KR100912971B1 - 리프터 및 리프터를 구비하는 피처리체의 처리 장치 - Google Patents

리프터 및 리프터를 구비하는 피처리체의 처리 장치 Download PDF

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Abstract

각 핀 고정부는 리프터 아암에 형성된 관통 구멍에 끼워맞춰지고, 플랜지부, 유동부, 나사 결합부 및 핀 관통 구멍을 포함한다. 핀의 하단부는 핀 관통 구멍에 나사 고정되어 있다. 유동부는 관통 구멍에 유격 끼워맞춤되고, 플랜지부는 리프터 아암의 상면에 접촉하고 있다. 나사 결합부는 관통 구멍으로부터 하방으로 돌출하여 있다. 하측 지지부는 나사 결합부에 나사 결합되고, 리프터 아암의 하면에 접촉하고 있다.

Description

리프터 및 리프터를 구비하는 피처리체의 처리 장치{LIFTER AND TARGET OBJECT PROCESSING APPARATUS PROVIDED WITH LIFTER}
도 1 및 도 2는 종래의 리프터에 사용되는 하나의 핀 및 리프터 아암을 각각 도시하는 단면도,
도 3은 종래의 리프터에 사용되는 핀 및 리프터 아암을 도시하는 평면도,
도 4는 본 발명에 따른 리프터를 구비한 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치를 도시하는 모식적 단면도,
도 5는 도 4에 도시된 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치에 사용되는 기판 탑재대 및 지지부를 도시하는 분해 사시도,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리프터를 도시하는 사시도,
도 7은 리프터 아암이 펼쳐진 상태를 도시하는, 도 6에 도시된 리프터의 사시도,
도 8은 도 6에 도시된 리프터의 배면 사시도,
도 9는 핀이 기판 탑재대에 형성된 핀 삽입 구멍내로 삽입된 상태를 도시하는, 도 6에 도시된 리프터의 단면도,
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다른 리프터를 도시하는 단면도로서, 핀이 기판 탑재대에 형성된 핀 삽입 구멍내로 삽입된 상태를 도시하는 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치
2 : 챔버 7 : 기판 탑재대
9 : 리프터 90 : 리프터 아암
91, 92 : 리프터 부품 93, 94, 95 : 핀
96 : 승강축 97 : 연결부
102 : 핀 고정부 102a : 플랜지부
102b : 유동부 102c : 나사 결합부
102d : 핀 삽입 구멍 103 : 하측 고정부
108 : 핀 고정부 108a : 플랜지부
108b : 유동부 108c : 하측 고정부
110 : 구동부
본 발명은 반도체 기판 또는 액정 디스플레이용 유리 기판 등의 피처리체를 승강시키도록 구성된 리프터, 및 이러한 리프터를 구비하고, 피처리체에 성막 처리, 에칭 처리, 열처리, 개질 처리 및 결정화 처리 등의 처리를 실행하도록 구성된 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 집적 회로의 제조에 있어서, 반도체 웨이퍼 등의 피처리체에 성막 처리, 에칭 처리, 열처리, 개질 처리, 결정화 처리 등의 각종의 처리를 반복하여 실행함으로써 피처리체에 집적 회로를 형성한다. 이러한 제조 공정의 각 단계에 있어서, 처리 장치의 챔버 내측에 위치된 기판 탑재대상에 반도체 웨이퍼를 탑재한 후에, 기판 탑재대상에 탑재된 반도체 웨이퍼에 대하여 각종 처리중 하나를 실시하는 것이 전형적이다. 이러한 처리 장치에 있어서, 반도체 웨이퍼를 기판 탑재대로 반입하고, 그로부터 반출할 경우에, 기판 탑재대에 대하여 반도체 웨이퍼를 승강시키도록 리프터가 배치되어 있다.
도 1은 종래의 리프터에 사용되는 하나의 핀 및 리프터 아암을 도시하는 단면도이며, 도면중 참조부호(130)가 핀을 나타낸다. 기판 탑재대(131)에는 핀 삽입 구멍(131a)이 상하방향으로 관통 형성되어 있다. 각각의 핀 삽입 구멍(131a)은 상측에 숄더부(shoulder portion)(131b)를 가져서, 그 상부가 그 하부보다 큰 직경을 갖는다.
핀(130)의 상단부에는 다른것 보다 큰 직경의 헤드부(130a)를 상단부에 갖고, 이 헤드부(130a)가 숄더부(131b)에 걸려진다. 핀(130)의 하단부에는 리프터 아암(132)에 접촉되는 접촉부(130b)가 나사 결합되어 있다.
리프터 아암(132)은 챔버내의 기판 탑재대(131) 아래에 위치되고, 챔버의 바닥부를 관통하여 상하 이동가능한 관통하는 구동축(도시하지 않음)에 의해 승강가능하게 구성되어 있다. 리프터 아암(132)이 상승하는 경우, 리프터 아암(132)은 각 핀(130)의 접촉부(130b)와 접촉한다. 따라서, 핀(130)은 이 핀(130)의 헤드부(130a)에 지지된 반도체 웨이퍼(W)와 함께 상승한다. 한편, 리프터 아암(132)이 하강하는 경우, 접촉부(130b)가 리프터 아암과 이격된 상태로 헤드부(130a)가 숄더부(131b)에 걸려서, 반도체 웨이퍼(W)가 기판 탑재대(131)에 탑재된다.
도 2는 종래의 다른 리프터에 사용되는 하나의 핀 및 리프터 아암을 도시하는 단면도이며, 도면중 참조부호(143)가 핀을 나타낸다. 핀(143)의 하단부는 고정부내로 압입되거나 그에 나사 고정된다. 고정부(144)는 하부보다 큰 직경을 갖는 상부를 포함한다. 리프터 아암(142)은 끼워맞춤 구멍(142a)을 갖는다. 고정부(144)에는 와셔(145) 및 그상에 배치된 너트(146)가 제공된다. 고정부(144)의 하부는 대응하는 끼워맞춤 구멍(142a)내로 삽입하고, 너트(146)는 와셔(145)를 거쳐서 리프터 아암(142)의 상면에 체결함으로써, 고정부(144)가 장착된다.
일본 공개 특허 제 2004-343032 호(특허문헌 1)에는, 기판 탑재대에 핀 삽입 구멍이 형성되고 각각의 핀 삽입 구멍의 하단부에 연장 슬리브가 제공되는 승강 기구(lifting mechanism)에 관한 발명이 개시되어 있다. 연장 슬리브는 하단부의 주연부로부터 핀 삽입 구멍과 동축으로 하방으로 돌출한다. 상기 특허문헌 1에 있어서, 각 핀의 하단부는 도 1에 도시된 핀(130)과 마찬가지로 리프터 아암상에 형성된 핀 고정부에 의해 접촉 상태(즉, 핀이 핀 고정부로부터 이격되어 있음)로 지지되어 있다. 리프터 아암이 하강하는 경우, 하단부가 리프터 아암으로부터 이격된다.
도 1에 도시된 리프터의 경우에, 리프트 핀(130)의 헤드부(130a)가 반도체 웨이퍼(W)에 정전기력에 의해 흡착되어, 리프터 아암(132)을 향해서 내려오지 않아서, 반도체 웨이퍼(W)의 반송 에러가 생기는 문제가 발생할 수 있다.
도 2에 도시된 리프터의 경우에, 고정부(144)가 리프터 아암(142)에 완전히 고정되어 있으므로, 핀(143)이 반경방향으로 움직일 수 없다. 따라서, 반도체 웨이퍼(W)에 실행되는 처리시에, 기판 탑재대(141)의 열팽창으로 인해 핀 삽입 구멍(141a)이 좁아지는 경우에도, 핀(143)이 핀 삽입 구멍(141a)내를 상하 이동할 수 있도록, 핀(143)의 직경은 핀 삽입 구멍(141a)의 직경보다 작게 설정된다. 핀(143)이 가늘기 때문에, 리프터의 조립시에, 핀(143)과 핀 삽입 구멍(141a)의 정렬이 곤란하다. 예를 들면, 핀(143)이 기판 탑재대(141)의 핀 삽입 구멍(141a)내로 경사진 상태로 삽입되어, 핀 삽입 구멍(141a)이 파손하는 문제가 발생할 수 있다.
종래에, 일반적으로 리프터(150)는 도 3에 도시된 바와 같이 일체로 형성된 C자형의 리프터 아암(153)을 채용한다. 아암(153)의 기부는 홀더(154)에 장착되는 반면, 그 개구부는 장착측과 반대측에 배치된다. 승강축(155)은 홀더(154)를 관통하여 배치되고, 승강 기구(도시하지 않음)에 의해 승강하도록 구성되어 있다.
장치를 조립할 때, 기판 탑재대를 지지하는 원통형 지지부를 기판 탑재대의 바닥부에 장착하고, 지지부 고정부를 지지부의 하단부에 장착함으로써, 장치를 제작한다. 그후에, 이 장치는 상부로부터 챔버내로 삽입되고, 지지부 고정부는 챔버내에 배치된 장착부에 장착된다. 이러한 경우에, 리프터 아암(150)의 내경이 지지부 고정부의 외경보다 크면, 지지부 고정부가 리프터 아암(150)의 내측으로 통과할 수 있으므로, 리프터 아암(150)이 챔버에 장착된 상태에서 지지부 고정부를 장착부에 장착할 수 있다.
그러나, 리프터 아암(150)의 내경이 지지부 고정부의 외경보다 작으면, 지지부 고정부가 리프터 아암(150)의 내측으로 통과할 수 없으므로, 리프터 아암(150)이 챔버에 장착된 상태에서 지지부 고정부를 장착부에 장착할 수 없다는 문제를 야기한다. 또한, 지지부 고정부가 챔버에 고정된 상태에서 리프터 아암(150)을 교환할 수 없다는 다른 문제가 있다.
리프터 아암을 분할하는 것이 제안되어 왔다. 특히, 리프터 아암의 내경이 지지부 고정부의 외경보다 큰 경우, 리프터 아암의 분할 부품을 서로 맞대서 챔버에 장착한다. 그리고, 지지부 고정부를 리프터 아암의 내측으로 통과시켜서, 지지부 고정부를 장착부에 장착한다.
한편, 리프터 아암의 내경이 지지부 고정부의 외경보다 작은 경우, 리프터 아암의 분할 부품을 서로 맞대지 않고서 분할된 상태로 챔버내에 배치된다. 그리고, 지지부 고정부를 장착 고정요소에 장착하고, 그후에 리프터 아암의 분할 부품을 서로 맞대서 챔버에 장착한다.
그러나, 이러한 경우에, 지지부 고정부를 장착부에 장착한 상태에서 리프터 아암을 챔버에 장착하는 것은 매우 곤란하고, 많은 숙련을 필요로 하고, 장시간이 걸린다는 문제가 있다. 또한, 지지부 고정부를 챔버에 장착한 상태에서 리프터 아암을 교환할 수 없다는 다른 문제가 있다. 더욱이, 리프터 아암의 좌우 부품의 치수 정밀도의 차이로 인해 핀의 높이가 불일치할 수 있다는 문제가 있다. 이러한 불일치는 처리 장치가 승강축용 경사 조정 기구를 포함하는 경우에도 조정될 수 없다.
본 발명의 목적은 하기의 이점중 적어도 하나를 발휘할 수 있는 리프터 및 이 리프터를 구비한 피처리체 처리 장치를 제공하는 것이다. 구체적으로, 처리 장치를 조립할 때, 핀과 핀 삽입 구멍의 정렬이 용이하고, 그에 따라 핀 직경을 크게 하여 핀의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 핀이 피처리체에 흡착되는 것을 방지하여, 피처리체의 반송 에러가 생기는 것을 방지한다.
본 발명의 다른 목적은 하기의 이점중 적어도 하나를 발휘할 수 있는 리프터를 제공하는 것이다. 구체적으로, 탑재대에 고정된 탑재대 고정 부재는 용이하게 리프터 아암을 통과하여 챔버에 장착될 수 있다. 리프터 아암은 탑재대 고정 부재를 챔버에 장착한 상태에서 교환될 수 있다. 또한, 핀의 높이는 리프터 아암의 개별 부품에 대해 조정될 수 있다.
본 발명의 또다른 목적은 하기의 이점중 적어도 하나를 발휘할 수 있는 리프터를 구비한 피처리체 처리 장치를 제공하는 것이다. 구체적으로, 탑재대에 고정된 탑재대 고정 부재는 용이하게 리프터 아암을 통과하여 챔버에 장착될 수 있다. 리프터 아암은 탑재대 고정 부재를 챔버에 장착한 상태에서 교환될 수 있다. 또한, 핀의 높이는 리프터 아암의 개별 부품에 대해 조정될 수 있다.
본 발명의 일 태양에 따르면, 처리될 피처리체를 탑재하는 탑재대를 관통하 여 형성된 복수의 구멍에 삽입되고, 상기 피처리체를 지지하도록 구성된 복수의 핀과; 상기 복수의 핀을 지지하도록 구성된 리프터 아암과; 상기 리프터 아암에 상기 핀을 각각 고정하도록 구성된 핀 고정부를 포함하며, 상기 리프터 아암에 의해 상기 핀을 승강시킴으로써, 상기 탑재대의 구멍에 대해 상기 핀을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체를 승강시키며, 각각의 핀 고정부는 상기 리프터 아암에 형성된 관통 구멍내로 삽입되며, 상기 각 핀 고정부는, 대응하는 핀을 고정하도록 내부에 형성된 핀 삽입 구멍을 갖고, 상기 관통 구멍에 유격 끼워맞춤되는 유동부와, 상기 유동부의 상측에 연결되고, 상기 유동부보다 큰 직경을 갖고, 대응하는 상기 핀이 관통한 상태에서 상기 리프터 아암의 상면에 접촉하게 되는 지지부와, 상기 유동부의 하측에 연결되고, 상기 관통 구멍으로부터 하방으로 돌출한 결합부와, 상기 결합부에 결합되어, 상기 리프터 아암의 하면에 접촉하게 되는 스토퍼부를 포함하며, 상기 핀 고정부는 유동부 주위의 간극에 의해 수평방향으로 이동가능하게 되는, 리프터가 제공된다.
본 발명의 다른 태양에 따르면, 처리될 피처리체를 탑재하는 탑재대를 관통하여 형성된 복수의 구멍에 삽입되고, 상기 피처리체를 지지하도록 구성된 복수의 핀과; 상기 복수의 핀을 지지하여 승강시키도록 구성된 리프터 아암과; 상기 리프터 아암에 상기 핀을 각각 고정하도록 구성된 핀 고정부를 포함하며, 상기 리프터 아암에 의해 상기 핀을 승강시킴으로써, 상기 탑재대의 구멍에 대해 상기 핀을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체를 승강시키며, 각각의 핀 고정부는 상기 리프터 아암에 형성되고 내벽상에 나사를 갖는 나사 구멍내로 삽입되며, 상기 각 핀 고정 부는, 대응하는 핀을 고정하도록 내부에 형성된 핀 삽입 구멍을 갖고, 상기 나사 구멍에 유격 끼워맞춤되는 유동부와, 상기 유동부의 상측에 연결되고, 상기 유동부보다 큰 직경을 갖고, 대응하는 상기 핀이 관통한 상태에서 상기 리프터 아암의 상면에 접촉하게 되는 지지부와, 상기 유동부의 하측에 연결되고, 외주면에 상기 나사 구멍내에 나사 결합되는 수나사가 형성되어 있고, 상기 수나사가 상기 나사 구멍에 나사 결합되어, 상기 나사 구멍으로부터 하방으로 돌출한 상태에서, 상기 유동부를 하측으로부터 지지하는 스토퍼부를 포함하며, 상기 핀 고정부는 유동부 주위의 간극에 의해 수평방향으로 이동가능하게 되는, 리프터가 제공된다.
본 발명의 또다른 태양에 따르면, 피처리체를 수용하도록 구성된 챔버와; 상기 챔버내에서 상기 피처리체를 탑재하도록 구성된 탑재대와; 상기 챔버내에서 상기 피처리체에 소정의 처리를 실행하도록 구성된 처리 기구와; 상기 탑재대상의 피처리체를 승강시키도록 구성된 리프터와; 상기 리프터를 구동하는 구동 기구를 포함하며, 상기 리프터는, 상기 탑재대상의 피처리체를 지지하여 승강시키도록 구성된 복수의 핀과, 상기 복수의 핀을 지지하여 승강시키도록 구성된 리프터 아암과, 상기 리프터 아암에 상기 핀을 각각 고정하도록 구성된 핀 고정부를 포함하며, 상기 탑재대에는 상기 핀이 삽입되는 복수의 구멍이 관통 형성되어 있고, 상기 리프터 아암에 의해 상기 핀을 승강시킴으로써, 상기 구멍에 대해 상기 핀을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체를 승강시키며, 각각의 핀 고정부는 상기 리프터 아암에 형성된 관통 구멍내로 삽입되며, 상기 각 핀 고정부는, 대응하는 핀을 고정하도록 내부에 형성된 핀 삽입 구멍을 갖고, 상기 관통 구멍에 유격 끼워맞춤되는 유동부 와, 상기 유동부의 상측에 연결되고, 상기 유동부보다 큰 직경을 갖고, 대응하는 상기 핀이 관통한 상태에서 상기 리프터 아암의 상면에 접촉하게 되는 지지부와, 상기 유동부의 하측에 연결되고, 상기 관통 구멍으로부터 하방으로 돌출한 결합부와, 상기 결합부에 결합되어, 상기 리프터 아암의 하면에 접촉하게 되는 접촉부를 포함하며, 상기 핀 고정부는 유동부 주위의 간극에 의해 수평방향으로 이동가능하게 되는, 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 또다른 태양에 따르면, 피처리체를 수용하도록 구성된 챔버와; 상기 챔버내에서 상기 피처리체를 탑재하도록 구성된 탑재대와; 상기 챔버내에서 상기 피처리체에 소정의 처리를 실행하도록 구성된 처리 기구와; 상기 탑재대상의 피처리체를 승강시키도록 구성된 리프터와; 상기 리프터를 구동하는 구동 기구를 포함하며, 상기 리프터는, 상기 탑재대상의 피처리체를 지지하여 승강시키도록 구성된 복수의 핀과, 상기 복수의 핀을 지지하여 승강시키도록 구성된 리프터 아암과, 상기 리프터 아암에 상기 핀을 각각 고정하도록 구성된 핀 고정부를 포함하며, 상기 탑재대에는 상기 핀이 삽입되는 복수의 구멍이 관통 형성되어 있고, 상기 리프터 아암에 의해 상기 핀을 승강시킴으로써, 상기 구멍에 대해 상기 핀을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체를 승강시키며, 각각의 핀 고정부는 상기 리프터 아암에 형성되고 내벽상에 나사를 갖는 나사 구멍내로 삽입되며, 상기 각 핀 고정부는, 대응하는 핀의 하단부를 고정하도록 내부에 형성된 핀 삽입 구멍을 갖고, 상기 나사 구멍에 유격 끼워맞춤되는 유동부와, 상기 유동부의 상측에 연결되고, 상기 유동부보다 큰 직경을 갖고, 대응하는 상기 핀이 관통한 상태에서 상기 리프터 아암의 상 면에 접촉하게 되는 플랜지로서의 지지부와, 상기 유동부의 하측에 연결되고, 외주면에 상기 나사 구멍내에 나사 결합되는 수나사가 형성되어 있고, 상기 수나사가 상기 나사 구멍에 나사 결합되어, 상기 나사 구멍으로부터 하방으로 돌출한 상태에서, 상기 유동부를 하측으로부터 지지하는 하측 지지부를 포함하며, 상기 핀 고정부는 유동부 주위의 간극에 의해 수평방향으로 이동가능하게 되는, 처리 장치가 제공된다.
본 발명의 또다른 태양에 따르면, 처리될 피처리체를 탑재하는 탑재대를 관통하여 형성된 복수의 구멍에 삽입되고, 상기 피처리체를 지지하도록 구성된 복수의 핀과; 상기 복수의 핀을 지지하도록 구성된 리프터 아암과; 상기 리프터 아암을 수평으로 지지하도록 구성된 지지부와; 상기 지지부에 연결되고, 상기 리프터 아암을 수평으로 지지한 상태에서 승강하여 상기 리프터 아암을 승강시키도록 구성된 승강부를 포함하며, 상기 리프트 아암에 의해 상기 핀을 지지하여 승강시킴으로써, 상기 탑재대의 구멍에 대해 상기 핀을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체를 승강시키며, 상기 리프터 아암은 한쌍의 아암 부품을 포함하며, 상기 지지부는 상기 아암 부품을 개별적으로 또한 수평으로 지지하도록 구성된 한쌍의 지지판을 포함하며, 상기 승강부는 상기 지지판에 각각 연결되고, 상기 아암 부품을 개별적으로 또한 수평으로 지지한 상태에서 승강하여 상기 아암 부품을 승강시키도록 구성된 한쌍의 승강축을 포함하며, 상기 아암 부품은 상기 아암 부품이 서로 근접하여 있는 설정 위치에서 승강하도록 작동되며, 상기 아암 부품은, 상기 승강축을 회전시킴으로써 또는 상기 지지판을 상기 승강축에 대해 회전시킴으로써, 상기 설정 위치로부터 서 로 이격되는, 리프터가 제공된다.
이러한 리프터는, 상기 아암 부품은 상기 지지판의 일단부로부터 상기 지지판의 길이방향에 직교하는 방향으로 각각 연장되며, 상기 지지판의 타단부가 관통 연장되는 고정 나사에 의해 상기 승강축의 상단부에 각각 고정되며, 상기 리프터는 상기 지지판의 일단부가 서로 맞대어진 상태에서 상기 지지판을 서로 연결하도록 구성된 커버를 더 포함하며, 상기 커버에 의한 연결을 해제하고, 상기 고정 나사를 푸는 것에 의해, 상기 지지판은 상기 아암 부품을 서로 이격시킬 때에 상기 승강축에 대해 회전가능하게 되는 것으로 구성될 수도 있다.
본 발명의 또다른 태양에 따르면, 피처리체를 수용하도록 구성된 챔버와; 상기 챔버내에서 상기 피처리체를 탑재하도록 구성된 탑재대와; 상기 챔버내에서 상기 피처리체에 소정의 처리를 실행하도록 구성된 처리 기구와; 상기 탑재대상의 피처리체를 승강시키도록 구성된 리프터와; 상기 리프터를 구동하는 구동 기구를 포함하며, 상기 리프터는, 상기 탑재대상의 피처리체를 지지하도록 구성된 복수의 핀과, 상기 복수의 핀을 지지하도록 구성된 리프터 아암과, 상기 리프터 아암을 수평으로 지지하도록 구성된 지지부와, 상기 지지부에 연결되고, 상기 리프터 아암을 수평으로 지지한 상태에서 승강하여 상기 리프터 아암을 승강시키도록 구성된 승강부를 포함하며, 상기 탑재대에는 상기 핀이 삽입되는 복수의 구멍이 관통 형성되어 있고, 상기 리프터 아암에 의해 상기 핀을 승강시킴으로써, 상기 구멍에 대해 상기 핀을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체를 승강시키며, 상기 리프터 아암은 한쌍의 아암 부품을 포함하며, 상기 지지부는 상기 아암 부품을 개별적으로 또한 수평으로 지지하도록 구성된 한쌍의 지지판을 포함하며, 상기 승강부는 상기 지지판에 각각 연결되고, 상기 아암 부품을 개별적으로 또한 수평으로 지지한 상태에서 승강하여 상기 아암 부품을 승강시키도록 구성된 한쌍의 승강축을 포함하며, 상기 아암 부품은 상기 아암 부품이 서로 근접하여 있는 설정 위치에서 승강하도록 작동되며, 상기 아암 부품은, 상기 승강축을 회전시킴으로써 또는 상기 지지판을 상기 승강축에 대해 회전시킴으로써, 상기 설정 위치로부터 서로 이격되는, 처리 장치가 제공된다.
이러한 처리 장치는, 상기 아암 부품은 상기 지지판의 일단부로부터 상기 지지판의 길이방향에 직교하는 방향으로 각각 연장되며, 상기 지지판의 타단부는 관통 연장되는 고정 나사에 의해 상기 승강축의 상단부에 각각 고정되며, 상기 리프터는 상기 지지판의 일단부가 서로 맞대어진 상태에서 상기 지지판을 서로 연결하도록 구성된 커버를 더 포함하며, 상기 커버에 의한 연결을 해제하고, 상기 고정 나사를 푸는 것에 의해, 상기 지지판은 상기 아암 부품을 서로 이격시킬 때에 상기 승강축에 대해 회전가능하게 되도록 구성될 수도 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
하기에서는, 본 발명을 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치에 적용한 경우에 대하여 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 리프터를 구비한 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치를 도시하는 단면도이다. 이러한 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치(1)는 대략 원통형으로 형성된 기밀한 챔버(2)를 포함한다. 대략 원통형의 챔버(2)는 Al 등의 금속으로 이루어진다. 챔버(2)의 바닥부는 그 중앙부에 개구부를 구비하며, 이 바닥부에는 배기관(3)이 연속하여 형성되어 있다. 배기관(3)은 개구부와 대략 동일한 직경을 갖는 상부 배기관(3a)과, 하방으로 점진적으로 좁아지는 직경을 갖는 배관(3b)과, 이 배관(3b)에 개폐 밸브(4)를 거쳐서 접속된 배기 제어 밸브(3c)를 포함한다. 배기 제어 밸브(3c)의 하단부에는 진공 펌프(5)가 접속되어 있고, 이 진공 펌프(5)의 측부에는 배기관(6)이 접속되어 있다. 진공 펌프(5)를 작동시키면, 챔버(2) 내부가 배기관(3)을 통해 배기되고, 챔버(2)내의 압력이 소정의 진공도까지 감압된다.
챔버(2)의 중앙부에는, 피처리 기판 또는 반도체 웨이퍼(W)를 수평 상태로 유지하도록 기판 탑재대(7)가 배치되어 있다. 기판 탑재대(7)는 기판 탑재대(7)의 바닥 중앙부로부터 개구부를 통해서 수직 하방으로 연장되는 석영제의 지지부(8)에 의해 지지되어 있다. 예를 들면, 기판 탑재대(7)는 SiC로 이루어지는 발열체(74), SiC로 이루어지는 전극(도시하지 않음), 및 열전쌍(36)을 구비하며, 이들 모두를 내장하고 있다. 이 발열체(74)에 전력이 공급되어서 발열체가 열(적외선 및/또는 원적외선)을 발하면, 반도체 웨이퍼(W)가 직접 가열된다.
기판 탑재대(7)의 측부는 석영으로 이루어진 환형의 배플판(40)에 의해 둘러싸여 있다. 이러한 석영은 불순물을 포함하지 않는 고순도 석영으로 구성되는 것이 바람직하고, 불투명 석영으로 구성되는 것이 보다 바람직하다. 이 배플판(40) 은 복수의 배기 구멍을 갖고, 지지 부재에 의해 지지되어 있다. 이러한 배플판(40)에 의해, 챔버(2) 내부를 균일하게 배기하고, 챔버(2)내에 생성된 마이크로파 플라즈마에 의해 하방으로부터 오염물(contamination)이 역류하는 것이 방지된다.
기판 탑재대(7)의 하방에는 리프터(9)(도 6 참조)가 배치되어 있다. 기판 탑재대(7)에는 상하방향으로 관통하는 3개의 핀 관통 구멍(도 4에는 이들중 2개만이 도시됨)이 형성되어 있다. 예를 들어 석영제의 핀(93, 94)은 2개의 핀 삽입 구멍에 상하 이동가능하게 삽입되고, 예를 들어 석영제의 리프터 아암 부품(91, 92)에 의해 지지되어 있다. 리프터 아암 부품(91, 92) 및 핀(93, 94)은 Al2O3, AlN 등의 세라믹으로 제조될 수도 있다. 리프터 아암 부품(91, 92)은 챔버(2)의 바닥부를 관통하여 상하 이동가능한 승강축(96)에 의해 상하 이동가능하게 구성되어 있다. 리프터 아암 부품(91, 92)의 이동과 연동하여, 핀(93, 94)이 상하방향으로 이동되고, 그에 따라 반도체 웨이퍼(W)가 승강된다.
챔버(2)에는, 대략 원통형이고, 불투명 석영으로 이루어진 라이너(10)가 제공되며, 이 라이너는 챔버(2)의 내면을 따라 배치되어 있다. 챔버(2)의 상부는 개방되어 있고, 이 개방된 챔버(2)의 단부면에 환형의 가스 도입부(11)가 장착되어 있다. 가스 도입부(11)의 내측상에는 다수의 가스 방사 구멍(11a)이 균일하게 형성되어 있다. 가스 도입부(11)는 라인(11c)을 거쳐서 가스 공급 기구(11b)에 접속되어 있다. 예를 들면, 가스 공급 기구(11b)는 Ar 가스 공급원, O2 가스 공급원, H2 가스 공급원, N2 가스 공급원, 그 밖의 가스 공급원을 포함한다. 각각의 이들 가스는 가스 도입부(11)내로 공급되고, 가스 도입부(11)의 가스 방사 구멍으로부터 챔버(2)내로 균일하게 방사된다. 또한, Ar 가스 대신에, Kr, He, Ne, Xe 가스 등의 다른 희가스를 이용할 수도 있다.
챔버(2)의 측벽에는, 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치(1)에 인접하여 위치된 반송실(도시하지 않음)로부터 챔버(2)내로 반도체 웨이퍼(W)를 반입하고, 챔버(2)로부터 반송실내로 반도체 웨이퍼(W)를 반출하는 반송구(2a)가 형성되어 있다. 반송구(2a)는 게이트 밸브(12)에 의해 개폐된다. 반송구(2a)의 상측에는, 챔버(2)의 원주방향으로 냉각수를 관통시켜 흐르게 하기 위한 냉각수 유로(2b)가 형성되어 있다. 반송구(2a)의 하측에는, 다른 냉각수 유로(2c)가 형성되어 있다. 냉각수는 냉각수 공급원(50)으로부터 냉각수 유로(2b, 2c)내로 공급된다.
챔버(2)의 상측에는, 챔버(2)내로 돌출하는 투과판 지지부(13)가 배치되어 있다. 투과판 지지부(13)에는, 그 원주방향으로 냉각수를 관통시켜 흐르게 하기 위한 복수의 냉각수 유로(13a)가 형성되어 있다. 냉각수는 냉각수 공급원(50)으로부터 냉각수 유로(13a)내로 공급된다. 이 투과판 지지부(13)의 내측에는, 예를 들어 2개의 숄더부가 형성되어 있고, 석영 등의 유전체로 이루어지는, 마이크로파를 투과시키기 위한 마이크로파 투과판(14)이 투과판 지지부(13)의 숄더부상에 O링 등의 시일 부재(15)에 의해 기밀하게 끼워맞춰져 있다. 유전체는 Al2O3 등의 세라믹으로 제조될 수 있다.
마이크로파 투과판(14)의 상측에는, 원판형상의 평면 안테나(16)가 배치되어 있고, 이 평면 안테나(16)는 투과판 지지부(13)에 접지되어 있다. 평면 안테나(16)는, 표면이 금 또는 은으로 도금된 원형의 동판으로 형성되고, 예를 들어 8인치 웨이퍼(W)의 경우 직경이 300㎜ 내지 400㎜, 두께가 0.1㎜ 내지 10㎜(예를 들면, 5㎜)이 되도록 형성되어 있다. 평면 안테나(16)에는, 소정의 패턴으로 배열되고, 평면 안테나(16)의 상하방향으로 관통하는 다수의 마이크로파 방사 구멍(슬롯)(16a)이 형성되어 있다. 마이크로파 방사 구멍(16a)은, 평면에서 보아 긴 홈형상을 각각 갖고, 또한 인접하는 마이크로파 방사 구멍(16a)이 T자형상으로 되고, 이 T자형상이 복수의 동심원상에 배열되도록 구성되어 있다. 마이크로파 방사 구멍(16a)의 간격은 마이크로파의 파장(λg)에 대해 예를 들어 λg/4, λg/2, λg가 되도록 설정된다. 평면 안테나(16)는 사각형일 수도 있다.
평면 안테나(16)의 상측에는, 평면 안테나(16)보다 약간 작은 직경을 갖도록 설정된 지파판(retardation; 遲波板)(17)이 배치되어 있다. 이 지파판(17)은 진공보다 큰 유전률을 갖는, 예를 들어 석영, 폴리데트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene), 폴리이미드 등으로 이루어진다. 진공 상태에서는 마이크로파의 파장이 길어진다. 따라서, 이 지파판(17)은 마이크로파가 직경방향(방사방향)으로 전파할 때 마이크로파의 파장을 짧게 하여 플라즈마를 조정한다.
투과판 지지부(13)의 상측에는, 지파판(17)의 상면 및 측면과, 평면 안테나(16)의 측면을 덮도록, 전도성의 덮개부(18)가 배치되어 있다. 투과판 지지부(13)와 덮개부(18) 사이의 부분은 링형상의 시일 부재(19)에 의해 기밀하게 밀봉 되어 있다. 덮개부(18)에는, 덮개부(18)의 원주방향으로 냉각수를 관통시켜 흐르게 하기 위한 냉각수 유로(18a)가 형성되어 있다. 냉각수는 냉각수 공급원(50)으로부터 냉각수 유로(18a)내로 공급된다. 따라서, 덮개부(18), 지파판(17), 평면 안테나(16) 및 마이크로파 투과판(14)이 냉각되어, 플라즈마를 안정하게 생성하는 동시에, 파손이나 변형을 방지하게 된다.
덮개부(18)의 중앙부에는 개구부가 형성되어 있고, 이 개구부는 동축 도파관(wave guide tube)(20)에 접속되어 있다. 동축 도파관(20)의 단부에는, 정합기(21)를 거쳐서 마이크로파 발생 장치(22)가 접속되어 있다. 마이크로파 발생 장치(22)는 예를 들어 2.45GHz의 주파수를 갖는 마이크로파를 발생하고, 이 마이크로파는 동축 도파관(20)을 거쳐서 평면 안테나(16)로 전파된다. 또한, 마이크로파는 8.35GHz 또는 1.98GHz의 주파수를 가질 수도 있다.
동축 도파관(20)은, 덮개부(18)의 개구부로부터 상방으로 연장되는 외측 도체를 갖는 원형 도파관(20a)과, 이 원형 도파관(20a)의 상단부에 모드 변환기(mode transducer)(23)를 거쳐서 접속되고, 수평방향으로 연장되는 장방형 동축 도파관(20b)을 포함한다. 모드 변환기(23)에 의해, 장방형 동축 도파관(20b)을 TE 모드로 전파하는 마이크로파가 TEM 모드로 변환된다. 원형 도파관(20a)의 중심에는 내측 도체(20c)가 제공되어, 원형 도파관(20a)과 협동하여 동축 도파관(20)을 구성한다. 이 내측 도체(20c)의 하단부는 지파판(17)의 중앙부에 형성된 구멍을 관통하여 평면 안테나(16)에 접속되어 있다. 마이크로파는 동축 도파관(20)을 거쳐서 평면 안테나(16)에 균일하게 방사방향으로 효율적으로 전파된다.
기판 탑재대(7)를 지지하는 원통형의 지지부(8)의 바닥부는 지지부 고정부(24)에 예를 들어 Al제의 고정판(25)을 거쳐서 클램프(26)에 의해 고정되어 있다. 예를 들면, 지지부 고정부(24)는 Al로 이루어지고, 플랜지부를 갖는 원기둥형상으로 되어 있다. 지지부 고정부(24)는, Al제의 고정부 장착부(27)의 상부에 끼워맞춰진다. 지지부 고정부(24)의 측부에는, 지지부 고정부(24)의 원주방향으로 냉각수를 관통시켜 흐르게 하기 위한 냉각수 유로(24a)가 형성되어 있다. 냉각수는 냉각수 공급원(50)으로부터 냉각수 유로(24a)내로 공급된다. 고정부 장착부(27)의 일 측부는 상부 배기관(3a)에 장착되어 있다.
고정부 장착부(27)는 상부 배기관(3a)에 장착된 측에 개구부(27b)를 구비한다. 고정부 장착부(27)는 개구부(27b)를 상부 배기관(3a)에 형성된 구멍(28a)과 정렬시킨 상태에서 상부 배기관(3a)에 고정되어 있다. 따라서, 고정부 장착부(27)내에 형성되는 공간부(27c)는 개구부(27b) 및 구멍(28a)을 거쳐서 외측 대기와 연통하고 있다. 공간부(27c)에는, 기판 탑재대(7)의 온도를 측정하기 위한 열전쌍(36)의 배선, 발열체(74)로 전력을 공급하기 위한 배선 등이 배치되어 있다.
마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치(1)의 각 구성요소는, 인터페이스(51)를 거쳐서, CPU를 포함하는 제어부(30)에 접속되어서 그에 의해 제어된다. 제어부(30)의 제어하에서, 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치에서 소정의 처리가 실행된다.
도 5는 기판 탑재대(7) 및 지지부(8)를 도시하는 분해 사시도이다. 기판 탑재대(7)는 석영제의 원판형 베이스부(71)를 포함하며, 이 베이스부(71)상에는, 순차적으로 Si로 이루어지는 제 1 리플렉터(72), 석영으로 이루어지는 절연판(73), 및 전도성의 SiC 소결체로 이루어지는 발열체(74)가 적층되어 있다. 발열체(74)의 상면과, 발열체(74), 제 1 리플렉터(72) 및 절연판(73)의 측면은 석영제의 커버(75)로 덮여 있다. 커버(75)상에는, Si로 이루어진 링형상의 제 2 리플렉터(76)가 배치되어 있다. 제 1 리플렉터(72), 절연판(73) 및 발열체(74)는 각각 2장의 반원판으로 형성되고, 이들 반원판은 원형을 형성하도록 서로 맞대어 적층된다.
도 6은 리프터(9)를 도시하는 사시도이다. 리프터(9)는 한쌍의 아암 부품(91, 92)을 구비하는 석영제의 리프터 아암(90)을 포함하며, 기판 탑재대(7) 하방에 위치되어 있다. 리프터(90)의 아암 부품(91, 92)은 챔버(2)의 바닥부를 관통하여 상하 이동가능한 승강축(96)에 의해 챔버(2)내를 각각 승강하도록 구성되어 있다(도 4 참조).
아암 부품(91, 92)은, 승강축(96)에 연결부(97)를 거쳐서 연결되어 있다. 아암 부품(91, 92)은 챔버(2)의 반경방향과 정렬하는 방향으로 연장되는 연장부(91a, 92a)와, 기판 탑재대(7)와 동축이고, 기판 탑재대(7)의 직경보다 약간 작은 직경을 갖는 원호형상으로 형성된 원호부(91b, 92b)를 포함한다. 원호부(91b)는 원호부(92b)보다 길다. 원호부(91b)의 선단부에는, 석영제의 핀(93)이 세워져 있고, 핀(93)으로부터 원주방향으로 120° 이격된 위치에 핀(95)이 세워져 있다. 원호부(92b)의 선단부에는, 핀(94)이 세워져 있다. 핀(93, 94, 95)은 원주방향으로 서로로부터 120° 이격되어 있다.
상기 연결부(97)는 2세트의 지지판(97a), 연결판(97b) 및 스토퍼판(97c) 뿐 만 아니라, 커버(97d) 및 복수의 나사(97e, 97f, 97g)를 포함한다. 리프터 아암(90)을 구성하는 아암 부품(91, 92)은 각각 지지판(97a)에 스토퍼판(97c)을 거쳐서 나사(97f)에 의해 고정되어 있다. 지지판(97a)의 단부 하측에는 각각 연결판(97b)이 연결되어 있다. 각 나사(97e)는 지지판(97a) 및 연결판(97b)을 관통하여, 승강축(96)의 상단부에 나사 고정되어 있다.
2장의 지지판(97a)을 제위치에 세팅한 후에, 커버(97d)의 양단부가 지지판(97a)의 오목부(97h)에 끼워맞춰진다. 커버(97d)는 지지판(97a)의 후방측을 덮은 상태에서 나사(97g)에 의해 지지판(97a)에 고정되어서, 지지판(97a)이 서로 연결된다.
도 7은 아암 부품(91, 92)이 펼쳐진 상태에 있는 리프터(9)의 사시도이다.
리프터 아암(90)을 구성하는 아암 부품(91, 92)이 펼쳐진 경우, 나사(97g)를 풀고 커버(97d)를 분리한다. 그리고, 고정 나사(97e)를 풀어서 아암 부품(91)에 연결된 지지판(97a) 및 연결판(97b)의 나사 고정과, 아암 부품(92)에 연결된 지지판(97a) 및 연결판(97b)의 나사 고정을 해제한다. 그 결과, 아암 부품(91, 92)을 승강축(96)에 대해 상대적으로 회전할 수 있고, 그에 따라 아암 부품(91, 92)을 손으로 서로 이격시킬(즉, 펼칠) 수 있다.
아암 부품(91, 92)은 후술하는 바와 같이 승강축(96)을 회전시키는 구동부(110)에 의해 펼쳐지도록 구성될 수도 있다.
도 8은 리프터(9)의 배면 사시도이다.
리프터(9)의 구동부(110)는 축 홀더(111), 지지부(112), 지지부(113), 지주 부(column portion)(114), 리니어 슬라이드 레일(115), 모터(116), 풀리(117), 볼 나사(118), 지지부(119) 및 탑재대(122)를 구비한다.
축 홀더(111), 지지부(112) 및 지지부(113)는 서로 연결되어 있다. 지지부(119)는 지지부(113)의 내측에 끼워맞춰진 지지부(113a)에 연결되어 있다.
리니어 슬라이드 레일(115)은 지주부(114)상에 수직방향으로 연장되도록 형성되고, 지지부(113)에 수직방향으로 형성된 홈부와 결합하고 있다. 지주부(114)는 모터(116) 위의 탑재대(122)상에 장착되어 있다. 지주부(114)의 하부측에는 오목부(114a)가 형성되어 있고, 오목부(114a)내에 배치된 기구를 통해서, 모터(116)의 회전이 풀리(117)에 전달된다.
각각의 승강축(96)은 연결판(98)을 관통하고, 금속제의 아코디언(accordion) 또는 벨로우즈(bellows)(99)를 관통 연장하여, 대응하는 축 홀더(111)에 연결되어 있다.
모터(116)가 구동하여, 모터(116)에 의해 풀리(117)를 거쳐서 볼 나사(118)가 회전하면, 그에 따라 지지부(119)가 상하 이동한다. 이에 연동하여, 지지부(113), 및 그에 연결된 지지부(112) 및 축 홀더(111)가 리니어 슬라이드 레일(115)을 따라 상하로 슬라이딩된다. 그 결과, 벨로우즈(99)에 의해, 챔버(2) 내부의 기밀성을 유지하면서, 승강축(96)이 상하 이동하고, 아암 부품(91, 92)이 상하 이동한다.
나사(120)를 회전시킴으로써, 승강축(96) 및 이것에 연결된 리프터 아암 부품(91, 92)의 위치가 y축 방향으로 미세 조정될 수 있다. 또한, 축 홀더(111) 및 지지부(112)의 바닥부를 관통하는 나사(121)를 회전시킴으로써, 승강축(96) 및 이것에 연결된 리프터 아암 부품(91, 92)의 위치가 x축 방향으로 미세 조정될 수 있다.
도 9는 핀(93)이 기판 탑재대(7)에 형성된 핀 삽입 구멍내에 삽입된 상태에 있는 리프터(9)의 단면도이다.
베이스부(71)의 주연부 근처의 위치에는, 베이스부(71)를 상하방향으로 관통하는 핀 삽입 구멍(71a)이 형성되어 있다. 핀 삽입 구멍(71a)에는 그 상부의 구멍의 외연부로부터 연장되는 예를 들어 파이프 형상의 돌출부(71b)가 제공된다. 돌출부(71b)의 상단부에는, 제 1 리플렉터(72)가 지지되어 있다. 마찬가지로, 제 1 리플렉터(72), 절연판(73) 및 발열체(74)에는, 핀 삽입 구멍(72a), 핀 삽입 구멍(73a) 및 핀 삽입 구멍(74a)이 각각 형성되어 있다. 커버(75)에는, 그 바닥부로부터 수직방향 하방으로 연장되는 핀 삽입부(75a)가 형성되어 있고, 각각의 핀 삽입부(75a)는 핀 삽입 구멍(74a), 핀 삽입 구멍(73a) 및 핀 삽입 구멍(72a)을 관통하여 핀 삽입 구멍(71a) 내부까지 연장된다. 각각의 핀 삽입부(75a)는 예를 들어 핀(93)이 상하 이동가능한 삽입 구멍(75b)을 구비한다.
아암 부품(91)의 선단부에는, 아암 부품(91)을 관통하는 관통 구멍(91c)이 형성되어 있다. 핀(93)을 지지하는 핀 고정부(102)는 아암 부품(91)에 형성된 관통 구멍(91c)내에 삽입되고, 아암 부품(91)의 바닥부에 하측 고정부(또는 스토퍼부)(또는 접촉부)(103)에 의해 고정되어 있다. 예를 들어 너트로 이루어지는 핀 고정부(102)는 플랜지부(또는 지지부)(102a), 유동부(movable portion)(102b), 나사 결합부(또는 결합부)(102c) 및 핀 삽입 구멍(102d)을 포함한다. 플랜지부(102a)는 유동부(102b)보다 큰 직경을 갖는다. 핀(93)의 하단부는 핀 삽입 구멍(102d)에 나사 고정되어 있다. 유동부(102b)는 관통 구멍(91c)에 유격 끼워맞춤되어 있다. 플랜지부(102a)는 관통 구멍(91c)보다 큰 직경을 가져서, 아암 부품(91)의 상면에 접촉하도록 되어 있다. 나사 결합부(102c)의 외주면에는 수나사가 마련되어 있다. 너트 등의 고정 부재로 이루어진 하측 고정부(103)는 관통 구멍(91c)보다 큰 직경을 갖는다. 하측 고정부(103)는 나사 결합부(102c)에 나사 결합되어서, 아암 부품(91)의 하면에 접촉하도록 되어 있다. 이러한 상태에서, 핀 고정부(102)는 전후 좌우로 핀(93)과 함께 움직일 수 있다.
마찬가지로, 각각의 다른 핀(94, 95)도 대응하는 핀 고정부(102)의 내부에 나사 고정되고, 이 핀 고정부(102)의 유동부(102b)가 아암 부품(91, 92)에 형성된 대응하는 관통 구멍(91c)에 유격 끼워맞춤되어 있다.
전술한 바와 같이, 아암 부품(91, 92)이 승강축(96)에 의해 승강되면, 아암 부품(91, 92)에 의해 지지된 핀(93, 94, 95)이 승강된다. 핀(93, 94, 95)이 상승하여, 그 상단부가 기판 탑재대(7)로부터 돌출했을 때에, 반도체 웨이퍼(W)는 들어올려진다. 한편, 핀(93, 94, 95)이 하강하여, 그 상단부가 기판 탑재대(7)내로 후퇴했을 때에, 반도체 웨이퍼(W)는 기판 탑재대(7)상에 탑재된다.
핀 고정부(102)가 관통 구멍(91c)에 유격 끼워맞춤되어 있으므로, 핀(93)에 나사 결합된 핀 고정부(102)는 유격에 대응하는 정도만큼 관통 구멍(91c)의 반경방향으로 움직일 수 있다. 따라서, 리프터(9)를 챔버(2)에 조립할 때, 핀(93)은 핀 삽입부(75a)내에 용이하게 삽입되고, 핀 삽입 구멍(75b)내로 용이하게 안내될 수 있다.
이때, 핀(93)이 핀 삽입 구멍(75b)의 내벽과 접촉하는 경우에도 핀 고정부(102)가 플로팅(floating) 상태에 있으므로, 삽입시에 핀(93)의 중심축은 핀 삽입 구멍(75b)의 중심축과 즉시 정렬될 수 있다. 처리시에 기판 탑재대(7)가 열팽창하는 경우에, 핀(93)이 관통 구멍(91c)내를 자유롭게 움직일 수 있으므로, 핀(93)은 파손되지 않고서 핀 삽입 구멍(75b)을 관통하여 원활하게 승강될 수 있다. 따라서, 핀(93)의 직경을 종래의 핀의 직경보다 크게 할 수 있으므로, 반도체 웨이퍼(W)를 보다 안정하게 지지 및 반송할 수 있다.
마찬가지로, 각각의 다른 핀(94, 95)도 대응하는 핀 삽입 구멍 및 핀 삽입부내로 용이하게 삽입될 수 있다. 또한, 각각의 핀(94, 95)의 설정이 대응하는 핀 삽입 구멍 및 핀 삽입부에 대해 용이하게 조정될 수 있다. 따라서, 핀(94, 95)의 파손이 억제된다.
리프터(9)를 챔버(2)에 장착한 후에, 기판 탑재대(7)가 연결되는 지지부(8)에 고정된 지지부 고정부(24)를 챔버(2) 및 배기관(3)내에 장착하는 것을 가정하여 보자. 이러한 경우에, 본 실시예에 따르면, 지지부 고정부(24)의 외경이 아암 부품(91, 92)에 의해 형성되는 원의 내경보다 크면, 리프터 아암(90)을 구성하는 아암 부품(91, 92)을 서로 이격시킬(즉, 펼칠) 수 있다. 따라서, 지지부 고정부(24)는 상방으로부터 아암 부품(91, 92)을 통과시켜서, 고정부 장착부(27)에 끼워맞춤으로써, 배기관(3)에 고정될 수 있다. 또한, 지지부 고정부(24)를 챔버(2)에 장착한 상태에서, 아암 부품(91, 92)을 다른 아암 부품으로 교환할 수 있다. 이러한 경우에, 아암 부품(91, 92)을 좌우로 벌리고, 나사(97f)를 풀어서, 아암 부품(91, 92)을 지지판(97a, 97a)으로부터 분리할 수 있다.
따라서, 본 실시예에 있어서는 유지보수(maintenance) 작업을 단시간에 실행할 수 있다.
또한, 아암 부품(91, 92)이 서로 분할되어 있으므로, 아암 부품(91, 92)의 높이를 조정 나사의 사용에 의해 개별적으로 조정할 수 있다. 따라서, 아암 부품(91, 92)의 치수 정밀도의 차이로 인해 핀(93, 95)과 핀(94)의 높이가 오정렬되는 경우에 높이를 조정하여 정렬시킬 수 있다.
이상과 같이 구성된 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치(1)에 따르면, 예를 들어 Ar 가스 및 O2 가스를 가스 도입부(11)로부터 도입하고, 평면 안테나(16)로부터 소정의 주파수의 마이크로파를 인가함으로써, 챔버(2)내에 고밀도 플라즈마가 형성된다. 그에 따라 여기된 Ar 가스 플라즈마는 산소 분자에 작용하고, 그에 의해 챔버(2)내에 산소 라디칼을 효율적으로 균일하게 생성하여, 기판 탑재대(7)상에 탑재된 반도체 웨이퍼(W)의 표면이 산화된다. 반도체 웨이퍼(W)상에 질화 처리를 실행할 경우에는, Ar 가스 등의 희가스와 NH3 가스 또는 N2 가스를 가스 도입부(11)로부터 챔버(2)내에 공급한다. 반도체 웨이퍼(W)에 산질화 처리를 실행할 경우에는, 질화 처리에 사용되는 가스에 부가하여 O2 가스를 공급할 수도 있다.
이러한 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서는, 리프터 아암 부품(91, 92)을 하강시킬 때에, 핀 고정부(102)의 플랜지부(102a)에 의해 핀(93, 94, 95)이 하방으로 당겨지므로, 핀(93, 94, 95)이 반도체 웨이퍼(W)로부터 원활하게 또한 용이하게 분리된다. 따라서, 핀(93, 94, 95)이 반도체 웨이퍼(W)에 정전기력에 의해 흡착되는 것이 방지되고, 그에 따라 반도체 웨이퍼(W)의 반송 에러가 생기는 것이 방지된다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 다른 리프터를 도시하는 단면도로서, 핀이 기판 탑재대에 형성된 핀 삽입 구멍내로 삽입된 상태를 도시한다. 도 10에 있어서, 도 9에 도시된 핀(93) 및 기판 탑재대(7)와 동일 구성요소는 동일 참조부호로 나타낸다.
리프터 아암(90)을 구성하는 아암 부품(91)의 선단부에는, 아암 부품(91)을 관통하는 나사 구멍(91d)이 형성되어 있다. 나사 구멍(91d)내에는, 플랜지부(또는 지지부)(108a), 유동부(108b), 하측 고정부(또는 스토퍼부)(108c) 및 핀 삽입 구멍(108d)을 포함하는 핀 고정부(108)가 삽입되어 있다. 플랜지부(108a)는 유동부(108b)보다 큰 직경을 갖는다. 핀(93)의 하단부는 핀 삽입 구멍(108d)에 나사 고정되어 있다. 유동부(108b)는 나사 구멍(91d)에 유격 끼워맞춤되어 있다. 플랜지부(108a)는 나사 구멍(91d)보다 큰 직경을 갖고, 그에 따라 아암 부품(91)의 상면에 접촉하도록 되어 있다. 하측 고정부(108c)의 외주면에는, 나사 구멍(91d)에 나사 결합되는 수나사가 형성되어 있다. 하측 고정부(108c)는, 수나사가 나사 구멍(91d)에 나사 결합될 때, 나사 구멍(91d)으로부터 하방으로 돌출한 상태에서 유동부(108b)를 하측으로부터 지지한다. 나사 구멍(91d)과 유동부(108b) 사이에는, 환형의 간극(91f)이 형성되어 있다. 이러한 상태에서, 핀 고정부(108)가 핀(93)과 함께 전후 좌우로 움직일 수 있다.
마찬가지로, 각각의 다른 핀(94, 95)도 대응하는 핀 고정부(108)의 내부에 나사 고정되고, 이 핀 고정부(108)의 유동부(108b)가 아암 부품(91, 92)에 형성된 대응하는 나사 구멍에 유격 끼워맞춤되어 있다.
핀 고정부(108)가 나사 구멍(91d)에 유격 끼워맞춤되어 있으므로, 핀(93)에 나사 결합된 핀 고정부(108)는 유격에 대응하는 정도만큼 나사 구멍(91d)의 반경방향으로 움직일 수 있다. 따라서, 리프터(9)를 챔버(2)에 조립할 때, 핀(93)은 핀 삽입부(75a)내에 용이하게 삽입되고, 핀 삽입 구멍(75b)내로 용이하게 안내될 수 있다.
이때, 핀(93)이 핀 삽입 구멍(75b)의 내벽과 접촉하는 경우에도 핀 고정부(108)가 플로팅 상태에 있으므로, 삽입시에 핀(93)의 중심축은 핀 삽입 구멍(75b)의 중심축과 즉시 정렬될 수 있다. 처리시에 기판 탑재대(7)가 열팽창하는 경우에, 핀(93)이 나사 구멍(91d)내를 자유롭게 움직일 수 있으므로, 핀(93)은 파손되지 않고서 핀 삽입 구멍(75b)을 관통하여 원활하게 승강될 수 있다. 따라서, 핀(93)의 직경을 종래의 핀의 직경보다 크게 할 수 있으므로, 반도체 웨이퍼(W)를 보다 안정하게 지지 및 반송할 수 있다.
마찬가지로, 각각의 다른 핀(94, 95)도 대응하는 핀 삽입 구멍 및 핀 삽입부내로 용이하게 삽입될 수 있다. 또한, 각각의 핀(94, 95)의 설정이 대응하는 핀 삽입 구멍 및 핀 삽입부에 대해 용이하게 조정될 수 있다. 따라서, 핀(94, 95)의 파손이 억제된다.
이러한 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치(1)에 있어서는, 리프터 아암 부품(91)을 하강시킬 때에, 플랜지부(108a)에 의해 핀(93)이 하방으로 당겨지므로, 핀(93)이 반도체 웨이퍼(W)로부터 원활하게 또한 용이하게 분리된다. 따라서, 핀(93)이 반도체 웨이퍼(W)에 흡착되는 것이 방지되고, 그에 따라 반도체 웨이퍼(W)의 반송 에러가 생기는 것이 방지된다.
또한, 핀 고정부(108)가 일체로 형성되어 있으므로, 리프터 아암 부품(91)이 승강할 때 하측 고정부(108c)가 위치 어긋나는 일이 없다. 따라서, 핀 고정부(108)가 리프터 아암 부품(91)에 안정하게 고정된다.
마찬가지로, 각각의 다른 핀(94, 95)도 반도체 웨이퍼(W)로부터 원활하게 또한 용이하게 분리되어, 반도체 웨이퍼(W)의 반송 에러가 생기는 것이 방지된다.
본 발명은 전술한 실시예에 한정되지 않고, 다양한 방법으로 변형될 수 있다. 예를 들면, 전술한 실시예에 있어서, 리프터(9)의 승강 기구 및 기판 탑재대(7)의 내부 구조를 포함하는 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치(1)의 구성은 전술한 실시예에 도시된 것에 한정되지 않는다.
전술한 실시예에 있어서, 본 발명은 마이크로파 타입의 플라즈마 처리 장치에 적용되지만, 본 발명은 평행판 타입의 플라즈마 처리 장치 또는 유도결합 타입의 플라즈마 처리 장치 등의 다른 플라즈마 처리 장치에 적용될 수도 있다. 또한, 전술한 실시예에 있어서, 본 발명은 플라즈마 처리 장치에 적용되지만, 본 발명의 플라즈마 처리 장치 이외의 장치에 적용될 수도 있다. 더욱이, 전술한 실시예에 있어서, 본 발명은 산화 처리, 질화 처리 또는 산질화 처리에 의해 예시되어 있지 만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 발명은 성막 처리, 에칭 처리, 열처리, 개질 처리 또는 결정화 처리 등의 다른 처리를 실행하는 장치에 적용될 수도 있다.
본 발명에 따르면, 핀을 내부에 나사 고정한 유동부가 리프터 아암의 관통 구멍에 유격 끼워맞춤되어 있으므로, 유격만큼 관통 구멍의 반경방향으로 움직일 수 있어, 리프터 아암의 탑재대로의 조립시에 탑재대에 형성된 삽입 구멍으로의 핀의 위치 정렬이 용이해진다. 또한, 처리시에 탑재대가 열팽창하여 핀 삽입 구멍이 변형한 경우에도, 핀이 반경방향으로 움직일 수 있어, 핀이 핀 삽입 구멍내를 원활하게 상하 이동할 수 있으므로, 핀의 직경을 크게 할 수 있어서, 리프터의 조립시에 핀이 파손하는 것을 억제할 수 있다.
또, 처리 장치의 사용시에 있어서, 리프터 아암이 하강될 때, 플랜지부에 의해 핀이 하방으로 당겨지므로, 핀이 피처리체로부터 분리되고, 피처리체에 흡착되는 일이 없어, 피처리체의 반송 에러가 생기는 일이 없다.
또, 하측 고정부가 유동부에 연결되어 있으므로, 처리 장치의 사용시에, 리프터 아암이 승강할 때 하측 고정부가 어긋나는 일이 없어, 원활하게 상하 이동할 수 있다.
더욱이, 탑재대를 고정한 부재 및 리프터를 챔버에 장착하는 경우에, 리프터를 미리 챔버에 장착하여 두고, 한쌍의 리프터 아암을 서로 이격시킴으로써, 상기 부재를 상방으로부터 용이하게 리프터 아암을 통과시켜서 챔버에 장착할 수 있고, 또한 상기 부재를 챔버에 장착한 상태에서, 리프터 아암을 교환할 수 있고, 더욱이 핀의 높이의 조정을 리프터 아암마다 실행할 수 있다.
또, 고정 나사를 풀어 회전시킴으로써, 용이하게 리프터 아암을 서로 이격시킬 수 있다.

Claims (12)

  1. 리프터(9)에 있어서,
    처리될 피처리체(W)를 탑재하는 탑재대(7)를 관통하여 형성된 복수의 구멍에 삽입되고, 상기 피처리체(W)를 지지하도록 구성된 복수의 핀(93, 94, 95)과,
    상기 복수의 핀(93, 94, 95)을 지지하도록 구성된 리프터 아암(90)과,
    상기 리프터 아암(90)에 상기 핀(93, 94, 95)을 각각 고정하도록 구성된 핀 고정부(102)를 포함하며,
    상기 리프터 아암(90)에 의해 상기 핀(93, 94, 95)을 승강시킴으로써, 상기 탑재대(7)의 구멍에 대해 상기 핀(93, 94, 95)을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체(W)를 승강시키며,
    각각의 핀 고정부(102)는 상기 리프터 아암(90)에 형성된 관통 구멍(91C)내로 삽입되며,
    상기 각 핀 고정부(102)는, 대응하는 핀(93, 94, 95)을 고정하도록 내부에 형성된 핀 삽입 구멍(102d)을 갖고, 상기 관통 구멍(91c)에 유격 끼워맞춤되는 유동부(102b)와,
    상기 유동부(102b)의 상측에 연결되고, 상기 유동부(102b)보다 큰 직경을 갖고, 대응하는 상기 핀(93, 94, 95)이 관통한 상태에서 상기 리프터 아암(90)의 상면에 접촉하게 되는 지지부(102a)와,
    상기 유동부(102b)의 하측에 연결되고, 상기 관통 구멍(91c)으로부터 하방으로 돌출한 결합부(102c)와,
    상기 결합부(102c)에 결합되어, 상기 리프터 아암(90)의 하면에 접촉하게 되는 스토퍼부(103)를 포함하며,
    상기 핀 고정부(102)는 유동부(102b) 주위의 간극에 의해 수평방향으로 이동가능하게 되는
    리프터.
  2. 리프터(9)에 있어서,
    처리될 피처리체(W)를 탑재하는 탑재대(7)를 관통하여 형성된 복수의 구멍에 삽입되고, 상기 피처리체(W)를 지지하도록 구성된 복수의 핀(93, 94, 95)과,
    상기 복수의 핀(93, 94, 95)을 지지하여 승강시키도록 구성된 리프터 아암(90)과,
    상기 리프터 아암(90)에 상기 핀(93, 94, 95)을 각각 고정하도록 구성된 핀 고정부(108)를 포함하며,
    상기 리프터 아암(90)에 의해 상기 핀(93, 94, 95)을 승강시킴으로써, 상기 탑재대(7)의 구멍에 대해 상기 핀(93, 94, 95)을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체(W)를 승강시키며,
    각각의 핀 고정부(108)는 상기 리프터 아암(90)에 형성되고 내벽상에 나사를 갖는 나사 구멍(91d)내로 삽입되며,
    상기 각 핀 고정부(108)는, 대응하는 핀(93, 94, 95)을 고정하도록 내부에 형성된 핀 삽입 구멍(108d)을 갖고, 상기 나사 구멍(91d)에 유격 끼워맞춤되는 유동부(108b)와,
    상기 유동부(108b)의 상측에 연결되고, 상기 유동부(108b)보다 큰 직경을 갖고, 대응하는 상기 핀(93, 94, 95)이 관통한 상태에서 상기 리프터 아암(90)의 상면에 접촉하게 되는 지지부(108a)와,
    상기 유동부(108b)의 하측에 연결되고, 외주면에 상기 나사 구멍(91d)내에 나사 결합되는 수나사가 형성되어 있고, 상기 수나사가 상기 나사 구멍(91d)에 나사 결합되어, 상기 나사 구멍(91d)으로부터 하방으로 돌출한 상태에서, 상기 유동부(108b)를 하측으로부터 지지하는 스토퍼부(108c)를 포함하며,
    상기 핀 고정부(108)는 유동부(108b) 주위의 간극에 의해 수평방향으로 이동가능하게 되는
    리프터.
  3. 처리 장치(1)에 있어서,
    피처리체(W)를 수용하도록 구성된 챔버(2)와,
    상기 챔버(2)내에서 상기 피처리체(W)를 탑재하도록 구성된 탑재대(7)와,
    상기 챔버(2)내에서 상기 피처리체(W)에 소정의 처리를 실행하도록 구성된 처리 기구와,
    상기 탑재대(7)상의 피처리체(W)를 승강시키도록 구성된 리프터(9)와,
    상기 리프터(9)를 구동하는 구동 기구(110)를 포함하며,
    상기 리프터(9)는, 상기 탑재대(7)상의 피처리체(W)를 지지하여 승강시키도록 구성된 복수의 핀(93, 94, 95)과, 상기 복수의 핀(93, 94, 95)을 지지하여 승강시키도록 구성된 리프터 아암(90)과, 상기 리프터 아암(90)에 상기 핀(93, 94, 95)을 각각 고정하도록 구성된 핀 고정부(102)를 포함하며,
    상기 탑재대(7)에는 상기 핀(93, 94, 95)이 삽입되는 복수의 구멍이 관통 형성되어 있고, 상기 리프터 아암(90)에 의해 상기 핀(93, 94, 95)을 승강시킴으로써, 상기 구멍에 대해 상기 핀(93, 94, 95)을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체(W)를 승강시키며,
    각각의 핀 고정부(102)는 상기 리프터 아암(90)에 형성된 관통 구멍(91c)내로 삽입되며,
    상기 각 핀 고정부(102)는, 대응하는 핀(93, 94, 95)을 고정하도록 내부에 형성된 핀 삽입 구멍(102d)을 갖고, 상기 관통 구멍(91c)에 유격 끼워맞춤되는 유동부(102b)와,
    상기 유동부(102b)의 상측에 연결되고, 상기 유동부(102b)보다 큰 직경을 갖고, 대응하는 상기 핀(93, 94, 95)이 관통한 상태에서 상기 리프터 아암(90)의 상면에 접촉하게 되는 지지부(102a)와,
    상기 유동부(102b)의 하측에 연결되고, 상기 관통 구멍(91c)으로부터 하방으로 돌출한 결합부(102c)와,
    상기 결합부(102c)에 결합되어, 상기 리프터 아암(90)의 하면에 접촉하게 되는 접촉부(103)를 포함하며,
    상기 핀 고정부(102)는 유동부(102b) 주위의 간극에 의해 수평방향으로 이동가능하게 되는
    처리 장치.
  4. 처리 장치(1)에 있어서,
    피처리체(W)를 수용하도록 구성된 챔버(2)와,
    상기 챔버(2)내에서 상기 피처리체(W)를 탑재하도록 구성된 탑재대(7)와,
    상기 챔버(2)내에서 상기 피처리체(W)에 소정의 처리를 실행하도록 구성된 처리 기구와,
    상기 탑재대(7)상의 피처리체(W)를 승강시키도록 구성된 리프터(9)와,
    상기 리프터(9)를 구동하는 구동 기구(110)를 포함하며,
    상기 리프터(9)는, 상기 탑재대(7)상의 피처리체(W)를 지지하여 승강시키도록 구성된 복수의 핀(93, 94, 95)과, 상기 복수의 핀(93, 94, 95)을 지지하여 승강시키도록 구성된 리프터 아암(90)과, 상기 리프터 아암(90)에 상기 핀(93, 94, 95)을 각각 고정하도록 구성된 핀 고정부(108)를 포함하며,
    상기 탑재대(7)에는 상기 핀(93, 94, 95)이 삽입되는 복수의 구멍이 관통 형성되어 있고, 상기 리프터 아암(90)에 의해 상기 핀(93, 94, 95)을 승강시킴으로써, 상기 구멍에 대해 상기 핀(93, 94, 95)을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체(W)를 승강시키며,
    각각의 핀 고정부(108)는 상기 리프터 아암(90)에 형성되고 내벽상에 나사를 갖는 나사 구멍(91d)내로 삽입되며,
    상기 각 핀 고정부(108)는, 대응하는 핀(93, 94, 95)을 고정하도록 내부에 형성된 핀 삽입 구멍(108d)을 갖고, 상기 나사 구멍(91d)에 유격 끼워맞춤되는 유동부(108b)와,
    상기 유동부(108b)의 상측에 연결되고, 상기 유동부(108b)보다 큰 직경을 갖고, 대응하는 상기 핀(93, 94, 95)이 관통한 상태에서 상기 리프터 아암(90)의 상면에 접촉하게 되는 지지부(108a)와,
    상기 유동부(108b)의 하측에 연결되고, 외주면에 상기 나사 구멍(91d)내에 나사 결합되는 수나사가 형성되어 있고, 상기 수나사가 상기 나사 구멍(91d)에 나사 결합되어, 상기 나사 구멍(91d)으로부터 하방으로 돌출한 상태에서, 상기 유동부(108b)를 하측으로부터 지지하는 스토퍼부(108c)를 포함하며,
    상기 핀 고정부(108)는 유동부(108b) 주위의 간극에 의해 수평방향으로 이동가능하게 되는
    처리 장치.
  5. 리프터(9)에 있어서,
    처리될 피처리체(W)를 탑재하는 탑재대(7)를 관통하여 형성된 복수의 구멍에 삽입되고, 상기 피처리체(W)를 지지하도록 구성된 복수의 핀(93, 94, 95)과,
    상기 복수의 핀(93, 94, 95)을 지지하도록 구성된 리프터 아암(90)과,
    상기 리프터 아암(90)을 수평으로 지지하도록 구성된 지지부와,
    상기 지지부에 연결되고, 상기 리프터 아암(90)을 수평으로 지지한 상태에서 승강하여 상기 리프터 아암(90)을 승강시키도록 구성된 승강부를 포함하며,
    상기 리프트 아암(90)에 의해 상기 핀(93, 94, 95)을 지지하여 승강시킴으로써, 상기 탑재대(7)의 구멍에 대해 상기 핀(93, 94, 95)을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체(W)를 승강시키며,
    상기 리프터 아암(90)은 한쌍의 아암 부품(91, 92)을 포함하며,
    상기 지지부는 상기 아암 부품(91, 92)을 개별적으로 또한 수평으로 지지하도록 구성된 한쌍의 지지판(97a)을 포함하며,
    상기 승강부는 상기 지지판(97a)에 각각 연결되고, 상기 아암 부품(91, 92)을 개별적으로 또한 수평으로 지지한 상태에서 승강하여 상기 아암 부품(91, 92)을 승강시키도록 구성된 한쌍의 승강축(96)을 포함하며,
    상기 아암 부품(91, 92)은 상기 아암 부품(91, 92)이 서로 근접하여 있는 설정 위치에서 승강하도록 작동되며, 상기 아암 부품(91, 92)은, 상기 승강축(96)을 회전시킴으로써 또는 상기 지지판(97a)을 상기 승강축(96)에 대해 회전시킴으로써, 상기 설정 위치로부터 서로 이격되는
    리프터.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 아암 부품(91, 92)은 상기 지지판(97a)의 일단부로부터 상기 지지판(97a)의 길이방향에 직교하는 방향으로 각각 연장되며, 상기 지지판(97a)의 타단부는 관통 연장되는 고정 나사(97e)에 의해 상기 승강축(96)의 상단부에 각각 고정되며,
    상기 리프터(9)는 상기 지지판(97a)의 일단부가 서로 맞대어진 상태에서 상기 지지판(97a)을 서로 연결하도록 구성된 커버(97d)를 더 포함하며,
    상기 커버(97d)에 의한 연결을 해제하고, 상기 고정 나사(97e)를 푸는 것에 의해, 상기 지지판(97a)은 상기 아암 부품(91, 92)을 서로 이격시킬 때에 상기 승강축(96)에 대해 회전가능하게 되는
    리프터.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 리프터 아암(90)에 상기 핀(93, 94, 95)을 각각 고정하도록 구성된 핀 고정부(102)를 더 포함하며,
    각각의 핀 고정부(102)는 상기 리프터 아암(90)에 형성된 관통 구멍(91c)내로 삽입되며,
    상기 각 핀 고정부(102)는, 대응하는 핀(93, 94, 95)을 고정하도록 내부에 형성된 핀 삽입 구멍(102d)을 갖고, 상기 관통 구멍(91c)에 유격 끼워맞춤되는 유동부(102b)와,
    상기 유동부(102b)의 상측에 연결되고, 상기 유동부(102b)보다 큰 직경을 갖고, 대응하는 상기 핀(93, 94, 95)이 관통한 상태에서 상기 리프터 아암(90)의 상면에 접촉하게 되는 지지부(102a)와,
    상기 유동부(102b)의 하측에 연결되고, 상기 관통 구멍(91c)으로부터 하방으로 돌출한 결합부(102c)와,
    상기 결합부(102c)에 결합되어, 상기 리프터 아암(90)의 하면에 접촉하게 되는 접촉부(103)를 포함하며,
    상기 핀 고정부(102)는 유동부(102b) 주위의 간극에 의해 수평방향으로 이동가능하게 되는
    리프터.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 리프터 아암(90)에 상기 핀(93, 94, 95)을 각각 고정하도록 구성된 핀 고정부(108)를 더 포함하며,
    상기 리프터 아암(90)에 의해 상기 핀(93, 94, 95)을 승강시킴으로써, 상기 탑재대(7)의 구멍에 대해 상기 핀(93, 94, 95)을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체(W)를 승강시키며,
    각각의 핀 고정부(108)는 상기 리프터 아암(90)에 형성되고 내벽상에 나사를 갖는 나사 구멍(91d)내로 삽입되며,
    상기 각 핀 고정부(108)는, 대응하는 핀(93, 94, 95)을 고정하도록 내부에 형성된 핀 삽입 구멍(108d)을 갖고, 상기 나사 구멍(91d)에 유격 끼워맞춤되는 유동부(108b)와,
    상기 유동부(108b)의 상측에 연결되고, 상기 유동부(108b)보다 큰 직경을 갖고, 대응하는 상기 핀(93, 94, 95)이 관통한 상태에서 상기 리프터 아암(90)의 상면에 접촉하게 되는 지지부(108a)와,
    상기 유동부(108b)의 하측에 연결되고, 외주면에 상기 나사 구멍(91d)내에 나사 결합되는 수나사가 형성되어 있고, 상기 수나사가 상기 나사 구멍(91d)에 나사 결합되어, 상기 나사 구멍(91d)으로부터 하방으로 돌출한 상태에서, 상기 유동부(108b)를 하측으로부터 지지하는 스토퍼부(108c)를 포함하며,
    상기 핀 고정부(108)는 유동부(108b) 주위의 간극에 의해 수평방향으로 이동가능하게 되는
    리프터.
  9. 처리 장치(1)에 있어서,
    피처리체(W)를 수용하도록 구성된 챔버(2)와,
    상기 챔버(2)내에서 상기 피처리체(W)를 탑재하도록 구성된 탑재대(7)와,
    상기 챔버(2)내에서 상기 피처리체(W)에 소정의 처리를 실행하도록 구성된 처리 기구와,
    상기 탑재대(7)상의 피처리체(W)를 승강시키도록 구성된 리프터(9)와,
    상기 리프터(9)를 구동하는 구동 기구(110)를 포함하며,
    상기 리프터(9)는, 상기 탑재대(7)상의 피처리체(W)를 지지하도록 구성된 복수의 핀(93, 94, 95)과, 상기 복수의 핀(93, 94, 95)을 지지하도록 구성된 리프터 아암(90)과, 상기 리프터 아암(90)을 수평으로 지지하도록 구성된 지지부와, 상기 지지부에 연결되고, 상기 리프터 아암(90)을 수평으로 지지한 상태에서 승강하여 상기 리프터 아암(90)을 승강시키도록 구성된 승강부를 포함하며,
    상기 탑재대(7)에는 상기 핀(93, 94, 95)이 삽입되는 복수의 구멍이 관통 형성되어 있고, 상기 리프터 아암(90)에 의해 상기 핀(93, 94, 95)을 승강시킴으로써, 상기 구멍에 대해 상기 핀(93, 94, 95)을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체(W)를 승강시키며,
    상기 리프터 아암(90)은 한쌍의 아암 부품(91, 92)을 포함하며,
    상기 지지부는 상기 아암 부품(91, 92)을 개별적으로 또한 수평으로 지지하도록 구성된 한쌍의 지지판(97a)을 포함하며,
    상기 승강부는 상기 지지판(97a)에 각각 연결되고, 상기 아암 부품(91, 92)을 개별적으로 또한 수평으로 지지한 상태에서 승강하여 상기 아암 부품(91, 92)을 승강시키도록 구성된 한쌍의 승강축(96)을 포함하며,
    상기 아암 부품(91, 92)은 상기 아암 부품(91, 92)이 서로 근접하여 있는 설정 위치에서 승강하도록 작동되며, 상기 아암 부품(91, 92)은, 상기 승강축(96)을 회전시킴으로써 또는 상기 지지판(97a)을 상기 승강축(96)에 대해 회전시킴으로써, 상기 설정 위치로부터 서로 이격되는
    처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 아암 부품(91, 92)은 상기 지지판(97a)의 일단부로부터 상기 지지판(97a)의 길이방향에 직교하는 방향으로 각각 연장되며, 상기 지지판(97a)의 타단부는 관통 연장되는 고정 나사(97e)에 의해 상기 승강축(96)의 상단부에 각각 고정되며,
    상기 리프터(9)는 상기 지지판(97a)의 일단부가 서로 맞대어진 상태에서 상기 지지판(97a)을 서로 연결하도록 구성된 커버(97d)를 더 포함하며,
    상기 커버(97d)에 의한 연결을 해제하고, 상기 고정 나사(97e)를 푸는 것에 의해, 상기 지지판(97a)은 상기 아암 부품(91, 92)을 서로 이격시킬 때에 상기 승강축(96)에 대해 회전가능하게 되는
    처리 장치.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 리프터(9)는 상기 리프터 아암(90)에 상기 핀(93, 94, 95)을 각각 고정하도록 구성된 핀 고정부(102)를 더 포함하며,
    각각의 핀 고정부(102)는 상기 리프터 아암(90)에 형성된 관통 구멍(91c)내로 삽입되며,
    상기 각 핀 고정부(102)는, 대응하는 핀(93, 94, 95)을 고정하도록 내부에 형성된 핀 삽입 구멍(102d)을 갖고, 상기 관통 구멍(91c)에 유격 끼워맞춤되는 유동부(102b)와,
    상기 유동부(102b)의 상측에 연결되고, 상기 유동부(102b)보다 큰 직경을 갖고, 대응하는 상기 핀(93, 94, 95)이 관통한 상태에서 상기 리프터 아암(90)의 상면에 접촉하게 되는 지지부(102a)와,
    상기 유동부(102b)의 하측에 연결되고, 상기 관통 구멍(91c)으로부터 하방으로 돌출한 결합부(102c)와,
    상기 결합부(102c)에 결합되어, 상기 리프터 아암(90)의 하면에 접촉하게 되는 접촉부(103)를 포함하며,
    상기 핀 고정부(102)는 유동부(102b) 주위의 간극에 의해 수평방향으로 이동가능하게 되는
    처리 장치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 리프터(9)는 상기 리프터 아암(90)에 상기 핀(93, 94, 95)을 각각 고정하도록 구성된 핀 고정부(108)를 더 포함하며,
    상기 리프터 아암(90)에 의해 상기 핀(93, 94, 95)을 승강시킴으로써, 상기 탑재대(7)의 구멍에 대해 상기 핀(93, 94, 95)을 돌출 및 후퇴시켜서 상기 피처리체(W)를 승강시키며,
    각각의 핀 고정부(108)는 상기 리프터 아암(90)에 형성되고 내벽상에 나사를 갖는 나사 구멍(91d)내로 삽입되며,
    상기 각 핀 고정부(108)는, 대응하는 핀(93, 94, 95)을 고정하도록 내부에 형성된 핀 삽입 구멍(108d)을 갖고, 상기 나사 구멍(91d)에 유격 끼워맞춤되는 유동부(108b)와,
    상기 유동부(108b)의 상측에 연결되고, 상기 유동부(108b)보다 큰 직경을 갖고, 대응하는 상기 핀(93, 94, 95)이 관통한 상태에서 상기 리프터 아암(90)의 상면에 접촉하게 되는 지지부(108a)와,
    상기 유동부(108b)의 하측에 연결되고, 외주면에 상기 나사 구멍(91d)내에 나사 결합되는 수나사가 형성되어 있고, 상기 수나사가 상기 나사 구멍(91d)에 나사 결합되어, 상기 나사 구멍(91d)으로부터 하방으로 돌출한 상태에서, 상기 유동부(108b)를 하측으로부터 지지하는 스토퍼부(108c)를 포함하며,
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