CN118077041A - 多站处理室部件的选择性控制 - Google Patents

Abstract

本文的各种实施方案涉及用于选择性控制多站处理室的部件所用的装置、系统及方法。在一些实施方案中，方法包括：针对多个站中的一站确定待执行的沉积循环数量；通过使与第一站相关联的第一多个控制部件及与第二站相关联的第二多个控制部件被设置成第一位置，从而针对多个站中的每个站执行第一数量沉积循环；以及响应于第一数量沉积循环已完成：使第一多个控制部件中的至少一个部件被改变至第二位置；通过使第二多个控制部件保持在第一位置，从而使第二站执行额外沉积循环。

Description

多站处理室部件的选择性控制

相关申请

PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

背景技术

多站处理室可能遭遇到多站处理室的多个站之间的不平衡问题。举例而言，对于不同站的气体流动、传输功率等可能会存在差异。这种不平衡可能会导致在不同站中进行制造的衬底出现非所欲的差异。举例而言，沉积厚度、蚀刻深度等可能会存在差异。此外，以相同方式对每个站进行运用可能会是低效率的资源使用。因此，会希望能单独控制多站处理室的不同站的部件。

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分中描述的范围内以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

发明内容

本文提供选择性控制多站处理室的部件所用的系统、装置以及方法。

在一些实施方案中，提供了一种用于提供多站处理室中的站与站之间的沉积均匀性的方法，该方法包括：获得用于多个衬底的目标沉积厚度，其中所述多个衬底中的每一个在多站处理室的相应多个站中进行沉积处理，其中所述多个站中的每个站经由多个控制部件而与所述多站处理室相关联的多个公共部件操作性地耦合，而所述多个控制部件针对每个站而被独立启动；获得一或更多个参数，所述一或更多个参数指示多个沉积速率，其中每个参数对应于所述多个站中的站；至少部分基于所述一或更多个参数而针对所述多个站中的每个站确定待执行的与相应站相关联的沉积循环数量，其中所述一或更多个参数指示出针对所述相应站和所述目标沉积厚度的所述多个沉积速率中的沉积速率，其中与所述多个站中的第一站对应的第一数量沉积循环少于与所述多个站中的第二站对应的第二数量沉积循环；通过致使与所述第一站相关联的第一多个控制部件以及与所述第二站相关联的第二多个控制部件各自被设置成与沉积操作模式相关联的第一位置，从而致使针对所述多个站中的每个站执行所述第一数量沉积循环；以及响应于确定所述第一数量沉积循环已完成：通过致使与所述第一站相关联的所述第一多个控制部件中的至少一个部件被改变至第二位置，其中该第二位置致使停止进一步的沉积循环，从而致使针对所述第一站停止进一步的沉积循环；以及通过以下方式致使针对所述第二站执行额外沉积循环，直到已针对所述第二站完成所述第二数量沉积循环：致使与所述第二站相关联的所述第二多个控制部件保持在与所述沉积操作模式相关联的所述第一位置直到所述第二数量沉积循环已完成，以及响应于确定所述第二数量沉积循环已完成而将所述第二多个控制部件中的至少一个控制部件转变至所述第二位置，所述第二位置致使进一步的沉积循环停止。

在一示例中，所述公共部件包括RF产生器。在一示例中，所述第一多个控制部件包括至少一个RF开关，所述至少一个RF开关将所述第一站操作性地耦合至所述RF产生器。

在一示例中，所述公共部件包括至少一个气体源。在一示例中，所述第一多个控制部件包括至少一个气流阀，所述至少一个气流阀将所述第一站操作性地耦合至所述至少一个气体源。

在一示例中，所述多个沉积速率经由用户界面而获得。

在一些实施方案中，提供了一种用于提供多站处理室中的站与站之间的控制的方法，该方法包括：经由用户界面而获得：第一时间点的表示，在所述第一时间点时，与多站处理室的第一站相关联的第一多个控制部件以及与所述多站处理室的第二站相关联的第二多个控制部件各自被启动至与在所述第一站及所述第二站中进行的制造处理相关联的第一位置，其中所述第一多个控制部件将所述第一站操作性地耦合至与所述多站处理室相关联的公共部件，且其中所述第二多个控制部件将所述第二站操作性地耦合至与所述多站处理室相关联的所述公共部件，以及第二时间点的表示，在所述第二时间点时，所述第一多个控制部件中的至少一个部件被启动至与停止所述第一站中的所述制造处理相关联的第二位置，并且在所述第二时间点时所述第二多个控制部件保持在所述第一位置中，在所述第一时间点时，致使所述第一多个控制部件以及所述第二多个控制部件各自被启动至所述第一位置；以及在所述第二时间点时，致使所述第一多个控制部件中的所述至少一个部件被启动至所述第二位置，使得所述第一站中停止所述制造处理，同时致使所述第二多个控制部件保持在所述第一位置中，使得在所述第二站中持续进行所述制造处理。

在一示例中，所述制造处理为沉积处理、蚀刻处理、钝化处理或抑制处理中的一者。

在一示例中，所述第一时间点的所述表示和所述第二时间点的所述表示各自对应于所述制造处理的不同步骤。

在一示例中，所述用户界面包括多个可选择输入，每个可选择输入对应于所述第一多个控制部件或所述第二多个控制部件中的控制部件在所述制造处理的特定步骤时的状态。

在一示例中，所述用户界面包括矩阵，且其中所述矩阵的元素代表所述第一多个控制部件和所述第二多个控制部件在所述制造处理的不同步骤时的状态。

在一示例中，所述公共部件包括RF产生器。在一示例中，所述第一多个控制部件包括至少一个RF开关，所述至少一个RF开关将所述第一站操作性地耦合至所述RF产生器。

在一示例中，所述公共部件包括至少一个气体源。在一示例中，所述第一多个控制部件包括至少一个气流阀，所述至少一个气流阀将所述第一站操作性地耦合至所述至少一个气体源。

在一些实施方案中，提供了一种用于提供多站处理室中的站与站之间的控制的方法，该方法包括：识别：第一时间点，在所述第一时间点时，与多站处理室的第一站相关联的第一多个控制部件以及与所述多站处理室的第二站相关联的第二多个控制部件各自被启动至与在所述第一站以及所述第二站中进行的制造处理相关联的第一位置，其中所述第一多个控制部件将所述第一站操作性地耦合至与所述多站处理室相关联的公共部件，且其中所述第二多个控制部件将所述第二站操作性地耦合至与所述多站处理室相关联的所述公共部件，以及第二时间点，在所述第二时间点时，所述第一多个控制部件中的至少一个部件被启动至与停止所述第一站中的所述制造处理相关联的第二位置，并且在所述第二时间点时所述第二多个控制部件保持在所述第一位置中，其中所述制造处理为蚀刻处理、钝化处理或抑制处理；在所述第一时间点时，致使所述第一多个控制部件和所述第二多个控制部件各自被启动至所述第一位置；以及在所述第二时间点时，致使所述第一多个控制部件中的所述至少一个部件被启动至所述第二位置，使得所述第一站中停止所述制造处理，同时致使所述第二多个控制部件保持在所述第一位置中，使得在所述第二站中持续进行所述制造处理。

在一示例中，所述第一时间点和所述第二时间点各自对应于所述制造处理的不同步骤。

在一示例中，所述公共部件包括RF产生器。在一示例中，所述第一多个控制部件包括至少一个RF开关，所述至少一个RF开关将所述第一站操作性地耦合至所述RF产生器。

在一示例中，所述公共部件包括至少一个气体源。在一示例中，所述第一多个控制部件包括至少一个气流阀，所述至少一个气流阀将所述第一站操作性地耦合至所述至少一个气体源。

附图说明

图1显示根据一些实施方案的利用任何数量的处理而在半导体衬底上或上方沉积或蚀刻膜的衬底处理装置。

图2为根据一些实施方案的示例多站处理室的示意图。

图3为示意图，其示出了根据一些实施方案的与示例处理室示相关联的各种控制部件。

图4A及4B显示根据一些实施方案的示例用户界面，其可用于控制多站处理室的多个站的独立部件。

图5显示根据一些实施方案的横跨不同站而控制站与站之间的生长的示例处理。

图6显示根据一些实施方案的使用用户界面而控制多站处理室的不同站的独立部件的处理示例。

图7显示根据一些实施方案的在1)蚀刻处理期间；2)钝化处理期间；或3)抑制处理期间控制多站处理室的不同站的独立部件的处理示例。

图8呈现示例计算机系统，其可用于实施本文所述的某些实施方案。

具体实施方式

在下方叙述中，若干具体细节被阐述以提供对所呈现实施方案的透彻理解。所公开的实施方案可在不具一些或所有这些具体细节的情况下实施。在其他实例中，并未详细描述公知的处理操作以免不必要地模糊所公开的实施方案。虽然所公开的实施方案将结合特定实施方案进行描述，但应能理解的是这些特定实施方案的用意并非在于限制所公开的实施方案。

在一些实施方案中，与多站处理室的每个站相关联的控制部件可被独立启动，而可在每个站内独立控制制造处理。在一些实施方案中，制造处理可为沉积处理，例如原子层沉积(ALD)处理、化学气相沉积处理(CVD)等。在一些实施方案中，制造处理可为蚀刻处理。在一些实施方案中，制造处理可为钝化处理，在该钝化处理中会改变(例如，使用氧化)衬底的表面组成，以例如在后续的蚀刻处理期间保护衬底的特征侧壁。在一些实施方案中，制造处理可为抑制处理，在该抑制处理期间会改变特征的不同位置(例如，特征的顶部或特征的底部)处在沉积期间的生长速率。

在一些实施方案中，可针对每个站而独立启动控制部件，以提供跨不同站的一致性。举例而言，控制部件的独立启动可能会导致特定站中的沉积处理被停止或阻止，而其他站中的沉积处理则继续进行。举例来说，通过在关于较快生长速率的站中阻止沉积，同时允许在具有较慢生长速率的其他站中继续进行沉积，可横跨在不同站中进行沉积处理的多个衬底而达成较均匀的沉积厚度。作为另一示例，控制部件的独立启动可导致特定站中的蚀刻处理被停止或阻止，同时允许其他站中的蚀刻处理继续进行。举例来说，通过在具有较快蚀刻速率的站中阻止蚀刻处理，同时允许在具有较慢蚀刻速率的其他站中继续进行蚀刻处理，可横跨在不同站中进行蚀刻处理的多个衬底而达成较均匀的蚀刻深度。

在一些实施方案中，控制部件可包括独立的气流阀，所述气流阀将站操作性地耦合至与多站处理室相关的特定气体源。举例而言，气流阀可与在制造处理期间将气体从气体源提供到特定站所使用的特定歧管相关联，使得当气流阀被设定为“打开”或“出口”位置时，该站会经由该歧管而接收气体；而当气流阀被设定为“关闭”或“转向”位置时，该站即不经由该歧管接收气体。在一些实施方案中，与第一站相关联的第一气流阀及与第二站相关联的第二气流阀可将第一站及第二站经由公共歧管而操作性地耦合至公共气体源。通过将第一气流阀设定成“关闭”或“转向”位置，同时将第二气流阀设定成“打开”或“出口”位置，可阻止第一站经由歧管接收气体，而第二站则可经由歧管接收气体。因此，通过第一气流阀及第二气流阀的独立控制，制造处理可在第一站停止，且在第二站进行。

在一些实施方案中，控制部件可包括独立RF开关，所述RF开关将站操作性地耦合至与多站处理室相关联的RF产生器。举例而言，与第一站相关联的第一RF开关将第一站操作性地耦合至RF产生器，而与第二站相关联的第二RF开关可将第二站操作性地耦合至第二RF产生器。通过将第一RF开关设定成“停用”状态，同时将第二RF开关设定成“启用”状态，可阻止第一站从RF产生器接收RF功率，而第二站则可从RF产生器接收RF功率。因此，通过第一RF开关及第二RF开关的独立控制，制造处理可在第一站停止，且在第二站进行。

在一些实施方案中，多站处理室的每个站所用的控制部件的状态及/或位置可被用户通过用户界面而加以指定。在一些实施方案中，可针对处理的不同步骤而指定控制部件的状态及/或位置。举例而言，用户界面可包括表格、阵列及/或矩阵，其中各元素代表部件在特定步骤时的状态及/或位置。通过用户界面的使用，可对于用户(例如，制程工程师)提供不同站的高程度独立控制，从而在制造处理期间达成跨不同站的一致性。

某些实现方案可与例如各种等离子体增强原子层沉积(ALD)处理、各种等离子体增强化学气相沉积(CVD)处理的多个晶片制造处理结合使用，或是可在单一沉积处理期间实时(on-the-fly)使用。在某些实现方案中，可在任何信号频率下使用具有多个输出端口的RF功率产生器，其中该信号频率例如介于约300kHz与约60MHz之间的频率，其可包括约400kHz、约1MHz、约2MHz、约13.56MHz及/或约27.12MHz的频率。然而，在其他实现方案中，具有多个输出端口的RF功率产生器可在任何信号频率运行，该信号频率可包括例如介于约50kHz与约300kHz之间的相对低频率，以及介于约60MHz与约100MHz之间的较高信号频率。

应当注意，虽然本文所述的特定实现方案可显示及/或描述具有4(四)个处理站的多站半导体制造室，但是这些实现方案的用意在于涵盖具有或利用任何数量的处理站的多站集成电路制造室。因此，在某些实现方案中，具有多个输出端口的RF功率产生器的个别输出端口可被指派给具有例如2个处理站或3个处理站的多站制造室中的一个处理站。在其他实现方案中，具有多个输出端口的RF功率产生器的个别输出端口可被指派给具有大量处理站的多站集成电路制造室(例如，5个处理站、6个处理站、8个处理站、10个处理站或任何其他数量的处理站)的处理站。此外，本公开的实施方案适用于仅具有单一处理站的室。此外，虽然本文所述的特定实现方案可能显示及/或描述单一且相对低频的RF信号(例如，介于约300kHz至约2MHz之间的频率)，以及单一且相对高频的RF信号(例如，介于约2MHz与约100MHz之间的频率)的使用，但所公开的实现方案意旨在包括低于约2MHz的任何数量的频率以及高于约2MHz的任何数量的频率的使用。

图1显示根据各种实现方案的利用任何数量的处理而在半导体衬底上或上方沉积膜的衬底处理装置100。图1的处理装置100可使用处理室的单一处理站102，其在内部容积中具有单一衬底保持件108(例如，基座)，该内部容积可通过真空泵118而被保持在真空下。喷头106及气体输送系统101(其可与处理室流体耦合)可允许膜前体的输送，以及例如承载气体及/或清扫气体及/或处理气体、辅助反应物等的输送。图1还显示在处理室内产生等离子体所使用的装置。图1中示意性示出的装置可尤其适合执行等离子体增强CVD。

在一些实施方案中，气体输送系统101可包括用于执行处理化学品(例如，用于将输送至喷头106的处理气体进行混合及/或调接的混合容器)的各种部件。特定反应物得以液体形式储存，且在蒸发后输送至处理室的处理站102。气体输送系统可包括蒸发液体反应物所用的部件。在一些实现方案中，可提供液体流量控制器，从而控制用于蒸发且输送至处理站102的液体的质量流量。

喷头106可运行以将处理气体及/或反应物(例如，膜前体)分配朝向处理站处的衬底112，而处理气体及/或反应物的流动可被喷头上游的一或更多阀所控制。在图1所示的实现方案中，衬底112被示出成位于喷头106下方，且被显示为坐落在单一衬底保持件108上。喷头106可包括任何合适形状，并且可包括任何合适数量及布置的端口，以将处理气体分配至衬底112。在一些涉及两个或更多站的实现方案中，气体输送系统101包括位于喷头上游的阀或其他流动控制结构，其可独立控制往每个站的处理气体和/或反应物的流动，从而允许气流到达一站，同时禁止气流到达第二站。此外，气体输送系统101可被配置以对于被输送至多站装置中的每个站的处理气体和/或反应物进行独立控制，使得对于不同站所提供的气体组成是不同的；例如，在相同时点，不同站之间的气体成分的分压可能会有变化。

在图1的实现方案中，气体容积107被示出成位于喷头106下方。在一些实现方案中，可将单一衬底保持件108升高或降低，从而将衬底112暴露于气体体积107和/或改变气体容积107的尺寸。任选地，可在沉积处理的部分期间将单一衬底保持件108降低和/或升高，从而调整气体容积107内的处理压力、反应物浓度等。喷头106及单一衬底保持件108被示出成与RF信号产生器114及匹配网络116电性耦合，从而将功率耦合至等离子体产生器。因此，喷头106的功能可作为电极，以将射频功率耦合至处理站102中。举例而言，RF信号产生器114及匹配网络116可在任何合适的RF功率电平下操作，而可运行以形成具有所欲自由基物质组成的等离子体。此外，RF信号产生器114可提供RF功率，其具有多于一个的频率成分，例如低频成分(例如，小于约2MHz)及高频成分(例如，大于约2MHz)。

在一些实现方案中，等离子体点燃及维持条件通过合适硬件和/或系统控制器中的合适机器可读指令而控制，该系统控制器可经由输入/输出控制指令的序列提供控制指令。在一示例中，引发点燃或维持等离子体所用的指令以处理配方的等离子体活化部分的形式而提供。在某些情况下，处理配方可依序排列，使得针对该处理的至少一些指令可同时执行。在一些实现方案中，设定一或更多等离子体参数所用的指令可被包括在等离子体点燃处理前的配方中。举例而言，第一配方可包括用于设定惰性气体(例如，氦)和/或反应物气体的流率的指令、用于将等离子体产生器设定至功率设定点的指令，以及第一配方所用的时间延迟指令。后续的第二配方可包括用于启用等离子体产生器的指令，以及第二配方所用的时间延迟指令。第三配方可包括停用等离子体产生器所用的指令，以及第三配方所用的时间延迟指令。应理解，这些配方可在本公开的范围内以任何合适的方式进一步细分和/或迭代进行。在一些沉积处理中，等离子体点燃的持续时间可对应于数秒的持续时间，例如约3秒至约15秒，或是可涉及较长的持续时间，例如长达约30秒的持续时间。在本文所述的某些实现方案中，可在处理循环期间应用较短的等离子体点燃。这些等离子体点燃持续时间可落在小于约50毫秒的量级，而在特定示例中使用约25毫秒。

在一些实施方案中，控制器150所用的指令可经由输入/输出控制(IOC)序列指令而提供。在一个示例中，针对处理阶段而设定条件的指令可被包括在处理配方的相应配方阶段中。在一些情况下，处理配方阶段可依序排列，使得针对该处理的至少一些指令可同时执行。在一些实施方案中，设定一或更多反应器参数所用的指令可被包括在处理配方中。举例而言，第一配方阶段可包括用于设定惰性气体和/或反应物气体(例如，第一前体)的流率的指令、用于设定承载气体(例如，氩)的流率的指令、用于第一RF功率电平的指令，以及第一配方阶段所用的时间延迟指令。后续的第二配方阶段可包括用于调整或停止惰性气体和/或反应物气体的流率的指令、用于调整承载气体或清扫气体的流率的指令、用于第二RF功率电平的指令，以及第二配方阶段所用的时间延迟指令。第三配方阶段可包括用于调整第二反应物气体的流率的指令、用于调整第二反应物气体的流动的持续时间的指令、用于调整承载气体或清扫气体的流率的指令、用于第三RF功率电平的指令，以及第三配方阶段所用的时间延迟指令。后续的第四配方阶段可包括用于调整或停止惰性气体和/或反应物气体的流率的指令、用于调整承载气体或清扫气体的流率的指令、用于第四RF功率电平的指令，以及第四配方阶段所用的时间延迟指令。应理解，这些配方可在所公开实施方案的范围内以任何合适的方式进一步细分和/或迭代进行。

如上所述，可将一或更多处理站包括在多站处理工具中。图2显示多站处理工具200的实施方案的示意图，该多站处理工具200具有入站(inbound)装载锁202及出站(outbound)装载锁204，其中的一或两者可包括远程等离子体来源。处于大气压力下的机械手206被配置以将晶片从通过传送盒208进行装载的晶舟通过大气埠口210进到入站装载锁202中。通过机械手206将晶片放置在入站装载锁202中的基座212上，将大气埠口210关闭并且将装载锁进行抽气。在该入站装载锁202包括远程等离子体来源的情况下，可在晶片被导引至处理室214中之前将该晶片暴露于装载锁内的远程等离子体处理。此外，还可在入站装载锁202中对晶片进行加热，以例如移除湿气及所吸附的气体。接下来，开启往处理室214的室传输埠口216，且另一机械手(未显示)将晶片放入反应器中且位于该反应器中所显示的第一站的衬底保持件上以进行处理。虽然在图2中所示出的实施方案包括装载锁，但应理解的是，在一些实施方案中可将衬底直接提供至处理站中。

所示出的处理室214包括四个处理站，在图2中所显示的实施方案中是从1到4进行编号。每个站具有加热式基座(显示为站1的218)，以及气体管线入口。应理解的是，在一些实施方案中，各处理站可具有不同或多个用途。举例而言，在一些实施方案中，处理站可在ALD处理模式与等离子体增强ALD处理模式之间切换。额外或替代地，在一些实施方案中，处理室214可包括一或更多匹配成对的ALD处理站及等离子体增强ALD处理站。虽然所示出的处理室214包括四个站，但应理解的是，根据本公开的处理室可具有任何合适数量的站。举例来说，在一些实施方案中，处理室可具有五或更多站；而在其他实施方案中，处理室可具有三或更少站。

应当理解，除非另有指明外，否则对本公开的RF功率设定的各种提及通常意旨于提及各晶片的RF功率设定。在涉及多站处理工具中的多个处理站的实施方案中，可提供一或更多RF功率源以服务多个处理站(例如，同时和/或按顺序)。在单一RF功率源服务服务处理站的实施方案中，可将RF功率源的每一晶片功率设定乘以被同时提供所欲功率电平的等离子体的处理站的数量。换言之，当本公开描述300瓦的RF功率设定时，应理解该RF功率设定反映每一晶片300瓦的值，且在多站处理工具中，RF功率源的实际RF功率设定可为每一晶片的功率设定乘以站的数量。

多站处理工具200可包括晶片搬运系统，以在处理室214内传输晶片。在一些实施方案中，晶片搬运系统可在各种处理站之间，和/或在处理站与装载锁之间传输晶片。应理解的是，可使用任何合适的晶片搬运系统。非限制性示例包括晶片旋转料架(carousel)及晶片搬运机械手。图2还示出系统控制器250的实施方案，用以控制多站处理工具200的处理条件与硬件状态。系统控制器250可包括一或更多记忆设备256、一或更多大量储存设备254，以及一或更多处理器252。处理器252可包括CPU或计算机、模拟和/或数字输入/输出连接件、步进马达控制器板等。

在一些实施方案中，系统控制器250控制着多站处理工具200的所有活动。系统控制器250执行系统控制软件258，其中该系统控制软件258被储存在大量储存设备254中、加载至记忆设备256中，以及在处理器252上执行。或者，可将控制逻辑硬编码至控制器250中。特殊应用集成电路、可编程逻辑装置(例如，场域可编程栅极阵列或FPGA)等可为了这些用途而使用。下列讨论中，无论在何处使用“软件”或“代码”，均可在该处使用功能性相当的硬编码逻辑。系统控制软件258可包括多个指令，用于控制：时间、气体混合、气体流率、室和/或站的压力、室和/或站的温度、晶片温度、目标功率层级、RF功率层级、衬底保持件、卡盘和/或承受器位置，以及由多站处理工具200所执行的特定处理的其他参数。系统控制软件258得以任何合适的方式进行配置。举例而言，可将各种处理工具部件的子程序或控制对象进行编写，以对根据所公开的清洁方法执行各种处理工具处理所需的处理工具部件的操作进行控制。系统控制软件258可在任何合适的计算机可读编程语言中进行编码。

在一些实施方案中，系统控制软件258可包括控制上述各种参数所用的输入/输出控制(IOC)序列指令。在一些实施方案中，可使用储存在与系统控制器250相关的大量储存设备254和/或存储器设备256上的其他计算机软件及/或程序。为此目的的程序或程序部分的示例包括衬底定位程序、处理气体控制程序、压力控制程序、加热器控制程序及等离子体控制程序。

衬底定位程序可包括处理工具部件所用的程序代码，其中所述处理工具部件用以将衬底装载至衬底保持件218上，以及控制衬底与多站处理工具200的其他部件之间的间距。

处理气体控制程序可包括代码，以用于控制气体组成(例如，如本文所述的含碘的硅前体，以及含氮气体、承载气体及清扫气体)及流率，以及任选地用于在沉积之前将气体流入一或更多处理站中，从而稳定该处理站内的压力。压力控制程序可包括代码，以用于例如通过调节处理站的排气系统内的节流阀、进入该处理站内的气流等，从而控制该处理站内的压力。

加热器控制程序可包括代码，以用于控制往加热该衬底所用的加热单元的电流。或者，加热器控制程序可控制热传输气体(例如，氦)往该衬底的输送。

等离子体控制程序可包括代码，以用于根据本文中的实施方案而对施加至一或更多处理站内的处理电极的RF功率电平进行设定。

压力控制程序可包括代码，以用于根据本文的实施方案以维持反应室内的压力。

在一些实施方案中，可存在与系统控制器250相关的用户界面。用户界面可包括显示屏幕、装置及/或处理条件的图像软件显示器，以及例如指向设备、键盘、触控屏幕、麦克风等的用户输入装置。

在一些实施方案中，由系统控制器250所调整的参数可与处理条件有关。非限制性的示例包括处理气体的组成及流率、温度、压力、等离子体条件(例如，RF偏压功率电平)等。这些参数得以配方形式而提供至用户，该配方可应用用户界面进行输入。

可通过系统控制器250的模拟及/或数字输入连接件以提供来自各种处理工具的传感器的监控处理所用的多个信号。可将用于控制处理的该等信号输出在多站处理工具200的模拟及数字输出连接件上。可受监控的处理工具传感器的非限制性示例包括质量流量控制器、压力传感器(例如，压力计)、热电耦等。经适当编程的回馈及控制算法可与来自这些传感器的数据一起使用以维持处理条件。

控制器250可提供用于实施上述沉积处理的程序指令。所述程序指令可控制各种处理参数，像是DC功率电平、RF偏压功率电平、压力、温度等。所述指令可控制该等参数，从而根据本文所述的各种实施方案来操作膜堆叠件的原位沉积。

系统控制器250通常将包括一或更多存储器设备与配置以执行指令的一或更多处理器，使得该装置将执行与本实施方案相符的方法。可将包含指令的机器可读介质耦合至该系统控制器250，所述指令用于控制与本实施方案相符的处理操作。

在一些实现方案中，系统控制器250是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片保持器、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理条件和/或系统类型，系统控制器250可以被编程以控制本文公开的任何处理，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(RF)产生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出与具体系统连接或通过界面连接的工具和其他转移工具和/或装载锁。

概括地说，系统控制器250可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或执行程序指令(例如，软件)的一个或多个微处理器或微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到系统控制器250的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定处理的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。

在一些实现方案中，系统控制器250可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，系统控制器250可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，以改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供处理配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，系统控制器250接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的处理的类型和工具的类型，系统控制器250被配置为与该工具界面或控制该工具。因此，如上所述，系统控制器250可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的处理和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的处理。

示例性系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、PEALD室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。

如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，系统控制器250可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具界面、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。

应当注意，图2仅示出可在本文所述的技术、系统及方法的一些实施方案中所使用的多站处理室中的一示例。在一些实现方案中，多站处理室可包括多个室或反应器(例如，二、四、六、八个等)，其中该多个室或反应器本质上是模块化的，并且为群集式的。举例而言，该多个室或反应器可围绕一或更多共享部件(例如，一或更多晶片搬运系统、系统控制器等)进行群集。该多个室或反应器可处于公共真空环境。在一些实施方案中，真空环境及其包含的多个模块，以及共享的晶片搬运资源被统称为“群集式工具”。

在一些实施方案中，多站处理室的单独站操作性地耦合至该多站处理室的所有站公共的部件。这些部件可包括一或更多歧管，该一或更多歧管各自耦合到气体源、RF产生器等。在一些实施方案中，可经由可独立控制的部件将站操作性地耦合至公共部件。举例而言，可经由气体阀将站操作性地耦合至歧管。更具体而言，可经由第一气体阀将第一站操作性地耦合至歧管，以及可经由第二气体阀将第二站操作性地耦合至歧管，其中该第一气体阀及第二气体阀可被独立控制及/或启动。在该示例中，在特定站中进行制造处理可能需要该站经由歧管接收气流，而因此需要将相应的阀设置成开启位置。在一示例中，在第一时间段期间，第一气体阀及第二气体阀皆可被设置成开启或出口位置，使得第一站及第二站均经由歧管接收气流。接续此示例，在第二时间段期间，第一气体阀可被设置成关闭或转向位置，而第二气阀可被设置成打开或出口位置，使得第一站不经由歧管接收气流，而第二站则经由歧管接收气流。作为另一示例，可经由RF开关将站操作性地耦合至RF产生器。在此示例中，在特定站中进行制造处理可能需要该站从RF产生器接收RF功率，因此需要将相应的RF开关设置成启用位置。更具体而言，可经由第一RF开关将第一站操作性地耦合至RF产生器，以及可经由第二RF开关将第二站操作性地耦合至RF产生器。在一示例中，在第一时间段期间，第一RF开关及第二RF开关皆可被设置成启用状态，使得第一站及第二站均从RF产生器接收RF功率。接续此示例，在第二时间段期间，第一RF开关可被设置成停用状态，而第二RF开关可被设置成启用状态，使得第一站不从RF产生器接收RF功率，而第二站则从RF产生器接收RF功率。

在一些实施方案中，多站处理室与一或更多歧管相关联，其中各歧管可与不同的气体源耦合。不同的歧管可与不同的制造处理相关联使用。举例而言，第一歧管可供沉积处理期间的气流所用。作为另一示例，第二歧管可供蚀刻处理期间及/或抑制处理期间的气流所用。如本文所使用，抑制处理是指在例如ALD处理期间调整特征内的生长速率。举例而言，抑制处理可用以防止在特征的顶部处进行生长，同时在特征的底部处进行生长。作为又一示例，第三歧管可在氧化步骤期间使用，而第四歧管可在还原步骤期间使用。在更具体的示例中，第三歧管及/或第四歧管可在钝化处理期间使用。如本文所使用，钝化处理可用于改变膜或衬底的表面组成，以例如防止特征的侧壁的蚀刻。

在一些实施方案中，对应的阀可具有命名规则，其中该命名规则指示该相应的阀将特定歧管操作性地耦合至不同站。举例而言，阀X01可将站X操作性地耦合至特定歧管。作为更具体的示例，在一些实施方案中，包括四个站的多站处理室可包括阀x101、x201、x301及x401，其中阀x101将站1操作性地耦合至歧管，阀x201将站2操作性地耦合至歧管，以此类推。

图3显示根据一些实施方案的各种歧管对于多站处理室的单一站的示例耦合示意图。如图所示，多个歧管与喷头301耦合。举例而言，歧管1经由阀302而操作性地耦合至喷头301，歧管2经由阀304而操作性地耦合至喷头301，歧管3经由阀306而操作性地耦合至喷头301，而歧管4经由阀308而操作性地耦合至喷头301。如下所述，在一些实施方案中，阀302、304、306及308中的各者可对于多站处理室的其他站相关联的对应阀分开且独立启动。在一些实施方案中，各歧管可操作性地耦合至不同的气体源。举例而言，歧管1可用于经由第一气体源而向站提供第一气体，而歧管2可用于经由第二气体源向站提供第二气体。在一些实施方案中，不同的歧管可与不同的制造处理结合使用。额外地或替代地，在一些实施方案中，多个歧管可以在单一制造处理的执行期间。虽然图3中示出四个歧管，但应理解的是，站可操作性地耦合至任何合适数量的歧管。

在一些实施方案中，将多站处理室的独立站的独立控制部件启动至特定位置的处理步骤可被用户通过用户界面而指定。因此，多站处理室的独立站的独立控制部件被启动至特定位置的时间点可通过经由用户界面所获得的数据而识别。举例而言，用户界面可包括参数集的指示，其中该参数集的各参数的值可在处理的不同步骤时独立地设定及/或修改。参数的示例包括针对特定站点的特定阀(例如，对应于站1及歧管1的阀、对应于站2及歧管1的阀、对应于站1及歧管2的阀、对应于站2及歧管2的阀等)、针对特定站的RF开关(例如，针对站1的RF开关、针对站2的RF开关等)。

在一些实施方案中，在处理的不同步骤时指示控制部件的位置及/或状态所用的用户界面可包括表格、阵列及/或矩阵，其中各元素对应于特定控制部件在处理的特定步骤时的位置及/或状态。举例而言，表格、阵列及/或矩阵的行(row)可以对应于不同参数(例如，不同控制部件)。接续此示例，表格、阵列及/或矩阵的列(column)可以对应于处理的不同步骤。在一些实施方案中，可通过修改用户界面中所呈现的表格、阵列及/或矩阵中的相应元素，从而在处理的特定步骤时改变特定控制部件的值。举例而言，在一些实施方案中，用户界面内的表格、阵列及/或矩阵的元素可为可选择的。接续此示例，在一些实施方案中，特定元素的选择可允许用户变更参数的值。在示例中，在参数可能是两值取其一的情况下，特定元素的选择可能会导致参数(例如，控制部件)的状态切换到替代值。举例来说，对应于RF开关的参数值可从“启用”切换到“停用”，反之亦然。在另一示例中，特定元素的选择可例如通过将其他可行值的下拉式清单呈现给用户以进行选择，从而允许用户选择不同的参数值。举例来说，选择与控制气体流率的控制部件对应的元素可产生下拉式清单，该下拉式清单指示待呈现的可能速率，其中用户可经由该下拉式清单而进行选择。在一些实施方案中，可例如通过使表格、阵列及/或矩阵中的相应元素变灰、通过使相应元素变成不可选择的等方法，从而指示在处理的特定步骤时可能无法改变的参数。

应注意的是，在一些实施方案中，用户界面可呈现在用户设备上，例如桌面计算机、笔记本电脑、平板计算机等。经由用户界面所获得的信息可接着被通信(例如，传送)至与多站处理室相关联的控制器，及/或被传送至与多站处理室的独立站相关联的一或更多控制器。接着，控制器可例如通过将特定控制部件启动至经由用户界面所指示的特定时间点所指示的特定位置或状态，从而对经由用户界面所获得的信息产生作用。

图4A显示根据一些实施方案的改变多站处理室的不同站的阀的位置及/或状态所用的示例用户界面400。如图所示，用户界面400包括表格402。表格402包括行404及列406。行404的各行对应于不同参数或控制部件。在图4A的示例中，行404的各行对应于特定的气流阀，具体而言为站1的阀x164、站2的阀x264、站3的阀x364及站4的阀x464。列406的各列对应于处理的不同步骤，例如“配料1”、“配料2”、“配料后清扫”、“RF开启1”及“RF开启2”。在一些实施方案中，可使用滑标410来卷动(scroll)行，例如以检视在用户界面400中所显示的那些行上方及/或下方的行。在一些实施方案中，可使用滑标408来卷动列，例如以检视在用户界面400中所显示的那些列之前及/或之后的处理步骤。

如图4A中所示出，表格402的各元素对应于在相应列中所指示的步骤时，在相应行中所指示的参数值。举例而言，元素412指示步骤7时，站1的阀x164的状态及/或位置。如图4A中的元素412及414所示出，站1的阀x164的状态及/或位置在步骤7及8时已被设置成“出口”。相对地，如元素416至426所示，站2的阀x264、站3的阀x364及站4的阀x464的状态及/或位置在步骤7及8时已变为“转向”。因此，由于阀x164、x264、x364及x464对应于同一歧管(且因此对应于多站处理室的同一公共气体源)，但是针对不同的站，因此在步骤7及8时执行用户界面400中所表示的处理时，气体可经由与阀x164对应的歧管而流动至站1，而经由同一歧管往站2至站4的气流可被阻断。

应注意的是，在处理的特定步骤时(例如，在对应于“配料后清扫”的步骤9时)，可能不允许用户改变阀x164、x264、x364及x464的状态及/或位置。在一些实施方案中，对应的元素(例如，元素428～434)在用户界面400内可能是无法选择的。在一些实施方案中，可将相应的元素(例如，元素428～434)变灰。

图4B显示根据一些实施方案的改变多站处理室的不同站的RF开关的状态所用的示例用户界面450。应当注意，用户界面450示出表格402(例如，如图4A中所显示的)，其中显示不同的行454。具体而言，行454指示分别与站1、站2、站3及站4的RF开关的控制部件对应的参数。换句话说，行454可指示在图4A中所显示且结合图4A而描述于上的行404上方或下方的行。

如图所示，各RF开关(例如，每个站的RF开关，用于将该站耦合至与多站处理室相关联的公共RF产生器)的状态可例如经由元素456～470中的任何者而进行切换。举例而言，对于步骤10及步骤11，站1的RF开关的状态可分别经由元素456及458而进行切换(例如，在启用与停用之间)。作为另一示例，对于步骤10及步骤11，站3的RF开关的状态可分别经由元素464及466而进行切换(例如，在启用与停用之间)。如图4B所示，不同站的RF开关可针对处理的特定步骤而被设置成不同状态。在图4B所显示的示例中，站1、2及4的RF开关在步骤10及步骤11时启用，而站3的RF开关在步骤10及步骤11时停用。因此，在图4B所显示的示例中，站1、2及4在步骤10及步骤11时被操作性地耦合至RF产生器(且因此从该RF产生器接收RF功率)，而站3在步骤10及步骤11时未操作性地耦合至RF产生器(而因此不从RF产生器接收RF功率)。

在一些实施方案中，在沉积处理期间(例如，在ALD处理期间)所执行的沉积循环数量可在逐站基础上加以变更。举例而言，可在多站处理室的一组站上执行第一数量的沉积循环，接着可在该组站的子集(subset)上执行第二数量的沉积循环。作为更具体的示例，可至少部分基于与多站处理室的一或更多站相关联的沉积生长速率而在该一或更多站上阻止第二数量的沉积循环的执行。在示例中，相较于具有相对较低沉积生长速率的站的子集，在具有相对较高沉积生长速率的一或更多站上可能不会执行额外沉积循环。

在一些实施方案中，可基于与每个站相关联的沉积生长速率而确定将在多站处理室的每个站处执行的沉积循环数量。在一些实施方案中，在多站处理室上执行处理之前，用户例如可通过用户界面而为每个站指定沉积生长速率。举例而言，图4A及4B中所显示的用户界面可包括对应于每个站的“沉积生长速率”的行。在一些实施方案中，可至少部分基于原位监测而确定将在每个站执行的沉积循环数量。举例而言，响应于接收到指出沉积生长速率比预期更快的原位数据，可阻止在特定站上执行额外沉积循环。

在一些实施方案中，是否要在特定站处执行特定沉积循环可通过将与该站相关联的特定控制部件进行启动而加以控制。控制部件可包括气流阀(例如，气流阀，其控制气体是否经由与在沉积循环期间将气体流动到该站相关联的特定歧管而流动至该站)及/或RF开关。举例而言，可通过在沉积循环期间将气流阀启动至“关闭”或“转向”位置以防止气体在沉积循环期间流动至特定站，从而阻止在该站处执行沉积循环。作为另一示例，可通过在沉积循环期间将与特定站相关联的RF开关设置成“停用”状态以防止在沉积循环期间向该站提供RF功率，从而阻止在该站处执行沉积循环。在一些实施方案中，可经由用户界面为处理的特定步骤指定各控制部件的状态及/或位置，如图4A及4B所显示及结合图4A及4B所描述于上。

图5显示根据一些实施方案的通过启动每个站处的控制部件，从而控制以逐站基础所执行的多个沉积循环的处理500的示例。在一些实施方案中，处理500的方格可被与多站处理室相关联的控制器执行。在一些实施方案中，处理500的方格得以不同于图5中所示的顺序执行。在一些实施方案中，处理500的两个或更多方格可实质并行地执行。在一些实施方案中，可省略处理500中的一或多个方格。

处理500可从502开始，获得一组衬底的目标沉积厚度，各衬底在多站处理室的相应一组站中经历沉积处理，各室经由独立启动部件而操作性地耦合至多站处理室的公共部件。在一些实施方案中，该组衬底的各衬底的目标沉积厚度可为相同的。在一些实施方案中，多站处理室的公共部件可包括一或更多公共气体源、公共RF产生器等。

在504时，处理500可获得一或更多个参数，其指示多站处理室的每个站的沉积速率。对于特定站，沉积速率可代表在该站处的一次沉积循环的生长(例如，以埃为单位)。应注意，多站处理室的每个站的沉积速率可为不同的，而这可代表站之间的差异。在一些实施方案中，每个站的沉积速率可通过用户界面而获得。在一些实施方案中，每个站的沉积速率可由控制器例如基于在先前执行的沉积处理期间所获得的原位或非原位数据而确定。

在506时，处理500可至少部分基于相应的沉积速率而为每个站确定欲执行的沉积循环数量。举例而言，在一些实施方案中，可通过将在方格502时所获得的目标沉积厚度除以在方格504时所获得的特定站的沉积速率，从而确定该站的沉积循环数量。在一些实施方案中，沉积循环的数量可为目标沉积厚度与沉积速率的商，四舍五入到最接近的整数、向上四舍五入或向下四舍五入。在一些实施方案中，与第一站相关联的沉积循环的第一数量可小于与一或更多剩余站相关联的沉积循环的第二数量。举例而言，将在第一站执行的沉积循环数量可为1200，而将在第二站执行的沉积循环数量可为1250。应当注意，虽然处理500整体描述在多站处理室的二个站处所执行的沉积循环，但是本文所述的技术可扩展至任何合适数量(例如，4、6、8、10等)的站。在一些实施方案中，每个站可执行不同数量的沉积循环。在一些实施方案中，两个或更多站可执行相同数量的沉积循环。

在508时，处理500可通过将经独立启动的部件各自设置至与沉积操作模式相关联的第一位置，从而针对该组站中的每个站执行第一数量的沉积循环。举例而言，处理500可致使与每个站相关联的气流阀在该第一数量的沉积循环的涉及将气体流动至每个站的部分期间被设置成“开启”或“出口”位置。作为另一示例，处理500可致使与各开关相关联的RF开关在该第一数量的沉积循环的涉及向每个站提供RF功率的部分期间被设置成“启用”位置。

在510时，处理500可确定第一数量的沉积循环是否已完成。举例而言，处理500可将已完成的多个沉积循环与第一数量的沉积循环进行比较。

如果在510时，处理500确定第一数量的沉积循环尚未完成(510时为“否”)，则处理500可循环回到方格508，并持续致使在多站处理室的每个站处执行额外的沉积循环，直到完成第一数量的沉积循环。

如果在510时，处理500确定第一数量的沉积循环已完成(510时为“是”)，则处理500可续行至512，并且可通过将第一站的经独立启动部件的至少一部分设置成与阻止或停止第一站中的沉积处理相关联的第二位置，从而使第一站处的进一步沉积循环停止。举例而言，在一些实施方案中，处理500可致使与第一站相关联的气流阀被设置成“关闭”或“转向”位置，从而阻止气流到达第一站。作为另一示例，在一些实施方案中，处理500可致使与第一站相关联的RF开关被设置成“停用”状态，从而阻止RF功率被提供至第一站。

在514时，处理500可通过致使与其余站相关联的经独立启动部件保持在与沉积操作模式相关联的第一位置，直到第二数量的沉积循环已被执行，从而在第一站之外的其余站处执行额外沉积循环。举例而言，在额外沉积循环的执行期间，气流及/或RF功率可被阻止到达第一站，从而防止第一站处的衬底上的沉积生长；同时，气流及RF功率可被提供至其余的站，从而允许在其余站的衬底上进行沉积生长。

应注意，虽然处理500描述在站的子集上执行第二数量的沉积循环，但是应当理解的是，可以在X个站处执行N个沉积循环，可在X-1个站处执行N'个沉积循环，可在X-2个站处执行N”个沉积循环，以此类推，其中N＞N'＞N”。

在一些实施方案中，与多站处理室的特定站相关联的各种控制部件在何时被启动至不同状态及/或位置相关联的时间信息可至少部分基于从用户界面所获得的信息。此等用户界面的示例被显示在图4A及4B中，并且结合图4A及4B而描述于上。举例而言，可通过用户界面而为处理的各步骤指定特定控制部件的状态及/或位置。不同站的相应控制部件(例如，气流阀)可被指定为针对处理的特定步骤而设置为不同状态及/或位置，从而在每个站处独立地执行及/或阻止执行例如沉积循环、蚀刻循环、钝化循环及/或抑制循环。

图6显示根据一些实施方案的基于从用户界面所获得的信息来控制多站处理室的多个站的独立部件的处理600的示例。应当注意，虽然处理600描述多站处理室的第一站及第二站，但是下方描述的技术可扩展到任何合适数量的站(例如，4、6、8、10等)。在一些实施方案中，处理600的方格得以不同于图6中所示的顺序执行。在一些实施方案中，处理600的二或更多方格可基本并行地执行。在一些实施方案中，可省略处理600中的一或多个方格。

处理600可从602开始，经由用户界面获得第一时间点的表示，在该第一时间点时，与第一站相关联的控制部件及与第二站相关联的控制部件将被启动至与在第一站及第二站中进行制造处理相关联的第一位置。在一些实施方案中，第一时间点的表示可对应于制造处理的特定步骤(例如，沉积循环的配料阶段等)。在一些实施方案中，控制部件可包括多个气流阀，各气流阀与特定歧管相关联，且该特定歧管耦合至与多站处理室相关联的公共气体源；及/或包括多个RF开关，该等RF开关将多站处理室的RF产生器耦合至特定站。制造处理可为沉积处理、蚀刻处理、钝化处理及/或抑制处理。

在604时，处理600经由用户界面获得第二时间点的表示，在该第二时间点时，与第一站相关联的控制部件将被启动至与停止该第一站中的制造处理相关联的第二位置。第二时间点的表示可对应于制造处理的不同步骤，其中这些不同步骤与第一时间点的表示所对应的步骤不同。举例而言，第二时间点的表示可对应于在第一站未执行的额外沉积循环。作为另一示例，第二时间点的表示可对应于在第一站未执行的额外蚀刻循环。

在606时，处理600可在第一时间点时，致使与第一站及第二站相关联的控制部件被启动至第一位置，使得制造处理在第一站及第二站两者中进行。举例而言，处理600可针对第一站及第二站的各者而致使与特定歧管相关联的气流阀被设置成“开启”或“出口”位置，使得第一站及第二站在制造处理期间各自经由歧管而接收气体。作为另一示例，处理600可针对第一站及第二站的各者而致使RF开关被设置成“启用”状态，使得第一站及第二站在制造处理期间各自从多站处理室的RF产生器接收RF功率。

在608时，处理600可在第二时间点时，致使与第一站相关联的多个控制部件中的至少一部分被启动至第二位置，使得制造处理不继续在第一站进行，且使该制造处理在第二站继续进行。举例而言，在一些实施方案中，处理600可将与第一站相关联的气流阀设置成“关闭”或“转向”位置，使得第一站不再接收气流而有效停止第一站中的制造处理。接续此示例，可将与第二站相关联的气流阀保持在“开启”或“出口”位置，使得第二站在制造处理期间持续接收气流。作为另一示例，在一些实施方案中，处理600可将与第一站相关联的RF开关设置成“停用”状态，使得第一站不再从与多站处理室相关联的RF产生器接收RF功率，从而有效停止第一站中的制造处理。接续此示例，可将与第二站相关联的RF开关保持在“启用”状态，使得第二站中的制造处理持续进行。

在一些实施方案中，与多站处理室的独立站相关联的控制部件可以与蚀刻处理、钝化处理及/或抑制处理相关联而单独启动。举例而言，可在每个站中执行不同数量的蚀刻循环、钝化循环及/或抑制循环。作为更具体的示例，可在不同站中执行不同数量的蚀刻循环，从而跨越多站处理室的不同站中承受蚀刻处理的多个衬底而控制其蚀刻深度(例如，以达成较均匀的蚀刻深度)。作为另一更具体的示例，可在不同站中执行不同数量的钝化循环，以针对多站处理室的不同站中承受钝化处理的不同衬底而达成不同的表面组成。在这种示例中，不同衬底的特征侧壁得以不同方式进行涂覆，以根据每个站的蚀刻速率而在后续的蚀刻处理期间保护侧壁。作为另一更具体的示例，可在不同站中执行不同数量的抑制循环，以在该等不同站的各者中的衬底的不同特征位置(例如，特征的顶部、特征的底部等)处达成不同的沉积生长。

图7显示根据一些实施方案的控制多站处理室的多个站的独立部件的处理700的示例，其中这些独立部件可用于不同的制造处理。应当注意，虽然处理700描述多站处理室的第一站及第二站，但是下方描述的技术可扩展到任何合适数量的站(例如，4、6、8、10等)。在一些实施方案中，处理700的方格得以不同于图7中所示的顺序执行。在一些实施方案中，处理700的二或更多方格可实质并行地执行。在一些实施方案中，可省略处理700中的一或多个方格。

处理700可从702开始，识别第一时间点，其中与第一站相关联的控制部件及与第二站相关联的控制部件将在该第一时间点被启动至与第一站及第二站中进行制造处理相关联的第一位置。该制造处理可为蚀刻处理、钝化处理或抑制处理。在一些实施方案中，第一时间点的表示可对应于制造处理的特定步骤。在一些实施方案中，控制部件可包括多个气流阀，各气流阀与特定歧管相关联，所述歧管耦合至与多站处理室相关联的公共气体源，及/或耦合至RF开关，其中所述RF开关将多站处理室的RF产生器耦合至特定站。在一些实施方案中，可基于通过用户界面所获得的信息来识别第一时间点。在一些实施方案中，可至少部分基于原位监测及/或基于先前执行的制造处理期间所获得的非原位数据来识别第一时间点。举例而言，原位数据及/或非原位数据可指示与每个站相关联的生长速率及/或蚀刻速率，而这可用于确定将在每个站执行的蚀刻循环、钝化循环及/或抑制循环的数量。

在704时，处理700可识别第二时间点，与第一站相关联的控制部件将在该第二时间点被启动至与停止第一站中的制造处理相关联的第二位置。第二时间点可对应于制造处理的不同步骤，其中这些不同步骤与第一时间点所对应的步骤不同。举例而言，第二时间点可对应于在第一站未执行的额外蚀刻循环。在一些实施方案中，可基于通过用户界面所获得的信息来识别第二时间点。在一些实施方案中，可至少部分基于原位监测及/或基于先前执行的制造处理期间所获得的非原位数据来识别第二时间点。举例而言，原位数据及/或非原位数据可指示与每个站相关联的生长速率及/或蚀刻速率，而这可用于确定将在每个站执行的蚀刻循环、钝化循环及/或抑制循环的数量。

在706时，处理700可在第一时间点时，致使与第一站及第二站相关联的控制部件被启动至第一位置，使得制造处理在第一站及第二站二者中进行。举例而言，处理700可针对第一站及第二站的各者而致使与特定歧管相关联的气流阀被设置成“开启”或“出口”位置，使得第一站及第二站各自在制造处理期间经由歧管接收气体。作为另一示例，处理700可针对第一站及第二站的各者而致使RF开关被设置成“启用”状态，使得第一站及第二站各自在制造处理期间从多站处理室的RF产生器接收RF功率。

在708时，处理700可在第二时间点时，致使与第一站相关联的该等控制部件中的至少一部分被启动至第二位置，使得在第一站中不再进行制造处理，且使得在第二站中继续进行制造处理。举例而言，在一些实施方案中，处理700可将与第一站相关联的气流阀设置成“关闭”或“转向”位置，使得第一站不再接收气流而有效停止第一站中的制造处理。接续此示例，可将与第二站相关联的气流阀保持在“开启”或“出口”位置，使得第二站在制造处理期间继续接收气流。作为另一示例，在一些实施方案中，处理700可将与第一站相关联的RF开关设置成“停用”状态，使得第一站不再从与多站处理室相关联的RF产生器接收RF功率，而有效停止第一站中的制造处理。接续此示例，可将与第二站相关联的RF开关保持在“启用”状态，使得制造处理在第二站中继续进行。

针对所公开的计算实施方案的背景

本文所公开的某些实施方案涉及控制多站处理室的独立站的部件所用的计算系统。

具有各种计算机架构中的任何一种的计算系统的许多类型可实现为所公开的用于实施算法的系统，如本文所述的。例如，该系统可包含在一或多个通用处理器或专门设计的处理器(例如专用集成电路(ASIC)或可编程逻辑设备(例如现场可编程门阵列(FPGAs))的特殊设计的处理器上执行的软件部件。另外，该系统可在单一设备上实现或分布遍及多个设备。计算元件的功能可彼此合并或是进一步分成多个子模块。

在某些实施方案中，在恰当地程序化的系统上在用于控制多站处理室的多个站的部件的技术的生成或执行期间执行的程序代码可以软件部件的形式实现，该软件部件可存储于非易失性存储介质(诸如光盘、快闪存储设备、行动硬盘等)中，包含用于制造计算机设备(诸如个人计算机、服务器、网络装置等等)的大量指令。

在一个级别，软件部件被实现为由程序设计员/开发员所准备的成组的指令。然而，可由计算机硬件执行的模块软件是使用“机器码”提交给存储器的可执行程序代码，该“机器码”是选自设计在硬件处理器中的特定机器语言指令组或“原生指令(nativeinstruction)”。该机器语言指令组、或原生指令组对硬件处理器是已知的且基本上内置于其中。这是系统及应用软件与硬件处理器通信的“语言”。每个原生指令是离散码，该离散码由处理架构所识别，且该离散码可以为算数、寻址、或控制功能；特定存储器位置或偏移；以及用于解释操作数的特定寻址模式而指定特定寄存器。更复杂的操作通过结合这些简单原生指令进行构建，该原生指令是按顺序、或者按由控制流程指令指示的其他方式执行。

可执行的软件指令与硬件处理器之间的相互关系是结构性的。换言之，这些指令本身是一系列符号或数值。它们本质上并不传达任何信息。其是处理器，该处理器按照设计预先配置以解释所述符号/数值，从而赋予意义给指令。

本文中所述的方法和技术可被设置成在单一位置的单一机器上、在单一位置的多个机器上、或是在多个位置的多个机器上执行。当使用多个机器时，可针对它们的特定任务定制各个机器。例如，可以在大型和/或固定机器上实现需要大代码块和/或显著处理能力的操作。

此外，某些实施方案与有形的和/或非暂时计算机可读介质或计算机程序产品相关，该计算机程序产品包括用于执行各种计算机实施的操作的程序指令和/或数据(包含数据结构)。计算机可读介质的示例包含但不限于：半导体内存设备；相变设备；诸如硬盘、磁带之类的磁介质；诸如CD、磁光介质之类的光学介质；以及特别设置以存储以及执行程序指令的硬件设备，诸如只读存储器(ROM)以及随机存取存储器(RAM)。计算机可读的介质可由终端用户直接控制，或者该介质可由终端用户间接控制。直接控制介质的示例包含位于用户工厂的介质和/或不与其他实体共享的介质。间接控制介质的示例包含用户经由外部网络和/或经由提供诸如“云端”的共享资源的服务可间接访问的介质。程序指令的示例包含机器程序代码(例如由编译程序所产生)和含有可由计算机使用解释器执行的更高级程序代码的文件两者。

在多种实施方案中，在所公开的方法和装置中使用的数据或信息以电子格式提供。这种数据或信息可包含计算中将使用的各种系数等。如此处所使用的，以电子格式提供的数据或其他信息可存储在机器上以及在机器之间传输。按常规，电子格式的数据以数字形式提供且在各种数据结构、列表、数据库等等中可存储为位和/或字节。数据可以以电子的、光学的等方式实施。

系统软件一般与计算机硬件以及相关联的内存连接。在某些实施方案中，系统软件包含：操作系统软件和/或固件、以及安装在系统中的任何中间软件以及驱动器。系统软件提供计算机的基本非任务特定功能。相反，模块以及其他应用软件用于完成特定任务。每个用于模块的原生指令存储于存储器设备且以数值表示。

一示例性的计算机系统800描绘于图8中。如图所示，计算机系统800包含输入/输出子系统802，其可以实现用于与人类用户和/或其他计算机系统交互的界面，具体取决于应用。本公开内容的实施方案可以在系统800上的程序代码中实现，系统800具有用于从人类用户接收输入程序陈述和/或数据(例如经由GUI或键盘)以及将它们显示给该用户的I/O子系统802。I/O子系统802可包含，例如：键盘、鼠标、图形用户界面、触控屏幕、或者其他输入界面；以及例如：LED或其他平面屏幕显示器、或其他输出界面。

通信界面807可包含任何合适的部件或电路，部件或电路用于利用任何合适的通信网路(如互联网、内联网、广域网(WAN)、局域网(LAN)、无线网络、虚拟专用网(VPN)和/或任何其他合适类型的通信网络)进行通信。例如，通信界面807可以包括网络界面卡电路、无线通信电路等。

程序代码可以存储在非暂时性介质中，例如辅助存储器810或存储器808或两者中。在一些实施方案中，辅助存储器810可以是持久存储装置。一个或多个处理器804从一个或多个非暂时性介质读取程序代码并执行该代码以使计算机系统能够完成由本文的实施方案执行的方法，例如本文所述的涉及控制多站处理室的多个站的部件的那些方法。本领域技术人员应理解，处理器可接受源代码，例如用于执行训练及/或建模操作的语句，并且将源代码解释或编译为在处理器的硬件门级别可以理解的机器代码。总线808耦合I/O子系统802、处理器804、外围设备806、通信界面807、存储器808和辅助存储器810。

结语

虽然上述实施方案已经为了清楚理解的目的在一些细节方面进行了描述，但显而易见的是，某些变化和修改方案可在所附权利要求的范围内实施。应当注意的是，具有实施本发明的实施方案的过程、系统和装置的许多替代方式。因此，本发明的实施方案应被视为是说明性的而不是限制性的，并且所述实施方案并不限于本文所给出的细节。

Claims (21)

1.一种用于提供多站处理室中的站与站之间的沉积均匀性的方法，该方法包括：

获得用于多个衬底的目标沉积厚度，其中所述多个衬底中的每一个在多站处理室的相应多个站中进行沉积处理，其中所述多个站中的每个站经由多个控制部件而与所述多站处理室相关联的多个公共部件操作性地耦合，而所述多个控制部件针对每个站而被独立启动；

获得一或更多个参数，所述一或更多个参数指示多个沉积速率，其中每个参数对应于所述多个站中的站；

至少部分基于所述一或更多个参数而针对所述多个站中的每个站确定待执行的与相应站相关联的沉积循环数量，其中所述一或更多个参数指示出针对所述相应站和所述目标沉积厚度的所述多个沉积速率中的沉积速率，其中与所述多个站中的第一站对应的第一数量沉积循环少于与所述多个站中的第二站对应的第二数量沉积循环；

通过致使与所述第一站相关联的第一多个控制部件以及与所述第二站相关联的第二多个控制部件各自被设置成与沉积操作模式相关联的第一位置，从而致使针对所述多个站中的每个站执行所述第一数量沉积循环；以及

响应于确定所述第一数量沉积循环已完成：

通过致使与所述第一站相关联的所述第一多个控制部件中的至少一个部件被改变至第二位置，从而致使针对所述第一站停止进一步的沉积循环；以及

通过以下方式致使针对所述第二站执行额外沉积循环，直到已针对所述第二站完成所述第二数量沉积循环：致使与所述第二站相关联的所述第二多个控制部件保持在与所述沉积操作模式相关联的所述第一位置直到所述第二数量沉积循环已完成，以及响应于确定所述第二数量沉积循环已完成而将所述第二多个控制部件中的至少一个控制部件转变至所述第二位置，所述第二位置致使进一步的沉积循环停止。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述公共部件包括RF产生器。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一多个控制部件包括至少一个RF开关，所述至少一个RF开关将所述第一站操作性地耦合至所述RF产生器。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述公共部件包括至少一个气体源。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一多个控制部件包括至少一个气流阀，所述至少一个气流阀将所述第一站操作性地耦合至所述至少一个气体源。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述多个沉积速率经由用户界面而获得。

7.一种用于提供多站处理室中的站与站之间的控制的方法，该方法包括：

经由用户界面而获得：

第一时间点的表示，在所述第一时间点时，与多站处理室的第一站相关联的第一多个控制部件以及与所述多站处理室的第二站相关联的第二多个控制部件各自被启动至与在所述第一站及所述第二站中进行的制造处理相关联的第一位置，其中所述第一多个控制部件将所述第一站操作性地耦合至与所述多站处理室相关联的公共部件，且其中所述第二多个控制部件将所述第二站操作性地耦合至与所述多站处理室相关联的所述公共部件，以及

第二时间点的表示，在所述第二时间点时，所述第一多个控制部件中的至少一个部件被启动至与停止所述第一站中的所述制造处理相关联的第二位置，并且在所述第二时间点时所述第二多个控制部件保持在所述第一位置中，

在所述第一时间点时，致使所述第一多个控制部件以及所述第二多个控制部件各自被启动至所述第一位置；以及

在所述第二时间点时，致使所述第一多个控制部件中的所述至少一个部件被启动至所述第二位置，使得所述第一站中停止所述制造处理，同时致使所述第二多个控制部件保持在所述第一位置中，使得在所述第二站中持续进行所述制造处理。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述制造处理为沉积处理、蚀刻处理、钝化处理或抑制处理中的一者。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中所述第一时间点的所述表示和所述第二时间点的所述表示各自对应于所述制造处理的不同步骤。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其中所述用户界面包括多个可选择输入，每个可选择输入对应于所述第一多个控制部件或所述第二多个控制部件中的控制部件在所述制造处理的特定步骤时的状态。

11.根据权利要求7至10中任一项所述的方法，其中所述用户界面包括矩阵，且其中所述矩阵的元素代表所述第一多个控制部件和所述第二多个控制部件在所述制造处理的不同步骤时的状态。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的方法，其中所述公共部件包括RF产生器。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一多个控制部件包括至少一个RF开关，所述至少一个RF开关将所述第一站操作性地耦合至所述RF产生器。

14.根据权利要求7至11中任一项所述的方法，其中所述公共部件包括至少一个气体源。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一多个控制部件包括至少一个气流阀，所述至少一个气流阀将所述第一站操作性地耦合至所述至少一个气体源。

16.一种用于提供多站处理室中的站与站之间的控制的方法，该方法包括：

识别：

第一时间点，在所述第一时间点时，与多站处理室的第一站相关联的第一多个控制部件以及与所述多站处理室的第二站相关联的第二多个控制部件各自被启动至与在所述第一站以及所述第二站中进行的制造处理相关联的第一位置，其中所述第一多个控制部件将所述第一站操作性地耦合至与所述多站处理室相关联的公共部件，且其中所述第二多个控制部件将所述第二站操作性地耦合至与所述多站处理室相关联的所述公共部件，以及

第二时间点，在所述第二时间点时，所述第一多个控制部件中的至少一个部件被启动至与停止所述第一站中的所述制造处理相关联的第二位置，并且在所述第二时间点时所述第二多个控制部件保持在所述第一位置中，其中所述制造处理为蚀刻处理、钝化处理或抑制处理；

在所述第一时间点时，致使所述第一多个控制部件和所述第二多个控制部件各自被启动至所述第一位置；以及

在所述第二时间点时，致使所述第一多个控制部件中的所述至少一个部件被启动至所述第二位置，使得所述第一站中停止所述制造处理，同时致使所述第二多个控制部件保持在所述第一位置中，使得在所述第二站中持续进行所述制造处理。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一时间点和所述第二时间点各自对应于所述制造处理的不同步骤。

18.根据权利要求16或17所述的方法，其中所述公共部件包括RF产生器。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一多个控制部件包括至少一个RF开关，所述至少一个RF开关将所述第一站操作性地耦合至所述RF产生器。

20.根据权利要求16或17所述的方法，其中所述公共部件包括至少一个气体源。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述第一多个控制部件包括至少一个气流阀，所述至少一个气流阀将所述第一站操作性地耦合至所述至少一个气体源。