KR101855202B1 - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하며, 성장 기판을 이용하여 성장되는 복수의 반도체층; 성장 기판의 반대 측에서 복수의 반도체층에 결합되는 절연성 반사막; 그리고 복수의 반도체층과 전기적으로 연결되며, 절연성 반사막 위에 서로 대향하게 형성되는 제1 전극 및 제2 전극;으로서, 적어도 하나가 복수의 서브 전극과 복수의 서브 전극을 연결하는 적어도 하나의 연결부를 가지며, 연결 방향과 직교하는 방향을 기준으로 각 연결부는 각 연결부에 의해 연결되는 각 서브 전극보다 작은 폭을 가지는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.A semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, a second semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A plurality of semiconductor layers which are grown using a growth substrate and have an active layer which generates light through recombination of the semiconductor layers; An insulating reflective film coupled to the plurality of semiconductor layers at an opposite side of the growth substrate; A first electrode and a second electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers and formed to face each other on the insulating reflection film, wherein at least one of the first electrode and the second electrode has at least one connection portion connecting the plurality of sub- And each of the connection portions includes a first electrode and a second electrode having a width smaller than that of each of the sub electrodes connected by the connection portions, with reference to a direction orthogonal to the connection direction.

Figure 112017060610678-pat00004
Figure 112017060610678-pat00004

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 열팽창 차이에 의한 손상을 방지한 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device that prevents damage due to a difference in thermal expansion.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다. Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The III-nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0 = x = 1, 0 = y = 1, 0 = x + y = 1). A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901,902,903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다.FIG. 1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, an n-type semiconductor layer 300 grown on the substrate 100, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, electrodes 901, 902 and 903 functioning as reflective films formed on the p-type semiconductor layer 500, And an n-side bonding pad 800 formed on the exposed n-type semiconductor layer 300.

이러한 구조의 칩, 즉 기판(100)의 일 측에 전극(901,902,903) 및 전극(800) 모두가 형성되어 있고, 전극(901,902,903)이 반사막으로 기능하는 형태의 칩을 플립 칩(filp chip)이라 한다. 전극(901,902,903)은 반사율이 높은 전극(901; 예: Ag), 본딩을 위한 전극(903; 예: Au) 그리고 전극(901) 물질과 전극(903) 물질 사이의 확산을 방지하는 전극(902; 예: Ni)으로 이루어진다. 이러한 금속 반사막 구조는 반사율이 높고, 전류 확산에 이점을 가지지만, 금속에 의한 빛 흡수라는 단점을 가진다. 또한, 금속 반사막이 전극이면서 방열통로가 될 수 있지만, 금속 반사막이 전극이면서 동시에 좋은 방열 구조를 가지는 데에는 한계가 많다.A chip having such a structure, that is, a chip in which both the electrodes 901, 902, 903 and the electrode 800 are formed on one side of the substrate 100 and the electrodes 901, 902, 903 function as a reflection film is called a flip chip . Electrodes 901,902 and 903 may be formed of a highly reflective electrode 901 (e.g., Ag), an electrode 903 (e.g., Au) for bonding, and an electrode 902 (not shown) to prevent diffusion between the electrode 901 material and the electrode 903 material. For example, Ni). Such a metal reflection film structure has a high reflectance and an advantage of current diffusion, but has a disadvantage of light absorption by a metal. In addition, although the metal reflection film can be an electrode and a heat dissipation path, there are many limitations in that the metal reflection film is an electrode and has a good heat dissipation structure.

도 2는 일본 공개특허공보 제2006-20913호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다. 이러한 구성에 의하면, 금속 반사막(904)에 의한 빛 흡수를 감소하지만, 전극(901,902,903)을 이용하는 것보다 상대적으로 전류 확산이 원활치 못한 단점이 있다. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, a buffer layer 200, a buffer layer 200 formed on the substrate 100, An active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, and a p-type semiconductor layer 500 grown on the n- A p-side bonding pad 700 formed on the transparent conductive film 600, and an n-side bonding pad (not shown) formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching 800). A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600. According to this structure, although the absorption of light by the metal reflection film 904 is reduced, the current diffusion is less smooth than that using the electrodes 901, 902, and 903.

도 3은 미국 공개특허공보 제2012/0171789에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 회로 기판(3)에 형성된 단자(3)에 범프(5)가 접합되어 실장된 발광소자가 제시되어 있다. 발광소자 전극들 사이에는 절연체(7)가 개재되어 있다. 방열의 측면에서 전극과 회로 기판의 단자를 통한 방열통로는 매우 제한적이고, 방열 면적이 작다.3 is a diagram showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2012/0171789, in which a light emitting device in which bumps 5 are bonded to terminals 3 formed on a circuit board 3 is presented have. An insulator 7 is interposed between the light emitting element electrodes. The heat dissipation path through the electrodes and the terminals of the circuit board on the side of the heat dissipation is very limited and the heat dissipation area is small.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하며, 성장 기판을 이용하여 성장되는 복수의 반도체층; 성장 기판의 반대 측에서 복수의 반도체층에 결합되는 절연성 반사막; 그리고 복수의 반도체층과 전기적으로 연결되며, 절연성 반사막 위에 서로 대향하게 형성되는 제1 전극 및 제2 전극;으로서, 적어도 하나가 복수의 서브 전극과 복수의 서브 전극을 연결하는 적어도 하나의 연결부를 가지며, 연결 방향과 직교하는 방향을 기준으로 각 연결부는 각 연결부에 의해 연결되는 각 서브 전극보다 작은 폭을 가지는 제1 전극 및 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device, a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, A plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer for generating light through recombination of electrons and holes, the semiconductor layers being grown using a growth substrate; An insulating reflective film coupled to the plurality of semiconductor layers at an opposite side of the growth substrate; A first electrode and a second electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers and formed to face each other on the insulating reflection film, wherein at least one of the first electrode and the second electrode has at least one connection portion connecting the plurality of sub- And each of the connection portions includes a first electrode and a second electrode having a width smaller than that of each of the sub electrodes connected by the connection portions, with reference to a direction orthogonal to the connection direction.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-20913호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 공개특허공보 제2012/0171789에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 5는 도 4의 A-A 선을 따라 취한 단면의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 8은 도 7의 B-B 선을 따라 취한 단면의 일 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 12 및 도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 사용 예들을 설명하기 위한 도면들.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-20913,
3 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2012/0171789,
4 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
5 is a view showing an example of a cross section taken along line AA in FIG. 4,
6 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
7 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
Fig. 8 is a view showing an example of a cross section taken along the line BB in Fig. 7,
9 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
11 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
12 and 13 are views for explaining use examples of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 도 5의 A-A 선을 따라 취한 단면의 일 예를 나타내는 도면이다. 반도체 발광소자는 복수의 반도체층(30,40,50), 제1 가지 전극(85) 및 제2 가지 전극(75) 중 적어도 하나, 절연성 반사막(R), 제1 전극(80), 및 제2 전극(70)을 포함한다. 제1 전극(80) 복수의 서브 전극(80a)과 복수의 서브 전극(80a)을 연결하는 적어도 하나의 연결부(80b)를 포함한다. 제2 전극(70) 복수의 서브 전극(70a)과 복수의 서브 전극(70a)을 연결하는 적어도 하나의 연결부(70b)를 포함한다. FIG. 4 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 6 is a view showing an example of a cross section taken along the line A-A in FIG. The semiconductor light emitting element includes at least one of a plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50, a first branched electrode 85 and a second branched electrode 75, an insulating reflective film R, a first electrode 80, Two electrodes 70 are formed. The first electrode 80 includes a plurality of sub electrodes 80a and at least one connection part 80b connecting the plurality of sub electrodes 80a. The second electrode 70 includes at least one connection portion 70b connecting a plurality of sub-electrodes 70a and a plurality of sub-electrodes 70a.

전극(80,70)과 절연성 반사막(R)은 열팽창 계수가 차이가 있어서, 장시간 사용 중 또는 제조 공정 중에 전극(80,70)이 절연성 반사막(R)과의 접합력이 저하될 수 있다. 본 예에서, 전극(80,70)은 복수의 서브 전극(80a,70a)으로 분할(segmentation)되어 있고, 연결부(80b,70b)에 의해 연결되므로, 각 서브 전극(80a,70a) 간에는 열팽창에 대한 완충 영역(R80,R70)이 있게 된다. 따라서, 열팽창에 의한 상기 문제점이 억제 내지 방지될 수 있다. 또한, 전극(80,70)이 하나의 통으로 형성되지 않고, 연결부(80b,70b)에 의해 연결됨에 따라 전체적으로 전극(80,70)의 면적을 줄이는 데 유리하며, 절연성 반사막(R) 위에 전극(80,70)의 면적이 감소할수록 휘도가 향상됨을 본 발명자들은 알게 되었다.The electrodes 80 and 70 and the insulating reflective film R may have different thermal expansion coefficients so that the bonding strength of the electrodes 80 and 70 to the insulating reflective film R may decrease during long use or during the manufacturing process. In this example, the electrodes 80 and 70 are segmented into a plurality of sub-electrodes 80a and 70a, and are connected by the connection portions 80b and 70b, so that the thermal expansion between the sub- There are buffer regions R80 and R70. Therefore, the aforementioned problems due to thermal expansion can be suppressed or prevented. In addition, since the electrodes 80 and 70 are not formed as one barrel but are connected by the connection portions 80b and 70b, it is advantageous to reduce the area of the electrodes 80 and 70 as a whole, 80, and 70), the brightness is improved.

이하, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다.Hereinafter, a group III nitride semiconductor light emitting device will be described as an example.

기판(10)으로 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 기판(10)은 최종적으로 제거될 수 있다. 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다. The substrate 10 is mainly made of sapphire, SiC, Si, GaN or the like, and the substrate 10 can be finally removed. The positions of the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 may be changed, and they are mainly composed of GaN in the III-nitride semiconductor light emitting device.

복수의 반도체층(30,40,50)은 기판(10) 위에 형성된 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: Mg 도핑된 GaN) 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예: InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조)을 포함한다. 복수의 반도체층(30,40,50) 각각은 다층으로 이루어질 수 있고, 버퍼층(20)은 생략될 수 있다. The plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may include a buffer layer 20 formed on the substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (e.g., Si-doped GaN) A second semiconductor layer 50 (e.g., Mg-doped GaN) having conductivity, and an active layer interposed between the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 and generating light through recombination of electrons and holes 40, e.g., InGaN / (In) GaN multiple quantum well structure). Each of the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may have a multi-layer structure, and the buffer layer 20 may be omitted.

복수의 반도체층(30,40,50)은 대략 사각 형상을 가지고, 위에서 볼 때, 서로 대향하는 긴 에지들(long edges)과 서로 대향하는 2개의 짧은 에지들(short edges)을 가진다. 제2 반도체층(50) 및 활성층(40)이 식각되어 제1 반도체층이 노출되는 n-contact 영역(65)이 형성된다. n-contact 영역(65)에는 제1 가지 전극(85)이 형성되며, 전술한 바와 같이, 제1 가지 전극(85)은 일 측 긴 에지의 인근으로부터 타 측 긴 에지를 향하는 방향으로 뻗어 있다. 제2 가지 전극(75)은 제2 반도체층(50) 위에서 타 측 긴 에지로부터 일 측 긴 에지를 향하여 뻗는다.The plurality of semiconductor layers 30, 40, 50 have a substantially rectangular shape and have long edges facing each other and two short edges facing each other when viewed from above. The second semiconductor layer 50 and the active layer 40 are etched to form an n-contact region 65 in which the first semiconductor layer is exposed. A first branch electrode 85 is formed in the n-contact region 65 and, as described above, the first branch electrode 85 extends from the vicinity of one long edge to the other long edge. The second branched electrode 75 extends from the other long edge to the one long edge on the second semiconductor layer 50.

바람직하게는 전류 확산 전극(60; 예: ITO,Ni/Au)이 제2 반도체층(50)과 절연성 반사막(R) 사이에 형성된다. 기판(10) 상에 제1 반도체층(30), 활성층(40), 제2 반도체층(50), 전류 확산 전극(60)을 형성하고, 메사식각하여 전술된 n-contact 영역(65)을 형성할 수 있다. 메사식각은 전류 확산 전극(60) 형성 전 또는 이후에 수행될 수도 있다. 전류 확산 전극(60)은 생략될 수 있다. Preferably, a current diffusion electrode 60 (e.g., ITO, Ni / Au) is formed between the second semiconductor layer 50 and the insulating reflection film R. The first semiconductor layer 30, the active layer 40, the second semiconductor layer 50 and the current diffusion electrode 60 are formed on the substrate 10 and mesa-etched to form the n-contact region 65 . The mesa etching may be performed before or after the current diffusion electrode 60 is formed. The current diffusion electrode 60 may be omitted.

제2 가지 전극(75)은 전류 확산 전극(60) 위에서 타 측 긴 에지의 인근으로부터 일 측 긴 에지를 향하는 방향으로 뻗어 있다. 복수의 제1 가지 전극(85)과 복수의 제2 가지 전극(75)이 교대로 구비된다. 제1 가지 전극(85) 및 제2 가지 전극(75)은 복수의 금속층으로 이루어질 수 있으며, 제1 반도체층(30) 또는 전류 확산 전극(60)과의 전기적 접촉이 좋은 접촉층과 광반사성이 좋은 반사층 등을 구비할 수 있다.The second branched electrode 75 extends from the neighborhood of the other long edge on the current spreading electrode 60 in the direction toward the one long edge. A plurality of first branched electrodes 85 and a plurality of second branched electrodes 75 are alternately provided. The first branched electrode 85 and the second branched electrode 75 may be formed of a plurality of metal layers and may have a contact layer with good electrical contact with the first semiconductor layer 30 or the current spreading electrode 60, A good reflective layer and the like can be provided.

본 예에서, 제1 가지 전극(85)은 제2 전극(70)의 완충 영역(R70), 즉 서브 전극(70a) 사이의 연결부(70b)에 의해 덮이지 않은 영역을 피하여, 제2 전극(70)의 아래로 뻗어 있다. 또한, 제2 가지 전극(75)은 제1 전극(80)의 완충 영역(R80), 즉 서브 전극(80a) 사이의 연결부(80b)에 의해 덮이지 않은 영역을 피하여, 제1 전극(80)의 아래로 뻗어 있다.In this example, the first branch electrode 85 avoids a region not covered by the buffer region R70 of the second electrode 70, that is, the connection portion 70b between the sub-electrodes 70a, 70). The second branch electrode 75 is formed on the first electrode 80 to avoid a region not covered by the buffer region R80 of the first electrode 80, that is, the connection portion 80b between the sub- Lt; / RTI >

절연성 반사막(R)은 전류 확산 전극(60), 제1 가지 전극(85), 및 제2 가지 전극(75)을 덮도록 형성되며, 활성층(40)으로부터의 빛을 기판(10) 측으로 반사한다. 본 예에서 절연성 반사막(R)은 금속 반사막에 의한 광흡수 감소를 위해 절연성 물질로 형성되며, 바람직하게는 분포 브래그 리플렉터(Distributed Bragg Reflector), 전방향 리플렉터(ODR; Omni-Directional Reflector), 등을 포함하는 다층 구조일 수 있다.The insulating reflective film R is formed to cover the current spreading electrode 60, the first branched electrode 85 and the second branched electrode 75 and reflects light from the active layer 40 toward the substrate 10 . In this embodiment, the insulating reflective film R is formed of an insulating material for reducing light absorption by the metal reflective film, and preferably includes a distributed Bragg reflector, an omni-directional reflector (ODR) Layer structure.

본 예에서, 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)은 절연성 반사막(R) 위에 구비된다. 이와 다른 예로서, 제2 반도체층(50) 위에 금속 반사막이 구비되고, 제2 전극(70)이 금속 반사막 위에 구비되며, 메사식각으로 노출된 제1 반도체층(30)과 제1 전극(80)이 연통될 수 있다.In this example, the first electrode 80 and the second electrode 70 are provided on the insulating reflective film R. Alternatively, the first semiconductor layer 30 and the first electrode 80 may be formed on the second semiconductor layer 50, the second electrode 70 may be formed on the metal reflective layer, Can be communicated.

본 예에서, 제1 전기적 연결(81)은 절연성 반사막(R)을 관통하여 제1 전극(80)과 제1 가지 전극(85)을 연결한다. 제2 전기적 연결(71)은 절연성 반사막(R)을 관통하여 제2 전극(70)과 전류 확산 전극(60)을 전기적으로 연결한다.In this example, the first electrical connection 81 connects the first electrode 80 and the first branched electrode 85 through the insulating reflection film R. The second electrical connection 71 penetrates the insulating reflection film R to electrically connect the second electrode 70 and the current diffusion electrode 60.

제1 전극(80)은 일 측 긴 에지 측 절연성 반사막(R) 위에 구비되며, 제2 전극(70)은 타 측 긴 에지 측 절연성 반사막(R) 위에 구비된다. 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)은 각각 복수의 서브 전극(80a,70a), 및 적어도 하나의 연결부(80b,70b)를 포함한다. 제1 전극(80)에 있어서, 복수의 서브 전극(80a)은 상기 일 측 긴 에지를 따라 일렬로 배열되어 있고, 복수의 연결부(80b)에 의해 연결되어 있다. 제2 전극(70)에 있어서, 복수의 서브 전극(70a)은 상기 타측 측 긴 에지를 따라 일렬로 배열되어 있고, 복수의 연결부(70b)에 의해 연결되어 있다. 연결부(80b,70b)에 의한 연결 방향에 대해 직교하는 방향으로의 폭에 있어서, 각 연결부(80b,70b)는 연결부(80b,70b)에 의해 연결되는 각 서브 전극(80a,70a)보다 작은 폭을 가진다. 연결부(80b,70b)는 복수의 서브 전극(80a,70a)을 연결하는 다리(bridge)로 볼 수 있다. 따라서, 이웃한 서브 전극(80a,70a)들 사이의 연결부(80b,70b)에 의해 덮이지 않은 완충 영역(R80,R70)은 절연성 반사막(R)이 노출된다. 본 예에서 연결 방향에 직교하는 방향으로 볼 때, 각 연결부(80b,70b)는 연결되는 각 서브 전극(80a,70a)의 대략 중앙에 위치한다. 또는, 연결 방향에 직교하는 방향으로 볼 때, 각 연결부(80b,70b)는 연결되는 각 서브 전극(80a,70a)의 에지들로부터 내측으로 들어가 있다. 물론 상기 직교하는 방향으로 볼 때, 각 연결부(80b,70b)는 각 서브 전극(80a,70a)의 가장자리, 또는 에지에 위치할 수도 있다. The first electrode 80 is provided on one long edge side insulating reflective film R and the second electrode 70 is provided on the other long edge side insulating reflective film R. [ The first electrode 80 and the second electrode 70 each include a plurality of sub electrodes 80a and 70a and at least one connection part 80b and 70b. In the first electrode 80, a plurality of sub-electrodes 80a are arranged in a line along one side long edge, and are connected by a plurality of connection portions 80b. In the second electrode 70, a plurality of sub-electrodes 70a are arranged in a line along the other long side edge, and are connected by a plurality of connection portions 70b. The connection portions 80b and 70b are formed so as to have a smaller width than each of the sub electrodes 80a and 70a connected by the connection portions 80b and 70b in the width in the direction orthogonal to the connection direction by the connection portions 80b and 70b. . The connection portions 80b and 70b may be viewed as a bridge connecting the plurality of sub electrodes 80a and 70a. The insulating reflective film R is exposed to the buffer regions R80 and R70 not covered by the connection portions 80b and 70b between the adjacent sub electrodes 80a and 70a. In this example, when viewed in a direction orthogonal to the connection direction, the connection portions 80b and 70b are located approximately at the center of each of the sub-electrodes 80a and 70a to be connected. Alternatively, when viewed in a direction orthogonal to the connection direction, the connection portions 80b and 70b enter inward from the edges of the sub electrodes 80a and 70a to be connected. Of course, in the orthogonal direction, the connection portions 80b and 70b may be located at the edges or edges of the sub-electrodes 80a and 70a.

제1 전극(80) 및 제2 전극(70)은 외부 전극과의 전기적 연결용 전극으로서, 외부 전극과 유테틱 본딩되거나, 솔더링되거나 또는 와이어 본딩도 가능하다. 외부전극은 서브마운트에 구비된 도통부, 패키지의 리드 프레임, PCB에 형성된 전기 패턴 등일 수 있으며, 반도체 발광소자와 독립적으로 구비된 도선이라면 그 형태에 특별한 제한이 있는 것은 아니다.The first electrode 80 and the second electrode 70 are electrodes for electrical connection with external electrodes, and may be eutectic-bonded, soldered, or wire-bonded with external electrodes. The external electrode may be a conductive part provided on the submount, a lead frame of the package, an electric pattern formed on the PCB, or the like, and the shape of the lead wire provided independently of the semiconductor light emitting element is not particularly limited.

이러한 외부 전극과 연결과정, 또는 제조 공정에서 열로 인해 절연성 반사막(R)과 전극 사이에 응력이 작용하여 전극이 절연성 반사막(R)으로부터 벗겨지겨나 접합력이 저하될 수 있지만, 본 예에서는 복수의 서브 전극(80a,70a) 사이에는 연결부(80b,70b)에 의해 덮이지 않은 완충 영역(R80,R70)이 형성된다. 이로 인해 상기 벗겨짐 또는 접합력 저하가 억제 내지 방지될 수 있다. 특히 반도체 발광소자의 사이즈가 커서 전극 사이즈도 길거나 넓어지는 경우, 열팽창 차이가 문제가 더 될 수 있으며, 이러한 경우 본 예와 같이 전극이 복수의 서브 전극(80a,70a)으로 분할되고, 연결부(80b,70b)에 의해 연결되는 구성이 상기 문제를 해소해 줄 수 있다.Stress may be applied between the insulating reflection film R and the electrode due to heat in the connection process with the external electrode or in the manufacturing process so that the electrode may be peeled off from the insulating reflection film R and the bonding force may be lowered. Buffer regions R80 and R70 not covered by the connection portions 80b and 70b are formed between the electrodes 80a and 70a. This can suppress or prevent the peeling or the decrease in bonding force. Particularly, when the size of the semiconductor light emitting device is large and the electrode size is long or wide, a difference in thermal expansion may become a problem. In this case, the electrode is divided into a plurality of sub electrodes 80a and 70a, And 70b can solve the above-described problem.

한편, 제1 가지 전극(85) 및 제2 가지 전극(75)이 긴 변을 따라 뻗는 경우 n-contact 영역(65)이 본 예보다 훨씬 더 길어 진다. 따라서, 활성층(40)이 그만큼 더 많이 제거되어 발광면적이 더 감소한다. 즉, 도 4 및 도 5에 제시된 소자에서, 제1 가지 전극(85)을 일 측 긴 에지로부터 타 측 긴 에지를 향하는 방향 또는 그 반대 방향으로 향하게 형성하면, 발광면적 감소를 줄일 수 있고, 휘도가 향상된다. 또한, 제1 가지 전극(85) 및 제2 가지 전극(75)의 길이가 더 짧아 질 수 있다. 따라서, 가지 전극(75,85) 같은 금속에 의한 광흡수 손실도 줄일 수 있어서, 휘도가 향상된다. 뿐만 아니라 도 4 및 도 5에 제시된 소자의 예는 외부 전극에 실장될 때도 가지 전극이 긴 변을 따라 연장되는 소자에 비해 장점을 가지게 된다. On the other hand, when the first branch electrode 85 and the second branch electrode 75 extend along the long side, the n-contact region 65 becomes much longer than the present example. Therefore, the active layer 40 is more removed as much as the light emitting area is further reduced. In other words, in the device shown in Figs. 4 and 5, if the first branched electrode 85 is formed so as to be directed from one side long edge toward the other long edge or vice versa, reduction of the light emitting area can be reduced, . In addition, the lengths of the first branched electrode 85 and the second branched electrode 75 can be made shorter. Therefore, the light absorption loss due to the metal such as the branched electrodes 75 and 85 can be reduced, and the luminance is improved. In addition, the example of the device shown in Figs. 4 and 5 has an advantage over the device in which the branch electrode extends along the long side even when mounted on the external electrode.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 가지 전극(85,75)이 긴 변을 따라 뻗어 있다. 전극(80,70)이 상대적으로 길지 않은 경우, 서브 전극(80a,70a)의 개수도 감소되며, 연결부(80b,70b)의 개수도 감소된다. 이웃한 서브 전극(80a,70a) 사이의 연결부(80b,70b)에 의해 덮이지 않은 완충 영역(R80,R70)은 도 4에 제시된 예보다 더 넓게 할 수 있다. 즉, 상기 완충 영역(R80,R70)은 단순히 전극(80,70)의 에지에 노치를 내는 형태를 더 넘어서 도 6에 제시된 바와 같이, 연결부(80b,70b)에 버금가는 상당한 넓이, 예를 들어, 연결부(80b,70b)의 1/2 이상의 넓이를 가지도록 형성하는 실시예도 고려할 수 있다.FIG. 6 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which branch electrodes 85 and 75 extend along long sides. When the electrodes 80 and 70 are not relatively long, the number of the sub-electrodes 80a and 70a is also reduced, and the number of the connection portions 80b and 70b is also reduced. The buffer regions R80 and R70 not covered by the connection portions 80b and 70b between the adjacent sub electrodes 80a and 70a can be wider than the example shown in FIG. That is, the buffer regions R80 and R70 may have a considerable width similar to the connection portions 80b and 70b, for example, as shown in FIG. 6, rather than simply notching the edges of the electrodes 80 and 70, And the width of the connection portions 80b and 70b is not less than 1/2.

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 8는 도 7의 B-B 선을 따라 취한 단면의 일 예를 나타내는 도면이다. 본 예에서, 섬형(island type) 오믹 전극(72,82), 및 광흡수 방지막(41)이 추가되고,절연성 반사막(R)의 다층 구조의 일 예가 제시되어 있다. 도 4에서 설명된 예에 비하여 서브 전극(80a,70a)들 간의 거리가 더 멀어지고, 연결부(80b,70b) 대비 완충 영역(R80,R70)의 면적이 증가하였다. 본 예에서, 제1 가지 전극(85)은 제2 전극(70)의 연결부(70b) 아래로 뻗어 있고, 또한, 제2 가지 전극(75)은 제1 전극(80)의 연결부(80b) 아래로 뻗어 있다. FIG. 7 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 8 is a view showing an example of a cross section taken along the line B-B in FIG. In this example, island type ohmic electrodes 72 and 82 and a light absorption prevention film 41 are added, and an example of a multilayer structure of the insulating reflection film R is shown. The distance between the sub electrodes 80a and 70a is further increased and the areas of the buffer regions R80 and R70 are increased compared with the connection portions 80b and 70b as compared with the example described with reference to FIG. The first branched electrode 85 extends below the connecting portion 70b of the second electrode 70 and the second branched electrode 75 extends below the connecting portion 80b of the first electrode 80. In this example, .

가지 전극(75,85)이 긴 에지들을 향하여 뻗으며, 짧은 에지보다 짧게 형성된다. 제1 섬형 오믹 전극(82)은 제1 반도체층(30)과, 제1 전기적 연결(81) 사이에 개재되어 접촉 저항을 감소하고, 전기적 연결의 안정성을 향상한다. 제2 섬형 오믹 전극(72)은 전류 확산 전극(60)과 제2 전기적 연결(71) 사이에 개재되어 접촉 저항을 감소하고, 전기적 연결의 안정성을 향상한다. 전기적 연결(71,81)이 섬형 오믹 전극(72,82)을 감싸도록 형성되어 더욱 안정적으로 전기적 연결을 이룬다. 섬형 오믹 전극(72,82)은 가지 전극(75,85)과 다르게 뻗지(extending) 않고, 원형, 다각형 등 점형으로 형성되며, 가지 전극(75,85)이 불필요하게 길어지는 것을 방지한다. Branch electrodes 75 and 85 extend toward longer edges and are formed shorter than short edges. The first island-like Ohmic electrode 82 is interposed between the first semiconductor layer 30 and the first electrical connection 81 to reduce the contact resistance and improve the stability of the electrical connection. The second island-like Ohmic electrode 72 is interposed between the current diffusion electrode 60 and the second electrical connection 71 to reduce the contact resistance and improve the stability of the electrical connection. The electrical connections 71 and 81 are formed to surround the island-like Ohmic electrodes 72 and 82 so that electrical connection is established more stably. The island-like Ohmic electrodes 72 and 82 do not extend unlike the branched electrodes 75 and 85 but are formed in a circular or polygonal shape to prevent the branched electrodes 75 and 85 from being unnecessarily extended.

광흡수 방지막(41)은 SiO2, TiO2 등을 사용하여 제2 반도체층(50)과 전류 확산 전극(60) 사이에 제2 가지 전극(75) 및 제2 섬형 오믹 전극(72)에 대응하여 형성될 수 있다. 광흡수 방지막(41)은 활성층(40)에서 발생된 빛의 일부 또는 전부를 반사하는 기능만을 가져도 좋고, 제2 가지 전극(75) 및 제2 섬형 오믹 전극(72)으로부터 바로 아래로 전류가 흐르지 못하도록 하는 기능만을 가져도 좋고, 양자의 기능을 모두 가져도 좋다.The light absorption preventing film 41 is made of SiO 2 , TiO 2 May be formed between the second semiconductor layer 50 and the current diffusion electrode 60 using the second island electrode 75 and the second island-like Ohmic electrode 72, The light absorption preventing film 41 may have a function of reflecting a part or all of the light generated in the active layer 40 and may have a function of reflecting a current immediately below the second branched electrode 75 and the second island- It may have only the function of not allowing it to flow, and it may have both functions of both.

절연성 반사막(R)은, 다층 구조의 일 예로, 유전체막(91b), 분포 브래그 리플렉터(91a) 및 클래드막(91c)을 포함한다. 유전체막(91b)은 높이차를 완화하여 분포 브래그 리플렉터(91a)를 안정적으로 제조할 수 있게 되며, 빛의 반사에도 도움을 줄 수 있다. 유전체막(91b)의 재질은 SiO2가 적당하다. 분포 브래그 리플렉터(91a)는 유전체막(91b) 위에 형성된다. 분포 브래그 리플렉터(91a)는 반사율이 다른 물질의 반복 적층, 예를 들어, SiO2/TiO2, SiO2/Ta2O2, 또는 SiO2/HfO의 반복 적층으로 이루어질 수 있으며, Blue 빛에 대해서는 SiO2/TiO2가 반사효율이 좋고, UV 빛에 대해서는 SiO2/Ta2O2, 또는 SiO2/HfO가 반사효율이 좋을 것이다. 클래드막(91c)은 Al2O3와 같은 금속 산화물, SiO2, SiON와 같은 유전체막(91b), MgF, CaF, 등의 물질로 이루어질 수 있다.The insulating reflective film R includes, for example, a dielectric film 91b, a distributed Bragg reflector 91a, and a clad film 91c as a multilayer structure. The dielectric film 91b relaxes the difference in height, thereby making it possible to stably manufacture the distributed Bragg reflector 91a and also to help reflections of light. SiO 2 is suitable for the material of the dielectric film 91b. The distribution Bragg reflector 91a is formed on the dielectric film 91b. Distributed Bragg reflector (91a) is the reflectance can be made repeatedly stacked, for example, SiO 2 / TiO 2, SiO 2 / Ta 2 O 2, or a repeating stack of SiO 2 / HfO of other materials, as for the Blue Light The reflection efficiency of SiO 2 / TiO 2 is good, and the reflection efficiency of SiO 2 / Ta 2 O 2 or SiO 2 / HfO is good for UV light. A clad layer (91c) may be formed of a dielectric film (91b), material of MgF, CaF, such as a metal oxide, SiO 2, SiON, such as Al 2 O 3.

DBR과 같은 비도전성 반사막(91) 위에 전극(70,80)이 위치하는 경우에, 전극(70,80)에 의해 빛이 흡수되지만, 전극(70,80)을 Ag, Al과 같이 반사율이 높은 금속으로 구성하는 경우에 반사율을 높일 수 있는 것으로 알려져 왔다. 또한, 전극(70,80)은 본딩 패드, 반도체 발광소자의 방열을 위해서도 기능해야 하므로, 이러한 요소를 고려하여 그 크기를 결정해야 한다. 그러나 본 발명자들은 DBR과 같은 절연성 반사막(R)이 이용되는 경우에 그 위에 놓이는 전극(70,80)의 크기를 줄일수록 비도전성 반사막(91)에 의한 광 반사율이 높아진다는 것을 확인하였으며, 이러한 실험 결과는 본 개시에서 전극(70,80)의 크기를 종래에 생략할 수 없었던 범위로 줄일 수 있는 계기를 제공하였다.Light is absorbed by the electrodes 70 and 80 when the electrodes 70 and 80 are positioned on the non-conductive reflective film 91 such as a DBR. However, when the electrodes 70 and 80 are made of Ag It has been known that the reflectance can be increased in the case of a metal. In addition, since the electrodes 70 and 80 must also function to dissipate heat of the bonding pads and the semiconductor light emitting element, the sizes of the electrodes 70 and 80 must be determined in consideration of these factors. However, the present inventors have confirmed that when the insulating reflective film R such as DBR is used, the light reflectance by the non-conductive reflective film 91 increases as the size of the electrodes 70 and 80 placed thereon is reduced. The results provided an opportunity to reduce the size of the electrodes 70, 80 in the present disclosure to a range that could not be conventionally omitted.

본 예에서, 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)은 복수의 서브 전극(80a,70a)으로 분할되어 있어서, 전극 면적을 줄이기 유리한 구조이며, 연결부(80b,70b)를 사용하여 복수의 서브 전극(80a,70a)이 모두 연결되게 하여 전기적 연결이 편중되는 것이 방지된다. 또한 연결부(80b,70b)에 의한 완충 영역(R80,R70)이 형성됨으로써, 열팽창시 응역을 완화하여 벗겨짐 등이 방지된다.In this example, the first electrode 80 and the second electrode 70 are divided into a plurality of sub-electrodes 80a and 70a, which is advantageous in reducing the electrode area. By using the connecting portions 80b and 70b, The sub-electrodes 80a and 70a of the sub-electrodes 80a and 70a are all connected to prevent the electrical connection from being concentrated. Further, the buffer regions R80 and R70 formed by the connecting portions 80b and 70b are formed, thereby relieving the reaction at the time of thermal expansion and preventing peeling.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하는 도면으로서, 본 예에서, 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)은 각각 복수의 서브 전극(80a,70a)과 이들을 연결하는 복수의 연결부(80b,70b)를 포함한다. 제1 가지 전극(85)은 제2 전극(70)의 연결부(70b) 아래로 지나가지 않고, 제2 전극(70)의 완충부에 대응하도록 뻗어 있다. 제2 가지 전극(75)은 제1 전극(80)의 연결부(80b) 아래로 지나가지 않고, 제1 전극(80)의 완충 영역(R80)에 대응하도록 뻗어 있다. 이와 같이 완충 영역(R80,R70) 아래에 가지 전극(85,75)을 형성하여 가지 전극(85,75)에 의한 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)에서 요철 발생을 감소할 수 있다.9 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. In this example, the first electrode 80 and the second electrode 70 are respectively composed of a plurality of sub electrodes 80a and 70a, And includes a plurality of connecting portions 80b and 70b for connecting. The first branch electrode 85 does not pass under the connection portion 70b of the second electrode 70 but extends to correspond to the buffer portion of the second electrode 70. [ The second branched electrode 75 does not pass below the connecting portion 80b of the first electrode 80 but extends to correspond to the buffer region R80 of the first electrode 80. [ Branch electrodes 85 and 75 are formed below the buffer regions R80 and R70 so that the generation of ruggedness can be reduced in the first electrode 80 and the second electrode 70 by the branch electrodes 85 and 75 have.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)이 각각 복수의 서브 전극(80a,70a)으로 분할되어 있고, 복수의 서브 전극(80a,70a)이 긴 변을 따라 배열되고, 연결부(80b,70b)에 의해 연결된다. 제1 가지 전극(85)은 제2 전극(70)의 아래로 뻗지 않고, 대략 긴 변을 따라 길게 뻗는 가지(85b)와 전기적 연결(81)에 연결되는 가지(85a)를 가진다. 제2 가지 전극(75)은 단변 측을 따라 뻗는 가지(75a)와 긴 변을 따라 뻗는 가지(75b)를 가진다.10 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure in which the first electrode 80 and the second electrode 70 are divided into a plurality of sub electrodes 80a and 70a, A plurality of sub-electrodes 80a and 70a are arranged along the long side and are connected by the connection portions 80b and 70b. The first branched electrode 85 does not extend under the second electrode 70 but has branches 85b extending long along substantially the long sides and branches 85a connected to the electrical connection 81. The second branched electrode 75 has a branch 75a extending along the short side and a branch 75b extending along the long side.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 복수의 서브 전극(75a)이 긴변을 따라 배열되며, 복수의 연결부(75b)가 복수의 서브 전극(75a)을 연결하되 지그재그 형태로 배열되어 있다. 복수의 서브 전극(75a)이 열팽창 시에 복수의 연결부(75b)가 지그재그로 배열되어 있으면, 복수의 서브 전극(75a)이 절연성 반사막(R)으로부터 벗겨지도록 하는 응력을 완화하는 데에 도움이 될 수 있다.11 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present invention, in which a plurality of sub-electrodes 75a are arranged along a long side, and a plurality of connecting portions 75b are connected to a plurality of sub- But they are arranged in a zigzag form. The arrangement of the plurality of connection portions 75b in a zigzag manner when the plurality of sub-electrodes 75a are thermally expanded helps to relieve the stress that the plurality of sub-electrodes 75a are peeled off from the insulating reflection film R .

도 12 및 도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 사용 예를 설명하기 위한 도면들로서, 복수의 반도체 발광소자(101,102,103)가 플레이트(200) 위에 실장되어 있다. 플레이트(200)는 제1 도전부(201), 제2 도전부(202), 및 절연부(203)를 포함한다. 반도체 발광소자(101)의 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)은 각각 제1 도전부(201) 및 제2 도전부(202)와 접합된다. 절연부(203)는 제1 도전부(201) 및 제2 도전부(202)의 사이에 개재되며, 제1 전극(80)과 제2 전극(70)의 사이에 대응한다. 제1 도전부(201) 및 제2 도전부(202)가 상하로 노출되며, 절연부(203)는 상하로 도전부(201,202)를 덮지 않아서 방열에 매우 효과적이다. 제1 도전부(201) 및 제2 도전부(202)가 교대로 형성되며, 각 도전부에는 이웃한 반도체 발광소자들의 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)이 접합되어 복수의 반도체 발광소자(101,102,103)가 직렬연결된다. 물론 병렬연결도 가능하다.FIGS. 12 and 13 are diagrams for explaining an example of use of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, wherein a plurality of semiconductor light emitting devices 101, 102, and 103 are mounted on a plate 200. The plate 200 includes a first conductive portion 201, a second conductive portion 202, and an insulating portion 203. The first electrode 80 and the second electrode 70 of the semiconductor light emitting device 101 are bonded to the first conductive portion 201 and the second conductive portion 202, respectively. The insulating portion 203 is interposed between the first conductive portion 201 and the second conductive portion 202 and corresponds between the first electrode 80 and the second electrode 70. The first conductive portion 201 and the second conductive portion 202 are exposed upward and downward and the insulating portion 203 does not cover the conductive portions 201 and 202 in the vertical direction and is very effective in heat dissipation. The first conductive portion 201 and the second conductive portion 202 are alternately formed and the first electrode 80 and the second electrode 70 of the adjacent semiconductor light emitting devices are bonded to the respective conductive portions, The light emitting devices 101, 102, and 103 are connected in series. Of course, parallel connection is possible.

도 4, 도 7, 도 10, 및 도 11에서 설명된 반도체 발광소자는 제1 전극(80) 및 제2 전극(70)이 각각 일 측 및 타 측 긴 에지 인근에 구비되어 있어서 복수의 반도체 발광소자를 직렬연결하는 경우에 플레이트(200)에 직렬연결의 방향으로 더 콤팩트하게 실장될 수 있다. 4, 7, 10, and 11, the first electrode 80 and the second electrode 70 are provided near one side and the other long edge, respectively, so that a plurality of semiconductor light emitting elements May be more compactly mounted in the direction of the series connection to the plate 200 when the devices are connected in series.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하며, 성장 기판을 이용하여 성장되는 복수의 반도체층; 성장 기판의 반대 측에서 복수의 반도체층에 결합되는 절연성 반사막; 그리고 복수의 반도체층과 전기적으로 연결되며, 절연성 반사막 위에 서로 대향하게 형성되는 제1 전극 및 제2 전극;으로서, 적어도 하나가 복수의 서브 전극과 복수의 서브 전극을 연결하는 적어도 하나의 연결부를 가지며, 연결 방향과 직교하는 방향을 기준으로 각 연결부는 각 연결부에 의해 연결되는 각 서브 전극보다 작은 폭을 가지는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; a first semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A plurality of semiconductor layers which are grown using a growth substrate and have an active layer which generates light through recombination of the semiconductor layers; An insulating reflective film coupled to the plurality of semiconductor layers at an opposite side of the growth substrate; A first electrode and a second electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers and formed to face each other on the insulating reflection film, wherein at least one of the first electrode and the second electrode has at least one connection portion connecting the plurality of sub- And each of the connection portions includes a first electrode and a second electrode having a width smaller than that of each sub electrode connected by each connection portion, with reference to a direction orthogonal to the connection direction.

(2) 연결 방향에 직교하는 방향에 있어서, 각 연결부는 각 서브 전극의 서로 대향하는 양측 에지들로부터, 상기 직교하는 방향으로 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) In the direction orthogonal to the connection direction, the connection portions are apart from each other at opposite edges of the sub-electrodes in the orthogonal direction.

(3) 제1 전극 및 제2 전극 모두 복수의 서브 전극, 및 적어도 하나의 연결부를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (3), wherein the first electrode and the second electrode both have a plurality of sub-electrodes and at least one connection portion.

(4) 연결 방향으로 볼 때, 각 서브 전극은 연결부보다 큰 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) In the connection direction, each sub-electrode has a larger width than the connection portion.

(5) 서브 전극 사이 연결부에 의해 덮이지 않은 영역은 연결부의 양측에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) The semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 5, wherein the region not covered by the connection portion between the sub-electrodes is formed on both sides of the connection portion.

(6) 제2 반도체층 및 활성층이 제거되어 노출된 제1 반도체층 위에서 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 제1 전극 아래에서 제2 전극 아래로 뻗는 제1 가지 전극; 그리고 제2 반도체층 위에서 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 제2 전극 아래에서 제1 전극 아래로 뻗는 제2 가지 전극;을 포함하며, 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극은 각 연결부로 연결되는 서브 전극들 사이를 피하여 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) a first branched electrode that is electrically connected to the first electrode on the exposed first semiconductor layer after the second semiconductor layer and the active layer are removed, and extends under the first electrode and below the second electrode; And a second branched electrode electrically connected to the second electrode on the second semiconductor layer and extending below the first electrode under the second electrode, wherein the first branched electrode and the second branched electrode are connected to the respective connection portions And the sub-electrodes are disposed to avoid the gap between the sub-electrodes.

(7) 제2 반도체층 및 활성층이 제거되어 노출된 제1 반도체층 위에서 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 제1 전극 아래에서 제2 전극 아래로 뻗는 제1 가지 전극; 그리고 제2 반도체층 위에서 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 제2 전극 아래에서 제1 전극 아래로 뻗는 제2 가지 전극;을 포함하며, 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극은 각 연결부로 연결되는 서브 전극들 사이로 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) a first branched electrode that is electrically connected to the first electrode on the exposed first semiconductor layer after the second semiconductor layer and the active layer are removed, and extends under the first electrode and below the second electrode; And a second branched electrode electrically connected to the second electrode on the second semiconductor layer and extending below the first electrode under the second electrode, wherein the first branched electrode and the second branched electrode are connected to the respective connection portions And between the sub-electrodes.

(8) 복수의 반도체층은 서로 대향하는 2개의 긴 에지들(long edges)과 서로 대향하는 2개의 짧은 에지들(short edges)을 가지며, 제1 전극의 복수의 서브 전극은 일 측 긴 에지를 따라 배열되고, 제2 전극의 복수의 서브 전극은 타 측 긴 에지를 따라 배열되며, 제2 반도체층 및 활성층이 제거되어 노출된 제1 반도체층 위에서 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 제1 전극 아래에서 제2 전극 아래로 뻗는 제1 가지 전극; 그리고 제2 반도체층 위에서 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 제2 전극 아래에서 제1 전극 아래로 뻗는 제2 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) the plurality of semiconductor layers have two long edges opposite to each other and two short edges opposite to each other, and the plurality of sub-electrodes of the first electrode have one long edge And the plurality of sub-electrodes of the second electrode are arranged along the other long edge, and the second semiconductor layer and the active layer are removed and electrically connected to the first electrode on the exposed first semiconductor layer, A first branched electrode extending below the second electrode from below; And a second branched electrode electrically connected to the second electrode on the second semiconductor layer and extending below the first electrode under the second electrode.

(9) 복수의 반도체층은 서로 대향하는 2개의 긴 에지들(long edges)과 서로 대향하는 2개의 짧은 에지들(short edges)을 가지며, 제1 전극의 복수의 서브 전극은 일 측 긴 에지를 따라 배열되고, 제2 전극의 복수의 서브 전극은 타 측 긴 에지를 따라 배열되며, 제2 반도체층 및 활성층이 제거되어 노출된 제1 반도체층 위에서 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 가지 전극;으로서, 평면도로 볼 때, 제2 전극과 중첩되지 않고 제1 전극과 제2 전극 사이에서 뻗는 제1 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) the plurality of semiconductor layers have two long edges opposite to each other and two short edges opposite to each other, and the plurality of sub-electrodes of the first electrode have one long edge And the plurality of sub-electrodes of the second electrode are arranged along the other long edge, and the second semiconductor layer and the active layer are removed to form a first branched electrode electrically connected to the first electrode on the exposed first semiconductor layer, And a first branched electrode extending between the first electrode and the second electrode without overlapping with the second electrode in a plan view.

(10) 복수의 서브 전극이 복수의 연결부에 의해 연결되며, 복수의 연결부는 지그재그 형태로 배열된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) A semiconductor light emitting device, wherein a plurality of sub-electrodes are connected by a plurality of connecting portions, and a plurality of connecting portions are arranged in a zigzag pattern.

본 개시에 따른 반도체 발광소자에 의하면, 열팽창 차이에 의한 전극 벗겨짐 등의 손상이 방지된다.According to the semiconductor light emitting device of the present disclosure, damage such as electrode peeling due to a difference in thermal expansion is prevented.

30: 제1 반도체층 40: 활성층 50: 제2 반도체층
70,80: 전극 75,85: 가지 전극 70a,80a: 서브 전극
70b,80b: 연결부 R70,R80: 완충 영역30: first semiconductor layer 40: active layer 50: second semiconductor layer
70, 80: electrode 75, 85: branch electrode 70a, 80a:
70b, 80b: connection portions R70, R80: buffer region

Claims (6)

반도체 발광소자에 있어서,
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하며, 성장 기판을 이용하여 성장되는 복수의 반도체층;
성장 기판의 반대 측에서 복수의 반도체층에 결합되는 절연성 반사막; 그리고
복수의 반도체층과 전기적으로 연결되며, 절연성 반사막 위에 서로 대향하게 형성되는 제1 전극 및 제2 전극;으로서, 적어도 하나가 복수의 서브 전극과 복수의 서브 전극을 연결하는 적어도 하나의 연결부를 가지며, 연결 방향과 직교하는 방향을 기준으로 각 연결부는 각 연결부에 의해 연결되는 각 서브 전극보다 작은 폭을 가지는 제1 전극 및 제2 전극;을 포함하고,
복수의 서브 전극과 연결부는 절연성 반사막 위에서 일체로 연결되고, 서로 동일한 층에 위치하고,
복수의 서브 전극 사이의 연결부에 의해 절연성 반사막이 덮이지 않은 완충 영역은 연결부를 중심으로 연결부의 양측에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and generating light through recombination of electrons and holes, A plurality of semiconductor layers grown using a growth substrate;
An insulating reflective film coupled to the plurality of semiconductor layers at an opposite side of the growth substrate; And
A first electrode and a second electrode electrically connected to the plurality of semiconductor layers and formed opposite to each other on the insulating reflection film, wherein at least one of the first electrode and the second electrode has at least one connection portion connecting the plurality of sub- And each of the connection portions includes a first electrode and a second electrode having a width smaller than that of each sub electrode connected by each connection portion,
The plurality of sub-electrodes and the connection portions are integrally connected to each other on the insulating reflection film,
Wherein the buffer regions, which are not covered with the insulating reflection film by the connection portions between the plurality of sub-electrodes, are formed on both sides of the connection portion with the connection portion as a center. 청구항 1에 있어서,
연결 방향에 직교하는 방향에 있어서, 각 연결부는 각 서브 전극의 서로 대향하는 양측 에지들로부터, 상기 직교하는 방향으로 떨어져 있고,
연결 방향으로 볼 때, 각 서브 전극은 연결부보다 큰 폭을 가지고,
완충 영역에 의해 절연성 반사막이 노출되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
In the direction orthogonal to the connection direction, each connection portion is spaced from the opposite side edges of each sub electrode in the orthogonal direction,
In view of the connection direction, each sub-electrode has a larger width than the connection portion,
Wherein the insulating reflective film is exposed by the buffer region. 청구항 1에 있어서,
제2 반도체층 및 활성층이 제거되어 노출된 제1 반도체층 위에서 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 제1 전극 아래에서 제2 전극 아래로 뻗는 제1 가지 전극; 그리고
제2 반도체층 위에서 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 제2 전극 아래에서 제1 전극 아래로 뻗는 제2 가지 전극;을 포함하며,
제1 가지 전극 및 제2 가지 전극은 각 연결부로 연결되는 서브 전극들 사이를 피하여 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
A first branched electrode that is electrically connected to the first electrode on the exposed first semiconductor layer after the second semiconductor layer and the active layer are removed, and extends under the first electrode and below the second electrode; And
And a second branched electrode electrically connected to the second electrode over the second semiconductor layer and extending below the first electrode under the second electrode,
Wherein the first branched electrode and the second branched electrode are provided between the sub-electrodes connected to the respective connection portions. 청구항 1에 있어서,
제2 반도체층 및 활성층이 제거되어 노출된 제1 반도체층 위에서 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 제1 전극 아래에서 제2 전극 아래로 뻗는 제1 가지 전극; 그리고
제2 반도체층 위에서 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 제2 전극 아래에서 제1 전극 아래로 뻗는 제2 가지 전극;을 포함하며,
제1 가지 전극 및 제2 가지 전극은 각 연결부로 연결되는 서브 전극들 사이로 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
A first branched electrode that is electrically connected to the first electrode on the exposed first semiconductor layer after the second semiconductor layer and the active layer are removed, and extends under the first electrode and below the second electrode; And
And a second branched electrode electrically connected to the second electrode over the second semiconductor layer and extending below the first electrode under the second electrode,
Wherein the first branched electrode and the second branched electrode extend between the sub-electrodes connected to the respective connection portions. 청구항 1에 있어서,
복수의 반도체층은 서로 대향하는 2개의 긴 에지들(long edges)과 서로 대향하는 2개의 짧은 에지들(short edges)을 가지며,
제1 전극의 복수의 서브 전극은 일 측 긴 에지를 따라 배열되고,
제2 전극의 복수의 서브 전극은 타 측 긴 에지를 따라 배열되며,
제2 반도체층 및 활성층이 제거되어 노출된 제1 반도체층 위에서 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 제1 전극 아래에서 제2 전극 아래로 뻗는 제1 가지 전극; 그리고
제2 반도체층 위에서 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 제2 전극 아래에서 제1 전극 아래로 뻗는 제2 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The plurality of semiconductor layers have two long edges opposite to each other and two short edges opposite to each other,
The plurality of sub-electrodes of the first electrode are arranged along one long edge,
The plurality of sub-electrodes of the second electrode are arranged along the other long edge,
A first branched electrode that is electrically connected to the first electrode on the exposed first semiconductor layer after the second semiconductor layer and the active layer are removed, and extends under the first electrode and below the second electrode; And
And a second branched electrode electrically connected to the second electrode on the second semiconductor layer and extending below the first electrode under the second electrode. 청구항 1에 있어서,
복수의 반도체층은 서로 대향하는 2개의 긴 에지들(long edges)과 서로 대향하는 2개의 짧은 에지들(short edges)을 가지며,
제1 전극의 복수의 서브 전극은 일 측 긴 에지를 따라 배열되고,
제2 전극의 복수의 서브 전극은 타 측 긴 에지를 따라 배열되며,
제2 반도체층 및 활성층이 제거되어 노출된 제1 반도체층 위에서 제1 전극과 전기적으로 연결되는 제1 가지 전극;으로서, 평면도로 볼 때, 제2 전극과 중첩되지 않고 제1 전극과 제2 전극 사이에서 뻗는 제1 가지 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The plurality of semiconductor layers have two long edges opposite to each other and two short edges opposite to each other,
The plurality of sub-electrodes of the first electrode are arranged along one long edge,
The plurality of sub-electrodes of the second electrode are arranged along the other long edge,
Wherein the first electrode is electrically connected to the first electrode on the exposed first semiconductor layer after the second semiconductor layer and the active layer are removed, And a first branched electrode extending between the first and second branched electrodes.
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