KR100948109B1 - 발광 다이오드 디바이스 - Google Patents

발광 다이오드 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR100948109B1
KR100948109B1 KR1020087000699A KR20087000699A KR100948109B1 KR 100948109 B1 KR100948109 B1 KR 100948109B1 KR 1020087000699 A KR1020087000699 A KR 1020087000699A KR 20087000699 A KR20087000699 A KR 20087000699A KR 100948109 B1 KR100948109 B1 KR 100948109B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
thin film
phosphor
light emitting
primary
Prior art date
Application number
KR1020087000699A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080009780A (ko
Inventor
레지나 비 뮬러-마치
거드 오 뮬러
Original Assignee
필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 filed Critical 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨
Publication of KR20080009780A publication Critical patent/KR20080009780A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100948109B1 publication Critical patent/KR100948109B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/918—Light emitting regenerative switching device, e.g. light emitting scr arrays, circuitry

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 LED에 의해서 방사된 1차 광을 하나 이상의 파장의 광으로 변환하여 특정 색의 광을 생성하는 하나 이상의 형광체 박막을 포함하는 형광 변환 LED 디바이스(a phosphor-converted LED device)를 제공한다. 형광체 박막은 각기 상기 1차 광의 형광체 변환이 예측가능하며 도펀트의 농도 및 박막의 두께에 의해서 제어되는 방식으로 통계적으로 공간적으로 분포하는 도펀트 이온(dopant ions)을 포함한다. 그러므로, 형광체 변환 LED 디바이스에 의해서 생성된 광의 색의 변화는 제거될 수 있으며, 이로 인하여 생성된 색광의 질에 있어서의 균질성이 보장되는 것을 가능하게 한다. 본 발명의 한 실시예에 따르면, 단일 형광체 박막은 LED 디바이스에 의해서 구성된다. 박막은 1차 청색광의 일부가 박막을 통과하도록 하면서 1차 방사광의 일부를 황색광으로 변환한다. 1차 광 및 황색광은 결합하여 백색광을 생성한다. 이와 달리, 각기 상이한 색의 광을 방사하는 다수의 형광체 박막이 LED 디바이스내에 포함될 수 있다. 박막은 각기 1차 방사광의 일부를, 예를 들면 적색 또는 녹색 광과 같은 특정 색의 광으로 변환한다. 적색광, 녹색광 및 변환되지 않은 1차 광은 결합하여 백색광을 형성한다. 이와 달리, 박막중 하나는 1차 방사광을 완전히 흡수하여 이를 청색광으로 변환한다. 그런 다음, 이러한 변환된 청색광은 하나 이상의 다른 형광체 박막을 통하여 형광체 변환을 겪어 백색광을 생성하는 1차 광으로 기능한다. 하나 이상의 박막이 이러한 방식으로 이용되어 형광체 변환을 수행하여 청색광과 같이 백색광이 아닌 다른 색의 광을 생성할 수 있 다.

Description

발광 다이오드 디바이스{LIGHT EMITTING DIODE COMPRISING A THIN PHOSPHOR-CONVERSION FILM}
본 발명은 발광 다이오드(a light emitting diodes(LEDs))에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 하나 이상의 형광 박막을 이용하여 LED에 의해서 방사된 1차 광(primary light)을 하나 이상의 다른 주파수의 광으로 변환하여 백색광(white light)을 생성하는 형광 변환 LED 디바이스(a phosphor-converted LED device)에 관한 것이다.
청색(blue) 또는 자외선(UV) 광을 방사하는 효율적인 LED가 발전함에 따라, LED의 1차 방사광중의 일부를 보다 긴 파장으로 형광 변환하여 백색광(white light)을 생성하는 LED를 제조하는 것이 실행 가능해졌다. LED의 1차 방사광을 보다 긴 파장으로 변환하는 것을 통상적으로 1차 방사광의 다운 변환(down-conversion of the primary emission)이라 한다. 1차 방사광의 변환되지 않은 부분(an unconverted portion of the primary emission)은 보다 긴 파장의 광과 조합 되어 백색광을 생성한다. 백색광을 생성하는 LED는 신호용(signaling) 및/또는 조명용(illumination)으로도 유용하다.
현재, LED의 1차 방사광중의 일부를 형광체 변환하는 최신의 것은 LED 램프 내에 LED를 수용하는 반사기 컵(reflector cup)을 충진하는 데에 이용되는 에폭시(epoxy) 내에 형광체를 포함함으로써 얻어진다. 형광체는 에폭시를 경화시키기 전에 분말(powder)의 형태로 에폭시에 혼합된다. 그런 다음, 형광체 분말을 포함하는 경화되지 않은 에폭시 슬러리(uncured epoxy slurry)는 LED상에 증착되며 이어서 경화된다.
경화된 에폭시 내의 형광체 입자는 통상적으로 랜덤하게 배향되며 에폭시의 도처에 산재한다. LED에 의해서 방사된 1차 광의 일부(a portion of the primary light emitted by the LED)는 형광체 입자와 부딪히지 않고서 에폭시를 통과하는 반면, LED에 의해서 방사된 1차 광의 일부는 형광체 입자와 부딪히는데, 그로 인해 형광체 입자가 상보적인 광(complimentary light)을 방사한다. 1차 청색광(primary blue light)과 형광체 방사 광(phosphor-emitted light)을 조합하면 백색광이 생성된다. 형광체 입자를 포함하는 에폭시를 이용하는 한가지 단점은 LED에 의해서 방사된 백색광의 균일성(uniformity)을 획득하기가 불가능하지는 않지만 어렵다는 점이다. 이러한 비균일성은, 에폭시 슬러리에 혼합된 형광 입자의 크기가 비균일하기 때문이다. 현재, 균일한 형광체 입자 크기를 가지는 형광체 분말은 통상적으로 이용가능하지 않다. 형광 분말이 에폭시 슬러리내에 혼합되면, 보다 큰 형광체 입자는 보다 작은 형광체 입자보다 빨리 가라앉는다. 일단 경화되고 나 면 형광체 입자의 공간적인 분포에 있어서의 이러한 비균일성이 에폭시에 존재하게 된다.
그러므로, 형광체 입자 크기의 비균일성으로 인해 에폭시 내의 형광체 입자의 균일한 분포를 얻는 것은 불가능하지는 않더라도 매우 어렵다. 형광체 입자의 크기 및 에폭시내의 이들의 위치를 제어할 수 없기 때문에, 백색광을 일관되게 방사하는 LED 램프를 생성하는 것은 어렵다. 그러므로, LED 램프에 의해서 생성된 백색광의 품질은 주어진 모델이 특정 제조자에 의해서 제조된 경우에도 램프마다 다르게 될 것이다.
LED를 둘러싸는 렌즈상에 발광 유기 염료 막을 배치하여 에폭시에 혼합된 형광체 분말을 이용하는 단점을 극복하려는 시도가 이루어졌다. 염료는 렌즈상의 특정 위치에 조심스럽게 배치되며, 그에 따라 여기에 부딪히는 모든 1차 광을 완전히 흡수하고 1차 광을 보다 긴 파장의 광으로 변환시킨다. 방사된 1차 광의 일부는 염료에 부딪히지 않고서 렌즈를 통과한다. 그러면 염료에 부딪히지 않는 1차 광은 보다 긴 파장의 광과 결합하여 백색광을 생성한다. 염료는 그에 부딪히는 1차 광을 완전히 흡수하므로, 보다 긴 파장의 광과 합해지는 1차 광의 일부에서의 변화는 제거될 것이다.
그러나, 이러한 후자의 방식은 또한 몇몇 단점을 가진다. 렌즈상에 염료를 배치하는 것은 제조상의 불확실성을 수반하여 생성된 백색광에서의 변동을 초래한다. 또한, 긴 시간 동안에 걸쳐 안정적인 염료를 통상적으로 얻을 수 없다. 결과적으로, 파장 변환 염료(wavelength-converting dyes)는 광범위하게 이용되지 못한 다.
따라서, 이들 문제점들과 단점들을 극복하는 형광체 변환 LED가 필요하다.
본 발명은 LED에 의해서 방사된 1차 광을 하나 이상의 다른 파장의 광으로 변환하여 특정 색의 광을 생성하는 하나 이상의 형광체 박막을 포함하는 형광체 변환 LED 디바이스를 제공한다. 본 발명의 형광체 박막은 광학적으로 균일하게 공간 분포된 도펀트(dopant)를 포함한다. 박막내의 도펀트의 이러한 광학적으로 균일한 공간 분포로 인해 1차 광의 형광체 변환이 예측가능하며 제어가능한 방식으로 이루어지게 된다. 그러므로, 형광체 변환 LED 디바이스에 의해서 생성된 광의 색의 변동은 제어될 수 있으며, 이로 인하여 LED 디바이스에 의해서 생성된 색의 광(colored light)의 품질이 일관성이 있게 된다. 바람직하게는, LED 디바이스에 의해서 생성된 특정 색의 광은 백색광이다. 그러나, 본 발명의 형광체 변환 LED 디바이스는 녹색광과 같은 다른 색의 광을 생성하도록 형광체 변환을 수행하도록 설계될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 단일 형광체 박막은 LED 디바이스에 의해서 구성된다. 박막은 청색 1차 광의 일부(a portion of the blue primary light)를 황색광(yellow light)으로 변환하고 1차 광의 일부가 박막을 통과되도록 한다. 1차 광 및 황색광은 결합하여 백색광을 생성한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 각기 상이한 색의 광을 방사하는 적어도 2 개의 형광체 박막이 LED 디바이스 내에 포함된다. 이 실시예에 따르면, 박막은 바람직하게 하나의 박막이 다른 박막의 위에 배치된다. 각각의 박막은 1차 광의 일부를 특정 색의 광으로 변환한다. 예를 들면, 하나의 박막은 1차 광을 녹색광으로 변환할 수 있으며, 박막 중 다른 하나는 1차 광을 적색광(red light)으로 변환할 수 있다. 적색광, 녹색광 및 변환되지 않은 1차 광은 결합되어 백색광을 형성한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 적어도 2개의 형광체 박막이 이용되며, 박막 중 하나는 1차 광을 완전히 흡수하여 청색광으로 변환한다. 그런 다음 다른 박막은 제 1 박막에 의해서 방사된 청색광의 일부를 넓은 황색 방사로 변환한 후에 청색 방사와 결합하여 백색광을 생성한다.
본 발명의 다른 특징 및 장점과 이의 변형은 아래의 상세한 설명, 도면 및 청구항으로부터 자명해질 것이다.
본 발명은 LED에 의해서 방사된 1차 광을 하나 이상의 파장의 광으로 변환하여 특정 색의 광을 생성하는 하나 이상의 형광체 박막을 포함하는 형광 변환 LED 디바이스(a phosphor-converted LED device)를 제공한다. 형광체 박막은 각기 상기 1차 광의 형광체 변환이 예측가능하며 도펀트의 농도 및 박막의 두께에 의해서 제어되는 방식으로 통계적으로 공간적으로 분포하는 도펀트 이온(dopant ions)을 포함한다. 그러므로, 형광체 변환 LED 디바이스에 의해서 생성된 광의 색의 변화 는 제거될 수 있으며, 이로 인하여 생성된 색광의 질에 있어서의 균질성이 보장되는 것을 가능하게 한다.
도 1은 본 발명에 따라 하나 이상의 형광체 박막이 합체되기에 적합한 발광 다이오드(LED)(1)의 사시도이다. 그러나, 본 발명의 LED는 특정 LED에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 본 기술 분야의 당업자라면 다양한 공지된 LED가 본 발명과 함께 이용되기에 적합함을 이해할 것이다.
LED(1)의 통상적인 구성 요소를 설명하기 위하여, 위에 형광체 박막이 배치되지 않은 LED(1)가 도시되었다. LED(1)는, 예를 들면 2개의 n-GaN 층(3,4), SQW 또는 MQW GaInN 층(5), p-AlGaN 층(6) 및 p-GaN 층(7)을 포함하는 발광 구조물(2)을 포함할 것이다. 발광 구조물(2)은 n 전극 본드 패드(an n-electrode bond pad)(8), n 전극(3), p 전극 본드 패드(a p-electrode bond pad)(11) 및 p 전극(12) 또한 포함한다. 이후에 보다 상세히 설명된 바와 같이, n 전극(3)은 GaN으로 구성되며 p 전극(12)은 투과성(transmissive)이거나 반사성(reflective)이다. 전극 본드 패드(8,11)는 전력원(도시되지 않음)에 접속되면 바이어싱 전류(biasing current)를 제공하여 LED가 광을 방사하도록 한다.
발광 구조물(2)은 기판(13)상에 배치되며, 다른 물질이 기판(13)으로 이용될 수 있지만, 바람직하게 사파이어(sapphire)이다. 발광 다이오드(1)를 생성하는 데에 이용되는 물질은 도 1을 참조하여 상술한 물질에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 본 기술 분야의 당업자라면 발광 다이오드(1)가 다양한 유형의 물질로 구성될 수 있음을 이해할 것이다. 상기 언급된 바와 같이, 발광 다이오드(1)는 특정 유형의 발광 다이오드로 한정되지 않지만, 예외적으로 본 발명에 따라 이용되는 발광 다이오드 디바이스는 청색 또는 자외선 1차 광을 방사하며, 이에 대한것은 아래에 상세히 설명될 것이다. 본 기술 분야의 당업자라면 다양한 발광 다이오드가 이러한 목적에 적합한 것으로 알려져 있음을 이해할 것이다.
청색 또는 UV의 1차 방사광(primary emission)을 생성하는 발광 구조물(2)은 바람직하게 사파이어(즉, Al2O3) 또는 실리콘 탄화물(silicon carbide)(즉,SiC) 기판상에 에피텍셜(epitaxially) 성장된다. 이들 기판 물질 모두는 1차 광 방사(primary radiation emission)에 대해 투과성이므로(transparent), LED는 헤더(a header)(도시되지 않음)상에, 또는 반사기 컵(a reflector cup)(도시되지 않음)내에 본 기술 분야의 당업자에게 알려진 "표준" 실장 배치("normal" mounting configuration) 또는 "플립 칩" 실장 배치("flip-chip" mounting configuration)로 실장(mount)될 수 있다. 아래에 보다 상세히 논의된 바와 같이, 몇몇 경우에서는 기판 물질은 투과적(transmissive)일 수 있으며, 다른 경우에는 불투과성(opaque)일 수 있다. 본 기술 분야의 당업자는 많은 기판 물질이 이들 목적에 적합함을 이해할 것이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 본 발명의 LED 디바이스의 측면도이다. LED 디바이스(20)는 도 1에 도시된 바와 같이 기판(13) 및 LED 구조물(2)을 포함한다. 본 발명의 이러한 실시예에 따르면, 단일 형광체 박막(21)은, 기판(13)과 접촉하는 발광 구조물(2) 표면의 반대편 표면상에 위치한다. 형광체 박막(21)은 공지된 다수의 방법에 의해서 발광 구조물(2)상에 배치될 수 있다. 형광체 박막은 주로 박막 전기장 발광 디스플레이 산업(thin film electroluminescent display industry)에 이용되었다. 형광체 박막을 증착하는 데에, 예를 들면 전자 빔 증발법(electron beam evaporation), 열적 증발법(thermal evaporation), RF 스퍼터링(rf-sputtering), 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition) 및 원자 층 에피텍시(atomic layer epitaxy)와 같은 몇몇 공지된 기술이 이용될 수 있을 것이다.
박막을 증착하는 데에 이용되는 방법은 박막의 원하는 특성에 의존할 것이다. 예를 들면, 박막이 LED에 의해서 방사된 모든 1차 방사광을 흡수하고자 한다면 한가지 특정 증착 기술이 이용될 수 있으며, 박막이 소정 비율의 1차 방사광을 통과시키고자 한다면 다른 기술이 이용될 수 있다. 본 기술 분야의 당업자는 원하는 특성을 가진 박막을 얻기 위하여 어느 유형의 기술이 이용될 지를 이해할 것이다.
바람직하게, 도 2에 도시된 박막(21)을 증착하는 방법은 RF 스퍼터링이다. 이러한 방법에 따르면, 형광체 분말은 LED 웨이퍼 지름을 약간 초과하는 지름의 타겟(target)으로 압착됨으로써, 형광체 막이 확실하게 균질 분포된다. 본 기술 분야의 당업자에게 이해될 바와 같이, 스퍼터 기체 특성(sputter gas characteristics)은 가변할 수 있으나, 바람직하게 스퍼터 기체는 주로 아르곤을 포함하며, 약 1% 내지 약 3%의 산소 또한 포함한다. 압력 및 RF 전력 입력은 정합 되어 박막(21)에 최적의 두께 및 균질성(homogeneity)을 제공한다. 타겟과 기판사이의 거리는 바람직하게 약 5 내지 10㎝이다. 형광체 분말은 바람직하게 세륨이 도핑된 이트륨-알루미늄-가닛(Cerium-doped Yttrium-Aluminum_Garnet)(Y3Al5O12:Ce3 +)이며, 이를 YAG:Ce로도 표시한다. 본 기술 분야의 당업자는 본 발명이 박막에 대하여 특정 유형의 형광체를 이용하는 데에 한정되지 않음을 이해할 것이다. 본 기술 분야의 당업자는 이러한 목적에 적합한 다른 유형의 형광체가 존재함을 이해할 것이다.
바람직하게, 형광체 박막은 발광 구조물(2)이 기판(13)상에 성장한 후에 증착된다. 그러나, 이것이 항상 가능한 것은 아닌데, 이는 증착 조건이 발광 구조물(2)의 무결성(integrity)을 유지하기 위한 요구 사항과 양립할 수 없을 것이라는 사실에 기인한다. 그러므로, 몇몇 경우에는 발광 구조물이 성장하기 전에 박막을 증착하는 것이 필요하다.
혼합물의 균질성 및 박막의 두께는 LED 웨이퍼를 이심 원과 같은 특정 궤적상에서, 또는 보다 복잡한 궤적상에서 회전시킴으로써 더욱 향상될 수 있는데, 이를 종종 "행성 운동(planetary motion)"이라 한다. 이러한 웨이퍼를 회전시켜 물질의 균질성을 향상시키는 기술은 본 기술 분야에서 공지되어 있다. 원하는 균질성을 가지는 형광체 박막이 생성되어 증착되는 방식은 공지되어 있으므로 이것이 획득되는 방식은 여기서 더 이상 기술되지 않을 것이다.
동작중에, 발광 구조물(2)은 1차 청색 방사광을 생성한다. 1차 방사광은 박 막(21)에 충돌한다. 1차 방사광의 일부는 박막내의 도펀트를 여기시키지 않고서 박막(21)을 통과한다. 박막(21)에 충돌하는 1차 방사광의 일부는 박막내에 포함된 도펀트에 의해서 흡수되어 황색광으로 변환된다. 이러한 황색광은 박막으로부터 방사되고 변환되지 않은 1차 방사광의 일부와 결합하여 백색광을 형성한다. 도펀트는 원자의 크기로 형광체 박막(21)에 합체된다. 이들 도펀트가 1차 방사광에 의해서 여기되면, 도펀트는 황색광을 방사한다.
박막내의 전체 도펀트의 양은 이들의 농도 및 박막의 두께에 의해서 결정된다. 박막내의 도펀트의 공간적인 분포는 매우 정확하게 제어될 수 있다. 이러한 목적에 이용되는 기술은 본 산업에서 이용되는 박막 증착 프로세스에서는 일반적이며 본 기술 분야의 당업자에게 공지되어 있다. 본 기술 분야의 당업자는 박막내의 발광 도펀트의 양 및 도펀트의 공간적인 분포가 정확하게 제어되는 방식을 이해할 것이다. 박막의 이들 특성을 정확하게 제어함으로써, 1차 방사광중 변환되지 않고서 박막을 통과할 부분은 예측가능하며 제어될 수 있다. 그러므로, 발광 다이오드 디바이스(20)에 의해서 생성된 백색광의 특성이 보장될 수 있다. 따라서, 제조에 있어서의 불확실성이 제어되어, 높은 품질과 일관성을 가지는 LED 디바이스가 얻어질 수 있다.
1차 광은 하나 이상의 파장을 포함할 수 있음에 주의하여야 한다. 이와 유사하게, 1차 광에 의한 여기(excitation)에 응답하여 방사된 광은 하나 이상의 파장을 가지는 광을 포함할 수 있다. 예를 들면, 박막(21)에 의해서 방사된 청색광은 스펙트럼 밴드(spectral band)를 형성하는 다수의 파장에 대응할 수 있다. 이 러한 스펙트럼 밴드의 파장은 변환되지 않은 1차 광과 결합하여 백색광을 생성할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 개념을 설명하기 위하여 개별적인 파장이 논의되고 있지만, 본 명세서에서 논의되는 여기(excitation)에 의해 다수의 파장 또는 스펙트럼 밴드가 방사될 것임을 이해할 것이다. 스펙트럼 밴드의 파장은 결합하여 백색광을 생성할 수 있다. 따라서, "스펙트럼 밴드(spectral band)"라는 용어는 적어도 하나의 파장과 잠재적인 많은 파장의 밴드를 나타내기 위한 것이며, "파장(wavelength)"이라는 용어는 스펙트럼 밴드의 최대 강도의 파장(the wavelength of the peak intensity of spectral band)을 나타내기 위한 것이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 본 발명의 발광 다이오드 디바이스(30)의 측면도이다. 이 실시예에 따르면, 반사 전극 본드 패드(a reflective electrode bond pad)(25)가 발광 구조물(2)의 표면상에 배치되며, 형광체 박막(21)이 발광 구조물(2)과 접촉을 이루는 기판(13) 표면의 반대편 표면상에 위치한다. 상기 언급된 바와 같이, 바람직한 기판 물질은 투과성이다. 그러므로, 반사 전극 본드 패드(25)상에 충돌하는 발광 구조물(2)로부터 방사된 1차 방사광(primary radiation)은 발광 구조물(2) 및 기판(13)을 통하여 형광체 박막(21)으로 반사된다. 일단 1차 방사광이 형광체 박막(21)에 부딪히면, 그 결과는 도 2의 LED 디바이스(20)의 동작을 참조하여 상술한 것과 필연적으로 동일하다. 도 3에 도시된 형광 박막은 도 2에 도시된 형광 박막과 동일할 것이며, 또한 상기 논의된 RF 스퍼터링 기술을 이용하여 생성될 수 있을 것이다.
본 실시예에 따르면, 형광체 박막(21)은 기판(13)상에 직접 증착되므로, 형 광체 박막(21)은 발광 구조물(2)이 생성되기 전에 또는 생성된 이후에, 그리고 반사 전극 본드 패드(25)가 생성되기 전에 또는 생성된 이후에 증착될 것이다.
도 4는 LED 디바이스(40)가 적어도 2개의 형광체 박막(31,33)을 포함하는 다른 실시예에 따른 본 발명의 발광 다이오드 디바이스(40)의 측면도이다. 박막(31,33)은 발광 구조물(2)이 배치될 기판(13) 측면의 반대측 측면상에 증착된다. 본 실시예에 따르면, 형광체 박막(31,33)은 바람직하게 원자 층 에피텍시(atomic layer epitaxy)를 이용하여 증착된다. 바람직하게, 박막(31)은 기판(13)상에 배치되어 박막(31)에 포함된 발광 도펀트에 부딪히는 청색 또는 자외선 1차 방사광에 응답하여 적색 방사(red emissions)를 생성한다. 형광체 박막(31)상에 배치된 형광체 박막(33)은 그 박막(33)내에 포함된 도펀트에 부딪히는 청색 또는 자외선 1차 방사광에 응답하여 녹색광을 방사한다.
박막(31)에 의해서 방사된 적색광은 박막(33)에 의해서 흡수되지 않는다. 그러나, 박막(33)에 의해서 방사된 녹색광은 박막(31)에 의해서 부분적으로 흡수되어 적색광으로 변환된다. 박막층 모두는 발광 구조물(2)에 의해서 방사된 청색광의 일부가 박막을 통과하도록 한다. 이러한 변환되지 않은 1차 청색광은 각기 박막층(31,33)에 의해서 방사된 적색 및 녹색 광과 결합하여 백색광을 생성한다.
녹색광을 방사하는 박막(33)은 바람직하게 SrS:Ce으로 구성되며, 적색광을 방사하는 박막(31)은 바람직하게 SrS:Eu으로 구성된다. 그러나, 본 기술 분야의 당업자는 본 발명이 이들 박막에 이용된 물질 또는 이들 박막이 증착되는 방식에 국한되지 않음을 이해할 것이다. 반사 전극 본드 패드(25)는 발광 구조물(2)에 의 해서 생성된 1차 광을 박막(31,33)을 향하여 반사하여 LED 디바이스(40)의 효율을 향상시킨다.
이와 달리, 박막(31)은 모든 1차 광을 전적으로 흡수하여 1차 광을 청색광으로 변환한다. 박막(33)은 일부 청색광을 통과시켜 일부 청색광을 황색광으로 변환한다. 도 2 및 3을 참조하여 상기 기술된 바와 동일한 방식으로 황색광 및 변환되지 않은 청색광이 결합되어 백색광을 형성한다.
도 5는 다른 실시예에 따른 본 발명의 발광 다이오드 디바이스(50)의 측면도이다. 본 발명의 이러한 실시예는 다수의 형광 박막(37,38)을 또한 이용한다. 그러나, 이러한 실시예에 따르면, 유전체 미러(a dielectric mirror)(36)는 박막(37)과 기판(13) 사이에 위치한다. 유전체 미러(36)는 발광 구조물(2)의 1차 방사광에 완전 투과성이지만 형광체 박막(37,38)의 방사의 파장에서 매우 반사적(reflective)이다. 형광체 박막(37,38)은 도 4에 도시된 형광체 박막(31,33)과 동일할 것이다. 따라서, 형광체 박막(37,38)은 각기 적색 및 녹색 광 또는 청색 및 황색 광을 생성할 것이다. 바람직하게, 원자 층 에피텍시가 이용되어 박막(37,38)을 도 4를 참조하여 상기 논의된 방식으로 증착한다.
유전체 미러(36)를 LED 디바이스(50)에 합체시키면 LED 디바이스(50)의 전체 효율이 증가하는데, 이는 발광 구조물(2)을 형광체 박막(37,38)에 의해서 생성된 루미너슨스 광(luminescence light)으로부터 격리함으로써 이루어지며, 그렇지 않을 경우 이 루미너슨스 광은 발광 구조물(2)에 의해서 재흡수될 것이다. 도 5의 박막(37,38)은 도 4의 박막(31,33)이 동작하여 백색광을 생성하는 방식과 필연적으 로 동일한 방식으로 동작한다. 각기 박막(37,38)에 의해서 방사된 적색 및 녹색 광은 발광 구조물(2)에 의해서 방사된 변환되지 않은 1차 광과 결합하여 백색광을 생성한다.
형광체 박막(37)은 바람직하게 유전체 미러(36)상에 증착되고, 그런 다음 형광체 박막(38)이 형광체 박막(37)상에 증착된다. 본 발명은 LED 디바이스(50)의 층들이 LED 디바이스(50)에 합체되는 순서에 국한되지 않음에 주의하여야 한다. 예를 들면, 형광체 박막은 유전체 미러(36)가 기판상에 제조된 후에, 그러나 발광 구조물(2) 및 반사 전극(25)이 제조되기 전에 증착될 수 있다. 이와 달리, 형광체 박막(37,38)은 유전체 미러(36), 발광 구조물(2) 및 반사 전극(25)을 포함하는 다른 모든 층이 형성된 이후에 증착될 수 있다.
본 기술 분야의 당업자는 본 발명이 특정 실시예를 참조하여 기술되었으나, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않음을 이해할 것이다. 본 기술 분야의 당업자는 상기 논의된 실시예에 본 발명의 범주내에 속하는 다양한 변형이 이루어 질 수 있음을 이해할 것이다. 상기 언급된 바와 같이, 본 발명은 LED 디바이스가 청색광 또는 자외선광인 1차 방사광을 생성할 수 있어야 한다는 점을 제외하고는 LED 디바이스에 이용된 물질에 국한되지 않는다. 또한, 본 기술 분야의 당업자는 본 명세서에서 명확히 언급되지 않더라도 본 발명이 LED 디바이스의 층 또는 구성 요소가 형성되는 순서에 대하여 한정되지 않음을 이해할 것이다. 또한, 본 기술 분야의 당업자는 형광체 박막의 기하학적인 배열 또는 구성이 특정 배열에 한정되지 않음을 이해할 것이다.
예를 들면, 도 4 및 5를 참조하여 상기 기술된 방식으로 겹쳐지는 형광체 박막을 이용하지 않고서, 다수의 형광체 박막 세그먼트(phosphor thin film segments)에 부딪히는 청색 또는 자외선 1차 방사광에 응답하여 각기 상이한 색의 광을 발하는(luminesce) 다수의 형광체 박막 세그먼트가 공통 표면상에 증착될 수 있다. 예를 들면, 3개의 상이한 형광체 박막 세그먼트(도시되지 않음)가 도 5에 도시된 유전체 미러(36)상의 바둑판 무늬의 보드 배치(a checker-board configuration)내에 증착될 수 있다. 이러한 경우에, 1차 광이 UV인지 청색인지에 따라, 박막 세그먼트 중 하나는 적색광을 발할 것이며, 다른 하나는 녹색광을 발할 것이며, 다른 하나는 청색광을 발하거나 전달할 것이다. 세그먼트는 발광 구조물(2)로부터 방사된 1차 방사광의 전체 흡수에 영향을 미치도록 배열될 것이다. 그 다음, 각각의 형광체 박막에 의해서 생성된 적색, 녹색 및 청색 광이 결합되어 백색광을 생성할 것이다. 본 기술 분야의 당업자는 다양한 박막층 및 세그먼트의 구성이 LED 디바이스에 합체되어 백색광을 생성하는 LED 디바이스를 생성하는 방법을 이해할 것이다.
더욱이, 본 발명의 LED 디바이스에 의해서 백색광이 생성될 필요는 없음에 주의하여야 한다. 본 기술 분야의 당업자는 형광체 박막이 본 발명의 원리에 따라서 생성되고 이용되어 다른 색의 광을 생성하는 LED 디바이스를 얻을 수 있는 방식을 이해할 것이다. 본 기술 분야의 당업자는, 예를 들면 본 명세서에 제공된 바의 관점에서 청색 또는 UV 방사를 흡수함으로써 녹색광을 생성하는 형광체 박막이 획득될 수 있는 방법을 이해할 것이다.
도 1은 형광체 박막이 위에 증착되기 전의 본 발명의 발광 다이오드 디바이스의 사시도(a perspective view),
도 2는 제 1 실시예에 따른 본 발명의 발광 다이오드 디바이스의 측면도,
도 3은 제 2 실시예에 따른 본 발명의 발광 다이오드 디바이스의 측면도,
도 4는 제 3 실시예에 따른 본 발명의 발광 다이오드 디바이스의 측면도,
도 5는 제 4 실시예에 따른 본 발명의 발광 다이오드 디바이스의 측면도.

Claims (12)

  1. 특정 색의 광을 생성하는 발광 다이오드 디바이스(a light emitting diode device)에 있어서,
    제 1 표면 및 상기 제 1 표면의 반대편에 존재하는 제 2 표면을 포함하는 기판과,
    상기 기판의 제 1 표면상에 배치되고, 상기 기판의 제 1 표면에 인접한 제 1 표면 및 그 반대편에 위치하는 제 2 표면을 가지며, 구동되었을 때에 1차 방사광(primary radiation)을 발생시키는 발광 구조물(a light emitting structure)과,
    상기 발광 구조물에 의해서 생성된 1차 방사광을 수신하도록 배치되며, 광학적으로 균일하게 공간 분포된 형광체를 포함하는 형광체 박막(a phosphor thin film)을 포함하되,
    상기 1차 방사광은 상기 형광체 박막 상에 부딪히며, 상기 1차 방사광의 제 1 부분은 상기 형광체 박막을 통과하고, 상기 1차 방사광의 제 2 부분은 상이한 파장의 광으로 변환되며, 상기 형광체 박막에 의해서 방사된 광은 상기 형광체 박막을 통과하는 상기 1차 방사광과 결합하여 상기 특정 색의 광을 생성하는
    발광 다이오드 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 형광체 박막은 상기 발광 구조물의 제 2 표면상에 위치하는 발광 다이오드 디바이스.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 1차 방사광은 청색광인 발광 다이오드 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 투과성(transparent)이며, 상기 형광체 박막은 상기 기판의 제 2 표면상에 위치하며, 상기 발광 구조물로부터 방사된 상기 1차 방사광은 상기 형광체 박막상에 부딪히기 전에 상기 투과성 기판을 통과하는 발광 다이오드 디바이스.
  5. 제 4 항에 있어서,
    반사 전극(a reflective electrode)이 상기 발광 구조물의 제 2 표면상에 위치하며, 상기 발광 구조물에 의해서 방사되어 상기 반사 전극에 부딪히는 1차 방사광은 상기 반사 전극에 의해서 상기 발광 구조물을 향하여 반사되는 발광 다이오드 디바이스.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 1차 방사광은 청색광인 발광 다이오드 디바이스.
  7. 특정 색의 광을 생성하는 발광 다이오드 디바이스에 있어서,
    제 1 표면 및 상기 제 1 표면의 반대편에 존재하는 제 2 표면을 포함하는 기판과,
    상기 기판의 제 1 표면상에 배치되고, 상기 기판의 제 1 표면에 인접한 제 1 표면 및 그 반대편에 위치하는 제 2 표면을 가지며, 구동되었을 때에 1차 방사광(primary radiation)을 발생시키는 발광 구조물(a light emitting structure)과
    상기 발광 구조물에 의해서 생성된 1차 방사광을 수신하도록 배치되며, 광학적으로 균일하게 공간 분포된 형광체를 포함하는 제 1 형광체 박막(a first phosphor thin film) - 상기 1차 방사광은 상기 제 1 형광체 박막 상에 부딪히며, 상기 1차 방사광의 제 1 부분은 상기 제 1 형광체 박막을 통과하고, 상기 1차 방사광의 제 2 부분은 제 1 파장의 광으로 변환됨-과,
    상기 발광 구조물에 의해서 생성된 1차 방사광의 제 3 및 제 4 부분을 수신하도록 배치되며, 광학적으로 균일하게 공간 분포된 형광체를 포함하는 제 2 형광체 박막(a second phosphor thin film) - 상기 1차 방사광의 제 4 부분은 제 2 파장의 광으로 변환되며, 상기 1차 방사광의 제 1 및 제 3 부분은 변환되지 않은 상 태로 남아서 제 1 및 제 2 형광체 박막에 의해서 각기 방사된 제 1 및 제 2 파장의 광과 결합하여 상기 특정 색의 광을 생성함-
    을 포함하는 발광 다이오드 디바이스.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 형광체 박막은 상기 기판의 제 2 표면상에 위치하며, 상기 발광 다이오드 디바이스는 반사 전극(a reflective electrode)을 더 포함하며, 상기 반사 전극은 상기 발광 구조물의 제 2 표면상에 위치하며, 상기 발광 구조물에 의해서 방사되어, 상기 반사 전극상에 부딪히는 1차 방사광은 상기 발광 구조물을 향하여 반사되는 발광 다이오드 디바이스.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 1차 방사광은 청색광인 발광 다이오드 디바이스.
  10. 특정 색의 광을 생성하는 발광 다이오드 디바이스에 있어서,
    적어도 제 1 표면 및 상기 제 1 표면의 반대편에 존재하는 제 2 표면을 가지는 기판과,
    상기 기판의 제 1 표면상에 배치되며, 상기 기판의 제 1 표면과 접촉하는 제 1 표면 및 그 반대편에 존재하는 제 2 표면을 갖는 발광 구조물과,
    상기 발광 다이오드 디바이스 상에 배치되며, 광학적으로 균일하게 공간 분포된 형광체를 포함하는 제 1 형광체 박막 - 상기 발광 구조물은 구동될 때에 1차 광을 방사하고, 상기 1차 방사광은 상기 제 1 형광체 박막 상에 부딪히며, 상기 제 1 형광체 박막 상에 부딪히는 모든 1차 방사광은 청색광으로 변환되고, 상기 청색광은 상기 제 1 형광체 박막에 의해서 방사됨 - 과,
    상기 제 1 형광체 박막 상에 배치되며, 광학적으로 균일하게 공간 분포된 형광체를 포함하는 제 2 형광체 박막 - 상기 청색광의 일부는 상기 제 2 형광체 박막을 통과하고, 상기 제 2 형광체 박막에 부딪히는 상기 청색광의 일부는 황색광으로 변환되며, 상기 제 2 형광체 박막을 통과하는 상기 청색광의 일부는 상기 제 2 형광체 박막으로부터 방사된 상기 황색광과 결합하여 상기 특정 색의 광을 생성함-
    을 포함하는 발광 다이오드 디바이스.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 형광체 박막은 상기 기판의 제 2 표면상에 위치하며, 상기 발광 다이오드 디바이스는 반사 전극을 더 포함하며, 상기 반사 전극은 상기 발광 구조물의 제 2 표면상에 위치하며, 상기 발광 구조물에 의해서 방사되어 상기 반사 전극상에 부딪히는 1차 방사광은 상기 발광 구조물을 향하여 반사되는 발광 다이오드 디바이스.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 1차 방사광은 자외선 방사(ultraviolet radiation)인 발광 다이오드 디바이스.
KR1020087000699A 1999-09-27 2000-09-25 발광 다이오드 디바이스 KR100948109B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/405,938 US6696703B2 (en) 1999-09-27 1999-09-27 Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US09/405,938 1999-09-27

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017006555A Division KR100832927B1 (ko) 1999-09-27 2000-09-25 발광 다이오드 디바이스

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080009780A KR20080009780A (ko) 2008-01-29
KR100948109B1 true KR100948109B1 (ko) 2010-03-16

Family

ID=23605846

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017006555A KR100832927B1 (ko) 1999-09-27 2000-09-25 발광 다이오드 디바이스
KR1020087000699A KR100948109B1 (ko) 1999-09-27 2000-09-25 발광 다이오드 디바이스

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017006555A KR100832927B1 (ko) 1999-09-27 2000-09-25 발광 다이오드 디바이스

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6696703B2 (ko)
EP (1) EP1142032B1 (ko)
JP (1) JP2001244507A (ko)
KR (2) KR100832927B1 (ko)
AU (1) AU7613700A (ko)
DE (1) DE60039961D1 (ko)
WO (1) WO2001024283A1 (ko)

Families Citing this family (154)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030133292A1 (en) * 1999-11-18 2003-07-17 Mueller George G. Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions
US7038398B1 (en) * 1997-08-26 2006-05-02 Color Kinetics, Incorporated Kinetic illumination system and methods
US6696703B2 (en) * 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
TW480744B (en) * 2000-03-14 2002-03-21 Lumileds Lighting Bv Light-emitting diode, lighting device and method of manufacturing same
US6501100B1 (en) * 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6921920B2 (en) * 2001-08-31 2005-07-26 Smith & Nephew, Inc. Solid-state light source
US6833563B2 (en) * 2001-09-25 2004-12-21 Intel Corporation Multi-stack surface mount light emitting diodes
US7858403B2 (en) * 2001-10-31 2010-12-28 Cree, Inc. Methods and systems for fabricating broad spectrum light emitting devices
JP2005538753A (ja) * 2002-03-22 2005-12-22 エシコン・エンド−サージェリィ・インコーポレイテッド 一体化型可視化システム
EP1512181B1 (en) * 2002-06-13 2009-01-14 Cree, Inc. Semiconductor emitter comprising a saturated phosphor
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
US7009199B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
US7423296B2 (en) * 2003-02-26 2008-09-09 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Apparatus for producing a spectrally-shifted light output from a light emitting device utilizing thin-film luminescent layers
US7084434B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Uniform color phosphor-coated light-emitting diode
US7125501B2 (en) * 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US7368179B2 (en) 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
AT412928B (de) 2003-06-18 2005-08-25 Guenther Dipl Ing Dr Leising Verfahren zur herstellung einer weissen led sowie weisse led-lichtquelle
KR100788744B1 (ko) * 2003-06-25 2007-12-26 삼성전기주식회사 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
WO2005022654A2 (en) * 2003-08-28 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
EP1515368B1 (en) * 2003-09-05 2019-12-25 Nichia Corporation Light equipment
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
DE10351397A1 (de) * 2003-10-31 2005-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
DE10351349A1 (de) * 2003-10-31 2005-06-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Hestellen eines Lumineszenzdiodenchips
US20050179041A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Illumination system with LEDs
EP1566426B1 (en) 2004-02-23 2015-12-02 Philips Lumileds Lighting Company LLC Phosphor converted light emitting device
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
US7576365B2 (en) 2004-03-12 2009-08-18 Showa Denko K.K. Group III nitride semiconductor light-emitting device, forming method thereof, lamp and light source using same
US20050224812A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-13 Yu-Chuan Liu Light-emitting device and manufacturing process of the light-emitting device
US7488990B2 (en) * 2004-04-02 2009-02-10 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Using multiple types of phosphor in combination with a light emitting device
US7837348B2 (en) 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
EP2803898B1 (en) * 2004-05-05 2020-08-19 Rensselaer Polytechnic Institute A light-emitting apparatus
US7361938B2 (en) 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US20070267646A1 (en) * 2004-06-03 2007-11-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light Emitting Device Including a Photonic Crystal and a Luminescent Ceramic
US7070300B2 (en) * 2004-06-04 2006-07-04 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Remote wavelength conversion in an illumination device
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
WO2006005005A2 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Sarnoff Corporation Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors
EP1787571A4 (en) * 2004-07-28 2009-09-16 Kyocera Corp SOURCE OF LIGHT AND ENDOSCOPE EQUIPPED WITH THIS SOURCE OF LIGHT
US7256057B2 (en) * 2004-09-11 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Methods for producing phosphor based light sources
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
DE102004047727B4 (de) * 2004-09-30 2018-01-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht
WO2006049533A2 (fr) * 2004-11-05 2006-05-11 Mikhail Evgenjevich Givargizov Dispositifs rayonnants et procedes de fabrication correspondants
US7671529B2 (en) * 2004-12-10 2010-03-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor converted light emitting device
JP2008530793A (ja) * 2005-02-16 2008-08-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 無機発光ダイオードを有する発光装置
US7554257B2 (en) * 2005-03-02 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method to generate high efficient devices which emit high quality light for illumination
WO2006095285A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US8748923B2 (en) * 2005-03-14 2014-06-10 Philips Lumileds Lighting Company Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US20060214173A1 (en) * 2005-03-28 2006-09-28 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes and methods of fabrication
DE102005019376A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
TWI333392B (en) * 2005-05-25 2010-11-11 Au Optronics Corp Emission layer and organic light emitting diode using thereof
CN101138104B (zh) * 2005-06-23 2011-08-24 伦斯勒工业学院 利用短波长led和下变频材料产生白光的封装设计
DE102005062514A1 (de) * 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4950999B2 (ja) * 2005-10-07 2012-06-13 オスラム シルヴェニア インコーポレイテッド 透光性のヒートシンクを有するｌｅｄ
JP4996183B2 (ja) * 2005-10-26 2012-08-08 オリンパス株式会社 顕微鏡およびランプハウス
US7514721B2 (en) * 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device
US20070128745A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Brukilacchio Thomas J Phosphor deposition method and apparatus for making light emitting diodes
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
CN101385145B (zh) * 2006-01-05 2011-06-08 伊鲁米特克斯公司 用于引导来自led的光的分立光学装置
KR100760131B1 (ko) * 2006-03-08 2007-09-18 엘지전자 주식회사 백색 발광 소자 제조 방법
KR100799859B1 (ko) * 2006-03-22 2008-01-31 삼성전기주식회사 백색 발광 소자
US7285791B2 (en) * 2006-03-24 2007-10-23 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use in solid-state lighting and method for making same
US7795600B2 (en) 2006-03-24 2010-09-14 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same
US8481977B2 (en) 2006-03-24 2013-07-09 Goldeneye, Inc. LED light source with thermally conductive luminescent matrix
KR100723233B1 (ko) * 2006-03-31 2007-05-29 삼성전기주식회사 백색 발광 소자
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US7943952B2 (en) 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US20080121902A1 (en) * 2006-09-07 2008-05-29 Gelcore Llc Small footprint high power light emitting package with plurality of light emitting diode chips
US20090275266A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device polishing
US8087960B2 (en) * 2006-10-02 2012-01-03 Illumitex, Inc. LED system and method
CN101605867B (zh) * 2006-10-03 2013-05-08 渲染材料公司 金属硅酸盐卤化物磷光体以及使用它们的led照明器件
KR100940049B1 (ko) * 2006-10-26 2010-02-03 삼성엘이디 주식회사 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 다이오드 소자의제조방법
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
KR20090089384A (ko) * 2006-11-10 2009-08-21 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 모놀리식 세라믹 발광 변환기를 포함하는 조명 시스템, 복합 모놀리식 세라믹 발광 변환기 및 복합 모놀리식 세라믹 발광 변환기 제조 방법
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
WO2008068689A1 (en) * 2006-12-05 2008-06-12 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination device, particularly with luminescent ceramics
US8704254B2 (en) * 2006-12-22 2014-04-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light emitting device including a filter
US7902564B2 (en) * 2006-12-22 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices
KR100891826B1 (ko) * 2007-01-12 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
KR100900620B1 (ko) * 2007-02-20 2009-06-02 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
EP2113951B1 (en) * 2007-04-17 2015-06-10 Nikon Corporation Illuminating device, projector and camera
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
TWI404228B (zh) 2007-07-12 2013-08-01 Epistar Corp 半導體發光裝置與其製造方法
US7810956B2 (en) * 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
KR101361575B1 (ko) 2007-09-17 2014-02-13 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP5212777B2 (ja) * 2007-11-28 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び照明装置
US20090140279A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Goldeneye, Inc. Substrate-free light emitting diode chip
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US20090309114A1 (en) * 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
KR20100122485A (ko) * 2008-02-08 2010-11-22 일루미텍스, 인크. 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법
US8575641B2 (en) 2011-08-11 2013-11-05 Goldeneye, Inc Solid state light sources based on thermally conductive luminescent elements containing interconnects
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US20100059771A1 (en) * 2008-09-10 2010-03-11 Chris Lowery Multi-layer led phosphors
US8342720B2 (en) 2008-10-10 2013-01-01 Stanley Electric Co., Ltd. Vehicle light and road illumination device
JP5227135B2 (ja) 2008-10-10 2013-07-03 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
TW201034256A (en) * 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8169135B2 (en) * 2008-12-17 2012-05-01 Lednovation, Inc. Semiconductor lighting device with wavelength conversion on back-transferred light path
TWI389355B (zh) * 2009-01-05 2013-03-11 Epistar Corp 發光半導體裝置
US20140175377A1 (en) * 2009-04-07 2014-06-26 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
CN102428582B (zh) * 2009-05-15 2015-03-04 株式会社小糸制作所 发光模块、发光模块的制造方法及灯具单元
BRPI1007686B1 (pt) 2009-05-19 2019-11-05 Koninl Philips Electronics Nv sistema de iluminação
DE102009023351A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
US8449128B2 (en) * 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US20110062468A1 (en) 2009-09-11 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor-converted light emitting diode device
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
EP2323186B1 (en) * 2009-11-13 2017-07-26 Tridonic Jennersdorf GmbH Light-emitting diode module and corresponding manufacturing method
TWI492422B (zh) * 2010-03-18 2015-07-11 Everlight Electronics Co Ltd 具有螢光粉層之發光二極體晶片的製作方法
CN102339935B (zh) * 2010-07-15 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 覆晶式led封装结构
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
TWI446590B (zh) 2010-09-30 2014-07-21 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
KR20120088130A (ko) * 2011-01-31 2012-08-08 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US8492182B2 (en) 2011-04-29 2013-07-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
JP2014525146A (ja) 2011-07-21 2014-09-25 クリー インコーポレイテッド 発光デバイス、パッケージ、部品、ならびに改良された化学抵抗性のための方法および関連する方法
US8704262B2 (en) * 2011-08-11 2014-04-22 Goldeneye, Inc. Solid state light sources with common luminescent and heat dissipating surfaces
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US8957580B2 (en) 2012-02-13 2015-02-17 Cree, Inc. Lighting device including multiple wavelength conversion material layers
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US8946747B2 (en) 2012-02-13 2015-02-03 Cree, Inc. Lighting device including multiple encapsulant material layers
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
JP5992695B2 (ja) 2012-02-29 2016-09-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子アレイ及び車両用灯具
JP2013203762A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 波長変換部品及びその製造方法並びに発光装置
KR20140036670A (ko) 2012-09-17 2014-03-26 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 구비한 차량용 헤드라이트
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US9054235B2 (en) * 2013-01-22 2015-06-09 Micron Technology, Inc. Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices
TWI594661B (zh) * 2013-04-19 2017-08-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體顯示器及其製造方法
US9410664B2 (en) 2013-08-29 2016-08-09 Soraa, Inc. Circadian friendly LED light source
US9206958B2 (en) 2013-09-16 2015-12-08 Osram Sylvania Inc. Thin film wavelength converters and methods for making the same
US20150098239A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-09 3M Innovative Properties Company Lighting device with remote down-converting material
JP6246622B2 (ja) * 2014-03-05 2017-12-13 シャープ株式会社 光源装置および照明装置
US10952600B2 (en) 2014-07-10 2021-03-23 Covidien Lp Endoscope system
KR20160035672A (ko) * 2014-09-23 2016-04-01 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 및 액정표시장치
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
DE102016109519A1 (de) * 2016-05-24 2017-11-30 Osram Gmbh Eindeckungsteil für ein Gewächshaus, Gewächshaus und Verwendung einer Schicht für ein Eindeckungsteil
US10319789B2 (en) * 2016-08-12 2019-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an optoelectronic component and an optoelectronic component
US11931010B2 (en) 2017-03-24 2024-03-19 Covidien Lp Endoscopes and methods of treatment
JP2018190830A (ja) * 2017-05-08 2018-11-29 豊田合成株式会社 半導体発光装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163535A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3664866A (en) * 1970-04-08 1972-05-23 North American Rockwell Composite, method for growth of ii{11 {14 vi{11 {0 compounds on substrates, and process for making composition for the compounds
JPS5113589A (ko) * 1974-07-25 1976-02-03 Tokyo Shibaura Electric Co
JPH01296561A (ja) * 1988-05-25 1989-11-29 Toshiba Lighting & Technol Corp ランプおよび照明装置ならびにこれを用いた飲料用自動販売機
JPH056792A (ja) * 1991-06-27 1993-01-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光体薄膜の製造方法
JP2840185B2 (ja) * 1993-10-21 1998-12-24 松下電器産業株式会社 蛍光体薄膜とこれを用いた薄膜ｅｌパネル
US5804834A (en) * 1994-10-28 1998-09-08 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor device having contact resistance reducing layer
EP0856202A2 (en) 1996-06-11 1998-08-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Visible light emitting devices including uv-light emitting diode and uv-excitable, visible light emitting phosphor, and method of producing such devices
DE29724543U1 (de) 1996-06-26 2002-02-28 OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. oHG, 93049 Regensburg Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JPH1041546A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Nippon Sanso Kk 発光素子
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
DE19645035C1 (de) 1996-10-31 1998-04-30 Siemens Ag Mehrfarbiges Licht abstrahlende Bildanzeigevorrichtung
JPH10163526A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Matsushita Electron Corp 発光素子及び発光ダイオード
US5939825A (en) * 1996-12-02 1999-08-17 Planar Systems, Inc. Alternating current thin film electroluminescent device having blue light emitting alkaline earth phosphor
KR100222602B1 (ko) 1996-12-12 1999-10-01 손욱 형광막을 사용한 반사형 셔터 프로젝터
WO1998044475A1 (fr) * 1997-03-31 1998-10-08 Idec Izumi Corporation Dispositif d'affichage et d'eclairage
JP3378465B2 (ja) * 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
US5813752A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US5847507A (en) 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
JP3407608B2 (ja) * 1997-07-28 2003-05-19 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード及びその形成方法
JP2947344B2 (ja) * 1997-08-19 1999-09-13 サンケン電気株式会社 発光ダイオード装置
JPH1187778A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
JPH11145519A (ja) * 1997-09-02 1999-05-28 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置
US5952681A (en) 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6086673A (en) 1998-04-02 2000-07-11 Massachusetts Institute Of Technology Process for producing high-quality III-V nitride substrates
JP3486345B2 (ja) * 1998-07-14 2004-01-13 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6288417B1 (en) * 1999-01-07 2001-09-11 Xerox Corporation Light-emitting devices including polycrystalline gan layers and method of forming devices
US6384529B2 (en) * 1998-11-18 2002-05-07 Eastman Kodak Company Full color active matrix organic electroluminescent display panel having an integrated shadow mask
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6373188B1 (en) 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
US6273589B1 (en) 1999-01-29 2001-08-14 Agilent Technologies, Inc. Solid state illumination source utilizing dichroic reflectors
US6212213B1 (en) 1999-01-29 2001-04-03 Agilent Technologies, Inc. Projector light source utilizing a solid state green light source
US6313181B1 (en) * 1999-05-26 2001-11-06 Color Access, Inc. Cosmetic compositions containing optical brighteners
US6696703B2 (en) * 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163535A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
US6696703B2 (en) 2004-02-24
WO2001024283A1 (en) 2001-04-05
DE60039961D1 (de) 2008-10-02
EP1142032B1 (en) 2008-08-20
KR20010089504A (ko) 2001-10-06
AU7613700A (en) 2001-04-30
KR20080009780A (ko) 2008-01-29
US20020030444A1 (en) 2002-03-14
US7183577B2 (en) 2007-02-27
US20040164307A1 (en) 2004-08-26
KR100832927B1 (ko) 2008-05-27
JP2001244507A (ja) 2001-09-07
EP1142032A1 (en) 2001-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100948109B1 (ko) 발광 다이오드 디바이스
KR100683364B1 (ko) 완전한 형광 물질 변환에 의해 백색광을 생성하는 발광다이오드 소자
US6630691B1 (en) Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
US7329907B2 (en) Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
US6653765B1 (en) Uniform angular light distribution from LEDs
EP2038939B1 (en) Efficient emitting led package and method for efficiently emitting light
US6603258B1 (en) Light emitting diode device that emits white light
JP5951180B2 (ja) 飽和変換材料を有するエミッタパッケージ
US20070045641A1 (en) Light source with UV LED and UV reflector
US20070012931A1 (en) White semiconductor light emitting device
US20070159067A1 (en) Light-emitting diode device generating light of multi-wavelengths
EP1528604A2 (en) Semiconductor light emitting devices with enhanced luminous efficiency
JP2017533549A (ja) 放射スペクトルが調整可能な光源
TWI389341B (zh) 發光元件
US20110062468A1 (en) Phosphor-converted light emitting diode device
KR20050019741A (ko) 포화 인광체 고체 에미터
GB2466892A (en) Phosphor-converted LED device

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20080910

Effective date: 20091127

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130307

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140307

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150302

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160406

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170308

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180223

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190222

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200225

Year of fee payment: 11