KR20220088474A - 멀티 스테이션 집적 회로 제조 챔버에서 rf (radio frequency) 전력 임밸런싱 (imbalancing) - Google Patents

Abstract

멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 개별 프로세스 스테이션들로 전달된 무선 주파수 (RF) 전력은 제조 프로세스들이 발생하는 레이트들 그리고/또는 제조 프로세스 결과들이 서로 정렬되게 하도록 조정될 수도 있다. RF 분배 네트워크의 하나 이상의 반응 엘리먼트들을 조정함으로써 달성될 수도 있는, RF 전력의 이러한 조정은 개별 프로세스 스테이션 각각으로 전달된 전력의 임밸런싱을 발생시킬 수도 있다.

Description

멀티 스테이션 집적 회로 제조 챔버에서 RF (RADIO FREQUENCY) 전력 임밸런싱 (IMBALANCING)

집적 회로 디바이스들의 제조는 반도체 프로세싱 챔버 내에서 반도체 웨이퍼들의 프로세싱을 수반할 수도 있다. 통상적인 프로세스들은 반도체 웨이퍼의 특정한 영역들에서 재료의 제거 (예를 들어, 에칭) 뿐만 아니라, 반도체 재료가 층-단위 방식 (layer-by-layer fashion) 으로 증착될 수도 있는 증착을 수반할 수도 있다. 상업적 규모의 제작시, 웨이퍼 각각은 제작될 특정한 반도체 디바이스의 많은 사본들을 포함하고, 많은 웨이퍼들이 디바이스들의 필요한 볼륨들을 달성하기 위해 활용될 수도 있다. 따라서, 반도체 프로세싱 동작의 상업적 실행 가능성은, 프로세스 조건들의 웨이퍼 내 균일성 (within-wafer uniformity) 및 웨이퍼-대-웨이퍼 반복성 (wafer-to-wafer repeatability) 에 적어도 어느 정도 종속될 수도 있다. 결과적으로, 반도체 프로세싱 챔버에서 프로세싱된 웨이퍼 각각, 뿐만 아니라 미리 결정된 (given) 웨이퍼의 부분 각각이 동일한 프로세싱 조건들을 겪는다는 (undergo) 것을 보장하기 위한 노력들이 이루어진다. 프로세싱 조건들의 변동은 프로세스 조건들 및/또는 프로세스 결과들에서 바람직하지 않은 변동들을 야기할 수 있고, 이는 결국 전체 제조 프로세스에서 용인할 수 없는 변동들을 야기할 수도 있다. 이러한 변동들은 회로 성능을 저하시킬 수도 있고, 이는 결국 예를 들어 집적 회로 디바이스들을 활용하는 보다 높은 레벨의 시스템들의 성능의 용인할 수 없는 변동들을 발생시킬 수도 있다.

본 명세서에 제공된 배경기술 기술 (description) 은 본 개시의 맥락을 일반적으로 제시하는 목적을 위한 것이다. 이 배경기술 섹션에 기술된 정도의 본 명세서에 명명된 발명자들의 업적, 뿐만 아니라 출원시 종래 기술로서 달리 인증되지 않을 수도 있는 본 기술의 양태들은 본 개시에 대한 종래 기술로서 명시적으로나 암시적으로 인정되지 않는다.

참조로서 인용

PCT 신청 양식은 본 출원의 일부로서 본 명세서와 동시에 제출되었다. 본 출원이 동시에 제출된 PCT 신청 양식에서 식별된 바와 같이 우선권 또는 이익을 주장하는 출원 각각은 전체가 모든 목적들을 위해 참조로서 본 명세서에 인용되었다.

간략하게, 특정한 실시 예들에서, RF 전력을 생성하기 위한 장치는 하나 이상의 RF 전력 소스들 및 하나 이상의 RF 전력 소스들로부터 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 개별 입력 포트들로 전력을 할당하도록 구성된 RF 전력 분배 네트워크를 포함할 수도 있다. RF 전력 분배 네트워크는 RF 전력 분배 네트워크로부터 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 개별 입력 포트들로 전력의 임밸런싱 (imbalance) 을 야기하도록 (bring about) 하나 이상의 제어 파라미터들을 적용하도록 부가적으로 구성될 수도 있다.

특정한 실시 예들에서, RF 전력 분배 네트워크는 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들을 포함할 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 장치는 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과와 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과 사이의 불일치 (disparity) 의 식별에 응답하여 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들의 적어도 하나의 값을 조정하기 위한 제어기를 더 포함할 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 프로세스는 원자 층 증착, 플라즈마-강화된 화학적 기상 증착과 같은 증착 프로세스를 포함할 수도 있고, 또는 에칭 프로세스를 포함할 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 장치의 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들은 적어도 하나의 커패시터 또는 적어도 하나의 인덕터를 포함할 수도 있다. 이에 더하여, 하나 이상의 제어 파라미터들은 커패시턴스의 최대 값의 약 10 ％ 내지 약 90 ％로의 적어도 하나의 커패시터의 값의 수정을 포함할 수도 있다.

일 실시 예에서, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버는 하나 이상의 출력 포트들을 포함할 수도 있고, 출력 포트 각각은 하나 이상의 RF 전력 소스들로부터 신호를 수신하도록 구성된다. 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버는 하나 이상의 입력 포트들 중 대응하는 입력 포트에 커플링된 RF 전력 분배 네트워크를 더 포함할 수도 있고, RF 전력 분배 네트워크는 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들을 포함한다. 제조 챔버는 RF 전력 분배 네트워크에 커플링되고 하나 이상의 RF 전력 소스들로부터 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버로 커플링된 RF 전력의 임밸런싱을 발생시키도록 (give rise to) 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들의 값을 수정하도록 구성된 제어기를 더 포함할 수도 있다.

일부 실시 예들에서, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버는 4 개의 프로세스 스테이션들을 포함한다. 일부 실시 예들에서, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버는 2 개의 프로세스 스테이션들을 포함한다. 일부 실시 예들에서, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버는 8 개의 프로세스 스테이션들을 포함한다. 일부 실시 예들에서, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버는 16 개의 프로세스 스테이션들을 포함한다.

특정한 실시 예들에서, 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들은 하나 이상의 커패시터들을 포함할 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 제어기는 하나 이상의 커패시터들의 커패시턴스의 값을 최대 값의 약 10 ％로부터 최대 값의 약 90 ％까지 수정하도록 구성될 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 제조 챔버의 제어기는 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과와 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과 사이의 차 (difference) 를 식별하는 것에 응답하여 반응 회로 엘리먼트의 값을 수정하도록 구성될 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 프로세스는 증착 프로세스일 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 프로세스는 에칭 프로세스를 포함할 수도 있다.

특정한 실시 예들에서, 제어 모듈은 메모리에 커플링된 하드웨어 프로세서 및 통신 포트를 포함할 수도 있고, 통신 포트는 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과가 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과와 상이하다는 지표를 수신하도록 구성될 수도 있다. 통신 포트는 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션에 커플링된 RF 전력에 대해 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션에 커플링된 RF 전력의 임밸런싱을 야기하도록 RF 전력 분배 네트워크로 하나 이상의 인스트럭션들을 부가적으로 송신하도록 구성될 수도 있다.

특정한 실시 예들에서, 하나 이상의 인스트럭션들은 RF 전력 분배 네트워크의 하나 이상의 반응 엘리먼트들의 값을 수정하도록 동작한다. 특정한 실시 예들에서, 하나 이상의 반응 엘리먼트들은 적어도 하나의 커패시터를 포함하고, 하나 이상의 인스트럭션들은 적어도 하나의 커패시터의 값을 최대 값의 약 10 ％ 내지 약 90 ％로 수정하도록 동작한다.

특정한 실시 예들에서, 제조 프로세스를 제어하기 위한 방법은 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과가 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과와 상이하다는 것을 식별하는 단계를 포함할 수도 있다. 방법은 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션에 커플링된 RF 전력에 대해 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션에 커플링된 RF 전력을 임밸런싱하는 단계를 더 포함할 수도 있다.

일부 실시 예들에서, 임밸런싱은 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 입력 포트에 커플링된 RF 전력 분배 네트워크의 반응 회로 엘리먼트의 값을 수정하는 것을 포함할 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 반응 회로 엘리먼트의 값을 수정하는 것은 반응 회로 엘리먼트의 커패시턴스를 커패시턴스의 최대 값의 약 50 ％의 공칭 값으로부터 커패시턴스의 최대 값의 약 10 ％ 내지 약 90 ％의 값으로 조정하는 것을 포함할 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 임밸런싱은 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션에 대해 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션에 커플링된 RF 전력 사이에 적어도 약 1 ％의 차를 생성하는 것을 포함할 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 프로세스는 증착 프로세스일 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 프로세스는 에칭 프로세스를 포함할 수도 있다.

도 1는 실시 예에 따른, 임의의 수의 프로세스들을 활용하여 반도체 기판 상에 또는 위에 막을 증착하기 위한 기판 프로세싱 장치를 도시한다.
도 2는 일 실시 예에 따른, 멀티-스테이션 프로세싱 툴의 실시 예의 개략도를 도시한다.
도 3은 일 실시 예에 따른, 임밸런싱 (imbalancing) 이 하나 이상의 스테이션들 내로 도입될 수도 있는 멀티-스테이션 프로세싱 툴의 실시 예의 개략도를 도시한다.
도 4는 일 실시 예에 따른, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 하나 이상의 스테이션들로 RF 전력을 임밸런싱하는 방법에 대한 플로우 차트이다.
도 5는 일 실시 예에 따른, RF 전력 밸런싱된 (balanced) 조건 하에서 그리고 RF 전력 임밸런싱된 조건 하에서 증착된 재료의 평균 두께를 도시하는 그래프이다.
도 6은 일 실시 예에 따른, RF 전력 밸런싱된 조건 하에서 그리고 RF 전력 임밸런싱된 조건 하에서 반도체 재료의 에칭 레이트를 도시하는 그래프이다.
도 7은 일 실시 예에 따른, 상대적으로 높고 상대적으로 낮은 RF 전력 조건들 하의 프로세스 스테이션에서 웨이퍼 상에 증착된 막의 누설 전류를 도시하는 그래프이다.

특정한 실시 예들에서, RF 전력 임밸런싱 (imbalancing) 은 플라즈마-기반 또는 플라즈마-보조된 집적 회로 제조와 관련된 장비와 같은 집적 회로들의 제조에 수반된 다양한 장비와 함께 활용될 수도 있다. 이러한 장비는 복수의 집적 회로 웨이퍼들이 제조 프로세스들을 동시에 겪는 챔버들과 같은 멀티-스테이션 제조 챔버들을 수반할 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 멀티-스테이션 제조 챔버들을 수반하는 플라즈마-기반 및/또는 플라즈마-보조된 제조 프로세스들은 하나 이상의 개별 스테이션에 커플링된 RF 신호의 전력 레벨에서 스테이션-대-스테이션 임밸런싱을 야기하는 (bring about) 능력으로부터 이익을 얻을 수도 있다. 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 개별 스테이션들 사이에서 불일치하는 (disparate) 신호 진폭들의 이러한 커플링은 플라즈마-기반 막 증착 및 플라즈마-기반 재료 에칭과 같은 제조 프로세스들에서 균일성을 증가시키도록 동작할 수도 있다. 결과적으로, 멀티-스테이션 제조 챔버들에 의해 집적 회로들을 형성하기 위한 프로세스들은 보다 높은 정확도로 수행될 수도 있고, 이는 결국 이 제조 챔버를 활용하여 형성된 디바이스들의 보다 낮은 디펙트 비들 및/또는 보다 높은 수율들을 발생시킬 수도 있다.

특정한 실시 예들에서, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 개별 스테이션들에 커플링된 RF 전력의 임밸런싱의 생성은 스테이션 간 불균일성들을 적어도 부분적으로 보상할 수도 있고, 이는 제조 챔버 내에서 발생하는 프로세스들의 조건들 및/또는 결과들에 영향을 줄 수도 있다. 이러한 프로세스 조건들 및/또는 프로세스 결과들은 막 증착 레이트들, 에칭 레이트들, 막 전기적 품질 (예를 들어, 누설 전류) 또는 다른 파라미터들을 수반할 수도 있다. 프로세스 조건들 및/또는 프로세스 결과들에서 차들 (differences) 을 야기할 수도 있는 불균일성들은 예를 들어, 원자 층 증착 (atomic layer deposition; ALD) 프로세스들에서 활용된 전구체 가스 농도들의 스테이션-대-스테이션 변동들, 전구체 가스 온도들의 변동들, 스테이션-특정 기하학적 구조들 변동들, RF 커플링 구조들의 스테이션-대-스테이션 변동들, 등을 포함할 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 예를 들어, 제 1 스테이션에서 발생하는 막 증착 레이트 및/또는 재료 에칭 레이트는 상승될 수도 있는 한편, 예를 들어 제 2 스테이션에서 발생하는 증착 레이트/에칭 레이트는 감소될 수도 있다. 따라서, 막 증착 및/또는 재료 에칭은 증가된 일관성 및 규칙성으로 수행될 수도 있다.

청구된 주제의 실시 예들이 임의의 특정한 이론에 얽매이지 않지만, 스테이션-대-스테이션 변동들이 프로세스 스테이션에 의해 제시된 복소 임피던스의 상이한 값들을 발생시킬 (give rise to) 수도 있다는 것이 고려된다. 따라서, 예를 들어, RF 전력 소스들에 동일한 임피던스들을 제공하는 방식으로 멀티-스테이션 제조 챔버의 프로세스 스테이션들을 구성하고 동작시키려는 시도들에도 불구하고, 프로세스 스테이션들 간의 변동들은 RF 소스에 제시된 부하의 변동들을 발생시킬 수도 있다. 따라서, 프로세스 스테이션에 의해 제공된 부하가 공칭 복소 임피던스 값으로부터 분기될 (diverge) 때, 전력은 프로세스 스테이션으로부터 그리고 생성기를 향한 방향으로 다시 반사될 수도 있다. 따라서, 프로세스 챔버에 의해 제시된 부하의 이러한 간헐적 (occasional) 변동들의 결과로서, 웨이퍼 제조 동안 임의의 특정한 프로세스 스테이션으로 전달된 실제 전력은 상당히 가변할 수도 있다.

특정한 실시 예들은 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 프로세스 스테이션들에 RF 전력을 커플링하는 다른 방법들에 대한 개선들을 나타낼 수도 있다. 예를 들어, 일부 예들에서, RF 전력이 프로세스 스테이션들 사이에 고르게 분배될 수도 있는, RF 전력의 밸런싱된 (balanced) 또는 균일한 커플링은 그럼에도 불구하고 반도체 막 증착 레이트/에칭 레이트와 같은 프로세스 조건들 및/또는 프로세스 결과들에서 상당한 변동들을 발생시킬 수도 있다. 특정한 예들에서, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 개별 프로세스 스테이션들에 커플링된 RF 전력의 밸런싱에도 불구하고, 재료 에칭 레이트들은 예를 들어, 약 12 ％ 내지 약 20 ％, 또는 그 이상만큼 가변할 수도 있다. 다른 예들에서, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 개별 프로세스 스테이션들에 대한 RF 전력의 밸런싱은 약 5 ％ 내지 약 10 ％, 또는 그 이상만큼 가변할 수도 있는 막 증착 레이트들을 발생시킬 수도 있다. 여전히 다른 예들에서, 밸런싱된 RF 전력의 사용은 (적어도 고객 사양들 내에서) 상대적으로 일관되거나 서로 매칭되는 막 증착 레이트들을 야기할 수도 있는 한편, 에칭 레이트들은 상대적으로 일관되지 않거나 서로 매칭되지 않을 수도 있다. 이들 예들에서, 밸런싱된 에칭 레이트를 발생시키도록 RF 전력을 조정하고 총 막 두께를 매칭시키기 위해 하나 이상의 다른 기법들을 활용하는 것이 가능할 수도 있다.

본 명세서에 논의된 바와 같이, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 개별 프로세스 스테이션들에 커플링된 RF 전력의 임밸런싱은 RF 생성기로부터의 출력 전력에 영향을 주지 않고 달성될 수도 있다. 예를 들어, 특정한 실시 예들에서, RF 생성기는 약 1.5 ㎾ 내지 약 2 ㎾의 출력 전력과 같은 실질적으로 일정한 출력 전력을 제공하도록 구성될 수도 있다. 멀티-스테이션 제조 챔버의 개별 프로세스 스테이션에 커플링된 RF 전력에 대한 제어는 특정한 프로세스 스테이션에 커플링되거나 링크된 RF 전력 분배 네트워크의 하나 이상의 반응 엘리먼트들을 조정함으로써 제어되거나 조절될 수도 있다. 따라서, RF 전력 분배 네트워크의 가변 커패시터 및/또는 가변 인덕터에 대한 조정을 수행하는 것을 포함할 수도 있는, RF 전력 분배 네트워크의 반응 엘리먼트에 대한 조정을 통해, 프로세스 스테이션으로 전달된 미리 결정된 양의 전력이 증가하거나 감소할 수도 있다. 하나 이상의 프로세스 스테이션들로 전달된 전력의 이러한 증가 또는 감소는 프로세스가 하나 이상의 프로세스 스테이션들에서 발생하는 레이트의 조정을 허용할 수도 있다. 이러한 조정은 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 하나 이상의 다른 프로세스 스테이션들에 대한 제조 프로세스들 및/또는 결과들의 조화 (harmonization) 를 야기할 수도 있다. 이 맥락에서, 반응 회로 엘리먼트는 전기 신호의 전압과 전류 사이의 위상 관계를 수정하도록 동작하는 전기 회로의 임의의 집중되거나 분산된 엘리먼트를 지칭한다. 따라서, 예를 들어, 반응 회로 엘리먼트들은 전류 신호와 전압 신호 사이의 위상 관계를 수정하도록 동작하는 인덕터들, 커패시터들, 또는 임의의 다른 디바이스를 포함할 수도 있다.

특정한 실시 예들 및 구현 예들은 다양한 플라즈마-강화된 원자 층 증착 (atomic layer deposition; ALD) 프로세스들 (예를 들어, ALD1, ALD2), 다양한 플라즈마-강화된 화학적 기상 증착 (예를 들어, PECVD1, PECVD2, PECVD3) 프로세스들과 같은 다수의 웨이퍼 제조 프로세스들과 함께 활용될 수도 있고, 또는 단일 증착 프로세스들 동안 즉석에서 (on-the-fly) 활용될 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 복수의 출력 포트들을 갖는 RF 전력 생성기는 약 400 ㎑, 약 1 ㎒, 약 2 ㎒, 13.56 ㎒, 13.83 ㎒, 및 27.12 ㎒의 주파수들을 포함할 수도 있는, 약 300 ㎒ 내지 약 60 ㎒의 주파수들과 같은 임의의 신호 주파수에서 활용될 수도 있다. 그러나, 다른 실시 예들에서, 복수의 출력 포트들을 갖는 RF 전력 생성기는 약 50 ㎑ 내지 약 300 ㎑와 같이 상대적으로 저 주파수들, 뿐만 아니라 약 60 ㎒ 내지 약 100 ㎒의 주파수와 같은, 사실상 제한 없이 보다 높은 신호 주파수들을 포함할 수도 있는 임의의 신호 주파수에서 동작할 수도 있다.

본 명세서에 기술된 특정한 실시 예들이 출력 전력이 4-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 4 개의 프로세스 스테이션들 사이에에 분할될 수도 있는, 단일 출력 포트를 갖는 RF 전력 생성기들을 도시하고 그리고/또는 기술할 수도 있지만, 청구된 주제는 임의의 수의 프로세스 스테이션들을 갖는 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버들을 포괄하도록 의도된다. 따라서, 일부 실시 예들에서, RF 전력 생성기의 출력 포트는 예를 들어, 2 개의 프로세스 스테이션들 또는 3 개의 프로세스 스테이션들을 갖는 멀티-스테이션 제조 챔버의 프로세스 스테이션에 할당될 수도 있다. 다른 실시 예들에서, RF 전력 생성기의 출력 포트는 5 개의 프로세스 스테이션들, 6 개의 프로세스 스테이션들, 8 개의 프로세스 스테이션들, 10 개의 프로세스 스테이션들, 또는 사실상 제한 없이 임의의 다른 수의 프로세스 스테이션들과 같은 보다 많은 수의 프로세스 스테이션을 갖는 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 프로세스 스테이션들에 할당될 수도 있다.

반도체 디바이스들의 제작은 통상적으로 통합된 제조 프로세스에서 평면형 또는 비평면형 기판 상 또는 위에 하나 이상의 박막들을 증착하는 것을 수반한다. 통합된 프로세스의 일부 양태들에서, 고유한 기판 토포그래피 (topography) 를 따르는 (conform) 박막들을 증착하는 것이 유용할 수도 있다. 일부 경우들에서 유용한 일 타입의 반응은 CVD (chemical vapor deposition) 를 수반한다. 통상적인 CVD 프로세스들에서, 반응 챔버의 스테이션들 내로 도입된 가스상 반응 물질들 (gas phase reactant) 은 동시에 가스상 반응을 겪는다. 가스상 반응의 생성물들은 기판의 표면 상에 증착된다. 이 타입의 반응은 플라즈마의 존재에 의해 구동되거나, 플라즈마의 존재에 의해 향상되거나, 플라즈마의 존재에 의해 보조될 수도 있고, 이 경우 프로세스는 PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition) 반응으로 지칭될 수도 있다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, 용어 CVD는 달리 지시되지 않는 한 PECVD를 포함하도록 의도된다. CVD 프로세스들은 일부 맥락들에서 덜 적절하게 하는 특정한 단점들을 갖는다. 예를 들어, CVD 가스상 반응들의 대량 이송 제한들은 상단 표면들 (예를 들어, 게이트 스택들의 상단 표면들) 에서 보다 두꺼운 증착 및 리세스된 표면들 (예를 들어, 게이트 스택들의 하단 코너들) 에서 보다 얇은 증착을 나타내는 증착 효과들을 야기할 수도 있다. 또한, 상이한 디바이스 밀도의 영역들을 갖는 일부 반도체 다이에 응답하여, 기판 표면에 걸친 대량 이송 효과들은 다이 내 (within-die) 및 웨이퍼 내 (within-wafer) 두께 변동들을 발생시킬 수도 있다. 따라서, 후속 에칭 프로세스들 동안, 두께 변동들은 일부 영역들의 오버-에칭 및 다른 영역들의 언더-에칭을 발생시킬 수 있고, 이는 디바이스 성능 및 다이 수율을 저하시킬 수 있다. CVD 프로세스들과 관련된 또 다른 어려움은 이러한 프로세스들이 종종 고 종횡비 피처들에 컨포멀한 막들을 증착할 수 없다는 것이다. 이 문제는 디바이스 치수들이 계속해서 축소됨에 따라 점점 더 문제가 될 수 있다. 웨이퍼 제조 프로세스들의 특정한 양태들의 이들 및 다른 단점들은 도 1 및 도 2와 관련하여 논의된다.

또 다른 예에서, 일부 증착 프로세스들은 복수의 막 증착 사이클들을 수반하고, 각각은 이산적인 (discrete) 막 두께를 생성한다. 예를 들어, ALD (atomic layer deposition) 에서, 증착된 층의 두께는 막 형성 화학 반응 자체 전에, 기판 표면 상에 흡착할 수도 있는 하나 이상의 막 전구체 반응 물질들의 양에 의해 제한될 수도 있어서, 흡착-제한된 층을 형성한다. 따라서, ALD의 피처는, 반복적이고 순차적인 문제에 사용된 (단일 원자 또는 분자의 폭을 갖는 층들과 같은) 막의 박층들의 형성을 수반한다. 디바이스 및 피처 사이즈들이 계속해서 일정한 비율로 감소됨에 따라, 그리고 3D 디바이스들 및 구조체들이 IC (integrated circuit) 설계에서 보다 일반적이 됨에 따라, 박형의 컨포멀한 (conformal) 막들 (예를 들어, 아래에 놓인 구조체의 형상에 대해 균일한 두께를 갖는 재료의 막들) 을 증착하는 능력은 계속해서 중요해진다. 따라서, 증착 사이클 각각이 재료의 단일 원자 또는 분자 층을 증착하도록 동작하는 막 형성 기법 (technique) 인 ALD의 관점에서, ALD는 컨포멀한 막들의 증착에 잘 맞을 수도 있다. ALD를 수반하는 통상적인 디바이스 제조 프로세스들은 수백 또는 수천 개가 될 수도 있는 복수의 ALD 사이클들을 포함할 수도 있고, 이는 사실상 임의의 목표된 두께의 막들을 형성하도록 활용될 수도 있다. 또한, 층 각각이 얇고 컨포멀하다는 관점에서, 이러한 프로세스로부터 발생하는 막은 임의의 아래에 놓인 디바이스 구조체의 형상을 따를 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, ALD 사이클은 다음의 단계들을 포함할 수도 있다:

제 1 전구체로 기판 표면의 노출.

기판이 위치되는 반응 챔버의 퍼지.

통상적으로, 플라즈마 및/또는 제 2 전구체를 사용하여, 기판 표면의 반응의 활성화.

기판이 위치되는 반응 챔버의 퍼지.

ALD 사이클 각각의 지속 기간은 통상적으로 약 25 초 미만 또는 약 10 초 미만 또는 약 5 초 미만일 수도 있다. ALD 사이클의 플라즈마 노출 단계 (또는 단계들) 는 짧은 지속 기간, 예컨대 약 1 초 이하의 지속 기간일 수도 있다. 일부 예들에서, 전체 ALD 사이클은 1 초 미만을 소비할 수도 있다.

이제 도면들을 참조하면, 도 1은 다양한 실시 예들에 따른, 임의의 수의 프로세스들을 활용하여 반도체 기판들 상에 막들을 증착하기 위한 기판 프로세싱 장치 (100) 를 도시한다. 도 1의 프로세싱 장치 (100) 는 진공 펌프 (118) 의 동작에 응답하여 진공 하에 유지될 수도 있는 내부 볼륨 내 단일 기판 홀더, 예컨대 페데스탈 (108) 을 갖는 프로세스 챔버의 단일 프로세스 스테이션 (102) 을 활용한다. 프로세스 챔버에 유체로 커플링될 수도 있는 샤워헤드 (106) 및 가스 전달 시스템 (130) 은 막 전구체들, 예를 들어, 캐리어 및/또는 퍼지 및/또는 프로세스 가스들, 전구체 가스들, 2 차 반응 물질들, 등의 전달을 허용할 수도 있다. 프로세스 챔버 내에서 플라즈마의 생성에 활용된 장비는 또한 도 1에 도시된다. 도 1에 개략적으로 예시된 장치는 특히, PECVD를 수행하기 위해 구성될 수도 있다.

도 1에서, 가스 전달 시스템 (130) 은 샤워헤드 (106) 로의 전달을 위해 전구체 및/또는 프로세스 가스들을 블렌딩 및/또는 컨디셔닝하도록 동작할 수도 있는 혼합 용기 (104) 를 포함한다. 하나 이상의 혼합 용기 유입구 밸브들 (120) 은 혼합 용기 (104) 로 전구체 및/또는 가스들의 도입을 제어할 수도 있다. 특정한 반응 물질들이 기화 및 프로세스 챔버의 프로세스 스테이션 (102) 으로 후속 전달 전에 액체 형태로 저장될 수도 있다. 도 1의 실시 예는 혼합 용기 (104) 로 공급될 액체 반응 물질을 기화시키기 위한 기화 지점 (103) 을 포함한다. 일부 구현 예들에서, 기화 지점 (103) 은 가열된 액체 주입 모듈을 포함할 수도 있다. 일부 구현 예들에서, 기화 지점 (103) 은 가열된 기화기를 포함할 수도 있다. 또 다른 구현 예들에서, 기화 지점 (103) 은 프로세스 스테이션으로부터 제거될 수도 있다. 일부 구현 예들에서, 기화 지점 (103) 의 업스트림에 위치된 LFC (liquid flow controller) 가 기화 및 프로세스 스테이션 (102) 으로의 전달을 위해 액체의 대량 플로우를 제어하기 위해 제공될 수도 있다.

샤워헤드 (106) 는 프로세스 스테이션에서 기판 (112) 을 향해 프로세스 가스들 및/또는 반응 물질들 (예를 들어, 막 전구체들) 을 분배하도록 동작할 수도 있고, 이의 플로우는 샤워헤드로부터 업스트림의 하나 이상의 밸브들 (예를 들어, 밸브들 (120, 120A, 105)) 에 의해 제어된다. 도 1에 도시된 실시 예에서, 기판 (112) 은 샤워헤드 (106) 아래에 위치되고 페데스탈 (108) 상에 놓인 것으로 도시된다. 샤워헤드 (106) 는 임의의 적합한 형상을 포함할 수도 있고, 기판 (112) 으로 프로세스 가스들을 분배하기 위해 임의의 적합한 수 및 배열의 포트들을 포함할 수도 있다. 2 이상의 스테이션들을 사용하는 일부 실시 예들에서, 가스 전달 시스템 (130) 은, 일 스테이션으로 가스 플로우를 차단하게 (cut) 하지만 제 2 스테이션으로 가스 플로우를 방해하는, 스테이션 각각으로 프로세스 가스들 및/또는 반응 물질들의 플로우를 독립적으로 제어할 수 있는, 샤워헤드 (106) 의 업스트림에 밸브들 및/또는 다른 플로우 제어 구조체들을 포함한다. 더욱이, 가스 전달 시스템 (130) 은 상이한 스테이션들로 제공된 가스 조성들이 상이하도록; 예를 들어, 가스 컴포넌트의 분압이 스테이션들 사이에서 동시에 가변할 수도 있도록, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 장치의 스테이션 각각으로 전달된 프로세스 가스들 및/또는 반응 물질들을 독립적으로 제어하도록 구성될 수도 있다.

도 1에서, 볼륨 (107) 은 샤워헤드 (106) 밑에 위치되는 것으로 도시된다. 일부 구현 예들에서, 페데스탈 (108) 은 기판 (112) 을 볼륨 (107) 에 노출하고 그리고/또는 볼륨 (107) 의 사이즈를 가변시키도록 상승되거나 하강될 수도 있다. 선택 가능하게, 페데스탈 (108) 은 볼륨 (107) 내에서 프로세스 압력, 반응 물질 농도, 등을 조절하기 위해 증착 프로세스의 부분들 동안 하강 및/또는 상승될 수도 있다. 샤워헤드 (106) 및 페데스탈 (108) 은 플라즈마 생성기에 전력을 커플링하기 위해 무선 주파수 (radio frequency; RF) 전력 공급부 (114) 및 매칭 네트워크 (116) 에 전기적으로 커플링되는 것으로 도시된다. 따라서, 샤워헤드 (106) 는 무선 주파수 전력을 프로세스 스테이션 (102) 내로 커플링하기 위한 전극으로서 기능할 수도 있다. 일부 구현 예들에서, 플라즈마 에너지는 (예를 들어, 적절한 머신 판독가능 인스트럭션들 및/또는 제어 로직을 갖는 시스템 제어기를 통해) 프로세스 스테이션 압력, 가스 농도, RF 전력 생성기, 등 중 하나 이상을 제어함으로써 제어된다. 예를 들어, RF 전력 공급부 (114) 및 매칭 네트워크 (116) 는 목표된 조성의 라디칼 종을 갖는 플라즈마를 형성하도록 동작할 수도 있는, 임의의 적합한 RF 전력 레벨에서 동작될 수도 있다. 유사하게, RF 전력 공급부 (114) 는 임의의 적합한 주파수, 또는 주파수들의 그룹, 및 전력 레벨의 RF 전력을 제공할 수도 있다.

일부 구현 예들에서, 플라즈마 점화 (ignition) 및 유지 조건들은 IOC (input/output control) 인스트럭션들의 시퀀스를 통해 제어 인스트럭션들을 제공할 수도 있는, 시스템 제어기의 적절한 하드웨어 및/또는 적절한 머신-판독가능 인스트럭션들로 제어된다. 일 예에서, 플라즈마 점화 또는 유지를 야기하기 위한 인스트럭션들은 프로세스 레시피의 플라즈마 활성화 레시피의 형태로 제공된다. 일부 경우들에서, 프로세스 레시피들은 프로세스에 대한 적어도 일부 인스트럭션들이 동시에 실행되도록 순차적으로 배열될 수도 있다. 일부 구현 예들에서, 하나 이상의 플라즈마 파라미터들을 설정하기 위한 인스트럭션들은 플라즈마 점화 프로세스에 선행하는 레시피에 포함될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 레시피는 불활성 가스 (예를 들어, 헬륨) 및/또는 반응 물질 가스의 플로우 레이트를 설정하기 위한 인스트럭션들, 플라즈마 생성기를 전력 설정점으로 설정하기 위한 인스트럭션들, 및 제 1 레시피에 대한 시간 지연 인스트럭션들을 포함할 수도 있다. 제 2, 후속 레시피는 플라즈마 생성기를 인에이블하기 위한 인스트럭션들 및 제 2 레시피에 대한 시간 지연 인스트럭션들을 포함할 수도 있다. 제 3 레시피는 플라즈마 생성기를 디스에이블하기 위한 인스트럭션들 및 제 3 레시피에 대한 시간 지연 인스트럭션들을 포함할 수도 있다. 이들 레시피들은 본 개시의 범위 내에서 임의의 적합한 방식으로 더 세분되고 그리고/또는 반복될 수도 있다는 것이 인식될 것이다. 일부 증착 프로세스들에서, 플라즈마 스트라이킹 (strike) 의 지속 기간은 수 초, 예컨대 약 3 초 내지 약 15 초의 지속 기간에 대응할 수도 있고, 또는 예를 들어 최대 약 30 초의 지속 기간들과 같은 보다 긴 지속 기간들을 수반할 수도 있다. 본 명세서에 기술된 특정한 구현 예들에서, 훨씬 보다 짧은 플라즈마 스트라이킹들이 프로세싱 사이클 동안 인가될 수도 있다. 이러한 플라즈마 스트라이킹 지속 기간들은 약 50 ㎳ 미만일 수도 있고, 약 25 ㎳가 특정한 예에서 활용된다.

간략함을 위해, 프로세싱 장치 (100) 는 저압 분위기를 유지하기 위한 프로세스 챔버의 독립형 스테이션 (102) 으로서 도 1에 도시된다. 그러나, 복수의 프로세스 스테이션들이 멀티-스테이션 프로세싱 툴의 실시 예의 개략도를 도시하는, 도 2에 도시된 바와 같이, 멀티-스테이션 프로세싱 툴 환경에 포함될 수도 있다는 것이 인식될 수도 있다. 프로세싱 장치 (200) 는, 각각 특정한 프로세스 스테이션에서, 도 1의 페데스탈 (108) 과 같은 웨이퍼 홀더 내에 홀딩된 기판 상에서 프로세싱 동작들을 수행하도록 사용될 수도 있는, 복수의 제조 프로세스 스테이션들을 포함하는 집적 회로 제조 챔버 (263) 를 채용한다. 도 2의 실시 예에서, 4 개의 프로세스 스테이션들 (251, 252, 253, 및 254) 을 갖는 집적 회로 제조 챔버 (263) 가 도시된다. 다른 유사한 멀티-스테이션 프로세싱 장치들이 구현 예, 그리고 예를 들어, 병렬 웨이퍼 프로세싱의 목표된 레벨, 사이즈/공간 제약들, 비용 제약들, 등에 따라 보다 많거나 보다 적은 프로세스 스테이션들을 가질 수도 있다. 또한, 웨이퍼 카세트 (도 2에 미도시) 로부터 기판들을 로딩 포트 (180) 로부터 집적 회로 제조 챔버 (263) 내로, 그리고 프로세스 스테이션들 (251, 252, 253, 및 254) 중 하나 상으로 이동시키도록 구성된, 시스템 제어기 (290) 의 제어 하에 동작할 수도 있는 기판 핸들러 로봇 (275) 이 도 2에 도시된다.

도 2는 또한 프로세싱 장치 (200) 의 프로세스 조건들 및 하드웨어 상태들을 제어하도록 채용된 시스템 제어기 (290) 의 실시 예를 도시한다. 시스템 제어기 (290) 는 하나 이상의 메모리 디바이스들, 하나 이상의 대용량 저장 디바이스들, 및 하나 이상의 프로세서들을 포함할 수도 있다. 하나 이상의 프로세서들은 CPU (central processing unit), 아날로그 입력/출력 연결부 및/또는 디지털 입력/출력 연결부, 스텝퍼 모터 제어 보드들, 등을 포함할 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 시스템 제어기 (290) 는 프로세싱 툴 (200) 의 모든 액티비티들을 제어한다. 시스템 제어기 (290) 는 대용량 저장 디바이스에 저장되고 메모리 디바이스 내로 로딩될 수도 있고, 시스템 제어기의 하드웨어 프로세서 상에서 실행될 수도 있는 시스템 제어 소프트웨어를 실행한다. 시스템 제어기 (290) 의 프로세서에 의해 실행될 소프트웨어는 타이밍, 가스들의 혼합물, 제조 챔버 및/또는 스테이션 압력, 제조 챔버 및/또는 스테이션 온도, 웨이퍼 온도, 기판 페데스탈, 척 및/또는 서셉터 위치, 하나 이상의 기판들 상에서 수행된 사이클들의 수, 및 프로세싱 툴 (200) 에 의해 수행된 특정한 프로세스의 다른 파라미터들을 제어하기 위한 인스트럭션들을 포함할 수도 있다. 이들 프로그래밍된 프로세스들은 챔버 내부의 표면 상의 축적량을 결정하는 것과 관련된 프로세스들, 사이클들의 수를 포함하여 기판들 상의 막의 증착과 관련된 프로세스들, 및 챔버를 세정하는 것과 관련된 프로세스들을 포함하는 다양한 타입들의 프로세스들을 포함할 수도 있다. 시스템 제어기 (290) 의 하나 이상의 프로세서들에 의해 실행될 수도 있는 시스템 제어 소프트웨어는 임의의 적합한 방식으로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 다양한 프로세스 툴 컴포넌트 서브루틴들 (subroutines) 또는 제어 객체들은 다양한 툴 프로세스들을 수행하기 위해 필요한 프로세스 툴 컴포넌트들의 동작을 제어 하도록 작성될 수도 있다.

일부 실시 예들에서, 시스템 제어기 (290) 의 프로세서에 의한 실행을 위한 소프트웨어는 상기 기술된 다양한 파라미터들을 제어하기 위한 IOC (Input/Output Control) 시퀀싱 인스트럭션들을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 기판의 증착 및 증착 사이클의 페이즈 각각은 시스템 제어기 (290) 에 의한 실행을 위한 하나 이상의 인스트럭션들을 포함할 수도 있다. ALD/CFD 증착 프로세스 페이즈에 대한 프로세스 조건들을 설정하기 위한 인스트럭션들은 대응하는 ALD/CFD 증착 레시피 페이즈에 포함될 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 레시피 페이즈들은 프로세스 페이즈에 대한 모든 인스트럭션들이 그 프로세스 페이즈와 동시에 실행되도록, 순차적으로 배열될 수도 있다.

시스템 제어기 (290) 의 대용량 저장 디바이스 및/또는 시스템 제어기 (290) 에 액세스 가능한 메모리 디바이스에 저장된 다른 컴퓨터 소프트웨어 및/또는 프로그램들이 일부 실시 예들에서 채용될 수도 있다. 이 목적을 위한 프로그램들 또는 프로그램들의 섹션들의 예들은 기판 포지셔닝 (positioning) 프로그램, 프로세스 가스 제어 프로그램, 압력 제어 프로그램, 히터 제어 프로그램, 및 플라즈마 제어 프로그램을 포함한다. 기판 포지셔닝 프로그램은 (도 2의) 페데스탈 (108) 상에 기판을 로딩하고 기판과 프로세싱 장치 (200) 의 다른 부분들 사이의 간격을 제어하도록 사용된 프로세스 툴 컴포넌트들에 대한 프로그램 코드를 포함할 수도 있다. 포지셔닝 프로그램은 기판들 상에 막들을 증착하고 챔버를 세정하기 위해 필요에 따라 반응 챔버 내외로 기판들을 적절히 이동시키기 위한 인스트럭션들을 포함할 수도 있다.

프로세스 가스 제어 프로그램은 가스 조성 및 플로우 레이트들을 제어하기 위한 코드 및 선택 가능하게 프로세스 스테이션 내 압력을 안정화시키기 위해 증착 전에 하나 이상의 프로세스 스테이션들 내로 가스를 흘리기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 프로세스 가스 제어 프로그램은 반응 챔버 내의 기판 상에 막의 형성 동안 가스들을 도입하기 위한 인스트럭션들을 포함한다. 이는 기판들의 배치 (batch) 내에서 하나 이상의 기판들에 대해 상이한 수의 사이클들 동안 가스들을 도입하는 것을 포함할 수도 있다. 압력 제어 프로그램은 예를 들어, 프로세스 스테이션의 배기 시스템의 스로틀 밸브를 조절함으로써, 프로세스 스테이션 내 압력, 프로세스 스테이션 내로 가스 플로우, 등을 제어하기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 압력 제어 프로그램은 배치의 프로세싱 동안 하나 이상의 기판들 상에 상이한 수의 사이클들의 증착 동안 동일한 압력을 유지하기 위한 인스트럭션들을 포함할 수도 있다.

히터 제어 프로그램은 기판을 가열하도록 사용되는 (도 1의) 가열 유닛 (110) 으로의 전류를 제어하기 위한 코드를 포함할 수도 있다. 대안적으로, 가열기 제어 프로그램은 기판으로 (헬륨과 같은) 열 전달 가스의 전달을 제어할 수도 있다.

일부 실시 예들에서, 시스템 제어기 (290) 와 연관된 사용자 인터페이스가 있을 수도 있다. 사용자 인터페이스는 디스플레이 스크린, 장치 및/또는 프로세스 조건들의 그래픽 소프트웨어 디스플레이들, 및 포인팅 디바이스들, 키보드들, 터치 스크린들, 마이크로폰들, 등과 같은 사용자 입력 디바이스들을 포함할 수도 있다.

일부 실시 예들에서, 시스템 제어기 (290) 에 의해 조정된 파라미터들은 프로세스 조건들에 관련될 수도 있다. 비제한적인 예들은 프로세스 가스 조성 및 플로우 레이트들, 온도, 압력, 플라즈마 조건들, 등을 포함한다. 이들 파라미터들은 사용자 인터페이스를 활용하여 입력될 수도 있는 레시피의 형태로 사용자에게 제공될 수도 있다. 기판들의 전체 배치에 대한 레시피는 배치를 프로세싱하는 동안 두께 경향을 설명하기 위해 배치 내 하나 이상의 기판들에 대한 보상된 사이클 카운트들을 포함할 수도 있다.

프로세스를 모니터링하기 위한 신호들은 다양한 프로세스 툴 센서들로부터 시스템 제어기 (290) 의 아날로그 입력 연결부 및/또는 디지털 입력 연결부에 의해 제공될 수도 있다. 프로세스를 제어하기 위한 신호들은 프로세싱 툴 (200) 의 아날로그 출력 연결부 및/또는 디지털 출력 연결부를 통해 출력될 수도 있다. 모니터링될 수도 있는 프로세스 툴 센서들의 비제한적인 예들은 질량 플로우 제어기들, (마노미터들과 같은) 압력 센서들, 써모커플들, 등을 포함한다. 센서들은 또한 챔버의 내부의 하나 이상의 표면들 상의 축적 및/또는 챔버 내의 기판 상의 재료 층의 두께를 모니터링하고 결정하도록 포함되고 사용될 수도 있다. 적절하게 프로그래밍된 피드백 및 제어 알고리즘들이 프로세스 조건들을 유지하기 위해 이들 센서들로부터 데이터로 사용될 수도 있다.

시스템 제어기 (290) 는 상기 기술된 증착 프로세스들을 구현하기 위한 프로그램 인스트럭션들을 제공할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 DC 전력 레벨, 압력, 온도, 기판에 대한 사이클들의 수, 챔버 내부의 적어도 일 표면 상의 축적량, 등과 같은 다양한 프로세스 파라미터들을 제어할 수도 있다. 인스트럭션은 본 명세서에 기술된 다양한 실시 예들에 따라 막 스택들의 인 시츄 증착을 동작시키도록 파라미터들을 제어할 수도 있다.

예를 들어, 시스템 제어기는 증착 챔버 내부의 적어도 내부 영역 상에 현재 축적된 증착 재료의 양을 결정하고, 증착 챔버 내부의 내부 영역 상에 현재 축적된 증착 재료의 양이 주어지면 타깃 증착 두께를 생성하기 위한 ALD 사이클들에 대해 보상된 수를 획득하기 위해, (i) 타깃 증착 두께를 달성하기 위해 필요한 수의 ALD 사이클들, 및 (ii) 축적된 증착 재료의 양을 나타내는 변수 사이의 관계에 증착된 재료의 결정된 양 또는 이로부터 도출된 파라미터를 적용하고, 기판들의 배치 내의 하나 이상의 기판들 상에서 보상된 수의 ALD 사이클들을 수행하는 것과 같은, 본 명세서에 기술된 기법들을 수행하기 위한 제어 로직을 포함할 수도 있다. 시스템은 또한 챔버 내 축적물이 축적 한계에 도달했다고 결정하고 그 결정에 응답하여 기판들의 배치의 프로세싱을 중단하고, 챔버 내부의 세정을 유발하기 위한 제어 로직을 포함할 수도 있다.

도 2의 시스템 제어기 (290) 에 의해 수행된 상기 식별된 기능들 및/또는 동작들에 더하여, 제어기는 RF 전력을 생성하고 무선 주파수 입력 포트들 (267) 을 통해 집적 회로 제조 챔버 (263) 로 전달할 수도 있는 RF 서브시스템 (295) 의 동작들을 부가적으로 제어 및/또는 관리할 수도 있다. 본 명세서에 더 기술된 바와 같이, 이러한 동작들은 예를 들어, 집적 회로 제조 챔버 (263) 로 전달될 RF 전력에 대한 상한 및 하한 문턱 값들을 결정하고, 집적 회로 제조 챔버 (263) 로 전달된 RF 전력의 실제 (예컨대 실시간) 레벨들, RF 전력 활성화 시간/비활성화 시간, RF 전력 온/오프 지속 기간, 동작 주파수, 등을 결정하는 것과 관련될 수도 있다.

특정한 실시 예들에서, 집적 회로 제조 챔버 (263) 는 입력 포트들 (267) 에 더하여 입력 포트들 (도 2에 도시되지 않은 부가적인 입력 포트들) 을 포함할 수도 있다. 따라서, 집적 회로 제조 챔버 (263) 는 8 개의 RF 입력 포트들을 활용할 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 집적 회로 제조 챔버 (263) 의 프로세스 스테이션들 (251 내지 254) 은 각각 제 1 입력 포트 및 제 2 입력 포트를 활용할 수도 있고, 제 1 입력 포트가 제 1 주파수를 갖는 신호를 전달할 수도 있고 제 2 입력 포트가 제 2 주파수를 갖는 신호를 전달할 수도 있다. 듀얼 주파수들의 사용은 특정한 한계들 내의 증착 레이트들 및/또는 보다 쉽게 제어된 증착 레이트들을 발생시킬 수도 있는 향상된 플라즈마 특성들을 야기할 수도 있다. 듀얼 주파수들은 다른 바람직한 결과들을 야기할 수도 있고, 청구된 주제는 이 점에서 제한되지 않는다. 특정한 실시 예들에서, 약 300 ㎑ 내지 약 65 ㎒의 주파수들이 활용될 수도 있다. 일부 구현 예들에서, 약 2 ㎒ 이하의 신호 주파수들은 저 주파수 (LF) 로 지칭될 수도 있는 한편, 약 2 ㎒보다 큰 주파수들은 고 주파수 (HF) 로 지칭될 수도 있다.

도 3은 실시 예 (300) 에 따른, 임밸런싱이 하나 이상의 스테이션들 내로 도입될 수도 있는 멀티-스테이션 제조 챔버의 실시 예의 개략도를 도시한다. 이러한 맥락에서, 임밸런싱은 실질적으로 동일한 전력이 멀티-스테이션 제조 챔버의 프로세스 스테이션의 입력 포트에 커플링되는 상태로부터 동일하지 않은 양의 전력이 프로세스 스테이션의 입력 포트에 커플링되는 상태로의 편차를 포함할 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 밸런싱된 조건은 프로세스 스테이션 각각에 커플링된 RF 전력에서 약 1 ％ 미만의 편차가 있는 조건을 지칭한다. 따라서, 이러한 실시 예들에서, 임밸런싱 조건은 프로세스 스테이션 각각에 커플링된 RF 전력에서 약 1 ％보다 큰 편차가 있는 조건을 지칭한다. 특정한 실시 예들에서, 밸런싱 상태는 프로세스 스테이션 각각에 커플링된 RF 전력에서 약 2 ％ 미만의 편차가 있는 상태를 지칭한다. 따라서, 이러한 실시 예들에서, 임밸런싱 상태는 프로세스 스테이션 각각에 커플링된 RF 전력에서 약 2 ％보다 큰 편차가 있는 상태를 지칭한다. 다른 실시 예들에서, 밸런싱 상태는 프로세스 스테이션 각각에 커플링된 RF 전력에서 약 2.5 ％ 미만의 편차가 있는 상태를 지칭한다. 따라서, 이러한 실시 예들에서, 임밸런싱 상태는 프로세스 스테이션 각각에 커플링된 RF 전력에서 약 2.5 ％보다 큰 편차가 있는 상태를 지칭한다. 다른 실시 예들에서, 밸런싱 상태는 프로세스 스테이션 각각에 커플링된 RF 전력에서 약 5 ％ 미만의 편차가 있는 상태를 지칭한다. 따라서, 이러한 실시 예들에서, 임밸런싱 상태는 프로세스 스테이션 각각에 커플링된 RF 전력에서 약 5 ％보다 큰 편차가 있는 상태를 지칭한다.

도 3을 참조하여 기술된 바와 같이, RF 전력 생성기 (314) 는 상대적으로 고전력 출력 신호를 RF 매칭 네트워크 (320) 에 커플링하기 위한 단일 출력 신호 경로를 포함할 수도 있다. 도 3의 실시 예에서, RF 매칭 네트워크 (320) 는 RF 전력 생성기 (314) 의 출력 임피던스와 매칭하는 입력 임피던스를 제공하도록 동작한다. 따라서, RF 전력 생성기 (314) 가 약 50 Ω의 출력 임피던스를 제공하는 특정한 실시 예들에서, RF 매칭 네트워크 (320) 는 매칭하는 (50 Ω) 입력 임피던스를 제공할 수도 있다. RF 전력 생성기 (314) 는 1.5 ㎾의 진폭을 갖는 신호를 생성할 수도 있다; 그러나, 청구된 주제는 1.5 ㎾ (예를 들어, 750 W, 1 ㎾, 1.25 ㎾, 등) 미만의 출력 레벨들과 같은 매우 다양한 출력 전력 레벨들을 갖는 RF 전력 생성기들을 포괄하도록 의도된다. 다른 실시 예들에서, RF 전력 생성기 (314) 는 사실상 제한없이, 1.75 ㎾, 2 ㎾, 2.5 ㎾ 등의 전력 출력들과 같은 1.5 ㎾보다 큰 진폭을 갖는 신호를 생성할 수도 있다.

도 3의 실시 예에서, RF 전력 분배 네트워크 (323) 는 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 프로세스 스테이션들 사이에 RF 전력을 할당하도록 구성된다. 특정한 실시 예들에서, RF 전력 분배 네트워크 (323) 는 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버 (363) 의 프로세스 스테이션들을 나타내는, Stn-1, Stn-2, Stn-3, 및 Stn-4로 도시된 4 개의 프로세스 스테이션들 사이의 분배를 위해 RF 매칭 네트워크 (320) 로부터 상대적으로 고전력 입력 신호를 수신한다. 도 3의 실시 예 이외의 실시 예들에서, RF 분배 모듈은 임의의 수의 프로세스 스테이션들, 예컨대 4 개 미만의 프로세스 스테이션들 (예를 들어, 2 개의 프로세스 스테이션들 또는 3 개의 프로세스 스테이션들) 또는 4 개보다 많은 프로세스 스테이션들 (예를 들어, 5 개의 프로세스 스테이션들, 6 개의 프로세스 스테이션들, 8 개의 프로세스 스테이션들, 16 개의 프로세스 스테이션들, 등) 사이에 전력을 할당할 수도 있고, 청구된 주제는 이 점에서 제한되지 않는다.

도 3의 실시 예에서, RF 전력 분배 네트워크 (323) 는 레시피-제어된 커패시턴스 (recipe-controlled capacitance; RCC) 모듈들 (324, 326, 328, 및 330) 을 포함한다. RCC 모듈들은 RCC 제어 모듈 (332) 로부터의 하나 이상의 제어 파라미터들의 수신에 응답하여, RF 전력 분배 네트워크 (323) 로부터 하나 이상의 출력 신호들에 용량성 리액턴스를 더하거나 빼도록 동작할 수도 있는 적어도 하나의 튜닝 가능한 용량성 엘리먼트를 포함한다. 따라서, RCC 모듈들 (324, 326, 328, 및 330) 은 개별 RCC 모듈의 용량성 리액턴스를 조정함으로써 RF 전력 분배 네트워크 (323) 의 출력 포트의 임피던스와 대응하는 프로세스 스테이션 (예를 들어, Stn-1, Stn-2, Stn-3, 및 Stn-4) 의 입력 포트의 임피던스 사이에 정확한 매칭을 발생시키도록 동작하는 RF 전력 분배 네트워크로서 동작할 수도 있다. 부가적으로, RCC 모듈들 (324 내지 330) 은 임밸런싱을 발생시키도록 대응하는 프로세스 스테이션의 입력 포트 사이에 의도적인 미스 매치를 야기할 수도 있고, 여기서 프로세스 스테이션으로 전달된 RF 전력의 일부는 RF 전력 생성기 (314) 의 출력 포트를 향해 반사될 수도 있다.

따라서, 적어도 프로세스 스테이션들 (Stn-1 내지 Stn-4) 의 특정한 초기 동작 또는 기준 동작 동안, RCC 제어 모듈 (332) 은 RCC 모듈들 (324 내지 330) 에 의해 도입된 용량성 리액턴스들을 튜닝 가능한 범위 내의 중간 지점과 같은 기준 또는 공칭 값으로 설정하도록 RF 전력 분배 네트워크 (323) 에 지시할 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 커패시턴스의 튜닝 가능한 범위 내의 중간 지점은 RCC 모듈들 (324 내지 330) 각각에 의한 최대 달성 가능한 값의 약 50 ％의 값에 대응할 수도 있다. 이러한 예들에서, RCC 모듈들 (324 내지 330) 은 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버 (363) 의 프로세스 스테이션 각각에 실질적으로 동일한 전력을 제공하도록 RF 전력 분배 네트워크 (323) 와 협력할 수도 있다. 많은 가능한 예들 중 일 특정한 예에서, 멀티-스테이션 제조 챔버의 개별 스테이션들에 제공된 RF 전력은 약 450 W와 같을 수도 있다.

그러나, 제조 프로세스들이 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버 (363) 의 프로세스 스테이션 각각 내에서 발생하기 때문에, 조건들의 변동들은 프로세스 결과들에서 바람직하지 않은 변동들을 야기할 수도 있다. 이러한 변동들은 ALD 프로세스 동안 발생하는 막 증착 레이트들, 예를 들어, 습식 또는 건식 에칭 동작들 동안 발생하는 재료 에칭 레이트들, 또는 다른 제조 프로세스들의 불균일성들을 포함할 수도 있다. 이에 더하여, 제조 프로세스들의 불균일성들은 막 저항률 및 막 유전 상수와 같은 전기적 특성들에 바람직하지 않은 변동들을 야기할 수도 있다. 또한, 제조 프로세스들의 불균일성들은 보다 낮은 RF 전력 레벨들의 사용이 보다 높은 RF 전력 레벨들을 활용하여 생성된 보다 빠른 압축된 막들보다 보다 신속하게 에칭되는 보다 덜 압축된 막들을 발생시킬 수도 있는, 바람직하지 않은 물리적 특성들, 예컨대 막 밀도를 발생시킬 수도 있다. 본 명세서에서 이전에 언급된 바와 같이, 프로세싱 조건들의 변동들은 ALD 프로세스들에서 활용된 전구체 가스 농도들의 불일치들 (disparities), 전구체 가스 온도들의 변동들, 스테이션-특정 기하학적 구조들 변동들, RF 커플링 구조들의 스테이션-대-스테이션 (station-to-station) 변동들, 등에 의해 야기될 수도 있다. 따라서, 예를 들어, ALD 동작들 동안, 프로세스 스테이션 Stn-1 내의 웨이퍼 (351) 상에 형성되는 막과 같은 집적 회로 막의 두께는 Stn-4에서 웨이퍼 (355) 상에 형성되는 막보다 큰 두께를 포함할 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 이러한 막 두께의 변동들은 회로 성능을 저하시킬 수도 있고, 이는 결국 예를 들어 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버 (363) 의 Stn-1 내지 Stn-4에서 제조되는 집적 회로 디바이스들을 활용하는, 보다 높은 레벨 시스템들의 성능의 용인할 수 없는 변동들을 발생시킬 수도 있다.

예를 들어, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버 (363) 의 프로세스 스테이션들 (Stn-1 내지 Stn-4) 내에서 발생하는 막 형성 레이트들의 차들의 검출에 응답하여, RCC 제어 모듈 (332) 은 RCC 모듈들 (324 내지 330) 중 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트에 의해 도입된 커패시턴스를 가변시키도록 RCC 모듈들 (324 내지 330) 중 하나 이상에 지시할 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, RCC 모듈의 반응 회로 엘리먼트의 값에 대한 이러한 제어는 고정된 커패시터 플레이트들 사이에 하나 이상의 플레이트들을 슬라이딩하거나 삽입하도록 동작할 수도 있는, RCC 모듈 내의 스텝퍼 모터의 제어에 의해 야기될 수도 있다. 이에 따라, 일 예에서, Stn-1 내에서 발생하는 막 증착 레이트가 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버 (363) 의 다른 스테이션들에서 발생하는 막 형성 레이트들에 비해 감소된다는 것을 검출하는 RCC 제어 모듈 (332) 에 응답하여, RCC 제어 모듈 (332) 은 용량성 리액턴스를 감소시키도록 RCC 모듈 (324) 에 지시할 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 이러한 용량성 리액턴스의 감소는 Stn-1로 전달된 상대적인 전력을 증가시키도록 동작할 수도 있다. 따라서, 시간이 흐름에 따라, Stn-1에서 발생하는 막 증착 레이트는 다른 프로세스 스테이션들에서 발생하는 막 증착 레이트들과 동등하게 (parity with) 될 수도 있다.

도 3의 예의 맥락에서, RCC 모듈들 (324, 326, 328, 및 330) 은 용량성 리액턴스를 제공하는 회로 엘리먼트들을 포함하는 것으로 기술되었다. 특정한 실시 예들에서, 가변, 튜닝 가능한 커패시턴스를 제공하는 회로 엘리먼트들은 가변, 튜닝 가능한 인덕턴스를 제공하는 회로 엘리먼트들에 비해 특정한 구현 장점들을 가질 수도 있다. 그러나, 특정한 실시 예들에서 가변, 튜닝 가능한 인덕턴스를 제공하는 반응 회로 엘리먼트들이 유리할 수도 있고, 청구된 주제는 용량성 회로 엘리먼트들 또는 유도성 회로 엘리먼트들을 채용하는 RCC 모듈들을 포괄하도록 의도된다.

도 3의 RF 전력 생성기 (314) 가 단일 RF 전력 생성기를 포함하는 것으로 기술되었지만, RF 전력 생성기 (314) 는 2 이상의 RF 전력 생성기의 집합체를 포함할 수도 있다는 것을 주의해야 한다. 일부 예들에서, 2 개 이상의 RF 전력 생성기들의 사용은 RF 전력 생성기가 RF 전력 생성의 중단을 발생시키는 고장을 경험하는 경우에 일정 레벨의 리던던시 (redundancy) 를 제공할 수도 있다. 2 개 이상의 RF 생성기들의 사용은 부가적인 이점들을 제공할 수도 있고, 청구된 주제는 이 점에서 제한되지 않는다. RF 전력 생성기 (314) 가 2 개 이상의 개별 RF 전력 생성기들의 집합체를 포함하는 특정한 실시 예들에서, RF 전력 분배 네트워크 (323) 는 RF 전력을 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 입력 포트들로 분배하는 것에 더하여 2 개 이상의 개별 RF 전력 생성기들로부터의 RF 전력을 결합하도록 동작할 수도 있다.

도 4는 일 실시 예에 따른, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 하나 이상의 스테이션들로 RF 전력을 임밸런싱하는 방법 (400) 에 대한 플로우 차트이다. 청구된 주제의 실시 예들은 방법 (400) 에 기술된 실시 예들에 더하여, 방법 (400) 에 기술된 것보다 적은 액션들, 또는 방법 (400) 에 기술된 것과 상이한 순서로 수행된 액션들을 포함할 수도 있다. 부가적으로, 도 3의 장치는 도 4의 방법을 수행하는데 적합할 수도 있지만, 청구된 주제는 대안적인 시스템들 및/또는 장치들을 활용하여 도 4의 방법의 수행을 포괄하도록 의도된다. 도 4의 방법은 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과가 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과와 상이하다는 것을 식별하는 것을 포함할 수도 있는 (410) 에서 시작될 수도 있다. 이러한 프로세스들은 예를 들어 ALD, PECVD와 같은 막 증착 프로세스들을 포함할 수도 있다. 프로세스들은 또한 습식 에칭 프로세스 또는 건식 에칭 프로세스를 포함할 수도 있다.

방법은 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션에 커플링된 RF 전력에 대해 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션에 커플링된 RF 전력을 임밸런싱하는 것을 포함할 수도 있는 (420) 에서 계속될 수도 있다. 이러한 임밸런싱은 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버에 대한 입력부에서 RF 전력 분배 네트워크의 하나 이상의 반응 엘리먼트들의 값을 수정하는 것을 포함할 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 반응 회로 엘리먼트들의 값의 이러한 수정은 커패시턴스의 최대 값의 약 50 ％의 공칭 값으로부터 최대 값의 약 10 ％ 내지 약 90 ％의 값으로 커패시턴스를 조정하는 것을 포함할 수도 있다.

특정한 실시 예들에서, (410) 을 참조하여 기술된 바와 같이, 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과에서 스테이션-대-스테이션 불균일성을 식별하는 것은 피드백 루프에 대한 입력 신호로서 활용될 수도 있다. 불균일성의 식별은, 사용자 입력 없이 (예를 들어, 자동으로), 불균일성이 발생하는 개별 프로세스 스테이션들로 전달된 RF 전력의 임밸런싱을 야기할 수도 있다. 이러한 피드백 루프로의 입력 신호들은 프로세스 스테이션들 간의 불균일성을 측정하기 위해 다양한 기법들을 활용할 수도 있고, 이러한 기법들은 프로세싱 동안 챔버 내에서 채용될 수도 있다. 제조 프로세스 동안 챔버 내에서 채용된 기법들은 예를 들어, 전구체 또는 시약 가스 농도, 가스 온도 등의 측정을 포함할 수도 있다. 웨이퍼 프로세싱의 완료 후 채용될 수도 있는, 반응 챔버 외부에서 활용된 기법들은 웨이퍼의 중량의 측정, 웨이퍼 토폴로지 피처 측정들 (wafer topological feature measurements) (예를 들어, 임계 치수, 에칭 프로파일, 증착 컨포메이션 (conformation), 증착 막 두께, 등), 프로세싱된 웨이퍼의 물리적 특성 및/또는 화학적 특성, 에칭 레이트, 에칭 깊이, 및 웨이퍼의 전기적 특성 및/또는 광학적 특성 (예를 들어, 시트 저항, 항복 전압, 유전 상수, 굴절률, 반사율 스펙트럼, 등) 을 포함할 수도 있다. 이들 측정들, 그리고 잠재적으로 다른 측정들은 프로세스 챔버들에 참여하는 인프라스트럭처 (예를 들어, 로봇들) 에 의해 서비스될 수도 있는 통합된 계측 모듈과 같은 통합된 툴을 사용하여 이루어질 수도 있다. 측정들은 또한 통합되지 않은 계측 툴에 의해 이루어질 수도 있다.

웨이퍼의 측정된 특성들의 차들은 입력 파라미터들을 프로세싱하고 예를 들어, 멀티-챔버 집적 회로 제조 챔버의 개별 스테이션들에 커플링될 RF 전력의 진폭, 주파수 콘텐트 (frequency content), 등의 정밀한 조정 방식을 명시하는 출력 파라미터들을 리턴하는 모델 또는 다른 프로세스 로직에 입력 파라미터들로서 제공될 수도 있다. 챔버에 커플링된 RF 전력의 특성들의 이러한 수정들은 스테이션-대-스테이션 불균일성의 감소를 야기할 수도 있다. 조정들은 복수의 웨이퍼들을 프로세싱하는 복수의 사이클들에 걸쳐 반복적으로 이루어질 수도 있다. 스테이션-대-스테이션 불균일성 레벨들의 업데이트된 결정들은 모델 또는 다른 프로세스 로직에 제공될 수도 있고, 이는 모델 출력에 기초하여 스테이션-대-스테이션 RF 전력 레벨들을 더 업데이트하거나 수정하도록 활용될 수도 있다. 일부 예들에서, 모델은 프로세싱된 웨이퍼 파라미터 값 (예를 들어, 두께 또는 항복 전압) 과 대응하는 RF 전력 레벨 사이의 관계를 포함할 수도 있다. 특정한 실시 예들에서, 모델은 스테이션들 간의 불균일성 레벨과 동일한 스테이션들 간의 대응하는 수정 RF 임밸런싱 사이의 하나 이상의 감도 관계들을 통합할 수도 있다.

도 5는 실시 예 (500) 에 따른, RF 전력 밸런싱된 조건 하에서 그리고 RF 전력 임밸런싱된 조건 하에서 증착된 재료의 평균 두께를 도시하는 그래프이다. 도 3의 장치는 도 5의 그래프를 발생시키는 증착 프로세스를 수행하는데 적합할 수도 있지만, 증착 프로세스들은 장비의 다른 배열들을 활용하여 발생될 수도 있고, 청구된 주제는 이 점으로 제한되지 않는다. 도 5의 그래프의 수직 축은 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 프로세스 스테이션들에서 시변 전자기장의 존재시 증착될 막의 단위 시간 (즉, 분) 당 평균 또는 평균 두께 (mean or average thickness) (옹스트롬 또는 Å) 를 나타낸다. 도 5의 예에서, RF 밸런싱된 조건들 하에서, 프로세스 스테이션 1 (Stn-1) 에서 발생하는 막 증착은 1478 Å/분의 레이트로 발생하는 것으로 도시되지만, 프로세스 스테이션 2, 프로세스 스테이션 3 및 프로세스 스테이션 4 (Stn-2, Stn-3, Stn-4) 에서 발생하는 막 증착은 각각 1518 Å/분, 1521 Å/분, 및 1505 Å/분의 값들을 포함하는 것으로 도시된다. 따라서, 도 3의 장비 배열을 참조하면, RF 전력 분배 네트워크 (323) 는 RF 전력의 실질적으로 동일한 할당들을 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버로 전달하도록 구성될 수도 있지만, 개별 프로세스 챔버들 내 변동들은 그럼에도 불구하고 실제로 챔버 내 반응 레이트들의 불균일성을 야기할 수도 있다. 도 3의 배열을 활용하여, 프로세스 스테이션 1 내지 프로세스 스테이션 4 사이에서 RF 전력의 실질적으로 동일하거나 밸런싱된 할당의 전달은 최대 값의 약 (50 ％) 의 공칭 또는 기준 값으로부터 RCC 모듈들 (324 내지 330) 의 하나 이상의 용량성 엘리먼트들을 조정함으로써 야기될 수도 있다.

멀티-스테이션 제조 챔버의 스테이션 1에서 발생하는 감소된 증착 레이트의 검출에 응답하여, 도 3의 RCC 모듈 (324) 에 의해 제시된 커패시턴스가 조정 (예를 들어, 감소) 될 수도 있고, 이는 제조 챔버의 나머지 프로세스 스테이션들과 비교하여 프로세스 스테이션 1 (Stn-1) 내 불균일성을 적어도 부분적으로 보상할 수도 있다. 따라서, 도 5의 예에 대해, 최대 값의 약 50 ％ (RF 밸런싱) 의 기준 값으로부터 최대 값의 약 35 ％ (RF 임밸런싱) 로와 같이, RCC 모듈 (324) 에 의해 제시된 용량성 리액턴스를 수정하는 것에 응답하여, 증착 레이트가 상승될 수도 있다. 도 5의 특정한 예에 대해, RCC 모듈 (324) 에서 용량성 리액턴스의 감소는 프로세스 스테이션 1 (Stn-1) 에서의 증착 레이트를 약 1478 Å/분으로부터 약 1505 Å/분으로 상승시킬 수도 있다. 프로세스 스테이션 1 (Stn-1) 에 커플링된 RCC 모듈 (324) 과 같은 RCC 모듈의 용량성 리액턴스의 조정들은 제조 챔버의 나머지 챔버들에서 발생하는 막 증착 레이트들에 대해 무시할만한 영향만을 갖는 것으로 보인다는 것을 또한 도 5로부터 알 수도 있다. 예를 들어, 최대 값의 약 50 ％으로부터 최대 값의 약 35 ％으로 RCC 모듈 (324) 에서 용량성 리액턴스의 조정은 프로세스 스테이션 2 (Stn-1) 에서의 막 증착 레이트를 약 5 Å/분 (약 0.33 ％) 의 양만큼 감소시킨다.

도 6은 실시 예 (600) 에 따른, RF 전력 밸런싱된 조건 하에서 그리고 RF 전력 임밸런싱된 조건 하에서 반도체 재료의 에칭 레이트를 도시하는 그래프이다. 도 3의 장치는 도 6의 그래프를 발생시키는 에칭 프로세스를 수행하는데 적합할 수도 있지만, 에칭 프로세스들은 장비의 다른 배열들을 활용하여 수행될 수도 있고, 청구된 주제는 이 점으로 제한되지 않는다. 도 6의 그래프의 수직 축은 시변 전자기장의 존재시 물에 불화 수소 (HF) 의 100:1 혼합물을 활용하는 습식 에칭 프로세스 동안 발생할 수도 있는 습식 에칭 레이트를 나타낸다. 도 6의 예에서, RF 밸런싱된 조건들 하에서, 프로세스 스테이션 3 (Stn-3) 에서 발생하는 습식 에칭 레이트는 139 Å/분의 레이트로 발생하는 것으로 도시되지만, 프로세스 스테이션 1, 프로세스 스테이션 2 및 프로세스 스테이션 4 (Stn-1, Stn-2, Stn-4) 에서 발생하는 습식 에칭 레이트는 각각 152 Å/분, 158 Å/분, 및 144 Å/분의 값들을 포함하는 것으로 도시된다. 따라서, 도 3의 장비 배열을 참조하면, RF 전력 분배 네트워크 (323) 는 RF 전력의 실질적으로 동일한 할당들을 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버로 전달하도록 구성될 수도 있지만, 개별 프로세스 챔버들 내 변동들은 그럼에도 불구하고 실제로 챔버 내 반응 레이트들의 불균일성을 야기할 수도 있다. 도 3의 배열을 활용하여, 프로세스 스테이션 1 내지 프로세스 스테이션 4 사이에서 RF 전력의 실질적으로 동일하거나 밸런싱된 할당의 전달은 최대 값의 약 50 ％의 공칭 또는 기준 값으로 RCC 모듈들 (324 내지 330) 의 하나 이상의 용량성 엘리먼트들을 조정함으로써 야기될 수도 있다.

멀티-스테이션 제조 챔버의 스테이션 3에서 발생하는 감소된 에칭 레이트의 검출에 응답하여, 도 3의 RCC 모듈 (328) 의 용량성 리액턴스는 최대 값의 약 50 ％의 기준 값으로부터 최대 값의 약 90 ％까지와 같이 조정 (예를 들어, 증가) 될 수도 있다. 그러나, 특정한 예들에서 RCC 모듈의 용량성 리액턴스의 조정들은 나머지 프로세스 스테이션들과 관련하여 특정한 프로세스 스테이션에서 발생하는 습식 에칭 레이트의 목표된 증가 또는 감소를 야기하지 않을 수도 있다는 것을 주의해야 한다. 따라서, 도 6의 예에서, RCC 모듈 (328) 의 용량성 리액턴스를 조정하는 방식으로 프로세스 스테이션 3 (Stn-3) 에서 발생하는 에칭 레이트를 상승시키는 대신, 프로세스 스테이션 1 및 프로세스 스테이션 2 (Stn-1 및 Stn-2) 에서 발생하는 습식 에칭 레이트들을 감소시키도록 RCC 모듈들 (324 및 326) 의 용량성 리액턴스들을 부가적으로 조정하는 것이 유리할 수도 있다. 따라서, 도 6의 예에서, 멀티-스테이션 제조 챔버의 모든 프로세스 스테이션들에 걸쳐 발생하는 습식 에칭 레이트들은 RCC 모듈 (328) 의 용량성 리액턴스를 조정함으로써 그리고 RCC 모듈들 (324 및 326) 의 용량성 리액턴스를 조정함으로써 서로 균일하게 될 수도 있다. 도 6의 특정한 예에서, RCC 모듈들 (324 내지 328) 의 용량성 리액턴스들의 이러한 조정은 약 450 W에서 약 426 W로 프로세스 스테이션 1 (Stn-1) 에서의 RF 전력의 감소, 프로세스 스테이션 2 (Stn-2) 에서 약 450 W에서 약 442 W로 RF 전력의 감소, 그리고 프로세스 스테이션 3 (Stn-3) 에서 약 450 W에서 약 427 W로 RF 전력의 감소를 발생시킬 수도 있다.

도 7은 실시 예 (700) 에 따른, 상대적으로 높은 RF 전력 조건들 및 상대적으로 낮은 RF 전력 조건들 하의 프로세스 스테이션에서 웨이퍼 상에 증착된 막의 누설 전류를 도시하는 그래프이다. 도 7의 실시 예에서, 누설 전류는 미리 결정된 표면적을 갖는 고 전도성 수은 전극들이 막과 콘택트하게 되는 수은 프로브를 활용하여 측정될 수도 있다. 전기장을 발생시키는 전압이 이어서 수은 전극들에 걸쳐 인가될 수도 있고, 수은 프로브들의 표면적으로 유도된 전류의 나눔 (division) 을 통해 획득된 발생하는 누설 전류 밀도가 측정될 수 있다. 도 7에 나타낸 바와 같이, 특정한 실시 예들에서, 이 맥락에서 RF-생성된 전기장에 응답하여 유도된 누설 전류를 지칭하는 막 품질은 프로세스 스테이션으로 전달된 RF 전력의 감소에 응답하여 보다 높은 것으로 도시된다. 따라서, 도 7을 참조하면, 10 MV/CM (Megavolts/centimeter) 의 전기장의 영향 하에서와 같이 전압 항복 전에, 감소된 RF 전력 (도 7에서 ↓) 에 노출된 프로세스 스테이션에서 생성된 막이 약 3 × 10^-9 A/㎠의 누설 전류를 발생시킨다. 반대로, 상승된 RF 전력 (도 7에서 ↑) 에 노출된 프로세스 스테이션에서 생성된 막은 약 2 × 10^-9 A/㎠와 같은 감소된 누설 전류를 발생시킨다.

일반적으로, 도 2의 제어기 (290) 를 참조하면, 이러한 제어기는 인스트럭션들을 수신하고, 인스트럭션들을 발행하고, 동작을 제어하고, 세정 동작들을 인에이블하고, 엔드 포인트 (endpoint) 측정들을 인에이블하는, 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리, 및/또는 소프트웨어를 포함하는 전자 장치들을 활용하여 구성될 수도 있다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (DSPs), ASICs (Application Specific Integrated Circuits) 로서 규정되는 칩들, 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함할 수도 있다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 실행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기로 또는 시스템으로 전달되는 인스트럭션들일 수도 있다. 일부 실시 예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 옥사이드들, 실리콘, 실리콘 다이옥사이드, 표면들, 회로들, 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어들에 의해서 규정된 레시피의 일부일 수도 있다.

제어기는, 일부 구현 예들에서, 시스템과 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 이와 달리 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합인 컴퓨터에 커플링되거나 이의 일부일 수도 있다. 예를 들어, 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 원격 액세스를 가능하게 할 수 있는 공장 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부이거나 "클라우드" 내에 있을 수도 있다. 컴퓨터는 제조 동작들의 현 진행을 모니터링하거나, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하거나, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 계측치들을 조사하거나, 현 프로세싱의 파라미터들을 변경하거나, 현 프로세싱을 따르는 프로세싱 단계들을 설정하거나, 새로운 프로세스를 시작하기 위해서, 시스템으로의 원격 액세스를 인에이블할 수도 있다. 일부 예들에서, 원격 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 가 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함할 수도 있는 네트워크를 통해 프로세스 레시피들을 시스템에 제공할 수 있다. 원격 컴퓨터는 차후에 원격 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정사항들의 입력 또는 프로그래밍을 인에이블하는 사용자 인터페이스를 포함할 수도 있다. 일부 예들에서, 제어기는 하나 이상의 동작들 동안 수행될 프로세싱 단계들 각각에 대한 파라미터들을 특정하는, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 파라미터들은 제어기가 제어하거나 인터페이싱하도록 구성되는 툴의 타입 및 수행될 프로세스의 타입에 특정적일 수도 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 상기 기술된 바와 같이, 제어기는 예컨대 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들과 같은, 공동의 목적을 향해 함께 네트워킹되고 작동하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산될 수도 있다. 이러한 목적들을 위한 분산형 제어기의 일 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 조합되는 (예컨대 플랫폼 레벨에서 또는 원격 컴퓨터의 일부로서) 원격으로 위치한 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들일 것이다.

전술한 상세한 기술 (description) 에서, 제시된 실시 예들 또는 구현 예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 수많은 구체적 상세들이 제시되었다. 개시된 실시 예들 또는 구현 예들은 이들 구체적 상세들의 일부 또는 전부 없이 실시될 수도 있다. 다른 예들에서, 공지된 프로세스 동작들은 개시된 실시 예들 또는 구현 예들을 불필요하게 모호하게 하지 않기 위해 상세히 기술되지 않았다. 개시된 실시 예들 또는 구현 예들이 특정한 실시 예들 또는 구현 예들과 함께 기술되지만, 이러한 기술은 개시된 실시 예들 또는 구현 예들을 제한하도록 의도되지 않는다는 것이 이해될 것이다.

전술한 상세한 기술은 개시된 양태들을 기술할 목적으로 특정한 실시 예들 또는 구현 예들에 관한 것이다. 그러나, 본 명세서의 교시들은 다수의 상이한 방식들로 적용되고 구현될 수 있다. 전술한 상세한 기술에서, 첨부된 도면들이 참조된다. 개시된 실시 예들 또는 구현 예들이 당업자가 실시 예들 또는 구현 예를 실시할 수 있도록 충분히 상세히 기술되었지만, 이들 예들은 제한하지 않는다는 것이 이해되어야 한다; 다른 실시 예들 또는 구현 예가 사용될 수도 있고, 그들의 정신 및 범위로부터 벗어나지 않고 개시된 실시 예들 또는 구현 예에 대한 변화들이 이루어질 수도 있다. 부가적으로, 접속사 "또는"은 달리 지시되지 않는 한, 적절한 경우 포괄적인 의미로 의도된다는 것이 이해되어야 한다; 예를 들어, 문구 "A, B, 또는 C"는 "A", "B", "C", "A 및 B", "B 및 C", "A 및 C" 그리고 "A, B, 및 C"의 가능성들을 포함하도록 의도된다.

본 명세서에서, 용어들 "반도체 웨이퍼", "웨이퍼", "기판", "웨이퍼 기판", 및 "부분적으로 제조된 집적 회로"는 상호 교환 가능하게 사용된다. 당업자는 용어 "부분적으로 제조된 집적 회로"가 상부에서 집적 회로 제조의 많은 단계들 중 임의의 단계 동안의 실리콘 웨이퍼를 지칭할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 반도체 디바이스 산업계에서 사용된 웨이퍼 또는 기판은 통상적으로 200 ㎜, 또는 300 ㎜, 또는 450 ㎜의 직경을 포함한다. 전술한 상세한 기술은 실시 예들 또는 구현 예들이 웨이퍼 상에서, 또는 웨이퍼를 형성하거나 제조하는 것과 연관된 프로세스들과 관련하여 구현된다는 것을 가정한다. 그러나, 청구된 주제는 그렇게 제한되지 않는다. 워크피스 (work piece) 는 다양한 형상들, 사이즈들, 및 재료들일 수도 있다. 반도체 웨이퍼들에 더하여, 청구된 주제를 활용할 수도 있는 다른 워크피스들은 인쇄 회로 기판들과 같은 다양한 물품들, 또는 인쇄 회로 기판들의 제조, 등을 포함할 수도 있다.

본 개시의 맥락이 달리 명확하게 요구하지 않는 한, 본 기술 및 청구항들 전반에서, 단어들 "포함하다 (comprise)", "포함하는 (comprising)", 등은 배타적 (exclusive) 에 반대되는, 포괄적인 (inclusive) 의미이거나 총망라하는 (exhaustive) 의미, 즉 "포함하지만, 이로 제한되지 않는 (including, but not limited to)"의 의미로 해석되어야 한다. 단수형 또는 복수형을 사용한 단어들은 또한 일반적으로 복수형 또는 단수형을 각각 포함한다. 2 개 이상의 아이템들의 리스트를 참조할 때 단어 "또는"이 사용될 때, 이 단어는 이하의 단어의 해석들: 리스트의 임의의 아이템들, 리스트의 모든 아이템들, 및 리스트의 아이템들의 임의의 조합 모두를 커버한다. 용어 "구현 예"는 본 명세서에 기술된 기법들 및 방법들의 구현 예들 뿐만 아니라 본 명세서에 기술된 기법들 및/또는 방법들을 통합하고 그리고/또는 구조체들을 구현하는 물리적 객체들을 참조한다.

Claims (28)

1. RF (radio frequency) 전력을 생성하기 위한 장치에 있어서,
   하나 이상의 RF 전력 소스들; 및
   상기 하나 이상의 RF 전력 소스들로부터 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 개별 입력 포트들로 전력을 할당하도록 구성된 RF 전력 분배 네트워크를 포함하고,
   상기 RF 전력 분배 네트워크는 RF 전력 분배 네트워크로부터 상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 상기 개별 입력 포트들로 상기 전력의 임밸런싱 (imbalance) 을 야기하도록 (bring about) 하나 이상의 제어 파라미터들을 적용하도록 부가적으로 구성되는, RF 전력 생성 장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 RF 전력 분배 네트워크는 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들을 포함하는, RF 전력 생성 장치.
3. 제 2 항에 있어서,
   상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과와 상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과 사이의 불일치 (disparity) 의 식별에 응답하여 상기 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들의 적어도 하나의 값을 조정하기 위한 제어기를 더 포함하는, RF 전력 생성 장치.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 제 1 스테이션의 상기 프로세스 조건 및/또는 상기 프로세스 결과 및 상기 제 2 스테이션의 상기 프로세스 조건 및/또는 상기 프로세스 결과는 증착 프로세스를 포함하는, RF 전력 생성 장치.
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 증착 프로세스는 원자 층 증착 (atomic layer deposition; ALD) 을 포함하는, RF 전력 생성 장치.
6. 제 4 항에 있어서,
   상기 증착 프로세스는 플라즈마 강화된 화학적 기상 증착 (plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 을 포함하는, RF 전력 생성 장치.
7. 제 3 항에 있어서,
   상기 제 1 스테이션의 상기 프로세스 조건 및/또는 상기 프로세스 결과 및 상기 제 2 스테이션의 상기 프로세스 조건 및/또는 상기 프로세스 결과는 에칭 프로세스를 포함하는, RF 전력 생성 장치.
8. 제 2 항에 있어서,
   상기 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들은 적어도 하나의 커패시터 또는 적어도 하나의 인덕터를 포함하는, RF 전력 생성 장치.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들은 적어도 하나의 커패시터를 포함하고, 그리고 상기 하나 이상의 제어 파라미터들은 최대 값의 약 10 ％ 내지 약 90 ％로 상기 적어도 하나의 커패시터의 값의 수정을 야기하는, RF 전력 생성 장치.
10. 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버에 있어서,
    하나 이상의 RF (radio frequency) 전력 소스들로부터 신호를 수신하도록 각각 구성된 하나 이상의 입력 포트들;
    상기 하나 이상의 입력 포트들 중 대응하는 입력 포트에 커플링되고, 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들을 포함하는 RF 전력 분배 네트워크; 및
    상기 RF 전력 분배 네트워크에 커플링되고 상기 하나 이상의 RF 전력 소스들로부터 상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버로 커플링된 RF 전력의 임밸런싱을 발생시키도록 (give rise to) 상기 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들의 값을 수정하도록 구성된 제어기를 포함하는, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버.
11. 제 10 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들은 하나 이상의 커패시터들을 포함하는, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버.
12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 하나 이상의 커패시터들의 커패시턴스의 값을 최대 값의 약 10 ％로부터 최대 값의 약 90 ％까지 수정하도록 구성되는, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버.
13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과와 상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과 사이의 차 (difference) 의 식별에 응답하여 상기 하나 이상의 반응 회로 엘리먼트들의 값을 수정하도록 구성되는, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버.
14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 스테이션의 상기 프로세스 조건 및/또는 상기 프로세스 결과 및 상기 제 2 스테이션의 상기 프로세스 조건 및/또는 상기 프로세스 결과는 증착 프로세스를 포함하는, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버.
15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 스테이션의 상기 프로세스 조건 및/또는 상기 프로세스 결과 및 상기 제 2 스테이션의 상기 프로세스 조건 및/또는 상기 프로세스 결과는 에칭 프로세스를 포함하는, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버.
16. 제 10 항에 있어서,
    상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버는 4 개의 프로세스 스테이션들을 포함하는, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버.
17. 제 10 항에 있어서,
    상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버는 2 개의 프로세스 스테이션들을 포함하는, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버.
18. 제 10 항에 있어서,
    상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버는 8 개의 프로세스 스테이션들을 포함하는, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버.
19. 제 10 항에 있어서,
    상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버는 16 개의 프로세스 스테이션들을 포함하는, 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버.
20. 메모리에 커플링된 하드웨어 프로세서; 및
    통신 포트로서,
    멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과가 상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과와 상이하다는 지표를 수신하고; 그리고
    상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 상기 제 2 스테이션에 커플링된 RF 전력에 대해 상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 상기 제 1 스테이션에 커플링된 상기 RF 전력의 임밸런싱을 야기하도록 RF 전력 분배 네트워크로 하나 이상의 인스트럭션들을 송신하도록 구성되는, 상기 통신 포트를 포함하는, 제어 모듈.
21. 제 20 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 인스트럭션들은 상기 RF 전력 분배 네트워크의 하나 이상의 반응 엘리먼트들의 값을 수정하도록 동작하는, 제어 모듈.
22. 제 21 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 반응 엘리먼트들은 적어도 하나의 커패시터를 포함하고, 그리고 상기 하나 이상의 인스트럭션들은 상기 적어도 하나의 커패시터의 상기 값을 최대 값의 약 10 ％ 내지 약 90 ％로 수정하도록 동작하는, 제어 모듈.
23. 제조 프로세스를 제어하기 위한 방법에 있어서,
    멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 1 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과가 상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 제 2 스테이션의 프로세스 조건 및/또는 프로세스 결과와 상이하다는 것을 식별하는 단계; 및
    상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 상기 제 2 스테이션에 커플링된 RF 전력에 대해 상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 상기 제 1 스테이션에 커플링된 상기 RF 전력을 임밸런싱하는 단계를 포함하는, 제어 방법.
24. 제 23 항에 있어서,
    임밸런싱하는 단계는 상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 입력 포트에 커플링된 RF 전력 분배 네트워크의 반응 회로 엘리먼트의 값을 수정하는 단계를 포함하는, 제어 방법.
25. 제 24 항에 있어서,
    상기 반응 회로 엘리먼트의 상기 값을 수정하는 단계는 상기 반응 회로 엘리먼트의 커패시턴스를 커패시턴스의 최대 값의 약 50 ％의 공칭 값으로부터 상기 커패시턴스의 최대 값의 약 10 ％ 내지 약 90 ％의 값으로 조정하는 단계를 포함하는, 제어 방법.
26. 제 23 항에 있어서,
    임밸런싱하는 단계는 상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 상기 제 2 스테이션에 대해 상기 멀티-스테이션 집적 회로 제조 챔버의 상기 제 1 스테이션에 커플링된 RF 전력 사이에 적어도 약 1 ％의 차를 생성하는 단계를 포함하는, 제어 방법.
27. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 1 스테이션의 상기 프로세스 조건 및/또는 상기 프로세스 결과 및 상기 제 2 스테이션의 상기 프로세스 조건 및/또는 상기 프로세스 결과는 증착 프로세스를 포함하는, 제어 방법.
28. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 1 스테이션의 상기 프로세스 조건 및/또는 상기 프로세스 결과 및 상기 제 2 스테이션의 상기 프로세스 조건 및/또는 상기 프로세스 결과는 에칭 프로세스를 포함하는, 제어 방법.

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