KR20200143315A - 복수 출력 무선주파수 매칭 모듈 및 연관된 방법들 - Google Patents

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Abstract

복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 RF (radiofrequency) 신호들을 분배하는 방법으로서, 상기 방법은: RF 생성기로부터 RF 신호들을 수신하도록 연결된 입력 단말 및 대응하는 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 RF 신호들을 공급하도록 연결된 복수의 출력 단말들을 포함하는 매칭 모듈을 준비(having)하는 단계로서, 상기 입력 단말은 입력 노드에 연결되고, 상기 매칭 모듈은 상기 입력 노드에 연결된 제 1 단말 및 기준 접지 전위에 연결된 제 2 단말을 갖는 부하 커패시터 (load capacitor)를 포함하고, 상기 매칭 모듈은, 각각이 상기 입력 노드에 연결된 각각의 진입 (ingress) 단말 및 상기 복수의 출력 단말들 중 각각 하나의 출력 단말에 연결된 각각의 진출 (egress) 단말을 갖는 복수의 RF 신호 전달 브랜치들을 포함하고, 상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각은 적어도 하나의 가변 임피던스 장치를 각각 포함하는, 상기 준비하는 단계; 상기 RF 신호들을 상기 매칭 모듈의 상기 입력 단말에 송신하는 단계; 및 상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 RF 신호 전달 파라미터의 특정된 분배 (specified distribution) 를 제공하는 동시에, 상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들 각각에 존재하는 플라즈마 부하들의 임피던스들을 상기 RF 생성기에서의 임피던스와 실질적으로 매칭하도록 상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각에서 상기 적어도 하나의 가변 임피던스 장치를 제어하는 단계를 포함한다..

Description

복수 출력 무선주파수 매칭 모듈 및 연관된 방법들{MULTIPLE-OUTPUT RADIOFREQUENCY MATCHING MODULE AND ASSOCIATED METHODS}
본 발명은 반도체 디바이스 제조와 관련된다.
많은 현대 반도체 칩 제조 프로세스들은, 플라즈마에 노출된 기판의 표면 상의 변화에 직접적으로 또는 간접적으로 영향을 주기 위해 사용되는 이온들 및/또는 라디칼 구성성분들이 도출되는 플라즈마의 생성을 포함한다. 예를 들어, 다양한 플라즈마-기반 프로세스들은 기판 표면으로부터 재료를 에칭하고, 기판 표면 상에 재료를 증착하고, 또는 기판 표면 상에 이미 존재하는 재료를 개질하도록 사용될 수 있다. 종종 프로세스 가스가 에너자이징되고 (energize) 목표된 플라즈마로 변환되도록, 제어된 분위기에서 프로세스 가스에 RF (radiofrequency) 전력을 인가함으로써 플라즈마가 생성된다. 플라즈마의 특성들은 이로 제한되는 것은 아니지만, 무엇보다도 프로세스 가스의 재료 조성, 프로세스 가스의 플로우 레이트, 플라즈마 생성 영역 및 주변 구조체들의 기하학적 특징들, 프로세스 가스 및 주변 재료들의 온도들, 인가된 RF 전력의 주파수, 및 인가된 RF 전력의 크기를 포함하는 많은 프로세스 파라미터들에 의해 영향을 받는다. 따라서, 생성된 플라즈마의 특성들에 영향을 줄 수도 있는, 특히 플라즈마 생성 영역으로의 RF 전력의 전달에 관한 일부 프로세스 파라미터들을 이해, 모니터링, 그리고/또는 제어하는 것에 관심을 둔다. 이러한 맥락에서 본 발명이 발생하였다.
일 예시적인 실시예에서, 매칭 모듈이 개시된다. 매칭 모듈은 하나 이상의 RF 생성기들로부터 RF 신호들을 수신하도록 연결된 입력 단말을 포함한다. 입력 단말은 입력 노드에 연결된다. 매칭 모듈은 입력 노드에 연결된 제 1 단말 및 기준 접지 전위에 연결된 제 2 단말을 갖는 부하 커패시터를 포함한다. 부하 커패시터는 가변 커패시터로서 구성된다. 매칭 모듈은 복수의 RF 신호 전달 브랜치들을 포함하고, 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각은 입력 노드에 연결된 각각의 진입 (ingress) 단말 및 매칭 모듈의 복수의 출력 단말들 중 각각 하나의 출력 단말에 연결된 각각의 진출 (egress) 단말을 갖는다. 매칭 모듈의 복수의 출력 단말들 각각은 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 중 상이한 플라즈마 프로세싱 스테이션/챔버로 RF 신호들을 전달하도록 연결된다. 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각은 각각의 진입 단말과 진출 단말 사이에 직렬 방식으로 전기적으로 연결된 대응하는 인덕터 및 대응하는 튜닝 커패시터를 포함한다. 튜닝 커패시터 각각은 각각의 가변 커패시터로서 구성된다.
일 예시적인 실시예에서, 반도체 기판 프로세싱을 위한 시스템이 개시된다. 시스템은 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들을 포함한다. 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 각각은 플라즈마 프로세싱 스테이션/챔버 내에서 플라즈마를 생성하기 위해 RF 신호들이 송신되는 RF 입력 라인을 각각 포함한다. 시스템은 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들의 RF 입력 라인들로의 송신을 위한 RF 신호들을 생성하도록 구성된 RF 전력 소스를 포함한다. 시스템은 RF 전력 소스와 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들의 RF 입력 라인들 사이에 연결된 매칭 모듈을 포함한다. 매칭 모듈은 RF 전력 소스로부터의 RF 신호들을 수신하기 위해 연결된 입력 단말을 포함한다. 입력 단말은 매칭 모듈 내 입력 노드에 연결된다. 매칭 모듈은 입력 노드에 연결된 제 1 단말 및 기준 접지 전위에 연결된 제 2 단말을 갖는 부하 커패시터를 포함한다. 부하 커패시터는 가변 커패시터로서 구성된다. 매칭 모듈은 복수의 RF 신호 전달 브랜치들을 포함하고, 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각은 입력 노드에 연결된 각각의 진입 단말 및 매칭 모듈의 복수의 출력 단말들 중 각각 하나의 출력 단말에 연결된 각각의 진출 단말을 갖는다. 매칭 모듈의 복수의 출력 단말들 각각은 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 중 상이한 플라즈마 프로세싱 스테이션/챔버의 RF 입력 라인으로 RF 신호들을 전달하도록 연결된다. 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각은 각각의 진입 단말과 진출 단말 사이에 직렬 방식으로 전기적으로 연결된 대응하는 인덕터 및 대응하는 튜닝 커패시터를 포함한다. 튜닝 커패시터 각각은 각각의 가변 커패시터로서 구성된다. 시스템은 또한 복수의 RF 신호 전달 브랜치들의 부하 커패시터 및 튜닝 커패시터들의 커패시턴스 설정들을 제어하도록 매칭 모듈로 제어 신호들을 송신하도록 구성된다.
일 예시적인 실시예에서, 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들로 RF 신호들을 분배하기 위한 방법이 개시된다. 방법은 RF 신호들을 생성하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 생성된 RF 신호들을 매칭 모듈의 입력 단말로 송신하는 단계를 포함한다. 매칭 모듈은 입력 단말에 연결된 입력 노드를 포함한다. 매칭 모듈은 또한 입력 노드에 연결된 제 1 단말 및 기준 접지 전위에 연결된 제 2 단말을 갖는 부하 커패시터를 포함한다. 부하 커패시터는 가변 커패시터로서 구성된다. 매칭 모듈은 또한 복수의 RF 신호 전달 브랜치들을 포함하고, 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각은 입력 노드에 연결된 각각의 진입 단말 및 매칭 모듈의 복수의 출력 단말들 중 각각 하나의 출력 단말에 연결된 각각의 진출 단말을 갖는다. 매칭 모듈의 복수의 출력 단말들 각각은 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 중 상이한 플라즈마 프로세싱 스테이션/챔버의 RF 입력 라인으로 RF 신호들을 전달하도록 연결된다. 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각은 각각의 진입 단말과 진출 단말 사이에 직렬 방식으로 전기적으로 연결된 대응하는 인덕터 및 대응하는 튜닝 커패시터를 포함한다. 튜닝 커패시터 각각은 각각의 가변 커패시터로서 구성된다. 방법은 또한 복수의 RF 신호 전달 브랜치들의 진출 단말들에 미리 결정된 분포의 RF 신호 전달 파라미터를 제공하도록 부하 커패시터 및 복수의 RF 신호 전달 브랜치들의 튜닝 커패시터 각각의 각각의 커패시턴스 값들을 설정하는 단계를 포함한다. RF 신호 전달 파라미터는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압, 또는 이들의 임의의 조합이다.
일 예시적인 실시예에서, 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 간의 RF 신호 전달 파라미터를 밸런싱하는 방법이 개시된다. 방법은 RF 신호들을 생성하기 위해 RF 전력 소스를 동작시키는 단계를 포함한다. 방법은 또한 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들로 RF 신호들을 분배하기 위해 매칭 모듈에 연결하는 단계를 포함한다. 매칭 모듈은 RF 전력 소스로부터 RF 신호들을 수신하도록 연결된 입력 노드를 포함한다. 매칭 모듈은 또한 입력 노드에 연결된 제 1 단말 및 기준 접지 전위에 연결된 제 2 단말을 갖는 부하 커패시터를 포함한다. 부하 커패시터는 가변 커패시터로서 구성된다. 매칭 모듈은 또한 복수의 RF 신호 전달 브랜치들을 포함하고, 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각은 입력 노드에 연결된 각각의 진입 단말 및 매칭 모듈의 복수의 출력 단말들 중 각각 하나의 출력 단말에 연결된 각각의 진출 단말을 갖는다. 매칭 모듈의 복수의 출력 단말들 각각은 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 중 상이한 플라즈마 프로세싱 스테이션/챔버의 RF 입력 라인으로 RF 신호들을 전달하도록 연결된다. 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각은 각각의 진입 단말과 진출 단말 사이에 직렬 방식으로 전기적으로 연결된 대응하는 인덕터 및 대응하는 튜닝 커패시터를 포함한다. 튜닝 커패시터 각각은 각각의 가변 커패시터로서 구성된다. 방법은 또한 입력 노드에 존재하는 매칭 모듈의 임피던스가 RF 전력 소스의 출력의 임피던스와 실질적으로 매칭하도록 부하 커패시터의 커패시턴스 값 및 복수의 RF 신호 전달 브랜치들의 튜닝 커패시터 각각의 각각의 커패시턴스 값들을 설정하는 단계를 포함한다. 튜닝 커패시터 각각은 동일한 커패시턴스 값으로 설정된다. 방법은 또한 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 간의 RF 신호 전달 파라미터의 밸런싱을 획득하기 위해 복수의 RF 신호 전달 브랜치들의 튜닝 커패시터들의 커패시턴스 값들을 반복적으로 조정하는 단계를 포함하고, RF 신호 전달 파라미터는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압, 또는 이들의 임의의 조합이다.
본 발명의 다른 양태들 및 장점들은 예로서 본 발명을 예시하는 첨부된 도면들과 함께 취해진, 이하의 상세한 기술로부터 보다 명백해질 것이다.
도 1은 단일 출력 "L" 토폴로지 RF 매칭 네트워크의 개략도를 도시한다.
도 2는 본 발명의 일부 예시적인 실시예들에 따른, 하나 이상의 반도체 기판들의 플라즈마 프로세싱을 위한 시스템을 도시한다.
도 3a는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 매칭 모듈의 개략도를 도시한다.
도 3b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 매칭 모듈의 대안적인 개략도를 도시한다.
도 4a는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 도 3a에 도시된 바와 같은 매칭 모듈의 예시적인 구현예를 도시한다.
도 4b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 플라즈마 부하들이 임밸런싱되고 (imbalance), 요구된 임피던스 매칭을 유지하도록 2 개의 튜닝 커패시터들 중 하나가 조정되는, 도 4a의 매칭 모듈의 예시적인 구현예를 도시한다.
도 4c는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 플라즈마 부하들이 임밸런싱되고, 요구된 임피던스 매칭을 유지하도록 2 개의 튜닝 커패시터들 중 또 다른 하나가 조정되는, 도 4a의 매칭 모듈의 예시적인 구현예를 도시한다.
도 4d는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 플라즈마 부하들이 임밸런싱되고, 요구된 임피던스 매칭을 유지하도록 2 개의 튜닝 커패시터들 양자가 조정되는, 도 4a의 매칭 모듈의 예시적인 구현예를 도시한다.
도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들로 RF 신호들을 분배하기 위한 방법의 플로우차트를 도시한다.
도 6은 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 매칭 모듈로부터 RF 신호들을 수신하도록 연결된 복수의 스테이션들/챔버들 간의 RF 신호 전달 파라미터를 밸런싱을 이루기 위한 방법의 플로우차트를 도시하고, 여기서 RF 신호 전달 파라미터는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압, 또는 이들의 임의의 조합이다.
이하의 기술에서, 본 발명의 전체적인 이해를 제공하기 위해 다수의 구체적인 상세들이 언급된다. 그러나, 본 발명은 이들 구체적인 상세들의 일부 또는 전부 없이 실시될 수도 있다는 것이 당업자에게 자명할 것이다. 다른 예들에서, 공지의 프로세스 동작들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 기술되지 않았다.
MSSD (Multi-Station Sequential Deposition) PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 툴들 (및 다른 플라즈마 프로세싱 툴들) 은 단일의 RF 매칭 네트워크로 적어도 하나의 RF 소스를 도입하고, RF 매칭 네트워크로부터 분리된 일부 RF 분배 시스템을 통해 복수의 (일반적으로 4 개) 프로세스 스테이션들/챔버들로 RF 신호들을 분배한다. 복수의 프로세스 스테이션들/챔버들로 RF 신호들을 분배하는 방법은 임피던스에 대해 잘 매칭된 RF 분배 시스템의 레그 (leg) 각각에 의존한다. 그러나, RF 분배 시스템의 복수의 레그들이 잘 매칭되더라도, 스테이션/챔버 각각에서 플라즈마 임피던스들은 매칭되지 않을 수도 있고 전력 임밸런싱이 스테이션/챔버 사이에서 (from station/chamber-to-station/chamber) 일어날 수 있다. 더구나, 일부 플라즈마 프로세싱 애플리케이션들에서, 일부 스테이션들/챔버들은 복수의 스테이션/챔버 툴 내 스테이션들/챔버들의 총 수보다 적은 스테이션들/챔버들로 들어오는 (incoming) RF 전력이 분배되도록 가끔은 턴오프된다. 관례적인 시스템들에서, 다른 스테이션들/챔버들이 동작하는 동안, 복수의 스테이션/챔버 툴 내 스테이션/챔버를 턴 오프하기 위해, RF 스위치들 및 부가적인 수동 컴포넌트들을 포함하여, 부가적인 RF 분배 시스템 하드웨어가 필요하다. RF 스위치들 및 부가적인 수동 컴포넌트들이 부가될 때, RF 분배 시스템의 레그 각각은 점점 임밸런싱된다. 스테이션/챔버 사이의 전력 밸런싱과 개선된 RF 분배 옵션들 간의 타협점은 RF 분배 시스템 내 차선의 (sub-optimal) 하드웨어를 발생시킨다. 단일 부하 객체가 아니라 미리 규정된 제약들에 분배된 부하들의 임피던스를 동시에 매칭하는 MSD (Multi-Station/Chamber Deposition) (순차적이고 정적인) 플라즈마 애플리케이션들에 적합한 자동 RF 매칭 및 통합된 RF 분배 네트워크를 제공하기 위한 매칭 모듈이 본 명세서에 개시된다.
반도체 산업계에서 QSM (Quad Station/Chamber Module) 시스템들의 사용시 변곡점은 MSSD 모드에서 수행되지 않는 증가하는 수의 플라즈마 프로세싱 애플리케이션들이다. 예를 들어, 일부 ALD (atomic layer deposition) 산화물 프로세스들에서, 4 개의 웨이퍼들이 QSM 시스템 내에 로딩되고, 모든 4 개의 웨이퍼들은 동시에 프로세싱된다. 이어서, 모든 4 개의 웨이퍼들이 QSM 시스템으로부터 제거된다. MSSD 모드 내에서 수행되지 않는 플라즈마 프로세싱 애플리케이션들은 스테이션/챔버 임피던스 매칭 과제들을 발생시키는 기준 시스템의 취약성을 노출한다. 예를 들어, 플라즈마 프로세싱 애플리케이션들에서, 스테이션/챔버 당 전달된 RF 전력의 양은 테이션/챔버-투-스테이션/챔버 증착 레이트 차를 보상하도록 의도적으로 오프셋된다. 스테이션/챔버 사이의 RF 전력의 오프셋은 RF 매칭 네트워크로부터 분리되어 구현되는 레시피-제어가능한, 동력화된 (motorized) 커패시터들을 갖는 전용 RF 하드웨어를 사용하여 달성될 수도 있다. 이 타입의 오프셋-가능 시스템은 단일 출력 "L" 토폴로지 RF 매칭 네트워크에 의해 제공된 주파수 당 2 개의 축의 가변 임피던스에 더하여 주파수 당 8 개의 축의 가변 임피던스를 도입한다. 도 1은 단일 출력 "L" 토폴로지 RF 매칭 네트워크의 개략도를 도시한다. 도 1의 RF 매칭 네트워크는 RF 신호 주파수 당 2 개의 축의 가변 임피던스를 포함한다. 도 1의 RF 매칭 네트워크에서, 직렬 부하 커패시터 (CL) 가 인덕터 (L) 에 직렬로 연결된다. 그리고, 인덕터 (L) 의 다운스트림에 병렬 커패시터 (CT) 가 있다. 부가적으로, RF 매칭 네트워크로부터 분리되어 구현된 레시피-제어가능한, 동력화된 커패시터들을 갖는 전용 RF 하드웨어를 포함하는 RF 전력 전달 장치는 많은 관심 있는 프로세스들에서 일어날 수 있는 광범위한 임피던스들에 매칭하도록 제한된 능력을 갖는다. 본 명세서에 개시된 매칭 모듈은, RF 매칭 모듈로부터 분리되어 구현된 전용 RF 하드웨어의 사용을 요구하지 않고, 스테이션/챔버-투-스테이션/챔버 증착 레이트 차들 및/또는 다른 플라즈마 프로세스 파라미터들을 보상하기 위해 상이한 스테이션들/챔버들로 전달된 RF 전력의 의도적인 오프셋을 제공한다.
도 2는 본 발명의 일부 예시적인 실시예들에 따른, 하나 이상의 반도체 기판들의 플라즈마 프로세싱을 위한 시스템 (100) 을 도시한다. 시스템 (100) 은 매칭 모듈 (137) 에 의해 RF 전력 소스 (145) 로부터 RF 신호들을 수신하도록 연결된 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 을 포함한다. 구체적으로, 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 각각은 플라즈마 프로세싱 스테이션/챔버 (101) 내에서 플라즈마 (111) 를 생성하도록 RF 신호들이 송신되는, RF 입력 라인 (103) 을 각각 포함한다. RF 입력 라인 (103) 을 통해 수신된 RF 신호들은 스테이션/챔버 (101) 내의 하나 이상의 전극들 (105) 로 지향된다. 하나 이상의 전극들 (105) 은 상단 전극 (예를 들어, 무엇보다도 샤워헤드 전극 또는 고체 전극), 하단 전극 (예를 들어, 무엇보다도 정전 척 또는 기판 지지부), 측면 전극 (예를 들어, 무엇보다도, 주변 링 형상 전극) 중 하나 이상을 포함할 수 있고, 상단 전극, 하단 전극, 및 측면 전극은 플라즈마 프로세싱 영역 (111A) 둘레에 구성된다.
도 2의 예시적인 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 은 플라즈마 프로세싱 영역 (111A) 위에 위치된 상단 전극 (105) 을 사용하여 상단 전극 (105) 에 연결된 RF 입력 라인 (103) 을 도시한다. 스테이션/챔버 (101) 내에서 플라즈마 프로세싱을 겪는 기판 (109) 은 플라즈마 프로세싱 영역 (111A) 아래, 기판 지지부 (107) 위에 배치된다. 다양한 실시예들에서, 기판 지지부 (107) 는 정전 척 또는 다른 타입의 기판 지지 부재일 수 있다. 또한, 다양한 실시예들에서, 기판 지지부 (107) 는 다양한 냉각 메커니즘들, 가열 메커니즘들, 클램핑 메커니즘들, 바이어스 전극들, 및/또는 센서들을 포함하도록 구성될 수 있고, 센서들은 다른 파라미터들 중에서 온도, 압력, 전압, 및/또는 전류의 측정치를 제공할 수 있다. 스테이션/챔버 (101) 는 상단 전극 (105) 및 기판 지지부 (107) 를 둘러싸도록 플라즈마 프로세싱 영역 (111A) 둘레에 형성된 외부 구조체를 포함한다. 스테이션/챔버 (101) 의 외부 구조체는 전기적으로 도전성 재료로 형성될 수 있고, 기준 접지 전위 (113) 로의 전기적 접속을 갖는다.
예시적인 실시예에서, 본 명세서에 사용된 바와 같은 용어 기판 (109) 은 반도체 웨이퍼로서 지칭된다. 그러나, 다른 실시예들에서, 본 명세서에 사용된 바와 같은 용어 기판 (109) 은 사파이어, GaN, GaAs 또는 SiC, 또는 다른 기판 재료들로 형성된 기판들을 지칭할 수 있고, 유리 패널들/기판들, 금속 포일들, 금속 시트들, 폴리머 재료들, 등을 포함할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 또한, 다양한 실시예들에서, 본 명세서에 지칭된 바와 같이 기판 (109) 은 형태, 형상, 및/또는 사이즈가 가변할 수도 있다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 본 명세서에 지칭된 바와 같은 기판 (109) 은 200 ㎜ (밀리미터) 반도체 웨이퍼, 300 ㎜ 반도체 웨이퍼, 또는 450 ㎜ 반도체 웨이퍼에 대응할 수도 있다. 또한, 일부 실시예들에서, 본 명세서에서 지칭된 바와 같이 기판 (109) 은 다른 형상들 중에서, 플랫 패널 디스플레이를 위한 직사각형 기판과 같은, 비원형 기판 등에 대응할 수도 있다.
스테이션/챔버 (101) 는 플라즈마 프로세싱 영역 (111A) 내로 하나 이상의 프로세스 가스들의 제어된 플로우를 지향시키도록 구성된 하나 이상의 프로세스 가스 입력 라인들 (115, 117) 을 포함한다. 상단 전극 (105) 이 샤워헤드 전극으로서 형성된 예시적인 실시예에서, 프로세스 가스 입력 라인 (115) 은, 결국 프로세스 가스들의 플로우를 플라즈마 프로세싱 영역 (111A) 내로 지향시키는 샤워헤드 전극을 사용하여 샤워헤드 전극으로 프로세스 가스들을 흘리도록 제어될 수 있다. 그리고, 일 예시적인 실시예에서, 프로세스 가스 입력 라인 (117) 은 측면 위치로부터 플라즈마 프로세싱 영역 (111A) 내로 프로세스 가스들의 플로우를 지향시키도록 구성될 수 있다. 스테이션/챔버 (101) 는 또한 스테이션/챔버 (101) 의 내부 볼륨으로부터 유체들 (가스들 및/또는 액체들) 의 제거를 제공하도록 연결된 배기 라인 (119) 을 포함한다.
도 2에 도시되고 상기 기술된 스테이션들/챔버들 (101) 은 기술의 용이성을 위해 간략화된 것이 이해되어야 한다. 실제로, 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 각각은 본 명세서에 기술되지 않은 많은 컴포넌트들을 포함하는 복잡한 시스템이다. 그러나, 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 각각은 하나 이상의 RF 입력 라인들 (103) 을 통해 RF 신호들을 수신하도록 연결되고, 그리고 플라즈마 (111) 또는 플라즈마 (111) 내에서 생성된 반응성 구성성분들 (예를 들어, 이온들, 라디칼들, 등) 에 기판 (109) 의 노출시 기판 (109) 상에 목표된 효과들을 생성하기 위해 세심하게 제어된 조건들 하에서 플라즈마 (111) 를 생성하기 위해 수신된 RF 신호들을 인가하도록 구성된다는 것이 본 논의에 대해 이해되어야 한다. 다양한 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 에 의해 수행될 수도 있는 플라즈마 프로세싱 동작들의 예들은 무엇보다도 에칭 동작들, 증착 동작들, 및 애싱 동작들을 포함한다. 또한, 용어들 챔버 및 스테이션은 본 명세서에서 상호교환가능하게 사용된다는 것이 이해되어야 한다.
RF 전력 소스 (145) 는 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 로의 송신을 위해 RF 신호들을 생성하도록 구성된다. RF 전력 소스 (145) 에 의해 생성된 RF 신호들은 연결부 (143) 를 통해 매칭 모듈 (137) 로 송신된다. 일부 실시예들에서, RF 전력 소스 (145) 내 복수의 RF 신호 생성기들로부터의 상이한 주파수의 RF 신호들은 연결부 (143) 를 통한 송신 전에 분배 회로에 의해 함께 조합된다. 매칭 모듈 (137) 은 RF 전력 소스 (145) 에 의해 생성된 RF 신호들이 제어된 방식으로 다양한 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 내 플라즈마 (111) 부하들로 사실상 송신될 수 있도록, 시스템 (100) 내 임피던스 매칭을 제어하도록 구성된다. 매칭 모듈 (137) 은 또한 다양한 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 의 RF 입력 라인들 (103) 에서 미리 결정된 분포의 RF 신호 전달 파라미터를 제공하도록 다양한 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 로의 RF 신호들의 분배를 제어하도록 구성되고, 여기서 RF 신호 전달 파라미터는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압, 또는 이들의 임의의 조합이다. 일반적으로 말하면, 매칭 모듈 (137) 은 다양한 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 내 플라즈마 (111) 부하들로 시스템 (100) 을 통한 RF 신호들의 송신시 RF 신호들에 의해 직면하는 임피던스를 튜닝하도록 조정될 수 있는 커패시터들 및 인덕터들의 네트워크이다. 매칭 모듈 (137) 은 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 각각에 대한 별도의 출력 라인을 갖는다. 매칭 모듈 (137) 의 출력 라인들로부터, RF 신호들은 RF 입력 라인들 (103) 을 통해 다양한 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 내 RF 전달 컴포넌트들로 송신된다.
다양한 실시예들에서, RF 전력 소스 (145) 는 하나 이상의 주파수들에서 동작하는 하나 이상의 RF 전력 소스들을 포함할 수 있다. 복수의 RF 주파수들이 동시에 동일한 플라즈마 프로세싱 스테이션/챔버 (101) 에 공급될 수 있다. 일부 실시예들에서, RF 전력 소스 (145) 의 주파수들은 1 ㎑ (킬로헤르츠) 로부터 100 ㎒ (메가헤르츠) 로 연장하는 범위 내로 설정된다. 일부 실시예들에서, RF 전력 소스 (145) 의 주파수들은 400 ㎑로부터 60 ㎒로 연장하는 범위 내로 설정된다. 일부 실시예들에서, RF 전력 소스 (145) 는 2 ㎒, 27 ㎒, 및 60 ㎒의 주파수들의 RF 신호들을 생성하도록 설정된다. 일부 실시예들에서, RF 전력 소스 (145) 는 약 1 ㎒로부터 약 60 ㎒로 연장하는 주파수 범위 내 하나 이상의 고 주파수 RF 신호들을 생성하고, 약 100 ㎑로부터 약 1 ㎒로 연장하는 주파수 범위 내의 하나 이상의 저 주파수 RF 신호들을 생성하도록 설정된다. 상기 언급된 주파수 범위들은 예로서 제공되었다는 것이 이해되어야 한다. 실제로, RF 전력 소스 (145) 는 미리 결정된 플라즈마 프로세싱 스테이션/챔버 (101) 내에서 플라즈마 (111) 를 생성하기 위해 필요할 때 본질적으로 임의의 주파수를 갖는 본질적으로 임의의 RF 신호를 생성하도록 구성될 수 있다. 부가적으로, 시스템 (100) 은 특정된 RF 신호 주파수들이 매칭 모듈 (137) 로 송신된 것을 보장하기 위해, 주파수 기반 필터링, 즉 고역 통과 필터링 및/또는 저역 통과 필터링을 포함할 수 있다.
임피던스 매칭을 제공하는 것에 더하여, 매칭 모듈 (137) 은 또한 RF 전력 소스 (145) 에 의해 생성된 RF 신호들을 수신하고 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 의 RF 입력 라인 (103) 각각으로 RF 신호들의 각각의 부분을 분배하도록 구성되고 연결된다. 다양한 실시예들에서, 매칭 모듈 (137) 은 스테이션/챔버 (101) 각각으로 전달된 RF 신호들의 양을 조정하고 제어하도록 다수의 가변 커패시터들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 매칭 모듈 (137) 내 가변 커패시터들은 모터들 및/또는 스위치들에 의해 제어될 수 있다. 매칭 모듈 (137) 은 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 각각으로 전달된 RF 신호들의 양을 독립적으로 제어하도록 구성된다. 또한, 임의의 수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 이 매칭 모듈 (137) 에 의해 RF 전력 소스 (145) 로부터의 RF 신호들을 수신하도록 연결될 수 있다. 일부 시나리오에서, 매칭 모듈 (137) 은 복수의 스테이션들/챔버들 (101) 각각으로 실질적으로 동일한 양의 RF 신호들을 전달하도록 동작할 수 있지만, 다른 시나리오에서, 매칭 모듈 (137) 은 복수의 스테이션들/챔버들 (101) 중 상이한 스테이션들/챔버들로 상이한 양들의 RF 신호들을 바로 전달하도록 동작될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 프로세스 가스들로부터 플라즈마 (111) 를 생성하도록 사용된 RF 신호들은 스테이션/챔버 (101) 당 약 50 W (와트) 내지 약 500 W의 범위일 수 있다.
또한, 일부 실시예들에서, 스테이션들/챔버들 (101) 중 하나 이상으로의 미리 결정된 RF 신호 전달을 달성하기 위해 RF 전력 소스 (145) 의 동작의 조정들을 지시하기 위해, RF 제어 모듈 (133) 은 연결부 (147) 를 통해 RF 전력 소스 (145) 로 제어 신호들을 송신하도록 구성된다. 유사하게, 일부 실시예들에서, 다양한 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101) 의 RF 입력 라인들 (103) 에서 미리 결정된 분포의 RF 신호 전달 파라미터를 달성하기 위해 매칭 모듈 (137) 의 동작의 조정들을 지시하기 위해, RF 제어 모듈 (133) 은 연결부 (139) 를 통해 매칭 모듈 (137) 로 제어 신호들을 송신하도록 구성되고, 여기서 RF 신호 전달 파라미터는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압, 또는 이들의 임의의 조합이다. 부가적으로, RF 전력 소스 (145) 의 동작 상태/조건을 운반하는 신호들은 RF 전력 소스 (145) 로부터 연결부 (147) 를 통해 RF 제어 모듈 (133) 로 송신될 수 있다. 그리고, 유사하게, 매칭 모듈 (137) 의 동작 상태/조건을 운반하는 신호들은 매칭 모듈 (137) 로부터 연결부 (139) 를 통해 RF 제어 모듈 (133) 로 송신될 수 있다. 이러한 방식으로, 폐루프 피드백 모니터링 및 제어 네트워크가 RF 제어 모듈 (133) 과 RF 전력 소스 (145) 및 매칭 모듈 (137) 각각 사이에 확립될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 매칭 모듈 (137) 의 개략도를 도시한다. 매칭 모듈 (137) 은 연결부 (143) 를 통해 RF 전력 소스 (145)의 하나 이상의 RF 생성기들 (145A, 145B) 로부터 RF 신호들을 수신하도록 연결된 입력 단말 (201) 을 포함한다. 입력 단말 (201) 은 입력 노드 (203) 에 연결된다. 일부 실시예들에서, 선택가능한 보조 임피던스 (204) 는 필터 네트워크, 또는 밸러스팅 네트워크 (ballasting network) 로서 기능하도록 또는 전체 매칭 모듈 (137) 의 총 임피던스를 보조하도록 입력 단말 (201) 상에 제공된다. 일부 실시예들에서 선택가능한 보조 임피던스 (204) 는 존재하지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 매칭 모듈 (137) 은 입력 노드 (203) 에 연결된 제 1 단말 (205) 및 기준 접지 전위 (207) 에 연결된 제 2 단말 (205) 을 갖는 부하 커패시터 (CL) 를 포함한다. 부하 커패시터 (CL) 는 가변 커패시터로서 구성된다. 매칭 모듈 (137) 은 또한 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 을 포함하고, RF 신호 전달 브랜치 각각은 입력 노드 (203) 에 연결된 각각의 진입 단말 (211A, 211B, 211C, 211D, 등) 및 매칭 모듈 (137) 의 복수의 출력 단말들 (215A, 215B, 215C, 215D, 등) 의 각각의 출력 단말에 연결된 각각의 진출 단말 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 을 갖는다. 매칭 모듈 (137) 의 복수의 출력 단말들 (215A, 215B, 215C, 215D, 등) 각각은 이들 각각의 RF 입력 라인들 (103A, 103B, 103C, 103D, 등) 을 통해 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101A, 101B, 101C, 101D, 등) 중 상이한 플라즈마 프로세싱 스테이션/챔버로 RF 신호들을 전달하도록 연결된다. 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 각각은 진입 단말 (211A, 211B, 211C, 211D, 등) 과 진출 단말 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 사이에 직렬 방식으로 전기적으로 연결된 대응하는 인덕터 (L1, L2, L3, L4, 등) 및 대응하는 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 를 포함한다. 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각은 각각의 가변 커패시터로서 구성된다.
도 3a의 예시적인 매칭 모듈 (137) 은 RF 신호들을 4 개의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101A, 101B, 101C, 101D) 로 각각 전달하도록 연결된 4 개의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D) 을 도시한다. 그러나, 다양한 실시예들에서, 매칭 모듈 (137) 은 2 개, 3 개, 4 개, 또는 그 이상의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D) 을 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 일부 실시예들에서, 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 수는 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101A, 101B, 101C, 101D, 등) 의 수와 같다. 그러나, 일부 실시예들에서, 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 수는, 각각이 기준 접지 전위에 연결되거나 연결되지 않은 진출 단말에 연결된 추가의 RF 신호 전달 브랜치를 갖는, 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101A, 101B, 101C, 101D, 등) 의 수보다 클 수도 있다.
일부 실시예들에서, 부하 커패시터 (CL) 및 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각은 RF 전력 소스 (145) 의 출력에 존재하는 임피던스와 입력 노드 (203) 에 존재하는 임피던스의 실질적인 매칭을 제공하는 각각의 커패시턴스 값으로 설정된다. 또한, 일부 실시예들에서, 부하 커패시터 (CL) 및 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각은 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에 존재하는 RF 신호 전달 파라미터 (p1, p2, p3, p4) 의 실질적인 밸런싱을 제공하는 각각의 커패시턴스 값으로 설정되고, 여기서 RF 신호 전달 파라미터 (p1, p2, p3, p4) 는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압, 또는 이들의 임의의 조합이다.
일부 실시예들에서, 부하 커패시터 (CL) 및 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각은 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에 존재하는 미리 결정된 분포의 RF 신호 전달 파라미터 (p1, p2, p3, p4) 를 제공하는 각각의 커패시턴스 값으로 설정되고, 여기서, RF 신호 전달 파라미터는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압, 또는 이들의 임의의 조합이다. 일부 실시예들에서, 미리 결정된 분포의 RF 신호 전달 파라미터 (p1, p2, p3, p4) 는 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 이들의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에서 RF 신호 전달 파라미터 (p1, p2, p3, p4) 의 상이한 값들을 갖는 적어도 2 개의 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 을 포함한다.
또한, 일부 실시예들에서, 하나 이상의 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 은 각각의 진출 단말 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 을 통한 RF 신호들의 송신을 사실상 차단하는 커패시턴스 값으로 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 를 설정함으로써 사실상 무한대의 임피던스를 나타내도록 구성된다. 이 방식으로, 사실상 무한대의 임피던스를 나타내도록 설정된 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 를 갖는 RF 신호 전달 브랜치 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 각각은 대응하는 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101A, 101B, 101C, 101D, 등) 로 RF 신호들의 전달과 관련하여 사실상 턴오프되고, 이에 따라 불활성이 된다. 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 증 활성인 RF 신호 전달 브랜치는 사실상 무한대의 임피던스를 나타내도록 설정되지 않고, 따라서 이들의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 을 통한 RF 신호들의 송신을 제공하도록 구성된다.
일부 실시예들에서, 부하 커패시터 (CL) 및 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 중 활성인 RF 신호 전달 브랜치의 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각은 이들의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에 존재하는 RF 신호 전달 파라미터 (p1, p2, p3, p4) 의 실질적인 밸런스를 제공하는 각각의 커패시턴스 값으로 설정되고, 여기서 RF 신호 전달 파라미터 (p1, p2, p3, p4) 는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압, 또는 이들의 임의의 조합이다. 일부 실시예들에서, 부하 커패시터 (CL) 및 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 중 활성인 RF 신호 전달 브랜치의 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각은 이들의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에 존재하는 미리 결정된 분포의 RF 신호 전달 파라미터 (p1, p2, p3, p4) 를 제공하는 각각의 커패시턴스 값으로 설정되고, RF 신호 전달 파라미터는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압, 또는 이들의 임의의 조합이다. 일부 실시예들에서, 미리 결정된 분포의 신호 전달 파라미터 (p1, p2, p3, p4) 는 이들의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에서 상이한 값들의 RF 신호 전달 파라미터 (p1, p2, p3, p4) 를 갖는 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 중 적어도 2 개의 활성인 RF 신호 전달 브랜치를 포함한다.
도 3b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 매칭 모듈 (137) 의 대안적인 개략도를 도시한다. 도 3b의 매칭 모듈 (137) 에서, 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 각각은 이들의 진출 단말 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 과 기준 접지 전위 (207) 사이에 전기적으로 연결된 대응하는 밸런싱 커패시터 (CS1, CS2, CS3, CS4, 등) 를 포함한다. 밸런싱 커패시터 (CS1, CS2, CS3, CS4, 등) 각각은 각각의 가변 커패시터로서 구성된다. 부하 커패시터 (CL) 및 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 밸런싱 커패시터 (CS1, CS2, CS3, CS4, 등) 각각은 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에 존재하는 임피던스의 실수부의 실질적인 매칭을 제공하는 각각의 커패시턴스 값으로 설정된다. 임피던스의 실수부의 스테이션/챔버-투-스테이션/챔버 차의 경우, 밸런싱 커패시터들 (CS1, CS2, CS3, CS4, 등) 은 상이한 스테이션들/챔버들에 대해 상이한 방식으로 임피던스의 실수부를 매칭하도록 사용될 수 있고, 부하 커패시터 (CL) 와 임피던스의 실수부의 최종 매칭이 이루어질 수 있다. 그리고, 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각은 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에 존재하는 임피던스의 허수부의 실질적인 매칭을 제공하는 각각의 커패시턴스 값으로 설정된다.
도 1의 단일 출력 RF 매칭 네트워크와 달리, 본 명세서에 개시된 매칭 모듈 (137) 은 복수-출력 RF 자동매칭 네트워크를 제공한다. 특정한 실시예에서, 매칭 모듈 (137) 은 4 개의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101A, 101B, 101C, 101D) 에 각각 연결된 4 개의 출력 단말들 (215A, 215B, 215C, 215D) 을 갖도록 구성된다. 매칭 모듈 (137) 은 복수의 출력들을 갖는 수정된 "L" 토폴로지로서 보여질 수 있다. 커패시터들은 고순환 (high-cycle) 가변 컴포넌트들로 보다 신뢰할 수 있게 이루어질 수 있기 때문에, 가변 커패시터들은 가변 인덕터들 대신 매칭 모듈 (137) 에 사용된다. 복수 출력 매칭 모듈 (137) 에서, 출력 단말 (215A, 215B, 215C, 215D, 등) 각각은 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 에 의한 RF 신호 전달 브랜치 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 에 대해 고유한 자유도의 제어 및 부하 커패시터 (CL) 에 의한 입력 노드 (203) 에 대해 공통적인 조합된 제어를 갖는다. 일부 예시적인 실시예들에서, 복수 출력 매칭 모듈 (137) 은 "파이 (pi)" RF 자동 매칭 네트워크로서 구현된다. 복수 출력 매칭 모듈 (137) 은 RF 전력 소스 (145) 로부터, 즉, 하나 이상의 RF 생성기들 (145A, 145B), 등으로부터 라인 임피던스 양자를 매칭할 수 있고, 그리고 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101A, 101B, 101C, 101D, 등) 로 동일하게 밸런싱된 RF 전력 출력을 제공할 수 있다. 부가적으로, 원한다면, 복수 출력 매칭 모듈 (137) 은 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101A, 101B, 101C, 101D, 등) 로 미리 결정된 밸런싱되지 않은 RF 전력 출력을 제공할 수 있다. 일부 플라즈마 프로세싱 애플리케이션들에서, 다른 스테이션/챔버-투-스테이션/챔버 변동을 보상하기 위해, 그리고 이렇게 할 때, 증착 레이트 또는 응력과 같은 다른 기판-상 특성들을 밸런싱하기 위해 상이한 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101A, 101B, 101C, 101D, 등) 에 분배된 RF 전력의 의도적인 임밸런스를 갖는 것이 바람직하다.
이하의 수식 1 및 수식 2는 (n) 개의 총 스테이션들/챔버들을 포함하는, 복수의 스테이션/챔버 시스템의 총 RF 전력 (Ptot) 을 기술한다.
수식 1.
Figure pat00001
수식 2.
Figure pat00002
기술 목적들을 위해, 4 개의 스테이션들/챔버들 간의 동일한 RF 전력 분포를 갖는 4-스테이션/챔버 시스템 (n=4) 을 고찰한다. 이 예시적인 실시예에서, 도 3a의 매칭 모듈 (137) 은 RF 신호들을 4 개의 스테이션들/챔버들 (101A, 101B, 101C, 101D) 로 전달하기 위해 연결된 4 개의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D) 및 4 개의 대응하는 출력 단말들 (215A, 215B, 215C, 215D) 을 갖도록 구성된다. 이 예시적인 실시예에서, 매칭 모듈 (137) 은 부하 커패시터 (CL) 및 4 개의 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4) 의 조합에 대응하는 튜닝의 총 5 개의 축들을 포함한다. 이 예시적인 실시예에서, 4 개의 스테이션들/챔버들 (101A, 101B, 101C, 101D) 간의 총 RF 전력 (Ptot) 및 전력 분포 (P1, P2, P3, P4) 는 이하의 수식 3 및 수식 4에 나타낸 바를 특징으로 한다.
수식 3.
Figure pat00003
수식 4.
Figure pat00004
이어서, 이하의 수식 5는 4 개의 스테이션들/챔버들 간의 동일한 RF 전력 분포와 함께 4-스테이션/챔버 시스템을 특징으로 한다.
수식 5.
Figure pat00005
수식 5에서, 부하 커패시터 (CL) 및 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4) 각각의 커패시턴스 값들이 4 개의 스테이션들/챔버들로 전달된 RF 전력 (P1, P2, P3, P4) 매칭에 기초하도록 A 행렬이 생성된다. 수식 5에서, A 행렬은 통상적인 시나리오로 충족될 것이지만, A 행렬이 이하의 수식 6에 나타낸 바와 같이 대각 행렬 (H) 이 되도록, 적합한 좌표 변환으로 에르미트 행렬 (H) 로 나타낼 수 있다. 부하 커패시터 (CL) 는 모든 4 개의 스테이션들/챔버들에 대해 동일하기 때문에, H 행렬은 모든 4 개의 스테이션들/챔버들에 대해 부하 커패시터 (CL) 에 대해 1을 갖는다. 그리고, 스테이션/챔버의 전력에 비례하는 사실상 k 파라미터가 있다.
수식 6.
Figure pat00006
분리된 (decoupled) 수식들의 상기에 나타낸 수학적 변환의 이점은 보다 복잡한 복수 입력, 복수 출력 (MIMO) 상태 공간 제어 대신 동력화된 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각에 인가될 단일 입력, 단일 출력 (SISO), PID (Proportional-Integral-Derivative) 피드백 제어를 인에이블하는 것이다. 스테이션/챔버 각각에 대해 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D) 을 각각 통과하는 RF 전류 (iCT1, iCT2, iCT3, iCT4) 는 수식 7에 나타낸 바와 같이 결정될 수 있다. 또한, 부하 커패시터 (CL) 를 통과하는 RF 전류 (iCL) 는 수식 7에 나타낸 바와 같이 결정될 수 있다. 이어서, 미리 결정된 i=(C)(dV/dt) 에 대해, 동력화된 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 의 모터 각각에 대한 제어 신호는 수식 7의 감정 결과들에 기초하여 결정될 수 있다. 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 의 커패시턴스 값들은 상이한 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D) 을 통한 미리 결정된 분포의 RF 전류들 (iCT1, iCT2, iCT3, iCT4) 을 획득하기 위한 상이한 조합들로 설정될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
수식 7.
Figure pat00007
상기 예에 기술된 스킴은 복수의 스테이션/챔버 시스템의 경우, 예를 들어, 상이한 스테이션들/챔버들에 대한 의도적으로 같지 않은 RF 신호 분포를 갖는 2 이상의 스테이션/챔버 시스템에 대해 작동하고 예컨대, 일부 현대 플라즈마 프로세싱 애플리케이션들에서 발생한다. 또한, MIMO 제어 스킴이 사용된다면, 과제어된 (overconstrained) 시스템을 상상할 수 있다. 이 경우, 적어도 제곱 최적화가 최상/최적 솔루션을 수학적으로 도출하는 것이 가능하다.
RF 매칭-더하기-레시피-조정가능하지만 수동 RF 분배 네트워크를 형성하기 위해, RF 매칭 네트워크로부터 분리되어 구현된 레시피 제어가능한, 동력화된 커패시터들을 갖는 전용 RF 하드웨어를 포함하는 RF 신호 전달 장치와 비교하여, 복수 출력 매칭 모듈 (137) 은 복수의 스테이션들/챔버들에 단일 입력 RF 소스의 능동적 분포를 제공하는 것이 복수의 제약들을 겪는 동안 리던던트 축들의 제어를 갖는 복잡도 및 비효율을 극복한다. 특히, 매칭 모듈 (137) 이 가장 적은 수의 축들의 제어를 갖는 능력을 제공한다는 것이 이해되어야 한다. 본 명세서에 개시된 바와 같은 매칭 모듈 (137) 을 사용하여, 공통 RF 전력 소스가 복수의 스테이션들/챔버들에 대해 사용될 수 있고, RF 신호 전달 브랜치 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 각각은 일부 경우들에서 RF 전달을 밸런싱하기 위해 또는 일부 다른 최적화되지만 바람직한 결과, 예컨대 일부 다른 스테이션/챔버-투-스테이션/챔버 문제(들)를 보상하기 위해 밸런싱되지 않은 RF 전달을 달성하기 위해 능동적으로 조정될 수 있다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 각각에 가변 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 를 갖는 매칭 모듈 (137) 의 특정한 토폴로지들에서, 토폴로지들의 범위의 일 단부에서 사실상 무한대의 임피던스를 인에이블할 수 있다. 이 기능은 기판들의 그룹을 프로세싱하기 위해 사용되는 툴 상의 이용가능한 스테이션들/챔버들의 수로 고르게 나눠지지 않는 그룹 양으로 기판들이 종종 저장된다는 사실로 인해, 소위 "로딩/언로딩" 효과를 보상하기 위해 필요하다면 스테이션들/챔버들을 턴 오프하도록 종종 사용되는 RF 스위치들을 교체하도록 사용될 수 있다. 예를 들어, 기판들이 FOUP (front-opening-unified-pod) 내에 25 개의 그룹으로 저장되는 경우들에서, 그러나 프로세싱 툴은 4 개의 스테이션들/챔버들을 갖는다. 이 예에서, 25는 4로 고르게 나눠지지 않기 때문에, 프로세싱되어야 하는 기판이 남는다. 그리고, 4 개의 스테이션들/챔버들 중 하나에서 남은 기판의 프로세싱 동안, 남은 기판을 프로세싱하기 위해 동작하지 않는 다른 3 개의 스테이션들/챔버들에 대해 RF 전력은 턴오프되어야 한다. 매칭 모듈 (137) 을 사용하지 않고, 4 개의 스테이션들/챔버들 중 3 개에 대한 RF 전력의 턴오프를 제공하기 위해 RF 스위치들을 구현하는 것이 필수적이다. 그러나, 매칭 모듈 (137) 을 사용하여, RF 신호 전달 브랜치 (209A, 209B, 209C, 209D) 각각 상의 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 는, 매칭 회로 외부에 복잡하고 값비싼 RF 스위치들에 대한 요구를 제거하기 위해, 임의의 조합의 4 개의 스테이션들/챔버들 어느 하나로 RF 전력의 전달을 사실상 턴오프하도록 고 임피던스로 설정될 수 있다.
도 4a는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 도 3a에 도시된 바와 같은 매칭 모듈 (137) 의 예시적인 구현예를 도시한다. 도 4a의 예에서, 매칭 모듈 (137) 은 2 개의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101A, 101B) 에 각각 연결된 2 개의 출력 단말들 (215A, 215B) 로 RF 신호들의 전달을 위한 2 개의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B) 을 포함하도록 구성된다. 도 4a는 출력 단말들 (215A, 215B) 각각에 미리 결정된 RF 신호 전달 파라미터 (p1, p2) 의 실질적으로 같은 값들을 제공하도록 밸런싱된 구성의 매칭 모듈 (137) 을 도시하고, 여기서 미리 결정된 RF 신호 전달 파라미터는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압, 또는 이들의 임의의 조합이다. 구체적으로, 도 4a의 밸런싱된 구성에서, 부하 커패시터 (CL) 는 704 ㎊ (피코패럿) 의 커패시턴스 값으로 설정되고, 인덕터들 (L1 및 L2) 양자는 각각 610 nH (나노헨리) 의 인덕턴스 값으로 설정되고, RF 신호 전달 브랜치들 (209A) 의 튜닝 커패시터 (CT1) 는 978 ㎊으로 설정되고, RF 신호 전달 브랜치들 (209B) 의 튜닝 커패시터 (CT2) 는 978 ㎊으로 설정된다. 이 구성의 매칭 모듈 (137) 은 RF 전력 소스 (145) 의 출력에서 50 Ω의 임피던스와 매칭한다. 2 개의 스테이션들/챔버들 (101A 및 101B) 에서 플라즈마 부하들 (111AA 및 111AB) 은 각각, 약 10 Ω의 저항과 실질적으로 같고 약 1175 ㎊의 실질적으로 동일한 커패시턴스를 나타내고, 따라서 밸런싱된 부하들을 나타낸다.
도 4b는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 플라즈마 부하들 (111AA 및 111AB) 이 임밸런싱되고, 2 개의 튜닝 커패시터들 (CT1 및 CT2) 중 하나가 요구된 임피던스 매칭을 유지하도록 조정되는, 도 4a의 매칭 모듈 (137) 의 예시적인 구현예를 도시한다. 구체적으로, 도 4b는 플라즈마 부하들 (111AA 및 111AB) 간의 임밸런스의 존재시 요구된 임피던스 매칭을 유지하기 위해 978 ㎊으로부터 1178 ㎊으로 조정된 튜닝 커패시터 (CT1) 를 도시한다.
도 4c는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 플라즈마 부하들 (111AA 및 111AB) 이 임밸런싱되고, 2 개의 튜닝 커패시터들 (CT1 및 CT2) 중 또 다른 하나가 요구된 임피던스 매칭을 유지하도록 조정되는, 도 4a의 매칭 모듈 (137) 의 예시적인 구현예를 도시한다. 구체적으로, 도 4c는 플라즈마 부하들 (111AA 및 111AB) 간의 임밸런스의 존재시 요구된 임피던스 매칭을 유지하기 위해 978 ㎊으로부터 1152 ㎊으로 조정된 튜닝 커패시터 (CT2) 를 도시한다.
도 4d는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 플라즈마 부하들 (111AA 및 111AB) 이 임밸런싱되고, 2 개의 튜닝 커패시터들 (CT1 및 CT2) 양자가 요구된 임피던스 매칭을 유지하도록 조정되는, 도 4a의 매칭 모듈 (137) 의 예시적인 구현예를 도시한다. 구체적으로, 도 4d는 플라즈마 부하들 (111AA 및 111AB) 간의 임밸런스의 존재시 요구된 임피던스 매칭을 유지하기 위해 978 ㎊으로부터 1060 ㎊으로 조정된 튜닝 커패시터 (CT1) 및 978 ㎊으로부터 1060 ㎊으로 조정된 튜닝 커패시터 (CT2) 를 도시한다. 도 4a, 도 4b, 도 4c 및 도 4d에 기초하여, 매칭 모듈 (137) 내 임의의 하나 이상의 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 이 임밸런싱된 플라즈마 부하들을 보상하도록 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 임밸런싱된 플라즈마 부하들을 보상하기 위해 부하 커패시터 (CL) 는 매칭 모듈 (137) 내 하나 이상의 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 과의 조합으로 조정될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들로 RF 신호들을 분배하기 위한 방법의 플로우차트를 도시한다. 방법은 RF 전력 소스 (145) 를 동작시킴으로써와 같이 RF 신호들을 생성하기 위한 동작 501을 포함한다. 방법은 또한 생성된 RF 신호들을 매칭 모듈 (137) 의 입력 단말 (201) 로 송신하기 위한 동작 503을 포함한다. 매칭 모듈 (137) 은 입력 단말 (201) 에 연결된 입력 노드 (203) 를 포함한다. 매칭 모듈 (137) 은 또한 입력 노드 (203) 에 연결된 제 1 단말 (203) 및 기준 접지 전위 (207) 에 연결된 제 2 단말 (205) 을 갖는 부하 커패시터 (CL) 를 포함하고, 여기서 부하 커패시터 (CL) 는 가변 커패시터로서 구성된다. 매칭 모듈 (137) 은 또한 입력 노드 (203) 에 연결된 각각의 진입 단말 (211A, 211B, 211C, 211D, 등) 및 매칭 모듈 (137) 의 복수의 출력 단말들 (215A, 215B, 215C, 215D, 등) 중 각각의 출력 단말에 연결된 각각의 진출 단말 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 을 각각 갖는 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 을 포함한다. 매칭 모듈 (137) 의 복수의 출력 단말들 (215A, 215B, 215C, 215D, 등) 각각은 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들 (101A, 101B, 101C, 101D, 등) 중 상이한 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들의 RF 입력 라인 (103A, 103B, 103C, 103D, 등) 으로 RF 신호들을 전달하도록 연결된다. 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 각각은 각각의 진입 단말 (211A, 211B, 211C, 211D, 등)과 진출 단말 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 사이에 직렬 방식으로 전기적으로 연결된 대응하는 인덕터 (L1, L2, L3, L4, 등) 및 대응하는 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 을 포함하고, 여기서 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각은 각각의 가변 커패시터로서 구성된다. 방법은 또한 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에서 미리 결정된 분포의 RF 신호 전달 파라미터를 제공하도록 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 부하 커패시터 (CL) 및 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각의 각각의 커패시턴스 값들을 설정하기 위한 동작 505을 포함하고, 여기서 RF 신호 전달 파라미터는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압, 또는 이들의 임의의 조합이다.
도 5의 방법의 일부 실시예들에서, 미리 결정된 분포는 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에서 RF 신호 전달 파라미터의 실질적인 매칭이다. 일부 실시예들에서, 미리 결정된 분포는 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에서 RF 신호 전달 파라미터의 적어도 2 개의 상이한 값들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 동작 505에서 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각의 각각의 커패시턴스 값들을 설정하는 단계는 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 중 하나 이상의 진출 단말 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 을 통한 RF 신호들의 송신을 사실상 차단하는 커패시턴스 값으로 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 중 하나 이상의 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 를 설정하는 것을 포함한다.
일부 실시예들에서, 매칭 모듈 (137) 의 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 각각은 각각의 진출 단말 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 과 기준 접지 전위 (207) 사이에 전기적으로 연결된 대응하는 밸런싱 커패시터 (CS1, CS2, CS3, CS4, 등) 를 포함한다. 밸런싱 커패시터 (CS1, CS2, CS3, CS4, 등) 는 각각의 가변 커패시터로서 구성된다. 도 5의 방법은 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에 존재하는 임피던스의 실수부의 실질적인 매칭을 제공하도록 부하 커패시터 (CL) 및 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 밸런싱 커패시터 (CS1, CS2, CS3, CS4, 등) 각각의 각각의 커패시턴스 값들을 설정하는 단계를 포함할 수 있다. 도 5의 방법은 또한 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에 존재하는 임피던스의 허수부의 실질적인 매칭을 제공하도록 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 의 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각의 각각의 커패시턴스 값들을 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
전술한 바에 기초하여, 매칭 모듈 (137) 은 플라즈마 프로세싱 애플리케이션이 RF 신호들이 복수의 스테이션들/챔버들로 밸런싱된 방식으로 전달되고, 전달된 RF 신호들의 밸런싱이 매칭 모듈 (137) 의 진출 단말들 (213A, 213B, 213C, 213D, 등) 에 존재하는 하나 이상의 RF 신호 전달 파라미터들에 기초할 수 있고, RF 신호 전달 파라미터들이 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 것을 명시할 때, 복수의 스테이션들/챔버들 간의 RF 신호 전달 임밸런스의 완화를 제공한다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 매칭 모듈 (137) 은 일 스테이션/챔버의 임피던스가 또 다른 스테이션/챔버의 성능에 방해가 되지 않을 것이라는 것을 보장하도록 구성되고 동작될 수 있다. 또한, 매칭 모듈 (137) 은 로딩/언로딩 효과의 최소화를 제공한다. 매칭 모듈 (137) 내에서, RF 신호 전달 브랜치 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 는 대응하는 스테이션/챔버 내에서 플라즈마의 즉각적이고 평활한 점화를 제공하기 위해 공진이거나 거의 공진일 수 있다. 매칭 모듈 (137) 은 신호들의 전달을 위해 매칭 모듈 (137) 이 연결되는 복수의 스테이션/챔버 프로세싱 시스템 내 임의의 수의 스테이션들/챔버들의 동작을 대비한다. 따라서, 매칭 모듈 (137) 은 1 개, 2 개, 3 개, 4 개, 또는 그 이상의 스테이션/챔버 레시피들을 포함하여 광범위한 플라즈마 프로세싱 레시피들의 사용을 대비한다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 매칭 모듈 (137) 은 고 RF 신호 주파수들 및 저 RF 신호 주파수들 양자에서 저 반사된 RF 전력을 대비한다.
도 6은 본 발명의 일부 실시예들에 따른, 매칭 모듈 (137) 로부터 RF 신호들을 수신하도록 연결된 복수의 스테이션들/챔버들 사이에서 RF 신호 전달 파라미터를 밸런싱하기 위한 방법의 플로우 차트를 도시하고, 여기서 RF 신호 전달 파라미터는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 전압, 또는 이들의 임의의 조합이다. 방법은 RF 전력 소스 (145) 로부터 복수의 스테이션들/챔버들로 RF 신호들을 분배하도록 매칭 모듈 (137) 을 연결하기 위한 동작 601을 포함한다. 방법은 RF 신호들이 매칭 모듈 (137) 로 송신되는 RF 전력 소스 (145) 의 임피던스와 매칭 모듈 (137) 의 임피던스가 실질적으로 매칭하도록 부하 커패시터 (CL) 및 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 의 커패시턴스 값들이 설정되는 갱 튜닝 (gang tuning) 동작을 수행하기 위한 동작 603을 포함한다. 동작 603에서, 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 각각은 동일한 커패시턴스 값으로 설정되고, 부하 커패시터 (CL) 는 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 의 커패시턴스 값과 상이하거나 동일한 커패시턴스 값으로 설정된다. 또한, 매칭 네트워크 (137) 가 밸런싱 커패시터들 (CS1, CS2, CS3, CS4, 등) 을 포함하는 실시예들에서, 동작 603은 부하 커패시터 (CL) 및/또는 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 의 커패시턴스 값들과 상이하거나 동일할 수도 있는 실질적으로 동일한 커패시턴스 값을 갖도록 밸런싱 커패시터들(CS1, CS2, CS3, CS4, 등) 을 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
방법은 또한 튜닝 커패시터들 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 의 커패시턴스 값들이 복수의 스테이션들/챔버들 간의 RF 신호 전달 파라미터의 밸런싱을 획득하기 위해 반복적으로 조정되는 개별 스테이션/챔버 튜닝 프로세스를 수행하기 위한 동작 605를 포함한다. 동작 605 동안, 매칭 모듈 (137) 에 의해 RF 전력 소스 (145) 로 제공된 전체 임피던스는 동작 603의 설정과 동일하게 유지될 것이다. 그러나, RF 신호 전달 파라미터의 값들은 복수의 스테이션들/챔버들 사이에서 가변할 수 있다. 동작 605에서 수행된 반복들의 수는 복수의 스테이션들/챔버들의 수보다 1 적은 수와 같다. 즉, 복수의 스테이션들/챔버들의 수가 (N) 이면, 동작 605에서 수행된 반복들의 수는 (N-1) 이다.
동작 605의 반복 각각에서, 복수의 스테이션들/챔버들은 매칭 모듈 (137) 의 대응하는 출력 단말 (215A, 215B, 215C, 215D, 등) 에서 관심 있는 RF 신호 전달 파라미터의 최대 값을 갖는 스테이션/챔버, 및 매칭 모듈 (137) 의 대응하는 출력 단말 (215A, 215B, 215C, 215D, 등) 에서 관심 있는 RF 신호 전달 파라미터의 최소 값을 갖는 스테이션/챔버를 결정하기 위해 평가된다. 동작 605에서 미리 결정된 반복에 대해, 관심 있는 RF 신호 전달 파라미터의 최대 값을 갖는 최대 스테이션/챔버는 미리 결정된 반복에 대해 최대 스테이션/챔버로서 지정되고, 관심 있는 RF 신호 전달 파라미터의 최소 값을 갖는 스테이션/챔버는 미리 결정된 반복에 대해 최소 스테이션/챔버로서 지정된다. 이어서, 동작 605에서 미리 결정된 반복에 대해, 최대 스테이션/챔버에서 관심 있는 RF 신호 전달 파라미터의 값이 최소 스테이션/챔버에서 관심 있는 RF 신호 전달 파라미터의 값과 실질적으로 매칭하도록 최대 스테이션/챔버로 RF 신호들의 전달을 제공하는 RF 신호 전달 브랜치 (209A, 209B, 209C, 209D, 등) 상의 튜닝 커패시터 (CT1, CT2, CT3, CT4, 등) 가 조정된다. 동작의 (N-1) 번의 반복들을 수행한 후에, 모든 복수의 스테이션들/챔버들은 관심 있는 RF 신호 전달 파라미터에 대해 동일한 값을 실질적으로 가질 것이다.
전술한 발명은 이해의 명확성을 목적으로 다소 상세히 기술되었지만, 특정한 변화들 및 수정들이 첨부된 청구항들의 범위 내에서 실행될 수 있다는 것이 자명할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 예시적이고 비제한적인 것으로 간주되고, 본 발명은 본 명세서에 제공된 상세들로 제한되지 않지만, 기술된 실시예들의 범위 및 등가물들 내에서 수정될 수도 있다.

Claims (22)

  1. 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 RF (radiofrequency) 신호들을 분배하는 방법으로서, 상기 방법은:
    RF 생성기로부터 RF 신호들을 수신하도록 연결된 입력 단말 및 대응하는 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 RF 신호들을 공급하도록 연결된 복수의 출력 단말들을 포함하는 매칭 모듈을 준비(having)하는 단계로서, 상기 입력 단말은 입력 노드에 연결되고, 상기 매칭 모듈은 상기 입력 노드에 연결된 제 1 단말 및 기준 접지 전위에 연결된 제 2 단말을 갖는 부하 커패시터 (load capacitor) 를 포함하고, 상기 매칭 모듈은, 각각이 상기 입력 노드에 연결된 각각의 진입 (ingress) 단말 및 상기 복수의 출력 단말들 중 각각의 출력 단말에 연결된 각각의 진출 (egress) 단말을 갖는 복수의 RF 신호 전달 브랜치들을 포함하고, 상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각은 적어도 하나의 가변 임피던스 장치를 각각 포함하는, 상기 준비하는 단계;
    상기 RF 신호들을 상기 매칭 모듈의 상기 입력 단말에 송신하는 단계; 및
    상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 RF 신호 전달 파라미터의 특정된 분배 (specified distribution) 를 동시에 제공하면서, 상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들 각각에 존재하는 플라즈마 부하들의 임피던스들을 상기 RF 생성기에서의 임피던스와 실질적으로 매칭하도록 상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각에서 상기 적어도 하나의 가변 임피던스 장치를 제어하는 단계를 포함하는, 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF 신호 전달 파라미터는 전력인, 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF 신호 전달 파라미터는 전력, 위상, 전류, 임피던스, 및 전압 중 하나 이상인, 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 중 미리결정된 (given) RF 신호 전달 브랜치에서 상기 적어도 하나의 가변 임피던스 장치를 제어하는 단계는, 상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 중 미리결정된 RF 신호 전달 브랜치로부터 RF 전력을 수신하도록 연결된 상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들 중 대응하는 플라즈마 프로세싱 스테이션으로부터 RF 전력의 반사를 최소화하는, 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 대한 상기 RF 신호 전달 파라미터의 상기 특정된 분배는 상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들 각각에서 상기 RF 신호 전달 파라미터의 실질적으로 동일한 값을 포함하는, 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 대한 상기 RF 신호 전달 파라미터의 상기 특정된 분배는 상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들 중 2 개 이상의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에서 상기 RF 신호 전달 파라미터의 적어도 2 개의 상이한 값들을 포함하는, 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 대한 상기 RF 신호 전달 파라미터의 상기 특정된 분배는 상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들 중 하나 이상의 플라즈마 프로세싱 스테이션에서 상기 RF 신호 전달 파라미터의 실질적으로 0인 값을 포함하는, 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 RF 신호 전달 파라미터는 전력인, 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각에서 상기 적어도 하나의 가변 임피던스 장치는 가변 커패시터를 포함하는, 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각에서 상기 적어도 하나의 가변 임피던스 장치를 제어하는 단계는 상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각에서 상기 적어도 하나의 가변 임피던스 장치를 전자적으로 (electronically) 제어하는, 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각에서 상기 적어도 하나의 가변 임피던스 장치는 상기 적어도 하나의 가변 임피던스 장치에 대한 설정값 (setpoint value) 을 특정함으로써 제어되는, 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각에서 상기 적어도 하나의 가변 임피던스 장치는 상기 적어도 하나의 가변 임피던스 장치에 대한 값들을 특정하는 제어 알고리즘을 실행함으로써 제어되는, 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제어 알고리즘은 단일-입력, 단일-출력, PID (proportional-integral-derivative) 피드백 제어 알고리즘인, 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제어 알고리즘은, 상기 RF 생성기 및 상기 매칭 모듈 각각으로부터 제어 신호들을 수신하고 상기 RF 생성기 및 상기 매칭 모듈 중 하나 또는 둘 다에 제어 신호들을 송신하는 RF 제어 모듈에 의해 구현되는, 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 매칭 모듈의 상기 입력 단말에 송신된 상기 RF 신호들은 상이한 주파수의 RF 신호들의 조합을 포함하는, 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들 각각에 존재하는 플라즈마 부하들의 임피던스들을 상기 RF 생성기에서의 상기 임피던스와 실질적으로 매칭하는 것을 돕기 위해 기준 접지 전위와 상기 매칭 모듈의 상기 입력 단말 사이에 연결된 가변 임피던스 장치를 제어하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각에서 상기 적어도 하나의 가변 임피던스 장치를 제어하는 단계는 상기 복수의 RF 신호 전달 브랜치들 각각에서 제 1 가변 임피던스 장치와 제 2 가변 임피던스 장치를 제어하는 것을 포함하는, 방법.
  18. 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들/챔버들에 RF 신호들을 분배하는 방법으로서, 상기 방법은,
    RF 생성기에서 RF 신호들을 생성하는 단계;
    매칭 모듈로 상기 RF 신호들을 송신하는 단계; 및
    상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들 각각에 존재하는 플라즈마 부하들의 임피던스들을 상기 RF 생성기에서의 임피던스와 실질적으로 매칭하면서, 상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들에 대한 RF 신호 전달 파라미터의 특정된 분배에 따라 상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들 각각에 상기 RF 신호들을 분배하도록 상기 매칭 모듈을 동작시키는 단계를 포함하는, 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 매칭 모듈을 동작시키는 단계는 복수의 가변 임피던스 장치들을 제어하는 것을 포함하고, 상기 복수의 가변 임피던스 장치들은 상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들 각각과 각각 연관된 적어도 하나의 가변 임피던스 장치를 포함하는, 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 매칭 모듈을 동작시키는 단계는 기준 접지 전위와 상기 매칭 모듈의 입력 사이에 연결된 가변 부하 커패시터를 동작시키는 것을 포함하고, 상기 매칭 모듈의 상기 입력은 상기 RF 생성기로부터 상기 RF 신호들을 수신하도록 연결된, 방법.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 매칭 모듈을 동작시키는 단계는 복수의 가변 임피던스 장치들을 제어하는 것을 포함하고, 상기 복수의 가변 임피던스 장치들은 상기 복수의 플라즈마 프로세싱 스테이션들 각각과 각각 연관된 적어도 2 개의 가변 임피던스 장치들을 포함하는, 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 매칭 모듈을 동작시키는 단계는 기준 접지 전위와 상기 매칭 모듈의 입력 사이에 연결된 가변 부하 커패시터를 동작시키는 것을 포함하고, 상기 매칭 모듈의 상기 입력은 상기 RF 생성기로부터 상기 RF 신호들을 수신하도록 연결된, 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022092800A1 (ko) 2020-10-30 2022-05-05 주식회사 엘지에너지솔루션 리튬-황 이차전지용 전해액 및 이를 포함하는 리튬-황 이차전지

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9954508B2 (en) 2015-10-26 2018-04-24 Lam Research Corporation Multiple-output radiofrequency matching module and associated methods
US11447868B2 (en) * 2017-05-26 2022-09-20 Applied Materials, Inc. Method for controlling a plasma process
US11289355B2 (en) 2017-06-02 2022-03-29 Lam Research Corporation Electrostatic chuck for use in semiconductor processing
CN111670491A (zh) 2018-01-31 2020-09-15 朗姆研究公司 静电卡盘(esc)基座电压隔离
KR20200116160A (ko) * 2018-02-23 2020-10-08 램 리써치 코포레이션 고 전력 회로로부터 연결해제 없이 커패시턴스 측정
JP7247207B2 (ja) 2018-02-23 2023-03-28 ラム リサーチ コーポレーション 半導体処理ツールにおけるｒｆ電流測定
US11086233B2 (en) 2018-03-20 2021-08-10 Lam Research Corporation Protective coating for electrostatic chucks
US11183368B2 (en) * 2018-08-02 2021-11-23 Lam Research Corporation RF tuning systems including tuning circuits having impedances for setting and adjusting parameters of electrodes in electrostatic chucks
US10916411B2 (en) * 2018-08-13 2021-02-09 Tokyo Electron Limited Sensor-to-sensor matching methods for chamber matching
CN109659217A (zh) * 2018-12-18 2019-04-19 沈阳拓荆科技有限公司 用于多等离子处理腔的射频系统
KR20200126177A (ko) * 2019-04-29 2020-11-06 삼성전자주식회사 Rf 파워 모니터링 장치, 및 그 장치를 포함하는 pe 시스템
GB2584146A (en) * 2019-05-23 2020-11-25 Comet Ag Radio frequency generator
KR20220088474A (ko) * 2019-10-25 2022-06-27 램 리써치 코포레이션 멀티 스테이션 집적 회로 제조 챔버에서 rf (radio frequency) 전력 임밸런싱 (imbalancing)
KR20220106820A (ko) 2019-12-02 2022-07-29 램 리써치 코포레이션 Rf (radio-frequency) 보조된 플라즈마 생성시 임피던스 변환
US11994542B2 (en) 2020-03-27 2024-05-28 Lam Research Corporation RF signal parameter measurement in an integrated circuit fabrication chamber
JP7442365B2 (ja) * 2020-03-27 2024-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システム、基板処理装置の制御方法および基板処理システムの制御方法
JP2023533499A (ja) * 2020-07-08 2023-08-03 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理システムの無線周波数供給システムからプロセス制御情報を抽出するためのシステムおよび方法
KR20220069148A (ko) 2020-11-19 2022-05-27 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 장치 및 반도체 소자의 제조 방법
WO2023177409A1 (en) * 2022-03-18 2023-09-21 Lam Research Corporation Feedback control systems for impedance matching

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100934402B1 (ko) * 2009-09-07 2009-12-31 아리온테크 주식회사 알에프 스플리트 모니터링 시스템

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5712592A (en) * 1995-03-06 1998-01-27 Applied Materials, Inc. RF plasma power supply combining technique for increased stability
US6313584B1 (en) * 1998-09-17 2001-11-06 Tokyo Electron Limited Electrical impedance matching system and method
JP3640609B2 (ja) * 2000-10-16 2005-04-20 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置，プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム，検査方法
JP2004531856A (ja) 2001-04-13 2004-10-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 制御可能な電力分配を伴う誘導結合されたプラズマ源
TW200300650A (en) * 2001-11-27 2003-06-01 Alps Electric Co Ltd Plasma processing apparatus
KR101054558B1 (ko) * 2002-07-12 2011-08-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 가변 임피던스 수단의 교정 방법
KR100809764B1 (ko) * 2005-08-05 2008-03-04 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드 아시아 진공 처리 챔버의 ｒｆ 매칭 네트워크와 그 구성 방법
US20080179948A1 (en) * 2005-10-31 2008-07-31 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power delivery system
US9275838B2 (en) 2009-09-02 2016-03-01 Lam Research Corporation Arrangements for manipulating plasma confinement within a plasma processing system and methods thereof
US20110209995A1 (en) * 2010-03-01 2011-09-01 Applied Materials, Inc. Physical Vapor Deposition With A Variable Capacitive Tuner and Feedback Circuit
KR101151421B1 (ko) * 2010-07-26 2012-06-01 주식회사 플라즈마트 Ｒｆ 전력 분배 장치 및 ｒｆ 전력 분배 방법
US9320126B2 (en) 2012-12-17 2016-04-19 Lam Research Corporation Determining a value of a variable on an RF transmission model
CN107978506B (zh) * 2012-08-28 2021-07-09 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 控制开关模式离子能量分布系统的方法
KR102122782B1 (ko) * 2012-11-30 2020-06-16 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 상기 플라즈마 처리 장치의 임피던스 매칭 방법
US9196459B2 (en) 2014-01-10 2015-11-24 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9954508B2 (en) * 2015-10-26 2018-04-24 Lam Research Corporation Multiple-output radiofrequency matching module and associated methods
US9644271B1 (en) * 2016-05-13 2017-05-09 Lam Research Corporation Systems and methods for using electrical asymmetry effect to control plasma process space in semiconductor fabrication
WO2018005795A1 (en) 2016-06-29 2018-01-04 Massachusetts Institute Of Technology Dynamic matching systems and methods for radio-frequency plasma generation
US10109460B2 (en) * 2016-11-30 2018-10-23 Lam Research Corporation Universal non-invasive chamber impedance measurement system and associated methods

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100934402B1 (ko) * 2009-09-07 2009-12-31 아리온테크 주식회사 알에프 스플리트 모니터링 시스템

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022092800A1 (ko) 2020-10-30 2022-05-05 주식회사 엘지에너지솔루션 리튬-황 이차전지용 전해액 및 이를 포함하는 리튬-황 이차전지

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