KR100926590B1 - 전원 전압을 초과하는 입력을 샘플링할 수 있는부트스트래핑 회로 - Google Patents
전원 전압을 초과하는 입력을 샘플링할 수 있는부트스트래핑 회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100926590B1 KR100926590B1 KR1020077022922A KR20077022922A KR100926590B1 KR 100926590 B1 KR100926590 B1 KR 100926590B1 KR 1020077022922 A KR1020077022922 A KR 1020077022922A KR 20077022922 A KR20077022922 A KR 20077022922A KR 100926590 B1 KR100926590 B1 KR 100926590B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transistor
- node
- level shifter
- capacitor
- voltage
- Prior art date
Links
- 238000005070 sampling Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 54
- 102100037224 Noncompact myelin-associated protein Human genes 0.000 description 7
- 101710184695 Noncompact myelin-associated protein Proteins 0.000 description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/02—Sample-and-hold arrangements
- G11C27/024—Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/12—Analogue/digital converters
- H03M1/124—Sampling or signal conditioning arrangements specially adapted for A/D converters
- H03M1/1245—Details of sampling arrangements or methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
Description
Claims (12)
- 전원 전압을 초과하는 입력을 샘플링할 수 있는 부트스트래핑 회로로서,입력 노드와 출력 노드 사이에 접속된 부트스트래핑된 스위치;상기 부트스트래핑된 스위치의 제어 노드에 접속된 제1 단자를 갖는 제1 트랜지스터;상기 제1 트랜지스터의 제2 단자에 접속된 제1 단자를 갖는 제1 커패시터;상기 제1 트랜지스터의 상기 제1 단자와 전원 노드 사이에 접속되며, 제1 클록 신호 노드에 접속된 제어 노드를 갖는 제2 트랜지스터;상기 제1 트랜지스터의 상기 제2 단자와 상기 전원 노드 사이에 접속된 제3 트랜지스터;상기 제3 트랜지스터의 제어 노드에 접속된 제1 출력을 갖는 전하 펌프; 및상기 제1 커패시터의 제2 단자에 접속된 제1 출력을 갖는 레벨 시프터를 포함하는 부트스트래핑 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 전원 노드와 상기 제1 트랜지스터의 제어 노드 사이에 접속되며, 상기 전하 펌프의 제2 출력에 접속된 제어 노드를 갖는 제4 트랜지스터를 더 포함하는 부트스트래핑 회로.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 레벨 시프터의 제2 출력과 상기 제1 트랜 지스터의 제어 노드 사이에 접속된 제2 커패시터를 더 포함하는 부트스트래핑 회로.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 부트스트래핑된 스위치의 상기 제어 노드와 공통 노드 사이에 접속된 제5 트랜지스터를 더 포함하는 부트스트래핑 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 레벨 시프터는,상기 입력 노드와 상기 제1 커패시터의 상기 제2 단자 사이에 접속된 제1 레벨 시프터 트랜지스터; 및상기 입력 노드에 접속되며 상기 제1 레벨 시프터 트랜지스터와 교차 연결된 제2 레벨 시프터 트랜지스터를 포함하는 부트스트래핑 회로.
- 제5항에 있어서, 상기 레벨 시프터는,상기 제1 레벨 시프터 트랜지스터와 공통 노드 사이에 접속되며 제2 클록 신호 노드에 접속된 제어 노드를 갖는 제3 레벨 시프터 트랜지스터; 및상기 제2 레벨 시프터 트랜지스터와 상기 공통 노드 사이에 접속되며, 상기 제1 클록 신호 노드에 접속된 제어 노드를 갖는 제4 레벨 시프터 트랜지스터를 더 포함하는 부트스트래핑 회로.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 레벨 시프터는,상기 제1 레벨 시프터 트랜지스터와 병렬 접속되며 상기 제1 클록 신호 노드에 접속된 제어 노드를 갖는 제5 레벨 시프터 트랜지스터; 및상기 제2 레벨 시프터 트랜지스터와 병렬 접속되며 제2 클록 신호 노드에 접속된 제어 노드를 갖는 제6 레벨 시프터 트랜지스터를 더 포함하는 부트스트래핑 회로.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 제2 레벨 시프터 트랜지스터와 상기 제1 트랜지스터의 제어 노드 사이에 접속된 제2 커패시터를 더 포함하는 부트스트래핑 회로.
- 제8항에 있어서, 상기 전원 노드와 상기 제1 트랜지스터의 상기 제어 노드 사이에 접속된 제4 트랜지스터를 더 포함하는 부트스트래핑 회로.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 레벨 시프터 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터이고, 상기 제5 및 제6 레벨 시프터 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터인 부트스트래핑 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 부트스트래핑된 스위치는 NMOS 트랜지스터이고, 상기 제1 트랜지스터는 PMOS 트랜지스터이며, 상기 제2 및 제3 트랜지스터는 NMOS 트랜 지스터인 부트스트래핑 회로.
- 제1항 또는 제11항에 있어서, 상기 전하 펌프는,상기 전원 노드에 접속된 제1 전하 펌프 트랜지스터;상기 전원 노드에 접속되며 상기 제1 전하 펌프 트랜지스터와 교차 연결된 제2 전하 펌프 트랜지스터;상기 제1 전하 펌프 트랜지스터와 상기 제1 클록 신호 노드 사이에 접속된 제1 전하 펌프 커패시터; 및상기 제2 전하 펌프 트랜지스터와 제2 클록 신호 노드 사이에 접속된 제2 전하 펌프 커패시터를 포함하고,상기 제3 트랜지스터의 제어 노드는 상기 제1 전하 펌프 트랜지스터의 제어 노드에 접속되는 부트스트래핑 회로.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US65970505P | 2005-03-08 | 2005-03-08 | |
US60/659,705 | 2005-03-08 | ||
US11/159,005 | 2005-06-22 | ||
US11/159,005 US7253675B2 (en) | 2005-03-08 | 2005-06-22 | Bootstrapping circuit capable of sampling inputs beyond supply voltage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070108944A KR20070108944A (ko) | 2007-11-13 |
KR100926590B1 true KR100926590B1 (ko) | 2009-11-11 |
Family
ID=36953993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020077022922A KR100926590B1 (ko) | 2005-03-08 | 2006-03-08 | 전원 전압을 초과하는 입력을 샘플링할 수 있는부트스트래핑 회로 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7253675B2 (ko) |
EP (1) | EP1861760B1 (ko) |
JP (1) | JP2008533824A (ko) |
KR (1) | KR100926590B1 (ko) |
DE (1) | DE602006008905D1 (ko) |
WO (1) | WO2006096748A2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101041278B1 (ko) | 2009-01-09 | 2011-06-14 | 성균관대학교산학협력단 | 부트스트래핑 기술을 이용한 상보신호출력장치 |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7176742B2 (en) * | 2005-03-08 | 2007-02-13 | Texas Instruments Incorporated | Bootstrapped switch with an input dynamic range greater than supply voltage |
US7397284B1 (en) * | 2007-04-03 | 2008-07-08 | Xilinx, Inc. | Bootstrapped circuit |
US7710164B1 (en) * | 2007-06-18 | 2010-05-04 | Intersil Americas Inc. | Highly linear bootstrapped switch with improved reliability |
US7492296B1 (en) | 2007-09-28 | 2009-02-17 | Cirrus Logic, Inc. | Discrete-time programmable-gain analog-to-digital converter (ADC) input circuit with input signal and common-mode current nulling |
US7489263B1 (en) | 2007-09-28 | 2009-02-10 | Cirrus Logic, Inc. | Discrete-time programmable-gain analog-to-digital converter (ADC) input circuit with multi-phase reference application |
WO2009043044A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Maxim Integrated Products, Inc. | A sampling device and circuit having a single voltage supply |
KR101295777B1 (ko) * | 2007-10-12 | 2013-08-13 | 삼성전자주식회사 | 차지 펌핑 회로 |
KR100935592B1 (ko) * | 2008-01-07 | 2010-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 먹스 회로 |
US7928794B2 (en) * | 2008-07-21 | 2011-04-19 | Analog Devices, Inc. | Method and apparatus for a dynamically self-bootstrapped switch |
US8329060B2 (en) * | 2008-10-22 | 2012-12-11 | General Electric Company | Blue-green and green phosphors for lighting applications |
US20110063012A1 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Kok Lim Chan | Circuit arrangement |
US7952419B1 (en) * | 2009-11-16 | 2011-05-31 | Analog Devices, Inc. | Bootstrapped switch circuit |
US8604862B2 (en) | 2009-11-16 | 2013-12-10 | Analog Devices, Inc. | Four-quadrant bootstrapped switch circuit |
CN101783675B (zh) * | 2010-03-09 | 2011-11-16 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 可控双输出自举电路 |
US8339185B2 (en) | 2010-12-20 | 2012-12-25 | Sandisk 3D Llc | Charge pump system that dynamically selects number of active stages |
US8895327B1 (en) | 2011-12-09 | 2014-11-25 | Suvolta, Inc. | Tipless transistors, short-tip transistors, and methods and circuits therefor |
JP5702357B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2015-04-15 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ブートストラップスイッチ回路 |
JP5700707B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-04-15 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | ブートストラップスイッチ回路 |
US8536928B1 (en) * | 2012-05-25 | 2013-09-17 | Fairchild Semiconductor Corporation | Constant VGS charge pump for load switch applications |
TWI623142B (zh) * | 2012-07-07 | 2018-05-01 | 西凱渥資訊處理科技公司 | 與基於射頻開關之絕緣體上矽相關之電路、裝置、方法及其組合 |
US8975923B2 (en) | 2012-08-20 | 2015-03-10 | Fairchild Semiconductor Corporation | Protective multiplexer |
US8836412B2 (en) | 2013-02-11 | 2014-09-16 | Sandisk 3D Llc | Charge pump with a power-controlled clock buffer to reduce power consumption and output voltage ripple |
US8866652B2 (en) | 2013-03-07 | 2014-10-21 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and method for reducing sampling circuit timing mismatch |
US8981835B2 (en) * | 2013-06-18 | 2015-03-17 | Sandisk Technologies Inc. | Efficient voltage doubler |
US9024680B2 (en) | 2013-06-24 | 2015-05-05 | Sandisk Technologies Inc. | Efficiency for charge pumps with low supply voltages |
US9077238B2 (en) | 2013-06-25 | 2015-07-07 | SanDisk Technologies, Inc. | Capacitive regulation of charge pumps without refresh operation interruption |
US9007046B2 (en) | 2013-06-27 | 2015-04-14 | Sandisk Technologies Inc. | Efficient high voltage bias regulation circuit |
US9378844B2 (en) | 2013-07-31 | 2016-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor whose gate is electrically connected to capacitor |
US9083231B2 (en) | 2013-09-30 | 2015-07-14 | Sandisk Technologies Inc. | Amplitude modulation for pass gate to improve charge pump efficiency |
JP6581765B2 (ja) | 2013-10-02 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置 |
US9172364B2 (en) * | 2013-10-23 | 2015-10-27 | Linear Technology Corporation | Isolated bootstrapped switch |
US9154027B2 (en) | 2013-12-09 | 2015-10-06 | Sandisk Technologies Inc. | Dynamic load matching charge pump for reduced current consumption |
CN104168025B (zh) * | 2014-08-25 | 2017-06-06 | 西安交通大学 | 一种电荷式流水线逐次逼近型模数转换器 |
JP6497089B2 (ja) * | 2015-01-29 | 2019-04-10 | 株式会社ソシオネクスト | スイッチ回路、ad変換回路および集積回路 |
US9838004B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-12-05 | Fairchild Semiconductor Corporation | Enhanced protective multiplexer |
US9917507B2 (en) | 2015-05-28 | 2018-03-13 | Sandisk Technologies Llc | Dynamic clock period modulation scheme for variable charge pump load currents |
US9647536B2 (en) | 2015-07-28 | 2017-05-09 | Sandisk Technologies Llc | High voltage generation using low voltage devices |
US9520776B1 (en) | 2015-09-18 | 2016-12-13 | Sandisk Technologies Llc | Selective body bias for charge pump transfer switches |
US10394260B2 (en) | 2016-06-30 | 2019-08-27 | Synaptics Incorporated | Gate boosting circuit and method for an integrated power stage |
US10727828B2 (en) | 2016-09-12 | 2020-07-28 | Analog Devices, Inc. | Input buffer |
TW202305888A (zh) | 2016-09-12 | 2023-02-01 | 美商美國亞德諾半導體公司 | 自舉式切換電路 |
US10897263B1 (en) * | 2020-05-14 | 2021-01-19 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Multiple paths bootstrap configuration for sample and hold circuit |
CN113726321B (zh) * | 2021-09-06 | 2023-09-22 | 联合微电子中心有限责任公司 | 一种自举开关电路和模数转换器 |
TWI806169B (zh) * | 2021-09-23 | 2023-06-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 靴帶式開關 |
US11804836B1 (en) * | 2022-05-20 | 2023-10-31 | Analog Devices, Inc. | Bootstrapped switch with fast turn off |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7049977B2 (en) | 2003-01-21 | 2006-05-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Antenna unit and card processing system |
US20060202735A1 (en) | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Aksin Devrim Y | Bootstrapped switch with an input dynamic range greater than supply voltage |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3431774B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2003-07-28 | ヒュンダイ エレクトロニクス アメリカ | 混合電圧システムのための出力ドライバ |
DE60203039T2 (de) * | 2002-07-19 | 2006-01-12 | Infineon Technologies Ag | Geschaltete Pegelschiebeschaltung in einem Analogschalter |
DE60308346D1 (de) * | 2003-07-03 | 2006-10-26 | St Microelectronics Srl | Mit Spannungserhöhung betriebene Abtastschaltung und zugehöriges Ansteuerverfahren |
-
2005
- 2005-06-22 US US11/159,005 patent/US7253675B2/en active Active
-
2006
- 2006-03-08 JP JP2008500860A patent/JP2008533824A/ja not_active Abandoned
- 2006-03-08 EP EP06737361A patent/EP1861760B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-08 WO PCT/US2006/008181 patent/WO2006096748A2/en active Application Filing
- 2006-03-08 DE DE602006008905T patent/DE602006008905D1/de active Active
- 2006-03-08 KR KR1020077022922A patent/KR100926590B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7049977B2 (en) | 2003-01-21 | 2006-05-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Antenna unit and card processing system |
US20060202735A1 (en) | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Aksin Devrim Y | Bootstrapped switch with an input dynamic range greater than supply voltage |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101041278B1 (ko) | 2009-01-09 | 2011-06-14 | 성균관대학교산학협력단 | 부트스트래핑 기술을 이용한 상보신호출력장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006096748A3 (en) | 2007-06-07 |
US20060202742A1 (en) | 2006-09-14 |
KR20070108944A (ko) | 2007-11-13 |
US7253675B2 (en) | 2007-08-07 |
JP2008533824A (ja) | 2008-08-21 |
DE602006008905D1 (de) | 2009-10-15 |
EP1861760B1 (en) | 2009-09-02 |
EP1861760A4 (en) | 2008-11-12 |
EP1861760A2 (en) | 2007-12-05 |
WO2006096748A2 (en) | 2006-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100926590B1 (ko) | 전원 전압을 초과하는 입력을 샘플링할 수 있는부트스트래핑 회로 | |
CN100578418C (zh) | 能够对超过电源电压的输入进行采样的自举电路 | |
Steensgaard | Bootstrapped low-voltage analog switches | |
KR101505396B1 (ko) | 트랜지스터 스냅백 보호를 탑재한 레벨 시프터 회로 | |
US7696805B2 (en) | Level shifter circuit incorporating transistor snap-back protection | |
US7061299B2 (en) | Bidirectional level shifter | |
US7310012B2 (en) | Voltage level shifter apparatus | |
US11183924B2 (en) | Voltage multiplier circuit with a common bulk and configured for positive and negative voltage generation | |
JP5198309B2 (ja) | レベルシフタ回路 | |
KR101378866B1 (ko) | 저전력 rf 스위치 | |
US20050275444A1 (en) | HIgh voltage level converter using low voltage devices | |
KR100453084B1 (ko) | 반도체 집적회로장치 | |
US20060226874A1 (en) | Interface circuit including voltage level shifter | |
US7167036B2 (en) | Circuit for transforming signals varying between different voltages | |
US7990190B2 (en) | Power-on reset circuit, module including same, and electronic device including same | |
US6882198B2 (en) | Edge-triggered toggle flip-flop circuit | |
Aksin et al. | A bootstrapped switch for precise sampling of inputs with signal range beyond supply voltage | |
US6424173B1 (en) | Voltage translators with zero static power and predictable performance | |
US8198918B1 (en) | Capacitor cell supporting circuit operation at higher-voltages while employing capacitors designed for lower voltages | |
US8779850B2 (en) | Bootstrap circuit | |
KR100340901B1 (ko) | 단안정 멀티바이브레이터 | |
US8242853B2 (en) | Low headroom oscillator | |
CN118057734A (zh) | 逻辑电平转换电路及系统 | |
CN110829829A (zh) | 时钟波高值升压电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121030 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131030 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141030 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150930 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161028 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170929 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180928 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190924 Year of fee payment: 11 |