KR100920223B1 - 범프 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

범프 형성 방법이 개시된다. 상기 범프 형성 방법은, (a) 금속판의 상면에 제1 천공홀이 형성된 제1 마스크를 이용하여 하단 범프를 인쇄하는 단계; (b) 상기 하단 범프를 건조하는 단계; (c) 제2 천공홀이 형성된 제2 마스크의 하부에, 상기 제2 천공홀과 대응되는 위치에 상기 제2 천공홀보다 더 큰 제3 천공홀이 형성된 판 형상의 지그를 게재하여 상기 하단 범프의 상부에 상단 범프를 인쇄하는 단계; 및 (d) 상기 상단 범프를 건조하는 단계를 포함한다.
범프, 금속판, 지그

Description

범프 형성 방법{Manufacturing method of bump}
본 발명은 범프를 이용하여 인쇄회로기판을 제조함에 있어서, 범프의 형성 방법에 관한 것이다.
범프를 이용하여 층간을 도통하는 인쇄회로기판의 제조방법이 행하여 지고 있다.
종래의 범프를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법을 설명하면, 도 1과 같이 동박(11)에 전도성 범프(12)를 인쇄하고, 절연층(131)을 관통 한 후 상부 동박(132)을 적층하여 하부 동박(11)과 층간 접속이 되로록 한다. 이후 동박(11, 132)을 일부 제거하면 도 4와 같이 인쇄회로기판(10)이 완성된다.
이와 같이, 범프를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법에 있어서, 우선적으로 도 1과 같이 동박(11)에 전도성 범프(12)를 인쇄하는 공정이 필요한데, 이때, 범프(12)는 추후의 공정에서 절연층(131)의 두께(약 40~60um)을 관통할 만큼 충분한 높이가 확보되어야 한다.
이렇게, 범프(12)의 높이를 확보하기 위하여 동박(11)의 상면에 범프(12)가 형성될 위치를 고려하여 천공홀이 형성된 마스크를 위치하고, 전도성 페이스트를 스퀴지 등을 이용하여 인쇄하고, 건조하는 작업을 반복한다. 도 5와 같이, 종래에는 5회 정도를 마스크를 이용하여 인쇄 및 건조 공정을 거쳐야지 충분한 범프(12)의 높이가 확보되었다. 범프(12)를 형성하기 위한 반복된 인쇄 및 건조 작업은 생산성 저하의 원인이 되었다.
본 발명은 2번의 인쇄공정으로 원하는 높이의 범프를 형성하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, (a) 금속판의 상면에 제1 천공홀이 형성된 제1 마스크를 이용하여 하단 범프를 인쇄하는 단계, (b) 상기 하단 범프를 건조하는 단계, (c) 제2 천공홀이 형성된 제2 마스크의 하부에 지그를 게재하여 상기 하단 범프의 상부에 상단 범프를 인쇄하는 단계, 및 (d) 상기 상단 범프를 건조하는 단계를 포함하는 범프 형성 방법이 제공된다.
상기 제2 천공홀은 제1 천공홀과 대응되도록 상기 제2 마스크에 형성되는 것이 좋다.
상기 지그는 판의 형상으로서, 상기 제2 천공홀과 대응되는 위치에 상기 제2 천공홀 보다 더 크게 형성된 제3 천공홀이 형성되는 것이 좋다.
이상의 과제 해결 수단과 같이, 지그를 이용하여 범프를 인쇄함으로써 2번의 반복 공정으로 원하는 높이의 범프를 형성할 수 있다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 범프 형성 방법의 실시예에 대하여 보다 상세하게 설명하도록 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 범프 형성 방법의 순서도이며, 도 7내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 범프 형성 공정도이다. 도 7내지 도 13을 참조하면, 금속판(21), 하단 범프(22), 제1 마스크(231), 제2 마스크(232), 스퀴지(24), 제1 천공홀(251), 제2 천공홀(252), 전도성 페이스트(261, 263), 잔류 페이스트(262), 제3 천공홀(271), 상단 범프(28)가 도시되어 있다.
S11은 금속판의 상면에 제1 천공홀이 형성된 제1 마스크를 이용하여 하단 범프를 인쇄하는 단계로서, 도 7은 이에 상응하는 공정이다.
도 7과 같이, 하단 범프(22)가 인쇄될 위치를 고려하여, 제1 마스크(231)에는 제1 천공홀(251)이 형성되어 있다. 금속판(21)에 제1 마스크(231)를 위치시키고, 스퀴지(24)를 이용하여 전도성 페이스트(261)를 제1 천공홀(251)에 밀어 넣는 다. 이후, 제1 마스크(231)를 분리하면, 도 7과 같이 하단 범프(22)가 형성된다.
이때, 전도성 페이스트(261)의 일부인 잔류 페이스트(262)가 점도에 의하여 제1 천공홀(251)에 남을 수도 있다.
전도성 페이스트(261)은 은, 구리 등의 미립자와 바인더의 혼합물로 만들어 질 수 있다.
S12는 하단 범프를 건조하는 단계로서, 도 8은 이에 상응하는 공정이다. 하단 범프(22) 인쇄 직후에는 경도가 확보되지 않는다. 따라서, 건도 단계를 거쳐 경화시켜야 한다. 건조 단계를 거치면, 페이스트 형태의 하단 범프(22)에 포함된 유동성의 바인더 성분이 휘발된다.
결과적으로 도 9와 같이 h1높이이고, 경도가 확보된 하단 범프(22)가 완성될 수 있다.
S13은 제2 천공홀이 형성된 제2 마스크의 하부에 지그를 게재하여 상기 하단 범프의 상부에 상단 범프를 인쇄하는 단계로서, 도 10내지 도 11은 이에 상응하는 공정이다.
제2 마스크(232)의 제2 천공홀(252)은 제1 천공홀(251)와 대응되는 위치에 형성되어 있다. 사실상, 제2 마스크(232)는 제1 마스크(231)의 복사본일 수도 있다.그러나 경우에 따라서는 제1 천공홀(251)과 제2 천공홀(252)의 크기를 달리할 수도 있다.
지그(27)는 제2 마스크(232)의 하부에 결합될 수 있으며, 제2 천공홀(252)를 차단하지 않는 것이 좋다. 따라서, 지그(27)에는 제3 천공홀(271)이 제2 천공홀(252)과 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 제3 천공홀(271)은 제2 천공홀(252)보다 크게 형성하는 것이 제2 천공홀(252)을 차단하지 않을 뿐만 아니라, 하단 범프(22)가 겹치지 않고 안정적으로 제3 천공홀(271)에 관통되도록 한다.
도 10과 같이, 지그(27)의 제3 천공홀에 하단 범프(22)가 관통되도록 배치하고, 지그(27)의 상부에는 제2 천공홀(252)에 하단 범프(22)의 상부가 노출되도록 제2 마스크(232)를 정렬하여 전도성 페이스트(263)를 인쇄한다. 결과적으로 하단 범프(22)의 상면에 상단 범프(28)가 인쇄된다. 본 실시예의 지그의 높이는 50~120um일 수 있다.
S14는 상단 범프를 건조하는 단계이다. 상단 범프(28)는 앞서 설명한 하단 범프(22)와 동일한 방법으로 건조할 수 있다. 결과적으로 도 13과 같이, 하단 범프(22)의 상부에 상단 범프(28)가 인쇄되어, H1과 같은 높이가 확보된다.
이상의 실시예와 같이 단 2번의 인쇄작업으로 충분한 높이의 범프를 형성할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하였지만, 해당기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1 내지 도 5는 종래기술에 따른 범프 형성 공정도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 범프 형성 방법의 순서도.
도 7내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 범프 형성 공정도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
금속판(21) 하단 범프(22)
제1 마스크(231) 제2 마스크(232)
스퀴지(24) 제1 천공홀(251)
제2 천공홀(252) 전도성 페이스트(261, 263)
잔류 페이스트(262) 제3 천공홀(271)
상단 범프(28)

Claims (3)

  1. (a) 금속판의 상면에 제1 천공홀이 형성된 제1 마스크를 이용하여 하단 범프를 인쇄하는 단계;
    (b) 상기 하단 범프를 건조하는 단계;
    (c) 제2 천공홀이 형성된 제2 마스크의 하부에, 상기 제2 천공홀과 대응되는 위치에 상기 제2 천공홀보다 더 큰 제3 천공홀이 형성된 판 형상의 지그를 게재하여 상기 하단 범프의 상부에 상단 범프를 인쇄하는 단계; 및
    (d) 상기 상단 범프를 건조하는 단계를 포함하는 범프 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 마스크에는 제2 천공홀이 형성되되, 상기 제2 천공홀은 제1 천공홀과 대응되는 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 범프 형성 방법.
  3. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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