KR100891517B1 - 플립 칩 패키지 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 플립 칩 패키지는, 일면에 다수의 전극단자를 구비한 인쇄회로기판과, 상기 인쇄회로기판 상에 페이스-다운 타입으로 배치되며, 상기 다수의 전극단자와 대응하는 부분에 다수의 본딩패드를 구비한 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 본딩 패드와 인쇄회로기판의 전극단자를 전기적 및 물리적으로 연결시키는 전도성 폴리머와, 상기 전도성 폴리머 및 반도체 칩을 포함한 인쇄회로기판의 일면을 밀봉하는 봉지제를 포함한다.

Description

플립 칩 패키지 및 그의 제조방법{FLIP CHIP PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 종래 기술에 따른 플립 칩 패키지를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플립 칩 패키지를 도시한 단면도.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 플립 칩 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플립 칩 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
200, 300, 400 : 플립 칩 패키지 201, 301, 401 : 본딩패드
202, 302, 402 : 반도체 칩 203, 303, 403 : 전극단자
204, 304, 404 : 전도성 폴리머 205, 305, 405 : 인쇄회로기판
206, 306 ,406 : 봉지제 207, 307, 407 : 솔더볼
408 : 마스크 A, A' : 핵성장층
본 발명은 플립 칩 패키지에 관한 것으로, 보다 자세하게는, 미세 피치(Fine Pitch)를 구현함과 아울러, 범프 조인트의 신뢰성을 향상시킨 플립 칩 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
각종 전기 전자 제품의 크기가 소형화되는 추세에 따라, 한정된 크기의 인쇄회로기판에 보다 많은 수의 반도체 칩을 실장시켜 소형이면서도 고용량을 달성하고자 하는 많은 연구가 전개되고 있다. 이에 따라, 인쇄회로기판 상에 실장되는 반도체 패키지의 크기 또한 감소되고 있는 실정이다.
예들 들어, 패키지의 전체 사이즈에 대해 반도체 칩의 사이즈가 80% 이상이 되는 칩 사이즈 패키지(Chip Size Package)가 제안되었으며, 이러한 칩 사이즈 패키지는 경박단소의 잇점을 갖기 때문에 여러 가지 형태로 개발되고 있다.
한편, 전형적인 반도체 패키지 및 일부 칩 사이즈 패키지는 인쇄회로기판에의 실장방법으로 리드프레임에 의한 솔더링 방식을 이용하고 있다. 그런데, 상기 리드프레임에 의한 솔더링 방식은 공정 진행이 용이하고 신뢰성 측면에서 우수하다는 잇점이 있지만, 반도체 칩과 인쇄회로기판 간의 전기적 신호 전달 길이가 긴 것과 관련하여 전기적 특성 측면에서는 불리한 단점이 있다.
이에, 반도체 칩과 인쇄회로기판 간의 전기적 신호 전달 경로를 최소화시킬 목적으로, 범프(Bump)를 이용한 플립 칩 패키지(Flip Chip Package) 구조가 제안되었다.
도 1은 종래 기술에 따른 플립 칩 패키지를 도시한 단면도로서, 도시된 바와 같이, 플립 칩 패키지(100)는 범프(104)에 의해 상기 반도체 칩(102)과 인쇄회로기 판(105)의 기계적인 접착이 이루어지도록 함과 동시에 반도체 칩(102)과 인쇄회로기판(105)의 전기적 접속이 이루어지도록 한 구조이다.
이러한 플립 칩 패키지(100)는 반도체 칩(102)과 인쇄회로기판(105) 간의 전기적 신호의 상호 전달이 단지 범프(104)에 의해서만 이루어지므로, 신호 전달 경로가 매우 짧으며, 따라서, 전기적 특성 측면에서 잇점을 갖는다.
도 1에서, 미설명된 도면 부호 106 및 107은 각각 충진제 및 솔더볼을 나타낸다.
그러나, 종래의 플립 칩 패키지는 금속이 함유된 금속계의 화합물인 솔더 범프를 사용하여 반도체 칩과 인쇄회로기판 간의 전기적 및 기계적 연결이 이루어지면서 여러 가지 문제점이 발생하고 있다.
구체적으로, 솔더 범프와 반도체 칩의 본딩패드 및 솔더 범프와 인쇄회로기판의 전극단자와 같은 금속 물질들 간의 결합에서 발생할 수 있는 금속간 화합물(Intermetallic Compound)의 형성으로 인해 범프 조인트의 신뢰성이 떨어지게 된다. 또한, 비교적 까다로운 플립 칩 본딩 공정 수행시, 상기와 같은 금속 물질들 간을 접합시키기 때문에 그에 따른 공정 상의 불량이 증가하게 된다. 게다가, 이와 같이 불량이 발생하게 되면, 불량을 제거하기 위한 또 다른 공정이 추가되어야 하므로 제조 단가가 상승하게 된다.
부가해서, 상기 솔더 범프와 반도체 칩의 본딩패드 및 솔더 범프와 인쇄회로기판의 전극단자와 같은 금속 물질들 간의 결합시, 상기 금속 물질들 간의 결합 특성이 좋지 않기 때문에, 그에 따라 추가되는 융제(Flux) 등의 사용으로 인해 공정 이 추가되게 되어, 또 다른 제조 공정 상의 문제점을 발생시키게 된다.
또한, 반도체 칩과 인쇄회로기판간을 접합시 금속계 화합물로 이루어진 솔더 범프의 눌림 및 단락이 발생할 가능성이 있기 때문에 미세 피치(Fine Pitch)가 요구되는 플립 칩 패키지의 제조에 어려움이 발생하게 된다.
본 발명은 범프 조인트의 신뢰성을 향상시킨 플립 칩 패키지 및 그의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 제조 공정 상의 어려움을 개선시킨 플립 칩 패키지 및 그의 제조방법을 제공한다.
게다가, 본 발명은 미세 피치를 구현한 플립 칩 패키지 및 그의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 플립 칩 패키지는, 일면에 다수의 전극단자를 구비한 인쇄회로기판; 상기 인쇄회로기판 상에 페이스-다운 타입으로 배치되며, 상기 다수의 전극단자와 대응하는 부분에 다수의 본딩패드를 구비한 반도체 칩; 상기 반도체 칩의 본딩 패드와 인쇄회로기판의 전극단자를 전기적 및 물리적으로 연결시키는 전도성 폴리머; 및 상기 전도성 폴리머 및 반도체 칩을 포함한 인쇄회로기판의 일면을 밀봉하는 봉지제;를 포함한다.
상기 전도성 폴리머는 5∼500㎛의 크기로 형성한다.
상기 전도성 폴리머는 50∼200㎛의 크기로 형성한다.
상기 전도성 폴리머는 전도성 파티클(Particle)이 함유된다.
상기 전도성 폴리머는, 유기 설폰산을 함유한 폴리머, 티오펜, 피롤 및 이들의 유도체 중 어느 하나를 함유한 폴리머, 폴리 에틸렌 디옥시티오펜을 함유한 폴리머 및 폴리 스티렌설포레이트를 함유한 폴리머 중 어느 하나로 이루어진다.
상기 인쇄회로기판은 하면에 부착된 솔더 볼이 더 형성된다.
또한, 본 발명에 따른 플립 칩 패키지의 제조방법은, 다수의 본딩패드를 갖는 반도체 칩의 상기 각 본딩패드 상에 핵 성장층을 형성하는 단계; 상기 핵 성장층으로부터 핵 성장을 진행해서 전도성 폴리머를 성장시키는 단계; 상기 전도성 폴리머가 성장된 반도체 칩을 일면에 다수의 전극단자를 구비한 인쇄회로기판 상에 상기 본딩패드와 전극단자가 상기 전도성 폴리머에 의해 전기적 및 기계적으로 연결되도록 부착하는 단계; 및 상기 반도체 칩이 부착된 인쇄회로기판의 일면을 봉지제로 밀봉하는 단계;를 포함한다.
상기 전도성 폴리머는 5∼500㎛의 크기로 형성한다.
상기 전도성 폴리머는 50∼200㎛의 크기로 형성한다.
상기 전도성 폴리머는 전도성 파티클(Particle)을 첨가하여 형성한다.
상기 전도성 폴리머는, 유기 설폰산을 함유한 폴리머, 티오펜, 피롤 및 이들의 유도체 중 어느 하나를 함유한 폴리머, 폴리 에틸렌 디옥시티오펜을 함유한 폴리머 및 폴리 스티렌설포레이트를 함유한 폴리머 중 어느 하나로 형성한다.
상기 인쇄회로기판의 일면을 봉지제로 밀봉하는 단계 후, 상기 인쇄회로기판은 하면에 솔더 볼을 형성하는 단계;를 더 포함한다.
게다가, 본 발명에 따른 플립 칩 패키지의 제조방법은, 다수의 본딩패를 갖 는 반도체 칩 상에 상기 본딩패드를 노출시키는 마스크를 형성하는 단계; 상기 마스크를 이용하여 노출된 본딩패드 상에 스크린 프린팅(Screen Printing) 방식으로 전도성 폴리머를 형성하는 단계; 상기 마스크를 제거하는 단계; 상기 전도성 폴리머가 형성된 반도체 칩을, 일면에 다수의 전극단자를 구비한 인쇄회로기판 상에 상기 본딩패드와 전극단자 상기 전도성 폴리머에 의해 전기적 및 기계적으로 연결되도록 부착하는 단계; 및 상기 반도체 칩이 부착된 인쇄회로기판의 일면을 봉지제로 밀봉하는 단계;를 포함한다.
상기 마스크는 금속 또는 감광막으로 형성한다.
상기 전도성 폴리머는 5∼500㎛의 크기로 형성한다.
상기 전도성 폴리머는 50∼200㎛의 크기로 형성한다.
상기 전도성 폴리머는 전도성 파티클(Particle)을 첨가하여 형성한다.
상기 전도성 폴리머는, 유기 설폰산을 함유한 폴리머, 티오펜, 피롤 및 이들의 유도체 중 어느 하나를 함유한 폴리머, 폴리 에틸렌 디옥시티오펜을 함유한 폴리머 및 폴리 스티렌설포레이트를 함유한 폴리머 중 어느 하나로 형성한다.
상기 인쇄회로기판의 일면을 봉지제로 밀봉하는 단계 후, 상기 인쇄회로기판은 하면에 솔더 볼을 형성하는 단계;를 더 포함한다.
(실시예)
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.
본 발명은 반도체 칩과 인쇄회로기판 간을 전도성 폴리머를 매개로 하여 전 기적 및 기계적으로 연결해서 플립 칩 패키지를 제조한다.
이렇게 하면, 복원력이 우수하며, 금속이 아닌 전도성 폴리머를 사용하여 반도체 칩과 인쇄회로기판 간을 연결하여 플립 칩 패키지를 구성함으로써, 종래의 금속계 화합물로 이루어진 솔더 범프의 눌림이나 퍼짐 현상을 상기 전도성 폴리머의 복원력과 같은 특성에 의해 방지할 수 있고, 그래서, 본 발명은 미세 피치의 플립 칩 패키지를 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 범프 조인트(Bump Joint)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 전도성 폴리머를 사용함으로써, 솔더 범프와 반도체 칩의 본딩패드 및 솔더 범프와 인쇄회로기판의 전극단자 간의 결합 특성을 향상시키기 위해 필요한 융제(Flux) 형성 등의 추가적인 공정이 요구되지 않아도 됨에 따라, 또 다른 공정에의 불량 발생을 방지할 수 있어, 패키지 제품의 단가 상승 및 제조 수율 저하를 방지할 수 있다.
자세하게, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플립 칩 패키지를 도시한 단면도로서, 이를 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 플립 칩 패키지(200)는, 일면에 다수의 전극단자(203)를 구비한 인쇄회로기판(205) 상에, 상기 다수의 전극단자(203)와 대응하는 부분에 다수의 본딩패드(201)를 갖는 반도체 칩(202)이 페이스-다운 타입으로 부착된 구조를 갖는다.
상기 반도체 칩(202)의 본딩패드(201)와 인쇄회로기판(205)의 전극단자(203) 간은 전도성 폴리머(204)를 매개로 하여 전기적 및 물리적으로 연결되며, 상기 전도성 폴리머(204) 및 반도체 칩(202)을 포함한 인쇄회로기판(205)의 일면은 상기 반도체 칩(202)이 외부의 스트레스로부터 보호되도록 EMC(Epoxy Molding Compound)와 같은 봉지제(206)로 밀봉된다. 또한, 상기 인쇄회로기판(205)의 하면에는 실장 부재로서의 다수의 솔더 볼(207)이 부착된다.
상기 전도성 폴리머(204)는 다량의 전도성 파티클(Particle)이 함유된 물질이며, 5∼500㎛ 정도의 크기로 형성된다. 예컨대, 상기 전도성 폴리머(204)는 50∼200㎛ 정도의 크기로 형성된다.
또한, 상기 전도성 폴리머(204)는 유기 설폰산을 함유한 폴리머, 티오펜, 피롤 및 이들의 유도체 중 어느 하나를 함유한 폴리머, 폴리 에틸렌 디옥시티오펜을 함유한 폴리머 및 폴리 스티렌설포레이트를 함유한 폴리머 중 어느 하나로 이루어진다.
본 발명은 이와 같이 전도성 폴리머를 사용하여 반도체 칩과 인쇄회로기판 간을 전기적 및 기계적으로 연결하여 플립 칩 패키지를 형성함으로써, 범프 조인트의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 따라서, 제조 공정 상의 어려움을 개선시킬 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 플립 칩 패키지의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도로서, 이를 설명하면 다음과 같다.
도 3a를 참조하면, 일면에 다수의 본딩패드(301)를 갖는 반도체 칩(302)을 마련하고, 상기 반도체 칩(302)의 각 본딩패드(301) 상에 전도성 폴리머를 성장시키기 위한 핵 성장층(A)을 형성한다.
도 3b를 참조하면, 상기 핵 성장층(A)을 기초로 하여 일정한 높이로 범프와 같은 역할을 수행하는 전도성 폴리머(304)를 성장시킨다. 여기서, 상기 전도성 폴리머(304)는 5∼500㎛의 크기로, 예컨대, 50∼200㎛ 성장시키며, 내부에 다량의 전도성 파티클(Particle)이 함유되도록 성장시킨다.
예컨대, 상기 전도성 폴리머(304)는 유기 설폰산을 함유한 폴리머, 티오펜, 피롤 및 이들의 유도체 중 어느 하나를 함유한 폴리머, 폴리 에틸렌 디옥시티오펜을 함유한 폴리머 및 폴리 스티렌설포레이트를 함유한 폴리머 중 어느 하나를 성장시킨다.
도 3c를 참조하면, 상기 반도체 칩(302)을 전도성 폴리머(304)를 매개로 하여 상기 반도체 칩(302)의 본딩패드(301)에 대응해서 다수의 전극단자(303)를 갖는 인쇄회로기판(305) 상에 부착한다.
도 3d를 참조하면, 상기 전도성 폴리머(304)를 매개로 하여 부착된 반도체 칩(302) 및 상기 전도성 폴리머(304)를 포함하는 상기 인쇄회로기판(305)의 일면을 외부의 스트레스로부터 상기 반도체 칩(302)을 보호하기 위해 EMC와 같은 봉지제(306)로 밀봉한다. 그런다음, 상기 인쇄회로기판(305)의 하면에 외부회로에의 접속단자로서 솔더 볼(307)을 부착하여, 본 발명의 실시예에 따른 플립 칩 패키지(300)를 완성한다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 금속계 화합물이 아닌 전도성 폴리머를 사용하여 플립 칩 패키지를 제조함으로써, 범프 조인트의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 또한, 미세 피치(Fine Pitch)를 구현할 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플립 칩 패키지의 제조방 법을 설명하기 위한 공정별 단면도로서, 이를 설명하면 다음과 같다.
도 4a를 참조하면, 일면에 다수의 본딩패드(401)를 갖는 반도체 칩(402)을 마련하고, 상기 반도체 칩(402) 상에 상기 본딩패드(401)를 노출시키는 마스크(408)를 형성한다. 상기 마스크(408)는 금속 또는 감광막으로 형성한다.
도 4b를 참조하면, 상기 마스크(408)에 의해 노출된 반도체 칩(402)의 본딩패드(401) 상에 스크린 프린팅(Screen Printing) 방식으로 범프와 같은 역할을 수행하며 일정한 형상을 갖는 전도성 폴리머(404)를 인쇄한다.
상기 전도성 폴리머(404)는 5∼500㎛의 크기를 갖도록, 예컨대, 50∼200㎛의 크기를 갖도록 인쇄하며, 내부에 다량의 전도성 파티클(Particle)을 함유시켜 인쇄한다. 또한, 상기 전도성 폴리머(404)는 유기 설폰산을 함유한 폴리머, 티오펜, 피롤 및 이들의 유도체 중 어느 하나를 함유한 폴리머, 폴리 에틸렌 디옥시티오펜을 함유한 폴리머 및 폴리 스티렌설포레이트를 함유한 폴리머 중 어느 하나로 구성한다.
도 4c를 참조하면, 상기 마스크(408)를 제거한 후, 상기 반도체 칩(402)을 전도성 폴리머(404)를 매개로 하여 상기 반도체 칩(402)의 본딩패드(401)에 대응해서 다수의 전극단자(403)를 갖는 인쇄회로기판(405) 상에 부착한다.
도 4d를 참조하면, 전도성 폴리머(404)를 매개로 하여 부착된 반도체 칩(402) 및 상기 전도성 폴리머(404)를 포함하는 인쇄회로기판(405)의 일면을 외부의 스트레스로부터 상기 반도체 칩(402)을 보호하기 위해 EMC와 같은 봉지제(406)로 밀봉한다. 그런다음, 상기 인쇄회로기판(405)의 하면에 외부 회로에의 접속 수 단으로서 솔더 볼(407)을 부착하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 플립 칩 패키지(400)를 완성한다.
이와 같은, 본 발명의 다른 실시예는 전술한 본 발명의 실시예서와 같이 전도성 폴리머를 형성하고, 상기 전도성 폴리머를 매개로 플립 칩 패키지를 제조 형성함으로써, 본 발명의 실시예에서와 동일한 효과를 얻을 수 있으며, 특히, 성장 핵을 이용하여 전도성 폴리머를 성장시키는 방법보다 공정 측면에서 비교적 용이한 스크린 프린팅 방식으로 전도성 폴리머를 형성함으로써, 전도성 폴리머를 이용한 플립 칩 패키지의 제조를, 더욱 용이하게 할 수 있다.
한편, 전술한 본 발명의 실시예들은 칩 레벨에 대해서만 한정하여 도시하고 설명하였지만, 웨이퍼 레벨 패키지로도 본 발명의 실시예를 적용하여 그와 같은 동일한 효과를 얻을 수 있으며, 특히, 웨이퍼 레벨 패키지에 솔더 범프 대신 전도성 폴리머를 적용하는 경우, 충진제(Underfill)를 사용하지 않고 전도성 폴리머만을 사용하여 패키지를 형성할 수 있다.
이상, 전술한 본 발명의 실시예들에서는 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구의 범위는 본 발명의 정신과 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 알 수 있다.
이상에서와 같이, 본 발명은 전도성 폴리머를 사용하여 반도체 칩과 인쇄회 로기판 간을 결합시킴으로써 금속계 화합물로 이루어진 범프를 사용하는 경우에서 유발되는 눌림이나 퍼짐 현상을 방지할 수 있으며, 이에 따라, 범프 조인트의 신뢰성을 향상시킬 수 있음은 물론, 미세 피치를 구현할 수 있다.
또한, 본 발명은 전도성 폴리머를 사용함으로써 융제(Flux) 형성 등의 추가적인 공정을 수행하지 않아도 되므로, 공정 상의 불량 발생 가능성을 낮출 수 있고, 제조 단가의 상승도 방지할 수 있다.

Claims (19)

  1. 삭제
  2. 일면에 다수의 전극단자를 구비한 인쇄회로기판;
    상기 인쇄회로기판 상에 페이스-다운 타입으로 배치되며, 상기 다수의 전극단자와 대응하는 부분에 다수의 본딩패드를 구비한 반도체 칩;
    상기 반도체 칩의 본딩 패드와 인쇄회로기판의 전극단자를 전기적 및 물리적으로 연결시키는 전도성 폴리머; 및
    상기 전도성 폴리머 및 반도체 칩을 포함한 인쇄회로기판의 일면을 밀봉하는 봉지제;
    를 포함하며,
    상기 전도성 폴리머는 5∼500㎛의 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머는 50∼200㎛의 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지.
  4. 삭제
  5. 일면에 다수의 전극단자를 구비한 인쇄회로기판;
    상기 인쇄회로기판 상에 페이스-다운 타입으로 배치되며, 상기 다수의 전극단자와 대응하는 부분에 다수의 본딩패드를 구비한 반도체 칩;
    상기 반도체 칩의 본딩 패드와 인쇄회로기판의 전극단자를 전기적 및 물리적으로 연결시키는 전도성 폴리머; 및
    상기 전도성 폴리머 및 반도체 칩을 포함한 인쇄회로기판의 일면을 밀봉하는 봉지제;
    를 포함하며,
    상기 전도성 폴리머는, 유기 설폰산을 함유한 폴리머, 티오펜, 피롤 및 이들의 유도체 중 어느 하나를 함유한 폴리머, 폴리 에틸렌 디옥시티오펜을 함유한 폴리머 및 폴리 스티렌설포레이트를 함유한 폴리머 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지.
  6. 삭제
  7. 다수의 본딩패드를 갖는 반도체 칩의 상기 각 본딩패드 상에 핵 성장층을 형성하는 단계;
    상기 핵 성장층으로부터 핵 성장을 진행해서 전도성 폴리머를 성장시키는 단계;
    상기 전도성 폴리머가 성장된 반도체 칩을 일면에 다수의 전극단자를 구비한 인쇄회로기판 상에 상기 본딩패드와 전극단자가 상기 전도성 폴리머에 의해 전기적 및 기계적으로 연결되도록 부착하는 단계; 및
    상기 반도체 칩이 부착된 인쇄회로기판의 일면을 봉지제로 밀봉하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머는 5∼500㎛의 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머는 50∼200㎛의 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머는 전도성 파티클(Particle)을 첨가하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머는, 유기 설폰산을 함유한 폴리머, 티오펜, 피롤 및 이들의 유도체 중 어느 하나를 함유한 폴리머, 폴리 에틸렌 디옥시티오펜을 함유한 폴리머 및 폴리 스티렌설포레이트를 함유한 폴리머 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 인쇄회로기판의 일면을 봉지제로 밀봉하는 단계 후,
    상기 인쇄회로기판은 하면에 솔더 볼을 형성하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
  13. 다수의 본딩패를 갖는 반도체 칩 상에 상기 본딩패드를 노출시키는 마스크를 형성하는 단계;
    상기 마스크를 이용하여 노출된 본딩패드 상에 스크린 프린팅(Screen Printing) 방식으로 전도성 폴리머를 형성하는 단계;
    상기 마스크를 제거하는 단계;
    상기 전도성 폴리머가 형성된 반도체 칩을, 일면에 다수의 전극단자를 구비한 인쇄회로기판 상에 상기 본딩패드와 전극단자 상기 전도성 폴리머에 의해 전기적 및 기계적으로 연결되도록 부착하는 단계; 및
    상기 반도체 칩이 부착된 인쇄회로기판의 일면을 봉지제로 밀봉하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 마스크는 금속 또는 감광막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머는 5∼500㎛의 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머는 50∼200㎛의 크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머는 전도성 파티클(Particle)을 첨가하여 형성하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 전도성 폴리머는, 유기 설폰산을 함유한 폴리머, 티오펜, 피롤 및 이들의 유도체 중 어느 하나를 함유한 폴리머, 폴리 에틸렌 디옥시티오펜을 함유한 폴리머 및 폴리 스티렌설포레이트를 함유한 폴리머 중 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 인쇄회로기판의 일면을 봉지제로 밀봉하는 단계 후,
    상기 인쇄회로기판은 하면에 솔더 볼을 형성하는 단계;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립 칩 패키지의 제조방법.
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