KR101643688B1 - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 기판 위에 서로 떨어져 형성된 제1 발광부 및 제2 발광부를 포함하는 복수의 발광부; 복수의 발광부를 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 연결 전극;으로서, 각 연결 전극은 제1 발광부의 에지 측에서 제1 발광부의 에지를 따라 뻗는 제1 연장부와, 제2 발광부의 에지 측에서 제2 발광부의 에지를 따라 뻗는 제2 연장부와, 제1 연장부와 제2 연장부를 연결하는 연결부를 포함하는 적어도 하나의 연결 전극; 복수의 발광부, 및 적어도 하나의 연결 전극을 덮도록 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층; 복수의 발광부 중 제1 연장부가 형성된 발광부에서 제1 연장부의 맞은편 에지 측에 구비된 제1 전기적 연결; 그리고 복수의 발광부 중 제2 연장부가 형성된 발광부에서 제2 연장부의 맞은편에지 측에 구비된 제2 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device, comprising: a plurality of light emitting portions including a first light emitting portion and a second light emitting portion formed on a substrate and spaced apart from each other; At least one connecting electrode electrically connecting the plurality of light emitting portions, wherein each connecting electrode includes a first extending portion extending along the edge of the first light emitting portion at the edge side of the first light emitting portion, and a second extending portion extending from the edge side of the second light emitting portion At least one connecting electrode including a second extending portion extending along the edge of the light emitting portion and a connecting portion connecting the first extending portion and the second extending portion; An insulating reflecting layer formed to cover the plurality of light emitting portions and the at least one connecting electrode, the insulating reflecting layer reflecting light from the active layer; A first electrical connection provided on an edge side opposite to the first extending portion in the light emitting portion having the first extending portion of the plurality of light emitting portions; And a second electrical connection provided at an edge side opposite to the second extending portion in the light emitting portion having the second extending portion of the plurality of light emitting portions.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 전기적으로 연결된 복수의 발광부의 발광면적 감소를 억제하고, 광손실을 줄이는 전극구조를 가지는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device having an electrode structure that suppresses a decrease in the light emitting area of a plurality of electrically connected light emitting portions and reduces light loss.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The Group III nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901,902,903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다.FIG. 1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, an n-type semiconductor layer 300 grown on the substrate 100, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, electrodes 901, 902 and 903 functioning as reflective films formed on the p-type semiconductor layer 500, And an n-side bonding pad 800 formed on the exposed n-type semiconductor layer 300.

이러한 구조의 칩, 즉 기판(100)의 일 측에 전극(901,902,903) 및 전극(800) 모두가 형성되어 있고, 전극(901,902,903)이 반사막으로 기능하는 형태의 칩을 플립 칩(filp chip)이라 한다. 전극(901,902,903)은 반사율이 높은 전극(901; 예: Ag), 본딩을 위한 전극(903; 예: Au) 그리고 전극(901) 물질과 전극(903) 물질 사이의 확산을 방지하는 전극(902; 예: Ni)으로 이루어진다. 이러한 금속 반사막 구조는 반사율이 높고, 전류 확산에 이점을 가지지만, 금속에 의한 빛 흡수라는 단점을 가진다.A chip having such a structure, that is, a chip in which both the electrodes 901, 902, 903 and the electrode 800 are formed on one side of the substrate 100 and the electrodes 901, 902, 903 function as a reflection film is called a flip chip . Electrodes 901,902 and 903 may be formed of a highly reflective electrode 901 (e.g., Ag), an electrode 903 (e.g., Au) for bonding, and an electrode 902 (not shown) to prevent diffusion between the electrode 901 material and the electrode 903 material. For example, Ni). Such a metal reflection film structure has a high reflectance and an advantage of current diffusion, but has a disadvantage of light absorption by a metal.

도 2는 일본 공개특허공보 제2006-20913호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다. 이러한 구성에 의하면, 금속 반사막(904)에 의한 빛 흡수를 감소하지만, 전극(901,902,903)을 이용하는 것보다 상대적으로 전류 확산이 원활치 못한 단점이 있다.The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, a buffer layer 200, a buffer layer 200 formed on the substrate 100, An active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, and a p-type semiconductor layer 500 grown on the n- A p-side bonding pad 700 formed on the transparent conductive film 600, and an n-side bonding pad (not shown) formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching 800). A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600. According to this structure, although the absorption of light by the metal reflection film 904 is reduced, the current diffusion is less smooth than that using the electrodes 901, 902, and 903.

도 3은 미국 등록특허공보 제6,547,249호에 개시된 직렬연결된 LED(A,B)의 일 예를 나타내는 도면으로서, 여러 가지 장점 때문에 도 3에 도시된 것과 같이 복수의 LED(A,B)가 직렬연결되어 사용된다. 예를 들어, 복수의 LED(A,B)를 직렬연결하면 외부 회로와 와이어 연결의 개수가 감소하며, 와이어로 인한 광흡수 손실이 감소된다. 또한, 직렬연결된 LED(A,B) 전체의 동작전압이 상승하기 때문에 전원 공급 회로가 보다 단순화될 수 있다.3 is a diagram showing an example of the series-connected LEDs (A, B) disclosed in U.S. Patent No. 6,547,249, wherein a plurality of LEDs (A, B) are connected in series . For example, when a plurality of LEDs (A, B) are connected in series, the number of external circuits and wire connections is reduced, and the light absorption loss due to the wires is reduced. Further, since the operating voltage of the LEDs A and B connected in series increases, the power supply circuit can be further simplified.

한편, 복수의 LED(A,B)를 직렬연결하기 위해서 인터커넥터(34)를 증착하여 이웃한 LED(A,B)의 p측 전극(32)과 n측 전극(32)을 연결한다. 그러나 복수의 LED (A,B)를 전기적으로 절연하는 분리(isolation) 공정에서 사파이어 기판(20)이 노출되도록 복수의 반도체층을 식각해야 하는데, 그 식각 깊이가 깊어서 시간이 오래 걸리고 단차가 크기 때문에 인터커넥터(34)를 형성하기가 어렵다. 절연체(30)를 사용하여 도 2에 도시된 것과 같이 인터커넥터(34)를 완만한 경사를 이루도록 형성하는 경우 LED(A,B)들 사이 간격이 증가하여 집적도 향상에 문제가 있다.On the other hand, in order to connect the plurality of LEDs A and B in series, the interconnector 34 is deposited to connect the p-side electrode 32 and the n-side electrode 32 of the neighboring LEDs A and B. However, in the isolation process for electrically isolating the plurality of LEDs A and B, a plurality of semiconductor layers must be etched so that the sapphire substrate 20 is exposed. Since the etching depth is long and takes a long time, It is difficult to form the inter connecter 34. When the insulator 30 is used to form a gentle inclination of the inter connecter 34 as shown in Fig. 2, the spacing between the LEDs A and B increases, which leads to a problem in improving the degree of integration.

도 4는 미국 등록특허공보 제7,417,259호에 개시된 엘이디 어레이의 일 예를 나타내는 도면으로서, 고전압(high drive voltage), 저전류 구동을 위해 절연기판 위에 2차원 배열된 엘이디 어레이가 형성되어 있다. 절연기판은 사파이어 모노리식(monolithically) 기판이 사용되었고, 기판 위에 2개의 엘이디 어레이가 역방향으로 병렬연결되어 있다. 따라서, AC 전원이 직접 구동전원으로 사용될 수 있다.Fig. 4 is a diagram showing an example of an LED array disclosed in U.S. Patent No. 7,417,259, in which an LED array two-dimensionally arrayed on an insulating substrate is formed for high-voltage drive and low-current drive. A sapphire monolithic substrate is used as the insulating substrate, and two LED arrays are connected in parallel in the reverse direction on the substrate. Therefore, an AC power source can be directly used as a driving power source.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 기판 위에 서로 떨어져 형성된 제1 발광부 및 제2 발광부를 포함하는 복수의 발광부;로서, 각 발광부는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 발광부; 복수의 발광부를 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 연결 전극;으로서, 각 연결 전극은 제1 발광부의 에지 측에서 제1 발광부의 에지를 따라 뻗는 제1 연장부와, 제2 발광부의 에지 측에서 제2 발광부의 에지를 따라 뻗는 제2 연장부와, 제1 연장부와 제2 연장부를 연결하는 연결부를 포함하는 적어도 하나의 연결 전극; 복수의 발광부, 및 적어도 하나의 연결 전극을 덮도록 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층; 절연성 반사층을 관통하여 제1 반도체층과 전기적으로 연통된 제1 전기적 연결;로서, 복수의 발광부 중 제1 연장부가 형성된 발광부에서 제1 연장부의 맞은편 에지 측에 구비된 제1 전기적 연결; 그리고 절연성 반사층을 관통하여 제2 반도체층과 전기적으로 연통된 제2 전기적 연결;로서, 복수의 발광부 중 제2 연장부가 형성된 발광부에서 제2 연장부의 맞은편에지 측에 구비된 제2 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting device comprising: a plurality of light emitting portions including a first light emitting portion and a second light emitting portion formed on a substrate and spaced apart from each other; A second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, wherein light is recombined by the recombination of electrons and holes A plurality of light emitting portions having active layers for generating light; At least one connecting electrode electrically connecting the plurality of light emitting portions, wherein each connecting electrode includes a first extending portion extending along the edge of the first light emitting portion at the edge side of the first light emitting portion, and a second extending portion extending from the edge side of the second light emitting portion At least one connecting electrode including a second extending portion extending along the edge of the light emitting portion and a connecting portion connecting the first extending portion and the second extending portion; An insulating reflecting layer formed to cover the plurality of light emitting portions and the at least one connecting electrode, the insulating reflecting layer reflecting light from the active layer; A first electrical connection provided on an edge side opposite to the first extending portion in a light emitting portion having a first extending portion of the plurality of light emitting portions, the first electrical connection being electrically connected to the first semiconductor layer through the insulating reflecting layer; And a second electrical connection electrically connected to the second semiconductor layer through the insulating reflection layer, wherein a second electrical connection provided on an edge side opposite to the second extended portion in the light emitting portion having the second extended portion of the plurality of light emitting portions, The semiconductor light emitting device according to the present invention comprises:

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-20913호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 등록특허공보 제6,547,249호에 개시된 직렬연결된 LED(A,B)의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 미국 등록특허공보 제7,417,259호에 개시된 엘이디 어레이의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 6은 도 5의 A-A 선을 따라 취한 절단면의 일 예를 설명하는 도면,
도 7 내지 도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면들,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-20913,
3 is a diagram illustrating an example of a series-connected LED (A, B) disclosed in U.S. Patent No. 6,547,249,
4 is a diagram showing an example of an LED array disclosed in U.S. Patent No. 7,417,259,
5 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
Fig. 6 is a view for explaining an example of a cutting plane taken along the line AA in Fig. 5,
7 to 9 are views for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
11 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 도 5의 A-A 선을 따라 취한 절단면의 일 예를 설명하는 도면이다. 반도체 발광소자는 기판 위에 서로 떨어져 형성된 제1 발광부(101) 및 제2 발광부(102)를 포함하는 복수의 발광부, 복수의 발광부를 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 연결 전극(92), 절연성 반사층(R), 제1 전기적 연결(81), 및 제2 전기적 연결(71)을 포함한다. 각 발광부는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50), 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)의 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층(40)을 가지는 복수의 발광부를 포함한다. FIG. 5 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 6 is a view for explaining an example of a cut surface taken along the line A-A in FIG. The semiconductor light emitting device includes a plurality of light emitting portions including a first light emitting portion 101 and a second light emitting portion 102 formed on a substrate, at least one connecting electrode 92 for electrically connecting the plurality of light emitting portions, (R), a first electrical connection (81), and a second electrical connection (71). Each light emitting portion includes a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from the first conductivity, a first semiconductor layer 30 and a second semiconductor layer 50, And a plurality of light emitting portions having an active layer 40 interposed between the light emitting portions and recombined with electrons and holes to generate light.

각 연결 전극(92)은 제1 연장부(92a), 제2 연장부(92b), 및 연결부(92c)를 포함한다. 제1 발광부(101) 및 제2 발광부(102)를 연결하는 연결 전극(92)의 경우, 제1 연장부(92a)는 제1 발광부(101)의 에지 측에서 제1 발광부(101)의 에지를 따라 뻗고, 제2 연장부(92b)는 제2 발광부(102)의 에지 측에서 제2 발광부(102)의 에지를 따라 뻗고, 연결부(92c)는 제1 연장부(92a)와 제2 연장부(92b)를 연결한다. Each connecting electrode 92 includes a first extending portion 92a, a second extending portion 92b, and a connecting portion 92c. In the case of the connection electrode 92 connecting the first light emitting portion 101 and the second light emitting portion 102, the first extended portion 92a may be formed on the edge side of the first light emitting portion 101, And the second extending portion 92b extends along the edge of the second light emitting portion 102 at the edge side of the second light emitting portion 102 and the connecting portion 92c extends along the edge of the first extending portion 92a and the second extension portion 92b.

절연성 반사층(R)은 복수의 발광부, 및 적어도 하나의 연결 전극(92)을 덮도록 형성되며, 활성층(40)으로부터의 빛을 반사한다. 본 예에서는 복수의 발광부는 제1 내지 제7 발광부(101,102,103,104,105,106,107)를 포함한다.The insulating reflective layer R is formed to cover the plurality of light emitting portions and at least one connecting electrode 92 and reflects light from the active layer 40. In this example, the plurality of light emitting units include the first to seventh light emitting units 101, 102, 103, 104, 105, 106,

제1 전기적 연결(81)은 절연성 반사층(R)을 관통하여 제1 반도체층(30)과 전기적으로 연통되며, 제2 전기적 연결(71)은 절연성 반사층(R)을 관통하여 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연통된다. 제1 전기적 연결(81)은 복수의 발광부 중 제1 연장부(92a)가 형성된 발광부(본 예에서는 제1 발광부(101))에서 제1 연장부(92a)의 맞은편 에지 측에 구비된다. 제2 전기적 연결(71)은 복수의 발광부 중 제2 연장부(92b)가 형성된 발광부(본 예에서는 제7 발광부(107))에서 제2 연장부(92b)의 맞은편에지 측에 구비된다.The first electrical connection 81 is electrically connected to the first semiconductor layer 30 through the insulating reflective layer R and the second electrical connection 71 is electrically connected to the second semiconductor layer 50). The first electrical connection 81 is provided on the edge side opposite to the first extending portion 92a in the light emitting portion (the first light emitting portion 101 in this example) in which the first extended portion 92a of the plurality of light emitting portions is formed Respectively. The second electrical connection 71 is formed on the edge side opposite to the second extending portion 92b in the light emitting portion (the seventh light emitting portion 107 in this example) in which the second extended portion 92b of the plurality of light emitting portions is formed Respectively.

본 예에 따른 반도체 발광소자에 의하면, 연결 전극(92)이 각 발광부의 에지 측에서 형성되며, 제2 내지 제6 발광부(102,103,104,105,106)에서 어떤 연결 전극(92)의 제1 연장부(92a)와 다른 연결 전극(92)의 제2 연장부(92b)가 서로 마주보며 에지를 따라 뻗는 구조를 가지며, 전기적 연결(81,71)도 연장부(92a,92b)의 맞은편 에지 측에 구비된다. 따라서, 복수의 발광부가 전기적으로 연결되어 구동되는 소자에서 각 발광부의 면적이 제한적이거나 작은 경우, 발광면적을 확보하고 전류 공급 및/또는 발광의 균일성 측면에서 좋은 구조가 된다. 도 5 및 도 6에서 미설명 부호는 도 7 내지 도 9를 참조하여 더 설명된다.In the semiconductor light emitting device according to this embodiment, the connection electrode 92 is formed on the edge side of each light emitting portion, and the first extension portion 92a of any of the connection electrodes 92 in the second to sixth light emitting portions 102, 103, 104, 105, And the second extension portion 92b of the other connection electrode 92 extend along the edge facing each other and the electrical connections 81 and 71 are also provided on the opposite edge sides of the extension portions 92a and 92b . Therefore, when the area of each light emitting portion is limited or small in an element in which a plurality of light emitting portions are electrically connected and driven, a good light emitting structure is obtained in terms of current supply and / or uniformity of light emission. In FIGS. 5 and 6, reference numerals not shown are further described with reference to FIGS.

이하, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다.Hereinafter, a group III nitride semiconductor light emitting device will be described as an example.

도 7 내지 도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면들로서, 먼저, 도 6 및 도 7에 제시된 바와 같이, 기판(10) 위에 복수의 반도체층(30,40,50)을 형성하고, 메사식각 등의 방법으로 각 발광부별로 분리(isolation)한다. 본 예에서, 반도체 발광소자는 제1 내지 제7 발광부(101,102,103,104,105,106,107)를 포함한다. 물론 발광부의 개수는 변경될 수 있으며, 2개의 발광부를 구비하는 것도 가능하다.7 to 9 are views for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. First, as shown in FIGS. 6 and 7, a plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 are formed, and they are isolated by each light emitting portion by a method such as mesa etching. In this example, the semiconductor light emitting element includes the first to seventh light emitting portions 101, 102, 103, 104, 105, 106, Of course, the number of light emitting portions can be changed, and it is also possible to provide two light emitting portions.

각 발광부는 기판(10) 위에 형성된 복수의 반도체층(30,40,50)을 포함한다. 기판(10)으로는 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 기판(10)은 최종적으로 제거될 수 있다. 복수의 반도체층(30,40,50)은 기판(10) 위에 형성된 버퍼층(도시되지 않음), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: Mg 도핑된 GaN) 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예: InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조)을 포함한다. 복수의 반도체층(30,40,50) 각각은 다층으로 이루어질 수 있고, 버퍼층은 생략될 수 있다. 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다. Each light emitting portion includes a plurality of semiconductor layers (30, 40, 50) formed on a substrate (10). As the substrate 10, sapphire, SiC, Si, GaN or the like is mainly used, and the substrate 10 can be finally removed. The plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may include a buffer layer (not shown) formed on the substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (e.g., Si-doped GaN) A second semiconductor layer 50 (e.g., Mg-doped GaN) having a second conductivity, and a second semiconductor layer 50 interposed between the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 to generate light through recombination of electrons and holes And an active layer 40 (e.g., InGaN / (In) GaN multiple quantum well structure). Each of the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may have a multi-layer structure, and the buffer layer may be omitted. The positions of the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 may be changed, and they are mainly composed of GaN in the III-nitride semiconductor light emitting device.

각 발광부는 주변의 복수의 반도체층(30,40,50)이 제거(예: 메사식각)되어 트렌치(trench)가 형성되며, 따라서 각 발광부는 자체로는 서로 전기적으로 분리(isolation) 또는 절연되어 있다. 본 예에서, 위에서 볼 때, 각 발광부는 대략 사각 형상을 가지며, 에지가 서로 마주하도록 구비된다. 본 예에서 서로 마주하는 에지(긴 에지)들을 연결하는 다른 에지(짧은 에지)들은 서로 마주하는 에지들보다 길이가 더 짧게 형성되어 있다. 본 예에서는 후술될 연결 전극(92)에 대응하여 짧은 에지 측에서 제2 반도체층(50) 및 활성층(40)이 식각되어 제1 반도체층(30)이 노출된다.Each light emitting portion has a plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 removed (e.g., mesa etching) to form trenches, so that each light emitting portion is electrically isolated or isolated from each other have. In this example, as viewed from above, each light emitting portion has a substantially rectangular shape and is provided so that the edges face each other. In this example, the other edges (short edges) connecting the facing edges (long edges) are formed to be shorter in length than the opposite edges. In this example, the second semiconductor layer 50 and the active layer 40 are etched to expose the first semiconductor layer 30 at the short edge side corresponding to the connection electrode 92 to be described later.

계속해서, 도 5 및 도 8에 제시된 바와 같이, 복수의 발광부 사이에 절연층(35)을 형성한다. 본 예에서 절연층(35)은 후술될 연결 전극(92)의 연결부(92c) 아래에 형성되며, 복수의 반도체층(30,40,50)의 측면을 따라 제2 반도체층(50)과 제1 연장부(92a)와 사이에 까지 형성된다. 절연층(35)은 투광성을 가지는 패시베이션(passivation)층으로서, SiO2, TiO2, Al2O3와 같은 물질로 바람직하게는 서로 마주하는 복수의 발광부 사이 전체에 형성된다. 복수의 발광부 사이가 좁은 경우 복수의 발광부를 직렬연결하여 high-voltage로 동작하는 반도체 발광소자에서는 본 예와 같이 절연층(35)을 형성하는 것이 전기적 절연 측면에서 유리한 점이 많다. 또한, 바람직하게는, 절연층(35)은 복수의 발광부의 테두리의 노출된 기판(10)까지 형성되어 전기적 절연의 신뢰성을 더 향상하고, 후술될 절연성 반사층(R) 형성시 단차 또는 높이차를 완화하거나 균일하게 하는 데에 도움을 줄 수 있다.Subsequently, as shown in Figs. 5 and 8, an insulating layer 35 is formed between the plurality of light emitting portions. The insulating layer 35 is formed below the connecting portion 92c of the connecting electrode 92 to be described later and is formed along the side surfaces of the plurality of semiconductor layers 30, 1 extending portion 92a. The insulating layer 35 is a light-transmitting passivation layer, such as SiO 2, TiO 2 , Al 2 O 3 , And is preferably formed as a whole between the plurality of light emitting portions facing each other. In the case of a semiconductor light emitting device in which a plurality of light emitting portions are connected in series and operated at a high voltage in a case where a plurality of light emitting portions are narrow, it is advantageous in terms of electrical insulation to form the insulating layer 35 as in this example. Preferably, the insulating layer 35 is formed up to the exposed substrate 10 of the rim of the plurality of light emitting portions to further improve the reliability of electrical insulation, and the step or height difference in forming the insulating reflecting layer R It can help to alleviate or even uniformity.

후술될 가지 전극(75), 제2 오믹 전극(72), 연결 전극(92)의 제1 연장부(92a)는 제2 반도체층(50) 위에 형성되는데, 이들의 아래에 빛을 반사하는 또는 전류를 바로 아래로 흐르지 못하게 하는 광흡수 방지막을 형성하는 것이 바람직하다. 본 예에서, 절연층(35)이 전술한 바와 같이 연장되어 있어서 광흡수 방지막 기능도 할 수 있다.A first extended portion 92a of a branch electrode 75, a second ohmic electrode 72 and a connecting electrode 92, which will be described later, is formed on the second semiconductor layer 50, It is preferable to form a light absorption preventing film which prevents the current from flowing directly below. In this example, the insulating layer 35 is extended as described above to function as a light absorption preventing film.

다음으로, 도 5 및 도 9에 제시된 바와 같이, 절연층(35)이 형성된 이후, 바람직하게는 제2 반도체층(50) 위에 전류 확산 도전막(60)이 형성된다. p형 GaN의 경우에 전류 확산 능력이 떨어지며, p형 반도체층(50)이 GaN으로 이루어지는 경우에, 대부분 전류 확산 도전막(60)의 도움을 받아야 한다. 예를 들어, ITO, Ni/Au와 같은 물질이 전류 확산 도전막(60)으로 사용될 수 있다.Next, as shown in Figs. 5 and 9, after the insulating layer 35 is formed, a current diffusion conductive film 60 is formed on the second semiconductor layer 50 preferably. In the case of p-type GaN, the current diffusion ability is lowered. When the p-type semiconductor layer 50 is made of GaN, most of the current diffusion conductive film 60 should be assisted. For example, a material such as ITO or Ni / Au can be used as the current diffusion conductive film 60.

계속해서, 전류확산 도전막(60) 위에, 연결 전극(92) 및 오믹 전극(82,72), 가지 전극(75)이 형성된다. 복수의 연결 전극(92)의 형성 방식은 동일하므로, 제1 발광부(101)와 제2 발광부(102)를 연결하는 연결 전극(92)을 중심으로 설명하면, 연결 전극(92)은 제1 발광부(101)와 제2 발광부(102) 사이의 절연층(35) 위를 가로지르며, 제1 발광부(101)와 제2 발광부(102)를 전기적으로 연결한다. 본 예에서, 연결 전극(92)은 제1 연장부(92a), 제2 연장부(92b), 및 연결부(92c)를 포함하며, 절연성 반사층(R)은 제1 발광부(101), 제2 발광부(102), 연결 전극(92), 및 절연층(35)을 덮는다. 제1 연장부(92a)는 제1 발광부(101)의 전류 확산 도전막(60)과 절연성 반사층(R) 사이에서 제1 발광부(101)의 짧은 에지를 따라 뻗는다. 제2 연장부(92b)는 제2 발광부(102)의 짧은 에지 측에서 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에서 제2 발광부(102)의 에지를 따라 뻗는다. 연결부(92c)는 제1 발광부(101)와 제2 발광부(102) 사이의 절연층(35) 위에서 뻗으며, 제1 발광부(101) 및 제2 발광부(102)의 측면에 형성된 절연층(35) 위로 연장되어 제1 연장부(92a) 및 제2 연장부(92b)와 연결된다.Subsequently, a connection electrode 92, ohmic electrodes 82 and 72, and branch electrodes 75 are formed on the current diffusion conductive film 60. The connection electrodes 92 are formed in the same manner as the connection electrodes 92. The connection electrodes 92 are formed in the same manner as the connection electrodes 92 The first light emitting portion 101 and the second light emitting portion 102 are electrically connected to each other across the insulating layer 35 between the first light emitting portion 101 and the second light emitting portion 102. In this example, the connection electrode 92 includes a first extension portion 92a, a second extension portion 92b, and a connection portion 92c, and the insulating reflection layer R includes the first light emitting portion 101, 2 light emitting portion 102, connecting electrode 92, and insulating layer 35, as shown in Fig. The first extension portion 92a extends along the short edge of the first light emitting portion 101 between the current diffusion conductive film 60 of the first light emitting portion 101 and the insulating reflection layer R. [ The second extended portion 92b extends along the edge of the second light emitting portion 102 on the exposed first semiconductor layer 30 at the short edge side of the second light emitting portion 102. [ The connection portion 92c extends over the insulating layer 35 between the first light emitting portion 101 and the second light emitting portion 102 and is formed on the side surfaces of the first light emitting portion 101 and the second light emitting portion 102. [ Extends over the insulating layer 35 and is connected to the first extending portion 92a and the second extending portion 92b.

한편, 제2 발광부(102)와 제3 발광부(103)를 연결하는 연결 전극(92; 제2 연결 전극)은 제1 발광부(101)와 제2 발광부(102)를 연결 전극(92; 제1 연결 전극)의 맞은 편에 구비된다. 제2 발광부(102)에서 제1 연결 전극(92)의 제2 연장부(92b)와 제2 연결 전극(92)의 제1 연장부(92a)는 서로 맞은 편 에지 측에 구비된다. 나머지 연결 전극(92)들로 이와 같이 마주보는 방식으로 형성된다. 따라서, 제1 연장부(92a) 및 제2 연장부(92b)가 위에서 볼 때 제1 발광부(101) 및 제2 발광부(102)의 가운데 근처로 뻗는 것을 억제하도록 형성되어 있다. 또한, 이와 같이, 서로 대향하며 뻗는 연장부들(92a,92b)은 전류 공급 측면에서 발광면 전체적으로 균일한 전류공급이 될 수 있는 유리한 구조를 가진다.A connection electrode 92 (a second connection electrode) for connecting the second light emitting unit 102 and the third light emitting unit 103 connects the first light emitting unit 101 and the second light emitting unit 102 to the connection electrode 92 (first connection electrode). The second extended portion 92b of the first connection electrode 92 and the first extended portion 92a of the second connection electrode 92 in the second light emitting portion 102 are provided on the edge sides opposite to each other. And the other connection electrodes 92 are formed in such a manner as to face each other. The first extension portion 92a and the second extension portion 92b are formed so as to be prevented from extending toward the center of the first light emitting portion 101 and the second light emitting portion 102 when viewed from above. In addition, the extended portions 92a and 92b, which are mutually opposite to each other, have an advantageous structure in that current can be uniformly supplied to the entire light emitting surface on the current supply side.

복수의 반도체층(30,40,50)은 발광영역이 되므로 복수의 반도체층(30,40,50)의 감소를 줄이는 것이 바람직한데, 특히, 발광면적의 중심으로 뻗거나 가로지르는 금속 가지는 광흡수 감소를 위해서는 바람직하지 못하며, 복수의 반도체층(30,40,50)을 식각하는 면적 감소를 위해서도 바람직하지 못하다. 본 예에서 연결 전극(92) 및 전기적 연결(81,71)은 각 발광부의 에지 측에서 에지를 따라 형성함으로써, 복수의 반도체층(30,40,50)의 식각면적을 감소하고 금속에 의한 광흡수 손실도 줄이는 구조를 가진다. 특히, 본 예에서 연결 전극(92)은 짧은 에지 측에 형성되어 복수의 반도체층(30,40,50)의 식각면적을 감소하는 것에 더 유리하다.Since the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 are light emitting regions, it is desirable to reduce the reduction of the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50. In particular, It is undesirable for decreasing the area of etching the plurality of semiconductor layers 30, 40, In this example, the connecting electrode 92 and the electrical connections 81 and 71 are formed along the edge at the edge side of each light emitting portion, thereby reducing the etching area of the plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50, And the absorption loss is also reduced. In particular, in this example, the connecting electrode 92 is formed on the short edge side to advantageously reduce the etching area of the plurality of semiconductor layers 30, 40, 50.

이후, 도 5 및 도 6에 제시된 바와 같이, 복수의 발광부, 연결 전극(92), 및 절연층(35)을 덮도록 절연성 반사층(R)이 형성된다. 절연성 반사층(R)은 활성층(40)으로부터의 빛을 기판(10) 측으로 반사한다. 본 예에서 절연성 반사층(R)은 금속 반사막에 의한 광흡수 감소를 위해 절연성 물질로 형성되며, 단일층으로 형성될 수도 있지만, 바람직하게는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni-Directional Reflector)을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 도 6에 제시된 바와 같이, 절연성 반사층(R)은 순차로 적층된 유전체막(91b), DBR(91a), 및 클래드막(91c)을 포함할 수 있다.Thereafter, as shown in Figs. 5 and 6, the insulating reflection layer R is formed so as to cover the plurality of light emitting portions, the connection electrodes 92, and the insulating layer 35. Fig. The insulating reflection layer R reflects light from the active layer 40 to the substrate 10 side. In this embodiment, the insulating reflective layer R is formed of an insulating material to reduce light absorption by the metal reflective layer and may be formed as a single layer, but it is preferable to use DBR (Distributed Bragg Reflector) or ODR (Omni-Directional Reflector) Layer structure. For example, as shown in Fig. 6, the insulating reflection layer R may include a dielectric film 91b, a DBR 91a, and a clad film 91c which are sequentially stacked.

절연성 반사층(R) 아래의 구조물들, 예를 들어, 복수의 발광부 사이와 주변과의 높이차, 연결 전극(92), 가지 전극(75), 오믹 전극(82,72) 등으로 인한 요철 구조 등으로 인해 절연성 반사층(R) 형성시 더욱 주의가 필요하다. 예를 들어, 절연성 반사층(R)이 분포 브래그 리플렉터(DBR)를 구비하는 다층 구조인 경우, 절연성 반사층(R)이 잘 기능하기 위해서는 각 물질층이 특별히 설계된 두께로 잘 형성되어야 한다. 예를 들어, 분포 브래그 리플렉터는 SiO2/TiO2, SiO2/Ta2O2, 또는 SiO2/HfO의 반복 적층으로 이루어 질 수 있으며, Blue 빛에 대해서는 SiO2/TiO2가 반사효율이 좋고, UV 빛에 대해서는 SiO2/Ta2O2, 또는 SiO2/HfO가 반사효율이 좋을 수 있다. 분포 브래그 리플렉터(91a)는 물리 증착법(PVD; Physical Vapor Deposition), 그 중에서도 전자선 증착법(E-Beam Evaporation) 또는, 스퍼터링법(Sputtering) 또는 열 증착법(Thermal Evaporation)에 의해 형성하는 것이 바람직하다. 정밀성을 요하는 분포 브래그 리플렉터(91a)의 증착에 앞서, 일정 두께의 유전체막(91b)를 형성함으로써, 분포 브래그 리플렉터(91a)를 안정적으로 제조할 수 있게 되며, 빛의 반사에도 도움을 줄 수 있다. 유전체막(91b)의 재질은 SiO2가 적당하며, 그 두께는 일 예로, 0.2um ~ 1.0um일 수 있다. 클래드막(91c)은 Al2O3, SiO2, SiON, MgF, CaF 등으로 이루어질 수 있다. 절연성 반사층(R)은 일 예로, 전체 두께가 1 ~ 8um일 수 있다.The structure under the insulating reflective layer R may have a concavo-convex structure due to a height difference between the plurality of light-emitting portions and the periphery, a connecting electrode 92, a branched electrode 75, ohmic electrodes 82 and 72, , Attention must be paid to the formation of the insulating reflection layer (R). For example, when the insulating reflection layer R has a multi-layer structure including a distributed Bragg reflector (DBR), each material layer must be formed with a specially designed thickness so that the insulating reflection layer R functions well. For example, the distributed Bragg reflector may be composed of repeated lamination of SiO 2 / TiO 2 , SiO 2 / Ta 2 O 2 , or SiO 2 / HfO, and for blue light, SiO 2 / TiO 2 has good reflection efficiency , And SiO 2 / Ta 2 O 2 or SiO 2 / HfO for UV light may have good reflection efficiency. The distribution Bragg reflector 91a is preferably formed by PVD (Physical Vapor Deposition), E-Beam Evaporation, Sputtering or Thermal Evaporation. It is possible to stably manufacture the distributed Bragg reflector 91a by forming the dielectric film 91b having a certain thickness prior to the deposition of the distribution Bragg reflector 91a requiring precision, have. SiO 2 is suitable for the material of the dielectric film 91b, and its thickness may be, for example, 0.2um to 1.0um. A clad layer (91c) may be formed of Al 2 O 3, SiO 2, SiON, MgF, CaF , etc. For example, the insulating reflective layer R may have a total thickness of 1 to 8 탆.

그러나 절연성 반사층(R)이 입사한 빛을 전부 반사하는 것은 아니고 일부가 투과될 있다. 특히, 도 6에 제시된 바와 같이, 복수의 발광부 사이와 테두리에는 절연성 반사층(R)의 각 물질층이 설계된 두께로 형성되기 어려운 영역이 있게 되고, 이 영역에서는 반사효율이 저하되어 빛이 투과될 수 있다. 본 예에서는 연결 전극(92)의 연장부(92a,92b)와 가지 전극(75)이 각 발광부의 테두리 측 에지에 형성되므로, 테두리 측 에지(본 예에서 상기 짧은 에지) 측에서 절연성 반사층(R)의 반사효율이 떨어지는 영역으로 향하는 빛의 일부를 연장부(92a,92b)가 반사할 수 있고, 이로 인해 빛이 누설되는 양을 감소시킬 수 있어서 휘도 향상에도 기여할 수 있다. 또한, 전술된 절연층(35)은 상기 높이차를 완화한다.However, the insulating reflection layer R does not entirely reflect the incident light but a part of the light can be transmitted. In particular, as shown in FIG. 6, there is a region where each material layer of the insulating reflection layer R is difficult to be formed in a designed thickness between a plurality of light-emitting portions and a rim. In this region, . Since the extended portions 92a and 92b of the connecting electrode 92 and the branch electrode 75 are formed at the edge side edge of each light emitting portion in this example, the insulating reflection layer R (the short edge in this example) The extension portions 92a and 92b can reflect a part of the light directed toward the region where the reflection efficiency of the light is low, thereby reducing the amount of leakage of light, thereby contributing to an improvement in luminance. In addition, the insulating layer 35 described above alleviates the height difference.

다음으로, 절연성 반사층(R)에 개구를 형성하고, 개구에 전기적 연결(81,71)을 형성하고, 절연성 반사층(R) 위에 제1 상부 전극(80) 및 제2 상부 전극(70)을 형성한다. 전기적 연결(81,71)과 상부 전극(80,70)은 동일 공정에서 함께 형성될 수 있다. 제2 발광부(102) 및 제3 발광부(103)의 절연성 반사층(R) 위에는 보조 패드(80a,80b)가 형성될 수 있고, 보조 패드(80a,80b)는 제1 상부 전극(80)과 연결될 수 있다(도 6의 94a 참조). 제5 발광부(105) 및 제6 발광부(106)의 절연성 반사층(R) 위에는 보조 패드(70a,70b)가 형성될 수 있고, 보조 패드(70a,70b)는 제2 상부 전극(70)과 연결될 수 있다(도 6의 94b참조). 보조 패드(80a,80b,70a,70b)는 제1 상부 전극(80) 및 제2 상부 전극(70)의 전기적 접합의 면적을 확장하는 기능과 방열면적을 증가시키는 장점을 가진다.Next, openings are formed in the insulating reflection layer R, electrical connections 81 and 71 are formed in the openings, and a first upper electrode 80 and a second upper electrode 70 are formed on the insulating reflection layer R do. The electrical connections 81 and 71 and the upper electrodes 80 and 70 may be formed together in the same process. Auxiliary pads 80a and 80b may be formed on the insulating reflection layer R of the second light emitting portion 102 and the third light emitting portion 103 and auxiliary pads 80a and 80b may be formed on the first upper electrode 80, (See 94a in Fig. 6). The auxiliary pads 70a and 70b may be formed on the insulating reflection layer R of the fifth light emitting portion 105 and the sixth light emitting portion 106 and the auxiliary pads 70a and 70b may be formed on the second upper electrode 70, (See 94b in Fig. 6). The auxiliary pads 80a, 80b, 70a and 70b have the function of expanding the area of the electrical connection between the first upper electrode 80 and the second upper electrode 70 and the advantage of increasing the heat radiation area.

본 예에서 반도체 발광소자는 상부 전극(80,70)이 절연성 반사층(R)을 기준으로 복수의 반도체층(30,40,50)의 반대 측에 구비되는 플립칩(flip chip)으로서, 복수의 발광부가 직렬연결된 구조를 가진다. 제1 상부 전극(80)은 제1 발광부(101)의 절연성 반사층(R) 위에 형성되어 제1 전기적 연결(81)과 연결된다. 제2 상부 전극(70)은 제7 발광부의 절연성 반사층(R) 위에 형성되어 제2 전기적 연결(71)과 연결된다. 제1 전기적 연결(81)은 절연성 반사층(R)을 관통하여 제1 상부 전극(80)과 제1 오믹 전극(82)을 연결한다. 제2 전기적 연결(71)은 절연성 반사층(R)을 관통하여 제2 상부 전극(70)과 제2 오믹 전극(72)을 연결한다. 오믹 전극(82,72)은 생략될 수 있지만, 접촉저항을 감소하고 전기적 연결의 안정성을 위해 구비되는 것이 바람직하다. In this embodiment, the semiconductor light emitting element is a flip chip in which the upper electrodes 80 and 70 are provided on the opposite sides of the plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50 with respect to the insulating reflection layer R, And a light emitting portion is connected in series. The first upper electrode 80 is formed on the insulating reflection layer R of the first light emitting portion 101 and is connected to the first electrical connection 81. The second upper electrode 70 is formed on the insulating reflection layer R of the seventh light emitting portion and connected to the second electrical connection 71. The first electrical connection 81 connects the first upper electrode 80 and the first ohmic electrode 82 through the insulating reflection layer R. The second electrical connection 71 connects the second upper electrode 70 and the second ohmic electrode 72 through the insulating reflection layer R. The ohmic electrodes 82 and 72 may be omitted, but it is preferable that the ohmic electrodes 82 and 72 are provided for reducing the contact resistance and for stabilizing the electric connection.

제1 전기적 연결(81)은 제1 발광부(101)에서 제1 연장부(92a)의 맞은편 에지 측에 형성되며, 제2 전기적 연결(71)은 제7 발광부(107)에서 제2 연장부(92b)의 맞은편 에지 측에 형성된다. 이와 같이, 전기적 연결(81,71)은 에지 측에 형성된 연장부(92a,92b)와 대향하며 연장부(92a,92b)에 대해 대칭적인 위치에 형성되어 전류공급의 균일성을 도모한다. The first electrical connection 81 is formed on the edge side opposite to the first extending portion 92a of the first light emitting portion 101 and the second electrical connection 71 is formed on the edge portion of the second light emitting portion 101, Is formed on the edge side opposite to the extending portion 92b. In this way, the electrical connections 81 and 71 are opposed to the extension portions 92a and 92b formed on the edge side, and are formed at symmetrical positions with respect to the extension portions 92a and 92b, thereby achieving uniformity of current supply.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 반도체 발광소자는 제1 내지 제5 발광부(101,102,103,104,105)를 포함한다. 제1 발광부(101) 및 제2 발광부(102)를 연결하는 연결 전극(92)에서 제1 연장부(92a) 및 제2 연장부(92b)는 각각 제1 발광부(101) 및 제2 발광부(102)의 서로 대향하는 에지 측에서 뻗어 있으며, 나머지 연결 전극도 같은 방식으로 다른 복수의 발광부에 형성되어 있다. 따라서, 제1 연장부(92a) 및 제2 연장부(92b)가 제1 발광부(101) 및 제2 발광부(102)의 가운데 근처로 뻗는 것을 억제하도록 형성되어 있다. 또한, 복수의 발광부 사이에서 주변과의 높이차로 인해 절연성 반사층(R)의 반사효율이 저하된 영역으로 누설되는 빛의 일부를 반사할 수 있고 그 결과 휘도 향상에도 기여할 수 있다.10 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which the semiconductor light emitting device includes first to fifth light emitting portions 101, 102, 103, 104, The first extending portion 92a and the second extending portion 92b of the connecting electrode 92 connecting the first light emitting portion 101 and the second light emitting portion 102 are connected to the first light emitting portion 101 and the second light emitting portion 102b, 2 light emitting portions 102, and the remaining connection electrodes are formed in the other plurality of light emitting portions in the same manner. Therefore, the first extending portion 92a and the second extending portion 92b are formed so as to be prevented from extending to the vicinity of the center of the first light emitting portion 101 and the second light emitting portion 102. [ In addition, a part of the light leaked to the region where the reflection efficiency of the insulating reflection layer R is decreased due to the difference in height between the plurality of light-emitting portions can be reflected, and as a result, the luminance can be improved.

제1 반도체층(30)이 n-GaN이고 제2 반도체층(50)이 p-GaN인 경우, 제2 반도체층(50)보다 제1 반도체층(30)의 전류 확산이 더 잘되기 때문에, 본 예와 같이, 제1 전기적 연결(81)의 개수가 제2 전기적 연결(71)의 개수보다 작게 형성되는 것도 가능하다. When the first semiconductor layer 30 is n-GaN and the second semiconductor layer 50 is p-GaN, current diffusion of the first semiconductor layer 30 is better than that of the second semiconductor layer 50, The number of the first electrical connections 81 may be smaller than the number of the second electrical connections 71, as in this example.

본 예에서, 반도체 발광소자는 제1 가지 전극(85) 및 제2 가지 전극(75)을 포함한다. 제1 가지 전극(85)은 제1 발광부(101)의 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에서 연결 전극(92)의 제1 연장부(92a)와 대향하는 에지를 따라 뻗으며, 제1 전기적 연결(81)과 연결되어 있다. 제2 가지 전극(75)은 제5 발광부(105)의 전류 확산 도전막(60)과 절연성 반사층(R) 사이에서 연결 전극(92)의 제2 연장부(92b)와 대향하는 에지를 따라 뻗으며, 제2 전기적 연결(71)과 연결되어 있다. 따라서, 복수의 발광부가 직렬연결되어 high-voltage로 구동되는 소자에서 각 발광부의 면적이 작은 경우, 전류 공급 및/또는 발광의 균일성 측면에서 좋은 구조가 된다.In this example, the semiconductor light emitting element includes a first branched electrode 85 and a second branched electrode 75. The first branched electrode 85 extends along the edge facing the first extended portion 92a of the connecting electrode 92 above the etched and exposed first semiconductor layer 30 of the first emitting portion 101, And is connected to the first electrical connection 81. The second branched electrode 75 extends along the edge facing the second extended portion 92b of the connection electrode 92 between the current diffusion conductive film 60 of the fifth light emitting portion 105 and the insulating reflection layer R And is connected to the second electrical connection 71. Therefore, in a device in which a plurality of light emitting portions are connected in series and driven by a high-voltage, the structure is good in terms of uniformity of current supply and / or light emission when the area of each light emitting portion is small.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 도 10에 제시된 예에서 가지 전극을 생략한 구조이다. 각 발광부의 면적이 크지 않는 경우, 가지전극을 생략해도 전류공급의 균일성 또는 전류확산에 큰 영향이 없다면, 가지 전극을 생략하여 금속에 의한 광흡수를 줄이고, 복수의 반도체층의 식각면적도 감소하는 것이 좋다.11 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which the branch electrode is omitted in the example shown in FIG. In the case where the area of each light emitting portion is not large and the branch electrodes are omitted, if the uniformity of the current supply or the current diffusion is not greatly influenced, the branch electrodes may be omitted to reduce the light absorption by the metal, It is good to do.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 기판 위에 서로 떨어져 형성된 제1 발광부 및 제2 발광부를 포함하는 복수의 발광부;로서, 각 발광부는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 발광부; 복수의 발광부를 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 연결 전극;으로서, 각 연결 전극은 제1 발광부의 에지 측에서 제1 발광부의 에지를 따라 뻗는 제1 연장부와, 제2 발광부의 에지 측에서 제2 발광부의 에지를 따라 뻗는 제2 연장부와, 제1 연장부와 제2 연장부를 연결하는 연결부를 포함하는 적어도 하나의 연결 전극; 복수의 발광부, 및 적어도 하나의 연결 전극을 덮도록 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층; 절연성 반사층을 관통하여 제1 반도체층과 전기적으로 연통된 제1 전기적 연결;로서, 복수의 발광부 중 제1 연장부가 형성된 발광부에서 제1 연장부의 맞은편 에지 측에 구비된 제1 전기적 연결; 그리고 절연성 반사층을 관통하여 제2 반도체층과 전기적으로 연통된 제2 전기적 연결;로서, 복수의 발광부 중 제2 연장부가 형성된 발광부에서 제2 연장부의 맞은편에지 측에 구비된 제2 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a plurality of light emitting portions each including a first light emitting portion and a second light emitting portion formed on a substrate, the first light emitting portion and the second light emitting portion being separated from each other, wherein each light emitting portion includes a first semiconductor layer having a first conductivity, A second semiconductor layer having a second conductivity and a plurality of light emitting portions interposed between the first and second semiconductor layers and having an active layer that generates light by recombination of electrons and holes; At least one connecting electrode electrically connecting the plurality of light emitting portions, wherein each connecting electrode includes a first extending portion extending along the edge of the first light emitting portion at the edge side of the first light emitting portion, and a second extending portion extending from the edge side of the second light emitting portion At least one connecting electrode including a second extending portion extending along the edge of the light emitting portion and a connecting portion connecting the first extending portion and the second extending portion; An insulating reflecting layer formed to cover the plurality of light emitting portions and the at least one connecting electrode, the insulating reflecting layer reflecting light from the active layer; A first electrical connection provided on an edge side opposite to the first extending portion in a light emitting portion having a first extending portion of the plurality of light emitting portions, the first electrical connection being electrically connected to the first semiconductor layer through the insulating reflecting layer; And a second electrical connection electrically connected to the second semiconductor layer through the insulating reflection layer, wherein a second electrical connection provided on an edge side opposite to the second extended portion in the light emitting portion having the second extended portion of the plurality of light emitting portions, And a light emitting layer.

(2) 제1 연장부는 제2 반도체층과 절연성 반사층 사이에서 뻗고, 제2 연장부는 제2 반도체층 및 활성층이 에지로부터 식각되어 노출된 제1 반도체층 위에서 제1 연장부와 나란하게 뻗는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) the first extending portion extends between the second semiconductor layer and the insulating reflective layer, and the second extending portion extends parallel to the first extending portion on the first semiconductor layer exposed by etching the second semiconductor layer and the active layer from the edge .

(3) 제1 연장부는 제2 발광부와 대향하는 제1 발광부의 에지 측에 구비되고, 제2 연장부는 제1 발광부와 대향하는 제2 발광부의 에지 측에 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) The semiconductor light emitting device according to (3), wherein the first extending portion is provided on the edge side of the first light emitting portion facing the second light emitting portion, and the second extending portion is provided on the edge side of the second light emitting portion facing the first light emitting portion device.

(4) 제1 발광부에서 제1 연장부는 제2 발광부와 대향하는 제1 발광부의 에지와 연결된 다른 에지 측에 구비되고, 제2 발광부에서 제2 연장부는 제1 발광부와 대향하는 제2 발광부의 에지와 연결된 다른 에지 측에 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) In the first light emitting portion, the first extending portion is provided on the other edge side connected to the edge of the first light emitting portion facing the second light emitting portion, and the second extending portion is provided on the other edge side And the other edge side connected to the edge of the second light emitting portion.

(5) 제1 발광부 및 제2 발광부의 서로 대향하는 에지들보다 제1 연장부 및 제2 연장부가 각기 구비된 제1 발광부 및 제2 발광부의 다른 에지의 길이가 더 짧은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) The first light emitting portion and the second light emitting portion, which have the first extending portion and the second extending portion, respectively, have shorter edges than the opposite edges of the first light emitting portion and the second light emitting portion. Semiconductor light emitting device.

(6) 제2 전기적 연결의 개수가 제1 전기적 연결의 개수보다 많은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (5), wherein the number of the second electrical connections is larger than the number of the first electrical connections.

(7) 복수의 발광부는: 제2 발광부를 기준으로 제1 발광부의 반대 측에 순차로 구비되는 제3 발광부, 제4 발광부, 및 제5 발광부를 포함하며, 적어도 하나의 연결 전극은: 제1 발광부와 제2 발광부를 전기적으로 연결하는 제1 연결 전극; 제2 발광부와 제3 발광부를 전기적으로 연결하는 제2 연결 전극; 제3 발광부와 제4 발광부를 전기적으로 연결하는 제3 연결 전극; 그리고 제4 발광부와 제5 발광부를 전기적으로 연결하는 제4 연결 전극;을 포함하며, 제1 전기적 연결은 제1 발광부에 형성되고, 제2 전기적 연결은 제5 발광부에 형성되며, 제1 발광부의 절연성 반사층 위에 형성되며, 제1 전기적 연결과 연결되어 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 상부 전극; 그리고 제5 발광부의 절연성 반사층 위에 형성되며, 제2 전기적 연결과 연결되어 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 상부 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) The plurality of light emitting units include: a third light emitting unit, a fourth light emitting unit, and a fifth light emitting unit, which are sequentially disposed on the opposite side of the first light emitting unit with respect to the second light emitting unit, A first connection electrode electrically connecting the first light emitting portion and the second light emitting portion; A second connection electrode electrically connecting the second light emitting portion and the third light emitting portion; A third connection electrode electrically connecting the third light emitting unit and the fourth light emitting unit; And a fourth connection electrode electrically connecting the fourth light emitting portion and the fifth light emitting portion, wherein a first electrical connection is formed in the first light emitting portion, a second electrical connection is formed in the fifth light emitting portion, A first upper electrode formed on the insulating reflection layer of the light emitting portion and connected to the first electrical connection to supply one of electrons and holes; And a second upper electrode formed on the insulating reflection layer of the fifth light emitting portion and connected to the second electrical connection to supply the remaining one of electrons and holes.

(8) 제1 발광부의 제1 반도체층 위에서 뻗으며 제1 전기적 연결과 연결되고, 제1 연결 전극의 제1 연장부와 대향하는 제1 가지 전극; 그리고 제5 발광부의 제2 반도체층과 절연성 반사층 사이에서 뻗으며 제2 전기적 연결과 연결되고, 제2 연결 전극의 제2 연장부와 대향하는 제2 가지 전극; 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (8) a first branched electrode extending over the first semiconductor layer of the first light emitting portion and connected to the first electrical connection, and facing the first extended portion of the first connecting electrode; A second branched electrode extending between the second semiconductor layer of the fifth light emitting portion and the insulating reflection layer and connected to the second electrical connection, and facing the second extended portion of the second connection electrode; Wherein the semiconductor light emitting device comprises at least one of a light emitting diode and a light emitting diode.

(9) 제1 연장부 및 제2 연장부는 절연성 반사층의 높이차가 있는 부분에 근접하게 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (3), wherein the first extending portion and the second extending portion are provided close to a portion where the height of the insulating reflecting layer is different.

(10) 절연성 반사층은 DBR(Distributed Bragg Reflector) 및 ODR(Omni-Directional Reflector) 중 하나를 포함하며, 제1 연장부 및 제2 연장부는 활성층에서 생성되어 복수의 발광부 사이로 향하는 빛의 일부를 기판 측으로 반사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) The insulating reflective layer includes one of DBR (Distributed Bragg Reflector) and ODR (Omni-Directional Reflector), and the first extending portion and the second extending portion are formed in the active layer, To the semiconductor layer.

본 개시에 의하면, 복수의 발광부가 전기적으로 연결되어 구동되는 소자에서 각 발광부의 면적이 제한적이거나 작은 경우, 발광면적을 확보하고 전류 공급 및/또는 발광의 균일성이 좋은 전극 구조를 가지는 반도체 발광소자가 제공된다.According to the present disclosure, in a device in which a plurality of light emitting portions are electrically connected and driven, when the area of each light emitting portion is limited or small, a semiconductor light emitting device having an electrode structure having a light emitting area and good current supply and / Is provided.

또한, 본 예에서 연결 전극 및 전기적 연결은 각 발광부의 에지 측에서 에지를 따라 형성함으로써, 복수의 반도체층의 식각면적을 감소하고 금속에 의한 광흡수 손실도 줄이는 구조를 가진다. Further, in this example, the connection electrodes and the electrical connection are formed along the edge at the edge side of each light emitting portion, thereby reducing the etching area of the plurality of semiconductor layers and reducing the light absorption loss by the metal.

또한, 연결 전극의 연장부와 가지 전극이 각 발광부의 에지 측에 형성되므로, 에지 측에서 절연성 반사막의 반사효율이 떨어지는 영역으로 향하는 빛의 일부를 연장부나 가지 전극이 반사할 수 있고, 이로 인해 빛이 누설되는 양을 감소시킬 수 있어서 휘도 향상에도 기여할 수 있다.Since the extended portion and the branched electrode of the connecting electrode are formed on the edge side of each light emitting portion, the extended portion or branch electrode can reflect part of the light directed to the region where the reflection efficiency of the insulating reflecting film is lowered on the edge side, It is possible to reduce the leakage amount, thereby contributing to the improvement of the luminance.

제1 반도체층(30), 활성층(40), 제2 반도체층(50)
제1 발광부(101), 제2 발광부(102), 절연층(35), 절연성 반사층(R)
제1 전극(80), 제2 전극(70), 전기적 연결(81,71), 연결 전극(92)The first semiconductor layer 30, the active layer 40, the second semiconductor layer 50,
The first light emitting portion 101, the second light emitting portion 102, the insulating layer 35, the insulating reflecting layer R,
The first electrode 80, the second electrode 70, the electrical connections 81 and 71, the connection electrode 92,

Claims (10)

반도체 발광소자에 있어서,
기판 위에 서로 떨어져 형성된 제1 발광부 및 제2 발광부를 포함하는 복수의 발광부;로서, 각 발광부는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 발광부;
복수의 발광부를 전기적으로 연결하는 적어도 하나의 연결 전극;으로서, 각 연결 전극은 제1 발광부의 에지 측에서 제1 발광부의 에지를 따라 뻗는 제1 연장부와, 제2 발광부의 에지 측에서 제2 발광부의 에지를 따라 뻗는 제2 연장부와, 제1 연장부와 제2 연장부를 연결하는 연결부를 포함하는 적어도 하나의 연결 전극;
복수의 발광부, 및 적어도 하나의 연결 전극을 덮도록 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층;
절연성 반사층을 관통하여 제1 반도체층과 전기적으로 연통된 적어도 하나의 제1 전기적 연결;로서, 복수의 발광부 중 제1 연장부가 형성된 발광부에서 제1 연장부의 맞은편 에지 측에 제1 연장부와 대칭적으로 구비된 적어도 하나의 제1 전기적 연결;
절연성 반사층을 관통하여 제2 반도체층과 전기적으로 연통된 적어도 하나의 제2 전기적 연결;로서, 복수의 발광부 중 제2 연장부가 형성된 발광부에서 제2 연장부의 맞은편 에지 측에 제2 연장부와 대칭적으로 구비된 적어도 하나의 제2 전기적 연결;
절연성 반사층 위에 형성되어 적어도 하나의 제1 전기적 연결과 전기적으로 연결된 제1 상부 전극; 그리고,
절연성 반사층 위에 형성되어 적어도 하나의 제2 전기적 연결과 전기적으로 연결된 제2 상부 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
A semiconductor light emitting device comprising: a plurality of light emitting portions including a first light emitting portion and a second light emitting portion formed apart from each other on a substrate, wherein each light emitting portion includes a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, And a plurality of light emitting portions interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer that generates light by recombination of electrons and holes;
At least one connecting electrode electrically connecting the plurality of light emitting portions, wherein each connecting electrode includes a first extending portion extending along the edge of the first light emitting portion at the edge side of the first light emitting portion, and a second extending portion extending from the edge side of the second light emitting portion At least one connecting electrode including a second extending portion extending along the edge of the light emitting portion and a connecting portion connecting the first extending portion and the second extending portion;
An insulating reflecting layer formed to cover the plurality of light emitting portions and the at least one connecting electrode, the insulating reflecting layer reflecting light from the active layer;
At least one first electrical connection electrically connected to the first semiconductor layer through the insulating reflection layer, wherein at a light emitting portion formed with a first extending portion of the plurality of light emitting portions, At least one first electrical connection symmetrically provided;
At least one second electrical connection through the insulating reflective layer and in electrical communication with the second semiconductor layer, wherein at a light emitting portion having a second extending portion of the plurality of light emitting portions, At least one second electrical connection symmetrically provided;
A first upper electrode formed on the insulating reflective layer and electrically connected to the at least one first electrical connection; And,
And a second upper electrode formed on the insulating reflection layer and electrically connected to at least one second electrical connection. 청구항 1에 있어서,
제1 연장부는 제2 반도체층과 절연성 반사층 사이에서 뻗고,
제2 연장부는 제2 반도체층 및 활성층이 에지로부터 식각되어 노출된 제1 반도체층 위에서 제1 연장부와 나란하게 뻗는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The first extension extends between the second semiconductor layer and the insulating reflective layer,
Wherein the second extending portion extends in parallel with the first extending portion on the first semiconductor layer exposed by etching the second semiconductor layer and the active layer from the edge. 청구항 1에 있어서,
제1 연장부는 제2 발광부와 대향하는 제1 발광부의 에지 측에 구비되고,
제2 연장부는 제1 발광부와 대향하는 제2 발광부의 에지 측에 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The first extending portion is provided on the edge side of the first light emitting portion facing the second light emitting portion,
And the second extending portion is provided on the edge side of the second light emitting portion facing the first light emitting portion. 청구항 1에 있어서,
제1 발광부에서 제1 연장부는 제2 발광부와 대향하는 제1 발광부의 에지와 연결된 다른 에지 측에 구비되고,
제2 발광부에서 제2 연장부는 제1 발광부와 대향하는 제2 발광부의 에지와 연결된 다른 에지 측에 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The first extending portion of the first light emitting portion is provided on the other edge side connected to the edge of the first light emitting portion facing the second light emitting portion,
And the second extending portion of the second light emitting portion is provided on the other edge side connected to the edge of the second light emitting portion facing the first light emitting portion. 청구항 4에 있어서,
제1 발광부 및 제2 발광부의 서로 대향하는 에지들보다 제1 연장부 및 제2 연장부가 각기 구비된 제1 발광부 및 제2 발광부의 다른 에지의 길이가 더 짧은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 4,
Wherein a length of the other edge of the first light emitting portion and that of the second light emitting portion, each having the first extending portion and the second extending portion, are shorter than the edges of the first light emitting portion and the second light emitting portion, . 청구항 1에 있어서,
제2 전기적 연결의 개수가 제1 전기적 연결의 개수보다 많은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the number of the second electrical connections is greater than the number of the first electrical connections. 청구항 1에 있어서,
복수의 발광부는: 제2 발광부를 기준으로 제1 발광부의 반대 측에 순차로 구비되는 제3 발광부, 제4 발광부, 및 제5 발광부를 포함하며,
적어도 하나의 연결 전극은:
제1 발광부와 제2 발광부를 전기적으로 연결하는 제1 연결 전극;
제2 발광부와 제3 발광부를 전기적으로 연결하는 제2 연결 전극;
제3 발광부와 제4 발광부를 전기적으로 연결하는 제3 연결 전극; 그리고
제4 발광부와 제5 발광부를 전기적으로 연결하는 제4 연결 전극;을 포함하며,
제1 전기적 연결은 제1 발광부에 형성되고, 제2 전기적 연결은 제5 발광부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The plurality of light emitting units include: a third light emitting unit, a fourth light emitting unit, and a fifth light emitting unit, which are sequentially disposed on the opposite side of the first light emitting unit with respect to the second light emitting unit,
The at least one connecting electrode comprises:
A first connection electrode electrically connecting the first light emitting portion and the second light emitting portion;
A second connection electrode electrically connecting the second light emitting portion and the third light emitting portion;
A third connection electrode electrically connecting the third light emitting unit and the fourth light emitting unit; And
And a fourth connection electrode electrically connecting the fourth light emitting unit and the fifth light emitting unit,
Wherein the first electrical connection is formed in the first light emitting portion and the second electrical connection is formed in the fifth light emitting portion. 청구항 7에 있어서,
제1 발광부의 제1 반도체층 위에서 뻗으며 제1 전기적 연결과 연결되고, 제1 연결 전극의 제1 연장부와 대향하는 제1 가지 전극; 그리고
제5 발광부의 제2 반도체층과 절연성 반사층 사이에서 뻗으며 제2 전기적 연결과 연결되고, 제2 연결 전극의 제2 연장부와 대향하는 제2 가지 전극; 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 7,
A first branched electrode extending over the first semiconductor layer of the first light emitting portion and connected to the first electrical connection and facing the first extended portion of the first connecting electrode; And
A second branched electrode extending between the second semiconductor layer of the fifth light emitting portion and the insulating reflective layer and connected to the second electrical connection and facing the second extension of the second connection electrode; Wherein the semiconductor light emitting device comprises at least one of a light emitting diode and a light emitting diode. 청구항 1에 있어서,
제1 연장부 및 제2 연장부는 절연성 반사층의 높이차가 있는 영역에 구비된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first extending portion and the second extending portion are provided in a region where a height difference of the insulating reflecting layer is present. 청구항 9에 있어서,
절연성 반사층은 DBR(Distributed Bragg Reflector) 및 ODR(Omni-Directional Reflector) 중 하나를 포함하며,
제1 연장부 및 제2 연장부는 활성층에서 생성되어 복수의 발광부 사이로 향하는 빛의 일부를 기판 측으로 반사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 9,
The insulating reflective layer includes one of DBR (Distributed Bragg Reflector) and ODR (Omni-Directional Reflector)
Wherein the first extending portion and the second extending portion reflect a part of light generated in the active layer and directed toward the plurality of light emitting portions toward the substrate side.
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