KR100934797B1 - 절연게이트 양극성 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 기판 내에 형성된 제1 도전형 컬렉터 이온주입영역;상기 컬렉터 이온주입영역 상에 제1 구획(segment) 버퍼층과 제2 구획 버퍼층을 포함하여 형성된 제2 도전형 제1 버퍼층;상기 기판 표면으로부터 상기 컬렉터 이온주입영역까지 컨택 구조로 형성된 제1 도전형 폴리;상기 제1 도전형 폴리 옆의 상기 기판 영역에 형성된 제2 도전형 제2 버퍼층;상기 제1 버퍼층 상의 기판에 형성된 제1 도전형 베이스영역;상기 베이스영역 일측의 기판상에 형성된 게이트;상기 베이스영역 내에 형성된 제2 도전형 에미터 이온주입 영역을 포함하는 절연게이트 양극성 트랜지스터.
- 제1항에 있어서,상기 기판 위에 형성되고, 상기 게이트 사이의 기판 영역 및 상기 제1 도전형 폴리를 노출시키는 절연층;상기 에미터 이온주입 영역과 전기적으로 연결되도록 형성된 에미터 전극; 및상기 제1 도전형 폴리와 전기적으로 연결되도록 형성된 컬렉터 전극을 포함 하는 것을 특징으로 하는 절연게이트 양극성 트랜지스터.
- 제1항에 있어서,상기 베이스 영역 내의 상기 에미터 이온주입영역의 일측에 형성된 제1 도전형 제1 이온주입영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 절연게이트 양극성 트랜지스터.
- 제3항에 있어서,상기 제1 도전영역 하측에 형성된 제1 도전형 제2 이온주입영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 절연게이트 양극성 트랜지스터.
- 제4항에 있어서, 상기 제1 버퍼층은상기 제2 이온주입영역과 수직 대응되는 위치에 형성된 제1 구획 버퍼층; 및상기 제1 구획 버퍼층 측면에 형성된 제2 구획 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 절연게이트 양극성 트랜지스터.
- 제5항에 있어서,상기 제1 구획 버퍼층의 농도가 상기 제2 구획 버퍼층의 농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 절연게이트 양극성 트랜지스터.
- 기판 내에 제1 도전형 이온 주입을 통해 컬렉터 이온주입영역을 형성하는 단계;상기 컬렉터 이온주입영역 상에 제2 도전형 이온주입을 통해 제1 구획 버퍼층과 제2 구획 버퍼층을 포함하는 제1 버퍼층을 형성하는 단계;상기 제1 버퍼층 상의 기판에 제1 도전형 이온주입을 통해 베이스영역을 형성하는 단계;상기 기판으로부터 상기 컬렉터 이온주입영역까지 트렌치를 형성하는 단계;이온주입공정을 진행하여 상기 트렌치 측면의 상기 기판 영역에 제2 도전형 제2 버퍼층을 형성하는 단계;상기 트렌치에 이온주입된 폴리 실리콘을 매립하여 제1 도전형 폴리를 형성하는 단계;상기 베이스영역 내에 제2 도전형 이온주입을 통해 에미터 이온주입 영역을 형성하는 단계를 포함하는 절연게이트 양극성 트랜지스터의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 도전형 폴리를 형성한 후,상기 베이스영역 일측의 기판상에 게이트를 형성하는 단계;상기 게이트를 감싸는 절연층을 형성하는 단계;상기 에미터 이온주입 영역과 전기적으로 연결되는 에미터 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 도전형 폴리와 전기적으로 연결되는 컬렉터 전극을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 절연게이트 양극성 트랜지스터의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 에미터 이온주입 영역을 형성하는 단계 후에,상기 베이스 영역 내에 제1 도전형 이온주입을 통해 상기 에미터 이온주입영역의 일측에 제1 이온주입영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 절연게이트 양극성 트랜지스터의 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 베이스영역을 형성하는 단계 후에,상기 베이스영역의 하측에 제1 도전형 이온주입을 통해 제2 이온주입영역을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 제1 이온주입영역은 상기 제2 이온주입영역의 상측에 형성되는 것을 특징으로 하는 절연게이트 양극성 트랜지스터의 제조방법.
- 제10항에 있어서,상기 제1 버퍼층을 형성하는 단계는,상기 제2 이온주입영역과 수직 대응되는 위치에 제1 구획 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 제1 구획 버퍼층 측면에 제2 구획 버퍼층을 형성하는 단계;를 포함하 고,상기 제1 구획 버퍼층의 농도가 상기 제2 구획 버퍼층의 농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 절연게이트 양극성 트랜지스터의 제조방법.
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