KR100974439B1 - 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트 - Google Patents

무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하이브리드 형태로 제작되는 세라믹-고분자 하이브리드 기판에 대응하기 위한 것으로, 특히 열처리 온도가 250~350℃ 정도의 훨씬 낮은 온도에서 경화시켜서 제조할 수 있고, 그 수축률이 상대적으로 적은 무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 비아 페이스트 및 이를 이용하여 제조된 무소결 세라믹 하이브리드 기판을 제공한다.
무소결, 비아홀, 세라믹 하이브리드 기판

Description

무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트{Via Paste For Non-Sintering Ceramic Hybrid Substrate}
본 발명은 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 무소결 세라믹 하이브리드 기판에 관한 것이다.
공진기나 콘덴서, 코일, 필터 등의 소자가 형성되는 모듈용의 기판으로서 혹은 반도체소자나 팁 콘덴서, 팁 저항기 등을 탑재하는 기판으로서 세라믹스나 유리-세라믹스 등의 무기 절연재료를 소결해 완성되는 회로 기판이 이용되고 있다. 통상, 회로 기판은 아래쪽 면에 배선 도체가 형성되고 있는 것과 동시에 상하면에 위치하는 배선 도체간이 기판의 비아 홀에 충전된 비아 도체를 개입시켜 전기적으로 접속된 구성이 되고 있다. 이러한 회로 기판은, 전자기기의 고밀도화에 수반해 배선 도체의 폭이 수십 ~ 수백 ㎛ 범위로 좁아지고 있는 것과 동시에, 비아 홀의 직경도 50~300㎛ 정도로 작아지고 있다.
이러한 회로 기판은, 다음 방법에 따라 제작된다. 예를 들면 회로 기판이 유리-세라믹스로부터 완성되는 경우, 우선, 산화규소, 산화알루미늄 등의 유리 분말 및 세라믹스 분말로부터 완성되는 원료 분말에 적당한 유기 바인더나 용제, 한층 더 필요에 따라서 가소제 등을 첨가 혼합해 슬러리를 만든다. 이 슬러리를 닥터 블레이드법 등을 이용해, 두께가 25~300 ㎛ 정도의 그린시트를 성형한다. 이 그린 시트를, 후술하는 소성시에 그린 시트의 각 치수가 수%~수십%정도 수축하는 것을 고려해, 완성품으로서의 회로 기판의 치수보다 큰 치수로 절단한다. 그린 시트의 소정의 위치에 레이저법이나 펀칭법을 이용해, 직경이 50~300㎛ 정도의 비아 홀을 천공한다. 이 비아 홀에 종래 주지의 스크린 인쇄법을 이용해, 동이나 은, 니켈 등의 금속 분말과 용제, 유기 바인더 등으로부터 완성되는 비아 도체 형성용 도전 페이스트를 충전하고, 이 비아 도체 형성용 도전 페이스트를 건조한다. 그린 시트의 표면 또는 아래쪽 면에, 전술의 비아 홀에 충전한 비아 도체 형성용 도전 페이스트와 접하도록 스크린 인쇄법을 이용해 동이나 은, 니켈 등의 금속 분말과 용제, 유기 바인더 등으로부터 완성되는 패턴 형성용 도전 페이스트를 배선 패턴으로 인쇄해, 그 후 이 패턴 형성용 도전 페이스트를 건조한다. 비아 도체 형성용 도전 페이스트를 충전함과 함께 패턴 형성용 도전 페이스트를 인쇄한 그린 시트를, 혹은 필요에 따라서 상하에 위치하는 비아 도체 형성용 도전 페이스트나 패턴 형성용 도전 페이스트가 접하도록 적층한 그린 시트의 적층체를, 700~1600℃정도의 온도로 수십분~수시간 고온에서 굽는 것으로, 단층의 회로 기판 혹은 복수의 그린 시트를 적층해 완성되는 회로 기판을 얻을 수 있다.
이러한 일련의 제조 과정에서, 세라믹 분말들은 고온으로 소결되는 중에 서로 주변으로부터의 억제 효과가 없을 경우 X, Y, Z 방향, 즉 모든 방향으로 수축이 일어나게 된다. 즉, 부피가 전체적으로 줄어드는 것이다.
이 중에서 다른 부품들을 실장하여야 하는 기판으로서의 특성상 X-Y 방향의 수축률은 편차를 최소화하는 것이 중요하다. 이를 위한 방법으로 LTCC의 무수축 소성 공정이 알려져 있다.
LTCC 무수축 공정은 프레스(Press)를 이용하는 PAS(Pressure Assisted Constrained Sintering), 알루미나 등의 희생층을 이용한 PLAS(PressureLess Assisted Constrained Sintering), 그리고 LTCC 층 자체가 수축을 하지 않는 SCS(Self Constrained Sintering)으로 나누어지며, PAS의 경우는 Batch Type으로서 양산성이 떨어지고 현재의 소결장비를 사용할 수 없으므로 PLAS 또는 SCS를 이용하는 추세이다.
LTCC의 무수축 소성 공정 중 PLAS의 경우, 알루미나 테이프가 LTCC의 Top과 Bottom에서 수축 억제층으로써 역할을 하는데, 비아홀 전극의 경우 수축을 억제해주는 층이 없고, 수축이 대부분 LTCC 보다 먼저 시작되므로, 기존의 일반적인 LTCC용 비아 페이스트를 사용하는 경우, 도 1과 같은 메카니즘으로 비아 주변에 많은 기공이 발생하는 경향이 있으며, 이는 전기 전도성에 악영향을 줄 수 있다.
LTCC 테이프 자체가 수축하지 않는 SCS의 경우 역시, 인위적으로 비아홀에 충진된 페이스트의 X-Y 방향 수축을 억제해 줄 수 있는 방법이 없으므로 기공의 발 생을 막기는 어렵다.
그렇다고, 수축을 억제하기 위해 기존의 구성에서 단순히 소결 온도만 낮추는 경우에는 자칫 불완전 소결되어 바인더 수지가 남을 뿐만 아니라 전도성 원료분말들의 접속이 좋지 않게 되어 비아 페이스트 소재의 전도성이 저항값이 급격히 증가하게 되는 문제가 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해, 소성개념의 세라믹 기판을 하이브리드 형태, 즉 소성보다는 경화에 의해 기판을 형성하는 방향으로 해결 수단을 삼고자 한다.
이는 열처리 온도를 경화 온도 정도로 맞추면 되므로, 최대 500℃ 이하로 낮추는 효과를 가짐과 동시에, 기판소재나 페이스트 소재에 존재하는 고분자 바인더 성분이 경화가 완료된 후 기판으로부터 제거되지 않고 남는 것을 당연시하며, 따라서, 고분자 바인더 성분의 특성이 회로 기판소재의 특성과 밀접한 관련을 가지게 되어 고분자 바인더 성분의 선택이 매우 중요시된다. 더불어, 고분자 바인더 성분의 존재로 인해 손해 보는 전도성을 상쇄시킬 수 있는 추가적인 수단이 요구되며 비아 페이스트 소재의 특성도 조정될 필요가 있다.
본 발명은 하이브리드 형태로 제작되는 세라믹-고분자 하이브리드 기판에 대응하기 위한 것으로, 특히 열처리 온도가 250~350℃ 정도의 훨씬 낮은 온도에서 경화시켜서 제조할 수 있고, 그 수축률이 상대적으로 적은 무소결 세라믹 하이브리드 기판의 층간 접속을 위한 비아 페이스트를 제공하는데 목적이 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 수단으로서,
본 발명은 미세 도전 분말 40~90 중량%와 상기 미세 도전 분말보다 0.3~10㎛ 범위내로 평균입경이 작은 초미세 도전 분말 10~60 중량%를 포함하여 이루어진 도전 분말, 열경화성 수지, 열경화제, 및 용제를 포함하여 이루어진 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 미세 도전 분말의 평균입경은 1~10㎛ 범위내로, 상기 초미세 도전 분말의 평균입경은 100~300㎚ 범위내로 선택되는 것을 특징으로 하는 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트.를 제공한다.
또한, 상기 열경화성 수지는 상온에서 액상인 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 열경화성 수지는 액상의 에폭시계 수지인 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 도전분말은 전체 조성물 대비 65~90 중량% 범위내로 포함되는 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트를 제공한다.
또한, 상기 도전분말은 99% 이상의 순도를 갖는 은(Ag) 분말인 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트를 제공한다.
본 발명은 또한, 비아홀(via hole)이 구비된 무소결 세라믹 하이브리드 기판으로서, 상기 비아홀이 상기 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트로 채워지고 열경화되어 제조된 것으로서, 비아홀의 전도도가 20×103 S/㎝이상인 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판을 제공한다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다. 하기의 설명은 본 발명의 구체적 일례이므로 비록 단정적, 한정적인 표현이 있더라도 특허청구범위로부터 정해지는 권리범위를 제한하는 것은 아니다.
본 발명의 일실시예에 따른 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트는 미세 도전 분말 40~90 중량%와 상기 미세 도전 분말보다 0.3~10㎛ 범위내로 평균입경이 작은 초미세 도전 분말 10~60 중량%를 포함하여 이루어진 도전 분말, 열경화성 수지, 열경화제, 및 용제를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 도전 분말은 제한되지 않으나 은 분말 또는 은으로 코팅된 구리 분말일 수 있다. 바람직하기로는 99% 이상의 순수한 은을 사용하는 것이 전도성을 현저히 증가시킬 수 있어 좋다. 후술할 실험예에 따르면, 은으로 코팅된 구리를 사용할 경우 순수한 은을 사용할 경우에 비해 통상적으로 예상되는 수치보다 현저하게 전 도성이 현저히 떨어지는 것을 알게 되었다. 이는 페이스트를 소결하지 않고 경화시킴으로써 잔존하는 고분자 바인더가 크게 영향을 주고 있는 것이라 예상된다.
도전 분말의 형상은 제한되지 않으며, 구형(spherical)이나 플레이크(flake)의 형태를 사용하는 것이 좋다.
또한, 도전 분말은 평균입경이 고른 1종을 사용하는 것에 비하여 크기를 달리하여 평균입경이 다른 초미세 도전분말과 미세 도전분말을 2종 혼합하여 사용하는 것이 전도성의 현저한 향상을 가져오는 것을 확인하였다. 이는 평균입경이 큰 미세 도전분말 사이에 초미세 도전분말이 채워짐으로 인해 도전 분말간의 조밀도가 증가하여 잔존하는 고분자 바인더의 영향을 최소화할 수 있기 때문이라 예상된다. 후술하는 실험예에서도 1종을 사용하는 것보다 2종을 혼합하여 사용할 때 현저한 전도성 향상을 가져왔다. 본 발명은 2종으로 한정하는 것은 아니며 3종 등 2종 이상을 사용할 수도 있다.
초미세 도전분말과 미세 도전분말의 평균입경 차이는 0.3~10㎛ 범위내인 것이 좋다. 상기 범위 미만의 경우 전도성 향상이 크지 않고 상기 범위를 초과할 경우 미세 도전분말의 크기가 커서 미세한 비아 홀에 적용하기에 무리가 있다. 상기 범위를 만족하면서, 보다 바람직하게는 상기 미세 도전 분말의 평균입경은 1~10㎛ 범위내이고, 상기 초미세 도전분말의 평균입경은 100~300㎚ 범위내의 것을 사용하는 것이 좋다. 상기 초미세 도전분말의 평균입경이 100㎚ 미만이 되면 상기 경화온도 범위에서 과도한 수축의 발생으로 층간접속이 오히려 나빠질 수 있으며, 초미 세 분말의 평균입경이 300㎚를 초과하게 되면 경화온도 범위에서 금속 입자간 넥킹(necking)이 나빠져 전도도가 악화된다.
미세 도전분말과 초미세 도전분말의 함량은 전체 도전분말 100 중량 대비 미세 도전분말은 40~90 중량%, 초미세 도전 분말은 10~60 중량%를 사용하는 것이 좋다. 상기 범위를 벗어날 경우 전도도가 현저하게 떨어지는 것을 확인하였다.
본 발명에 이용되는 도전 분말의 함유량은, 용제가 포함된 비아 페이스트 총 중량 대비 65~90 중량% 범위내가 좋다. 65 중량% 미만이면 전기 전도성이 낮아져 좋지 않고, 90 중량%를 넘으면 점성의 증가로 페이스트 제작이 어렵고 인쇄 작업성이 나빠진다.
상기 열경화성 수지로서는, 제한되지 않으나 내열성 및 접합성이 우수한 에폭시 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 상온에서 고상이거나 액상인 것을 이용할 수 있으나, 보편적인 예상을 넘어서는 결과를 도출하였다. 즉, 고상을 사용하는 것보다 액상의 열경화성 수지를 사용하는 것이 전도도의 급격한 향상을 가져오는 것을 알게되었다. 이는 액상을 사용하는 것이 건조 또는 경화시 수축을 최소화할 수 있기 때문인 것으로 생각된다.
에폭시 수지 중에서도 내열성이 좋은 페놀 노볼락류 에폭시 또는 크레졸 노볼락류 에폭시 중에서 선택되는 것이 바람직하다. 또한, 에폭시 수지를 경화시키기 위하여 사용되는 경화제 및 경화조제로서는 제한되지 않으나 페놀류 또는 산무 수물류 경화제를 사용할 수 있으며, 이미다졸류 경화조제를 함께 사용하는 것이 좋다.
용제는 제한되지 않으며 부티롤락톤, 터피네올 등을 사용할 수 있다. 한편, 도전분말과 열경화성 수지와의 적합성을 향상시키기 위해 도전분말을 커플링제로 처리하는 것이 좋으며, 실란계 또는 티타네이트계 커플링제가 이용될 수 있다. 또한 분산성 향상을 위하여 분산제를 사용해도 좋다. 이외에도 다양한 첨가제가 더 포함될 수 있다.
상기 조성물로 제작되는 도전성 페이스트의 제조 방법 일례는 다음과 같다. 도전분말은 배치에 들어가기 전에 실란계 또는 티타네이트계 커플링제로 사전 표면처리한다. 이후 평균입경이 작은 초미세 도전분말과 열경화성 수지, 열경화제, 열경화조제, 분산제 등을 고속 교반기를 이용하여 혼합하고 3롤 밀링하여 페이스트화한다. 이후 평균입경이 큰 미세 도전분말을 투입하고 2차 혼합한 후 다시 3롤 밀링하여 페이스트화한다. 이후 배치 중 균일성을 높이기 위하여 고속 교반기로 재차 혼합하여 페이스트를 제조할 수 있다.
다음, 무소결 세라믹 하이브리드 기판을 설명한다.
상기 무소결 세라믹 하이브리드 기판은 종래의 소성 세라믹 기판과 비교할 때 세라믹과 고분자를 혼용한 후 소결시키지 않는 점이 다르며, 그 외에는 구조적 구성을 모두 채용할 수 있다. 소성 세라믹 기판의 구조적 구성은 본 기술분야에서 잘 알려져 있으므로 설명을 생략한다.
무소결 세라믹 하이브리드 기판은, 적층 후 소성공정에 의해 유기물이 제거되고 세라믹만 남게 되는 세라믹 그린시트와 달리, 바인더 수지가 비교적 저온에서의 경화 또는 가교에 의해 고분자 매트릭스를 형성하고 그 내부에 세라믹 분말이 분산되어 있는 형태로 존재할 수 있다. 예를 들어, 알루미나, 실리카, 티탄산바륨, 또는 티탄산스트론튬 등의 세라믹 분말을 에폭시 수지와 같은 유기물과 함께 시트형태로 성형한 후 여러 장을 쌓아 진공가열가압적층기로 적층함으로써 형성되는 다층 세라믹 하이브리드 기판이 만들어질 수 있다.
또 다른 예로서, 세라믹 분말을 고밀도로 패킹한 후 고분자용액을 함침시키는 방법으로 공극을 채우고 건조 후 경화시키는 것을 반복하는 것으로 다층의 세라믹 하이브리드 기판을 만들 수도 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 무소결 세라믹 하이브리드 기판은 세라믹과 고분자를 혼용하여 기판을 제작한 후 비아홀을 형성하고 상하면에 존재하는 배선을 비아홀을 통해 전기적으로 연결하게 된다. 상기 비아홀은 전술한 비아 페이스트로 채워진 후 열경화시켜 제조한다. 경화조건은 제한되지 않으며 열경화성 수지의 종류에 따라서 150~350℃의 온도범위에서 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 비아 페이스트를 사용하여 무소결 세라믹 하이브리드 기판을 제조할 경우 비아홀의 전도도가 20×103 S/㎝이상으로서 고분자 바인더가 잔존하여도 우수한 전도도를 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트는 소결 공정에 비하여 현저히 낮은 온도에서 경화시킴으로써 수축이 최소화되며, 특별한 구성을 채용하여 고분자 바인더가 존재하여도 전도도가 우수한 무소결 세라믹 하이브리드 기판을 제조할 수 있게 한다.
[실시예]
하기의 표 2의 조성으로 비아 페이스트를 제조하였다. 도전분말(표 1 참고)을 실란계 또는 티타네이트계 커플링제로 사전 표면처리 한 후, 도전분말과 열경화성 수지, 열경화제, 열경화조제, 분산제 등을 고속 교반기를 이용하여 혼합하고 3롤 밀링하여 페이스트화하였다. 2종의 도전 분말의 경우 평균입경이 큰 미세분말은 1차 페이스트 이후에 투입하고 2차 혼합한 후 다시 3롤 밀링하여 페이스트화하였다. 이후 배치 중 균일성을 높이기 위하여 고속 교반기로 재차 혼합하여 페이스트를 제조하였다. 이후 무소결 세라믹 하이브리드 기판의 비아홀에 얻어진 페이스트를 채워넣은 후 열경화하여 전도도를 측정하였다. 그 결과를 표 2에 나타내었다.
- 은 분말 또는 은 코팅된 구리 분말 : 5종
(AgCuS7, AgCuF8, AgSP21, AgSP57, AgF38 ; (주)엔피씨 제공)
- 미세 은 분말 : NT-S150 (NTBase 사 제공), AgF37((주)엔피씨 제공)
- 에폭시 수지 : 고상 및 액상 페놀 노볼락 에폭시 (국도화학 제공)
- 경화제 : 고상 페놀 수지 (강남화성 제공), 액상 산무수물 (국도화학 제공)
- 경화조제 : 이미다졸, BDMA(benzyldimethylamine) (Sigma-Aldrich 시약)
- 첨가제 : 커플링제, 분산제
- 용제 : γ-butyrolactone, α-terpineol
- 경화조건 : 300℃, 1hr
- 전기전도도 측정 : Mitsubishi Chemical 사의 Loresta-GP 이용
<표1> 원료 분말 특성
Powder Particle Size Particle Type Ag Content
AgCuS7 7 ±2 ㎛ spherical 8%, Ag coated Cu
AgCuF8 7.9 ±1 ㎛ flake 8%, Ag coated Cu
AgSP21 1.6 ±0.3 ㎛ spherical 99.9%
AgSP57 3.6㎛(47%), 112㎚(53%) spherical 99.9%
AgF38 1.6 ±0.3 ㎛ flake 99.9%
AgF37 160~300 ㎚ flake 99.9%
NT-S150 150 ㎚ spherical 99.9%
<표2> 페이스트 조성물 및 전기전도도
조성 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
AgCuS7 36.8 50 - - - - - - - -
AgCuF8 - - 36.8 - - - - - - -
AgSP21 - - - 36.8 - - - - - -
AgSP57 - - - - 36.8 - 36.8 - 36.8 36.8
AgF38 - - - - - 36.8 - 36.8 - -
AgF37 - - - - - - - 3.7 - -
NT-S150 3.7 5 3.7 - 3.7 3.7 - - 3.7 3.7
고상 에폭시 용액
(60%용액)		 5 5 5 5 5 5 5 5 - -
액상에폭시1 - - - - - - - - 2.8
액상에폭시2 - - - - - - - - - 2.4
페놀노볼락 용액
(55%용액)		 2.73 2.73 2.73 2.73 2.73 2.73 2.73 2.73 - -
액상 산무수물 - - - - - - - - 1.7 2.1
이미다졸 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 0.03 - -
BDMA - - - - - - - - 0.03 0.03
커플링제(KBM-403) 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05
분산제(BYK-111) 0.37 0.37 0.37 0.37 0.37 0.37 0.37 0.37 0.37 0.37
γ-butyrolactone - 1 1 - 3.5 8 2 9.5 - -
α-terpineol - - - - - - - - 1.5 2
전도도(x103 S/cm) 2.5 3.4 0.97 0.1 21 39 35 36 90 101
비저항(x10-5 Ωcm) 40 30 100 920 5 2.6 3.0 2.8 1.1 0.99
표 2의 결과에서 볼 수 있듯이, 8% 은 코팅된 구리 분말을 사용한 경우 전도도가 좋지 않았으며 순수한 은 분말을 사용하는 것이 좋은 것을 확인할 수 있었다(조성 1~3). 또한, 미세 분말만을 사용한 조성 4의 경우 매우 낮은 전도도를 보인 것으로 확인되었다. 또한, 고상의 에폭시 수지를 사용하는 것보다 액상의 에폭시 수지를 사용하는 것이 전도도의 급격한 향상을 가져오는 것을 발견하였다(조성 9~10).
도 1은 종래의 소성 세라믹 기판에서 소성시 비아홀 주변의 기공 발생 메카니즘을 나타낸 도이다.

Claims (7)

  1. 미세 도전 분말 40~90 중량%와 상기 미세 도전 분말보다 0.3~10㎛ 범위내로 평균입경이 작은 초미세 도전 분말 10~60 중량%를 포함하여 이루어진 도전 분말;
    액상의 에폭시계 열경화성 수지;
    액상 산무수물 열경화제;
    BDMA 경화조제; 및
    용제를 포함하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 미세 도전 분말의 평균입경은 1~10㎛ 범위내로, 상기 초미세 도전 분말의 평균입경은 100~300㎚ 범위내로 선택되는 것을 특징으로 하는 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전분말은 전체 조성물 대비 65~90 중량% 범위내로 포함되는 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트.
  4. 제1항에 있어서, 상기 도전분말은 99% 이상의 순도를 갖는 은(Ag) 분말인 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트.
  5. 초미세 도전 분말을 실란계 또는 티타네이트계 커플링제로 표면 처리하는 단계;
    상기 표면 처리된 분말에 액상의 에폭시계 열경화성 수지, 액상 산무수물 열경화제, BDMA 경화조제 및 용제를 혼합하고 밀링하여 페이스트화하는 단계;
    상기 페이스트에 상기 초미세 도전 분말보다 평균입경이 큰 미세 도전분말을 혼합하여 밀링하는 단계; 및
    상기 밀링된 페이스트를 세라믹 하이브리드 기판의 비아홀에 채워넣은 후 열경화하는 단계를 포함하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 열경화는 150~300℃의 온도범위에서 수행되는 무소결 세라믹 하이브리드 기판 제조방법
  7. 비아홀(via hole)이 구비된 무소결 세라믹 하이브리드 기판으로서, 상기 비아 홀이 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 무소결 세라믹 하이브리드 기판용 비아 페이스트로 채워지고 열경화되어 제조된 것으로서, 비아홀의 전도도가 20×103 S/㎝이상인 것을 특징으로 하는 무소결 세라믹 하이브리드 기판.
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