KR100929867B1 - 모니터 번인 시스템 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (3)
- 번인 보드에 병렬로 장착된 복수의 메모리 소자를 테스트하는 모니터 번인 시스템에 있어서,상기 복수의 메모리 소자들 각각에 개별적으로 할당되어 있으며 기록 모드시 테스트 신호를 생성하여 상기 할당된 메모리 소자로 제공하고 판독 모드시 상기 메모리 소자에 기록된 테스트 데이터를 판독하는, 복수의 구동부; 및상기 메모리 소자들의 모드를 제어하며 상기 테스트 신호의 레벨을 결정하기 위한 구동 신호를 상기 각 구동부로 제공하는 제어부를 포함하는 모니터 번인 시스템.
- 제 1 항에 있어서, 상기 모니터 번인 시스템은상기 메모리 소자에 기록한 테스트 데이터와 상기 메모리 소자로부터 판독한 테스트 데이터를 비교하여 메모리 소자의 불량 상태를 검사하는 검사부를 더 포함하는 모니터 번인 시스템.
- 제 2 항에 있어서, 상기 구동부는기록 모드에서 온되고 판독 모드에서 오프되며, 온되는 경우 상기 구동 신호의 레벨에 상응하는 레벨의 신호를 출력하는 제1 n채널형 전계 효과트랜지스터;기록 모드에서 상기 제1 n채널형 전계 효과트랜지스터로부터 출력된 신호의 레벨에 따라 상기 메모리 소자로 입력되는 테스트 신호를 생성하는 제2 n채널형 전계 효과트랜지스터와 제1 p채널형 전계 효과트랜지스터; 및기록 모드에서 오프되고 판독 모드에서 온되며, 온되는 경우 상기 메모리 소자에 기록되어 있는 테스트 데이터를 상기 검사부로 제공하는 제2 p채널형 전계 효과트랜지스터를 포함하는 모니터 번인 시스템.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070049789A KR100929867B1 (ko) | 2007-05-22 | 2007-05-22 | 모니터 번인 시스템 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070049789A KR100929867B1 (ko) | 2007-05-22 | 2007-05-22 | 모니터 번인 시스템 |
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Publication Number | Publication Date |
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KR20080102827A KR20080102827A (ko) | 2008-11-26 |
KR100929867B1 true KR100929867B1 (ko) | 2009-12-04 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020070049789A KR100929867B1 (ko) | 2007-05-22 | 2007-05-22 | 모니터 번인 시스템 |
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Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100929867B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102141800B1 (ko) * | 2018-03-21 | 2020-08-06 | 주식회사 엑시콘 | 반도체 메모리 장치의 고속 번인 테스트 시스템 |
CN109509416A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-03-22 | 惠科股份有限公司 | 显示驱动板及显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980025897A (ko) * | 1996-10-05 | 1998-07-15 | 김광호 | 다이내믹 번인 장비의 엠비티(mbt;monitoring burn-in testor) |
KR19980076902A (ko) * | 1997-04-15 | 1998-11-16 | 강경석 | 메모리칩 검사장치 |
KR19990021363A (ko) * | 1997-08-30 | 1999-03-25 | 김영환 | 번인 테스트 보드 |
JP2001330645A (ja) | 2000-05-18 | 2001-11-30 | Ando Electric Co Ltd | バーンインテストシステム |
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2007
- 2007-05-22 KR KR1020070049789A patent/KR100929867B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980025897A (ko) * | 1996-10-05 | 1998-07-15 | 김광호 | 다이내믹 번인 장비의 엠비티(mbt;monitoring burn-in testor) |
KR19980076902A (ko) * | 1997-04-15 | 1998-11-16 | 강경석 | 메모리칩 검사장치 |
KR19990021363A (ko) * | 1997-08-30 | 1999-03-25 | 김영환 | 번인 테스트 보드 |
JP2001330645A (ja) | 2000-05-18 | 2001-11-30 | Ando Electric Co Ltd | バーンインテストシステム |
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---|---|
KR20080102827A (ko) | 2008-11-26 |
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