KR100934402B1 - 알에프 스플리트 모니터링 시스템 - Google Patents
알에프 스플리트 모니터링 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100934402B1 KR100934402B1 KR1020090084069A KR20090084069A KR100934402B1 KR 100934402 B1 KR100934402 B1 KR 100934402B1 KR 1020090084069 A KR1020090084069 A KR 1020090084069A KR 20090084069 A KR20090084069 A KR 20090084069A KR 100934402 B1 KR100934402 B1 KR 100934402B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- power
- unit
- network unit
- distribution network
- shower head
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
- H05H1/466—Radiofrequency discharges using capacitive coupling means, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2242/00—Auxiliary systems
- H05H2242/20—Power circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (4)
- 고주파 RF 파워를 발생시키는 고주파발생부(110);상기 고주파발생부(110)로부터 공급되는 RF 파워의 플라즈마 임피던스를 매칭시키는 매칭네트워크부(120);상기 매칭네트워크부(120)에 의해 임피던스 매칭된 RF 파워를 복수개로 분할된 샤워헤드(130)에 각각 균일하게 분배되도록 하는 분배네트워크부(140);상기 분배네트워크부(140)로부터 각각의 샤워헤드(130)에 분배되는 RF 파워를 감시하는 센서부(150);상기 센서부(150)의 감시 결과 RF 파워가 각각의 샤워헤드(130)에 균일하게 분배되지 않을 경우 RF 파워가 상기 임피던스 변화에 따라 조절되도록 임피던스를 가변시키는 션트부(160); 및상기 고주파발생부(110), 매칭네트워크부(120), 분배네트워크부(140), 센서부(150) 및 션트부(160)에 각각 전기적으로 접속되며 상기 센서부(150)의 감시 결과를 토대로 션트부(160)를 제어하여 상기 샤워헤드(130)에 균일한 RF 파워가 분배되도록 하는 제어부(170)를 포함하며,상기 분배네트워크부(140)는,상기 복수개의 샤워헤드(130)에 연결되어 상호간 RF 파워를 수신하는 RF 전극 역할을 하는 플레이트(141);상기 플레이트(141)에 복수개의 샤워헤드(130)에 각각 대응되도록 구비되어 선택적으로 온/오프되는 RF 스위치(142);상기 RF 스위치(142)에 연결되는 커패시터(C)와 인덕터(L)로 구성된 동조회로(143); 및상기 동조회로(143)와 샤워헤드(130)에 연결되는 케이블(144)을 포함하고,상기 센서부(150)는,상기 분배네트워크부(140)의 RF 파워가 흐르는 케이블(144)에 구비되어 RF 전압을 리딩하여 RF 파워를 감지하는 저압센서 및 전압감지보드, 코어를 이용하여 케이블(144)에 흐르는 전류를 리딩하여 RF 파워를 감지하는 전류센서 및 상기 케이블(144)과 샤워헤드(130)를 연결한 상태에서 전압이나 전류를 리딩하여 RF 파워를 감지하는 Vpp 및 전류센서 중 적어도 어느 하나를 포함하며,상기 션트부(160)는,상기 분배네트워크부(140)의 케이블(144)에 연결되는 가변 커패시터(VC)와 상기 가변 커패시터(VC)를 조절하는 DC모터(M)로 구성되는 것을 특징으로 하는 알에프 스플리트 모니터링 시스템.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090084069A KR100934402B1 (ko) | 2009-09-07 | 2009-09-07 | 알에프 스플리트 모니터링 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090084069A KR100934402B1 (ko) | 2009-09-07 | 2009-09-07 | 알에프 스플리트 모니터링 시스템 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100934402B1 true KR100934402B1 (ko) | 2009-12-31 |
Family
ID=41684860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090084069A KR100934402B1 (ko) | 2009-09-07 | 2009-09-07 | 알에프 스플리트 모니터링 시스템 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100934402B1 (ko) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019139395A1 (ko) * | 2018-01-11 | 2019-07-18 | (주)이큐글로벌 | 소스 매처 |
KR20200104269A (ko) * | 2016-07-25 | 2020-09-03 | 램 리써치 코포레이션 | 복수의 스테이션들에서 웨이퍼 보우 제어 |
KR20200143315A (ko) * | 2015-10-26 | 2020-12-23 | 램 리써치 코포레이션 | 복수 출력 무선주파수 매칭 모듈 및 연관된 방법들 |
KR20210002181A (ko) * | 2019-06-27 | 2021-01-07 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법 |
CN114080864A (zh) * | 2019-07-12 | 2022-02-22 | 日新电机株式会社 | 等离子体控制系统及等离子体控制程序 |
KR102399398B1 (ko) * | 2021-09-27 | 2022-05-18 | 아리온주식회사 | 알에프 스플리트 조정 시스템 |
KR102426859B1 (ko) * | 2022-04-14 | 2022-08-01 | (주)코템 | 산소 음이온을 이용한 악취가스 제거장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0158518B1 (ko) * | 1994-08-23 | 1999-02-01 | 이노우에 아키라 | 플라스마 장치 |
KR0184675B1 (ko) * | 1991-07-24 | 1999-04-15 | 이노우에 쥰이치 | 챔버내의 전극에 있어서의 실제의 rf파워를 검출 및 제어 가능한 플라즈마 처리장치 |
JP2003124121A (ja) | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
JP2003229362A (ja) | 2001-10-09 | 2003-08-15 | Applied Materials Inc | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
-
2009
- 2009-09-07 KR KR1020090084069A patent/KR100934402B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0184675B1 (ko) * | 1991-07-24 | 1999-04-15 | 이노우에 쥰이치 | 챔버내의 전극에 있어서의 실제의 rf파워를 검출 및 제어 가능한 플라즈마 처리장치 |
KR0158518B1 (ko) * | 1994-08-23 | 1999-02-01 | 이노우에 아키라 | 플라스마 장치 |
JP2003124121A (ja) | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
JP2003229362A (ja) | 2001-10-09 | 2003-08-15 | Applied Materials Inc | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220106951A (ko) * | 2015-10-26 | 2022-08-01 | 램 리써치 코포레이션 | 복수 출력 무선주파수 매칭 모듈 및 연관된 방법들 |
KR20200143315A (ko) * | 2015-10-26 | 2020-12-23 | 램 리써치 코포레이션 | 복수 출력 무선주파수 매칭 모듈 및 연관된 방법들 |
KR102586744B1 (ko) * | 2015-10-26 | 2023-10-06 | 램 리써치 코포레이션 | 복수 출력 무선주파수 매칭 모듈 및 연관된 방법들 |
US11038483B2 (en) | 2015-10-26 | 2021-06-15 | Lam Research Corporation | Multiple-output radiofrequency matching module and associated methods |
KR102311053B1 (ko) * | 2015-10-26 | 2021-10-08 | 램 리써치 코포레이션 | 복수 출력 무선주파수 매칭 모듈 및 연관된 방법들 |
KR20200104269A (ko) * | 2016-07-25 | 2020-09-03 | 램 리써치 코포레이션 | 복수의 스테이션들에서 웨이퍼 보우 제어 |
KR102188339B1 (ko) | 2016-07-25 | 2020-12-09 | 램 리써치 코포레이션 | 복수의 스테이션들에서 웨이퍼 보우 제어 |
KR20190085635A (ko) * | 2018-01-11 | 2019-07-19 | (주)이큐글로벌 | 소스 매처 |
KR102024185B1 (ko) * | 2018-01-11 | 2019-09-23 | (주)이큐글로벌 | 소스 매처 |
CN111819655A (zh) * | 2018-01-11 | 2020-10-23 | Eq全球株式会社 | 源匹配器 |
WO2019139395A1 (ko) * | 2018-01-11 | 2019-07-18 | (주)이큐글로벌 | 소스 매처 |
CN111819655B (zh) * | 2018-01-11 | 2023-07-14 | Eq全球株式会社 | 源匹配器 |
KR102256216B1 (ko) * | 2019-06-27 | 2021-05-26 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법 |
US11437220B2 (en) | 2019-06-27 | 2022-09-06 | Semes Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and method of operating the same |
KR20210002181A (ko) * | 2019-06-27 | 2021-01-07 | 세메스 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법 |
CN114080864A (zh) * | 2019-07-12 | 2022-02-22 | 日新电机株式会社 | 等离子体控制系统及等离子体控制程序 |
KR102399398B1 (ko) * | 2021-09-27 | 2022-05-18 | 아리온주식회사 | 알에프 스플리트 조정 시스템 |
TWI802211B (zh) * | 2021-09-27 | 2023-05-11 | 成霆科技有限公司 | 射頻分流調整系統 |
KR102426859B1 (ko) * | 2022-04-14 | 2022-08-01 | (주)코템 | 산소 음이온을 이용한 악취가스 제거장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100934402B1 (ko) | 알에프 스플리트 모니터링 시스템 | |
US6174450B1 (en) | Methods and apparatus for controlling ion energy and plasma density in a plasma processing system | |
KR100915613B1 (ko) | 펄스 플라즈마 매칭시스템 및 그 방법 | |
CN101552187B (zh) | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | |
KR100805138B1 (ko) | Rf 바이어스를 제어하는 플라즈마 처리 방법 및 장치 | |
TWI538051B (zh) | 電漿處理裝置 | |
JP4897195B2 (ja) | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の製造方法 | |
US8689733B2 (en) | Plasma processor | |
KR101099714B1 (ko) | 다중 전극을 제어하는 장치 및 플라즈마 처리 시스템 | |
JP2003529216A (ja) | 複合セグメント電極に供給される電力を制御するための方法並びに装置 | |
US20020025388A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US8674255B1 (en) | Apparatus and method for controlling etch uniformity | |
CN101989524A (zh) | 一种阻抗匹配器及等离子体处理设备 | |
US11901157B2 (en) | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution | |
US20170071053A1 (en) | Device for feeding high-frequency power and substrate processing apparatus having the same | |
US20100148769A1 (en) | Non-contact plasma-monitoring apparatus and method and plasma processing apparatus | |
KR20230021755A (ko) | 이온 에너지 분포를 제어하기 위한 장치 및 방법들 | |
KR101710680B1 (ko) | 플라즈마 발생모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치 | |
KR102399398B1 (ko) | 알에프 스플리트 조정 시스템 | |
JP3288350B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
KR102464626B1 (ko) | 플라스마 처리 장치 및 제어 방법 | |
US11488802B2 (en) | Semiconductor device for condition-controlled radio frequency system | |
KR20120048417A (ko) | 플라즈마 임피던스 매칭 장치 및 그 방법 | |
KR101151421B1 (ko) | Rf 전력 분배 장치 및 rf 전력 분배 방법 | |
KR20170030892A (ko) | 플라즈마 발생 장치, rf 신호 공급 방법 및 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121004 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131223 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141013 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151203 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161221 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180119 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200122 Year of fee payment: 11 |