KR100935409B1 - 메모리 모듈 성능 시험장치 - Google Patents

메모리 모듈 성능 시험장치 Download PDF

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안승진
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Abstract

본 발명은 메모리 모듈 성능 시험장치에 관한 것으로서, 시험할 메모리 모듈을 삽입 또는 인출하기 위하여 시험조건 형성장치를 전후진시킬 때 챔버박스 도어가 연동되어 개폐되도록 함으로써, 메모리 모듈을 신속하고 편리하게 교환할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 메모리 모듈을 꽂을 수 있도록 공간이 형성되는 챔버박스와, 상기 챔버박스의 개구부 상에 위치되도록 슬라이딩 구조로 설치되는 시험조건 형성장치를 포함하는 메모리 모듈 성능 시험장치에 있어서, 상기 시험조건 형성장치의 전후진시 연동되도록 설치되는 링크수단과, 상기 링크수단의 전후진시 연동되어 챔버박스의 일면을 개폐하도록 연결 설치된 챔버박스 도어를 포함하는 것을 특징으로 한다.
메모리, 모듈, 시험, 챔버박스, 링크, 도어

Description

메모리 모듈 성능 시험장치{MEMORY MODULE TEST DEVICE}
본 발명은 메모리 모듈 성능 시험장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 시험할 메모리 모듈을 삽입 또는 인출하기 위하여 시험조건 형성장치를 전후진시킬 때 챔버박스 도어가 연동되어 개폐되도록 함으로써, 메모리 모듈을 신속하고 편리하게 교환할 수 있도록 하는 메모리 모듈 성능 시험장치에 관한 것이다.
최근 각종 컴퓨터에 장착되는 메모리는 모듈화된 제품이 보편적으로 사용되고 있다. 그러나, 메모리 용량 증가, 속도 증가 및 응용프로그램이 다양화 됨에 따라, 기존의 메모리 테스터로는 모듈화된 메모리 제품을 검사하는데 한계가 있다.
따라서, 반도체 생산 업체에서는, 메모리 모듈(Memory Module) 제품을 실제 사용 환경인 데스크 탑(Desk Top)이나 노트북(Note Book)의 마더 보드(Mother Board)에 실장하여 출하하기 전에 미리 반도체를 검사하고 있다.
또한, 메모리 모듈 제조업체는, 양산 공정에서 검사 편의성을 도모하기 위하여 메모리 모듈 성능 시험장치를 사용하고 있다. 상기 메모리 모듈 성능 시험장치는, 메인보드 또는 마더 보드의 메모리 베이스 소켓 상부에 설치된 메모리 모듈 착탈 지그(Memory Module Jig)를 이용하여 메모리 모듈을 삽입한 뒤 테스트한다.
상기한 메모리 모듈 성능 시험장치는, 반도체 제조 공정에서 작업의 유연성을 향상시키고 생산 라인을 정리 정돈할 수 있게 한다. 또한, 생산성을 향상시키고 출하 전 검사를 통해 메모리 모듈의 품질을 향상시킨다.
상기한 바와 같이 메모리 모듈의 시험조건을 형성하고 테스트 하는 메모리 모듈 성능 시험장치(2)는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 메모리 모듈을 꽂을 수 있도록 상부 1면이 개방된 챔버박스(Chamber Box:4)를 구비한다.
상기한 챔버박스(4)는, 보드케이스(Board Case:6)상에 장착된 마더보드(Mother Board:8)위에 설치되고, 상부가 개방된 상태로 설치된다. 또한, 상기 챔버박스(4)내부에는, 마더보드(8)상의 메모리 베이스 소켓(Memory Base Socket:12)에 메모리 모듈 착탈지그(14)가 장착되어 있다. 상기 챔버박스 내부에 설치된 메모리 모듈 착탈지그(14)는, 메모리 베이스 소켓(12)에 테스트하기 위하여 삽입되는 메모리 모듈의 고정과 분리를 용이하게 한다.
그리고, 상기 메모리 모듈 성능 시험장치(2)에는, 챔버박스(4)내부에 열을 가할 수 있는 시험조건 형성장치(16)가 챔버박스(4)의 상부에 설치된다. 상기 시험조건 형성장치(16)는, 미리 설정된 정보에 의하여 적정한 온도의 시험조건을 형성한다.
상기 시험조건 형성장치(16)는, 보드케이스(6)상에 서포트바아(Support Bar:18)로 설치되고 챔버박스(4)의 개방부분을 덮지 않도록 형성된 베이스플레이트(Base Plate:20)위에서 이동되도록 설치된다. 이에 따라, 상기 시험조건 형성장치(16)는, 레일기능을 하도록 베이스플레이트(20)의 양측에 배치된 리니어 부싱샤 프트(Linear Bushing Shaft:22)에 설치된다.
또한, 상기 시험조건 형성장치(16)는, 수동조작에 의하여 리니어 부싱샤프트(22)를 슬라이딩시키도록 리니어부싱(24)으로 2개의 수평바(26)에 장착된다.
이러한 메모리 모듈 성능 시험장치(2)를 이용하여 시험하기 위해서는, 먼저 리니어 부싱샤프트(22)를 따라 시험조건 형성장치(16)를 수동조작으로 후퇴시킨다. 이어서, 시험조건 형성장치(16)의 후퇴로 상부 개방부분이 노출된 챔버박스(4)내에 테스트할 메모리 모듈을 메모리 베이스 소켓(12)에 삽입한 후, 메모리 모듈 착탈지그(14)로 고정한다.
상기한 메모리 모듈의 삽입 고정이 끝나면, 시험조건 형성장치(16)를 전진시켜 챔버박스(4)의 상부를 덮고 샤프트블록(Shaft Block:28)에 록커(Locker:30)를 걸어 고정시킨다. 그리고 나서, 조작스위치(도시 생략)를 온(On)시켜 시험조건 형성장치(16)가 발열하도록 한다.
이에 따라, 상기 시험조건 형성장치(16)는, 미리 설정된 프로그램에 의하여 작동하는 제어부(도시 생략)의 제어신호로 발열하여 챔버박스(4)내부가 일정온도가 되도록 한다. 상기한 챔버박스(4)의 내부에 삽입된 메모리 모듈은, 챔버박스 내부에 형성된 고온에 일정 시간 노출된 상태에서 테스트를 받게 된다.
상기한 메모리 모듈의 테스트가 끝나면, 시험조건 형성장치(16)는, 조작스위치의 오프(Off) 조작에 따른 제어부(도시 생략)의 신호로 정지되어 발열을 멈추게 된다.
상기한 시험조건 형성장치(16)의 작동이 멈추면, 도 2에 도시한 바와 같이, 시험조건 형성장치(16)를 수동으로 후퇴시켜 챔버박스(4)의 개방부분이 노출되도록 한다. 상기 챔버박스(4)의 상부 개방부분을 개구한 후에는, 메모리 모듈 착탈지그(14)를 분리해 테스트가 끝난 메모리 모듈을 분리한 후 다음 공정으로 이동시킨다.
상기한 메모리 모듈 성능 시험장치는, 상기 과정의 반복을 통해 메모리 모듈을 검사할 수 가 있다.
그러나, 이러한 메모리 모듈 성능 시험장치(2)는, 메모리 모듈을 교환하기 위해 시험조건 형성장치(16)를 수동으로 후진시켜 개방되는 챔버박스(4)에서 상부 개방부분을 통해 메모리 모듈을 삽입하거나 인출하게 된다. 상기 메모리 모듈은 챔버박스(4)에서 상부의 개방부분만을 통해 교환이 이루어지다 보니 제품 및 작업자의 손이 메모리 모듈 착탈지그나 챔버박스내의 돌출 부분에 부딪히거나 걸리게 되어 인출 및 수납이 불편한 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해소하기 위하여 제안된 것으로서, 본 발명의 목적은, 시험조건 형성장치의 전후진시에 챔버박스 도어가 연동되어 자동으로 개폐되도록 하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 챔버박스 도어가 시험조건 형성장치의 전후진시 연동되어 개폐되도록 함으로써, 메모리모듈의 교환을 신속하고 편리하게 할 수 있도록 하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 시험조건 형성장치의 전후진시에 챔버박스 도어의 개폐가 연동되도록 하여 수동으로 조작하는 동작을 감소시키는데 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 메모리 모듈을 꽂을 수 있도록 공간이 형성되는 챔버박스와, 상기 챔버박스의 개구부 상에 위치되도록 슬라이딩 구조로 설치되는 시험조건 형성장치를 포함하는 메모리 모듈 성능 시험장치에 있어서, 상기 시험조건 형성장치의 전후진시 연동되도록 설치되는 링크수단과, 상기 링크수단의 전후진시 연동되어 챔버박스의 일면을 개폐하도록 연결 설치된 챔버박스 도어를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 챔버박스 도어는, 챔버박스에 복원스프링을 구비한 경첩으로 설치되는 것을 특징으로 한다.
상기 복원스프링은, 경첩으로 챔버박스에 설치되는 챔버박스 도어를 상시 개구시키도록 설치되는 것을 특징으로 한다.
상기 링크수단은, 시험조건 형성장치에 의하여 푸시되어 회전 왕복운동하도록 힌지블록으로 베이스플레이트에 설치되는 회전링크와, 상기 회전링크와 챔버박스의 도어에 전후진 왕복운동하도록 설치되는 전후진링크를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 회전링크는, 힌지블록의 힌지구멍에 회전할 수 있게 설치되는 링크판과, 상기 링크판의 일측에 전후진링크가 연결되도록 형성되는 베어링장공을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 전후진링크는, 일정 길이로 형성되는 링크몸체와, 상기 링크몸체의 일측에 챔버박스 도어의 연결판에 연결되도록 형성되는 연결부와, 상기 베어링장공에 삽입되도록 링크몸체의 타측에 설치되는 연결용 베어링을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 시험조건 형성장치에는, 링크판의 푸시가 용이하도록 수평바의 일측 베어링샤프트에 설치되는 푸시용 베어링을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 시험조건 형성장치의 전후진시 챔버박스 도어가 연동되어 개폐되도록 함으로써, 사용이 편리한 효과가 있다.
또한, 상기 챔버박스 도어의 개폐가 시험조건 형성장치에 의하여 연동됨에 따라, 수동 조작수가 줄어들어 메모리모듈의 교환을 신속하고 편리하게 할 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 첨부한 도면에 의하여 더욱 상세하게 설명한다 (종래기술에 대한 동일한 구성요소는 동일한 부호를 부여한다).
종래의 메모리 모듈 성능 시험장치(2)는, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 메모리 모듈을 꽂을 수 있도록 공간이 형성되는 챔버박스(4)와, 상기 챔버박스(4) 상에 위치되도록 슬라이딩 구조로 설치되는 시험조건 형성장치(16)를 포함한다.
그리고, 상기 챔버박스(4)에는, 상기 챔버의 전면을 수동 개폐할 수 있는 챔버박스 도어(10)가 설치되어 있다. 또한, 상기 시험조건 형성장치(16)는, 챔버박 스(4)의 상부에 배치되는 베이스플레이트(20)위에 챔버박스(4)의 개방부를 덮도록 슬라이딩구조로 설치된다.
상기한 일반적인 구조는 종래기술에서 설명한 바 있으므로, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
다음으로, 본 발명에 따른 메모리 모듈 성능 시험장치(2)의 특징부를 도 3 내지 도 5를 참조하여 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 메모리 모듈 성능 시험장치(2)는, 메모리 모듈을 꽂을 수 있도록 메모리 베이스 소켓(Memory Base Socket:12)이 구비된 챔버박스(Chamber Box:4)상에 시험조건 형성장치(16)가 설치된다. 상기 챔버박스(4)의 전면을 개폐하도록 설치된 챔버박스 도어(10)는, 시험조건 형성장치(16)의 전후진에 의하여 연동되는 링크수단(32)에 의하여 개폐되도록 설치된다.
상기한 챔버박스 도어(10)는, 도 6에 도시한 바와 같이, 챔버박스(4)에 복원스프링(34)을 구비한 경첩(36)으로 설치된다. 상기 복원스프링(34)은, 외부 작용이 없을 때는 챔버박스 도어(10)가 상시 개구 상태에 있도록 한다.
그리고, 상기 링크수단(32)은, 도 7에 도시한 바와 같이, 시험조건 형성장치(16)에 의하여 푸시되어 회전 왕복운동하도록 힌지블록(Hinge Block:38)으로 베이스플레이트에 (20)설치되는 회전링크(40)를 구비한다. 상기 회전링크(40)는, 힌지블록(38)의 힌지구멍(42)에 회전할 수 있게 링크판(44)이 설치된다. 상기한 힌지블록(38)은, 장공(46)이 형성된 베이스플레이트(20)의 저면에 설치된다. 상기 장공(46)은, 힌지블록(38)의 설치 위치를 조정할 수 있도록 일정 길이로 형성된다.
상기 힌지블록(38)에 설치되는 회전링크(40)의 링크판(44)에는, 일측에 전후진링크(48)가 연결되도록 베어링장공(50)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 회전링크(40)에는, 도 7에 도시한 바와 같이, 일측에 전후진 왕복운동할 수 있도록 전후진링크(48)가 연결된다. 상기 전후진링크(48)는, 챔버박스 도어(10)에 연결된다. 상기 전후진링크(48)는, 일정 길이의 링크몸체(52)를 형성한다. 상기 링크몸체(52)의 일측에는, 챔버박스 도어(10)의 연결판(54)에 연결되는 연결부(56)가 형성되어 있다. 상기한 연결부(56)는, 챔버박스 도어(10)의 연결판(54)에 나사등의 체결수단에 의하여 연결된다. 상기 링크몸체(52)의 타측에는, 회전링크(40)의 베어링장공(46)에 삽입되어 이동하도록 연결용 베어링(58)이 설치되어 있다.
그리고, 상기 시험조건 형성장치(16)에는, 수평바(26)의 일측 베어링샤프트(60)에 푸시용 베어링(62)이 설치되어 있다. 상기한 푸시용 베어링(62)은, 시험조건 형성장치(16)의 전진시 링크판(44)에 대한 접촉이 부드럽게 이루어지도록 한다.
이하, 상기한 바와 같이 이루어지는 본 발명의 작용을 설명한다.
먼저, 리니어 부싱샤프트(Linear Bushing Shaft:22)를 따라 시험조건 형성장치(16)를 수동조작으로 후퇴시킨다. 시험조건 형성장치(16)의 후퇴로, 푸시용 베어링(62)에 의하여 눌려 있던 회전링크(40)는 자유상태가 된다.
이에 따라, 회전링크(40)가, 전후진링크(48)를 구속하지 않게 되므로, 챔버박스 도어(10)는 복원스프링(34)의 탄성력에 의하여 열리게 된다. 이로 인하여 전 후진링크(48)는 전진상태에 있게 되고, 여기에 연결된 회전링크(40)는 기울어진 상태를 유지한다.
상기한 시험조건 형성장치(16)를 후퇴시키기 위해서는, 챔버박스(4)내부를 오픈시킨다. 상기 챔버박스(4)가 오픈되면, 테스트할 메모리 모듈을 메모리 베이스 소켓(12)에 삽입한 후, 메모리 모듈 착탈지그(14)로 고정한다.
상기한 메모리 모듈의 삽입 고정이 끝나면, 시험조건 형성장치(16)를 리니어 부싱샤프트(22)상에서 전진시킨다. 상기 시험조건 형성장치(16)가 전진하여 챔버박스(4) 상부를 거의 덮게 될 때, 수평바(26)의 베어링샤프트(60)에 설치된 푸시용 베어링(62)은 접촉되는 링크수단(32)을 밀게 된다.
즉, 링크수단(32)을 미는 푸시용 베어링(62)은, 힌지블록(38)에 조립되어 기울어져 있는 회전링크(40)의 링크판(44)을 밀게 된다. 상기 링크판(44)에 가해진 푸시력에 의하여 회전링크(40)의 베어링장공(46)은 반시계방향으로 회전한다.
상기 회전링크(40)의 회전은, 베어링장공(46)에 연결용 베어링(58)에 의해 연결되어 있는 전후진링크(48)를 좌측방향으로 당기게 된다. 이에 따라, 전후진링크(48)의 일측에 연결된 챔버박스 도어(10)는, 전후진링크(48)로 당겨져 챔버박스(4)를 닫게 된다. 상기 챔버박스 도어(10)가 닫힘과 동시에, 시험조건 형성장치(16)도 챔버박스(4)의 상부를 완전히 덮게 된다.
상기한 전후진링크(48)가 챔버박스 도어(10)를 당길 때 작용하는 힘은, 경첩(36)에 구비된 복원스프링(34)의 힘보다 크다.
상기 시험조건 형성장치(16)가 챔버박스(4)의 상부를 완전히 덮으면, 샤프트 블록(28)에 록커(30)를 걸어 고정시킨다. 그리고 나서 조작스위치(도시 생략)를 온(On)시켜 시험조건 형성장치(16)가 발열하도록 한다.
상기 시험조건 형성장치(16)는, 미리 설정된 프로그램에 의한 제어부(도시 생략)의 제어신호로 발열하여, 챔버박스(4)내부가 일정 고온이 되도록 한다. 상기한 챔버박스(4)의 내부에 삽입된 메모리 모듈은, 챔버박스(4) 내부에 형성된 고온에 일정 시간 노출된 상태에서 테스트를 받게 된다.
상기한 메모리 모듈의 테스트가 끝나면, 시험조건 형성장치(16)는, 조작스위치의 오프(Off) 조작에 따른 제어부(도시 생략)의 신호로 정지되어 발열을 멈추게 된다. 상기한 시험조건 형성장치(16)의 작동이 멈추면, 록커(30)를 분리시킨다.
이어서, 상기 시험조건 형성장치(16)를, 도 9 내지 도 11에 도시한 바와 같이, 수동조작으로 후퇴시킨다. 상기 시험조건 형성장치(16)의 후퇴로, 가압되고 있던 회전링크(40)는 자유상태가 된다. 상기한 회전링크(40)의 자유상태는, 전후진링크(48)도 자유로운 상태가 되도록 한다. 이에 따라, 상기 전후진링크(48)에 의하여 구속되지 않은 챔버박스 도어(10)는, 복원스프링(34)에 의하여 챔버박스(4)를 열게 된다.
상기한 챔버박스 도어(10)가 열리면, 메모리 모듈 착탈지그(14)를 분리하여 메모리 모듈을 챔버박스(4)내부에서 꺼내어 다음 공정으로 이동시키면 된다. 이후 메모리 모듈의 테스트는, 상기 과정의 반복을 통해 수행하면 된다.
이러한 메모리 모듈 성능 시험장치(2)는, 시험조건 형성장치의 전후진 만으로 연동되는 링크수단에 의하여 챔버박스 도어가 반자동으로 개폐되도록 함으로써, 메모리 모듈의 교환을 쉽게 하고 챔버박스 도어를 열고 닫아야 하는 번거로운 동작을 생략할 수 있다.
본 발명은 테스트할 메모리 모듈을 삽입 및 인출하고자 할 때 전후진되는 시험조건 형성장치에 의하여 챔버박스 도어가 연동되어 개폐되도록 함으로써, 메모리 모듈의 교환을 신속하고 편리하게 할 수 있도록 한 것으로, 메모리 모듈 제조 생산 분야에 널리 이용될 수 있다.
도 1은, 종래기술에 따른 메모리 모듈 성능 시험장치를 도시한 도면.
도 2는, 도 1에 나타낸 시험조건 형성장치의 후퇴상태를 도시한 도면.
도 3은, 본 발명의 실시예에 따른 메모리 모듈 성능 시험장치를 도시한 도면.
도 4는, 도 3에 나타낸 챔버박스가 닫힌 상태의 메모리 모듈 성능 시험장치를 도시한 평면도.
도 5는, 도 4에 나타낸 메모리 모듈 성능 시험장치를 도시한 정면도.
도 6은, 도 3에 나타낸 챔버박스 도어가 구비된 챔버박스를 도시한 도면.
도 7은, 도 3에 나타낸 링크수단을 도시한 도면.
도 8 (a)(b)는, 도 3에 나타낸 메모리 모듈 성능 시험장치의 시험상태를 도시한 도면.
도 9 (a)(b)는, 도 8에 나타낸 챔버박스 도어의 개구시작을 도시한 도면.
도 10 (a)(b)는, 도 9에 나타낸 챔버박스 도어의 완전 개구상태를 도시한 도면.
도 11 (a)(b)는, 도 10에 나타낸 시험조건 형성장치의 완전 후퇴를 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2: 메모리 모듈 성능 시험장치 4: 챔버박스(Chamber Box)
10: 챔버박스 도어 16: 시험조건 형성장치
32: 링크수단 34: 복원스프링(Spring)
40: 회전링크 48: 전후진링크
44: 링크판 50: 베어링장공
52: 링크(Link)몸체 56: 연결부
58: 연결용 베어링 62: 푸시용 베어링(Bearing)

Claims (7)

  1. 메모리 모듈을 꽂을 수 있도록 공간이 형성되는 챔버박스(4)와, 상기 챔버박스(4) 개구부 상에 위치되도록 슬라이딩 구조로 설치되는 시험조건 형성장치(16)를 포함하는 메모리 모듈 성능 시험장치에 있어서,
    상기 시험조건 형성장치(16)의 전후진시 연동되도록 설치되는 링크수단(32)과,
    상기 링크수단(32)의 전후진시 연동되어 챔버박스(4)의 일면을 개폐하도록 연결 설치된 챔버박스 도어(10)를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈 성능 시험장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버박스 도어(10)는, 챔버박스(4)에 복원스프링(34)을 구비한 경첩(36)으로 설치되는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈 성능 시험장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복원스프링(34)은, 경첩(36)으로 챔버박스(4)에 설치되는 챔버박스 도어(10)를 상시 개구시키도록 설치되는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈 성능 시험장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 링크수단(32)은, 시험조건 형성장치(16)를 밀어 회전 왕복운동하도록 힌지블록(38)으로 베이스플레이트(20)에 설치되는 회전링크(40)와, 상기 회전링크(40)와 챔버박스 도어(10)에 전후진 왕복운동하도록 설치되는 전후진링크(48)를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈 성능 시험장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 회전링크(40)는, 힌지블록(38)의 힌지구멍(42)에 회전할 수 있게 설치되는 링크판(44)과, 상기 링크판(44)의 일측에 전후진링크(48)가 연결되도록 형성되는 베어링장공(50)을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈 성능 시험장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 전후진링크(48)는, 일정 길이로 형성되는 링크몸체(52)와, 상기 링크몸체(52)의 일측에 챔버박스 도어(10)의 연결판(54)에 연결되도록 형성되는 연결부(56)와, 상기 베어링장공(50)에 삽입되도록 링크몸체(52)의 타측에 설치되는 연결용 베어링(58)을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈 성능 시험장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 시험조건 형성장치(16)에는, 링크판(44)의 푸시가 용이하도록 수평바(26)의 일측 베어링샤프트(60)에 설치되는 푸시용 베어링(62)을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 모듈 성능 시험장치.
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