KR20220059422A - 레시피 갱신 방법 - Google Patents

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KR20220059422A
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마사후미 우라카와
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 고주파 전력 인가 후에 배치대의 온도가 안정될 때까지의 시간을 단축한다.
[해결수단] 레시피 갱신 방법은, 플라즈마 생성용 고주파 전력의 인가 타이밍을 포함하는 제1 레시피를 이용하여, 배치대에 배치된 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정과, 제1 레시피에 대응시켜, 배치대의 온도가 최소치까지 강하하는 기준 타이밍과 배치대 온도의 제1 최대치를 계측하는 공정과, 제1 레시피의 인가 타이밍을 기준 타이밍으로 변경하여 얻어지는 제2 레시피를 이용하여, 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정과, 제2 레시피에 대응시켜, 배치대 온도의 제2 최대치를 계측하는 공정과, 제2 최대치가 제1 최대치보다 작은 경우에 제1 레시피를 제2 레시피로 갱신하는 공정을 포함한다.

Description

레시피 갱신 방법{RECIPE UPDATING METHOD}
본 개시는 레시피 갱신 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 배치하는 배치대에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 생성함으로써, 배치대에 배치된 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 기술이 알려져 있다.
일본 특허공개 2017-11169호 공보
본 개시는 고주파 전력의 인가 후에 배치대의 온도가 안정될 때까지의 시간을 단축할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 의한 레시피 갱신 방법은, 플라즈마 생성용 고주파 전력의 인가 타이밍을 포함하는 제1 레시피를 이용하여, 배치대에 배치된 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정과, 상기 제1 레시피에 대응시켜, 상기 배치대의 온도가 최소치까지 강하하는 기준 타이밍과 상기 배치대 온도의 제1 최대치를 계측하는 공정과, 상기 제1 레시피의 상기 인가 타이밍을 상기 기준 타이밍으로 변경하여 얻어지는 제2 레시피를 이용하여, 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정과, 상기 제2 레시피에 대응시켜, 상기 배치대 온도의 제2 최대치를 계측하는 공정과, 상기 제2 최대치가 상기 제1 최대치보다 작은 경우에, 상기 제1 레시피를 상기 제2 레시피로 갱신하는 공정을 포함한다.
본 개시에 의하면, 고주파 전력의 인가 후에 배치대의 온도가 안정될 때까지의 시간을 단축할 수 있다고 하는 효과를 발휘한다.
도 1은 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 레시피 갱신 방법의 흐름의 일례를 도시하는 흐름도이다.
도 2는 실시형태에 따른 레시피 갱신 방법에 의한 배치대 온도 안정 시간의 단축에 관해서 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 실시형태에 따른 레시피 갱신 방법의 실행에 이용되는 플라즈마 처리 장치의 일례를 도시하는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 여러 가지 실시형태에 관해서 상세히 설명한다. 또한, 이하의 실시형태에 의해 개시 기술이 한정되는 것은 아니다.
그런데, 배치대에 배치된 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 경우, 플라즈마를 생성하는 단계 사이의 중단 기간에서, 배치대의 온도가 설정된 설정 온도로 조정되어, 인가 타이밍이 도래한 경우에, 배치대에 플라즈마 생성용 고주파 전력이 인가된다. 이 때문에, 설정 온도로 조정된 배치대가 인가 타이밍에서 생성되는 플라즈마에 의해 가열되어, 결과적으로 배치대의 온도가 설정 온도에서 대폭 상승하는 오버슈트가 발생한다. 고주파 전력의 인가 후에 오버슈트가 발생하면, 배치대의 온도가 다시 설정 온도로 안정될 때까지의 시간이 길어진다.
그래서, 고주파 전력의 인가 후에 배치대의 온도가 안정될 때까지의 시간을 단축하는 것이 기대되고 있다.
(실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 레시피 갱신 방법의 흐름의 일례)
도 1은 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 레시피 갱신 방법의 흐름의 일례를 도시하는 흐름도이다. 실시형태에 따른 레시피 갱신 방법은, 플라즈마 생성용 고주파 전력의 인가 타이밍을 포함하는 레시피를 갱신함으로써, 기판이 배치되는 배치대의 온도가 안정될 때까지의 시간을 단축한다.
우선, 플라즈마 생성용 고주파 전력의 인가 타이밍을 포함하는 제1 레시피를 이용하여, 배치대에 배치된 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시한다(단계 S101). 제1 레시피는 예컨대 플라즈마 처리 장치가 갖는 기억부에 저장되어 있다. 기판에 대하여 실시되는 플라즈마 처리는, 플라즈마를 생성하는 복수의 단계와, 단계 사이의, 플라즈마를 생성하지 않는 중단(中斷) 기간을 포함한다. 중단 기간에서는, 플라즈마의 소실에 따른 발열(拔熱)에 의해 배치대의 온도가 설정 온도에서 강하한다. 중단 기간에서는, 예컨대 배치대에 마련된 히터를 이용하여 배치대의 온도가 설정 온도로 조정된다. 제1 레시피의 인가 타이밍은 예컨대 중단 기간의 다음 단계를 시작하는 타이밍으로 설정되어 있다.
이어서, 제1 레시피에 대응시켜, 배치대의 온도가 최소치까지 강하하는 「기준 타이밍」과 배치대 온도의 「제1 최대치」를 계측한다(단계 S102). 기준 타이밍은 중단 기간에 포함된다. 배치대의 온도는, 고주파 전력의 인가 타이밍에서 생성되는 플라즈마에 의해 배치대가 가열됨으로써 제1 최대치까지 상승한다. 배치대의 온도는 제1 레시피에 대응하는 제1 최대치까지 상승한다.
이어서, 제1 레시피의 인가 타이밍을 기준 타이밍으로 변경하여 제2 레시피를 생성한다(단계 S103).
이어서, 제2 레시피를 이용하여, 배치대에 배치된 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시한다(단계 S104). 제2 레시피의 인가 타이밍은, 배치대의 온도가 최소치까지 강하하는 기준 타이밍과 일치하기 때문에, 배치대의 온도가 설정 온도에서 대폭 상승하는 오버슈트가 억제될 수 있다.
이어서, 제2 레시피에 대응시켜, 배치대 온도의 「제2 최대치」를 계측한다(단계 S105). 배치대의 온도는, 고주파 전력의 인가 타이밍에서 생성되는 플라즈마에 의해 배치대가 가열됨으로써 제2 최대치까지 상승한다. 배치대의 온도는 제2 레시피에 대응하는 제2 최대치까지 상승한다.
이어서, 제2 최대치가 제1 최대치보다 작은지 여부를 판정한다(단계 S106). 제2 최대치가 제1 최대치 이상이라고 판정한 경우(단계 S106, No), 제1 레시피의 갱신을 중지하고(단계 S107), 처리는 종료한다.
한편, 제2 최대치가 제1 최대치보다 작다고 판정한 경우(단계 S106, Yes), 제1 레시피를 제2 레시피로 갱신한다(단계 S108). 제2 레시피의 인가 타이밍을 기준 타이밍보다도 더욱 앞당기면, 배치대 온도의 최대치를 보다 작게 할 수 있을 가능성이 있다. 이 때문에, 이후에는 제2 레시피보다도 인가 타이밍이 빠른 다른 레시피를 생성하는 처리를 반복한다. 도 1에서는, 제2 레시피와는 상이한 다른 레시피를 식별하는 변수를 「n」(n은 3 이상의 자연수)으로 나타내고, 단계 S108의 제1 레시피의 갱신 시에 「n=3」으로 설정되는 것으로 한다.
제1 레시피를 갱신하는 공정(단계 S108) 후, 제(n-1) 레시피의 인가 타이밍을 앞당겨 제n 레시피를 생성한다(단계 S109). 예컨대 제2 레시피의 인가 타이밍을 기준 타이밍에서 소정 시간 앞당김으로써 제3 레시피가 생성된다.
이어서, 제n 레시피를 이용하여, 배치대에 배치된 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시한다(단계 S110). 제n 레시피의 인가 타이밍은, 배치대의 온도가 최소치까지 강하하는 기준 타이밍보다도 빠르기 때문에, 배치대의 온도가 설정 온도에서 대폭 상승하는 오버슈트가 억제될 수 있다.
이어서, 제n 레시피에 대응시켜, 배치대 온도의 「제n 최대치」를 계측한다(단계 S111). 배치대의 온도는, 고주파 전력의 인가 타이밍에 있어서 생성되는 플라즈마에 의해 배치대가 가열됨으로써 제n 최대치까지 상승한다. 배치대의 온도는 제n 레시피에 대응하는 제n 최대치까지 상승한다. 예컨대 배치대의 온도는 제3 레시피에 대응하는 제3 최대치까지 상승한다.
이어서, 제n 최대치가, 제(n-1) 레시피에 대응시켜 계측된 제(n-1) 최대치보다 작은지 여부를 판정한다(단계 S112). 예컨대 제3 최대치가 제2 최대치보다 작은지 여부를 판정한다. 제n 최대치가 제(n-1) 최대치보다 작다고 판정한 경우(단계 S112, Yes), 제(n-1) 레시피를 제n 레시피로 갱신한다(단계 S113). 예컨대 제2 레시피를 제3 레시피로 갱신한다. 제n 레시피의 인가 타이밍을 앞당기면, 배치대 온도의 최대치를 보다 작게 할 수 있을 가능성이 있다. 이 때문에, 제(n-1) 레시피를 갱신하는 공정(단계 S113) 후, 변수 n을 갱신하고(단계 S114, n=n+1) 단계 S109로 되돌아가, 제n 레시피를 생성한다. 예컨대 제2 레시피를 제3 레시피로 갱신한 후, 제3 레시피의 인가 타이밍을 소정 시간 앞당김으로써, 제4 레시피가 생성된다. 제4 레시피가 생성되면, 단계 S110에 있어서, 제4 레시피를 이용하여 플라즈마 처리가 실시되고, 단계 S111에 있어서, 제4 레시피에 대응시켜, 배치대 온도의 제4 최대치가 계측된다.
그 후, 제n 최대치가 제(n-1) 최대치 이상이 될 때까지 단계 S109∼S114의 처리가 반복된다. 제n 최대치가 제(n-1) 최대치 이상으로 되면(단계 S112, No),제(n-1) 레시피의 갱신을 중지하고, 처리는 종료한다.
(배치대 온도의 안정 시간의 단축)
도 2는 실시형태에 따른 레시피 갱신 방법에 의한 배치대 온도의 안정 시간의 단축에 관해서 설명하기 위한 도면이다. 도 2는 제1 레시피를 제2 레시피로 갱신한 경우의 실험 결과를 도시하고 있다.
도 2의 「제1 레시피」는 제1 레시피를 이용하여 배치대에 배치된 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시한 결과를 보여준다. 제1 레시피를 이용하는 경우, 플라즈마를 생성하는 단계 S1, S2 사이의 중단 기간에서 배치대의 온도가 설정 온도(일례로서 50℃)에서 강하하고, 인가 타이밍 후에 배치대의 온도가 제1 레시피에 대응하는 제1 최대치인 약 52℃까지 상승하였다. 배치대의 온도가 다시 설정 온도인 50℃로 안정될 때까지의 시간은 27 sec이다.
도 2의 「제2 레시피」는 제2 레시피를 이용하여 배치대에 배치된 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시한 결과를 보여준다. 제2 레시피의 인가 타이밍은 배치대의 온도가 최소치까지 강하하는 기준 타이밍으로 변경되었다. 제2 레시피를 이용하는 경우, 인가 타이밍 후에 배치대의 온도가 제2 레시피에 대응하는 제2 최대치인 약 51.4℃까지 상승하였다. 배치대의 온도가 다시 설정 온도인 50℃로 안정될 때까지의 시간은 약 16 sec까지 단축되었다.
제1 레시피에 의해 플라즈마 처리를 실시하는 경우, 설정 온도로 조정된 배치대가 인가 타이밍에서 생성되는 플라즈마에 의해 가열된다. 이 때문에, 배치대의 온도가 설정 온도에서 대폭 상승하여, 제1 레시피에 대응하는 제1 최대치가 커진다. 이에 대하여, 제2 레시피에 의해 플라즈마 처리를 실시하는 경우, 배치대의 온도가 최소치까지 강하하는 기준 타이밍과 인가 타이밍이 일치하기 때문에, 인가 타이밍에서 생성되는 플라즈마에서 배치대로의 입열(入熱) 영향이 억제된다. 이 때문에, 배치대의 온도가 설정 온도에 대하여 그다지 상승하지 않고, 제2 레시피에 대응하는 제2 최대치가 커지는 것이 억제된다. 결과적으로 배치대에의 고주파 전력 인가 후에 발생하는 오버슈트가 억제되어, 배치대 온도의 안정 시간을 단축할 수 있다.
(플라즈마 처리 장치의 일례)
도 3은 실시형태에 따른 레시피 갱신 방법의 실행에 이용되는 플라즈마 처리 장치의 일례를 도시하는 도면이다. 도 3에 도시하는 플라즈마 처리 장치(1)는 챔버(10), 가스 공급부(20), 고주파(RF: Radio Frequency) 전력 공급부(30), 배기 시스템(40) 및 제어부(50)를 포함한다.
본 실시형태에 있어서, 챔버(10)는 지지부(11)(배치대라고도 부른다) 및 상부 전극 샤워헤드 어셈블리(12)를 포함한다. 지지부(11)는 챔버(10) 내의 처리 공간(10s)의 하부 영역에 배치된다. 상부 전극 샤워헤드 어셈블리(12)는 지지부(11)의 상측에 배치되어, 챔버(10)의 천판(天板)의 일부로서 기능할 수 있다.
지지부(11)는 처리 공간(10s)에 있어서 기판(W)을 지지하도록 구성된다. 본 실시형태에 있어서, 지지부(11)는 하부 전극(111), 정전 척(112) 및 엣지 링(113)을 포함한다. 정전 척(112)은 하부 전극(111) 상에 배치되어, 정전 척(112) 의 상면에서 기판(W)을 지지하도록 구성된다. 엣지 링(113)은 하부 전극(111)의 주연부 상면에서 기판(W)을 둘러싸도록 배치된다. 지지부(11)의 내부에는 히터(111a)가 마련된다. 히터(111a)는 히터 전원(111b)에 접속된다. 히터 전원(111b)은 제어부(50)로부터의 제어 하에서, 히터(111a)에 조정된 전력을 공급한다. 이에 따라, 히터(111a)가 발하는 열이 제어되어, 지지부(11)의 온도가 조정된다.
상부 전극 샤워헤드 어셈블리(12)는, 가스 공급부(20)로부터의 하나 또는 그 이상의 처리 가스를 처리 공간(10s)에 공급하도록 구성된다. 본 실시형태에 있어서, 상부 전극 샤워헤드 어셈블리(12)는 가스 입구(12a), 가스 확산실(12b) 및 복수의 가스 출구(12c)를 포함한다. 가스 입구(12a)는 가스 공급부(20) 및 가스 확산실(12b)과 유체 연통된다. 복수의 가스 출구(12c)는 가스 확산실(12b) 및 처리 공간(10s)과 유체 연통된다. 본 실시형태에 있어서, 상부 전극 샤워헤드 어셈블리(12)는, 하나 또는 그 이상의 처리 가스를 가스 입구(12a)로부터 가스 확산실(12b) 및 복수의 가스 출구(12c)를 통해 처리 공간(10s)에 공급하도록 구성된다.
가스 공급부(20)는 하나 또는 그 이상의 가스 소스(21) 및 하나 또는 그 이상의 유량 제어기(22)를 포함하여도 좋다. 본 실시형태에 있어서, 가스 공급부(20)는, 하나 또는 그 이상의 처리 가스를, 각각의 가스 소스(21)로부터 각각의 유량 제어기(22)를 통해 가스 입구(12a)에 공급하도록 구성된다. 유량 제어기(22)는 예컨대 매스플로우 컨트롤러 또는 압력 제어식의 유량 제어기를 포함하여도 좋다. 또한, 가스 공급부(20)는 하나 또는 그 이상의 처리 가스의 유량을 변조 또는 펄스화하는 하나 또는 그 이상의 유량 변조 디바이스를 포함하여도 좋다.
RF 전력 공급부(30)는, RF 전력, 예컨대 하나 또는 그 이상의 RF 신호를, 하부 전극(111), 상부 전극 샤워헤드 어셈블리(12), 또는 하부 전극(111) 및 상부 전극 샤워헤드 어셈블리(12) 양쪽과 같은 하나 또는 그 이상의 전극에 공급하도록 구성된다. 본 실시형태에 있어서, RF 전력 공급부(30)는 2개의 RF 생성부(31a, 31b) 및 2개의 정합 회로(32a, 32b)를 포함한다. 본 실시형태에 있어서의 RF 전력 공급부(30)는, 제1 RF 신호를 제1 RF 생성부(31a)로부터 제1 정합 회로(32a)를 통해 하부 전극(111)에 공급하도록 구성된다. RF 스펙트럼은 3 Hz∼3000 GHz 범위의 전자 스펙트럼의 일부를 포함한다. 반도체 프로세스와 같은 전자 재료 프로세스에 관해서, 플라즈마 생성을 위해 이용되는 RF 스펙트럼은, 바람직하게는 100 kHz∼3 GHz, 보다 바람직하게는 200 kHz∼150 MHz의 범위 내이다. 예컨대 제1 RF 신호는 27 MHz∼100 MHz 범위 내의 주파수를 갖더라도 좋다. 또한, 본 실시형태에 있어서의 RF 전력 공급부(30)는, 제2 RF 신호를 제2 RF 생성부(31b)로부터 제2 정합 회로(32b)를 통해 하부 전극(111)에 공급하도록 구성된다. 예컨대 제2 RF 신호는 400 kHz∼13.56 MHz 범위 내의 주파수를 갖더라도 좋다. 대신에, 제2 RF 생성부(31b) 대신 DC(Direct Current) 펄스 생성부를 이용하여도 좋다. 더욱이, 도시는 생략하지만, 여기서는 다른 실시형태가 고려된다. 예컨대 대체 실시형태에 있어서, RF 전력 공급부(30)는, 제1 RF 신호를 RF 생성부로부터 하부 전극(111)에 공급하고, 제2 RF 신호를 다른 RF 생성부로부터 하부 전극(111)에 공급하고, 제3 RF 신호를 또 다른 RF 생성부로부터 하부 전극(111)에 공급하도록 구성되어도 좋다. 아울러, 다른 대체 실시형태에 있어서, DC 전압이 상부 전극 샤워헤드 어셈블리(12)에 인가되어도 좋다. 더욱이, 다양한 실시형태에 있어서, 하나 또는 그 이상의 RF 신호(즉, 제1 RF 신호, 제2 RF 신호 등)의 진폭이 펄스화 또는 변조되어도 좋다. 진폭 변조는, 온 상태와 오프 상태 사이, 혹은 2 또는 그 이상의 상이한 온 상태 사이에서 RF 신호 진폭을 펄스화하는 것을 포함하여도 좋다. RF 신호의 위상 정합이 제어되어도 좋으며, 2 또는 그 이상의 RF 신호의 진폭 변조의 위상 정합은 동기화되어도 좋고, 비동기라도 좋다.
배기 시스템(40)은 예컨대 챔버(10)의 바닥부에 형성된 배기구(10e)에 접속될 수 있다. 배기 시스템(40)은, 압력 밸브나 터보 분자 펌프, 러핑 펌프 또는 이들의 조합과 같은 진공 펌프를 포함하여도 좋다.
본 실시형태에 있어서, 제어부(50)는 여기서 말하는 다양한 공정을 플라즈마 처리 장치(1)에 실행시키는 컴퓨터 실행 가능한 지시를 처리한다. 제어부(50)는, 여기서 말하는 다양한 공정을 실행하기 위해 플라즈마 처리 장치(1)의 각 요소를 제어하도록 구성될 수 있다. 제어부(50)는 예컨대 컴퓨터(51)를 포함하여도 좋다. 컴퓨터(51)는 예컨대 처리부(CPU; Central Processing Unit)(511), 기억부(512) 및 통신 인터페이스(513)를 포함한다. 처리부(511)는 기억부(512)에 저장된 프로그램에 기초하여 여러 가지 제어 동작을 행하도록 구성될 수 있다. 기억부(512)는 RAM(Random Access Memory), ROM(Read Only Memory) 및 HDD(Hard Disk Drive), SSD(Solid State Drive) 등과 같은 보조 기억 장치로 이루어지는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 메모리 타입을 포함하여도 좋다. 통신 인터페이스(513)는 LAN(Local Area Network) 등의 통신 회선을 통해 플라즈마 처리 장치(1)와의 사이에서 통신하여도 좋다.
(실시형태의 효과)
상기 실시형태에 따른 레시피 갱신 방법은 플라즈마 처리 장치의 레시피 갱신 방법이다. 실시형태에 따른 레시피 갱신 방법은, 제1 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정과, 기준 타이밍과 제1 최대치를 계측하는 공정과, 제2 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정과, 제2 최대치를 계측하는 공정과, 제1 레시피를 갱신하는 공정을 포함한다. 제1 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정은, 플라즈마 생성용 고주파 전력의 인가 타이밍을 포함하는 제1 레시피를 이용하여, 배치대에 배치된 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시한다. 기준 타이밍과 제1 최대치를 계측하는 공정은, 제1 레시피에 대응시켜, 배치대의 온도가 최소치까지 강하하는 기준 타이밍과 배치대 온도의 제1 최대치를 계측한다. 제2 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정은, 제1 레시피의 인가 타이밍을 기준 타이밍으로 변경하여 얻어지는 제2 레시피를 이용하여, 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시한다. 제2 최대치를 계측하는 공정은, 제2 레시피에 대응시켜, 배치대 온도의 제2 최대치를 계측한다. 제1 레시피를 갱신하는 공정은, 제2 최대치가 상기 제1 최대치보다 작은 경우에, 상기 제1 레시피를 상기 제2 레시피로 갱신한다. 이로써, 실시형태에 따른 레시피 갱신 방법에 의하면, 배치대에의 고주파 전력 인가 후에 발생하는 오버슈트를 억제할 수 있기 때문에, 고주파 전력 인가 후에 배치대의 온도가 안정될 때까지의 시간을 단축할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 레시피 갱신 방법은, 제n 레시피(n은 3 이상의 자연수)를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정과, 제n 최대치를 계측하는 공정과, 제(n-1) 레시피를 갱신하는 공정을 더 포함한다. 제n 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정은, 제1 레시피를 갱신하는 공정 후, 제(n-1) 레시피의 인가 타이밍을 앞당겨 얻어지는 제n 레시피를 이용하여 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시한다. 제n 최대치를 계측하는 공정은, 제n 레시피에 대응시켜, 배치대 온도의 제n 최대치를 계측한다. 제(n-1) 레시피를 갱신하는 공정은, 제n 최대치가, 제(n-1) 레시피에 대응시켜 계측된 제(n-1) 최대치보다 작은 경우에, 제(n-1) 레시피를 제n 레시피로 갱신한다. 이로써, 실시형태에 따른 레시피 갱신 방법에 의하면, 제2 레시피의 인가 타이밍을 더욱 앞당겨 배치대 온도의 최대치를 작게 할 수 있고, 배치대의 온도가 안정될 때까지의 시간을 보다 단축할 수 있다.
또한, 실시형태에 있어서, 제n 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정과, 제n 최대치를 계측하는 공정과, 제(n-1) 레시피를 갱신하는 공정은, 제n 최대치가 제(n-1) 최대치 이상이 될 때까지 반복된다. 그리고, 제(n-1) 레시피를 갱신하는 공정은, 제n 최대치가 제(n-1) 최대치 이상이 되는 경우에, 제(n-1) 레시피의 갱신을 중지한다. 이로써, 실시형태에 따른 레시피 갱신 방법에 의하면, 배치대 온도의 최대치를 최소화할 수 있어, 배치대의 온도가 안정될 때까지의 시간을 보다 단축할 수 있다.
이상, 실시형태에 관해서 설명하였지만, 이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기한 실시형태는 청구범위 및 그 취지를 일탈하지 않고서 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
예컨대 상기한 실시형태에서는, 제1 레시피의 인가 타이밍을 기준 타이밍으로 변경하여 얻어지는 제2 레시피를 이용하여 배치대 상의 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 개시하는 기술은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대 제2 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정에 있어서, 변경 후의 인가 타이밍이 도래한 경우에, 배치대에 마련된 히터에의 공급 전력을 설정된 설정 전력으로부터 일시적으로 내리더라도 좋다. 이에 따라, 배치대에의 고주파 전력 인가 시에 히터의 가열에 의한 온도 상승을 억제할 수 있어, 배치대의 온도가 안정될 때까지의 시간을 보다 단축할 수 있다. 또한, 인가 타이밍 후, 배치대의 온도가 설정된 설정 온도에 도달하는 시점에서, 히터에의 공급 전력을 설정 전력으로 되돌리더라 좋다. 이로써, 배치대에의 고주파 전력 인가 후에 배치대의 온도를 설정 온도로 유지할 수 있다.

Claims (10)

  1. 플라즈마 처리 장치의 레시피 갱신 방법에 있어서,
    플라즈마 생성용 고주파 전력의 인가 타이밍을 포함하는 제1 레시피를 이용하여, 배치대에 배치된 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정과,
    상기 제1 레시피에 대응시켜, 상기 배치대의 온도가 최소치까지 강하하는 기준 타이밍과 상기 배치대 온도의 제1 최대치를 계측하는 공정과,
    상기 제1 레시피의 상기 인가 타이밍을 상기 기준 타이밍으로 변경하여 얻어지는 제2 레시피를 이용하여, 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정과,
    상기 제2 레시피에 대응시켜, 상기 배치대 온도의 제2 최대치를 계측하는 공정과,
    상기 제2 최대치가 상기 제1 최대치보다 작은 경우에, 상기 제1 레시피를 상기 제2 레시피로 갱신하는 공정
    을 포함하는, 레시피 갱신 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 레시피를 갱신하는 공정 후, 제(n-1) 레시피(n은 3 이상의 자연수)의 상기 인가 타이밍을 앞당겨 얻어지는 제n 레시피를 이용하여 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정과,
    상기 제n 레시피에 대응시켜, 상기 배치대 온도의 제n 최대치를 계측하는 공정과,
    상기 제n 최대치가, 상기 제(n-1) 레시피에 대응시켜 계측된 제(n-1) 최대치보다 작은 경우에, 상기 제(n-1) 레시피를 상기 제n 레시피로 갱신하는 공정
    을 더 포함하는, 레시피 갱신 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제n 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정과, 상기 제n 최대치를 계측하는 공정과, 상기 제(n-1) 레시피를 갱신하는 공정은, 상기 제n 최대치가 상기 제(n-1) 최대치 이상이 될 때까지 반복되고,
    상기 제(n-1) 레시피를 갱신하는 공정은, 상기 제n 최대치가 상기 제(n-1) 최대치 이상이 되는 경우에, 상기 제(n-1) 레시피의 갱신을 중지하는, 레시피 갱신 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정은, 상기 인가 타이밍에 있어서, 상기 배치대에 마련된 히터에의 공급 전력을 설정된 설정 전력으로부터 내리는, 레시피 갱신 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정은, 상기 인가 타이밍 후, 상기 배치대의 온도가 설정된 설정 온도에 도달하는 시점에서, 상기 히터에의 공급 전력을 상기 설정 전력으로 되돌리는, 레시피 갱신 방법.
  6. 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    플라즈마 처리를 실시하도록 구성된 처리 챔버와,
    상기 처리 챔버 내에 마련되며 기판을 배치하도록 구성된 배치대와,
    상기 배치대에 마련되며 상기 배치대의 온도를 제어하도록 구성된 히터와,
    가스 소스로부터의 처리 가스를 상기 처리 챔버에 공급하도록 구성된 가스 공급부와,
    고주파 전력을 전극에 공급하도록 구성된 고주파 전력 공급부와,
    상기 플라즈마 처리 장치의 전체 동작을 제어하도록 구성된 제어기
    를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 고주파 전력의 인가 타이밍을 포함하는 제1 레시피를 이용하여, 상기 배치대에 배치된 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하고,
    상기 제1 레시피에 대응시켜, 상기 배치대의 온도가 최소치까지 강하하는 기준 타이밍과 상기 배치대 온도의 제1 최대치를 계측하며,
    상기 제1 레시피의 상기 인가 타이밍을 상기 기준 타이밍으로 변경하여 얻어지는 제2 레시피를 이용하여, 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하고,
    상기 제2 레시피에 대응시켜, 상기 배치대 온도의 제2 최대치를 계측하며,
    상기 제2 최대치가 상기 제1 최대치보다 작은 경우에, 상기 제1 레시피를 상기 제2 레시피로 갱신하도록 프로그래밍되는, 플라즈마 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제어기는 또한,
    상기 제1 레시피를 갱신한 후, 제(n-1) 레시피(n은 3 이상의 자연수)의 상기 인가 타이밍을 앞당겨 얻어지는 제n 레시피를 이용하여 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시하고,
    상기 제n 레시피에 대응시켜, 상기 배치대 온도의 제n 최대치를 계측하며,
    상기 제n 최대치가, 상기 제(n-1) 레시피에 대응시켜 계측된 제(n-1) 최대치보다 작은 경우에, 상기 제(n-1) 레시피를 상기 제n 레시피로 갱신하도록 프로그래밍되는, 플라즈마 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제n 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 것과, 상기 제n 최대치를 계측하는 것과, 상기 제(n-1) 레시피를 갱신하는 것은, 상기 제n 최대치가 상기 제(n-1) 최대치 이상이 될 때까지 반복되고,
    상기 제n 최대치가 상기 제(n-1) 최대치 이상이 되는 경우에, 상기 제(n-1) 레시피의 갱신을 중지하는, 플라즈마 처리 장치.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 경우, 상기 고주파 전력의 인가 타이밍에 있어서, 상기 배치대에 마련된 히터에의 공급 전력을 설정된 설정 전력으로부터 내리는, 플라즈마 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 레시피를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는 경우, 상기 고주파 전력의 인가 타이밍 후, 상기 배치대의 온도가 설정된 설정 온도에 도달하는 시점에서, 상기 히터에의 공급 전력을 상기 설정 전력으로 되돌리는, 플라즈마 처리 장치.
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