수직방향에서 볼 경우, 상기 홀딩재(3 또는 35)가 세팅될 때, 상기 보석 또는 다이아몬드(7)가 상기 홀딩재(3 또는 35)에 의해 단단히 홀딩되어 상기 홀딩재(3 또는 35)가 세팅되도록 하기 위해 상기 보석 또는 다이아몬드(7) 부분의 전방 및 후방 모두에 홀딩재(3 또는 35)가 있도록 하고, 상기 컨테이너(1, 21, 31 또는 42)는 위치선정면(6)을 형성하고, 상기 위치선정면(6)은 상기 마킹 형성을 위한 후 공정 동안 소정면에서 전체적으로 마킹되는 상기 표면(7a)에 상기 보석 또는 다이아몬드(7)를 위치시키기 위해 직접적 또는 간접적으로 사용될 수 있고, 상기 보석 또는 다이아몬드(7)가 상기 컨테이너(1, 21, 31 또는 42) 내에 위치할 때, 상기 표면(7a)은 마킹되는 상기 표면(7a)이 최소한 상기 홀딩재(3 또는 35)로부터 자유롭게 유지되도록 하기 위해 접촉면(10, 23, 또는 55)과 맞닿고, 상기 위치선정면(6)은 마킹되는 상기 표면(7a)과 동일면 상이거나 평행한 상기 컨테이너(1, 21, 31 또는 42)에 의해 형성되고, 상기 위치선정면(6)은 소정면에서 전체적으로 마킹되도록 상기 표면(7a)에 상기 보석 또는 다이아몬드(7)를 위치시키기 위해 사용될 수 있는

   표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 컨테이너의 측벽 또는 측벽들을 상기 보석 또는 다이아몬드로부터 분리 하는 홀딩재의 연속되는 링이 상기 보석 또는 다이아몬드 주위에 있는

   표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 컨테이너는 상기 위치선정면을 형성하는 경계가 있는 개구부를 구비하고, 상기 개구부의 경계는 상기 홀딩재를 성형하기 전에 상기 접촉면과 맞닿으며, 상기 개구부의 경계는 성형 후에 상기 접촉면으로부터 떨어지게 됨으로써, 상기 위치선정면과 동일면상에 마킹되는 상기 표면을 가지고 상기 컨테이너 내에 세팅되는 상기 보석 또는 공업용 다이아몬드를 포함하는

   표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
4. 제3항에 있어서,

   상기 컨테이너의 개구부는 최상부에 있고, 상기 보석 또는 공업용 다이아몬드는 상기 컨테이너 내로 내려지는

   표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
5. 제4항에 있어서,

   상기 컨테이너는 베이스 및 벽 또는 위에서 봤을 때 내부로 경사지는 벽들에 의해 형성되는

   표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
6. 제4항 또는 제5항에 있어서,

   상기 접촉면은, 상기 개구부의 경계에 맞닿을 때, 상기 개구부의 경계를 둘러싸도록 그 주위에 위치되는 하방향 돌기부를 구비하는

   표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
7. 제4항 또는 제5항에 있어서,

   상기 컨테이너는, 상기 컨테이너 내로 상기 보석 또는 공업용 다이아몬드를 삽입하기 전에 홀딩재로 적어도 부분적으로 채워지는

   표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
8. 제4항 또는 제5항에 있어서,

   상기 접촉면이 상기 개구부의 경계와 맞닿을 때, 상기 컨테이너에 홀딩재를 공급하기 위해 상기 접촉면 내에 적어도 하나 이상의 개구부를 갖는

   표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
9. 제8항에 있어서,

   상기 컨테이너 내로 상기 보석 또는 공업용 다이아몬드를 위치시킨 후에, 홀딩재를 상기 컨테이너 내로 더 공급하는

   표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
10. 제9항에 있어서,

    상기 컨테이너는 상기 홀딩재가 상기 접촉면에 접촉하도록 액상 홀딩재로 채워지는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
11. 제1항에 있어서,

    상기 컨테이너는, 상기 위치선정면을 형성하는 저면 개구부를 구비하고, 마킹되는 상기 표면은 상기 접촉면 상에 위치되고, 상기 컨테이너는 상기 접촉면 상에 상기 보석 또는 다이아몬드를 위치시켜 상기 컨테이너 내에 상기 보석 또는 다아아몬드를 위치시키고, 액상 홀딩재가 상기 컨테이너에 공급되는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
12. 제1항 내지 제5항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 보석 또는 공업용 다이아몬드는 흡입에 의해 상기 접촉면에 대해 홀딩되는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
13. 제1항 내지 제5항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 보석 또는 다이아몬드는 마킹되는 상기 표면에 대향하는 상기 보석 또는 다이아몬드의 측면을 수용하기 위한 홈을 가지는 부재 상에 위치되고, 상기 홈이 형성된 부재는 상기 컨테이너의 상부를 형성하는 상기 접촉면에 대해 상기 보석 또는 다이아몬드를 홀딩하기 위해 상승되는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
14. 제1항 내지 제4항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 컨테이너는,

    상기 측벽 또는 측벽들을 포함하는 환형 부재와,

    성형 동안 제공되고, 상기 보석 또는 다이아몬드가 상기 환형 부재에 의해 둘러싸이는 상기 홀딩재 내에 고정된 상태로 유지되도록 성형 이후에 제거되는 적어도 하나 이상의 분리 베이스 부재를 포함하는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
15. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 홀딩재는 주입성형에 의해 주입되는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
16. 제1항 내지 제5항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 컨테이너의 상기 측벽 또는 측벽들은 언더컷이 형성된

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
17. 제1항 내지 제5항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 홀딩재는 인듐인

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
18. 제1항 내지 제5항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 홀딩재는 폴리머인

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
19. 제1항 내지 제5항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 홀딩재는 유연한

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
20. 제19항에 있어서,

    상기 홀딩재는 탄성적 또는 엘라스토머인

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
21. 제19항에 있어서,

    상기 마크가 상기 보석 또는 다이아몬드의 상기 표면에 형성된 후, 상기 보석 또는 다이아몬드가 마킹되는 상기 표면에 수직 방향으로 밀려남에 의해 상기 홀딩재로부터 제거되는 상기 표면에 마크를 형성하는 단계가 더 포함되는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
22. 제1항 내지 제5항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 마킹되는 표면은 보석의 테이블인

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
23. 제1항 내지 제5항 또는 제11항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 마킹되는 표면에 대향하는 상기 보석 또는 다이아몬드의 일부는, 상기 보석 또는 다이아몬드를 가열 또는 냉각시키기 위해 상기 일부가 가열 또는 냉각되도록 홀딩재로 덮히지 않은

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
24. 제23항에 있어서,

    상기 일부는 홀딩재로 둘러싸는 것으로부터 돌출되는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
25. 표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법에 있어서, 최소한 마킹되는 상기 표면을 자유롭게 남겨두고, 마킹되는 상기 표면의 수직방향에서 볼 경우, 상기 보석 또는 다이아몬드가 상기 홀딩재에 의해 단단히 홀딩되도록 상기 보석 또는 다이아몬드의 전방 및 후방 모두에 상기 홀딩재가 위치하도록, 상기 보석 또는 다이아몬드 주위에 유연한 또는 탄성적인 홀딩재를 위치시키는 단계를 포함하고,

    상기 방법에 의해 위치선정면이 형성되고, 상기 마킹을 형성하기 위한 후공정 동안 소정 평면에서 전체적으로 마킹되도록 상기 표면에 상기 보석 또는 다이아몬드를 위치시키기 위해 상기 위치선정면이 직접적 또는 간접적으로 사용가능하고, 상기 위치선정면은 마킹되는 상기 표면과 동일평면상이거나 평행하여, 상기 위치선정면이 소정 평면에서 전체적으로 마킹되도록 상기 표면에 상기 보석 또는 다이아몬드를 위치시키기 위해 사용될 수 있는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
26. 삭제
27. 삭제
28. 제1항에 있어서,

    상기 마킹되는 표면에 표면 레지스트층을 적용하기 위한 스피닝을 포함하는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
29. 제28항에 있어서,

    상기 표면 레지스트층은 리쏘그래피 레지스트인

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
30. 제29항에 있어서,

    상기 리쏘그래피 레지스트는 적용 후에 베이킹 되는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
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40. 제1항 내지 제5항, 제11항, 제25항 중 어느 한 항에 의한 방법에 의해 설치되는 보석 또는 공업용 다이아몬드에 있어서, 상기 표면이 접촉면과 맞닿는 컨테이너 내에 상기 보석 또는 다이아몬드를 위치시키는 단계, 및 상기 컨테이너의 측벽 또는 측벽들 사이에 액상의 홀딩재를 채움으로 인해 상기 보석 또는 다이아몬드 주위에 홀딩재를 성형하는 단계를 포함하고, 마킹되는 상기 표면이 최소한 홀딩재로부터 자유롭게 남겨지도록 상기 표면과 접촉면이 맞닿고, 상기 위치선정면은 마킹되는 상기 표면과 동일면 상이거나 평행한 상기 컨테이너에 의해 형성되고, 상기 위치선정면은 소정면에서 전체적으로 마킹되도록 상기 표면에 상기 보석 또는 다이아몬드를 위치시키기 위해 사용될 수 있는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.
41. 표면(7a)에 마크를 형성하기 위해 보석 또는 다이아몬드(7)를 홀딩하는 홀더에 있어서, 상기 보석 또는 다이아몬드(7)는 상기 보석 또는 다이아몬드 주위의 홀딩재(3)에 의해 홀딩되고, 상기 홀딩재(3)는 마킹되는 상기 표면(7a)으로부터 자유롭게 남겨지며, 마킹되는 상기 표면(7a)의 수직방향에서 볼 경우, 상기 보석 또는 다이아몬드(7)의 전방 및 후방에 상기 홀딩재(3)가 있어 상기 홀딩재(3)가 상기 보석 또는 다이아몬드(7)의 전체 주연과 접촉하므로, 상기 보석 또는 다아이몬드(7)는 상기 홀딩재(3)에 의해 단단히 홀딩되고, 상기 홀더(1, 21, 31 또는 36)는 마킹되는 상기 표면(7a)을 포함하는 소정면과 동일면 상이거나 평행한 위치선정면(6)을 포함하고, 상기 위치선정면(6)은 상기 마킹의 형성을 위한 후공정 동안 상기 소정면에서 마킹되도록 상기 표면(7a)에 상기 보석 또는 다이아몬드(7)를 위치시키기 위해 사용될 수 있는

    표면에 마크를 형성하기 위해 보석 또는 다이아몬드를 홀딩하는 홀더.
42. 제41항에 있어서,

    상기 홀딩재는 견고한 링 내에 포함되며, 상기 링의 일단 또는 양단면은 상기 위치선정면을 형성하는

    표면에 마크를 형성하기 위해 보석 또는 다이아몬드를 홀딩하는 홀더.
43. 제41항 또는 제42항에 있어서,

    상기 홀딩재는 탄성적 또는 유연성 폴리머인

    표면에 마크를 형성하기 위해 보석 또는 다이아몬드를 홀딩하는 홀더.
44. 제41항 또는 제42항에 있어서,

    상기 홀딩재는 상기 보석 또는 다이아몬드 주위에 액상 형태로 주입되어 세팅되는

    표면에 마크를 형성하기 위해 보석 또는 다이아몬드를 홀딩하는 홀더.
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47. 삭제
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49. 제25항에 있어서,

    상기 홀딩재는 상기 보석 또는 다이아몬드 주위에 액상 형태로 주입되어 유연하거나 탄성적인 홀딩재를 형성하도록 세팅되는

    표면에 마크를 형성하기 위한 보석 또는 공업용 다이아몬드의 설치방법.

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