KR100967283B1 - Method of chamfering plate-like substance and apparatus thereof - Google Patents

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KR100967283B1
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다까노부 미즈노
다쯔로오 고찌
히로시 다께나까
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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등에 사용되는 FPD용의 유리 기판의 단부면을 효율적으로 모따기 가공할 수 있는 판 형상체의 모따기 방법 및 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

액정 디스플레이용의 유리 기판(10)의 긴 변(10A, 10B)에 대향하여, 초벌 연마용 제1 모따기 지석(12), 초벌 연마용 제2 모따기 지석(14), 코너 에지용 모따기 지석(16), 제1 마무리 지석(18) 및 제2 마무리 지석(20)을 각각 소정의 위치에 배치한다. 유리 기판(10)은 모따기 테이블(22)에 흡착 고정되고, 제1 모따기 지석(12), 제2 모따기 지석(14), 코너 커트용 지석(16), 제1 마무리 지석(18) 및 제2 마무리 지석(20)이, 구동부에 의해 화살표로 나타내는 방향으로 일정 속도로 주행되고, 유리 기판(10)의 긴 변(10A, 10B)의 모따기, 마무리 가공 및 코너(C1, C2)의 커트 가공을 행한다.

Figure R1020070085215

유리 기판, 제1 모따기 지석, 제2 모따기 지석, 코너 에지용 모따기 지석, 테이블

An object of the present invention is to provide a method of chamfering a plate-like body and an apparatus capable of efficiently chamfering an end face of a glass substrate for an FPD used in a liquid crystal display, a plasma display, and the like.

Opposing the long sides 10A and 10B of the glass substrate 10 for the liquid crystal display, the first chamfering grindstone 12 for priming polishing, the second chamfering grindstone 14 for priming polishing, and the chamfering grindstone 16 for corner edges. ), The first finishing grindstone 18 and the second finishing grindstone 20 are disposed at predetermined positions, respectively. The glass substrate 10 is sucked and fixed to the chamfering table 22, the 1st chamfering grindstone 12, the 2nd chamfering grindstone 14, the corner cutting grindstone 16, the 1st finishing grindstone 18, and the 2nd The finishing grindstone 20 is driven at a constant speed in the direction indicated by the arrow by the drive unit, and the chamfering, finishing, and cutting of the corners C1 and C2 of the long sides 10A and 10B of the glass substrate 10 are performed. Do it.

Figure R1020070085215

Glass Substrate, First Chamfer Grinding, Second Chamfer Grinding, Chamfer Grinding for Corner Edge, Table

Description

판 형상체의 모따기 방법 및 그 장치 {METHOD OF CHAMFERING PLATE-LIKE SUBSTANCE AND APPARATUS THEREOF}Chamfering method and apparatus thereof for plate-shaped body {METHOD OF CHAMFERING PLATE-LIKE SUBSTANCE AND APPARATUS THEREOF}

본 발명은 판 형상체의 모따기 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 특히 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등에 사용되는 FPD(Flat Panel Display)용의 유리 기판의 단부면을, 모따기 지석에 의해 모따기하는 판 형상체의 모따기 방법 및 그 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for chamfering a plate-shaped object, and more particularly to a plate-shaped object for chamfering an end face of a glass substrate for a flat panel display (FPD) used in a liquid crystal display, a plasma display, or the like by a chamfering grindstone. A chamfering method and apparatus therefor.

액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등에 사용되는 FPD용의 유리 기판은, 용융 유리를 판 형상으로 성형하고, 그 후, 절단/꺾음/모따기 공정에 있어서, 소정 직사각형 사이즈의 유리 기판으로 잘려 꺾어진 후, 모따기 장치의 모따기 지석에 의해, 그 모서리면이 모따기 가공된다.The glass substrate for FPD used for a liquid crystal display, a plasma display, etc. shape | molds a molten glass in plate shape, and is cut by the glass substrate of a predetermined rectangular size in a cutting | cutting / bending / chamfering process after that, By the chamfering grindstone, the edge surface is chamfered.

그러나, 유리 기판의 모따기 장치는, 한 변에 대해 1대의 모따기 지석으로 구성되어 있는 것이 일반적이고, 이 구성에서는 가공 효율의 향상에는 한계가 있다.However, the chamfering apparatus of a glass substrate is generally comprised by one chamfering grindstone about one side, and there exists a limit to the improvement of a processing efficiency by this structure.

한편, 특허 문헌 1에는, 유리 기판의 한 변에 대해 연삭 지석과 연마 지석을 배치하고, 연삭에 이어 연마를 행하는 모따기 장치가 개시되어 있다.On the other hand, Patent Document 1 discloses a chamfering device in which a grinding grindstone and a polishing grindstone are disposed on one side of a glass substrate, followed by grinding.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-9689호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-9689

그러나, 특허 문헌 1의 모따기 장치는, 유리 기판의 한 변에 대해 2대의 모따기 지석을 배치하고 있지만, 이들의 모따기 지석은 다른 가공(연삭, 연마)을 행하는 것이므로, 2대의 모따기 지석 모두, 유리 기판의 한 변 길이분을 각각 이동해야만 하고, 구성적으로는 한 변에 대해 1대의 모따기 지석으로 구성된 모따기 장치와 마찬가지로, 가공 효율의 향상에는 한계가 있다.However, although the chamfering device of patent document 1 arrange | positions two chamfering grindstones with respect to one side of a glass substrate, since these chamfering grindstones perform another process (grinding and grinding), both chamfering grindstones are glass substrates. The length of one side of each must be moved, and there is a limit to the improvement of the processing efficiency, similarly to the chamfering device composed of one chamfering grindstone per side.

또한, 유리 기판의 한 변에 대해 모따기 지석을 2대 이용하여, 유리 기판의 모따기 범위를 분할하면, 연마 장치가 갖는 기계 정밀도의 오차나 모따기 지석의 마모량의 차이로부터, 양방의 모따기 지석에 의해 겹쳐서 모따기되는 겹침 부분에 단차가 생겨 필요한 모따기 품질을 얻을 수 없는 것이 예측된다.In addition, by dividing the chamfering range of a glass substrate using two chamfering grindstones with respect to one side of a glass substrate, it overlaps with both chamfering grindstones from the error of the mechanical precision which a polishing apparatus has, and the difference of the wear amount of a chamfering grindstone. It is predicted that there is a step in the overlapped portion to be chamfered, so that the required chamfer quality cannot be obtained.

그러나, 최근의 액정 디스플레이용의 유리 기판은 사이즈가 대형화되어 오고 있고, 절단/꺾음 모따기 공정에 있어서, 모따기 프로세스가 율속으로 되어 있어, 가공 효율의 향상이 요구되고 있다.However, the size of glass substrates for liquid crystal displays in recent years has been enlarged, and the chamfering process has become a rate in the cutting / bending chamfering process, and the improvement of processing efficiency is calculated | required.

본 발명은, 이러한 사정에 비추어 이루어진 것으로, 판 형상체를 효율적으로 종래와 동등한 가공 품질로, 모따기 가공할 수 있는 판 형상체의 모따기 방법 및 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a situation, and an object of this invention is to provide the chamfering method and apparatus which can chamfer a plate-shaped object efficiently with the process quality equivalent to the conventional one.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 직사각 형상의 판 형상체를 소정의 위치로 고정하고, 상기 판 형상체의 단부면을 모따기하는 방법이며, 판 형상체의 한 변에 대해 적어도 제1 모따기 지석과 제2 모따기 지석의 2대의 모따기 지석을 구비하고, 상기 제1 및 제2 모따기 지석을 판 형상체의 한 변의 단부면에 접촉시킨 상태에서 한 변을 따라 이동시키고, 한 변의 단부면을 모따기하는 판 형상체의 모따기 방법에 있어서, 상기 제1 모따기 지석이 상기 판 형상체의 한 변의 도중으로부터 모따기를 개시하고, 상기 제2 모따기 지석이 상기 한 변의 한쪽의 단부로부터 제1 모따기 지석과 대략 동일한 모따기 영역에서 모따기를 개시하고, 제2 모따기 지석이, 제1 모따기 지석의 모따기 개시점 후방 위치로부터 개시점 전방 위치에 있어서, 상기 단부면으로부터 판 형상체 중앙측을 향해 중앙부가 최정상부로 되고 양단부를 향해 경사지는 형상으로 되는 궤적으로 이동되는 것에 의해, 상기 제2 모따기 지석이 상기 최정상부로 되는 단부면을, 제1 모따기 지석의 모따기 개시점의 모따기된 단부면보다도 깊게 모따기하는 것을 특징으로 하는 모따기 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a method of fixing a rectangular plate-shaped body to a predetermined position, and chamfering the end face of the plate-shaped body, and at least a first chamfering stone for one side of the plate-shaped body. And two chamfered grindstones of the second and chamfered grindstones, the first and second chamfered grindstones are moved along one side in contact with the end faces of one side of the plate-like body, and the end faces of one side are chamfered. In the chamfering method of a plate-shaped object, the said 1st chamfering grindstone starts a chamfer from the middle of one side of the said plate-shaped body, and the said 2nd chamfering grindstone is the same chamfer as the 1st chamfering grindstone from one end of the said one side. The chamfering is started in the area, and the second chamfering grindstone is located from the end face at a starting point forward position from the rearward chamfering starting point position of the first chamfering grindstone. The end face of the second chamfered grindstone becomes the topmost portion is moved from the trajectory of the chamfered start point of the first chamfered grindstone by being moved to a plate shape in which the central portion becomes the topmost portion and is inclined toward both ends toward the plate body center side. The chamfering method characterized by chamfering deeper than the chamfered end surface is provided.

본 발명에 따르면, 판 형상체의 한 변에 2대의 모따기 지석을 배치하고, 한 변을 2대의 모따기 지석으로 분담하여 모따기를 행하므로, 판 형상체를 효율적으로 모따기 가공할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 2대의 모따기 지석에 의해 겹쳐서 모따기되는 겹침 부분에 있어서, 선행하는 제1 모따기 지석에 의한 통상의 모따기 영역보다도, 후속하는 제2 모따기 지석의 모따기 영역을 넓게 설정했으므로, 상기 겹침 부분의 단차를 완화시킬 수 있다. 이것에 의해, 판 형상체의 외관을 손상하는 일도 없어, 필요한 모따기 품질을 얻을 수 있다.According to this invention, since two chamfering grindstones are arrange | positioned on one side of a plate-shaped object, and one side is shared by two chamfering grindstones, chamfering is performed, and a plate-shaped object can be chamfered efficiently. Moreover, according to this invention, since the chamfering area of the following 2nd chamfering grindstone was set wider than the normal chamfering area | region by the preceding 1st chamfering grindstone in the overlapping part overlapped and chamfered by two chamfering grindstones, The step difference of the overlapping part can be alleviated. Thereby, the external appearance of a plate-shaped object is not impaired and a required chamfering quality can be obtained.

또한, 본 발명은, 판 두께 0.4 내지 2.8 ㎜ 액정 디스플레이 및 플라즈마 디 스플레이용 유리 기판에도 유효하고, 특히 2000× 1800 ㎜ 이상인 대형 사이즈의 유리 기판에 있어서 특히 유효하다.In addition, the present invention is also effective for glass substrates for liquid crystal displays and plasma displays with a plate thickness of 0.4 to 2.8 mm, and is particularly effective for glass substrates having a large size of 2000 × 1800 mm or more.

본 발명에 있어서, 상기 제1 모따기 지석이 상기 판 형상체의 한 변에 있어서, 판 형상체의 한 변의 대략 중앙부로부터 한 변의 다른 쪽의 단부까지 모따기를 행하고, 상기 제2 모따기 지석이 상기 한 변의 한쪽의 단부로부터 상기 한 변의 대략 중앙부까지 모따기를 행하는 것이 바람직하다.In the present invention, the first chamfering grindstone is chamfered from one side of the plate-shaped body to approximately an end of the other side from an approximately central portion of one side of the plate-shaped body, and the second chamfering grindstone is the one side of the plate-shaped body. It is preferable to chamfer from one edge part to the substantially center part of said one side.

제1 모따기 지석이, 판 형상체의 한 변의 대략 중앙부로부터 변의 다른 쪽의 단부까지 모따기를 행하고, 제2 모따기 지석은, 한 변의 한쪽의 단부로부터 한 변의 대략 중앙부에서 모따기를 행하는 경우, 제1 모따기 지석 및 제2 모따기 지석에 의해 판 형상체의 코너 에지를 모따기 가공할 수 있다.When a 1st chamfering grindstone performs a chamfer from the substantially central part of one side of a plate-shaped body to the other edge part of a side, and a 2nd chamfering grindstone performs a chamfering from the one end of one side of the substantially central part of one side, a 1st chamfer The edge edge of a plate-shaped object can be chamfered by a grindstone and a 2nd chamfering grindstone.

본 발명에 있어서, 상기 제1 모따기 지석에 의한 상기 판 형상체의 한 변의 대략 중앙부로부터의 모따기 개시와, 상기 제2 모따기 지석에 의한 상기 한 변의 한쪽의 단부로부터의 모따기 개시를 대략 동시에 개시하는 것이 바람직하다. 제 모따기 지석을 한 변의 중앙부로부터 모따기를 제2 모따기 지석과 대략 동시에 개시시키고, 제2 모따기 지석을 한 변의 한쪽의 단부로부터 한 변의 중앙부를 통과한 시점에서 가공을 정지시키는 경우, 가공 시간을 대략 절반으로 단축할 수 있다.In the present invention, the start of the chamfering from approximately the center of one side of the plate-shaped body by the first chamfering grindstone and the start of the chamfering from one end of the one side of the side by the second chamfering grindstone are simultaneously started. desirable. When the chamfering grindstone is started at the same time as the second chamfering grindstone from the central portion of one side, and the machining is stopped at the time when the second chamfering grindstone passes through the central portion of one side from one end of one side, the processing time is approximately half Can be shortened.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 직사각 형상의 판 형상체를 소정의 위치에 고정하고, 상기 판 형상체의 단부면을 모따기하는 방법이며, 판 형상체의 한 변에 대해 적어도 제1 모따기 지석, 제2 모따기 지석 및 제3 모따기 지석의 3대의 모따기 지석을 구비하고, 상기 제1, 제2 및 제3 모따기 지석을 판 형상체의 한 변의 단부면에 접촉시킨 상태에서 한 변을 따라 이동시키고, 한 변의 단부면을 모따기하는 판 형상체의 모따기 방법에 있어서, 상기 제1 모따기 지석 및 상기 제2 모따기 지석이 각각 상기 판 형상체의 한 변의 도중으로부터 모따기를 개시하고, 상기 제3 모따기 지석이 상기 한 변의 한쪽의 단부로부터 제1 모따기 지석 및 제2 모따기 지석과 대략 동일한 모따기 영역에서 모따기를 개시하고, 2의 모따기 지석이, 제1 모따기 지석의 모따기 개시점 후방 위치로부터 개시점 전방 위치에 있어서, 상기 단부면으로부터 판 형상체 중앙측을 향해 중앙부가 최정상부로 되고 양단부를 향해 경사지는 형상으로 되는 궤적으로 이동되는 것에 의해, 상기 최정상부로 되는 단부면을, 제1 모따기 지석의 모따기 개시점의 모따기된 단부면보다도 깊게 모따기하고, 제3 모따기 지석이, 제2 모따기 지석의 모따기 개시점 후방 위치로부터 개시점 전방 위치에 있어서, 상기 단부면으로부터 판 형상체 중앙측을 향해 중앙부가 최정상부로 되고 양단부를 향해 경사지는 형상으로 되는 궤적으로 이동되는 것에 의해, 상기 최정상부로 되는 단부면을, 제2 모따기 지석의 모따기 개시점의 모따기된 단부면보다도 깊게 모따기하는 것을 특징으로 하는 모따기 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a method of fixing a rectangular plate-shaped body at a predetermined position and chamfering an end surface of the plate-shaped body, and at least a first chamfering stone for one side of the plate-shaped body. And three chamfered grindstones of the second chamfered grindstone and the third chamfered grindstone, the first, second and third chamfered grindstones are moved along one side in contact with the end face of one side of the plate-shaped body. In the chamfering method of a plate-shaped object which chamfers the end surface of one side, The said 1st chamfering grindstone and the said 2nd chamfering grindstone respectively start a chamfer from the middle of one side of the said plate-shaped body, The said 3rd chamfering grindstone A chamfer is started in the chamfer area | region substantially similar to a 1st chamfer grindstone grindstone and a 2nd chamfer grindstone grindstone from the one end of the said one side, and the 2 chamfer grindstone grindstone of the 1st chamfer grindstone grindstone. From the starting point rearward position to the starting point front position, the end face serving as the topmost part is moved from the end face toward the plate-shaped body center side by moving in a locus in which the center part becomes the top part and is inclined toward both ends. Chamfer deeper than the chamfered end surface of the chamfering start point of a 1st chamfering grindstone, and the 3rd chamfering grindstone is a plate-shaped center center from the said end face in the position before a chamfering start point rearward position of a 2nd chamfering grindstone. The end face which becomes the top part becomes chamfered more deeply than the chamfered end surface of the chamfering start point of a 2nd chamfer grindstone by moving to the trajectory which becomes a shape in which a center part becomes a top part and inclines toward both ends toward the side. A chamfering method is provided.

본 발명에 따르면, 판 형상체의 한 변에 3대의 모따기 지석을 배치하고, 한 변을 3대의 모따기 지석으로 분담하여 모따기를 행하므로, 판 형상체를 효율적으로 모따기 가공할 수 있다. 또한, 본 발명은, 2대의 모따기 지석에 의해 겹쳐서 모따기되는 겹침 부분에 있어서, 선행하는 1대의 모따기 지석에 의한 통상의 모따기 영역보다도, 후속하는 1대의 모따기 지석의 모따기 영역을 넓게 설정했으므로, 상기 겹침 부분의 단차를 완화시킬 수 있다. 이것에 의해, 판 형상체의 판 균열을 방지할 수 있다.According to the present invention, since three chamfering grindstones are arranged on one side of the plate-shaped body, and one side is shared by three chamfering grindstones, the chamfering is performed, so that the plate-shaped body can be efficiently chamfered. In addition, in the overlapping part which is chamfered superimposed by two chamfering grindstones, this invention set the chamfering area of one subsequent chamfering grindstone rather than the normal chamfering area by one preceding chamfering grindstone, so the said overlapping The step difference can be alleviated. Thereby, the plate crack of a plate-shaped object can be prevented.

본 발명에 있어서, 상기 제1 모따기 지석이 상기 판 형상체의 한 변의 대략 삼분의 일의 부분으로부터 모따기를 개시하고, 상기 제2 모따기 지석이 상기 한 변의 대략 삼분의 이의 부분으로부터 모따기를 개시하고, 상기 제3 모따기 지석이 상기 한 변의 한쪽의 단부로부터 제1 모따기 지석 및 제2 모따기 지석과 대략 동시에 모따기를 개시하는 것이 바람직하다. 이와 같이 모따기 범위를 한 변에 있어서 3분할하고, 대략 동시에 모따기를 개시시키는 것에 의해, 모따기를 효율적으로 실시할 수 있다.In the present invention, the first chamfering grindstone starts chamfering from about one third of one side of the plate-shaped body, and the second chamfering grindstone starts chamfering from about two thirds of one side of the side, It is preferable that the said 3rd chamfering grindstone starts a chamfering substantially simultaneously with a 1st chamfering grindstone and a 2nd chamfering grindstone from one edge part of the said one side. The chamfer can be efficiently performed by dividing the chamfering range in three on one side and starting the chamfer at about the same time.

본 발명에 있어서, 상기 모따기 지석의 이동 방향 상류측에 마무리 지석을 배치하고, 상기 마무리 지석은 상기 모따기 지석의 이동에 연동하여 모따기 지석과 동일한 방향으로 이동하는 것에 의해, 모따기 지석의 모따기부를 마무리 가공하는 것이 바람직하다.In the present invention, the finishing grindstone is disposed upstream of the moving direction of the chamfering grindstone, and the finishing grindstone is finished by chamfering the chamfered grindstone by moving in the same direction as the chamfering grindstone in conjunction with the movement of the chamfering grindstone. It is desirable to.

각각의 모따기 지석의 이동에 연동하여 마무리 지석을 동일한 방향으로 이동시키고, 모따기 지석에 의해 가공된 모따기부를, 마무리 지석에 의해 즉시 마무리 가공하는 경우, 판 형상체의 모따기부의 마무리 가공을 효율적으로 행할 수 있다.In the case where the finishing grindstone is moved in the same direction in conjunction with the movement of each chamfering grindstone, and the chamfered portion processed by the chamfering grindstone is immediately finished by the finishing grindstone, the finishing processing of the chamfered portion of the plate-shaped body can be performed efficiently. Can be.

본 발명에 있어서, 상기 판 형상체의 대향하는 두 변을 동시에 모따기하는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable to simultaneously chamfer two opposite sides of the plate-like body.

한 변에 대향하는 변의 모따기를 동시에 행하는 경우, 한 변에 대향하는 변의 모따기를 동시에 행한 후, 판 형상체를 90도 회전시키는 것에 의해, 나머지 두 변의 모따기도 동시에 행하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 동일한 장소에서 두 변의 모따기를 동시에 실시할 수 있기 때문에, 생산 라인 길이를 짧게 할 수 있어, 설비도 저렴하게 된다. 또한, 판 형상체의 네 변을 동시에 모따기할 수도 있지만, 좁은 공간에 다수의 헤드를 배치해야만 하기 때문에, 설비 구성상 곤란하다.When simultaneously chamfering the sides opposite to one side, it is preferable to simultaneously perform the chamfering of the sides opposite to one side, and then rotate the plate-like body by 90 degrees to simultaneously perform the chamfering of the other two sides. This makes it possible to simultaneously carry out the chamfering of two sides at the same place, so that the length of the production line can be shortened and the equipment is also inexpensive. In addition, although four sides of a plate-shaped object can be chamfered simultaneously, since many heads must be arrange | positioned in a narrow space, it is difficult in installation structure.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해, 상기 기재된 판 형상체의 모따기 방법에 의해, 상기 판 형상체의 단부면을 모따기하는 장치이며, 판 형상체를 고정하는 모따기 테이블과, 판 형상체의 한 변에 대해 적어도 2대의 모따기 지석을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 판 형상체의 모따기 장치를 제공한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This invention is an apparatus which chamfers the end surface of the said plate-shaped object by the chamfering method of the above-mentioned plate-shaped object, in order to achieve the said objective, The chamfering table which fixes a plate-shaped object, and one side of a plate-shaped object. It is provided with a chamfering device of the plate-shaped body characterized in that it is provided with at least two chamfering grindstone.

본 발명에 관한 판 형상체의 모따기 방법 및 그 장치에 따르면, 판 형상체의 한 변에 2대 이상의 모따기 지석을 배치하고, 한 변을 2대 이상의 모따기 지석으로 분담하여 모따기를 행하므로, 판 형상체를 효율적으로 모따기 가공할 수 있다. 또한, 본 발명은, 인접하는 2대의 모따기 지석에 의해 겹쳐서 모따기되는 겹침 부분에 있어서, 선행하는 1대의 모따기 지석에 의한 통상의 모따기 영역보다도, 후속하는 1대의 모따기 지석의 모따기 영역을 넓게 설정했으므로, 상기 겹침 부분의 단차를 완화시킬 수 있다. 이것에 의해, 외관을 손상하는 일도 없고, 또한 필요한 모따기 품질을 얻을 수 있다.According to the chamfering method and apparatus of the plate-shaped body according to the present invention, two or more chamfered grindstones are arranged on one side of the plate-shaped body, and one side is divided into two or more chamfered grindstones, thereby performing chamfering. The upper body can be chamfered efficiently. In addition, in the overlapping part which is chamfered by two adjacent chamfering grindstones, this invention set the chamfering area of one subsequent chamfering grindstone rather than the normal chamfering area by one preceding chamfering grindstone, The step difference of the overlapped portion can be alleviated. As a result, the appearance of the chamfer can be obtained without damaging the appearance.

이하 첨부 도면에 따라서, 본 발명에 관한 판 형상체의 모따기 방법 및 그 장치의 바람직한 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, according to an accompanying drawing, preferable embodiment of the chamfering method of the plate-shaped object concerning this invention, and its apparatus is demonstrated in detail.

도1의 (A)에는, 2000 ×1800 ㎜인 액정 디스플레이용의 유리 기판(10)의 긴 변(10A, 10B)에 대향하여, 코너 커트용 모따기 지석(16), 초벌 연마용 제1 모따기 지석(12) 및 제1 마무리 지석(18), 초벌 연마용 제2 모따기 지석(14) 및 제2 마무리 지석(20)을, 각각 유리 기판의 모따기되는 변에 대략 평행하고, 지석의 진행 방향(이하 X 방향이라고도 함)의 전방으로부터 전술한 순서로 소정의 위치에 배치한 평면도가 도시되어 있다. 또한, 도1에는, 액정 디스플레이용의 유리 기판(10)을 도시했지만, 플라즈마 디스플레이용의 유리 기판에도 적용할 수 있다. 또한, 코너 커트용 지석(16)은, X 방향의 가장 후방에 배치해도 좋지만, 전방에 배치한 쪽이 택트 향상의 관점에서 바람직하다.In Fig. 1A, the chamfered grindstone 16 for corner cut and the first chamfered grindstone for rough polishing are opposed to the long sides 10A and 10B of the glass substrate 10 for a liquid crystal display of 2000 x 1800 mm. (12) and the 1st finishing grindstone 18, the 2nd chamfering grindstone 14 for priming polishing, and the 2nd finishing grindstone 20 are respectively substantially parallel to the chamfered side of a glass substrate, and the advancing direction of a grindstone (following) A plan view of a predetermined position is shown in the above-described order from the front of the X direction). In addition, although the glass substrate 10 for liquid crystal displays is shown in FIG. 1, it is applicable also to the glass substrate for plasma displays. In addition, although the corner cut grindstone 16 may be arrange | positioned in the back of the X direction, it is preferable to arrange | position it in front from a viewpoint of tact improvement.

유리 기판(10)은, 도면 중 파선으로 나타내는 모따기 테이블(22)에 흡착 고정되고, 코너 커트용 지석(16), 제1 모따기 지석(12) 및 제1 마무리 지석(18), 제2 모따기 지석(14) 및 제2 마무리 지석(20)이 도시하지 않은 회전용 구동부에 의해 소정 회전수로 회전하면서, 도시되지 않은 이동용 구동부에 의해 화살표로 나타내는 방향으로 일정 속도로 주행되고, 코너(C1, C2)의 코너 커트 가공, 유리 기판(10)의 긴 변(10A, 10B)의 모따기 및 마무리 가공을 행한다.The glass substrate 10 is adsorbed and fixed to the chamfering table 22 shown by the broken line in the figure, and the corner cut grindstone 16, the first chamfered grindstone 12, the first finishing grindstone 18, and the second chamfered grindstone 14 and the second finishing grindstone 20 are driven at a predetermined speed in the direction indicated by the arrow by the moving drive unit, not shown, while rotating by the rotational drive unit (not shown), and the corners C1 and C2. Corner cut processing, chamfering and finishing processing of the long sides 10A and 10B of the glass substrate 10.

바람직하게는, 제1 모따기 지석(12)은, 긴 변(10A, 10B)의 대략 중앙부로부터 모따기를 개시하는 동시에 긴 변(10A, 10B)을 통과한 시점에서 모따기 가공을 정지한다. 또한, 제2 모따기 지석(14)은, 제1 모따기 지석(12)의 개시점을 약간 통과한 시점에서 모따기 가공을 정지한다. 제1, 제2 마무리 지석(18, 20)에 대해서도 제1, 제2 모따기 지석과 각각 같은 동작을 한다. 또한, 마무리 지석은 필요 에 따라서 사용하면 좋다. 예를 들어, 선행하는 지석의 입도를 거칠게 하고, 마무리 지석의 입도를 최종 모따기 상태에 맞추어, 가공 속도를 올리는 것에 의해 더 효율화를 도모하거나, 모따기면을 버프 마무리나 경면 마무리로 할 수 있다. 제1, 제2 마무리 지석(18, 20)의 연마 부재로서는, 예를 들어 다이아몬드 지석, 부직포, SiC사제, 또는 수지 본드제 등의 버프 마무리의 것을 적용할 수 있다.Preferably, the 1st chamfering grindstone 12 starts a chamfer from the substantially center part of long side 10A, 10B, and stops a chamfering process at the time which passed the long side 10A, 10B. In addition, the 2nd chamfering grindstone 14 stops a chamfering process at the time which passed the starting point of the 1st chamfering grindstone 12 slightly. The same operation | movement as the 1st, 2nd chamfering grindstone is performed also about the 1st, 2nd finishing grindstones 18 and 20, respectively. In addition, a finishing grindstone may be used as needed. For example, the particle size of the preceding grindstone is roughened, the grain size of the finished grindstone is adjusted to the final chamfered state, and the processing speed is increased, or the chamfered surface can be buffed or mirror-finished. As the grinding | polishing member of the 1st, 2nd finishing grindstones 18 and 20, the thing of buff finishing, such as a diamond grindstone, a nonwoven fabric, a SiC company, or a resin bonding agent, is applicable, for example.

코너 커트는, 택트 향상의 관점으로부터 코너 커트용 지석(16)을 설치한 예에서 설명했지만, 모따기 지석(12) 또는 모따기 지석(14)을 X 방향 및 X 방향과 대략 직각이며 유리 기판의 모따기되는 방향(이하, Y 방향이라 함)으로 비스듬하게 이동시켜 코너 커트해도 좋다.Although corner cut was demonstrated in the example which provided the corner cut grindstone 16 from a viewpoint of tact improvement, the chamfer grindstone 12 or the chamfer grindstone 14 are substantially perpendicular to an X direction and an X direction, and are chamfered. The corner may be cut by moving obliquely in the direction (hereinafter referred to as the Y direction).

도1의 (A)와 같이, 긴 변(10A, 10B)의 모따기 및 코너(C1, C2)의 커트 가공을 동시에 행하고, 이 후, 도1의 (B)와 같이, 유리 기판(10)을 90도 회전시키는 것에 의해, 짧은 변(10C, 10D)의 모따기, 마무리 가공 및 나머지 코너(C3, C4)의 커트 가공을 동시에 행할 수 있다. 또한, 동일 장소에서 네 변의 모따기를 동시에 실시하면, 유리 기판(10)의 생산 라인 길이를 짧게 할 수 있어 설비도 저렴하게 되지만, 유리 기판(10)의 네 변을 동시에 모따기하는 것은, 좁은 공간에 다수의 모따기용 헤드를 배치해야만 하기 때문에 설비 구성상 곤란하다. 또한, 모따기는 유리 기판(10)의 한 변마다 행해도 좋지만, 전술한 바와 같이 두 변 동시에 모따기를 행하는 것이 택트 향상의 관점으로부터 바람직하다.As shown in Fig. 1A, the chamfers of the long sides 10A and 10B and the cut processing of the corners C1 and C2 are simultaneously performed. Then, as shown in Fig. 1B, the glass substrate 10 is removed. By rotating 90 degrees, chamfering of the short sides 10C and 10D, finishing, and cutting of the remaining corners C3 and C4 can be performed simultaneously. In addition, if four sides are simultaneously chamfered in the same place, the production line length of the glass substrate 10 can be shortened, and the equipment becomes inexpensive, but chamfering the four sides of the glass substrate 10 at the same time can be carried out in a narrow space. Since many chamfering heads must be arrange | positioned, it is difficult in an installation structure. In addition, although chamfering may be performed for every side of the glass substrate 10, it is preferable to perform chamfering simultaneously at both sides as mentioned above from a viewpoint of tact improvement.

〔실시예〕[Examples]

모따기는, 제1 모따기 지석(12) 및 마무리 지석(18)을 유리 기판(10)의 변의 길이의 대략 중심으로부터, 제2 모따기 지석(14) 및 마무리 지석(20)을 유리 기판(10)의 변의 단부로부터, 대략 동시에 퇴피 위치로부터 X 방향으로 이동시키는 동시에, 유리 기판(10)의 변으로부터 모따기 영역 위치까지 Y 방향으로 이동시켜 개시했다. 또한, 이때의 제1 모따기 지석(12)의 속도는 105 ㎜/초, X 방향의 이동 거리는 90 ㎜로 했다.The chamfering is performed by the first chamfering grindstone 12 and the finishing grindstone 18 from the substantially center of the length of the sides of the glass substrate 10, and the second chamfering grindstone 14 and the finishing grindstone 20 of the glass substrate 10. From the edge part of the side, it moved to the X direction from the retracted position at about the same time, and it started to move to the Y direction from the side of the glass substrate 10 to the chamfering area position. In addition, the speed of the 1st chamfering grindstone 12 at this time was 105 mm / sec, and the moving distance of the X direction was 90 mm.

제1 모따기 지석(12), 제2 모따기 지석(14), 제1 마무리 지석(18) 및 제2 마무리 지석(20)의 X 방향의 속도는 90 ㎜/초 내지 150 ㎜/초의 범위가 바람직하다. X 방향의 속도가, 90 ㎜/초보다도 느리면 생산성이 나쁘고, 150 ㎜/초보다도 빠르면 유리 기판(10)의 모따기부에 결함부나 눌음이 생겨 모따기 품질 불량으로 되거나, 또한 유리 기판(10)이 파손될 우려가 있다. 본 실시예에서는 X 방향의 속도는 110 ㎜/초로 했다.The speed in the X direction of the first chamfering grindstone 12, the second chamfering grindstone 14, the first finishing grindstone 18 and the second finishing grindstone 20 is preferably in the range of 90 mm / sec to 150 mm / sec. . If the speed in the X direction is slower than 90 mm / sec, the productivity is poor. If the speed in the X direction is faster than 150 mm / sec, defects or depressions occur in the chamfer portion of the glass substrate 10, resulting in poor chamfering quality, or damage to the glass substrate 10. There is concern. In the present Example, the speed of the X direction was 110 mm / sec.

모따기 영역은 0.15 내지 0.2 ㎜인 것이 바람직하다. 모따기 영역이 0.15 이하이면 유리 기판(10)을 절단했을 때에 발생한 에지의 결함부를 모따기로 제거할 수 없고, 모따기 영역이 0.2 ㎜보다 크면 생산성이 나빠진다.The chamfer area is preferably 0.15 to 0.2 mm. If the chamfer area is 0.15 or less, the defect part of the edge which generate | occur | produced when cut | disconnecting the glass substrate 10 cannot be removed with a chamfer, and if a chamfer area is larger than 0.2 mm, productivity will worsen.

도2는, 도1에 도시한 모따기 지석의 이동 궤적을 나타낸 설명도이다. 제1 모따기 지석(12) 및 마무리 지석(18)에 의해 모따기 영역을 일정하게 하여 유리 기판(10)의 모따기시켰지만, 제2 모따기 지석(14) 및 마무리 지석(20)은, 제1 모따기 지석(12) 및 마무리 지석(18)에 의해 모따기된 부분의 전방으로부터, 모따기 영역을 늘리면서 모따기하고, 모따기가 겹친 후 X 방향으로 이동하면서 Y 방향 퇴피 위치까지 이동시켰다.FIG. 2 is an explanatory diagram showing a movement trajectory of the chamfering grindstone shown in FIG. 1. Although the chamfered area | region was made constant by the 1st chamfering grindstone 12 and the finishing grindstone 18, the chamfering of the glass substrate 10 was carried out, but the 2nd chamfering grindstone 14 and the finishing grindstone 20 are the 1st chamfering grindstones ( 12) and from the front of the part chamfered by the finishing grindstone 18, it chamfered by extending the chamfer area | region, and moved to the retraction position in the Y direction, moving in the X direction after the chamfers overlapped.

즉, 도2와 같이, 제2 모따기 지석(14)은, 제1 모따기 지석(12)의 모따기 개시점(A점)의 X 방향의 후방 위치(B점)로부터 개시점(A점)의 X 방향의 전방 위치(C점)에 있어서, 중앙부가 최정상부(D점)로 되고 양단부를 향해 경사지는 형상으로 되는 궤적(E)에 의해 이동된다. 이것에 의해, 궤적(E)의 최정상부(D점)로 되는 단부면에 있어서, 제1 모따기 지석(12)에 의해 모따기된 단부면보다도 깊게 모따기되는 것이 된다. 또한, 마무리 지석(18)도 같은 궤적으로 이동된다.That is, as shown in FIG. 2, the 2nd chamfering grindstone 14 is X of a starting point (A point) from the rear position (B point) of the chamfer starting point (A point) of the 1st chamfering grindstone 12 in the X direction. In the front position (point C) in the direction, the center portion is moved by the track E which becomes a shape that is inclined toward both ends and becomes the top portion (D point). Thereby, in the end surface used as the highest part (point D) of the trace E, it becomes chamfered deeper than the end surface chamfered by the 1st chamfering grindstone 12. As shown in FIG. In addition, the finishing grindstone 18 is also moved to the same trajectory.

즉, 도1의 모따기 장치는, 유리 기판(10)의 한 변에 2대의 모따기 지석(12, 14) 및 마무리 지석(18, 20)을 배치하고, 한 변을 2대의 모따기 지석(12, 14) 및 마무리 지석(18, 20)으로 분담하여 모따기를 행하므로, 유리 기판(10)을 효율적으로 모따기 가공할 수 있다. 또한, 도1의 모따기 장치는, 2대의 모따기 지석(12, 14)의 도2에 나타낸 X 방향의 A점으로부터 C점의 겹침 부분에 있어서, 제2 모따기 지석(14)의 모따기 영역을, 제1 모따기 지석(12)의 모따기 영역보다도 넓게 설정했으므로, 겹침 부분의 단차를 완화시킬 수 있고, 유리 기판(10)은 필요한 모따기 품질을 얻을 수 있다.That is, in the chamfering apparatus of FIG. 1, two chamfering grindstones 12 and 14 and finishing grindstones 18 and 20 are arranged on one side of the glass substrate 10, and two chamfering grindstones 12 and 14 on one side. ) And the finishing grindstones 18 and 20, and the chamfering is performed, and the glass substrate 10 can be chamfered efficiently. In addition, the chamfering apparatus of FIG. 1 makes the chamfering area | region of the 2nd chamfering grindstone 14 in the overlapping part of two chamfering grindstones 12 and 14 from point A of the X direction shown in FIG. Since it was set wider than the chamfering area | region of the 1 chamfering grindstone 12, the step difference of an overlapping part can be alleviated and the glass substrate 10 can obtain the required chamfering quality.

도3은, 유리 기판(10)의 한 변에 대향하여, 3대의 모따기 지석(12, 14, 22)을 X 방향의 전방으로부터 전술한 순서로 배치한 모따기 장치의 실시예이고, 도4는 도3에 도시한 모따기 지석의 이동 궤적을 나타낸 설명도이다. 또한, 도3에 있어서, 코너 커트 지석(16)을 제1 모따기 지석의 X 방향의 전방에, 3대의 모따기 지석(12, 14, 24) 각각의 X 방향의 하류에 마무리 지석(18, 20, 26)을 배치한다.FIG. 3 is an embodiment of the chamfering device in which three chamfering grindstones 12, 14, and 22 are arranged in the order described above from the front in the X direction, facing one side of the glass substrate 10. FIG. It is explanatory drawing which showed the movement trace of the chamfering grindstone shown in 3. 3, the corner cut grindstone 16 is placed in front of the first chamfered grindstone in the X direction and downstream of the three chamfered grindstones 12, 14, and 24 in the X direction. 26).

이 모따기 장치에 따르면, 제1 모따기 지석(12) 및 제2 모따기 지석(14)이 유리 기판(10)의 한 변의 도중으로부터, 또한 제3 모따기 지석(24)이 한 변의 단부로부터 제1 모따기 지석(12) 및 제2 모따기 지석(14)과 대략 동시에 대략 동일한 모따기 영역에서 모따기를 개시한다. 그리고, 제2 모따기 지석(14)이, 도4와 같이 제1 모따기 지석(12)의 모따기 개시점(A점 : 한 변의 대략 삼분의 일의 위치)의 X 방향의 후방 위치(B점 : 한 변의 대략 삼분의 이의 위치)로부터 개시점(A점)의 X 방향의 전방 위치(C점)에 있어서, 중앙부가 최정상부(D점)로 되고 양단부를 향해 경사지는 형상으로 되는 궤적(E)에 의해 이동하는 것에 의해, 최정상부(D점)로 되는 단부면에 있어서 제1 모따기 지석(12)에 의해 모따기된 단부면보다도 깊게 모따기된다. 그리고 또한, 제3 모따기 지석(24)이, 제2 모따기 지석(14)의 모따기 개시점(A')의 X 방향의 후방 위치(B')로부터 개시점(A')의 X 방향의 전방 위치(C')에 있어서, 중앙부가 최정상부(D')로 되고 양단부를 향해 경사지는 형상으로 되는 궤적(E')에 의해 이동하는 것에 의해, 최정상부(D')로 되는 단부면에 있어서 제2 모따기 지석(14)에 의해 모따기된 단부면보다도 깊게 모따기된다.According to this chamfering device, the first chamfering grindstone 12 and the second chamfering grindstone 14 are from the middle of one side of the glass substrate 10, and the third chamfering grindstone 24 is from the end of one side. A chamfer is started in the chamfer area which is about the same as (12) and the 2nd chamfer grindstone 14 substantially simultaneously. And the 2nd chamfering grindstone 14 is the rear position (B point: one of the chamfering start points (point A: about one third position of one side) of the 1st chamfering grindstone 12 as shown in FIG. 4). From the position (about two thirds of the side) to the track E in the front position (point C) of the starting point (point A) in the X direction, the center portion becomes the top portion (point D) and is inclined toward both ends. By moving by, it chamfers deeper than the end surface chamfered by the 1st chamfering grindstone 12 in the end surface used as the uppermost part (D point). And furthermore, the 3rd chamfering grindstone 24 is the front position of the start direction A 'from the rear position B' of the X direction of the chamfer starting point A 'of the 2nd chamfering grindstone 14 in the X direction. In (C '), in the end surface which becomes a top part D' by moving by the trace E 'which becomes a shape in which a center part becomes the top part D' and inclines toward both ends, Chamfering is deeper than the end surface chamfered by the 2 chamfering grindstone 14.

즉, 도3의 모따기 장치는, 유리 기판(10)의 한 변에 3대의 모따기 지석(12, 14, 24)을 대략 동일한 간격에 배치하고, 한 변을 3대의 모따기 지석(12, 14, 24)으로 각각 대략 삼분의 일씩 분담하여 모따기를 행하므로, 유리 기판(10)을 효율적으로 모따기 가공할 수 있다. 또한, 이 모따기 장치는, 2대의 모따기 지석(12, 14)의 도4에 나타낸 X 방향 A점으로부터 C점의 겹침 부분에 있어서, 제2 모따기 지석(14)의 모따기 영역을, 제1 모따기 지석(12)의 모따기 영역보다도 넓게 설정했으므로, 겹침 부분의 단차를 완화시킬 수 있다. 게다가 또한, 2대의 모따기 지 석(14, 24)의 도4에 나타낸 X 방향 A'점으로부터 C'점의 겹침 부분에 있어서, 제3 모따기 지석(24)의 모따기 영역을 제2 모따기 지석(14)의 모따기 영역보다도 넓게 설정했으므로, 겹침 부분의 단차를 완화시킬 수 있다. 이것에 의해, 유리 기판(10)은 필요한 모따기 품질을 얻을 수 있다. 또한, 마무리 지석(18, 20, 26)도 같은 궤적으로 이동된다.That is, the chamfering apparatus of FIG. 3 arrange | positions three chamfering grindstones 12, 14, and 24 on one side of the glass substrate 10 at substantially equal intervals, and one side has three chamfering grindstones 12, 14, and 24. Each third is divided into approximately one third and chamfering is performed, so that the glass substrate 10 can be chamfered efficiently. In addition, this chamfering apparatus uses the chamfering area of the 2nd chamfering grindstone 14 as the 1st chamfering grindstone in the overlap part of the C point from the point A of X direction of two chamfering grindstones 12 and 14 shown in FIG. Since it set wider than the chamfer area of (12), the level | step difference of an overlap part can be alleviated. Furthermore, in the overlapping portion of the two chamfering grindstones 14 and 24 from the X-direction A 'point shown in Fig. 4 to the point C', the chamfering region of the third chamfering grindstone 24 is the second chamfering grindstone 14. Since the width is set wider than that of the chamfer area, the step difference in the overlapped portion can be alleviated. Thereby, the glass substrate 10 can obtain the required chamfering quality. In addition, the finishing grindstones 18, 20, and 26 are also moved to the same trajectory.

도2, 도4와 같이, 제2 모따기 지석(14)의 Y 방향의 접근량(α)[제2 모따기 지석(14)이 제1 모따기 지석(12)의 모따기 영역보다도 Y 방향으로 많이 깎는 양]이, 0.03 ㎜보다 작으면 지석의 마모량의 차이나 조치의 기계 정밀도의 오차에 의해 모따기할 수 없는 일이 있고, 0.5 ㎜보다도 크면 지석(12)과 지석(14)의 모따기된 단부면의 단차가 커지므로, 접근량(α)은 0.03 내지 0.5 ㎜가 바람직하고, 0.1 내지 0.2 ㎜가 더욱 바람직하다. 이것에 의해, 두 개의 모따기 지석으로 모따기된 단부면의 겹침 부분의 단차를 대폭 완화시킬 수 있다.As shown in Figs. 2 and 4, the approaching amount α in the Y direction of the second chamfering grindstone 14 (the amount by which the second chamfering grindstone 14 cuts more in the Y direction than the chamfering region of the first chamfering grindstone 12). ] Is less than 0.03 mm, it may not be possible to chamfer due to the difference in the amount of wear of the grindstone or the error of the mechanical accuracy of the measures. If the diameter is larger than 0.5 mm, the step difference between the chamfered end faces of the grindstone 12 and the grindstone 14 is Since it becomes large, 0.03-0.5 mm are preferable and, as for approach amount (alpha), 0.1-0.2 mm is more preferable. Thereby, the step of the overlapping part of the end surface chamfered by two chamfering grindstones can be largely alleviated.

제2 모따기 지석(14)의 X 방향의 접근량(β)[지석(12)의 모따기 영역보다도 많이 모따기를 취하기 시작하는 점 B점으로부터 점 D점까지의 X 방향의 길이]은, 100 ㎜보다 작으면 두 개의 모따기 지석으로 모따기된 단부면의 겹침 부분의 단차가 눈에 띄어 버리므로 100 내지 500 ㎜가 바람직하고, 400 ㎜ 정도이면 좋다.Approach amount (beta) in the X direction of the 2nd chamfering grindstone 14 (the length of the X direction from the point B point to the point D point which starts taking a chamfer more than the chamfer area of the grindstone 12) is more than 100 mm. If it is small, since the step of the overlapping part of the end surface chamfered by two chamfering grindstones will stand out, 100-500 mm is preferable and it should just be about 400 mm.

제2 모따기 지석(14)의 궤적의 최정상부(D점)로부터 X 방향으로 모따기하는 길이(X)는, 1 ㎜보다도 작으면 두 개의 모따기 지석으로 모따기된 단부면의 겹침 부분의 단차가 눈에 띄어 버리고, 길어지면 택트가 늘어나 버리므로, 1 내지 500 ㎜가 바람직하고, 특히 3 내지 5 ㎜ 정도가 좋다.When the length X chamfering in the X direction from the uppermost part (point D) of the trajectory of the second chamfering grindstone 14 is smaller than 1 mm, the step of the overlapped portion of the end face chamfered by the two chamfering grindstones is noticeable. As it floats and lengthens, a tact will increase, and 1 to 500 mm is preferable, and about 3 to 5 mm is especially preferable.

제1 모따기 지석(12)이 모따기 영역까지 도달한 A점으로부터 제2 모따기 지석(14)의 피크 D점까지의 X 방향의 길이(γ)는 0 이상이면 좋다. 또한, 상술한 α, β, γ는 제3 모따기 지석(24)에 있어서도 마찬가지이다.The length γ in the X direction from the point A where the first chamfering grindstone 12 reaches the chamfered region to the peak D point of the second chamfering grindstone 14 may be zero or more. In addition, above-mentioned (alpha), (beta), (gamma) is the same also in the 3rd chamfering grindstone 24. FIG.

모따기 지석(12, 14, 24)의 높이 방향(이하, Z 방향이라고도 함)의 위치 관계는 동일한 것이 바람직하지만, 최대 0.2 ㎜의 차가 있어도 가공에 지장은 없다.Although the positional relationship of the height direction (henceforth Z-direction) of the chamfering grindstone 12, 14, 24 is the same, it is preferable, even if there exists a maximum difference of 0.2 mm, it does not interfere with a process.

본 발명의 판 형상체의 모따기 장치는, 건재용이나 미러용 등의 일반적인 유리판의 모따기에도 적용할 수 있고, 또한, 금속 등 판 형상체의 재질을 불문하고 적용 가능하다.The chamfering apparatus of the plate-shaped object of this invention can be applied also to the chamfering of general glass plates, such as for building materials and a mirror, and can be applied regardless of the material of plate-shaped bodies, such as a metal.

도1은 실시 형태의 유리 기판 모따기 장치의 평면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The top view of the glass substrate chamfering apparatus of embodiment.

도2는 도1에 도시한 모따기 지석의 이동 궤적을 나타낸 설명도.2 is an explanatory diagram showing a movement trajectory of the chamfering grindstone shown in FIG.

도3은 유리 기판의 한 변에 대향하여, 3대의 모따기 지석을 X 방향의 전방으로부터 전술의 순서로 배치한 유리 기판 모따기 장치의 평면도.3 is a plan view of a glass substrate chamfering device in which three chamfering grindstones are arranged in the above-described order from the front in the X direction opposite to one side of the glass substrate.

도4는 도3에 도시한 모따기 지석의 이동 궤적을 나타낸 설명도.4 is an explanatory diagram showing a movement trajectory of the chamfering grindstone shown in FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10 : 유리 기판10: glass substrate

12 : 제1 모따기 지석12: first chamfering stone

14 : 제2 모따기 지석14: second chamfering stone

16 : 코너 에지용 모따기 지석16: Chamfer grindstone for corner edge

18 : 제1 마무리 지석18: first finishing grindstone

20 : 제2 마무리 지석20: second finishing stone

22 : 테이블22: table

24 : 제3 모따기 지석24: third chamfering stone

26 : 제3 마무리 지석26: third finishing stone

Claims (8)

직사각 형상의 판 형상체를 소정의 위치에 고정하고, 상기 판 형상체의 단부면을 모따기하는 방법이며, 판 형상체의 한 변에 대해 적어도 제1 모따기 지석과 제2 모따기 지석의 2대의 모따기 지석을 구비하고, 상기 제1 및 제2 모따기 지석을 판 형상체의 한 변의 단부면에 접촉시킨 상태에서 한 변을 따라 이동시키고, 한 변의 단부면을 모따기하는 판 형상체의 모따기 방법에 있어서,A method of fixing a rectangular plate-shaped body at a predetermined position and chamfering the end face of the plate-shaped body, wherein at least two chamfered grindstones of at least a first chamfered grindstone and a second chamfered grindstone for one side of the plate-shaped body. In the chamfering method of the plate-shaped body provided with the said, and the said 1st and 2nd chamfering grindstones contacted to the end surface of one side of a plate-shaped object, and moving along one side, and chamfering the end surface of one side, 상기 제1 모따기 지석이 상기 판 형상체의 한 변의 도중으로부터 모따기를 개시하고, 상기 제2 모따기 지석이 상기 한 변의 한쪽의 단부로부터 제1 모따기 지석과 동일한 모따기 영역에서 모따기를 개시하고, 제2 모따기 지석이, 제1 모따기 지석의 모따기 개시점 후방 위치(B)로부터 개시점 전방 위치(C)에 있어서, 상기 단부면으로부터 판 형상체 중앙측을 향해 상기 개시점(A)과 상기 개시점 전방 위치(C) 사이의 중앙부(D)가 최정상부로 되고 양단부를 향해 경사지는 형상으로 되는 궤적으로 이동되는 것에 의해, 상기 제2 모따기 지석이 상기 최정상부로 되는 단부면을, 제1 모따기 지석의 모따기 개시점(A)의 모따기된 단부면보다도 깊게 모따기하는 것을 특징으로 하는 판 형상체의 모따기 방법.The first chamfering grindstone starts chamfering from the middle of one side of the plate-shaped body, the second chamfering grindstone starts chamfering in the same chamfering region as the first chamfering grindstone from one end of the one side, and a second chamfering The grindstone is the starting point A and the starting point forward position from the end face toward the plate-shaped center in the starting point forward position C from the chamfer starting point rearward position B of the first chamfering grindstone. The center surface D between (C) is moved to the top which becomes the shape which becomes inclined toward both ends, and is moved to the end surface which the said 2nd chamfering grindstone becomes the said top part, The chamfering starting point of a 1st chamfering grindstone The chamfering method of a plate-shaped body characterized by chamfering deeper than the chamfered end surface of (A). 제1항에 있어서, 상기 제1 모따기 지석이 상기 판 형상체의 한 변에 있어서, 판 형상체의 한 변의 중앙부로부터 상기 한 변의 다른 쪽의 단부까지 모따기를 행하고, 상기 제2 모따기 지석이 상기 한 변의 한쪽의 단부로부터 상기 한 변의 중앙부까지 모따기를 행하는 것을 특징으로 하는 판 형상체의 모따기 방법.The said 1st chamfering grindstone of Claim 1 performs the chamfering in the one side of the said plate-shaped body from the center part of one side of a plate-shaped body to the edge part of the other side of the said one side, The said 2nd chamfering grindstone is said said The chamfering method of the plate-shaped body characterized by chamfering from the edge part of one side to the center part of the said one side. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 모따기 지석에 의한 상기 판 형상체의 한 변의 중앙부로부터의 모따기 개시와, 상기 제2 모따기 지석에 의한 상기 한 변의 한쪽의 단부로부터의 모따기 개시를 동시에 개시하는 것을 특징으로 하는 판 형상체의 모따기 방법.The chamfering start from the center of one side of the plate-shaped body by the first chamfering grindstone and the chamfering start from one end of the one side by the second chamfering grindstone at the same time. The chamfering method of a plate-shaped body characterized by starting. 직사각 형상의 판 형상체를 소정의 위치에 고정하고, 상기 판 형상체의 단부면을 모따기하는 방법이며, 판 형상체의 한 변에 대해 적어도 제1 모따기 지석, 제2 모따기 지석 및 제3 모따기 지석의 3대의 모따기 지석을 구비하고, 상기 제1, 제2 및 제3 모따기 지석을 판 형상체의 한 변의 단부면에 접촉시킨 상태에서 한 변을 따라 이동시키고, 한 변의 단부면을 모따기하는 판 형상체의 모따기 방법에 있어서,A method of fixing a rectangular plate-shaped body at a predetermined position and chamfering an end face of the plate-shaped body, wherein at least a first chamfered grindstone, a second chamfered grindstone and a third chamfered grindstone for one side of the plate-shaped body. A chamfer having three chamfered grindstones and moving along the one side while the first, second and third chamfered grindstones are in contact with the end face of one side of the plate-shaped body and chamfering the end face of one side. In the chamfering method of the upper body, 상기 제1 모따기 지석 및 상기 제2 모따기 지석이 각각 상기 판 형상체의 한 변의 도중으로부터 모따기를 개시하고, 상기 제3 모따기 지석이 상기 한 변의 한쪽의 단부로부터 제1 모따기 지석 및 제2 모따기 지석과 동일한 모따기 영역에서 모따기를 개시하고,The first chamfering grindstone and the second chamfering grindstone each start chamfering from the middle of one side of the plate-shaped body, and the third chamfering grindstone is formed from the first chamfering grindstone and the second chamfering grindstone from one end of the one side. Initiate a chamfer in the same chamfer area, 제2 모따기 지석이, 제1 모따기 지석의 모따기 개시점 후방 위치(B)로부터 개시점 전방 위치(C)에 있어서, 상기 단부면으로부터 판 형상체 중앙측을 향해 상기 제1 모따기 지석의 모따기 개시점(A)과 상기 개시점 전방 위치(C) 사이의 중앙부(D)가 최정상부로 되고 양단부를 향해 경사지는 형상으로 되는 궤적으로 이동되는 것에 의해, 상기 최정상부로 되는 단부면을, 상기 제1 모따기 지석의 모따기 개시점(A)의 모따기된 단부면보다도 깊게 모따기하고,The chamfering start point of the first chamfered grindstone is the second chamfered grindstone from the end face toward the plate-shaped body center side at a starting point forward position C from the chamfering start point rearward position B of the first chamfered grindstone. The 1st chamfering grindstone is an end surface which becomes the top part by moving to the trajectory which becomes the shape in which the center part D between (A) and the said starting point front position C becomes a top part and inclines toward both ends. Chamfer deeper than the chamfered end surface of the chamfering start point (A) of 제3 모따기 지석이, 제2 모따기 지석의 모따기 개시점 후방 위치(B')로부터 개시점 전방 위치(C')에 있어서, 상기 단부면으로부터 판 형상체 중앙측을 향해 상기 제2 모따기 지석의 모따기 개시점(A')과 상기 개시점 전방 위치(C') 사이의 중앙부(D')가 최정상부로 되고 양단부를 향해 경사지는 형상으로 되는 궤적으로 이동되는 것에 의해, 상기 최정상부로 되는 단부면을, 제2 모따기 지석의 모따기 개시점(A')의 모따기된 단부면보다도 깊게 모따기하는 것을 특징으로 하는 판 형상체의 모따기 방법.A third chamfering grindstone is a chamfer of the second chamfering grindstone from the end face toward the plate-shaped center in the starting point forward position C 'from the chamfering starting point rearward position B' of the second chamfering grindstone. By moving the center part D 'between a starting point A' and the said starting point front position C 'to become the top and inclined toward both ends, the end surface used as the said top part is moved, The chamfering method of a plate-shaped body characterized by chamfering deeper than the chamfered end surface of the chamfering start point A 'of a 2nd chamfering grindstone. 제4항에 있어서, 상기 제1 모따기 지석이 상기 판 형상체의 한 변의 삼분의 일의 부분으로부터 모따기를 개시하고, 상기 제2 모따기 지석이 상기 한 변의 삼분의 이의 부분으로부터 모따기를 개시하고, 상기 제3 모따기 지석이 상기 한 변의 한쪽의 단부로부터 제1 모따기 지석 및 제2 모따기 지석과 동시에 모따기를 개시하는 것을 특징으로 하는 판 형상체의 모따기 방법.The method according to claim 4, wherein the first chamfering grindstone starts chamfering from one third of one side of the plate-shaped body, and the second chamfering grindstone starts chamfering from two thirds of the one side, A 3 chamfering grindstone starts a chamfer simultaneously with the 1st chamfering grindstone and the 2nd chamfering grindstone from one end of the said one side, The chamfering method of the plate-shaped body characterized by the above-mentioned. 제1항 또는 제2항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 제1 및 제2 모따기 지석의 이동 방향 상류측에 각각 제1 및 제2 마무리 지석을 배치하고, 상기 제1 및 제2 마무리 지석은 각각 상기 제1 및 제2 모따기 지석의 이동에 연동하여 모따기 지석과 동일한 방향으로 이동하는 것에 의해, 모따기 지석의 모따기부를 마무리 가공하는 것을 특징으로 하는 판 형상체의 모따기 방법.A first and a second finishing grindstone are respectively disposed upstream of the first and second chamfering grindstones in a moving direction, and the first and second finishing grindstones are chamfered in conjunction with movement of the first and second chamfering grindstones, respectively. The chamfering method of a plate-shaped body characterized by finishing-processing the chamfer part of a chamfering grindstone by moving in the same direction as a grindstone. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 판 형상체의 대향하는 두 변을 동시에 모따기하는 것을 특징으로 하는 판 형상체의 모따기 방법.The chamfering method according to claim 1 or 2, wherein the two opposite sides of the plate-like body are simultaneously chamfered. 제1항 또는 제2항에 기재된 판 형상체의 모따기 방법에 의해, 상기 판 형상체의 단부면을 모따기하는 장치이며, 판 형상체를 고정하는 모따기 테이블과, 판 형상체의 한 변에 대해 적어도 2대의 모따기 지석을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 판 형상체의 모따기 장치.An apparatus for chamfering the end face of the plate-shaped body by the chamfering method of the plate-shaped body according to claim 1 or 2, wherein the chamfering table for fixing the plate-shaped body and at least one side of the plate-shaped body The chamfering apparatus of the plate-shaped body characterized by including two chamfering grindstones.
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