KR100914110B1 - A semiconductor light emitting device - Google Patents

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KR100914110B1
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light
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코지 오츠카
요시히코 우치다
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산켄덴키 가부시키가이샤
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Abstract

발광 효율이 높은 반도체 발광 소자는, 발광 반도체 영역과, 전류 분산 반도체층(3)과, 제 1 전극(4)과, 제 2 전극을 구비한다. The semiconductor light emitting device is high luminous efficiency is provided with a light-emitting semiconductor region, and semiconductor current spreading layer (3), and the first electrode 4 and the second electrode. 평면적으로 보아 제 1 전극(4)의 주변 가장자리로부터 전류 분산 반도체층(3)의 주면(主面)(12)의 주변 가장자리로 향하여 연장되어 있는 복수의 제 1 가상 직선(A)상에 복수의 오목부(13)가 형성되고, 제 1 전극(4)의 주변 가장자리로부터 전류 분산 반도체층(3)의 주면(12)의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 2 가상 직선(B)상에 오목부가 형성되어 있지 않다. A plurality of on the plan view seen plurality of first virtual straight line extending toward the peripheral edge of the main surface (主 面) (12) of the current distributed semiconductor layer (3) from the peripheral edge (A) of the first electrode (4) a recess portion 13 is formed, first extend toward the peripheral edge of the plurality of second virtual straight line of the main surface 12 of the current spreading semiconductor layer 3 from the peripheral edge (B) of the first electrode (4) a concave portion is not formed. 전류 분산 반도체층(3)의 제 2 가상 직선(B)에 대응하는 부분은 전류 분산 반도체층(3)의 외주 방향으로 전류를 흘리기 위한 통로로서 기능하여, 발광 효율이 향상한다. The portion 2 corresponds to the imaginary straight line (B) of the semiconductor current spreading layer 3 functions as a passage for a current to flow in the circumferential direction of the electric current distributed semiconductor layer 3, thereby improving the luminous efficiency.

Description

반도체 발광 소자{A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE} Semiconductor light emitting devices {A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}

본 발명은, 예컨대 AlGaAs계, AlGaInP계, GaN계 등의 반도체로 이루어지는 발광 반도체 영역을 포함하는 반도체 발광 소자에 관한 것이다. The invention, for example, to a semiconductor light emitting device including the AlGaAs-based, AlGaInP-based light emitting semiconductor region made of a semiconductor such as GaN-based.

최근, 발광 반도체 영역을 구성하는 AlGaInP계 등의 결정을 유기 금속 기상 성장법, 즉 MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)로 성장시킬 수 있게 되고, 고휘도의 반도체 발광 소자를 제조할 수 있게 되었다. Recently, to be able to grow a crystal, such as AlGaInP-based semiconductor constituting the light-emitting area of ​​the organic metal vapor phase growth method, or MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy), it was able to produce a high brightness of the semiconductor light emitting device. 그런데, 반도체 발광 소자의 광 출력은, 내부 양자(量子) 효율(내부 발광 효율)과, 반도체 발광 소자 내로부터 몰드 수지를 통해 대기 중에 취출(取出)되는 광의 효율을 나타내는 광 취출 효율의 곱으로 결정된다. However, the light output of the semiconductor light-emitting device is determined by the product of the light extraction efficiency represents a take-out (取出), the light efficiency of the air through the molded resin from the inside of the internal quantum (量子) efficiency (internal light emission efficiency) and the semiconductor light emitting element do. 따라서, 반도체 발광 소자의 광 출력을 높이기 위해서 광 취출 효율을 높이는 것도 중요하다. Therefore, it is important to increase the light extraction efficiency in order to increase the light output of the semiconductor light-emitting device. 광 취출 효율의 향상을 방해하는 요인 중 하나로서, 광 취출면에서의 전(全)반사에 의한 광의 외부 취출량의 감소가 있다. As one of the factors that prevent the improvement of the light extraction efficiency, the reduction of the amount of light outcoupling by the former (全) reflection on the light extraction surface. 예를 들어, 반도체 발광 소자에 있어서 공지된 전류 분산 반도체층(또는 윈도우(window)층)의 광 취출면을 에폭시 수지 등의 투명 수지로 밀봉(sealing)한 경우, 전류 분산 반도체층과 투명 수지와의 굴절률 차이에 의해 전반사가 발생하면, 광의 외부 취출량이 감소하고, 원하는 만큼의 발광 효율을 얻을 수 없다. For example, when sealing the light-output face of a known current distributed semiconductor layer (or the window (window) layer) of a transparent resin such as an epoxy resin (sealing) a semiconductor light emitting element, electric current distributed semiconductor layer and a transparent resin and When the total reflection is caused by the difference in refractive index, reducing the amount of light outcoupling, and the luminous efficiency can not be obtained as desired.

이러한 문제를 해결하기 위해, 반도체 발광 소자의 광 취출면에 미소 요철(凹凸)(거친 면)을 형성하고, 전반사를 방지하는 것이 예를 들어, 일본 특허 공개 공보 H10-200162호(특허문헌 1)에 개시되어 있다. To the top, to form a fine unevenness (凹凸) (rough side) to the light-output face of the semiconductor light-emitting device, to prevent the total reflection, for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. H10-200162 (Patent Document 1) It disclosed in. 그러나, 특허문헌 1의 광 취출면에서의 미소 요철은 랜덤하게 형성되어 있기 때문에, 반도체 발광 소자의 총합 효율을 충분히 높일 수 없었다. However, since the minute unevenness on the light-output face of the Patent Document 1 is formed at random and could not sufficiently increase the total efficiency of the semiconductor light-emitting device. 다시 말해, 반도체 발광 소자의 캐소드(cathode) 또는 애노드(anode)로서 기능하는 본딩 패드(bonding pad) 전극은 광 취출 방해를 적게 하기 위해 반도체 발광 소자의 광 취출면의 일부(예를 들면 중앙)에만 형성되어 있어, 본딩 패드 전극으로부터의 전류는 전류 분산 반도체층(윈도우층)을 통해 활성층의 전 영역에 분산된다. In other words, part of the light-output face of the semiconductor light-emitting device to reduce the bonding pad (bonding pad) electrode is light-output interrupt functioning as a cathode (cathode) or the anode (anode) of the semiconductor light emitting element (for example, the center) only it is formed, current from the electrode bonding pads are distributed in the entire region of the active layer over the current spreading semiconductor layer (window layer). 그러나, 전류 분산 반도체층(윈도우층)에 형성된 오목부는 절연체로서 기능한다는 것과, 오목부를 형성했기 때문에 전류 분산 반도체층의 오목부 아래 부분이 얇아지는 것에 의해, 전류 분산 반도체층의 가로방향의 저항이 커지고, 전류의 가로방향의 확대(분산)가 나빠지고, 전류가 본딩 패드 전극의 근방에 집중하여 흐르고, 활성층의 전 영역에 분산하여 흐르지 않으므로, 원하는 만큼의 발광 효율을 얻을 수 없다. However, the current spreading semiconductor layer (window layer), the concave portion functions that that, the resistance of the by that because forming a recess the recess lower part of the current spreading semiconductor layers thin, and the horizontal current distribution semiconductor layer direction as an insulator formed on becomes large, the expansion (dispersion) in the transverse direction of the current deteriorates, current flows to concentrate on the vicinity of the bonding pad electrode, since the flow is dispersed in the entire region of the active layer, luminous efficiency can not be obtained as desired. 이 문제를 해결하기 위해 전류 분산 반도체층(윈도우층)을 두껍게 형성하는 것을 고려할 수 있지만, 전류 분산 반도체층(윈도우층)을 두껍게 형성하면, 이것의 성장 시간이 길어져, 비용이 대폭 상승한다. It can be considered to form a thick current spreading semiconductor layer (window layer) In order to solve this problem, when a thick current spreading semiconductor layer (window layer), and its longer growth time, and the cost increase to a great extent. 또한, 전류 분산 반도체층(윈도우층)의 저항률을 0으로 하는 것과, 광 투과율을 100퍼센트로 하는 것은 불가능하므로, 전류 분산 반도체층(윈도우층)을 두껍게 하면 필연적으로 전류 분산 반도체층(윈도우층)의 저항의 증대에 의한 전력 손실의 증가 및 광 취출 효율의 저하를 초래한다. Further, as the resistivity of the current distributed semiconductor layer (window layer) to zero, since it is not possible that the light transmittance at 100 percent, when a thick current spreading semiconductor layer (window layer) necessarily current distributed semiconductor layer (window layer) the increase in the power loss due to an increase in the resistance and reduction in the light extraction efficiency results.

전류 분산 반도체층과 투명 수지와의 굴절률 차이에 의한 전반사를 방지함과 동시에 전류의 가로방향의 확대를 양호하게 하기 위해, 전류 분산 반도체층의 표면에 오목부를 형성함과 동시에, 예를 들어 일본 특허 공개 공보 H1-225178호(특허문헌 2)에 개시되어 있는 공지의 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명 도전막을 전류 분산 반도체층의 표면에 형성하는 것을 고려할 수 있다. Prevent the total reflection due to the refractive index difference between the current spreading semiconductor layer and the transparent resin, and at the same time and at the same time order to improve the expansion in the transverse direction of the electric current, forming a concave portion on the surface of the current spreading semiconductor layer, for example, Japanese Patent public publication may be considered to form on the surface of the transparent conductive film semiconductor current spreading layer, such as H1-225178 (Patent Document 2) (Indium Tin Oxide) ITO known as disclosed in. 그러나, 투명 도전막은 극도로 얇은 막이므로, 오목부의 단차(段差)로 단선(斷線)하기 쉽고, 전류 확산 효과를 양호하게 얻기가 곤란하다. However, because the transparent conductive film is extremely thin film, the easy-to-break (斷線) in the recess step (段 差), it is difficult to satisfactorily obtain the current diffusion effect.

특허문헌 1 일본 특허 공개 공보 H10-200162호 Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open Publication No. H10-200162

특허문헌 2 일본 특허 공개 공보 H1-225178호 Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. H1-225178

본 발명이 해결하려고 하는 과제는, 전류 분산 반도체층(윈도우층)에 전반사 방지용의 오목부를 랜덤하게 형성하면 전류의 가로방향의 확대가 방해되어, 발광 효율이 저하하는 것이다. Problems to be Solved The present invention, when the current spreading semiconductor layer formed at random (the window layer), a concave portion for preventing total reflection on the expansion of the horizontal direction of the current is hindered, to the light-emitting efficiency. 따라서, 본 발명의 목적은 전반사 방지용의 오목부를 형성했는데도 불구하고, 전류의 가로방향의 확대를 비교적 양호하게 유지할 수 있는 반도체 발광 소자를 제공하는 것이다. Accordingly, it is an object of the present invention to even despite forming recessed portion of the total reflection prevention, and provides a semiconductor light emitting device with the expansion of the horizontal direction of the current can be kept acceptable.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 발광 기능을 갖는 발광 반도체 영역과, 상기 발광 반도체 영역 위에 배치되고 또한 광 취출면을 갖는 전류 분산 반도체층과, 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 일부 위에 배치된 제 1 전극과, 상기 발광 반도체 영역의 타방의 주면에 전기적으로 접속된 제 2 전극을 구비한 반도체 발광 소자로서, The present invention for solving the aforementioned problems is a part of the light emitting semiconductor region, the light is disposed on the semiconductor region also light-output current spreading semiconductor layer having a surface, wherein the light-output of the current balancing semiconductor layer side having a light emitting function as a semiconductor light emitting element having a second electrode electrically connected to the other main surface of the first electrode and the light emitting semiconductor region disposed above,

평면적으로 보아 상기 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리로 향하여 연장되어 있는 복수의 제 1 가상 직선상에 오목부가 형성되고, 상기 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리로 향하여 연장되어 있는 복수의 제 2 가상 직선상에 오목부가 형성되어 있지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자에 관계되는 것이다. In plan bore wherein is formed from a peripheral edge of the electrode a recess on a plurality of first virtual straight line extending toward the peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer, from the peripheral edge of the first electrode, It is related to the semiconductor light emitting element, characterized in that that the current spreading layer and the semiconductor light-emitting a plurality of the concave portion is not formed on the second imaginary straight line extending toward the peripheral edge of the surface.

한편, 청구항 2에 나타낸 바와 같이, 상기 제 1 전극은 평면적으로 보아 원 형의 주변 가장자리를 갖고, 상기 복수의 제 1 가상 직선 및 상기 복수의 제 2 가상 직선은 상기 제 1 전극의 원형 주변 가장자리로부터 방사상으로 연장되어 있는 것이 바람직하다. On the other hand, as shown in claim 2, wherein the first electrode is flat as viewed has a peripheral edge of the original type, the plurality of first virtual straight lines and the plurality of second virtual straight line from the circular peripheral edge of the first electrode, it is radially extending preferred.

또한, 청구항 3에 나타낸 바와 같이, 상기 제 1 전극은 평면적으로 보아 원형 중앙부와 상기 원형 중앙부로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 돌출부로 이루어지고, 상기 복수의 제 1 가상 직선 및 상기 복수의 제 2 가상 직선은 상기 제 1 전극의 상기 원형 중앙부의 주변 가장자리로부터 방사상으로 연장되어 있고, 더욱이, 평면적으로 보아 상기 제 1 전극의 상기 돌출부의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 3 가상 직선상에 오목부가 형성되며, 상기 제 1 전극의 상기 돌출부의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 4 가상 직선상에 오목 In addition, as shown in claim 3, wherein the first electrode is made in plan viewed from the circular central portion and a circular central portion with a plurality of projections that extend toward a peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer, wherein a plurality of first virtual straight line and the second imaginary straight line of the plurality may be radially extending from a peripheral edge of the circular center portion of the first electrode, and further, in plan when viewed from said peripheral edge of the projecting portion of the first electrode, is added to form recesses on a plurality of third imaginary straight line extending toward the peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer, wherein the light-output of the current balancing semiconductor layer from the peripheral edge of the projecting portion of the first electrode plurality of which extends towards the peripheral edge of the concave surface 4 on the imaginary straight line 부가 형성되어 있지 않는 것이 바람직하다. Preferably it does not form part.

또한, 청구항 4에 나타낸 바와 같이, 상기 제 1 전극은 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면에 서로 분리하여 배치된 복수의 전극부분으로 이루어지고, 상기 복수의 제 1 가상 직선 및 상기 복수의 제 2 가상 직선은, 상기 제 1 전극의 상기 복수의 전극부분의 주변 가장자리로부터 상기 복수의 전극부분의 상호 간의 중간위치를 나타내는 가상 직선을 향하여 방사상으로 연장되어 있는 것이 바람직하다. In addition, as shown in claim 4, wherein the first electrode is made of a plurality of electrode portions are arranged to separate from each other on the light-output side of the current spreading semiconductor layer, a second of the plurality of first virtual straight lines and the plurality second virtual straight line, towards the imaginary straight line representing the intermediate position between each other of the plurality of electrode portions from the peripheral edges of the plurality of electrode portions of the first electrode is preferably extend radially.

또한, 청구항 5에 나타낸 바와 같이, 상기 복수의 제 1 가상 직선상에 복수 의 오목부가 각각 배치되며, 상기 복수의 오목부는 상기 제 1 전극을 기준으로 하여 동심원 형상으로 배치되어 있는 것이 바람직하다. In addition, as shown in claim 5, there is disposed a plurality of concave portions on the plurality of first virtual straight line, it is preferred that the plurality of recesses which are arranged in concentric circles on the basis of the first electrode.

또한, 청구항 6에 나타낸 바와 같이, 상기 전류 분산 반도체층의 상기 제 1 전극으로부터 가까운 영역에서의 상기 오목부의 분포 밀도, 즉 단위면적에서의 오목부의 면적의 비율이, 상기 제 1 전극으로부터 상기 가까운 영역보다 먼 영역에서의 상기 오목부의 분포 밀도보다 낮아지도록 상기 오목부가 배치되어 있는 것이 바람직하다. In addition, as shown in claim 6, wherein the distribution density of the recess in the near region from the first electrode of the current spreading semiconductor layer, that is, the proportion of the area of ​​the concave portion in the unit area, the near region from the first electrode so that it is lower than the distribution density than that of the recess in the far zone is arranged above a concave portion it is preferable.

또한, 상기 오목부의 깊이는 0.2 ~ 4㎛인 것이 바람직하다. Further, the depth of the depression is preferably 0.2 ~ 4㎛.

또한, 상기 오목부의 폭은 0.2 ~ 4㎛인 것이 바람직하다. Further, the width of the recess is preferably 0.2 ~ 4㎛.

또한, 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면상에 배치된 광 투과성 도전막을 더 갖는 것이 바람직하다. Further, it is preferable that the transparent conductive film is disposed on the side of the light extraction of the semiconductor current spreading layer further.

또한, 상기 발광 반도체영역의 상기 광 취출면과 반대의 주면에 배치된 광 반사 도체층을 더 갖는 것이 바람직하다. In addition, it is desirable to have more the light reflection conductive layer disposed on the major surface of the light-output face opposite to that of the light emitting semiconductor region.

본원의 각 청구항의 발명에 따른 반도체 발광 소자에서는, 평면적으로 보아 상기 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 전류 분산 반도체층의 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 1 가상 직선상에 오목부가 형성되고, 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 전류 분산 반도체층의 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 2 가상 직선상에 오목부가 형성되어 있지 않다. In the semiconductor light emitting device according to the invention of each claim of the present application, in plan when viewed wherein the recesses on a plurality of first virtual straight line extending from a peripheral edge of the first electrode toward the peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer and forming, the recessed portion is not on a plurality of second virtual straight line from the peripheral edge of the first electrode extend towards the peripheral edge of the light-emitting surface of the semiconductor current spreading layer is formed. 제 1 가상 직선상에서 복수의 오목부는 전류 분산 반도체층의 광 취출면에서의 전반사의 방지에 기여한다. A first plurality of recesses on the virtual straight line portion contributes to the prevention of total reflection at the light-output side of the current spreading semiconductor layer. 그러나, 제 2 가상 직선상에 오목부가 형성되지 않기 때문에, 전류는 오목부에 방해되지 않고 제 2 가상 직선을 따라 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 전류 분산 반도체층의 주변 가장자리 방향(가로방향)으로 흐른다. However, since the second virtual does not form a straight line recess on, a current flows in a second virtual straight line does not interfere with the recessed portion from a peripheral edge of the first electrode around the edge direction (horizontal direction) of the current spreading semiconductor layer . 따라서, 전류의 가로방향으로의 확대를 비교적 양호하게 유지하여 광 취출면에서의 전반사를 방지할 수 있고, 내부 양자 효율(내부 발광 효율)과 광의 외부 취출 효율과의 양쪽을 비교적 크게 할 수 있고, 비교적 큰 광 출력을 갖는 반도체 발광 소자를 제공할 수 있다. Accordingly, relatively good keeping the expansion in the widthwise direction of the current it is possible to prevent the total reflection on the surface light-output, it is possible to both sides of the internal quantum efficiency (the internal emission efficiency) and the light outcoupling efficiency is relatively large, having a relatively large light output can be provided a semiconductor light emitting device.

그 다음에, 본 발명의 실시 형태를 도 1 ~ 도 7을 참조해서 설명한다. Next, FIG embodiments of the present invention is one to be described with reference to FIG.

(실시예 1) (Example 1)

도 1 ~ 도 3에 나타난 본 발명의 실시예 1에 따른 이중 헤테로(double hetero) 접합형 반도체 발광 소자는, 대별하여, 도전성을 갖는 반도체 기판(1)과, 발광 반도체영역(2)과, 전류 분산 반도체층(3)과, 전류 분산 반도체층(3) 위에 형성된 본딩 패드(bonding pad) 기능을 갖는 제 1 전극(4)과, 반도체 기판(1)의 하면(下面)에 형성된 제 2 전극(5)과, 쇄선(鎖線)으로 나타낸 광 투과성 피복체(被覆體)(6)를 구비한다. Figs. 1 to 3 double hetero (double hetero) junction-type semiconductor light-emitting device according to a first embodiment of the present invention represented by the, roughly divided in, and the semiconductor substrate 1 having conductivity, a light emitting semiconductor region 2, the current a second electrode formed on a lower (下面) of the distributed semiconductor layer 3 and the current spreading semiconductor layer 3, the bonding pad (bonding pad), a first electrode 4 and the semiconductor substrate 1 has a function formed on the ( 5) and, a chain line (having a light-transmitting covering member (被覆 體) (6) represented by 鎖 線). 다음에 도 1 ~ 도 3의 각 부분을 상세하게 설명한다. Next to be described in Figure 1 and in detail the parts of FIG.

도전성을 갖는 반도체 기판(1)은, 발광 반도체영역(2)의 성장(成長) 기판 및 기계적 지지 기판으로서의 기능을 갖는 것으로서, n형 불순물이 첨가된 GaAs로 이루어지고, 일방의 주면(7)과 타방의 주면(8)을 갖는다. A semiconductor substrate (1) having a conductivity, as having growth (成長) substrate and a mechanical support substrate as a function of the light emitting semiconductor region (2), made of the n-type impurity doped GaAs, the main surface of the one (7) and It has the other of the main surface (8). 본 실시예에서는 반도체 기판(1)이 GaAs로 이루어지지만, 이 대신에 다른 3-5족 화합물 반도체 또는 실리콘(Si), 또는 탄화 규소(SiC) 등을 사용할 수도 있다. In this embodiment, it may be used such as a semiconductor substrate 1 made of GaAs, but, instead of the other group III-V compound semiconductor or a silicon (Si), or silicon carbide (SiC).

도전성을 갖는 반도체 기판(1)의 일방의 주면(7) 위에 배치된 발광 반도체 영역(2)은, n형 클래드(clad)층이라 칭할 수 있는 n형 반도체층(9)과 활성층(10)과 p형 클래드층이라 칭할 수 있는 p형 반도체층(11)으로 이루어진다. Major surface of one of the semiconductor substrate 1 having conductivity (7) The light emitting semiconductor region 2, n-type cladding (clad) n type which can be referred to as a layer the semiconductor layer 9 and the active layer 10 disposed on the It referred to as the p-type cladding layer made of p-type semiconductor layer 11 that can be referred to. 발광 반도체 영역(2)의 각 층(9, 10, 11) 및 이 위의 전류 분산 반도체층(3)은 공지된 기상 에피택셜(epitaxial) 성장법(예컨대, 유기금속 기상성장법 즉 MOVPE법)으로 연속적으로 형성되어 있다. Each layer of the light emitting semiconductor region (2) (9, 10, 11) and the current spreading semiconductor layer 3 above the vapor phase epitaxial (epitaxial) known deposition method (for example, the organometallic vapor deposition method that is MOVPE method) a is formed continuously. 한편, 반도체 기판(1)과 발광 반도체영역(2)과의 사이에 버퍼(buffer)층을 개재(介在)시킬 수 있다. On the other hand, it can be provided between the semiconductor substrate 1 and the light emitting semiconductor region (2) through a buffer (buffer) layer (介 在).

n형 반도체층(9)은, 예컨대 n형 불순물이 5x10 17-3 정도의 농도로 첨가된 AlGaInP(알루미늄-갈륨-인듐-인)로 이루어지고, 예컨대 2㎛ 정도의 두께를 갖고, 도전성을 갖는 반도체 기판(1)에 전기적 및 기계적으로 결합되어 있다. n-type semiconductor layer 9 is, for example, the n-type impurity AlGaInP added at a concentration of about 5x10 17-3 (aluminum-gallium-indium-phosphorus), is made of, for example, it has a thickness of about 2㎛, the conductivity having a semiconductor substrate (1) is coupled electrically and mechanically.

n형 반도체층(9) 상에 배치된 활성층(10)은, 여기에 주입된 정공과 전자와의 재결합에 의해 발광하는 부분이며, 예컨대 언도프(undope)의 AlGaInP로 구성되어, 예컨대 0.5㎛ 정도의 두께를 갖는다. Active layer 10 disposed on the n-type semiconductor layer 9, a portion that emits light by the recombination of the holes and electrons are injected here, for example, consists of undoped AlGaInP (undope), for example about 0.5㎛ of a thickness. 또한, 활성층(10)을 단일 언도프 반도체층으로 구성하는 대신에, 장벽층과 우물층을 번갈아 복수 회 반복하여 배치한 공지된 다중 양자 우물(MQW:Multi-Quantum-Well) 구조, 또는 장벽층을 한 쌍의 우물층 사이에 끼운 구성의 공지된 단일 양자 우물 구조로 할 수 있다. Further, the active layer 10 is a single undoped instead of constituting a semiconductor layer, alternating multiple quantum well known are arranged repeatedly a plurality of times the barrier layer and the well layer (MQW: Multi-Quantum-Well) structure, or the barrier layer a can of a known single quantum well structure, the configuration sandwiching the pair of the well layer. 또한, 활성층(10)을 생략하여 n형 반도체층(9)과 p형 반도체층(11)을 직접 접촉시킬 수도 있다. In addition, it is also possible to omit the active layer 10 directly contacts the n-type semiconductor layer 9 and the p-type semiconductor layer 11.

활성층(10) 상에 배치된 p형 반도체층(p형 클래드층)(11)은, 예컨대 p형 불순물이 5x10 17-3 정도로 첨가된 AlGaInP로 이루어지고, 예컨대 2㎛ 정도의 두께를 갖는다. An active layer 10, the p-type semiconductor layer (p-type cladding layer) 11 disposed on, for example, a p-type impurity is made of an AlGaInP added about 5x10 17-3, for example, has a thickness of about 2㎛. 또한, n형 반도체층(n형 클래드층)(9) 및 p형 반도체층(p형 클래드층)(11)을 각각 구성하는 AlGaInP 중의 Al 조성비는, 활성층(10)을 구성하는 AlGaInP 중의 Al 조성비보다도 크게 설정되어 있다. Further, n-type semiconductor layer (n-type cladding layer) 9 and the p-type semiconductor layer Al composition ratio in the chemical AlGaInP constituting the (p-type cladding layer) 11, respectively, the Al composition ratio of AlGaInP constituting the active layer 10 than is set larger.

p형 반도체층(p형 클래드층)(11) 상에 배치된 전류 분산 반도체층(윈도우층)(3)은, 예컨대 p형 불순물이 1x10 18- 3 정도의 농도로 첨가된 GaP(갈륨-인)로 이루어지고, 1㎛ 정도 이상의 두께를 갖는다. p-type semiconductor layer a current distributed semiconductor layer (window layer) disposed on a (p-type cladding layer) 11 (3), for example, a p-type impurity 1x10 18- GaP (gallium doped at a concentration of about 3 - a) it made of a, and has a thickness of at least about 1㎛. 또한, 전류 분산 반도체층(3)의 바람직한 두께의 범위는 1㎛ ~ 10㎛, 보다 바람직한 두께의 범위는 1 ~ 5㎛이다. In addition, the range of preferable thickness of the semiconductor current spreading layer 3 is 1㎛ ~ 10㎛, and more preferable range of thickness is 1 ~ 5㎛. 전류 분산 반도체층(3)의 두께가 1㎛보다 얇아지면 전류 분산을 양호하게 얻을 수 없게 되고, 10㎛보다 두꺼워지면 전류 분산 반도체층(3)의 성장 시간이 길어져, 반도체 발광 소자의 가격이 높아진다. The thickness of the current spreading semiconductor layer 3 is thinner than 1㎛ could not satisfactorily get the current spreading, longer growth time of thick ground current spreading semiconductor layer 3 than 10㎛, the higher the price of the semiconductor light emitting device.

전류 분산 반도체층(3)의 광 취출면으로서 기능하는 일방의 주면(12)에, 광 취출면에서의 광의 전반사를 방지하기 위한 다수의 오목부(13)가 형성되어 있다. On major surface 12 of one of which functions as a light extraction surface of the semiconductor current spreading layer (3), a plurality of recess 13 to prevent total reflection of light at the light-emitting surface is formed. 다수의 오목부(13)는 랜덤하게 배치되지 않고, 본 발명에 따른 특정 패턴으로 배치되어 있다. A plurality of concave portions 13 are not placed randomly, and is disposed in a pattern in accordance with the present invention. 다수의 오목부(13)의 상세 부분은 후술한다. Details of the plurality of recessed portion 13 will be described later.

본딩 패드 기능을 갖는 제 1 전극(4)은, 도 1로부터 명확한 바와 같이 평면적으로 보아 4각형으로 형성된 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(12)의 중앙에 배치되고, 평면적으로 보아 원형의 외주 가장자리를 갖는다. A first electrode (4) having a bonding pad function is arranged in the center of one major surface 12 of the current spreading semiconductor layer 3 in plan bore formed in a rectangle as is obvious from Figure 1, the plan view seen circular a has an outer peripheral edge. 제 1 전극(4)은 애노드 전극으로서 기능하는 것으로서, 예컨대 금-베릴륨-티탄(Au-Be-Ti)층 또는 금-크롬(Au-Cr)층과 금(Au)층으로 이루어지는 금속 다층막으로 구성되어 있다. A first electrode (4) as to function as an anode electrode, for example, gold-composed of chromium (Au-Cr) layer and a gold (Au) metal multi-layered film composed of a layer-beryllium-titanium (Au-Be-Ti) layer or gold It is. 이 본딩 패드 기능을 갖는 제 1 전극(4)은, 광 불투과성을 갖는다. A first electrode (4) having a bonding pad function, and has a light-impermeable. 또한, 제 1 전극(4)을 상기 금속 다층막으로 형성하는 대신, 전류 분산 반도체층(3)에 저저항(低抵抗) 접촉하는 또 다른 금속으로 형성할 수 있다. In addition, it is possible to form the first electrode 4, with another metal in place, a low resistance (低 抵抗) the current spreading semiconductor layer 3 in contact with the metal to form a multilayer film. 제 1 전극(4)에는, 도시되지 않은 금속 와이어 또는 접속 도체가 본딩된다. A first electrode (4), a not-shown metal wires or connecting conductors is bonded.

도전성을 갖는 반도체 기판(1)의 타방의 주면(8)에 형성된 제 2 전극(5)은, 반도체 발광 소자의 캐소드 전극으로서 기능한다. A second electrode (5) formed on the other major surface 8 of the semiconductor substrate (1) having a conductivity, and functions as a cathode electrode of the semiconductor light emitting device. 발광 반도체영역(2)의 외주 부분에의 전류의 분산을 양호하게 하기 위해 반도체 기판(1)의 타방의 주면(8)의 전체 또는 반도체 기판(1)의 타방의 주면(8)의 적어도 외주 부분에 형성하는 것이 바람직하다. At least the outer peripheral portion of the main surface (8) of the whole or a semiconductor substrate (1) of the other main surface (8) of the semiconductor substrate 1 and the other in order to improve the dispersion of the current in the outer peripheral portion of the light emitting semiconductor region (2) it is preferred to form the. 제 2 전극(5)은 금-게르마늄 합금(Au-Ge)막으로 형성되어 있다. A second electrode (5) is gold-germanium alloy is formed in a (Au-Ge) film. 그러나, 제 2 전극(5)을 Au-Ge 이외의 반도체 기판(1)에 저저항 접촉하는 것이 가능한, 예컨대 Au-Ge, 니켈(Ni), 금(Au)으로 이루어지는 금속 다층막 등의 다른 금속으로 형성할 수도 있다. However, the second electrode 5 to a different metal is available, for example, Au-Ge, nickel (Ni), a metal multi-layered film made of gold (Au), etc., which contact the low-resistance in the semiconductor substrate 1 other than the Au-Ge It may be formed.

광 투과성 피복체(6)는 발광 반도체영역(2) 및 전류 분산 반도체층(3)을 보호하는 것이며, 광 투과성의 몰드 수지로 이루어지고, 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(12)을 덮도록 형성되어 있다. A light-transmitting covering member (6) is a light emitting semiconductor region (2) and the current spreading serves for protecting the semiconductor layer 3, made of a molded resin of a light-transmitting, the main surface of the one 12 of the current spreading semiconductor layer 3 a is formed so as to cover.

그 다음에, 전류 분산 반도체층(3)의 일방 주면(12)에 형성된 전반사 방지용의 오목부(13)를 상세하게 설명한다. Next, will be described in detail a recess 13 formed in one main surface of the total reflection preventing portion 12 of current distributed semiconductor layer (3). 또한, 도 1에서 쇄선으로 도시하는 복수의 제 1 가상 직선(A)과 복수의 제 2 가상 직선(B)을 사용하여 오목부(13)의 패턴을 설명한다. Further, even when using a plurality of first imaginary straight line (A) and a plurality of second virtual straight line (B) shown by a chain line in the first will be described a pattern of recessed portion 13.

복수의 제 1 가상 직선(A)은, 평면적으로 보아 원형의 제 1 전극(4)의 주변 가장자리로부터 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(광 취출면)(12)의 주변 가장자리를 향해 방사상으로 연장되어 있다. A plurality of first imaginary straight line (A) is a plan view viewed towards the peripheral edge of one main surface (light extraction surface) from the peripheral edge of the first electrode 4 of the circular current spreading semiconductor layer 3 (12) It is radially extending. 복수의 제 2 가상 직선(B)도 제 1 가상 직선(A)과 동일하게 평면적으로 보아 원형의 제 1 전극(4)의 주변 가장자리로부터 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(12)의 주변 가장자리를 향해 방사상으로 연장되어 있고, 제 1 가상 직선(A)의 상호 간에 위치하고 있다. A plurality of second virtual straight line (B) is also the first one major surface 12 of the current spreading semiconductor layer 3 from the peripheral edge of the first electrode 4 in the same plan view as viewed circle and the virtual line (A) and radially extending toward a peripheral edge, it is positioned between them of a first imaginary straight line (a). 복수의 오목부(13)는 제 1 가상 직선(A)상에 형성되어 있지만, 제 2 가상 직선(B)상에는 형성되어 있지 않다. A plurality of concave portions 13 is not formed on the first, but is formed on the imaginary straight line (A), the second imaginary straight line (B). 제 1 가상 직선(A)상의 전반사 방지용의 오목부(13)는 도 2에서 화살표(14)로 나타낸 바와 같이 제 1 전극(4)으로부터 전류 분산 반도체층(3)의 외주 가장자리를 향해 흐르는 전류를 방해한다. A first imaginary straight line (A) the total reflection preventing recessed portion 13 is a current that flows toward the outer circumferential edge of the first electrode current distributed semiconductor layer (3) from (4) as indicated by the arrow 14 in Figure 2 on the The interference. 이에 대하여, 제 2 가상 직선(B)상에는 오목부(13)가 형성되어 있지 않기 때문에, 도 3에서 화살표(14)로 나타낸 바와 같이 제 1 전극(4)으로부터 전류 분산 반도체층(3)의 외주 가장자리를 향해 흐르는 전류가 오목부(13)에 의해 방해되지 않고, 전류의 확대가 양호하게 발생한다. On the other hand, the second outer circumference of the imaginary straight line (B) current spreading semiconductor layer 3 from the first electrode (4) as formed on shown as they are not formed with a recess 13, in Figure 3 by the arrow 14 without being hindered by the current with a recess (13) flowing toward the edge, the expansion of the electric current is preferably generated.

도 1의 실시예 1에서 제 1 가상 직선(A)의 합계 수는 72이다. Also the total number of the first imaginary straight line (A) in Example 1 1 is 72. 72개의 제 1 가상 직선(A)상에 오목부(13)가 각각 형성되어 있지만, 모든 제 1 가상 직선(A)에 동일한 수의 오목부(13)가 형성되어 있지 않다. 72 of the first concave portion 13 on the imaginary straight line (A) is formed, but not all of the first, the same recessed portion 13 of the number of the virtual straight line (A) is formed. 제 1 가상 직선(A)상의 가장 적은 오목부(13)의 수는 2개이며, 가장 많은 오목부(13)의 수는 9개이다. The first number of the small concave portion 13 on the imaginary straight line (A) is two, the number of the largest recess 13 is a dog 9. 다수의 오목부(13)는 복수의 가상 동심원 상에 배치되어 있다. A plurality of concave portions 13 are disposed on a plurality of virtual concentric circles. 즉, 6개의 가상 동심원 위와, 6개의 가상 동심원 외측의 3개의 가상 원호(圓弧) 위에 오목부(13)가 배치되어 있다. That is, the recessed portion 13 on the six virtual circles as above, the outer six virtual concentric three virtual arc (圓弧) are arranged. 제 1 전극(4)에 가장 가깝고, 또한 가장 지름이 작은 제 1 번째의 가상 동심원 및 외측의 제 2 번째의 가상 동심원에 배치된 오목부(13)의 수는 18개이며, 제 2 번째의 가상 동심원의 외측의 제 3 번째의 가상 동심원 및 제 4 번째의 가상 동심원에 배치된 오목부(13)의 수는 36개이며, 제 4 번째의 가상 동심원의 외측의 제 5 번째의 가상 동심원 및 가장 지름이 큰 제 6 번째의 가상 동심원에 배치된 오목부(13)의 수는 72개이다. Closest to the first electrode 4, and the diameter is the number of small first the second the concave part 13 arranged in the virtual concentric circle of the virtual concentric circle and an outer second is 18, the second virtual the number of recess 13 disposed at the third second virtual concentric circle and the virtual concentric circles of the fourth outer side of the concentric circles is 36, and the fourth the fifth virtual concentric circle and the diameter of the outer side of the virtual concentric circle of the second the number of concave portions 13 arranged in a large virtual concentric circle of the 6 th to 72 atoms. 따라서, 제 1 ~ 제 6 번째의 가상 동심원상의 오목부(13)의 수는 제 1 전극(4)으로부터 벗어남에 따라서 단계적으로 증대한다. Thus, the number of the first to sixth virtual concentric recess 13 on a step-by-step will increase according to the deviation from the first electrode (4). 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(광 취출면)(12)의 주변 가장자리는 평면형상 4각형이기 때문에, 가장 지름이 큰 동심원보다 외측에서는 동심원을 그릴 수 없다. One main surface of the semiconductor current spreading layer 3 (light-emitting surface) of the peripheral edge 12 because the rectangular plane shape, the outer diameter larger than the concentric circles is not to draw concentric circles. 따라서, 가장 지름이 큰 제 6 번째의 가상 동심원보다 외측에서는 가상 동심원의 일부를 잘라낸 가상 원호 상에 오목부(13)가 배치되어 있다. Accordingly, it is the diameter of the larger the outside with respect to the sixth virtual concentric circle of the recessed portion 13 on an imaginary circular arc cut-out part of the virtual concentric arrangement. 가상 원호에서는, 이것을 횡단하는 모든 제 1 가상 직선(A)상에 오목부(13)가 배치되어 있다. In the virtual circular arc, a concave portion 13 on all of the first imaginary straight line (A) is arranged to cross it.

도 1의 실시예에서는 모든 오목부(13)가 동일형상을 갖는다. Every recess 13 in the embodiment of Figure 1 a has the same shape. 따라서, 제 1 ~ 제 6 번째의 가상 동심원의 영역 내에서, 전류 분산 반도체층(3)의 제 1 전극(4)으로부터 먼 영역(제 5 및 제 6 번째의 가상 동심원의 영역)에서의 오목부(13)의 분포 밀도가, 제 1 전극(4)에 가까운 영역(제 1 및 제 2 번째의 가상 동심원의 영역)에서의 오목부(13)의 분포 밀도보다도 높다. Thus, the first to concave in the sixth in the region of the virtual concentric circle of the second, remote area (the fifth and the area of ​​the virtual concentric circle of the sixth) from the first electrode 4, the current spreading semiconductor layer 3 part the distribution density of 13, higher than the distribution density of the region close to the first electrode 4, the recess 13 in the (first and second regions of the second virtual concentric circle). 즉, 도 1에서 쇄선으로 둘러싸여 나타난 단위면적(ΔS)에 포함되는 오목부(13)의 면적의 비율은, 제 1 전극(4)에 가까운 영역으로부터 먼 영역을 향함에 따라 단계적으로 커진다. That is, the phase is increased according to the ratio of the area of ​​the recess 13 included in the unit area surrounded by the chain line shown in 1 (ΔS) is, toward the distant region from the region close to the first electrode (4). 또한, 단위면적(ΔS)에 포함되는 오목부(13)의 수도 제 1 전극(4)에 가까운 영역으로부터 먼 영역을 향함에 따라 단계적으로 커진다. In addition, stepwise increases in accordance toward the distant regions from also the region near the first electrode 4 in the recessed portion 13 included in the unit area (ΔS). 제 1 전극(4)에 가까운 영역, 즉 전류밀도가 높은 영역에서 오목부(13)의 분포 밀도가 작으면, 제 1 전극(4)으로부터 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(광 취출면)(12)의 주변 가장자리 방향으로 흐르는 전류에 대한 오목부(13)의 방해가 작아져, 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(광 취출면)(12)의 주변 가장자리 방향으로의 전류의 확대가 양호하게 되어, 광의 취출 효율이 향상한다. The near zone, i.e. if the distribution density of the recesses 13 in the high current density region is small, the main surface of one of the current spreading semiconductor layer 3 from the first electrode 4 (light-output to the first electrode 4 side) (in the way of the recess 13 to the current flowing around the edge direction is small in 12), the main surface of one of the current spreading semiconductor layer 3 (light-emitting surface), the periphery of the 12 edge directions of the expansion of the electric current is satisfactory, thus increasing light extraction efficiency.

오목부(13)의 수, 배치 및 제 1 가상 직선(A)의 수는 도 1에 한정되는 것이 아니고, 다양하게 변경가능하다. The number of the concave portion 13 can, disposed and the first imaginary straight line (A) of Figure 1 is not limited to, can be variously changed. 예컨대, 제 1 번째의 가상 동심원의 오목부(13)와 제 2 번째의 가상 동심원의 오목부(13)를 연속(일체화)시킬 수 있고, 제 3 번째의 가상 동심원의 오목부(13)와 제 4 번째의 가상 동심원의 오목부(13)를 연속(일체화)시킬 수 있으며, 제 5 번째의 가상 동심원의 오목부(13)와 제 6 번째의 가상 동심원의 오목부(13)를 연속(일체화)시킬 수 있다. For example, the first virtual concentric circular recess 13 and the recess 13 of the second and the recessed portion 13 of the virtual concentric circle of the second can be continuously (integrally), the third second virtual concentric circle of the second and the continuously recessed portion 13 of the fourth virtual concentric circle of the (integrated), and can be, a fifth virtual concentric recessed portion 13 and the sixth second virtual concentric circle continuously (integrally) a recessed portion 13 of the can.

또한, 제 1 ~ 제 6 번째의 가상 동심원의 외측의 가상 원호에서의 오목부(13)의 분포 밀도를 더 높이기 위해 제 1 가상 직선(A)의 수를 더 증가시키고, 이 증가한 제 1 가상 직선(A) 상에 오목부(13)를 배치할 수 있다. In addition, the first to sixth further increasing the number of first imaginary straight line (A) to further increase the distribution density of the virtual recessed portion 13 on the virtual circular arc of the outer side of the concentric circles and on, the increase of the first virtual straight line It may be placed in the recess 13 a (a). 즉, 가상 원호에서의 오목부(13)의 수를 제 1 ~ 제 6 번째의 가상 동심원에서의 오목부(13)의 수와 동일하게 제 1 전극(4)으로부터 벗어남에 따라 단계적으로 많게 할 수 있다. That is, to gradually lot in accordance with the deviation from the same first electrode 4 and the number of the concave portion 13 in the recessed portion 13 can be the first to sixth virtual concentric circle of the in the virtual circular arc have.

또한, 도 1의 오목부(13)는 평면형상 직사각형(4각형)이지만, 정사각형, 원형, 타원형, 4각형 이외의 다각형(예를 들면 삼각형) 등으로 변형할 수 있다. Further, the recess 13 of Figure 1 may be modified in a planar shape, but a rectangular (square), a square, a circle, an ellipse, a polygon other than a rectangle (for example, triangle), and the like.

또한, 오목부(13)를 제 1 전극(4) 아래에 형성하지 않는 것이 바람직하다. Further, it is preferable not to form the recessed portion 13 under the first electrode (4).

오목부(13)는, 그 바닥부가 활성층(10)에 도달하지 않도록 할 것이고, 그 깊이(D)는, 예컨대 0.2 ~ 4㎛인 것이 바람직하다. Recess 13, will prevent the bottom portion does not reach the active layer 10, and the depth (D) is, for example, is preferably 0.2 ~ 4㎛. 또한, 오목부(13)의 깊이(D)는, 전류 분산 반도체층(3)의 두께의 20∼100퍼센트인 것이 바람직하다. Further, the depth (D) of the concave section 13, it is preferred that 20-100% of the thickness of the current spreading semiconductor layer 3. 이 오목부(13)의 깊이(D)는, 전반사 방지에 의한 광의 취출 효율의 향상과 광 투과성 피복체(6)의 오목부(13)에 대한 충전성을 고려하여 결정된다. The depth (D) of the recess 13 is determined in consideration of the filling to the recessed portion 13 of improvement in light extraction efficiency and a light-transmitting covering member (6) by preventing total reflection.

오목부(13)의 깊이(D)와 발광 출력의 상대값과의 관계는 다음과 같다. Relationship between the relative value of the depth (D) and the light emission output of the recessed portion 13 is as follows.

오목부 Recess 깊이(D)가 0㎛인 경우의 발광 출력은 1.00이고, And the light emission output in the case where the depth (D) is 0㎛ is 1.00,

오목부 깊이(D)가 0.21㎛인 경우의 발광 출력은 1.05이고, And a light emitting output when the cavity depth (D) is 0.21㎛ is 1.05,

오목부 Recess 깊이(D)가 0.44㎛인 경우의 발광 출력은 1.08이고, And the light emission output in the case where the depth (D) is 0.44㎛ is 1.08,

오목부 Recess 깊이(D)가 0.57㎛인 경우의 발광 출력은 1.11이며, The light emission output in the case where the depth (D) is 0.57㎛ 1.11,

오목부 Recess 깊이(D)가 1.60㎛인 경우의 발광 출력은 1.20이다. If the light emission output of the depth (D) is 1.60㎛ it is 1.20.

또한, 오목부(13)를 형성함으로써 발광 출력이 1.00 이상이 되는 것이 확인되어 있지만, 오목부(13)의 깊이(D)가 지나치게 깊어지면, 오목부(13) 전부에 광 투과성 피복체(6)를 충전할 수 없게 될 우려가 있다. Further, the recessed portion 13 to be confirmed that the light emission output is more than 1.00 by forming a depth (D) a recess (13) a light-transmitting covering member (6 to all of the ground is too deep in the recess 13, but ) it may possibly be unable to be recharged.

전류 분산 반도체층(3)의 오목부(13)의 폭(W)은, 0.2 ~ 4.0㎛인 것이 바람직하다. Width (W) of the concave portion 13 of current spreading semiconductor layer 3 is preferably in the 0.2 ~ 4.0㎛. 좁은 쪽이 더 많은 오목부(13)를 형성할 수 있고, 밝기를 더 향상시킬 수 있다. And a narrow-side to form a more recessed portion 13, it is possible to further improve the brightness. 그러나, 포토리소그래피 기술 등에 의해 패턴을 형성할 경우, 오목부(13)의 폭(W)을 지나치게 좁게 하면, 오목부(13)의 제조가 곤란해지고, 가격의 증대를 초래한다. However, the picture for forming a pattern by a lithography technique, if excessively reduce the width (W) of the concave portion 13, it becomes the manufacture of the recess 13 difficult, resulting in an increase in price. 또한, 오목부(13)에 광 투과성 피복체(6)를 충전할 수 없게 될 우려가 있다. In addition, there is a fear that can not be charged to the light-transmitting covering member (6) in the recess (13). 따라서, 가격을 고려한 오목부(13)의 보다 바람직한 폭(W)은 1 ~ 4㎛이다. Therefore, a more preferable width (W) of the recess (13) considering the price is 1 ~ 4㎛.

그 다음에, 도 1 ~ 도 3에 나타낸 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 발광 소자의 제조 방법의 일례를 설명한다. Next, FIG. 1 to be described an example of a process for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the invention shown in Fig. 또한, 이하에 나타낸 제조 방법은 하나의 예이며, 이외의 방법으로도 도 1 ~ 도 3에 나타낸 반도체 발광 소자를 제조할 수 있음은 물론이다. In addition, the production method shown below is, as well as may be produced a semiconductor light emitting device shown is one example of the method in FIG. 1 to FIG other than in Fig.

우선, n형의 불순물이 도입된 GaAs로 구성되는 반도체 기판(1) 상에, 에피택셜 성장법에 의해, n형 반도체층(9)과 활성층(10)과 p형 반도체층(11)과 p형 전류 분산 반도체층(3)을 유기금속 기상성장(MOCVD)법에 의해 순차적으로 에피택셜 성장시킨다. First, on a semiconductor substrate (1) consisting of GaAs impurity it is introduced into the n-type epi by the epitaxial growth method, an n-type semiconductor layer 9 and the active layer 10 and the p-type semiconductor layer 11 and the p the type current distributed semiconductor layer (3) sequentially by a metal organic vapor phase growth (MOCVD) method is grown epitaxially. 이들의 에피택셜 성장을 유기금속 기상성장(MOCVD)법 이외의 분자선 에피택셜(MBE)법, 화학 빔 에피택시(epitaxy)(CBE)법, 분자층 에피택시(MLE)법 등으로 행할 수도 있다. Those of the epitaxial growth may be carried out by an organic metal gas phase growing molecular beam epitaxial other than (MOCVD) method (MBE) method, a chemical beam epitaxy (epitaxy) (CBE) method, a molecular layer epitaxy (MLE) method.

더 상세하게 설명하면, TMA(trimethylaluminum)과, TEG(triethylgallium)과, TMIn(trimethylindium)과, PH 3 (phosphine)를 원료로서 이용하고, 예컨대 When more specifically described, using a TMA (trimethylaluminum) and, TEG (triethylgallium) and, TMIn (trimethylindium) and, PH 3 (phosphine) as the raw material, e.g. (Al X Ga 1-X ) y In 1-y P(0.3≤x≤1, 0.3≤y≤0.6)의 조성을 갖는 n형 반도체층(9)을 형성한다. To form an n-type semiconductor layer 9 having a composition of (Al X Ga 1-X) y In 1-y P (0.3≤x≤1, 0.3≤y≤0.6). 여기에서, n형의 도펀트 가스(dopant gas)로서는, 예컨대, SiH 4 (monosilane), Si 2 H 6 (disilane), DESe(diethylselenium), DETe(diethyltellurium) 등을 이용할 수 있다. Herein, it may be used as the dopant gas (dopant gas) of the n-type, for example, SiH 4 (monosilane), Si 2 H 6 (disilane), DESe (diethylselenium), DETe (diethyltellurium) and the like. 그 다음에, n형 반도체층(9)보다도 알루미늄 조성이 낮은 (Al X Ga 1-X ) y In 1-y P(0.2≤x<1, 0.3≤y≤0.6)의 조성을 갖는 활성층(10)을 형성한다. Then, n-type semiconductor layer an active layer 10 having a composition of (9) than the aluminum composition is low (Al X Ga 1-X) y In 1-y P (0.2≤x <1, 0.3≤y≤0.6) the form. 이 활성층(10)의 형성시에는, 도펀트 가스는 사용하지 않는다. At the time of formation of the active layer 10, a dopant gas is not used. 그 다음에, 활성층(10)보다도 알루미늄 조성이 높은 (Al X Ga 1-X ) y In 1-y P(0.3≤x≤1, 0.3≤y≤ 0.6)의 조성을 갖는 p형 반도체층(11)을 형성한다. Then, the active layer 10 than the aluminum composition is high (Al X Ga 1-X) y In 1-y P p -type semiconductor layer 11 having a composition of (0.3≤x≤1, 0.3≤y≤ 0.6) the form. 여기에서, p형 불순물을 도입하기 위해, 예컨대 DEZn(diethylzinc), CP 2 Mg(biscyclopentadienyl magnesium) 등의 도펀트 가스를 이용하거나, 또는 고체의 베릴륨(Be)을 이용한다. For here, to introduce a p-type impurity, e.g., DEZn (diethylzinc), CP 2 Mg used for the dopant gas, such as (biscyclopentadienyl magnesium), or use a beryllium (Be) of a solid. 그 다음에, TEG 및 PH 3 을 도입하여 p형의 불순물이 첨가된 GaP로 이루어지는 전류 분산 반도체층(윈도우층)(3)을 형성한다. Then, by introducing TEG and PH 3 to form a current spreading semiconductor layer (window layer) 3 made of GaP is an impurity of p-type is added. 여기에서, PH 3 대신에 TBP(Tertiary Butyl Phosphine)을 사용할 수도 있다. Here, it is also possible to use the TBP (Tertiary Butyl Phosphine) in place of PH 3.

그 다음에, 전류 분산 반도체층(윈도우층)(3)상에, 포토레지스트(photoresist) 등을 도포하고, 공지의 포토리소그래피(photolithography)법이나 나노임프린트(nanoimprint)법 등에 의해 오목부(13)의 배치에 대응한 방사상의 패턴을 형성하고, 드라이 에칭 또는 웨트 에칭(wet etching) 등에 의해, 오목부(13)를 형성한다. Then, on the current spreading semiconductor layer (window layer) 3, a photo resist (photoresist) such as recess 13 is applied, and a known photolithography (photolithography) method or the like NIL (nanoimprint) method for by forming a radial pattern in correspondence to the arrangement, and dry etching or wet etching (wet etching) or the like, to form the recess 13.

그 다음에, 전류 분산 반도체층(윈도우층)(3) 상에, 전술한 금속 다층막을 진공 증착법 또는 스퍼터링(sputtering)법에 의해 형성한 후에, 금속 다층막을 포토리소그래피법 및 에칭법 등을 이용하여 선택적으로 제거하여 전류 분산 반도체층(윈도우층)(3)의 중앙에 제 1 전극(4)을 형성한다. Then, on the current spreading semiconductor layer (window layer) (3), the above-described metal multi-layered film after formation by vacuum deposition or sputtering (sputtering) process, by using a metal multi-layered film photolithography method and etching method, selectively removed to form a first electrode (4) in the center of the semiconductor current spreading layer (window layer) (3). 그 다음에, n형 반도체 기판(1)의 타방의 주면에, 진공증착법 또는 스퍼터링법으로 제 2 전극(5)을 형성한다. Then, the other main surface of the n-type semiconductor substrate 1, a second electrode (5) by vacuum evaporation or sputtering.

그 다음에, 도시되지 않은 지지체 상에 반도체 발광 소자를 배치하고, 제 1 및 제 2 전극(4, 5)에 대하여 도체(도시되지 않음)를 접속한 후에, 광 투과성 수지에 의한 몰드에 의해 광 투과성 피복체(6)를 형성한다. Then, after connecting the conductors (not shown) with respect to the first and second electrodes (4, 5), and places the semiconductor light-emitting device on a not shown support, the light by the mold with the light-transmitting resin forms a permeable cover member (6).

실시예 1은 다음의 효과를 갖는다. Example 1 has the following effects.

(1) 평면적으로 보아 제 1 전극(4)의 주변 가장자리로부터 전류 분산 반도체층(3)의 광 취출면으로서의 일방의 주면(12)의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 1 가상 직선(A)상에 오목부(13)가 형성되고, 제 1 전극(4)의 주변 가장자리로부터 전류 분산 반도체층(3)의 광 취출면으로서의 일방의 주면(12)의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 2 가상 직선(B)상에 오목부(13)가 형성되어 있지 않다. 1 in plan when viewed first electrode (4) extending toward the peripheral edge of the current spreading semiconductor layer 3, main surface 12 of the light-output either as a surface from the peripheral edge of the plurality of first imaginary straight line (A in the ) extends is formed with a recess 13 on, towards the peripheral edge of the first electrode 4, a current distribution semiconductor layer 3, light-emitting one main surface of the as the surface 12 from the peripheral edges of the plurality of in a second imaginary straight line (B) is not a concave portion 13 is formed on. 제 1 가상 직선(A) 상의 오목부(13)는 전류 분산 반도체층(3)의 광 취출면으로서의 일방의 주면(12)에서의 전반사의 방지에 기여한다. The first concave portion 13 on the imaginary straight line (A) contributes to the prevention of total reflection at a current distributed semiconductor layer 3, light-emitting one major surface 12 of the surface of the as. 전류 분산 반도체층(3)에서의 오목부(13)가 형성되어 있지 않은 제 2 가상 직선(B)에 대응하는 부분은, 오목부(13)에 의한 전류 저지(沮止)를 수반하지 않는 전류통로로서 기능하고, 제 1 전극(4)의 주변 가장자리로부터 전류 분산 반도체층(3)의 주변 가장자리 방향(가로방향)으로의 전류의 흐름을 양호하게 발생시킨다. Portion corresponding to the current spreading semiconductor layer 3, the second imaginary straight line that is not formed with a recess 13 (B) in is not accompanied by the current blocking (沮 止) by a recess (13) current functions as a passage, and thus can improve the flow of current to the peripheral direction edge (horizontal direction) generated in the first electrode current spreading from the peripheral edge (4) semiconductor layer 3. 따라서, 전류의 가로방향으로의 확대를 비교적 양호하게 유지하여 광 취출면에서의 전반사를 방지할 수 있고, 내부 양자 효율(내부 발광 효율)과 광의 외부 취출 효율 양쪽을 비교적 크게 할 수 있고, 비교적 큰 광 출력을 얻을 수 있다. Accordingly, relatively good keeping the expansion in the widthwise direction of the current it is possible to prevent the total reflection on the surface light-extraction, the internal quantum efficiency (the internal light emitting efficiency), and it is possible to relatively increase the light outcoupling efficiency on both sides, a relatively large it is possible to obtain a light output.

(2) 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(12)의 단위면적에 포함되는 오목부(13)의 면적의 합계가, 제 1 전극(4)에 가까운 영역에서 작고, 제 1 전극(4)으로부터 먼 영역에서 커지도록 오목부(13)가 분포하기 때문에, 전류밀도가 높은 제 1 전극(4)에 가까운 영역에서의 오목부(13)에 의한 전류의 가로방향으로의 확대의 방해가 저감되어, 전류의 가로방향으로의 확대가 양호해진다. (2) the sum of the area of ​​the recess 13 included in the unit area of ​​the main surface 12 of the one-way, the small and in the region close to the first electrode to the first electrode 4, the current spreading semiconductor layer 3 ( since 4) a recess (13) so as to increase in remote areas distributed from, the expanded interference in the widthwise direction of the current due to the recess 13 in the region close to the current is high the first electrode (4) density is reduced, it is preferably enlarged in the widthwise direction of the current.

(3) 오목부(13)가 제 1 전극(4)을 중심으로 한 복수의 동심원 상에 배치되고, 또한 제 1 전극(4)으로부터 서로 등각도(等角度) 간격을 갖고 방사상으로 연장되는 복수의 제 1 가상 직선(A)상에 오목부(13)가 배치되어 있으므로, 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(12)에서의 광 강도의 균일성이 양호하다. 3, the recess 13 is disposed on the plurality of concentric circles with a focus on the first electrode 4, and has a first isometric view (等 角度) each other from the electrode (4) The distance plurality that extend radially because of the first virtual straight recess 13 in the (a) is placed, the uniformity of the light intensity in the main surface 12 of one of the current spreading semiconductor layer 3 is good.

(4) 오목부(13)의 깊이(D)가, 0.2 ~ 4.0㎛로 설정되고, 또한 오목부(13)의 폭(W)이 0.2 ~ 4.0㎛로 설정되어 있기 때문에, 광 투과성 피복체(6)를 오목부(13)에 비교적 양호하게 충전할 수 있다. (4) the depth (D) of the recess (13), is set to 0.2 ~ 4.0㎛, In addition, since the width (W) of the concave portion 13 is set to 0.2 ~ 4.0㎛, light-transmissive covering member ( 6) can be charged is relatively good in the recess (13).

(실시예 2) (Example 2)

그 다음에, 도 4에 나타낸 본 발명의 실시예 2에 따른 반도체 발광 소자를 설명한다. Next, a description will be given of a semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the invention shown in Fig. 단, 도 4 및 후술하는 도 4 ~ 도 7에 있어서, 도 1 ~ 도 3과 실질적으로 동일한 부분에는 동일한 부호를 첨부하고, 그 설명을 생략한다. However, in the FIG. 4 and FIG. 4 to FIG. 7 to be described later, Fig. 1 and is attached by the same references substantially the same parts as in Fig. 3, and a description thereof will be omitted.

도 4에 나타낸 본 발명의 실시예 2에 따른 반도체 발광 소자는, 변형된 제 1 전극(4a)과 오목부(13)의 변형된 배치 패턴을 갖는 것 외에는, 도 1 ~ 도 3의 반도체 발광 소자와 동일하게 구성되어 있다. The semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the invention shown in Figure 4, except with a modified arrangement pattern of the modified first electrode (4a) and the recess 13, Fig. 1 to the semiconductor light emitting device of FIG. 3 and it is configured identically.

제 1 전극(4a)은 평면적으로 보아 원형 중앙부(20)와 이 원형 중앙부(20)로부터 전류 분산 반도체층(3)의 평면적 형상 4각형의 일방의 주면(12)의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 4개의 돌출부(21)로 이루어진다. A first electrode (4a) is a plan view as seen circular central portion 20 and a circular central portion 20 which from extending toward the peripheral edge of the current spreading semiconductor layer 3, main surface 12 is one of a flat-shaped rectangle of It composed of four projections (21). 원형 중앙부(20)로부터 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(12)의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있 는 복수의 제 1 가상 직선(A1) 및 복수의 제 2 가상 직선(B1)은 도 1의 복수의 제 1 가상 직선(A) 및 복수의 제 2 가상 직선(B)의 일부와 동일하게 도시되어 있다. First virtual straight plurality can extend toward the peripheral edge of the main surface of one (12) from the circular central portion (20) current spreading semiconductor layer (3) (A1) and a plurality of second virtual straight line (B1) is a 1 are shown with the same portion of the plurality of first virtual straight line (a) and a plurality of second virtual straight line (B). 또한, 도 4의 복수의 제 1 가상 직선(A1)상에는 도 1의 제 1 ~ 제 6 가상 동심원에서의 오목부(13)의 배열의 일부와 동일한 배열로 오목부(13)가 형성되어 있다. In addition, some of the recessed portion 13 in the same arrangement in an array is formed of first to sixth recess 13 in the virtual concentric multiple of Figure 1 formed on a first imaginary straight line (A1) of Fig. 즉, 오목부(13)의 수가 제 1 전극(4a)으로부터 벗어남에 따라 단계적으로 많아지도록 오목부(13)가 가상 원호 상에 배치되어 있다. That is, the number of stages so that a large recess 13 in accordance with the deviation from the first electrode (4a) of the recess (13) are arranged on an imaginary circle.

도 4에는 제 1 전극(4a) 각 돌출부(21)의 직선적으로 연장되는 주변 가장자리에 대해 직각으로 연장되어 있는 복수의 제 3 가상 직선(C1) 및 복수의 제 4 가상 직선(D1)이 도시되어 있다. 4 shows a first electrode (4a) is linearly extended at right angles to the peripheral edges extending in a plurality of third imaginary straight line (C1) and a plurality of fourth imaginary straight line (D1) that of each projection 21 is shown have. 제 3 가상 직선(C1)상에는 오목부(13)가 형성되어 있지만, 제 4 가상 직선(D1) 상에는 오목부(13)가 형성되어 있지 않다. 3, but the imaginary straight recess 13 formed on the (C1) is formed, the fourth imaginary straight line (D1) is not a concave portion 13 formed on are formed. 따라서, 전류 분산 반도체층(3)의 제 4 가상 직선(D1)을 따르는 부분은 제 1 전극(4a)으로부터 전류 분산 반도체층(3)의 외주 가장자리 방향으로의 전류통로로서 기능한다. Accordingly, the fourth portion along the imaginary straight line (D1) of the current balancing semiconductor layer 3 functions as a current path of the outer peripheral edge direction of the current distributed semiconductor layer 3 from the first electrode (4a).

제 1 전극(4a) 각 돌출부(21)의 선단(先端)은 반원형 주변 가장자리를 가지고 있기 때문에, 여기서부터 방사선 형상으로 연장하는 패턴으로 오목부(13)가 형성되어 있다. The a first electrode (4a) the front end (先端) is a recess (13) in a pattern extending in the radiation shape because it has a semi-circular peripheral edge, this section of each projection 21 is formed.

도 4의 제 1 및 제 3 가상 직선(A1, C1) 상의 오목부(13)는 도 1의 제 1 가상 직선(A)상의 오목부(13)와 동일하게 기능하고, 도 4의 제 2 및 제 4 가상 직선(B1, D1)을 따르는 부분은 도 1의 제 2 가상 직선(B)을 따르는 부분과 동일하게 기능한다. The first and the third concave portions 13 on the imaginary straight line (A1, C1) of Figure 4 is the second, and the same function as the recess 13 on a first imaginary straight line (A) of Figure 1, and Figure 4 the fourth portion along the imaginary straight line (B1, D1) acts in the same manner as the second portion along the imaginary straight line (B) of FIG. 따라서, 도 4의 실시예 2에 의해서도 도 1의 실시예 1과 같은 효과를 얻을 수 있다. Accordingly, it is possible to obtain the same effect as the first embodiment of Figure 1 by the second embodiment of FIG.

(실시예 3) (Example 3)

도 5에 나타낸 본 발명의 실시예 3에 따른 반도체 발광 소자는, 변형된 제 1 전극(4b)과, 오목부(13)의 변형된 배치 패턴을 갖는 것 외에는 도 1 ~ 도 3의 반도체 발광 소자와 동일하게 구성되어 있다. The semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the invention shown in Figure 5, of other than having the modified assignment pattern 1 ~ of the modified first electrode (4b), a recess (13) third semiconductor light emitting element and it is configured identically.

도 5의 제 1 전극(4b)은, 전류 분산 반도체층(3)의 광 취출면으로서의 일방의 주면(12)에 서로 분리하여 배치된 제 1 및 제 2 전극부분(4b1, 4b2)으로 이루어진다. A first electrode (4b) of Figure 5 is made in a place separated from each other on the main surface 12, one of serving as light-output side of the current spreading semiconductor layer 3, the first and second electrode portions (4b1, 4b2). 제 1 및 제 2 전극부분(4b1, 4b2)은 평면적으로 보아 1/4의 원호 형상으로 각각 형성되어, 전류 분산 반도체층(3)의 4각형의 일방의 주면(12)의 대각선상의 2개의 모서리의 근방에 배치되어 있다. First and second electrode portions (4b1, 4b2) is viewed in plan are formed in each quarter circular arc shape, on the second diagonal line of the current spreading semiconductor layer 3, rectangular one major surface 12 of one of the edges It is disposed in the vicinity of. 또한, 제 1 및 제 2 전극부분(4b1, 4b2)의 원호 형상의 외주 가장자리가 서로 대향하도록 제 1 및 제 2 전극부분(4b1, 4b2)이 배치되어 있다. In addition, the first and second electrode parts of the first and second electrode portions (4b1, 4b2) has an outer peripheral edge of the circular arc shape so as to face each other (4b1, 4b2) is arranged. 즉, 도 5의 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(12)에 도시되어 있는 대각선(30)을 기준으로 하여 제 1 및 제 2 전극부분(4b1, 4b2)은 대칭으로 배치되어 있다. That is, relative to the diagonal 30 shown in one major surface 12 of the current spreading semiconductor layer 3 in Fig. 5 by the first and second electrode portions (4b1, 4b2) are arranged symmetrically. 제 1 및 제 2 전극부분(4b1, 4b2)은 도시되지 않은 도체에 의해 서로 접속되어, 반도체 발광 소자의 일방의 전극(애노드)으로서 기능한다. First and second electrode portions (4b1, 4b2) are connected to each other by an unshown conductor, and functions as one of electrodes (anode) of the semiconductor light emitting device.

도 5에 있어서, 복수의 제 1 가상 직선(A2) 및 복수의 제 2 가상 직선(B2)은 제 1 전극부분(4b1)으로부터 대각선(30)을 향해 방사선 형상으로 연장되어 있다. 5, the plurality of first virtual straight line (A2) and a plurality of second virtual straight line (B2) extends in the shape of radiation towards the diagonal (30) from the first electrode portion (4b1). 복수의 제 3 가상 직선(C2) 및 복수의 제 4 가상 직선(D2)은 제 2 전극부분(4b2)으로부터 대각선(30)을 향해 방사선 형상으로 연장되어 있다. A plurality of third imaginary straight line (C2) and a plurality of fourth imaginary straight line (D2) extends in the shape of radiation towards the diagonal (30) from the second electrode portion (4b2). 제 1 및 제 3 가상 직선(A2, C2)상에는 도 1과 동일한 패턴으로 오목부(13)가 형성되어 있다. The first and the third is a virtual straight line (A2, C2), also the recess 13 in the same pattern as that formed on the first formed. 즉, 제 1 및 제 2 전극부분(4b1, 4b2)으로부터 대각선(30)을 향해 오목부(13)의 분포 밀도가 단계적으로 높아진다. That is, the distribution density of the first and the second electrode portion recessed portion 13 toward the diagonal line 30 from (4b1, 4b2) gradually increases with. 더 상세하게는, 제 1 전극부분(4b1)과 대각선(30)과의 사이, 및 제 2 전극부분(4b2)과 대각선(30)과의 사이에서의 1/4의 원주(90도의 원주)를 갖는 제 1 번째 ~ 제 7 번째의 가상 원호 상에 오목부(13)가 배치되어 있다. More specifically, the first electrode portion (4b1) and diagonal (30), and between the second electrode portion (4b2) and diagonal (30) circumferentially (circumferential 90 degrees) of 1/4 of the in between of the having the first ~ the recess 13 on the seventh of the virtual circular arc is arranged. 제 1 및 제 2 전극부분(4b1, 4b2)에 가까운 제 1 ~ 제 2 번째의 가상 원호 상에는 9개의 오목부(13)가 배치되고, 제 3 ~ 제 5 번째의 가상 원호 상에는 19개의 오목부(13)가 배치되고, 대각선(30)에 가까운 제 6 ~ 제 7 번째의 가상 원호 상에는 37개의 오목부(13)가 배치되어 있다. First and second electrode portions (4b1, 4b2), near the first to the second and arranged on a virtual arc of the second nine recess 13, 3rd to 19 concave formed on the virtual circular arc of the fifth to the unit ( 13) is arranged, the angle (claim 6 to claim 7, the second virtual arc 37 of the concave portion (13 formed on the closer to 30)) are arranged. 또한, 제 7 번째의 가상 원호와 대각선(30)과의 사이에서의 1/4의 원주 (90도의 원주)보다도 작은 가상 원호 상에도 오목부(13)가 배치되어 있다. In addition, the 7th of all, the recessed portion 13 in a small virtual arc circumferentially (circumferential 90 degrees) of 1/4 of the in between the virtual circular arc and the diagonal (30) is arranged.

도 5에서의 오목부(13)의 배치 원리는 도 1과 기본적으로 동일하므로, 도 5의 실시예 3의 반도체 발광 소자에 의해서도 도 1의 실시예 1과 같은 효과를 얻을 수 있다. Also is disposed the principles of the recess 13 in Fig. 5 is equal to 1 and basically has the same advantage as with the first embodiment of Figure 1 by the semiconductor light-emitting device of the third embodiment of Figure 5.

(실시예 4) (Example 4)

도 6에 나타낸 본 발명의 실시예 4에 따른 반도체 발광 소자는, 추가된 광 투과성 도전막(41)을 갖는 것 외에는, 도 1 ~ 도 3의 반도체 발광 소자와 동일하게 구성되어 있다. The semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention depicted in Figure 6 is, except having added a light-transmitting conductive film 41, and is configured the same as Fig. 1 to the semiconductor light emitting device of FIG.

광 투과성 도전막(41)은 전류 분산 반도체층(3)의 광 취출면으로서의 일방의 주면(12) 상에 배치되고, 전류 분산 반도체층(3)에 대하여 전기적으로 접속됨과 동시에 제 1 전극(4)에도 접속되어 있다. Transparent conductive film 41 as soon electrically connected with respect to one main surface of the as side light-emitting (12) is disposed on the, current spreading semiconductor layer 3 of the current spreading semiconductor layer 3 at the same time the first electrode (4 ) it is connected to. 광 투과성 도전막(41)은, 예컨대, 인듐·주석·옥사이드, 즉 ITO(Indium Tin Oxide)로 지극히 얇게(예컨대 0.1㎛) 형성되어 있다. Transparent conductive film 41 is, for example, indium tin-oxide, that is very thin as ITO (Indium Tin Oxide) (e.g. 0.1㎛) is formed. 오목부(13)를 갖는 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(12)에 광 투과성 도전막(41)을 형성하면, 오목부(13)의 단차에서 광 투과성 도전막(41)이 절단될 우려가 있다. Forming a transparent conductive film 41 on the main surface 12 of one of the light-transmitting conductive film 41 in the step of the recess (13) of the recess (13) current spreading semiconductor layer 3 having a cutting there is a possibility. 그러나, 도 1의 제 2 가상 직선(B)에는 오목부가 형성되지 않기 때문에, 제 2 가상 직선(B) 상에서의 광 투과성 도전막(41)의 단선은 생기지 않는다. However, even there is not a recess formed in the second imaginary straight line (B) of the first and second break of the transparent conductive film 41 on the imaginary straight line (B) is not produced. 따라서, 제 2 가상 직선(B) 상의 광 투과성 도전막(41)에 의해 제 1 전극(4)으로부터 전류 분산 반도체층(3)의 외주 가장자리 방향으로 전류를 양호하게 흘릴 수 있게 된다. Therefore, the second virtual straight lines is possible (B) may satisfactorily flow a current to the outer peripheral edge direction of the current distributed semiconductor layer 3 from the first electrode (4) by a transparent conductive film 41 on the. 또한, 도 6에 나타낸 실시예 4는 도 1과 동일하게 형성된 오목부(13)를 갖기 때문에 도 1의 실시예와 동일한 효과도 갖는다. In addition, the embodiment shown in Figure 6 Example 4 is also has the same effects as those of the first embodiment since it has a recess 13 formed in the same manner as in Fig.

도 6의 광 투과성 도전막(41)과 동일한 것을 도 4 및 도 5의 반도체 발광 소자 및 후술하는 도 7의 반도체 발광 소자에 형성할 수도 있다. The same and a light-transmitting conductive film 41 of Figure 6 may be formed on the semiconductor light-emitting device 4 and the semiconductor light emitting device and FIG. 7 to be described later in FIG. 또한, 광 투과성 도전막(41)을 ITO이외의, 예컨대 산화 인듐(In 2 O 3 ) 또는 산화 주석(SnO 2 ) 또는 ZnO 등으로 형성할 수도 있다. It is also possible to form the transparent conductive film 41 to the outside of ITO, for example, indium oxide (In 2 O 3) or tin oxide (SnO 2), ZnO or the like.

(실시예 5) (Example 5)

도 7에 나타낸 본 발명의 실시예 5에 따른 반도체 발광 소자는, 추가된 광 반사 도전층(50)과 접합 금속층(51)을 갖는 것 외에는, 도 1 ~ 도 3의 반도체 발광 소자와 동일하게 구성되어 있다. The semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention is configured the same as, the semiconductor light-emitting device of Figs. 1 to 3, except that with the added light reflection conductive layer 50 and the bonding metal layer 51 shown in Fig. 7 It is.

광 반사 도전층(50)은 Ag(은) 또는 Al(알루미늄) 등의 금속으로 이루어지고, 발광 반도체영역(2)의 타방의 주면(52)에 배치되어 있다. Light reflection conductive layer 50 is arranged on the other main surface 52 of the Ag (silver), or Al (aluminum) is made of a metal such as, the light emitting semiconductor region 2. 발광 반도체영역(2)은 도전성을 갖는 반도체 기판(1)과는 다른 성장 기판(도시하지 않음)을 사용하여 형성한 것이다. A light emitting semiconductor region 2 is a semiconductor substrate (1) having electrical conductivity is formed by using a different growth substrate (not shown). 광 반사 도전층(50)을 수반한 발광 반도체영역(2)은 접합 금속층(51)을 통해 반도체 기판(1)에 기계적 및 전기적으로 결합되어 있다. Light reflection conductive layer semiconductor light emitting area and entail 50 (2) are coupled mechanically and electrically to the semiconductor substrate 1 through the joint metal layer 51. 성장 기판(도시하지 않음)은 발광 반도체영역(2)과 반도체 기판(1)과의 접합 후에 제거된다. The growth substrate (not shown) is removed after the bonding of the semiconductor light-emitting region 2 and the semiconductor substrate (1).

도 7의 실시예 5는, 도 1의 실시예 1과 동일한 효과를 갖는 것 외에, 활성층(10)으로부터 광 반사 도전층(50) 측으로 방사된 광을 전류 분산 반도체층(3)의 일방의 주면(12) 측에 되돌려서 광의 취출 효율을 향상시킬 수 있다는 효과도 갖는다. Embodiment of Figure 7. 5, in addition to having the same effect as the first embodiment of Figure 1, the light radiated toward the light reflection conductive layer 50 from the active layer (10) major surface of one of the current spreading semiconductor layer 3 12 also has the effect of being able to stand on the back side improves the light extraction efficiency.

본 발명은, 상기의 실시예에 한정되는 것이 아니고, 예컨대 다음의 변형이 가능한 것이다. The present invention is not limited to the above embodiments, the example is possible, the following modifications.

(1) 도 2, 도 3 및 도 6에 나타낸 반도체 기판(1)을 생략하여, 발광 반도체영역(2)의 타방의 주면에 제 2 전극(5)을 직접 형성할 수 있다. 1, Fig. 2, it is possible to form the second electrode 5 in Figure 3 and the other main surface of omitting the semiconductor substrate 1, a light emitting semiconductor region (2) shown in Figure 6 directly. 또한, 도 7의 광 반사 도전층(50) 또는 접합 금속층(51)을 제 2 전극(5)으로서 사용할 수도 있다. Further, the light reflective conductive layer 50 or the bonding metal layer 51 of Figure 7 may be used as the second electrode (5).

(2) 발광 반도체영역(2)의 각 층(9, 11) 및 전류 분산 반도체층(3)의 도전형을 각 실시예와 반대로 할 수 있다. 2 can be a conductivity type of each layer (9, 11) and current balancing semiconductor layer 3 of the light-emitting semiconductor region (2) opposed to the respective embodiments.

(3) 도 1에서 오목부(13)를 동심원 형상이 되지 않도록 배치할 수도 있다. 3 may also be arranged so that it is not concentric to the recess 13 in the first.

(4) 본 발명에서의 반도체 발광 소자는, 완성된 발광 소자뿐만 아니라, 중간 제품으로서의 발광 칩(chip)이어도 된다. (4) The semiconductor light emitting device according to the present invention, as well as a complete light emitting device, or may be an intermediate product as a light emitting chip (chip).

(5) 본 발명을 발광 다이오드 이외의 구조를 갖는 전계 발광형의 반도체 발광 소자에도 적용가능하다. 5, it is possible to apply the semiconductor light-emitting device of a field emission type having a structure other than the light emitting diode of the present invention.

(6) 본딩 패드 기능을 갖는 제 1 전극(4)은, 일반적으로 광 불투과성이므로, 활성층(10)의 제 1 전극(4)에 대향하는 부분에 전류를 흘리고, 여기로부터 광을 발생시켜도, 이 광이 제 1 전극(4)에서 저지되어 외부로 취출할 수 없다. 6, the first electrode (4) having a bonding pad function, because it is generally light-impermeable, the leaking current to the portion opposed to the first electrode 4 of the active layer 10, even when emitting light from here, the light is blocked by the first electrode 4 can not be taken out to the outside. 따라서, 도 1 ~ 도 6의 실시예에서, 제 2 전극(5)의 제 1 전극(4)에 대향하는 부분을 비(非)전극 부분, 즉 잘라내는 부분으로 하고, 활성층(10)의 제 1 전극(4)에 대향하는 부분에 전류가 흐르는 것을 저지 또는 억제하여 효율을 높일 수 있다. Thus, Figure 1 and in the embodiment of Figure 6, the second electrode 5, the first electrode of the ratio (非) electrode parts, that is in the active layer 10 is part cut opposite to 4 of the that the current flowing in the portion opposed to the first electrode (4) may increase the efficiency by preventing or suppressing.

(7) 도 7의 실시예에서, 광 반사 도전층(50) 또는 광 반사 도전층(50)과 접합 금속층(51)에서의 제 1 전극(4)에 대향하는 부분을 잘라내고, 여기에 절연체를 충전하여 전류 블록층을 형성하고, 활성층(10)의 제 1 전극(4)에 대향하는 부분에 전류가 흐르는 것을 저지 또는 억제하여 효율을 높일 수 있다. (7) In the embodiment of Figure 7, to cut the opposing portions of the first electrode 4 of the light-reflective conductive layer 50 or the light reflective conductive layer 50 and the bonding metal layer 51, the insulator here the charge and forming a current blocking layer, it is possible to increase the efficiency by preventing or suppressing the current flowing through the portion facing the first electrode 4 of the active layer 10.

(8) 전류 분산 반도체층(3)을 독립하여 형성하지 않고, p형 반도체층(11)을 두껍게 형성하고, p형 반도체층(11)의 상부를 전류 분산 반도체층(3)으로서 겸용할 수 있다. 8 is not formed independently of the current spreading semiconductor layer 3, p-type to form a thick semiconductor layer 11, to combine the upper portion of the p-type semiconductor layer 11 as a current spreading semiconductor layer 3 have.

(9) 전류 분산 반도체층(3)을 복수의 반도체층의 복합층으로 할 수 있다. 9 may be a current spreading semiconductor layer 3, a composite layer of a plurality of semiconductor layers. 복합층의 경우에는, 가장 상위층을 제 1 전극(4)이 저저항 접촉할 수 있는 층으로 하는 것이 바람직하다. For the composite layer, it is preferable that the most upper layer of a layer with the first electrode 4 to a low resistance contact.

(10) 발광 반도체영역(2) 및 전류 분산 반도체층(3)을 질화물 반도체 등의 다른 반도체로 형성할 수 있다. 10, it is possible to form a semiconductor light-emitting region (2) and the current spreading semiconductor layer 3 to a different semiconductor such as nitride semiconductor.

(11) 오목부(13)를 방사상으로 연장하는 기다란 홈으로 할 수 있다. 11 can be as long grooves that extend in a radial recess (13). 이 경우, 1개의 제 1 가상 직선에 1개의 기다란 오목부(홈)(13)만을 배치할 수 있다. In this case, it is possible to place only one elongated recess (groove) 13 on one of first imaginary straight line.

(12) 도 4의 제 1 가상 직선(A1) 상의 오목부(13)의 배치를, 도 1의 제 1 가상 직선(A) 상의 오목부(13)의 배치의 전술한 변형예와 동일하게 바꿀 수 있다. 12 in the same manner the arrangement of the first concave portion 13 on the imaginary straight line (A1) of Fig. 4, and the above-mentioned modification of the arrangement of the first concave portion 13 on the imaginary straight line (A) of Figure 1 to replace can. 또한, 도 5의 제 1 및 제 3 가상 직선(A2, C2) 상의 오목부(13)의 배치를, 도 1의 제 1 가상 직선(A)상의 오목부(13)의 배치의 전술한 변형예와 동일하게 바꿀 수 있다. Further, the arrangement of the first and the third concave portions 13 on the imaginary straight line (A2, C2) of FIG. 5, the above-described variation of the arrangement of the first concave portion 13 on the imaginary straight line (A) of FIG. 1 and it can equally be changed.

도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 발광 소자를 나타내는 평면도이다. 1 is a plan view showing a semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 반도체 발광 소자의 AA선 단면도이다. Figure 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of the semiconductor light emitting device of FIG.

도 3은 도 1의 반도체 발광 소자의 BB선 단면도이다. Figure 3 is a cross-sectional view taken along the line BB of the semiconductor light emitting device of FIG.

도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 반도체 발광 소자를 나타내는 평면도이다. Figure 4 is a plan view showing a semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예 3에 따른 반도체 발광 소자를 나타내는 평면도이다. 5 is a plan view showing a semiconductor light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시예 4에 따른 반도체 발광 소자를 도 3과 동일한 형태로 나타내는 단면도이다. Figure 6 is a cross-sectional view showing the same as in a FIG. 3 a semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 실시예 5에 따른 반도체 발광 소자를 도 2와 동일한 형태로 나타내는 단면도이다. Figure 7 is a cross-sectional view showing a semiconductor light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention in the same manner as in Fig.

* 도면 부호의 설명 * Explanation of reference numerals

2 발광 반도체 영역 2, the light emitting semiconductor region

3 전류 분산 반도체층 Third current balancing semiconductor layer

4 제 1 전극 4, the first electrode

5 제 2 전극 5, the second electrode

13 오목부 13 recess

Claims (10)

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  2. 발광 기능을 갖는 발광 반도체영역과, And a light emitting semiconductor region having a light emission function,
    상기 발광 반도체영역 상에 배치되고 또한 광 취출(取出)면을 갖는 전류 분산 반도체층과, Current spreading semiconductor layer disposed on the light emitting semiconductor region also having a light-output surface (取出) and,
    상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 일부 위에 배치된 제 1 전극과, A first electrode disposed over a portion of the light-output side of the current spreading layer and the semiconductor,
    상기 발광 반도체영역의 다른 쪽의 주면(主面)에 전기적으로 접속된 제 2 전극을 구비한 반도체 발광 소자로서, As a semiconductor light emitting element having a second electrode electrically connected to the (主 面) main surface on the other side of the light emitting semiconductor region,
    평면적으로 보아 상기 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 1 가상 직선 상에 오목부가 형성되고, 상기 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 2 가상 직선 상에 오목부가 형성되어 있지 않으며, In plan bore wherein is formed from a peripheral edge of the electrode a recess on a plurality of first virtual straight line extending toward the peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer, from the peripheral edge of the first electrode, does not have the concave portion is formed on the plurality of second virtual straight line extending toward the peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer,
    상기 제 1 전극은 평면적으로 보아 원형의 주변 가장자리를 갖고, 상기 복수의 제 1 가상 직선 및 상기 복수의 제 2 가상 직선은 상기 제 1 전극의 원형의 주변 가장자리로부터 방사상으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자. The first electrode in plan bore has a peripheral edge of the circle, the plurality of first virtual straight line and the second imaginary straight line of the plurality is characterized in that the radially extending from a peripheral edge of the circle of the first electrode, The semiconductor light emitting device.
  3. 발광 기능을 갖는 발광 반도체영역과, And a light emitting semiconductor region having a light emission function,
    상기 발광 반도체영역 상에 배치되고 또한 광 취출(取出)면을 갖는 전류 분산 반도체층과, Current spreading semiconductor layer disposed on the light emitting semiconductor region also having a light-output surface (取出) and,
    상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 일부 위에 배치된 제 1 전극과, A first electrode disposed over a portion of the light-output side of the current spreading layer and the semiconductor,
    상기 발광 반도체영역의 다른 쪽의 주면(主面)에 전기적으로 접속된 제 2 전극을 구비한 반도체 발광 소자로서, As a semiconductor light emitting element having a second electrode electrically connected to the (主 面) main surface on the other side of the light emitting semiconductor region,
    평면적으로 보아 상기 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 1 가상 직선 상에 오목부가 형성되고, 상기 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 2 가상 직선 상에 오목부가 형성되어 있지 않으며, In plan bore wherein is formed from a peripheral edge of the electrode a recess on a plurality of first virtual straight line extending toward the peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer, from the peripheral edge of the first electrode, does not have the concave portion is formed on the plurality of second virtual straight line extending toward the peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer,
    상기 제 1 전극은 평면적으로 보아 원형 중앙부와 상기 원형 중앙부로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 돌출부로 이루어지고, 상기 복수의 제 1 가상 직선 및 상기 복수의 제 2 가상 직선은 상기 제 1 전극의 상기 원형 중앙부의 주변 가장자리로부터 방사상으로 연장되어 있고, 더욱이, 평면적으로 보아 상기 제 1 전극의 상기 돌출부의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 3 가상 직선상에 오목부가 형성되며, 상기 제 1 전극의 상기 돌출부의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 4 가상 직선상에 오목부가 형성되어 있지 않은 것을 특징 The first electrode in plan bore is made from the circular central portion and a circular central portion with a plurality of projections that extend toward a peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer, the plurality of first virtual straight lines and the plurality a second virtual straight lines may be radially extending from a peripheral edge of the circular center portion of the first electrode, and further, in plan when viewed the light-output of the first and the current spreading semiconductor layer from the peripheral edge of the projecting portion of the first electrode face of the a plurality of in the extending toward the peripheral edge 3 and the concave portion is formed on an imaginary straight line, which extends from a peripheral edge of the projecting portion of the first electrode toward the peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer characterized in that that portion not formed concave on the plurality of fourth imaginary straight line 로 하는 반도체 발광 소자. The semiconductor light emitting device that.
  4. 발광 기능을 갖는 발광 반도체영역과, And a light emitting semiconductor region having a light emission function,
    상기 발광 반도체영역 상에 배치되고 또한 광 취출(取出)면을 갖는 전류 분산 반도체층과, Current spreading semiconductor layer disposed on the light emitting semiconductor region also having a light-output surface (取出) and,
    상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 일부 위에 배치된 제 1 전극과, A first electrode disposed over a portion of the light-output side of the current spreading layer and the semiconductor,
    상기 발광 반도체영역의 다른 쪽의 주면(主面)에 전기적으로 접속된 제 2 전극을 구비한 반도체 발광 소자로서, As a semiconductor light emitting element having a second electrode electrically connected to the (主 面) main surface on the other side of the light emitting semiconductor region,
    평면적으로 보아 상기 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 1 가상 직선 상에 오목부가 형성되고, 상기 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 2 가상 직선 상에 오목부가 형성되어 있지 않으며, In plan bore wherein is formed from a peripheral edge of the electrode a recess on a plurality of first virtual straight line extending toward the peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer, from the peripheral edge of the first electrode, does not have the concave portion is formed on the plurality of second virtual straight line extending toward the peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer,
    상기 제 1 전극은 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면에 서로 분리하여 배치된 복수의 전극부분으로 이루어지고, The first electrode is made of a plurality of electrode portions are arranged to separate from each other on the light-output side of the current spreading semiconductor layer,
    상기 복수의 제 1 가상 직선 및 상기 복수의 제 2 가상 직선은, 상기 제 1 전극의 상기 복수의 전극부분의 주변 가장자리로부터 상기 복수의 전극부분 상호 간의 중간위치를 나타내는 가상 직선을 향해 방사상으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자. The plurality of first virtual straight line and the second imaginary straight line of the plurality of, radially extending toward the imaginary straight line representing the intermediate position between the plurality of electrode portions mutually from the peripheral edges of the plurality of electrode portions of the first electrode the semiconductor light emitting device wherein a.
  5. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 복수의 제 1 가상 직선상에 복수의 오목부가 각각 배치되고, 상기 복수의 오목부는 상기 제 1 전극을 기준으로 하여 동심원 형상으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자. The semiconductor light emitting device, characterized in that a plurality of concave portions are respectively disposed on said plurality of first virtual straight lines, the plurality of recesses which are arranged in concentric circles on the basis of the first electrode.
  6. 발광 기능을 갖는 발광 반도체영역과, And a light emitting semiconductor region having a light emission function,
    상기 발광 반도체영역 상에 배치되고 또한 광 취출(取出)면을 갖는 전류 분산 반도체층과, Current spreading semiconductor layer disposed on the light emitting semiconductor region also having a light-output surface (取出) and,
    상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 일부 위에 배치된 제 1 전극과, A first electrode disposed over a portion of the light-output side of the current spreading layer and the semiconductor,
    상기 발광 반도체영역의 다른 쪽의 주면(主面)에 전기적으로 접속된 제 2 전극을 구비한 반도체 발광 소자로서, As a semiconductor light emitting element having a second electrode electrically connected to the (主 面) main surface on the other side of the light emitting semiconductor region,
    평면적으로 보아 상기 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 1 가상 직선 상에 오목부가 형성되고, 상기 제 1 전극의 주변 가장자리로부터 상기 전류 분산 반도체층의 상기 광 취출면의 주변 가장자리를 향해 연장되어 있는 복수의 제 2 가상 직선 상에 오목부가 형성되어 있지 않으며, In plan bore wherein is formed from a peripheral edge of the electrode a recess on a plurality of first virtual straight line extending toward the peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer, from the peripheral edge of the first electrode, does not have the concave portion is formed on the plurality of second virtual straight line extending toward the peripheral edge of the light-output side of the current spreading semiconductor layer,
    상기 전류 분산 반도체층의 상기 제 1 전극으로부터 가까운 영역에서의 상기 오목부의 분포 밀도가, 상기 제 1 전극으로부터 상기 가까운 영역보다도 먼 영역에서의 상기 오목부의 분포 밀도보다도 낮아지도록 상기 오목부가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자. The distribution density of the recess in the near region from the first electrode of the current spreading semiconductor layer, to be lower than the distribution density of the recess in the distant area than the near region from the first electrode that is disposed above a recess the semiconductor light emitting device according to claim.
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