KR100944615B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법 Download PDF

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Abstract

행방향으로 형성된 주사 전극 및 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍와 열방향으로 형성된 데이터 전극을 갖는 방전셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을, 방전셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과, 방전셀에 선택적으로 기입 펄스 전압을 인가하여 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과, 기입 기간에 있어서 선택된 방전셀에서 휘도 가중에 따른 횟수의 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 서브필드를 1 필드 기간 내에 복수 설치하여 구동하고, 소정의 서브필드로 검사 대상의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하고, 적어도 그 직후의 서브필드에서는 검사 대상의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하지 않는다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법{METHOD OF TESTING LIGHTING OF PLASMA DISPLAY PANEL}
도 1은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널의 구조를 나타내는 분해 사시도.
도 2는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널의 전극 배열도.
도 3은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널의 화상 표시면에 있어서의 방전셀의 배열을 나타낸 개략도.
도 4는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도.
도 5는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 서브필드 구성의 일례를 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 점등 검사 장치의 회로 블럭도.
도 7a는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 7b는 본 발명의 실시의 형태 l에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 8a는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도 면.
도 8b는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 9a는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 9b는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도이다.
도 10a는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 10b는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 11a는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 11b는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 12a는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 12b는 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 13a는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 13b는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 14a는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 14b는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 15a는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 15b는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 16a는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 16b는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 17a는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 17b는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 18a는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 18b는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 19a는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 19b는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 20a는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
도 20b는 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면.
본 발명은 벽걸이 TV나 대형 모니터에 이용되는 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(이하, 「패널」이라고 약기한다)로서 대표적인 교류면방전형 패널은, 대향 배치된 전면판과 배면판과의 사이에 다수의 방전셀이 형성되어 있다.
전면판은 1쌍의 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍이 전면 유리 기판상에 서로 평행하게 복수쌍 형성되고, 그들 표시 전극쌍을 덮도록 유전체층 및 보호층이 형성되어 있다. 배면판은 배면 유리 기판상에 복수의 평행한 데이터 전극과, 그것들을 덮도록 유전체층과, 또한 그 위에 데이터 전극과 평행하게 복수의 격벽이 각각 형성되고, 유전체층의 표면과 격벽의 측면에 형광체층이 형성되어 있다.
그리고, 표시 전극쌍와 데이터 전극이 입체 교차하도록 전면판과 배면판이 대향 배치되어 밀봉되고, 내부의 방전 공간에는, 예를 들면 분압비로 약 5%의 크세논을 함유하는 방전 가스가 봉입되어 있다. 여기서 표시 전극쌍와 데이터 전극과의 대향하는 부분에 방전셀이 형성된다. 이러한 구성의 패널에 있어서, 각 방전셀 내에서 가스 방전에 의해 자외선을 발생시키고, 이 자외선으로 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색의 형광체를 여기 발광시켜 칼라 표시를 행하고 있다.
패널을 구동하는 방법으로서는, 서브필드법, 즉, 1 필드 기간을 복수의 서브필드로 분할한 다음, 발광시키는 서브필드의 조합에 의해서 계조 표시를 행하는 방법이 일반적으로 이용되고 있다.
각 서브필드는 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 가지며, 초기화 기간에서는 초기화 방전을 발생하고, 계속되는 기입 동작에 필요한 벽전하를 각 전극상에 형성한다. 초기화 동작에는, 모든 방전셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작(이하, 「전셀 초기화 동작」이라고 약기한다)과, 유지 방전을 행한 방전셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작(이하, 「선택 초기화 동작」이라고 약기한다)이 있다.
기입 기간에서는, 표시를 행해야할 방전셀에 선택적으로 기입 펄스 전압을 인가하여 기입 방전을 발생시켜 벽전하를 형성한다(이하, 이 동작을 「기입」이라고도 기재한다). 그리고 유지 기간에서는, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍에 교대로 유지 펄스를 인가하고, 기입 방전을 일으킨 방전셀에서 유지 방전을 발생시키고, 대응하는 방전셀의 형광체층을 발광시킴으로써 방전셀을 점등시켜 화상 표시를 행하다.
이 서브필드법에서는, 예를 들면, 복수의 서브필드 중, 1개의 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 모든 방전셀을 방전시키는 전셀 초기화 동작을 행하고, 다른 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 유지 방전을 행한 방전셀에 대해서 선택적으로 초기화 방전을 행함으로써, 계조 표시에 관계하지 않는 발광을 최대한 줄여 콘트라스트비를 향상시키는 것이 가능하다.
상술한 바와 같이, 패널의 화상 표시면은 매트릭스형상으로 배열된 다수의 방전셀에 의해 형성되고, 각 방전셀의 점등/비점등을 기입의 유무에 의해서 제어함으로써 화상을 표시하고 있다. 따라서, 기입이 된 방전셀이 점등하고, 기입이 되지 않은 방전셀이 점등하지 않는 것이 중요하며, 이들 동작이 제대로 되지 않으면 화상 표시에 관해서 품질 열화가 생겨 버린다.
그래서, 기입이 되었음에도 불구하고 점등하지 않는 방전셀을 갖는 패널을 검출하기 위한 검사 방법이 일본국 특허공개2005-183367호 공보에 개시되어 있다.
이러한, 기입이 되었음에도 불구하고 점등하지 않는 방전셀이 발생하는 것은, 인접하는 방전셀끼리를 구획하기 위한 격벽에 솟아오름이나 결손이 생기고, 그 극간을 통해 인접하는 방전셀로부터 하전 입자가 침입하여 벽전하를 감소시켜 버리는 것이 주된 원인으로 생각되고 있다. 그리고, 이러한 방전셀을 찾아내기 위해서, 상술한 기술은 효과를 발휘한다.
한편, 화상 표시에 관해서 품질 열화를 일으키게 하는 다른 요인으로서, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 점등해 버리는 방전셀의 존재가 있다. 그러나, 상술한 기술에서는, 이러한 방전셀을 찾아낼 수는 없었다.
본 발명은 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 점등해 버리는 방전셀을 갖는 패널을 검출하기 위한 패널의 점등 검사 방법을 제공한다.
본 발명의 패널의 점등 검사 방법은, 행방향으로 형성된 주사 전극 및 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍과 열방향으로 형성된 데이터 전극을 갖는 방전셀을 복수 구비한 패널을, 방전셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과, 방전셀에 선택적으로 기입 펄스 전압을 인가하여 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과, 기입 기간에 있어서 선택된 방전셀에서 휘도 가중에 따른 횟수의 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 서브필드를 1 필드 기간 내에 복수 설치하여 구동하고, 방전셀을 점등시키는 서브필드를 조합하여 계조 표시를 행하는 패널의 점등 검사 방법으로서, 소정의 서브필드에서 검사 대상의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하고, 적어도 그 직후의 서브필드에서는 검사 대상의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하지 않는 것을 특징으로 한다. 이 방법에 의해, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 점등해 버리는 방전셀을 갖는 패널을 검출하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 패널의 점등 검사 방법은, 소정의 서브필드에서 검사 대상의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하고, 그 직후의 서브필드로부터 적어도 그 필드의 최후의 서브필드까지 검사 대상의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하지 않는 구성으로 해도 된다. 이 방법에 의하면, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 점등해 버리는 방전셀을 찾아내는 것이 보다 용이해진다.
또, 본 발명의 패널의 점등 검사 방법은, 소정의 서브필드, 및 적어도 그 직후의 서브필드에서, 검사 대상의 방전셀에 인접하는 방전셀의 적어도 1개의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하지 않는 구성으로 해도 된다. 이 방법에 의하면, 유전체층의 결손 등에 의해서 방전 개시 전압이 저하함으로써, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 점등해 버리는 방전셀을 찾아내는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 패널의 점등 검사 방법은, 소정의 서브필드 및 적어도 그 직후의 서브필드에서, 검사 대상의 방전셀에 인접하는 방전셀의 적어도 1개의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하는 구성이어도 된다. 이 방법에 의하면, 인접하는 방전셀끼리를 구획하는 격벽의 결손 등에 의해, 인접하는 방전셀로부터 자외선이 새어 들어 옴으로써, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 점등해 버리는 방전셀을 찾아내는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 패널의 점등 검사 방법은, 소정의 서브필드에 계속되는 3개의 서브필드 중 적어도 1개의 서브필드에 있어서, 검사 대상의 방전셀에 인접하는 방전셀의 적어도 1개의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하는 구성이어도 된다. 이 방법에 의하면, 인접하는 방전셀끼리를 구획하는 격벽의 결손 등에 의해, 인접하는 방전셀로부터 자외선이 새어 들어 옴으로써, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 점등해 버리는 방전셀의 유무를, 초기화 방전에 의해서 발생한 하전 입자(프라이밍 입자)가 잔류하고 있는 기간에 검사하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 패널의 점등 검사 방법은, 필드 내의 최초의 서브필드로부터 소정의 서브필드 직전의 서브필드까지의 사이에, 검사 대상의 방전셀 및 검사 대상의 방전셀에 인접하는 모든 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하는 서브필드를 적어도 1개 설치한 구성이어도 된다. 이 방법에 의하면, 인접하는 방전셀로부터 자외선이 새어 들어 옴으로써, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 점등해 버리는 방전셀의 유무를 검사하는데 유용한 하전 입자를, 보다 확실히 발생시키는 것이 가능해진다.
본 발명에 의하면, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 점등해 버리는 방전셀을 갖는 패널을 검출하기 위한 패널의 점등 검사 방법을 제공하는 것이 가능해진다.
(실시의 형태 1)
이하, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널의 점등 검사 방법을 실시하기 위해서 사용하는 점등 검사 장치에 대해서, 도면을 이용하여 설명한다.
도 1은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널(10)의 구조를 나타내는 분해 사시도이다. 유리제의 전면판(21) 상에는, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)으로 이루어지는 표시 전극쌍(28)이 복수 형성되어 있다. 그리고 주사 전극(22)과 유지 전극(23)을 덮도록 유전체층(24)이 형성되고, 그 유전체층(24) 상에 보호층(25)이 형성되어 있다. 배면판(31) 상에는 데이터 전극(32)이 복수 형성되고, 데이터 전극(32)을 덮도록 유전체층(33)이 형성되고, 또한 그 위에 우물정자 모양의 격벽(34)이 형성되어 있다. 그리고, 격벽(34)의 측면 및 유전체층(33) 상에는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 각 색으로 발광하는 형광체층(35)이 설치되어 있다.
이들 전면판(21)과 배면판(31)은, 미소한 방전 공간을 사이에 두고 표시 전극쌍(28)과 데이터 전극(32)이 교차하도록 대향 배치되고, 그 외주부가 유리 플릿 등의 봉합재에 의해서 봉합되어 있다. 그리고 방전 공간에는, 예를 들면 네온과 크세논의 혼합 가스가 방전 가스로서 봉입되어 있다. 방전 공간은 격벽(34)에 의해서 복수의 구획으로 나뉘어져 있고, 표시 전극쌍(28)과 데이터 전극(32)이 교차하는 부분에 방전셀이 형성되어 있다. 그리고 이들 방전셀이 방전, 발광함으로써 화상이 표시된다.
또한, 패널의 구조는 상술한 것에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 스트라이프형상의 격벽을 구비한 것이어도 된다.
도 2는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널(10)의 전극 배열도이다. 패널(10)에는, 행방향으로 긴 n개의 주사 전극(SC1~SCn)(도 1의 주사 전극(22)) 및 n개의 유지 전극(SU1~SUn)(도 1의 유지 전극(23))이 배열되고, 열방향으로 긴 m개의 데이터 전극(D1~Dm)(도 1의 데이터 전극(32))이 배열되어 있다. 그리고, 1쌍의 주사 전극(SCi)(i=1~n) 및 유지 전극(SUi)과 1개의 데이터 전극(Dj)(j=1~m)이 교차한 부분에 방전셀이 형성되고, 방전셀은 방전 공간 내에 n×m개 형성되어 있다.
도 3은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널(10)의 화상 표시면에 있어서의 방전셀의 배열을 나타낸 개략도이다. 도면에 나타내는 바와 같이, 패널(10)의 화상 표시면에는, 적색 형광체층(35)이 설치된 방전셀(이하, 「R셀」이라고 약기한다)(13)과, 녹색 형광체층(35)이 설치된 방전셀(이하, 「G셀」이라고 약기한다)(14)과, 청색 형광체층(35)이 설치된 방전셀(이하, 「B셀」이라고 약기한다)(15)이 n행 m열의 매트릭스형상으로 전면에 깔려 있다. 그리고, 열방향으로는 같은 색의 방전셀이 배열되고, 행방향으로는 R셀(13), G셀(14), B셀(15)과 같이 다른 색의 방전셀이 차례로 배열되어 있다.
다음에, 패널(10)을 구동하기 위한 구동 전압 파형과 그 동작에 대해서 설명한다. 플라즈마 디스플레이 장치는, 서브필드법, 즉 1 필드 기간을 복수의 서브필드로 분할하고, 서브필드마다 각 방전셀의 발광·비발광을 제어함으로써 계조 표시를 행한다. 각각의 서브필드는 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 갖는다.
초기화 기간에서는 초기화 방전을 발생하고, 계속되는 기입 방전에 필요한 벽전하를 각 전극상에 형성한다. 이때의 초기화 동작에는, 모든 방전셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작(이하, 「전셀 초기화 동작」이라고 약기한다)과, 유지 방전을 행한 방전셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작(이하, 「선택 초기화 동작」이라고 약기한다)이 있다.
기입 기간에서는, 발광시켜야 할 방전셀에서 선택적으로 기입 방전을 발생시키고 벽전하를 형성한다. 그리고 유지 기간에서는, 휘도 가중에 비례한 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍(28)에 교대로 인가하여, 기입 방전을 발생시킨 방전셀에서 유 지 방전을 발생시켜 발광시킨다. 이때의 비례 정수를 휘도 배율이라고 한다.
도 4는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 패널(1O)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도이다. 도 4에는, 전셀 초기화 동작을 행하는 서브필드와 선택 초기화 동작을 행하는 서브필드를 나타내고 있다.
우선, 전셀 초기화 동작을 행하는 서브필드에 대해 설명한다.
초기화 기간 전반부에서는, 데이터 전극(D1~Dm), 유지 전극(SU1~SUn)에 각각 전압(0V)을 인가하고, 주사 전극(SC1~SCn)에는, 유지 전극(SU1~SUn)에 대해서 방전 개시 전압 이하의 전압(Vi1)으로부터, 방전 개시 전압을 넘는 전압(Vi2)을 향해 완만하게 상승하는 경사 파형 전압을 인가한다.
이 경사 파형 전압이 상승하는 동안에, 주사 전극(SC1~SCn)과 유지 전극(SU1~SUn), 데이터 전극(D1~Dm)과의 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극(SC1~SCn) 상부에 부(負)의 벽전압이 축적됨과 동시에, 데이터 전극(D1~Dm) 상부 및 유지 전극(SU1~SUn) 상부에는 정(正)의 벽전압이 축적된다. 여기서, 전극 상부의 벽전압이란 전극을 덮는 유전체층상, 보호층상, 형광체층상 등에 축적된 벽전하에 의해 생기는 전압을 나타낸다.
초기화 기간 후반부에서는, 유지 전극(SU1~SUn)에 정의 전압(Ve1)을 인가하고, 주사 전극(SC1~SCn)에는, 유지 전극(SU1~SUn)에 대해서 방전 개시 전압 이하가 되는 전압(Vi3)으로부터 방전 개시 전압을 넘는 전압(Vi4)을 향해 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 인가한다. 이 사이에, 주사 전극(SC1~SCn)과 유지 전극(SU1~SUn), 데이터 전극(D1~Dm)과의 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 일어난 다. 그리고, 주사 전극(SC1~SCn) 상부의 부의 벽전압 및 유지 전극(SU1~SUn) 상부의 정의 벽전압이 약해지고, 데이터 전극(D1~Dm) 상부의 정의 벽전압은 기입 동작에 적절한 값으로 조정된다. 이상에 의해, 모든 방전셀에 대해서 초기화 방전을 행하는 전셀 초기화 동작이 종료한다.
계속되는 기입 기간에서는, 유지 전극(SU1~SUn)에 전압(Ve2)을, 주사 전극(SC1~SCn)에 전압(Vc)을 인가한다.
다음에, 1행째의 주사 전극(SC1)에 부의 주사 펄스 전압(Va)을 인가함과 동시에, 데이터 전극(D1~Dm)중 1행째에 발광시켜야 할 방전셀의 데이터 전극(Dk)(k=1~m)에 정의 기입 펄스 전압(Vd)을 인가한다. 이때 데이터 전극(Dk) 상과 주사 전극(SC1) 상과의 교차부의 전압차는, 외부 인가 전압의 차(Vd-Va)에 데이터 전극(Dk) 상의 벽전압과 주사 전극(SC1) 상의 벽전압의 차가 가산된 것이 되어 방전 개시 전압을 넘는다. 그리고, 데이터 전극(Dk)과 주사 전극(SC1)과의 사이 및 유지 전극(SU1)과 주사 전극(SC1)과의 사이에 기입 방전이 일어나고, 주사 전극(SC1) 상에 정의 벽전압이 축적되고, 유지 전극(SU1) 상에 부의 벽전압이 축적되고, 데이터 전극(Dk) 상에도 부의 벽전압이 축적된다.
이와 같이 하여, 1행째에 발광시켜야 할 방전셀에서 기입 방전을 일으켜 각 전극 상에 벽전압을 축적하는 기입 동작이 행해진다. 한편, 기입 펄스 전압(Vd)을 인가하지 않은 데이터 전극(D1~Dm)과 주사 전극(SC1)과의 교차부의 전압은 방전 개시 전압을 넘지 않으므로, 기입 방전은 발생하지 않는다. 이상의 기입 동작을 n행째의 방전셀에 이를 때까지 행하고, 기입 기간이 종료한다.
계속되는 유지 기간에서는, 우선 주사 전극(SC1~SCn)에 정의 유지 펄스 전압(Vs)을 인가함과 동시에 유지 전극(SU1~SUn)에 전압(0V)를 인가한다. 그러면 기입 방전을 일으킨 방전셀에서는, 주사 전극(SCi) 상과 유지 전극(SUi) 상과의 전압차가 유지 펄스 전압(Vs)에 주사 전극(SCi) 상의 벽전압과 유지 전극(SUi) 상의 벽전압과의 차가 가산된 것이 되어 방전 개시 전압을 넘는다.
그리고, 주사 전극(SCi)과 유지 전극(SUi)과의 사이에 유지 방전이 일어나고, 이때 발생한 자외선에 의해 형광체층(35)이 발광한다. 그리고 주사 전극(SCi)상에 부의 벽전압이 축적되고, 유지 전극(SUi) 상에 정의 벽전압이 축적된다. 또한 데이터 전극(Dk) 상에도 정의 벽전압이 축적된다. 기입 기간에 있어서 기입 방전이 일어나지 않은 방전셀에서는 유지 방전은 발생하지 않고, 초기화 기간의 종료시에 있어서의 벽전압이 유지된다.
계속해서, 주사 전극(SC1~SCn)에는 전압(0V)을, 유지 전극(SU1~SUn)에는 유지 펄스 전압(Vs)을 각각 인가한다. 그러면, 유지 방전을 일으킨 방전셀에서는, 유지 전극(SUi) 상과 주사 전극(SCi) 상과의 전압차가 방전 개시 전압을 넘으므로 다시 유지 전극(SUi)과 주사 전극(SCi)과의 사이에 유지 방전이 일어나고, 유지 전극(SUi) 상에 부의 벽전압이 축적되고 주사 전극(SCi) 상에 정의 벽전압이 축적된다.
이후 마찬가지로, 주사 전극(SC1~SCn)과 유지 전극(SU1~SUn)에 교대로 휘도 가중에 휘도 배율을 곱한 수의 유지 펄스를 인가하고, 표시 전극쌍의 전극간에 전위차를 줌으로써, 기입 기간에 있어서 기입 방전을 일으킨 방전셀에서 유지 방전이 계속해서 행해진다.
그리고, 유지 기간의 최후에는 주사 전극(SC1~SCn)과 유지 전극(SU1~SUn)과의 사이에 이른바 세폭 펄스형상의 전압차를 주어, 데이터 전극(Dk) 상의 정의 벽전압을 남긴 채로, 주사 전극(SCi) 및 유지 전극(SUi) 상의 벽전압을 소거하고 있다. 구체적으로는, 유지 전극(SU1~SUn)을 일단 전압(0V)으로 되돌린 후, 주사전극(SC1~SCn)에 유지 펄스 전압(Vs)을 인가한다. 그러면, 유지 방전을 일으킨 방전셀의 유지 전극(SUi)과 주사 전극(SCi)과의 사이에서 유지 방전이 일어난다. 그리고 이 방전이 수속(收束)하기 전, 즉 방전으로 발생한 하전 입자가 방전 공간 내에 충분히 잔류하고 있는 동안에 유지 전극(SU1~SUn)에 전압(Ve1)을 인가한다. 이로 인해 유지 전극(SUi)과 주사 전극(SCi)과의 사이의 전압차가 (Vs-Ve1)의 정도까지 약해진다. 그러면, 데이터 전극(Dk) 상의 정의 벽전하를 남긴 채로, 주사 전극(SC1~SCn) 상과 유지 전극(SU1~SUn) 상과의 사이의 벽전압은 각각의 전극에 인가한 전압의 차(Vs-Ve1)의 정도까지 약하게 할 수 있다. 이하, 이 방전을 「소거 방전」이라고 한다.
이와 같이, 최후의 유지 방전, 즉 소거 방전을 발생시키기 위한 전압(Vs)을 주사 전극(SC1~SCn)에 인가한 후, 표시 전극쌍의 전극간의 전위차를 완화하기 위한 전압(Ve1)을 유지 전극(SU1~SUn)에 인가한다. 이렇게 하여 유지 기간에 있어서의 유지 동작이 종료한다.
다음에, 선택 초기화 동작을 행하는 서브필드의 동작에 대해 설명한다.
선택 초기화 기간에서는, 유지 전극(SU1~SUn)에 전압(Ve1)을, 데이터 전극 (D1~Dm)에 전압(0V)을 각각 인가한 채로, 주사 전극(SC1~SCn)에 전압(Vi3')으로부터 전압(Vi4)을 향해 완만하게 하강하는 램프 전압을 인가한다.
그러면 전의 서브필드의 유지 기간에서 유지 방전을 일으킨 방전셀에서는 미약한 초기화 방전이 발생하고, 주사 전극(SCi) 상 및 유지 전극(SUi) 상의 벽전압을 약하게 할 수 있다. 또 데이터 전극(Dk)에 대해서는, 직전의 유지 방전에 의해서 데이터 전극(Dk) 상에 충분한 정의 벽전압이 축적되어 있으므로, 이 벽전압의 과잉의 부분이 방전되고, 기입 동작에 적절한 벽전압으로 조정된다.
한편, 전의 서브필드에서 유지 방전을 일으키지 않았던 방전셀에 대해서는 방전하는 일 없이, 전의 서브필드의 초기화 기간 종료시에 있어서의 벽전하가 그대로 유지된다. 이와 같이 선택 초기화 동작은, 직전의 서브필드의 유지 기간에서 유지 동작을 행한 방전셀에 대해서 선택적으로 초기화 방전을 행하는 동작이다.
계속되는 기입 기간의 동작은 전셀 초기화 동작을 행하는 서브필드의 기입 기간의 동작과 같기 때문에 설명을 생략한다. 계속되는 유지 기간의 동작도 유지 펄스의 수를 제외하고 마찬가지이다.
다음에, 서브필드 구성에 대해서 설명한다.
도 5는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 서브필드 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 도 5는 서브필드법에 있어서의 1 필드 간의 구동 전압 파형을 약식으로 기재한 것이며, 각각의 서브필드의 구동 전압 파형은 도 4의 구동 전압 파형과 동등한 것이다.
본 실시의 형태 1에 있어서는, 1 필드를 8의 서브필드(제1 SF, 제2 SF, ......, 제8 SF)로 분할하고, 각 서브필드는 각각(1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128)의 휘도 가중를 갖는다. 또 각 서브필드의 유지 기간에 있어서는, 각각의 서브필드의 휘도 가중에 따른 수의 유지 펄스가 표시 전극쌍(28)의 각각에 인가된다. 따라서, 점등시키는 서브필드의 조합에 의해서 0에서 255까지의 256계조를 표시할 수 있다. 그리고, 서브필드의 각각은, 초기화 기간에 전셀 초기화 동작을 행하는 서브필드(이하, 「전셀 초기화 서브필드」라고 약기한다)나, 초기화 기간에 선택 초기화 동작을 행하는 서브필드(이하, 「선택 초기화 서브필드」라고 약기한다) 중 어느 한쪽이며, 본 실시의 형태 1에서는, 제1 SF를 전셀 초기화 서브필드로 하고, 제2 SF~ 제8 SF를 선택 초기화 서브필드로 한다. 이로 인해, 제2 SF~ 제8 SF의 초기화 기간에 있어서는 유지 방전을 행한 방전셀에 대해서만 선택적으로 초기화 방전이 행해지고, 계조 표시에 관계하지 않는 발광을 최대한 줄일 수 있으므로, 콘트라스트비를 향상시키는 것이 가능하다.
그러나, 본 실시의 형태 1은, 서브필드수나 각 서브필드의 휘도 가중가 상기의 값으로 한정되는 것이 아니며, 또, 패널의 사양 등에 기초하여 서브필드 구성을 전환하는 구성이어도 된다.
도 6은, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 점등 검사 장치의 회로 블럭도이다. 점등 검사 장치는, 패널(10)의 점등 검사를 행하기 위한 데이터 전극 구동 회로(52), 주사 전극 구동 회로(53), 유지 전극 구동 회로(54), 제어용 컴퓨터(51), 프로그래머블 메모리(57), 타이밍 발생 회로(55), 및 각 회로블록에 필요한 전원을 공급하는 전원 회로(도시 생략)를 구비하고 있다. 그리고, 데이터 전극 구 동 회로(52), 주사 전극 구동 회로(53) 및 유지 전극 구동 회로(54)에는 패널(10)을 착탈 가능하게 접속할 수 있고, 검사를 종료한 패널(10)을 미검사의 패널(10)과 교환할 수 있다.
본 실시의 형태 1에 있어서의 점등 검사 장치는, 제어용 컴퓨터(51)가 후술 하는 검사 패턴(이하, 「기입 패턴」이라고 기재한다)을 작성하고, 그 기입 패턴으로 각 구동 회로를 제어하여 패널(10)의 점등 검사를 행할 수 있도록 구성하고 있다. 제어용 컴퓨터(51)가 작성하는 기입 패턴은, 기입 기간에 있어서 데이터 전극(D1~Dm)에 인가하는 기입 펄스 전압의 인가 패턴이며, 그 기입 패턴을 나타내는 신호는, 제어용 컴퓨터(51)로부터 프로그래머블 메모리(57)에 전송되고, 타이밍 발생 회로(55)로부터 읽어내는 것이 가능하도록 프로그래머블 메모리(57)에 격납된다.
타이밍 발생 회로(55)는, 수평 동기 신호(H), 수직 동기 신호(V) 및 프로그래머블 메모리(57)로부터 읽어낸 검사 패턴에 기초하여 각 구동 회로의 동작을 제어하는 각종 타이밍 신호를 발생하고, 각각의 구동 회로에 공급한다.
그리고, 타이밍 발생 회로(55)로부터의 타이밍 신호에 기초하여, 데이터 전극 구동 회로(52)는 데이터 전극(D1~Dm)을 구동하기 위한 상술한 구동 전압 파형을 생성하여 각 데이터 전극(D1~Dm)을 각각 구동한다. 주사 전극 구동 회로(53)는 주사 전극(SC1~SCn)을 구동하기 위한 상술한 구동 전압 파형을 생성하여 각 주사 전극(SC1~SCn)을 각각 구동한다. 유지 전극 구동 회로(54)는 유지 전극(SU1~SUn)을 구동하기 위한 상술한 구동 전압 파형을 생성하여 각 유지 전극(SU1~SUn)을 각각 구동한다. 이렇게 해서, 패널(10)을 점등 검사하기 위한 구동을 행하다.
여기서, 패널(10)에 있어서는, 유전체층(24, 33)에 이물이 혼입하거나, 혹은 유전체층(24, 33) 내에 생긴 기포에 의해서 부분적으로 층이 얇아져 버리는 일이 있다. 이러한 유전체층의 결함은, 그 결함을 갖는 방전셀의 방전 개시 전압을 인하해 버리고, 기입이 되지 않은 방전셀에 있어서 유지 펄스 전압의 인가만으로 방전 개시 전압을 넘어 유지 방전을 발생시키고, 점등시켜 버릴 우려가 있다.
그리고, 그러한 현상은, 기입을 행하여 유지 방전을 발생시킨 서브필드의 직후의 서브필드에 있어서 비교적 발생하기 쉽다. 이것은, 유지 기간에서 유지 동작을 행한 방전셀에 대해서 선택적으로 초기화 방전을 행하는 선택 초기화 동작에 의해, 방전셀 내의 상태가 비교적 방전이 발생하기 쉬운 상태로 되어 있는 것에 의한다고 생각된다. 또한, 일단 유지 방전이 발생함으로써, 그 이후의 서브필드에 있어서도, 유지 방전이 계속해서 발생할 가능성이 높아진다. 그래서, 본 실시의 형태 1에서는, 그러한 결함을 갖는 방전셀을 검출하기 위한 패널의 점등 검사를 행하다.
다음에, 이 점등 검사를 행하는 방법에 대해서 설명한다.
도 7a, 도 7b는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면이다. 또한, 여기서의 기입 패턴이란, 각 서브필드의 기입 기간에 있어서 기입 펄스 전압을 인가하여 기입을 행할지, 또는 기입 펄스 전압을 인가하지 않고 기입을 행하지 않을지를 나타낸 패턴이며, 도면에 있어서 「○」는 기입을 행하는 것을 나타내고, 「×」는 기입을 행하지 않는 것을 나타낸다. 또, 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형은 도 4에 나타낸 것과 같다.
도 7a에 나타내는 바와 같이, 이 기입 패턴에서는, 짝수행(도면 중, 2N, 2(N+1)로 나타낸다. N은 자연수), 홀수행(도면 중 2N+1로 나타낸다)에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서, 제1 SF로부터 제3 SF까지 연속해서 기입을 행하고, 제4 SF 이후 제8 SF까지 연속해서 기입을 행하지 않는다. 따라서, 정상적인 방전셀에 있어서는, 도 7b에 나타내는 바와 같이, 제3 SF로부터 제4 SF에서 점등 상태로부터 비점등 상태로 전환된다. 즉, 제4 SF 이후에 있어서 점등하는 방전셀을 검출함으로써, 정상적이지 않은 방전셀의 검출이 가능해진다.
이때, 본 실시의 형태 1에서는, 제1 SF로부터 제3 SF까지 연속해서 기입을 행함으로써, 제4 SF에 있어서 방전셀이 방전을 발생하기 쉬운 상태가 되도록 하고 있다. 또한, 제1 SF로부터 제3 SF까지의 휘도 가중의 합계가 피크 휘도에 대해서7/255로 낮고, 또한 제1 SF로부터 제3 SF까지의 휘도 가중의 합계보다 휘도 가중가 큰 제4 SF 이후 제8 SF까지 연속해서 기입을 행하지 않도록 함으로써, 주위에 비해 밝게 빛나는 방전셀을 이상 점등하는 방전셀로서 용이하게 검출할 수 있도록 하고 있다.
이와 같이, 본 실시의 형태 1에서는, 소정의 서브필드에서 검사 대상의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하고, 적어도 그 직후의 서브필드에서는 검사 대상의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하지 않게 함으로써, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 유지 방전이 발생하여 이상 점등해 버리는 방전셀을 검출하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시의 형태 1에서는, 제1 SF로부터 제3 SF까지 연속해서 기입을 행하고, 제4 SF 이후 제8 SF까지 연속해서 기입을 행하지 않는 구성을 설명했지만, 어떠한 구성으로 한정되는 것은 아니다.
도 8a, 도 8b는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 다른 예를 나타낸 도면이다. 예를 들면, 도 8a에 나타내는 바와 같이, 제1 SF로부터 제4 SF까지 연속해서 기입을 행하고, 제5 SF 이후 제8 SF까지 연속해서 기입을 행하지 않도록 해도 된다. 이 경우에 있어서도, 제1 SF로부터 제3 SF까지의 휘도 가중의 합계는 피크 휘도에 대해서15/255로 낮고, 한편 제1 SF로부터 제4 SF까지의 휘도 가중의 합계보다도 휘도 가중가 큰 제5 SF 이후 제8 SF까지 연속해서 기입을 행하지 않도록 하고 있으므로, 주위에 비해 밝게 빛나는 방전셀을 이상 점등하는 방전셀로서 용이하게 검출할 수 있다.
도 9a, 도 9b는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 예를 들면, 도 9a에 나타내는 바와 같이, 제1 SF에 있어서 기입을 행하지 않고, 제2 SF로부터 제4 SF까지 연속해서 기입을 행하고, 제5 SF 이후 제8 SF까지 연속해서 기입을 행하지 않도록 해도 된다. 또는, 도 9b에 나타내는 바와 같이, 제2 SF에 있어서 기입을 행하지 않고, 제1 SF, 및 제3 SF, 제4 SF에 있어서 기입을 행하고, 제5 SF 이후 제8 SF까지 연속해서 기입을 행하지 않도록 해도 된다. 이와 같이, 예를 들면 제1 SF, 제2 SF와 같은 휘도 가중가 작은 서브필드이면, 그 서브필드에 있어서 기입을 행하지 않아도, 도 7a, 도 7b, 도 8a, 도 8b에 나타낸 바와 같은 효과를 얻을 수 있다.
또, 본 실시의 형태 1에서는, 짝수행, 홀수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B 셀에 있어서, 제1 SF로부터 제3 SF까지 연속해서 기입을 행하고, 제4 SF 이후 제8 SF까지 연속해서 기입을 행하지 않는 구성을 설명했다. 그러나, 어떠한 구성으로 한정되는 것이 아니며, 특정의 행, 또는 특정의 열, 또는 특정의 방전셀에 있어서 이상 점등하는 방전셀을 검출하는 구성으로 해도 된다.
도 10a, 도 10b는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 예를 들면, 도 10a에 나타내는 바와 같이, 짝수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서는, 제1 SF로부터 제8 SF까지의 모든 서브필드에 있어서 기입을 행하지 않고, 홀수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서는, 제1 SF로부터 제3 SF까지 연속해서 기입을 행하고, 제4 SF 이후 제8 SF까지 연속해서 기입을 행하지 않도록 해도 된다. 이 경우, 도 10b에 나타내는 바와 같이, 홀수행에 있는 R셀, G셀, B셀의 각 방전셀에 있어서, 제3 SF로부터 제4 SF에서 점등 상태로부터 비점등 상태로 전환된다. 즉, 제4 SF 이후에 있어서 점등하는 방전셀을 검출함으로써, 홀수행에 있어서의 방전셀의 점등 검사를 행할 수 있다. 이 경우, 홀수행과 짝수행에서 기입 패턴을 바꿔 넣음으로써, 짝수행에 있어서의 점등 검사를 행할 수 있다.
도 11a, 도 11b는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 예를 들면, 도 11a에 나타내는 바와 같이, 짝수행, 홀수행에 있어서의 모든 G셀, B셀에 있어서는, 제1 SF로부터 제8 SF까지의 모든 서브필드에 있어서 기입을 행하지 않고, 짝수행, 홀수행에 있어서의 모든 R셀에 있어서는, 제1 SF로부터 제3 SF까지 연속해서 기입을 행하고, 제4 SF 이후 제8 SF까지 연 속해서 기입을 행하지 않도록 해도 된다. 이 경우, 도 11b에 나타내는 바와 같이, R셀의 각 방전셀에 있어서, 제3 SF로부터 제4 SF에서 점등 상태로부터 비점등 상태로 전환된다. 즉, 제4 SF 이후에 있어서 점등하는 방전셀을 검출함으로써, R셀에 있어서의 방전셀의 점등 검사를 행할 수 있다. 이 경우, R셀과 B셀 또는 G셀에서 기입 패턴을 바꿔 넣음으로써, B셀 또는 G셀에 있어서의 점등 검사를 행할 수 있다.
도 12a, 도 12b는, 본 발명의 실시의 형태 1에 있어서의 기입 패턴의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 예를 들면, 도 12a에 나타내는 바와 같이, 짝수행, 홀수행에 있어서의 모든 G셀, B셀 및 짝수행에 있어서의 모든 R셀에 있어서는, 제1 SF로부터 제8 SF까지의 모든 서브필드에 있어서 기입을 행하지 않고, 홀수행에 있어서의 모든 R셀에 있어서는, 제1 SF로부터 제3 SF까지 연속해서 기입을 행하고, 제4 SF 이후 제8 SF까지 연속해서 기입을 행하지 않도록 해도 된다. 이 경우, 도 12b에 나타내는 바와 같이, 홀수행에 있는 R셀에 있어서, 제3 SF로부터 제4 SF에서 점등 상태로부터 비점등 상태로 전환된다. 즉, 제4 SF 이후에 있어서 점등하는 방전셀을 검출함으로써, 홀수행에 있는 R셀에 있어서의 방전셀의 점등 검사를 행할 수 있다. 이 경우, 홀수행과 짝수행으로 기입 패턴을 바꿔 넣음으로써, 또는 R셀과 B셀 또는 G셀에서 기입 패턴을 바꿔 넣음으로써, 짝수행에 있는 R셀이나, 홀수행 또는 짝수행에 있는 B셀 또는 G셀에 있어서의 점등 검사를 행할 수 있다.
(실시의 형태 2)
실시의 형태 1에서는, 유전체층(24, 33)에 이물이 혼입하거나, 또는 유전체 층(24, 33) 내에 생긴 기포에 의해서 부분적으로 층이 얇아지거나 해버림으로써 방전셀의 방전 개시 전압이 내려가고, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 유지 방전이 발생하고, 점등해 버리는 방전셀을 검출하는 구성에 대해 설명했다. 그러나, 기입이 되지 않은 채 점등해 버리는 방전셀이 발생하는 원인에 대해서는, 이외에도, 예를 들면 격벽(34)의 결손에 의하는 것 등이 있다.
예를 들면, 격벽(34)에 결손 등이 생겨 본래의 높이보다 낮게 형성되어 버리면, 인접하는 방전셀에서의 유지 방전에 의해서 발생한 자외선을 차단하지 못하고, 거기에서 새어 나온 자외선에 의해서 형광체가 여기되어 발광해 버리는 일이 있다. 그리고, 그러한 격벽(34)의 결손 등에 의해서 발생하는 방전셀의 이상 점등은, 실시의 형태 1에 기재한 기입 패턴에서는 검출하는 것이 어렵다.
그래서, 본 실시의 형태 2에서는, 그러한 격벽(34)의 결손 등에 의해서 이상 점등해 버리는 방전셀을 검출하기 위한 기입 패턴에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시의 형태 2에 있어서의 패널(10)의 구조나 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형, 및 점등 검사 장치의 구성 등은 실시의 형태 1에 나타낸 것과 같기 때문에, 설명을 생략한다.
도 13a, 도 13b는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 일례를 나타낸 도면이다. 도 13a에 나타내는 바와 같이, 이 기입 패턴에서는, 홀수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서는, 제1 SF로부터 제3 SF까지 연속해서 기입을 행하고, 제4 SF 이후 제8 SF까지 연속해서 기입을 행하지 않고, 짝수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서는, 제1 SF로부터 제5 SF까지 연속해서 기입을 행하고, 제6 SF 이후 제8 SF까지 연속해서 기입을 행하지 않는다.
따라서, 홀수행에 있는 R셀, G셀, B셀의 각 방전셀이 정상적인 격벽에 의해서 짝수행의 방전셀과 구획되어 있으면, 도 13b에 나타내는 바와 같이, 홀수행에 있는 방전셀은 제3 SF로부터 제4 SF에서 점등 상태로부터 비점등 상태로 전환된다. 즉, 제4 SF 이후에 있어서 점등하는 홀수행의 방전셀을 검출함으로써, 이상 점등하는 방전셀을 검출하는 것이 가능해진다.
이때, 본 실시의 형태 2에서는, 홀수행에 있어서의 점등 서브필드인 제1 SF로부터 제3 SF까지의 휘도 가중의 합계가 피크 휘도에 대해서 7/255로 낮고, 또한 짝수행에 있어서는 제1 SF로부터 제3 SF까지의 휘도 가중의 합계보다 휘도 가중가 큰 제4 SF와 제5 SF에서 연속해서 기입을 행함으로써, 주위에 비해 밝게 빛나는 방전셀을 이상 점등하는 방전셀로서 용이하게 검출할 수 있도록 하고 있다. 또한, 제1 SF로부터 제3 SF까지는 모든 방전셀에서 유지 방전을 발생시킴으로써 충분한 하전 입자를 발생시키고, 그 하전 입자가 다수 잔류하고 있다고 생각되는 제4 SF와 제5 SF에서 검사 대상의 방전셀에 인접하는 방전셀에서 유지 방전을 발생시킴으로써, 격벽(34)의 결손 등에 의한 이상 점등의 발광 강도를 높여, 검출을 보다 용이하게 하고 있다.
이와 같이, 본 실시의 형태 2에서는, 소정의 서브필드에서 검사 대상의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하고, 적어도 그 직후의 서브필드에서는 검사 대상의 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하지 않도록 한다. 또, 검사 대상에 인접하는 방전셀에는 계속해서 펄스 전압을 인가하여 유지 방전을 계속시킴으로써, 격벽(34)의 결손 등에 의해서 인접하는 방전셀로부터 새어 나오는 자외선에 의해서 형광체가 발광하고, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 이상 점등해 버리는 방전셀을 검출할 수 있다.
또한, 본 실시의 형태 2에서는, 홀수행, 짝수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서 제1 SF로부터 제3 SF까지 연속해서 기입을 행하고, 짝수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서는, 계속해서 제4 SF, 제5 SF에서 연속해서 기입을 행하는 구성을 설명했지만, 어떠한 구성으로 한정되는 것은 아니다.
도 14a, 도 14b는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 다른 예를 나타낸 도면이다. 예를 들면, 도 14a에 나타내는 바와 같이, 홀수행, 짝수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서 제1 SF로부터 제4 SF까지 연속해서 기입을 행함과 함께 짝수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서는 계속해서 제5 SF에서 기입을 행하고, 그 이외에서는 기입을 행하지 않도록 해도 된다. 이 경우에 있어서도, 제1 SF로부터 제4 SF까지의 휘도 가중의 합계는 피크 휘도에 대해서15/255로 낮고, 한편 짝수행에 있어서는 제1 SF로부터 제4 SF까지의 휘도 가중의 합계보다도 휘도 가중가 큰 제5 SF에서 기입을 행하고 있으므로, 제5 SF에 있어서 점등하는 홀수행의 방전셀을 검출함으로써, 이상 점등하는 방전셀을 검출할 수 있다. 또한, 도 13a, 도 13b, 도 14a, 도 14b에 나타낸 기입 패턴에 있어서는, 짝수행과 홀수행에서 기입 패턴을 바꿔 넣음으로써, 짝수행의 방전셀에 있어서의 점등 검사를 행할 수 있다.
도 15a, 도 15b는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 또 다 른 예를 나타낸 도면이다. 예를 들면, 도 15a에 나타내는 바와 같이, 홀수행, 짝수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서 제1 SF로부터 제3 SF까지 연속해서 기입을 행함과 함께 홀수행, 짝수행에 있어서의 G셀, B셀에 있어서는 계속해서 제4 SF, 제5 SF에서 연속해서 기입을 행하고, 그 이외에서는 기입을 행하지 않도록 해도 된다. 이 경우, 도 15b에 나타내는 바와 같이, R셀의 각 방전셀에 있어서, 제3 SF로부터 제4 SF에서 점등 상태로부터 비점등 상태로 전환된다. 즉, 제4 SF, 제5 SF에 있어서 점등하는 R셀을 검출함으로써, R셀에 있어서의 방전셀의 점등 검사를 행할 수 있다. 이 경우, R셀과 B셀 또는 G셀에서 기입 패턴을 바꿔 넣음으로써, B셀 또는 G셀에 있어서의 점등 검사를 행할 수 있다.
도 16a, 16b는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 예를 들면, 도 16a에 나타내는 바와 같이, 홀수행, 짝수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서 제1 SF로부터 제4 SF까지 연속해서 기입을 행함과 함께 홀수행, 짝수행에 있어서의 G셀, B셀에 있어서는 계속해서 제5 SF에서 기입을 행하고, 그 이외에서는 기입을 행하지 않도록 해도 된다. 이 경우, 도 16b에 나타내는 바와 같이, R셀의 각 방전셀에 있어서, 제4 SF로부터 제5 SF에서 점등 상태로부터 비점등 상태로 전환된다. 즉, 제5 SF에 있어서 점등하는 R셀을 검출함으로써, R셀에 있어서의 방전셀의 점등 검사를 행할 수 있다. 이 경우, R셀과 B셀 또는 G셀에서 기입 패턴을 바꿔 넣음으로써, B셀 또는 G셀에 있어서의 점등 검사를 행할 수 있다.
도 17a, 도 17b는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 또 다 른 예를 나타낸 도면이다. 예를 들면, 도 17a에 나타내는 바와 같이, 홀수행, 짝수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서 제1 SF로부터 제3 SF까지 연속해서 기입을 행함과 함께 홀수행, 짝수행에 있어서의 G셀, B셀에 있어서 계속해서 제4 SF로부터 제6 SF까지 연속해서 기입을 행하고, 그 이외에서는 기입을 행하지 않도록 해도 된다. 이 경우, 도 17b에 나타내는 바와 같이, R셀의 각 방전셀에 있어서, 제3 SF로부터 제4 SF에서 점등 상태로부터 비점등 상태로 전환된다. 즉, 제4 SF로부터 제6 SF에 있어서 점등하는 R셀을 검출함으로써, R셀에 있어서의 방전셀의 점등 검사를 행할 수 있다. 이 경우, R셀과 B셀 또는 G셀에서 기입 패턴을 바꿔 넣음으로써, B셀 또는 G셀에 있어서의 점등 검사를 행할 수 있다.
도 18a, 도 18b는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 예를 들면, 도 18a에 나타내는 바와 같이, 홀수행, 짝수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서 제1 SF로부터 제3 SF까지 연속해서 기입을 행함과 함께 짝수행에 있어서의 R셀 및 홀수행, 짝수행에 있어서의 G셀, B셀에 있어서 계속해서 제4 SF, 제5 SF에서 연속해서 기입을 행하고, 그 이외에서는 기입을 행하지 않도록 해도 된다. 이 경우, 도 18b에 나타내는 바와 같이, 홀수행에 있는 R셀에 있어서, 제3 SF로부터 제4 SF에서 점등 상태로부터 비점등 상태로 전환된다. 즉, 제4 SF, 제5 SF에 있어서 점등하는 홀수행에 있는 R셀을 검출함으로써, 홀수행에 있어서의 R셀의 점등 검사를 행할 수 있다. 이 경우, 홀수행과 짝수행에서 기입 패턴을 바꿔 넣음으로써, 또는 R셀과 B셀 또는 G셀에서 기입 패턴을 바꿔 넣음으로써, 짝수행에 있는 R셀이나, 홀수행 또는 짝수행에 있는 B셀 또는 G 셀에 있어서의 점등 검사를 행할 수 있다.
또, 본 실시의 형태 2에서는, 필드 내의 최초의 서브필드(제1 SF)로부터 소정의 서브필드(도 13a, 도 13b, 도 15a, 도 15b, 도 17a, 도 17b, 도 18a, 도 18b의 제3 SF, 도 14a, 도 14b, 도 16a, 도 16b의 제4 SF)까지 홀수행, 짝수행에 있어서의 모든 R셀, G셀, B셀에 있어서 연속해서 기입을 행하는 구성을 설명했지만, 어떠한 구성으로 한정되는 것은 아니다. 본 실시의 형태 2에서는, 필드 내의 최초의 서브 필드로부터 소정의 서브필드 직전의 서브필드까지의 사이에, 검사 대상의 방전셀 및 검사 대상의 방전셀에 인접하는 모든 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하는 서브필드를 적어도 1개 설치하면 된다.
도 19a, 도 19b 및 도 20a, 도 20b는, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 기입 패턴의 또 다른 예를 나타낸 도면이다. 도 19a, 도 19b에 나타낸 기입 패턴은 도 16a, 도 16b에 나타낸 기입 패턴과 거의 같다. 또, 도 20a, 도 20b에 나타낸 기입 패턴은 도 17a, 도 17b에 나타낸 기입 패턴과 거의 같다. 다만, 도 19a, 도 19b에 나타낸 기입 패턴이, 도 16a, 도 16b에 나타낸 기입 패턴과 다른 점은, 도 19a에 나타낸 기입 패턴에서는 제1 SF에 있어서의 R셀에 있어서 기입을 행하지 않고, 도 19b에 나타낸 기입 패턴에서는 제2 SF에 있어서의 R셀에 있어서 기입을 행하지 않는 구성으로 한 점이다. 또, 도 20a, 도 20b에 나타낸 기입 패턴이, 도 17a, 도 17b에 나타낸 기입 패턴과 다른 점은, 도 20a에 나타낸 기입 패턴에서는 제1 SF에 있어서의 G셀, B셀에 있어서 기입을 행하지 않고, 도 20b에 나타낸 기입 패턴에서는 제2 SF에 있어서의 G셀, B셀에 있어서 기입을 행하지 않는 구성으로 한 점이다.
이들 도면에 나타내는 바와 같이, 본 실시의 형태 2에 있어서는, 반드시 필드 내의 최초의 서브필드로부터 소정의 서브필드까지의 모든 방전셀에 연속해서 기입을 행할 필요는 없다. 필드 내의 최초의 서브필드로부터 소정의 서브필드 직전의 서브필드까지의 사이에, 검사 대상의 방전셀 및 검사 대상의 방전셀에 인접하는 방전셀에 기입 펄스 전압을 인가하는 서브필드를 적어도 1개 설치함으로써, 점등 검사에 필요한 하전 입자를 발생시킬 수 있다.
또, 검사 대상의 방전셀에 인접하는 방전셀에 있어서는, 소정의 서브필드 직후의 서브필드에서 기입하는 것이 바람직하지만, 반드시 이 구성으로 한정되는 것은 아니다. 소정의 서브필드 직후로부터 3 서브필드 이내의 적어도 1개의 서브필드에 있어서 기입을 행하면, 본 실시의 형태 2에 있어서의 점등 검사를 실시하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서의 점등 검사 장치에 있어서는, 이상 점등하는 방전셀을 검사원이 육안으로 검출하는 것도 가능하다. 그 경우에는, 이상 점등하는 방전셀과 정상적인 방전셀을 식별할 수 있도록, 검사 패턴을 복수 필드 연속시키는 등 해서 충분한 검사 기간을 설치하는 것이 바람직하다.
또는, 이상 점등하는 방전셀과 정상적인 방전셀을 자동으로 식별할 수 있는 CCD 카메라 등을 구비한 식별 장치를 구성하고, 본 실시의 형태 2에 있어서의 점등 검사 장치와 조합하여 이용하는 것도 가능하다. 이 구성에서는, 고속의 식별이 가능하기 때문에, 예를 들면, 1 필드당 1개의 검사 패턴으로 하고, 각종 검사 패턴, 예를 들면 R셀, G셀, B셀간에서의 기입 패턴의 교체나 짝수행과 홀수행에서 기입 패턴의 교체 등을 1 필드마다 전환하여 검사하는 것도 가능하며, 검사 시간의 단축화를 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시의 형태 2에서는, 우물정자 모양으로 격벽(34)을 형성하는 구성을 설명했지만, 행방향의 격벽을 구비하지 않은 구성의 패널에 있어서도 상술과 같이 점등 검사를 행할 수 있다.
또, 본 발명의 실시의 형태 2에서는, 점등 검사 장치를 이용하여 패널의 점등 검사를 행하는 구성을 설명했지만, 본 발명의 점등 검사 방법을 이용함으로써, 각종 구동 회로를 구비한 플라즈마 디스플레이 장치에 대해서도 같은 점등 검사를 행할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시의 형태 2에서는, 제1 SF를 전셀 초기화 서브필드로 하고 제2 SF~제10 SF를 선택 초기화 서브필드로 하는 서브필드 구성을 예로 들어 설명을 행했지만, 반드시 이 서브필드 구성으로 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 모든 서브필드를 선택 초기화 서브필드로 하는 등, 이외의 서브필드 구성이어도 상관없다.
또한, 본 발명의 실시의 형태 2에 있어서 이용한 구체적인 각 수치는, 단지 일례를 든 것에 지나지 않고, 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 사양 등에 맞춰서, 적절히 최적인 값으로 설정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 패널의 점등 검사 방법은, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 점등해버리는 방전셀을 갖는 패널을 검출할 수 있으며, 패널의 점등 검사 방법으로 서 유용하다.
본 발명에 의하면, 기입이 되어 있지 않음에도 불구하고 점등해 버리는 방전셀을 갖는 패널을 검출하기 위한 패널의 점등 검사 방법을 제공된다.

Claims (12)

  1. 행방향으로 형성된 주사 전극 및 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍 및 열방향으로 형성된 데이터 전극을 갖는 방전셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널을,
    상기 방전셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과,
    상기 방전셀에 선택적으로 기입 펄스 전압을 인가하여 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과,
    상기 기입 기간에 있어서 선택된 방전셀에서 휘도 가중에 따른 횟수의 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 서브필드를
    1 필드 기간 내에 복수 설치하여 구동하고,
    상기 방전셀을 점등시키는 서브필드를 조합하여 계조 표시를 행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법으로서,
    소정의 서브필드에서 검사 대상의 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하는 전압 인가 단계와,
    그 직후의 하나 이상의 서브필드에서는 상기 검사 대상의 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하지 않는 전압 비인가 단계를 구비한, 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 전압 비인가 단계는, 그 직후의 서브필드로부터 적 어도 그 필드의 최후의 서브필드까지 상기 검사 대상의 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하지 않는 단계인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법.
  3. 청구항 1에 있어서, 소정의 서브필드 및 그 직후의 하나 이상의 서브필드에서, 상기 검사 대상의 방전셀에 인접하는 방전셀의 적어도 1개의 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하지 않는 단계를 더 구비한, 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법.
  4. 청구항 2에 있어서, 소정의 서브필드 및 그 직후의 하나 이상의 서브필드에서, 상기 검사 대상의 방전셀에 인접하는 방전셀의 적어도 1개의 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하지 않는 단계를 더 구비한, 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법.
  5. 청구항 1에 있어서, 소정의 서브필드 및 그 직후의 하나 이상의 서브필드에서, 상기 검사 대상의 방전셀에 인접하는 방전셀의 적어도 1개의 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하는 단계를 더 구비한, 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법.
  6. 청구항 2에 있어서, 소정의 서브필드 및 그 직후의 하나 이상의 서브필드에서, 상기 검사 대상의 방전셀에 인접하는 방전셀의 적어도 1개의 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하는 단계를 더 구비한, 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법.
  7. 청구항 1에 있어서, 소정의 서브필드에 계속되는 3개의 서브필드 중 적어도 1개의 서브필드에 있어서, 상기 검사 대상의 방전셀에 인접하는 방전셀의 적어도 1개의 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하는 단계를 더 구비한, 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법.
  8. 청구항 2에 있어서, 소정의 서브필드에 계속되는 3개의 서브필드 중 적어도 1개의 서브필드에 있어서, 상기 검사 대상의 방전셀에 인접하는 방전셀의 적어도 1개의 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하는 단계를 더 구비한, 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법.
  9. 청구항 5에 있어서, 필드 내의 최초의 서브필드로부터 소정의 서브필드 직전의 서브필드까지의 사이에, 상기 검사 대상의 방전셀 및 상기 검사 대상의 방전셀에 인접하는 모든 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하는 서브필드를 적어도 1개 설치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법.
  10. 청구항 6에 있어서, 필드 내의 최초의 서브 필드로부터 소정의 서브필드 직 전의 서브필드까지의 사이에, 상기 검사 대상의 방전셀 및 상기 검사 대상의 방전셀에 인접하는 모든 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하는 서브필드를 적어도 1개 설치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법.
  11. 청구항 7에 있어서, 필드 내의 최초의 서브필드로부터 소정의 서브필드 직전의 서브필드까지의 사이에, 상기 검사 대상의 방전셀 및 상기 검사 대상의 방전셀에 인접하는 모든 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하는 서브필드를 적어도 1개 설치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법.
  12. 청구항 8에 있어서, 필드 내의 최초의 서브필드로부터 소정의 서브필드 직전의 서브필드까지의 사이에, 상기 검사 대상의 방전셀 및 상기 검사 대상의 방전셀에 인접하는 모든 방전셀에 상기 기입 펄스 전압을 인가하는 서브필드를 적어도 1개 설치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 점등 검사 방법.
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