KR100936923B1 - 유브이 전사를 이용한 도광판 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 폴리카보네이트나 폴리메틸메타크릴레이트 재질의 합성수지필름;상기 합성수지필름의 어느 일면에 형성되어지되, 제1전주금형판의 패턴가공부에 UV도료를 도포 및 압축 처리함에 의해 전사된 광학패턴을 가지며 자외선 조사에 의해 경화 처리되는 제1광학부;상기 합성수지필름의 타면에 형성되어지되, 제2전주금형판의 패턴가공부에 UV도료를 도포 및 압축 처리함에 의해 전사된 광학패턴을 가지며 자외선 조사에 의해 경화 처리되는 제2광학부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 UV 전사를 이용한 도광판.
- 제 1항에 있어서,상기 제1광학부나 제2광학부의 광학패턴은 확산패턴 또는 프리즘패턴 중에서 선택적으로 형성하거나, 때로는 확산패턴과 프리즘패턴의 복합패턴으로 형성시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 UV 전사를 이용한 도광판.
- 패턴가공부를 갖는 제1 및 제2 전주금형판을 구비하는 제1단계;상기 제1전주금형판의 패턴가공부 상에 UV도료를 도포하는 제2단계;상기 UV도료가 도포된 위로 폴리카보네이트(PC)나 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)에 의한 합성수지필름의 일면을 안착시키되 정렬 배치하는 제3단계;상기 합성수지필름을 제1전주금형판 상에 정렬 배치한 상태에 압착롤러를 이용하여 압착 처리하는 제4단계;상기 제4단계 후에는 자외선을 조사하여 합성수지필름의 일면하측에 위치된 UV도료를 경화시킴에 의해 제1광학부를 형성시키는 제5단계;상기 제2전주금형판의 패턴가공부 상에 UV도료를 도포하는 제6단계;상기 제6단계의 UV도료가 도포된 위로 상기한 제5단계를 통해 만들어진 제1광학부를 갖는 합성수지필름을 분리하여 합성수지필름의 타면을 안착시키되 정렬 배치하는 제7단계;상기 제1광학부를 갖는 합성수지필름을 제2전주금형판 상에 정렬 배치한 상태에 압착롤러를 이용하여 압착 처리하는 제8단계;상기 제8단계 후에는 자외선을 조사하여 합성수지필름의 타면하측에 위치된 UV도료를 경화시킴에 의해 제2광학부를 형성시켜 양면에 광학패턴을 갖는 도광판을 제조하는 제9단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 UV 전사를 이용한 도광판의 제조방법.
- 제 3항에 있어서,상기 도광판의 양면에 형성되는 제1광학부 및 제2광학부는 확산패턴 또는 프리즘패턴 중에서 선택적으로 이루어지거나, 확산패턴과 프리즘패턴의 복합패턴으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 UV 전사를 이용한 도광판의 제조방법.
- 제 3항에 있어서,상기 제1 및 제2 전주금형판과 합성수지필름은 동일 크기의 것을 적용하고 이들 각각에는 모서리의 대응 위치에 각각의 핀홀을 형성시키며, 가이드핀의 배치를 통해 제1 및 제2 전주금형판 상에 합성수지필름을 정렬 배치하여 합성수지필름의 양면에 형성되는 제1광학부와 제2광학부의 양면 얼라인먼트를 맞출 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 UV 전사를 이용한 도광판의 제조방법.
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KR1020090091650A KR100936923B1 (ko) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | 유브이 전사를 이용한 도광판 및 그 제조방법 |
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KR1020090091650A KR100936923B1 (ko) | 2009-09-28 | 2009-09-28 | 유브이 전사를 이용한 도광판 및 그 제조방법 |
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Cited By (2)
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KR101001934B1 (ko) | 2010-07-14 | 2010-12-17 | 주식회사 아이엠글로벌 | 패턴 가공 및 전주도금기술을 이용한 유브이 몰딩 도광판의 제조방법 |
KR101770260B1 (ko) * | 2015-10-16 | 2017-09-22 | 레이젠 주식회사 | 단차가 형성된 도광판 제조용 롤러 및 이를 이용한 도광판 제조 방법 |
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JP2006195012A (ja) | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Toppan Printing Co Ltd | 光拡散層の製造方法、フレネルレンズシートの製造方法、拡散レンズアレイシートの製造方法及び透過型スクリーンの製造方法 |
-
2009
- 2009-09-28 KR KR1020090091650A patent/KR100936923B1/ko active IP Right Grant
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